TWI484543B - Segmentation of wafers (1) - Google Patents

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TWI484543B
TWI484543B TW098108920A TW98108920A TWI484543B TW I484543 B TWI484543 B TW I484543B TW 098108920 A TW098108920 A TW 098108920A TW 98108920 A TW98108920 A TW 98108920A TW I484543 B TWI484543 B TW I484543B
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Ryugo Oba
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Description

晶圓之分割方法(一) 領域領域
本發明係有關於一種將複數個切割道於表面形成格子狀，且於以該複數個切割道劃分之複數個區域形成的晶圓沿切割道分割之晶圓之分割方法。
 背景技術
在半導體裝置製程中，以於略呈圓板形之半導體晶圓表面排列成格子狀之稱為切割道的分割預定線劃分複數個區域，於此劃分之區域形成IC、LSI、液晶驅動器、快閃記憶體等裝置。藉沿切割道切斷半導體晶圓，分割形成有裝置之區域，而製造各裝置。
沿上述晶圓之切割道分割之方法亦嘗試使用對晶圓具穿透性之波長之脈衝雷射光線，將集光點對準要分割之區域內部，照射脈衝雷射光線之雷射加工方法。使用此雷射加工方法之分割方法係從晶圓之一面側使集光點對準內部，照射對晶圓具穿透性之波長之脈衝雷射光線，於晶圓內部沿切割道連續形成變質層，沿因形成此變質層而強度降低之切割道施加外力，藉此，使晶圓斷裂而分割者，可使切割道之寬度縮小。(參照專利文獻1)。
【專利文獻1】日本專利公報第3408805號
 發明揭示
如此，於切割道表面披覆有金屬膜、氟化矽酸鹽玻璃膜、氧化矽膜系鈍化膜(SiO2 、SiON)、聚醯亞胺(PI)系高分子化合物膜、氟系高分子化合物膜、氟化非晶碳系化合物膜之晶圓中，使集光點對準內部，照射對晶圓基板具穿透性之波長之脈衝雷射光線，於晶圓內部沿切割道形成變質層，藉此，雖可分割晶圓基板，但有無法分割披覆於切割道表面之膜之問題。
本發明即是鑑於上述情形而發明者，其主要技術課題係提供可將於切割道表面披覆有膜之晶圓在不殘留膜下分割之晶圓之分割方法。
為解決上述主要技術課題，根據本發明，提供一種晶圓之分割方法，其係沿切割道將晶圓分割成諸個裝置者，且該晶圓係於藉在基板表面形成格子狀有之複數個切割道所劃分的複數個區域形成裝置，並於該切割道表面披覆有膜者，該分割方法之特徵在於，具有膜分割切斷步驟、變質層形成步驟、背面研磨步驟、晶圓斷裂步驟； 該膜分割切斷步驟係從晶圓表面側沿該切割道對該膜照射對該膜具吸收性之波長的雷射光線，形成雷射加工溝，而將該膜沿該切割道分割切斷者；該變質層形成步驟係將對該基板具有穿透性之波長之雷射光線從晶圓之背面側於該基板之內部定位集光點後，沿該切割道照射，而於該基板之內部沿切割道形成變質層者；該背面研磨步驟係將構成經施行該變質層形成步驟之晶圓的該基板背面，將晶圓形成預定厚度者；及該晶圓斷裂步驟係對經施行該背面研磨步驟之晶圓賦與外力，使晶圓沿該切割道斷裂者。
又，根據本發明，提供一種晶圓之分割方法，其係沿切割道將晶圓分割成諸個裝置者，且該晶圓係於藉在基板表面形成有格子狀之複數個切割道所劃分的複數個區域形成裝置，並於該切割道表面披覆有膜者，該分割方法之特徵在於，具有膜分割切斷步驟、背面研磨步驟、變質層形成步驟及晶圓斷裂步驟；該膜分割切斷步驟係從晶圓表面側沿該切割道對該膜照射對該膜具吸收性之波長的雷射光線，形成雷射加工溝，而將該膜沿該切割道分割切斷者；該背面研磨步驟係將構成經施行該膜分割切斷步驟之晶圓的該基板背面，而將晶圓形成預定厚度者；該變質層形成步驟係將對經施行該背面研磨步驟之晶圓的該基板具有穿透性之波長的雷射光線從晶圓之背面側 於該基板之內部定位集光點後，沿該切割道照射，而於該基板之內部沿切割道形成變質層者；及該晶圓斷裂步驟係對經施行該變質層形成步驟之晶圓賦與外力，使晶圓沿該切割道斷裂者。
該晶圓斷裂步驟係在於裝設在環狀框架之切割膠帶表面貼附有晶圓之背面的狀態下擴張該切割膠帶，藉此，對晶圓賦與外力。
根據本發明之晶圓之分割方法，施行將披覆於形成在晶圓基板之切割道表面之膜沿切割道分割切斷的膜分割切斷步驟與於基板內部沿切割道形成變質層之變質層形成步驟後，對晶圓賦與外力，使晶圓沿切割道斷裂，故使晶圓沿切割道斷裂時，膜沿切割道分割切斷，故膜不致無法斷裂而殘留。
 用以實施發明之最佳形態
以下，參照附加圖式，詳細說明本發明之晶圓之分割方法之較佳實施形態。
於第1圖顯示以本發明晶圓之分割方法分割之晶圓之立體圖，於第2圖顯示將第1圖所示之晶圓之主要部份放大 之截面圖。第1圖及第2圖所示之晶圓2係沿以於厚度600μm之矽基板21之表面21a形成格子狀的複數切割道22劃分複數個區域，於此劃分之區域形成IC、LSI、液晶驅動器、快閃記憶體等裝置23。在此晶圓2，如第2圖所示，於包含切割道22及裝置23之表面21a披覆在圖中所示之實施形態為聚醯亞胺(PI)系高分子化合物膜24。
就將上述晶圓2分割成諸裝置23之晶圓之分割方法之第1實施形態作說明。
在第1實施形態中，首先，施行膜分割切斷步驟，該膜分割切斷步驟係將對披覆於構成晶圓2之基板21之表面21a之高分子化合物膜24具有吸收性之波長的雷射光線從晶圓表面側沿切割道22對高分子化合物膜24照射，形成雷射加工溝，將高分化合物膜24沿切割道分割切斷。此膜分割切斷步驟使用第3圖所示之雷射加工裝置3來施行。第3圖所示之雷射加工裝置3具有保持被加工物之夾盤31、對保持在該夾盤31上之被加工物照射雷射光線之雷射光線照射機構32、拍攝保持在夾盤31之被加工物之拍攝機構33。夾盤31構造成吸引保持被加工物，以圖中未示之加工進給機構，於第3圖中箭號X顯示之加工進給方向移動，並且以圖中未示之分度進給機構，於第3圖箭號Y顯示之分度進給方向移動。
上述雷射光線照射機構32具有實質上配置成水平之圓筒形殼體321。於殼體321內配設具有由圖中未示之YAG雷 射振盪器或YVO4雷射挀盪器構成之脈衝雷射光線振盪器或多重頻率設定機構之脈衝雷射光線振盪機構。於上述殼體321之前端部裝設用以收集從脈衝雷射光線振盪機構振盪之脈衝雷射光線之集光器322。
裝設在構成上述雷射光線照射機構32之殼體321前端部之拍攝機構33除了以可視光線拍攝之一般拍攝元件(CCD)外，還以對被加工物照射紅外線之紅外線照明機構、捕捉以該紅外線照明機構照射之紅外線之光學系統及輸出對應於以該光學系統捕捉之紅外線之電信號之拍攝元件(紅外線CCD)等構成。此拍攝機構33將所拍攝之影像信號傳送至圖中未示之控制機構。
參照第3圖至第5圖，就使用上述雷射加工裝置3而施行之膜分割切斷步驟作說明。
膜分割切斷步驟首先於上述第3圖所示之雷射加工裝置3之夾盤31上載置晶圓2之背面21b側。然後，藉使圖中未示之吸引機構作動，將晶圓2保持於夾盤31上(晶圓保持步驟)。因而，保持於夾盤31之晶圓2之表面21a成為上側。
如上述吸引保持有晶圓之夾盤31以圖中未示之加工進給機構定位於拍攝機構33之正下方。當夾盤31定位於拍攝機構33正下方時，以拍攝機構33及圖中未示之控制機構施行檢測晶圓2之要雷射加工之加工區域之對準作業。即，拍 攝機構33及圖中未示之控制機構施行用以進行形成於晶圓2之預定方向之切割道22與沿該切割道22照射雷射光線之雷射光線照射機構32之集光器322之對位的型樣匹配等影像處理，完成雷射光線照射位置之對準。又，對於與形成於晶圓2之預定方向垂直相交之方向形成的切割道22同樣地完成雷射光線照射位置之對準(對準步驟)。此外，在對準步驟中，披覆於晶圓2之包含切割道22及裝置23之表面21a之聚醯亞胺(PI)系高分子化合物膜24為非透明時，拍攝機構33亦如上述具有以紅外線照明機、捕捉紅外線之光學系統及對應於紅外線之電信號之拍攝元件(紅外線CCD)等構成之拍攝機構，故可穿透聚醯亞胺(PI)系高分子化合物膜24，拍攝切割道22。
如以上進行，檢測形成於保持在夾盤31上之晶圓2之切割道22，進行雷射光線照射位置之對準後，如第4(a)圖所示，使夾盤31移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構32之集光器322所在之雷射光線照射區域，將預定之切割道22定位於集光器322之正下方。此時，如第4(a)圖所示，半導體晶圓2定位成切割道22之一端(在第4(a)圖中為左端)位於集光器22之正下方。接著，一面從雷射光線照射機構32之集光器322照射對晶圓2之高分子化合物膜24具有吸收性之波長之脈衝雷射光線，一面使夾盤31於第4(a)圖中箭號X1所示之方向以預定加工進給速度移動。如第4(b)圖所示，切割道22之另一端(在第4(b)圖中為右端)到達集光器322之正 下方位置後，停止脈衝雷射光線之照射，同時，停止夾盤31之移動。在此膜分割切斷步驟中，使脈衝雷射光線之集光點P對準披覆在晶圓2表面之高分子化合物膜24之表面(上面)附近。
藉施行上述膜分割切斷步驟，如第5圖所示，於高分子化合物膜24形成沿切割道22到達基板21之雷射加工溝240。結果，披覆於切割道22之高分子化合物膜24以雷射加工溝240沿切割道22分割切斷。在此膜分割切斷步驟中，由於高分子化合物24雖雷射加工，但直接升華，而由矽構成之基板21不加工，故可抑制雷射加工造成之殘渣之產生。
此外，上述膜分割切斷步驟以以下加工條件進行。
光源：LD激發Q開關Nd：YVO4雷射
波長：355nm
平均輸出：1W
多重頻率：50kHz
集光點徑：ψ5μm
加工進給速度：100mm/秒
如以上進行，沿晶圓之於預定方向延伸之所有切割道22施行上述膜分割切斷步驟後，使夾盤31旋動90度，沿相對於上述預定方向延伸成直角之各切割道22施行上述保護膜分割切斷步驟。
施行上述保護膜分割切斷步驟後，施行變質層形成步驟，該變質層形成步驟係將對晶圓2之基板21具有穿透性之波長之雷射光線從晶圓2之背面側於基板21內部將集光點定位後，沿切割道22照射，而於基板21內部沿切割道22形成變質層。施行此變質層形成步驟時，在圖中所示之實施形態中，為保護形成於晶圓2表面之裝置23，如第6(a)圖及第6(b)圖所示，於晶圓2之表面21a貼附由氯乙烯等構成之保護帶4(保護帶貼附步驟)。
如上述，於晶圓之表面21a貼附保護帶4後，施行變質層形成步驟，該變質層形成步驟係將對晶圓2之基板21具有穿透性之波長之雷射光線從晶圓2之背面側於基板21內部將集光點定位後，沿切割道22照射，而於基板21內部沿切割道22形成變質層。此變質層形成步驟如第7圖所示，使用與上述第3圖所示之雷射加工裝置3相同之雷射加工裝置3來施行。因而，於雷射加工裝置3之各構成構件附上與第3圖所示之標號相同之標號來說明。此外，雷射光線照射機構32具有使對基板21具穿透性之波長(例如1064nm)之脈衝雷射光線振盪之脈衝雷射光線振盪機構。
要使用第7圖所示之雷射加工裝置3，施行變質層形成步驟係如第7圖所示，於夾盤31載置貼附於晶圓2之表面21a之保護帶4側。藉使圖中未示之吸引機構作動，藉由保護帶 4，將晶圓2保持在夾盤31上(晶圓保持步驟)。因而，保持在夾盤31之晶圓2之背面21b成為上側。如此進行，吸引保持有晶圓2之夾盤31以圖中未示之加工進給機構定位於拍攝機構33之正下方。
當夾盤31定位於拍攝機構33正下方時，與上述保護膜分割切斷步驟同樣地，以拍攝機構33及圖中未示之控制機構施行檢測晶圓2之要雷射加工之加工區域之對準作業。即，拍攝機構33及圖中未示之控制機構施行用以進行形成於晶圓2之預定方向之切割道22與沿該切割道22照射雷射光線之雷射光線照射機構32之集光器322之對位的型樣匹配等影像處理，完成雷射光線照射位置之對準。施行此對準步驟時，晶圓2之形成有切割道22之表面21a位於下側，拍攝機構33亦如上述具有以紅外線照明機構、捕捉紅外線之光學系統及對應於紅外線之電信號之拍攝元件(紅外線CCD)等構成之拍攝機構，故可從背面21b穿透，拍攝切割道22。
如以上進行，進行檢測保持在夾盤31上之晶圓2之要雷射加工之加工區域之對準後，如第8(a)圖所示，使夾盤31移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構32之集光器322所在之雷射光線照射區域，將預定之切割道22(形成有雷射加工溝240)之一端(在第8(a)圖為左端)定位於集光器322之正下方。接著，一面從集光器322照射對矽基板21具有穿透 性之波長之脈衝雷射光線，一面使夾盤31於第8(a)圖中箭號X1所示之方向以預定加工進給速度移動。如第8(b)圖所示，雷射光線照射機構32之集光器322之照射位置到達切割道22之另一端(在第8(b)圖中為右端)後，停止脈衝雷射光線之照射，同時，停止夾盤31之移動。在此變質層形成步驟中，使脈衝雷射光線之集光點P定位於晶導體晶圓2之厚度方向中間部。結果，在晶圓2之基板21，如第8(b)圖及第9圖所示，沿切割道22，於厚度方向中間部形成變質層210。如此，當於晶圓2之基板21之內部沿切割道22形成變質層210時，在基板21，如第9圖所示，從變質層210朝表面21a及背面21b沿切割道22，產生裂紋211。
上述變質層形成步驟之加工條件設定如下。
光源：LD激發Q開關Nd：YVO4雷射
波長：1064nm之脈衝雷射
平均輸出：1W
脈衝寬度：40ns
多重頻率：100kHz
集光點徑：ψ1μm
加工進給速度：100mm/秒
如以上進行，沿晶圓2之於預定方向延伸之所有切割道22，施行上述變質層形成步驟後，使夾盤31旋動90度，沿相對於上述預定方向延伸成直角之各切割道22施行上述變 質層形成步驟。
施行上述變質層形成步驟後，施行研磨構成晶圓2之基板21之背面21b，將晶圓2形成預定厚度之背面研磨步驟。此背面研磨步驟使用第10(a)圖所示之研磨裝置5來施行。第10(a)圖所示之研磨裝置5具有保持被加工物之夾盤51、具有用以將保持在該夾盤51之被加工物研磨之磨石52之研磨機構53。要使用此研磨裝置5，施行上述背面研磨步驟係於夾盤51上載置晶圓2之保護帶4，藉使圖中未示之吸引機構作動，將晶圓2保持於夾盤51上。因而，保持在夾盤51之晶圓2之背面21b成為上側。如此進行，晶圓2保持於夾盤51上後，一面使夾盤51於箭號51a顯示之方向以300rpm旋轉，一面使研磨機構53之磨石52於箭號52a顯示之方向以6000rpm旋轉，同時，接觸半導體晶圓2之背面2b而研磨，藉此，如第10(b)圖所示，形成預定厚度(例如100μm)。此外，當將在上述變質層形成步驟形成之變質層210形成於距晶圓2之表面2a 100μm以內之位置時，於施行上述背面研磨步驟後，變質層210仍殘留，藉將在上述變質層形成步驟形成之變質層210形成於比距晶圓2之表面2a 100μm之位置還要背面之背面2b，施行上述背面研磨步驟而研磨至形成有變質層210之位置，可去除變質層210。因而，如第10(b)圖所示，於晶圓2之基板21殘留沿切割道22形成之裂紋211。
接著，施行對經施行上述背面研磨步驟之晶圓2賦與外 力，使晶圓2沿切割道斷裂之晶圓斷裂步驟。要施行此晶圓斷裂步驟係如第11圖所示，於裝設在環狀框架F之切割膠帶T表面貼附晶圓2之基板21之背面21b(晶圓支撐步驟)。然後，將貼附於晶圓2之基板21之表面21a之保護帶4剝離(保護帶剝離步驟)。
如以上進行，施行晶圓支撐步驟及保護帶剝離步驟後，施行晶圓斷裂步驟，該晶圓斷裂步驟係對經施行上述膜分割切斷步驟及變質層形成步驟之晶圓2、亦即高分子化合物膜24沿切割道22分割切斷，同時，對於基板21之內部沿切割道22形成有裂紋之晶圓2賦與外力，使晶圓2沿切割道22斷裂。此晶圓斷裂步驟在圖中所示之實施形態中，使用第12圖所示之帶擴張裝置6來施行。第12圖所示之帶擴張裝置6具有保持上述環狀框架F之框架保持機構61、使裝設於保持在該框架保持機構61之環狀框架F之切割膠帶T擴張之擴張機構62。框架保持機構61由環狀框架保持構件611及配設於該框架保持構件611之外周，作為固定機構之複數夾612構成。於框架保持構件611之上面形成載置環狀框架F之載置面611a，於此載置面611a上載置環狀框架F。載置於載置面611a上之環狀框架F以夾612固定於框架保持構件611。如此構成之框架保持機構61以帶擴張機構62支撐成可於上下方向進退。
帶擴張機構62具有配設於上述環狀框架保持構件611 內側之擴張滾筒621。此擴張滾筒621具有小於環狀框架F之內徑，大於貼附於裝設置在該環狀框架F之切割膠帶T之晶圓2外徑的內徑及外徑。又，擴張滾筒621於下端具有支撐凸緣622。圖中所示之實施形態之帶擴張機構62具有使上述環狀框架保持構件611可於上下方向進退之支撐機構63。此支撐機構63由配設於上述支撐凸緣622上之複數氣缸631構成，其活塞桿622連結於上述環狀框架保持構件611之下面。如此，由複數氣缸631構成之支撐機構63使環狀框架保持構件611在載置面611a與擴張滾筒621之上端約略相同高度之基準位置與比擴張滾筒621上端低預定量之擴張位置間於上下方向移動。因而，由複數氣缸631構成之支撐機構63具有作為使擴張滾筒621與框架保持構件611於上下方向相對移動之擴張移動機構之功能。
參照第13圖，就使用如以上構成之帶擴張裝置6而施行之晶圓斷裂步驟作說明。即，將裝設有貼附晶圓2(沿切割道22於基板21形成裂紋211，且於高分子化合物膜24形成雷射加工溝240)之背面21b之切割膠帶T的環狀框架F如第13(a)圖所示，載置於構成框架保持機構61之框架保持構件611之載置面611a上，以夾612固定於框架保持構件611。此時，框架保持構件611定位於第13(a)圖所示之基準位置。接著，使作為構成帶擴張機構62之支撐機構63之複數個氣缸631作動，使環狀框架保持構件611下降至第13(b)圖所示之擴張位置。因而，固定於框架保持構件611之載置面611a上之環 狀框架F亦下降，故如第13(b)圖所示，裝設在環狀框架F之切割膠帶T接觸擴張滾筒621上端緣而擴張。結果，拉伸力呈放射狀地作用於貼附在切割膠帶T之晶圓2，故晶圓2之基板21沿因形成裂紋211而強度降低之切割道22斷裂，而分割成諸裝置23。此時，由於披覆於晶圓2之基板21表面之高分子化合物膜24以沿切割道22形成之雷射加工溝240切斷，故不致不斷裂而殘留。
在上述實施形態中，在上述背面研磨步驟，研磨晶圓2之基板21背面，而去除變質層210，晶圓2沿形成於基板21之裂紋211斷裂。因而，由於各分割之裝置23之斷裂面不殘留變質層210，故裝置23之抗析強度提高。
接著，就本發明晶圓之分割方法之第2實施形態作說明。
在第2實施形態中，亦先施行膜分割切斷步驟，該膜分割切斷步驟係將對高分子化合物膜24具有吸收性之波長的雷射光線從晶圓表面側沿切割道22對高分子化合物膜24照射，形成雷射加工溝，將高分化合物膜24沿切割道分割切斷。此膜分割切斷步驟與上述第1實施形態之膜分割切斷步驟同樣地施行。
接著，施行研磨構成經施行膜分割切斷步驟之晶圓2之基板21之背面21b，將晶圓2形成預定厚度之背面研磨步驟。此時，要施行此背面研磨步驟，為保護形成於晶圓2表 面之裝置23，如上述第6(a)圖及第6(b)圖，於晶圓2之表面21a貼附由氯乙烯等構成之保護帶4(保護帶貼附步驟)。
經施行上述膜分割切斷步驟之晶圓2之背面研磨步驟使用上述第10(a)圖所示之研磨裝置5，與上述第1實施形態之背面研磨步驟同樣地施行。結果，如第14圖所示，研磨基板21之背面21b，晶圓2形成預定厚度(例如100μm)。
施行背面研磨步驟後，施行變質層形成步驟，該變質層形成步驟係將對晶圓2之基板21具有穿透性之波長之雷射光線從晶圓2之背面側於基板21內部將集光點定位後，沿切割道22照射，而於基板21內部沿切割道22形成變質層。此變質層形成步驟如上述第7圖所示，使用雷射加工裝置3，與上述第8圖所示之變質層形成步驟同樣地施行。結果，如第15圖所示，在形成預定厚度(例如100μm)之晶圓2之基板21，於內部沿切割道22形成變質層210，並且從變質層210朝表面21a及背面21b產生裂紋211。
接著，進行晶圓斷裂步驟，該晶圓斷裂步驟係經施行上述變質層形成步驟之晶圓2、亦即高分子化合物膜24沿切割道22分割切斷，同時，對於基板21內部沿切割道22形成變質層210之晶圓2賦與外力，使晶圓2沿切割道22斷裂。要施行此晶圓斷裂步驟係如上述第11圖所示，於裝設在環狀框架F之切割膠帶T表面貼附晶圓2之基板21之背面21b(圓 支撐步驟)。將貼附在構成晶圓2之基板21之表面21a之保護帶4剝離(保護帶剝離步驟)。
施行上述晶圓支撐步驟及保護帶剝離步驟後，施行晶圓斷裂步驟，該晶圓斷裂步驟係對晶圓2賦與外力，使晶圓2沿切割道22斷裂。此晶圓斷裂步驟使用上述第12圖所示之帶擴張裝置6，與上述第13圖所示之晶圓斷裂步驟同樣地施行。結果，晶圓2之基板21沿因形成變質層210及裂紋211而強度降低之切割道22斷裂，而分割成諸裝置23。此時，由於披覆在晶圓2之基板21之表面之高分子化合物膜24如上述，因沿切割道22形成之雷射加工溝240而斷裂，故不致不斷裂而殘留。
2‧‧‧晶圓
2a，21a‧‧‧表面
2b，21b‧‧‧背面
3‧‧‧雷射加工裝置
4‧‧‧保護帶
5‧‧‧研磨裝置
6‧‧‧帶擴張裝置
21‧‧‧基板
22‧‧‧切割道
23‧‧‧裝置
24‧‧‧高分子化合物膜
31，51‧‧‧夾盤
32‧‧‧雷射光線照射機構
33‧‧‧拍攝機構
51a，X1‧‧‧方向
52‧‧‧磨石
52a‧‧‧方向
53‧‧‧研磨機構
61‧‧‧框架保持機構
62‧‧‧帶擴張機構
63‧‧‧支撐機構
210‧‧‧變質層
211‧‧‧裂紋
240‧‧‧雷射加工溝
321‧‧‧殼體
322‧‧‧集光器
611‧‧‧框架保持構件
611a‧‧‧載置面
621‧‧‧擴張滾筒
631‧‧‧氣缸
632‧‧‧活塞桿
F‧‧‧環狀框架
P‧‧‧集光點
X‧‧‧加工進給方向
T‧‧‧切割膠帶
Y‧‧‧分度進給方向
第1圖係以本發明晶圓之分割方法分割之晶圓之立體圖。
第2圖係將第1圖所示之晶圓之主要部份放大而顯示之截面圖。
第3圖係用以施行本發明晶圓之分割方法之膜分割切斷步驟之雷射加工裝置的主要部份立體圖。
第4(a)圖~第4(b)圖係本發明晶圓之分割方法之第1實施形態之膜分割切斷步驟之說明圖。
第5圖係將經施行第4圖所示之膜分割切斷步驟之晶圓主要部份放大而顯示之截面圖。
第6(a)圖~第6(b)圖係顯示本發明晶圓之分割方法之 第1實施形態之保護帶貼附步驟之說明圖。
第7圖係用以施行本發明晶圓之分割方法之第1實施形態之變質層形成步驟之雷射加工裝置的主要部份立體圖。
第8(a)圖~第8(b)圖係顯示本發明晶圓之分割方法之第1實施形態之變質層形成步驟的說明圖。
第9圖係將經施行第8圖所示之變質層形成步驟之晶圓主要部份放大而顯示之截面圖。
第10(a)圖~第10(b)圖係顯示本發明晶圓之分割方法之第1實施形態之背面研磨步驟的說明圖。
第11圖係顯示本發明晶圓之分割方法之第1實施形態之晶圓支撐步驟及保護帶剝離步驟的說明圖。
第12圖係顯示用以施行本發明晶圓之分割方法之晶圓斷裂步驟之帶擴張裝置的立體圖。
第13(a)圖~第13(b)圖係顯示本發明晶圓之分割方法之晶圓斷裂步驟的說明圖。
第14圖係將經施行本發明晶圓之分割方法之第2實施形態的背面研磨步驟之晶圓主要部份放大而顯示之截面圖。
第15圖係將經施行本發明晶圓之分割方法之第2實施形態的變質層形成步驟之晶圓主要部份放大而顯示之截面圖。
2‧‧‧晶圓
4‧‧‧保護帶
21‧‧‧基板
21b‧‧‧背面
22‧‧‧切割道
31‧‧‧夾盤
32‧‧‧雷射光線照射機構
210‧‧‧變質層
240‧‧‧雷射加工溝
322‧‧‧集光器
X1‧‧‧方向
P‧‧‧集光點

Claims (4)

  1. 一種晶圓之分割方法，係沿切割道將晶圓分割成諸個裝置者，且該晶圓係於藉在基板表面形成有格子狀之複數個切割道所劃分的複數個區域形成裝置，並於該切割道表面披覆有膜者，該分割方法之特徵在於包含有：膜分割切斷步驟，係從晶圓表面側沿該切割道對該膜照射對該膜具吸收性之波長的雷射光線，形成雷射加工溝，而將該膜沿該切割道分割切斷者；變質層形成步驟，係將對該基板具有穿透性之波長之雷射光線從晶圓之背面側於該基板之內部定位集光點後，沿該切割道照射，而於該基板之內部沿切割道形成變質層者；背面研磨步驟，係將構成經施行該變質層形成步驟之晶圓的該基板背面研磨，而將晶圓形成預定厚度者；及晶圓斷裂步驟，係對經施行該背面研磨步驟之晶圓賦與外力，使晶圓沿該切割道斷裂者。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓之分割方法，其中該晶圓斷裂步驟係在於裝設在環狀框架之切割膠帶表面貼附有晶圓之背面的狀態下擴張該切割帶，藉此，對晶圓賦與外力。
  3. 一種晶圓之分割方法，係沿切割道將晶圓分割成諸個裝置者，且該晶圓係於藉在基板表面形成有格子狀之複數個切割道所劃分的複數個區域形成裝置，並於該切割道 表面披覆有膜者，該分割方法之特徵在於包含有：膜分割切斷步驟，係從晶圓表面側沿該切割道對該膜照射對該膜具吸收性之波長的雷射光線，形成雷射加工溝，而將該膜沿該切割道切斷者；背面研磨步驟，係將構成經施行該膜分割切斷步驟之晶圓的該基板背面研磨，而將晶圓形成預定厚度者；變質層形成步驟，係將對經施行該背面研磨步驟之晶圓的該基板具有穿透性之波長的雷射光線從晶圓之背面側於該基板之內部定位集光點後，沿該切割道照射，而於該基板之內部沿切割道形成變質層者；及晶圓斷裂步驟，係對經施行該變質層形成步驟之晶圓賦與外力，使晶圓沿該切割道斷裂者。
  4. 如申請專利範圍第3項之晶圓之分割方法，其中該晶圓斷裂步驟係在於裝設在環狀框架之切割膠帶表面貼附有晶圓之背面的狀態下擴張該切割膠帶，藉此，對晶圓賦與外力。
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