TWI282115B - Exposure apparatus and method - Google Patents

Description

1282115 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於曝光裝置及方法，尤其相關於用來投影 及曝光例如爲用於半導體晶圓的單晶基板及用於液晶顯示 器（LCD )的玻璃基板的物體的曝光裝置及方法。 【先前技術】 使用石印技術的例如爲半導體裝置，LCD裝置，及薄 膜磁頭的裝置的製造已經採用投影曝光裝置，其使用投影 光學系統來將形成在掩模或標線片（這些術語在本案中被 可交換地使用）上的電路圖型投影在晶圓及類似者上，因 而轉移電路圖型。 隨著積體電路裝置的製程較精細且密度較高，投影曝 光裝置已經被要求要用較高的解析度來將標線片上的電路 圖型投影及曝光在晶圓上。投影曝光裝置中可轉移的臨界 尺寸或解析度與用來曝光的光的波長成比例，並且與投影 光學系統中的數値孔徑（NA )成反比。因此，近來的光 源已經從超筒壓水銀燈（包括g線（具有大約4 3 6 n m (毫 微米）的波長）及i線（具有大約36 5 nm的波長））轉變 爲具有較短波長（亦即大約248nm的波長）的KrF準分子 雷射，再爲ArF準分子雷射（具有大約i93nm的波長）， 並且F2雷射（具有大約i57nm的波長）的實務使用也正被 促進。並且，曝光面積的進一步擴張也被要求。 爲滿足這些要求，用來將幾近正方形的曝光區域整個 -5- (2) (2)1282115 投影及曝光在具有減小的曝光區域的晶圓上的步進重複式 (step-and-repeat)曝光裝置（也被稱爲步進器（stepper ))已經主要被步進掃描式（step-and-scan)曝光裝置（ 也被稱爲掃描器（scanner))取代，其中步進掃描式曝 光裝置係在相對地且快速地掃描標線片及晶圓之下經由一 矩形狹縫來準確地曝光寬廣的曝光區域。 在曝光時，在曝光狹縫區域移動至晶圓上的某一位置 之前，掃描器使用傾斜光投影系統中的表面位置偵測器來 測量在晶圓上的該某一位置處的表面位置，並且在曝光該 某一位置時校正地使晶圓表面與一最佳曝光影像表面位置 一致，因而減小晶圓平坦度的影響。特別是，在相對於曝 光狹縫區域的前及後段（stage )處於曝光狹縫的縱向（ 亦即與掃描方向正交的方向）有多個測量點，以測量表面 的傾斜度以及晶圓表面位置的高度或焦點。一般而言，掃 描曝光從上段及從後段於二方向進行。因此，這些測量點 被配置在相對於曝光狹縫區域的前及後段處，以在曝光之 前測量晶圓上的焦點及傾斜度。舉例而言，日本特許公開 專利申請案第9-45 6〇9號（相應於美國專利第5,75 0,294號 )揭示用來測量此焦點及傾斜度的方法。 日本特許公開專利申請案第6 - 2 6 0 3 9 1號（相應於美國 專利第5，4 4 8，3 3 2號）對於在掃描器中用來測量晶圓上的 表面位置以及用來校正的方法，提出在曝光區域以外的一 預掃描區域上配置多個測量點，以測量於掃描及非掃描方 向的焦點及傾斜度。日本特許公開專利申請案第6 - 2 8 3 4 0 3 (3) (3)1282115 號（相應於美國專利第5,448,3 3 2號）對於用來測量於掃 描及非掃描方向的焦點及傾斜度以及用來驅動及校正的方 法，提出將多個測量點配置在曝光區域中。 以下參考圖10及11敘述這些提案。此處，圖10爲晶圓 1〇〇〇上的焦點及傾斜度測量點FP1至FP3的剖面圖。圖11 爲顯示已經根據測量結果被驅動至最佳曝光影像表面位置 的晶圓1 〇〇〇的剖面圖。參考圖1 〇，焦點及傾斜度在晶圓 1 000上的測量點FP1至FP3處被依序測量。一預掃描平面 PMP根據從測量點FP1至FP3的測量結果被計算，並且晶 圓的方向在將晶圓1〇〇〇移動至曝光位置或曝光狹縫2000的 同時被驅動及調整至最佳焦點平面BFP，如圖1 1所示。 但是，近來日益縮短的曝光的光的波長以及投影光學 系統的較高的NA已經要求要有極小的焦點深度（DOF ) 以及較嚴格的準確度或是所謂的焦點準確度，使得要被曝 光的晶圓表面在此準確度之下對準於最佳焦點位置BFP。 特別是，也已經要求於掃描方向或曝光狹縫的寬度方 向的晶圓表面的傾斜度要被更嚴格地測量及精確地校正。 具有不夠平坦的表面的晶圓在曝光區域中有不利的焦點偵 測準確度。例如，當曝光裝置具有0.4 // m (微米）的D Ο F 時’晶圓的平坦度必須爲數個毫微米的數量級，例如晶圓 的平坦度需爲0.08 // m (爲DOF的五分之一）或〇.04 # m (爲DOF的十分之一）。 另外’雖然傾斜光投影系統中的表面位置偵測器在區 域懸在曝光狹縫上之前測量晶圓的表面位置，但是測量定 (4) (4)1282115 時是不連續的，並且在二定時之間沒有任何有關晶圓的平 坦度的資訊可被獲得或被考慮。結果，在晶圓平坦度的定 時之間沒有任何可用的資訊。 例如，此測量定時是在晶圓1 000上於掃描方向在3mm (¾米）的間隔處，如圖1 2所示。屆時，晶圓1 〇 〇 〇由於缺 乏對於3 m m的距離例如在圖1 2中的點P 1與p 2之間的距離 的資訊而因此具有不充分的平坦度，使得前方位置可能與 藉著在3 m m的間隔處的測量所計算的預掃描平面pMP偏 差△。此處，圖I2爲顯示預掃描平面PMP與晶圚1〇〇〇之 間的平坦度的偏差的剖面圖。 在曝光時’預掃描平面PMP被調整至最佳焦點平面 B F P，而圖1 2中的曝光必須偏移△的量。此偏移發生在與 掃描方向正交的方向以及掃描方向。此係從測量點在上述 的傾斜光投影系統中的配置而非從測量定時所導致。 於掃描方向的較精細的測量定時以及增加傾斜光投影 系統中的測量點數目會減小偏差誤差，但是可能會由於曝 光時劣化的掃描速率，增加的測量時間，與複雜的裝置結 構一起的升高的成本，及可能造成的麻煩而不利地降低物 料通過量。 【發明內容】 因此，本發明的代表性目的爲提供一種曝光方法及裝 置，用來在不降低物料通過量之下實施對於晶圓表面平坦 度的優異的焦點校正。 -8 - (5) (5)1282115 本發明的一方面的用來將形成在標線片上的圖型曝光 在物體上的曝光方法包含平坦度測量步驟，用來測量及用 來儲存物體的平坦度；位置測量步驟，用來測量在物體上 多個點處的位置；及控制步驟，用來使用由平坦度測量步 驟所獲得的平坦度的資訊及由位置測量步驟所獲得的位置 的資訊控制物體的位置及傾斜度的至少之一。位置測量步 驟可在一曝光裝置中實施，而平坦度測量步驟在曝光裝置 的內部或外部測量物體的平坦度。 本發明的其他目的及另外特徵從以下參考圖式的實施 例的敘述會容易地顯明。 【實施方式】 本發明人已經發現晶圓的平坦度且特別是在曝光裝置 中被支撐在晶圓夾頭上的晶圓的測量點之間（例如3 mm的 間隔）的平坦度在半導體製程期間不改變。換句話說，在 半導體製造過程之前不具有抗蝕劑或圖型的原始晶圓的平 坦度與已經經歷製程包括例如氧化物膜形成及金屬製程的 晶圓的平坦度相同。 加熱整個晶圓的製程可能造成整體收縮，前與後表面 之間的溫度差異，以及整體而言的粗糙形狀。但是，當晶 圓在曝光裝置中被支撐在晶圓夾頭上而矯正其平坦度時， 晶圓表面不具有此種粗糙形狀。在此情況中的課題爲例如 3 m m的微小間隔中的平坦度，其在半導體製造過程之前已 經存在於晶圓中。 -9- (6) (6)1282115 以下參考圖式敘述根據本發明的一實施例的曝光裝置 。但是，本發明不受限於此實施例，並且每一元件可在本 發明的範圍內被替換。此處，圖1爲根據本發明的一實施 例的曝光裝置1的方塊圖。 如圖1所不，曝光裝置包含測量站1 〇 〇及曝光站2 0 0， 並且作用成爲以例如步進重複或步進掃描方式將產生在標 線片上的電路圖型曝光在晶圓上的投影曝光裝置。此種曝 光裝置適合用於次微米（sub-micron)或四分之一微米（ quarter-micron )石印製程，並且此實施例以舉例說明方 式敘述步進掃描式曝光裝置（也被稱爲「掃描器」）。 以下敘述在半導體製造過程開始之前測量整個晶圓 3 00的平坦度的測量站100。每一晶圓3 00例如準備用於半 導體製程的不具有抗蝕劑或圖型的矽晶圓被進給至測量站 1〇〇，其又在晶圓被進給至曝光站200以將晶圓引至半導體 製程之前測量整體平坦度。旋轉塗覆器尙未在晶圓3 00的 表面上形成任何抗鈾劑。此實施例使用斐索（Fizeau )干 涉儀的原理來測量整個晶圓3 00的表面形狀。 從干涉儀的光源射出的光例如He-Ne雷射110在進入 用來產生參考光的鏡子113之前被射束分裂器111反射，並 且由射束擴張器11 2擴張至要被檢驗的晶圓尺寸。參考光 鏡子113具有一反射表面，並且使用在表面上反射的光成 爲與從要被檢驗的物體反射的光干涉的參考光。雖然由鏡 子1 1 3反射的光被使用成爲參考光，且因此鏡子1 1 3被稱爲 參考光鏡子，但是通過此鏡子的透射光比反射光多，以增 -10- (7) (7)1282115 進成爲干涉條紋的對比的可見度。此實施例檢驗矽晶圓， 而其對於具有63 3 nm的振盪波長的He-Ne雷射的反射率爲 大約6〇%。因爲當來自被檢驗物體的反射光與參考光在形 成干涉條紋的表面上（亦即C CD照相機1 1 6的表面上）具 有相同強度時可獲得較爲增進的干涉條紋的可見度，所以 在參考光鏡子1 1 3的一表面上的透射率T是由以下的方程 式1計算，其中R爲在參考光鏡子113的該一表面上的反射 率。 方程式1

T + R = 1 0.6T2 = R 因此，可暸解透射率T爲0.703，並且參考光鏡子113 較佳地透射光的70%。 通過參考光鏡子1 1 3的光照射成爲要被檢驗的物體的 已經被支撐在晶圓夾頭1 1 4上的晶圓3 00的表面。在晶圓 300上反射的光通過參考光鏡子113，射束擴張器112，及 射束分裂器1 1 1，並且被射束擴張器1 1 5擴張至適合於 C CD照相機1 1 6的尺寸，以用於已經透射通過射束分裂器 1 1 1的光的干涉條紋的光電轉換。入射在CCD照相機1 i 6 上的光被光電轉換成爲代表晶圓3 0 0的平坦度資訊的視頻 訊號。 然後，計算可用來從晶圓3 0 0上的平坦度資訊獲得的 -11 - (8) 1282115 間隔。假設CCD照相機ηδ具有2/；3英吋的光電表面，並 且光接收單元的每一間隔爲1 3 // m。另外，假設要被檢驗 的晶圓尺寸具有1 2英吋或3 0 0 m m的直徑。2 / 3英吋的光電 表面的尺寸爲6.6x 8.8 mm2，因而可接收具有6mm的直徑 的光。 因此，3 00mm的直徑被設定爲6mm的直徑。換句話 說，當從晶圓3 00至CCD照相機II6的光學放大被設定爲 6/3 00= 1 /5 0時，晶圓3 00上的可分開間隔從CCD照相機116 中的光接收單元之間的13 // m的間隔成爲13x 50 = 6 5 0 // m 〇 如此，平坦度的一筆資訊是從C CD照相機1 1 6中的一 像素獲得。此可對於每0.6 5 m m來測量晶圓3 0 0的平坦度， 並且可在曝光站2 0 0中提供於掃描方向的焦點測量的例如 爲3 mm的測量間隔之間的平坦度的資訊。 與用來在曝光站200中偵測焦點及傾斜度的偵測系統 2 6 0相比，測量站1 0 0可使用斐索干涉儀的原理較精確地測 量晶圓3 0 0的平坦度，並且獲得偵測系統2 6 0的偵測間隔之 間的晶圓3 0 0的平坦度資訊。當此平坦度資訊被轉換成爲 用於每一晶圓的資料庫且可被利用爲曝光站2 0 0中的控制 器2 70的參考表時，每一晶圓可在半導體製程中於推進階 段根據此平坦度資訊以及在曝光站200中測得的晶圓3 00的 焦點及傾斜度資訊而被辨識及曝光。 晶圓3 0 0在其平坦度資訊已經在曝光之前由測量站1 〇 〇 測量之後被移動至如圖1所示的曝光站2 0 0，然後曝光站 -12- 1282115 Ο) 2〇〇根據晶圓3 00的平坦度資訊來曝光晶圓3 00。移動晶圓 3 〇 〇爲最佳組態，因爲一個接一個的移動不停止高物料通 過量的整個工作流，但是當可容許物料通過量有某一程度 的減小時，晶圓托架（未顯示）可一次移動例如二十五個 晶圓至曝光站200。 以下敘述曝光站2〇0。從光源210例如準分子雷射射出 的光經由將光轉換成爲具有最佳形狀的曝光的光的照明光 學系統220而照射形成在標線片23 0上的圖型。標線片230 上的圖型包含要被曝光的1C電路圖型，並且發射通過圖 型的光經由投影光學系統240而靠近成爲影像表面的晶圓 3 0 0的表面形成一影像。 標線片23 0被安裝在標線片台235上，而標線片台235 可於與投影光學系統2 4 0的光學軸線正交的平面中以及於 光學軸線方向移動。 晶圓300從測量站100被帶入，且被安裝在晶圓台250 上，而晶圓台25 0可於與投影光學系統240的光學軸線正交 的平面中以及於光學軸線方向移動。 標線片2 3 0上的每一照射區域是藉著以相應於曝光放 大比的速率相對地掃描標線片台2 3 5與晶圓台2 5 0而被曝光 。在一次曝光照射結束之後，晶圓台2 5 0步進至下一照射 ，並且下一照射是藉著於與先前照射相反的方向的掃描曝 光而被曝光。此步驟重複以曝光晶圓3 0 0上的整個照射區 域。 在一次照射的掃描曝光期間，偵測系統2 6 0獲得晶圓 -13- (10) (10)1282115 3 〇〇的表面上的表面位置資訊以測量焦點及傾斜度，從曝 光影像表面計算偏差量，並且將晶圓台2 5 0驅動於焦點（ 或局度）及傾斜度（或傾斜）方向，對於幾乎每一曝光狹 縫將晶圓3 0 0對準於高度方向。 偵測系統260使用一光學高度測量系統，其利用將光 以大角度（或低入射角）引至晶圓3〇〇的表面的方法，並 且使用位置偵測元件例如CCD照相機來偵測從晶圓反射 的光的影像偏差。此系統將光投影於晶圓3 0 0上的多個測 量點，將每一光引至個別感測器，並且根據不同位置的高 度測量資訊來計算要被曝光的表面的傾斜度。 如圖2及3所示，多個測量點K1至K5於曝光區域（或 曝光狹縫）5 00的前及後區域510及520中被配置形成一表 面形狀，以在掃描曝光中的曝光狹縫移動至曝光區域5 0 0 之前同時測量晶圓3 00的焦點及傾斜度資訊，特別是於掃 描方向的傾斜度資訊。圖2及3爲對於曝光區域5 00的測量 點K1至K5的視圖，其中圖2顯示三個測量點K1至K3，而 圖3顯示五個測量點K 1至K5。 圖3將五個要被投影的測量點K1至K5配置在曝光區 域5 0 0的前區域5 1 0中，以就在對曝光區域5 0 0的曝光之前 精確地獲得焦點及傾斜度資訊，並且驅動及校正曝光位置 。類似地，五個測量點K 1至K 5要在於相反方向的掃描曝 光中在後區域5 2 0中被投影。 圖4顯示圖1中區域 A的放大視圖。此處，圖4爲顯示 曝光站2 0 0中的焦點及傾斜度測量系統的光學視圖，但是 -14- (11) (11)1282115 爲說明方便，圖4只顯示在焦點及傾斜度測量區域（例如 前區域5 1 0 )中的五個測量點Κ 1至K 5。特別是，此實施 例顯示標記M2至M5的配置，其中測量點K2與K4之間的 間隔不同於測量點Κ1，K3，與K5之間的間隔。用於焦點 及傾斜度測量的多個光學軸線與正交於掃描方向的方向對 準。要被投影在測量點Κ 1至K 5處的這些標記Μ 1至Μ 5在 垂直於焦點及傾斜度測量光學系統的光學軸線的截面中被 旋轉某一旋轉量，然後被投影。結果，測量狹縫傾斜地面 對在晶圓3 00上，並且狹縫節距方向指向中心測量位置。 圖5爲用來實現圖4所示的測量點配置的測量光學系統 的配置圖。五個照明透鏡26 1容許供應自光源（未顯示） 的光照射形成在用於焦點及傾斜度測量的投影圖型掩模 2 62上的用於焦點測量的狹縫標記。光源較佳地採用具有 相當寬的波長的鹵素燈或LED，使得光不會將晶圓3 00上 的光抗蝕劑曝光，也不會受抗鈾劑薄膜中的干涉的影響。 掩模262形成用於多個測量點的狹縫標記，如在從方向a 觀看的圖中所示者。光學路徑合成器稜鏡263合成從被照 射的多個測量點形成的射束的光學路徑，並且焦點標記投 影光學系統264將光傾斜地投影在晶圓3 00上。 在晶圓3 〇 0的表面上反射的光經由焦點光接收光學系 統2 6 5而在光學路徑分割稜鏡2 6 6中形成一中間成像點。在 光學路徑分割稜鏡266對每一測量點分割光學路徑之後， 配置用於每一測量點以增進測量解析度的放大偵測光學系 統26 7將光引至用於每一測量點的位置偵測元件208。每一 -15- (12) (12)1282115 位置偵測元件26 8在此實施例中使用一維CCD，並且元件 的配置方向爲測量方向。從方向B觀看的圖顯不測量標§己 ，位置偵測元件268，與放大偵測光學系統267之間的關係 。用於每一測量點的位置偵測元件268被設置於與狹縫標 記正交的方向。 位置偵測元件26 8使用一維CCD，但是可配置二維 C CD。或者，可在光接收元件成像表面上形成一參考狹縫 板，在參考狹縫板的前方掃描光，並且偵測通過參考狹縫 板的透射光量。 以下通盤敘述掃描曝光時焦點及傾斜度測量中的表面 位置校正。在曝光位置EP移至於掃描方向SD具有粗糙 形狀的晶圓3 0 0之前，實施晶圓3 0 0的表面位置的焦點，於 曝光狹縫的縱向（或垂直於掃描方向SD的方向）的傾斜 度（此傾斜度被稱爲「傾斜度X」），以及於曝光狹縫的 寬度方向的傾斜度（此傾斜度被稱爲「傾斜度Y」）的測 量，使得如圖6所示，多個焦點及傾斜度位置FP被配置成 爲在曝光狹縫的前方形成一平面。根據測量的資訊及成爲 資料庫的晶圓3 00的平坦度資訊，控制器270提供校正驅動 以如圖7所示將晶圓台25〇驅動至曝光位置EP。在圖7中， 校正已經完成，以在曝光狹縫移至已經在曝光之前被測量 的區域時將曝光狹縫曝光。控制器270可與測量站100通訊 ，並且獲得及儲存已經從測量站100獲得的晶圓3 0 0的平坦 度的資料庫。此處，圖6爲顯示曝光位置E P與晶圓3 〇 〇上 的焦點及傾斜度測量位置F P的示意立體圖。圖7爲顯示已 -16- (13) 1282115 經根據由測量及曝光站1 〇 〇及2 〇 0獲得的晶圓3 〇 〇的平坦度 貪訊被驅動至曝光位置Ε Ρ的晶圓3 0 0的示意立體圖。 以上的敘述是參考在每一表面位置測量區域中配置五 個測量點，但是其可應用於配置三個測量點。 以下參考圖8及9敘述使用上述的曝光裝置〗的裝置製 造方法的實施例。圖8爲用來說明如何製造裝置（亦即例 如IC及L SI的半導體晶片，l C D，C C D，及類似者）的 流程圖。此處會敘述半導體晶片的製造做爲例子。步驟1 (電路設計）設計半導體裝置電路。步驟2 (掩模製造） 形成具有被3受g十的電路圖型的掩模。步驟3 (晶圓製造） 使用材料例如矽製造晶圓。也被稱爲預處理的步驟4 (晶 圓處理）使用掩模及晶圓經由石印技術在晶圓上形成實際 的電路。也被稱爲後處理的步驟5 (組裝）將步驟4中形成 的晶圓形成爲半導體晶片，並且包含組裝步驟（例如切塊 ’黏結），封裝步驟（晶片密封），及類似者。步驟6 ( 檢驗）對步驟5中製成的半導體裝置實施各種不同的測試 ’例如有效性測試及耐用性測試。經由這些步驟，半導體 裝置被完成及運送（步驟7)。 圖9爲圖8的步驟4中的晶圓處理的詳細流程圖。步驟 1 1 (氧化）氧化晶圓的表面。步驟1 2 ( C VD )在晶圓表面 上形成絕緣膜。步驟1 3 (電極形成）藉著汽相沈積及類似 者在晶圓上形成電極。步驟1 4 (離子植入）將離子植入晶 圓內。步驟1 5 (抗蝕劑處理）在晶圓上施加光抗蝕劑材料 。步驟16 (曝光）使用曝光裝置1將掩模上的電路圖型曝 -17- (14) 1282115 光在晶圓上。步驟1 7 (顯影）將曝光的晶圓顯影。步驟工8 (蝕刻）蝕刻顯影的抗蝕劑影像以外的其他部份。步驟1 9 (抗鈾劑剝除）移除蝕刻之後未使用的抗蝕劑。重複這些 步驟，因而在晶圓上形成多層電路圖型。使用此實施例中 的製造方法有助於製造前所未有的高品質裝置。因此，使 用曝光裝置1的裝置製造方法及所得的裝置構成本發明的 一方面。 另外，本發明不受限於這些較佳實施例，並且在不離 開本發明的範圍下可進行各種不同的改變及修正。 根據本發明的曝光方法及裝置，可在不降低物料通過 量之下實施對於晶圓的平坦度的優異的焦點校正。使用此 裝置及方法的裝置製造方法可製造高品質裝置。 【圖式簡單說明】 圖1爲根據本發明的一實施例的曝光裝置的方塊圖。 圖2爲包含三個測量點的曝光區域的視圖。 圖3爲包含五個測量點的曝光區域的視圖。 圖4爲顯示圖1所示的曝光站的測量系統的光學視圖。 圖5爲實現圖4所示的測量點的配置的測量光學系統的 配置圖。 圖6爲顯示晶圓上的曝光位置以及焦點及傾斜度測量 位置的立體圖。 圖7爲顯示已經根據由圖1中的測量及曝光站所獲得的 晶圓的平坦度資訊被驅動至曝光位置的晶圓的立體圖。 -18- (15) 1282115 圖8爲用來說明使用本發明的曝光裝置的裝置製造方 法的流程圖。 圖9爲圖8所示的步驟4的詳細流程圖。 圖1 〇爲顯示晶圓上的焦點及傾斜度測量位置的剖面圖 〇 圖1 1爲顯示已經根據測量結果被驅動至光學影像表面 位置的晶圓的剖面圖。 圖1 2爲顯示預掃描平面與晶圓之間的偏差的剖面圖。 [符號說明] 1000 晶 圓 2000 曝 光 位 置 或 曝 光 狹 縫 BFP 最 佳 焦 點 平 面 FP 1 焦 點 及 傾 斜 度 測 旦 里 點 FP2 焦 點 及 傾 斜 度 測 量 點 FP3 焦 點 及 傾 斜 度 測 量 點 P 1 點 P2 點 P3 點 PMP 預 掃 描 平 面 Δ 偏 差 或 偏 移 (本發 ί明 ) 1 曝 光 裝 置 100 測 量 站 110 He 卜N e ‘ 雷： 射 -19- (16) 射束分裂器 射束擴張器 參考光鏡子 晶圓夾頭 射束擴張器 CCD照相機 曝光站 照明光學系統 標線片 標線片台 投影光學系統 晶圓台 偵測系統 照明透鏡 投影圖型掩模 光學路徑合成器稜鏡 焦點標記投影光學系統 焦點光接收光學系統 光學路徑分割稜鏡 放大偵測光學系統 位置偵測元件 控制器 晶圓 曝光區域或曝光狹縫 -20- (17) 1282115

5 10 520 A EP FP K1 K2 K3 K4 K5 Ml M2 M3 M4 M5 SD 前區域 後區域 區域 曝光位置 焦點及傾斜度位置 測量點 測量點 測量點 測量點 測量點 標記 標記 標記 標記 標記 掃描方向

Claims (1)

1. 綠(展}正本 拾、申請專利範圍 第92 1 065 30號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年10月18日修正 1 . 一種曝光裝置，用來將形成在標線片上的圖型曝光 在物體上，經由一投影光學系統，該曝光裝置包含： 第一偵測器，用來測量在該物體上多個點處的位置， 在與該投影光學系統的光學軸線平行的方向上，相鄰的該 點以預定間隔被放置；及 控制器，用來根據該物體之相鄰的該點間之平坦度的 資訊，其由該第一偵測器以外的第二偵測器測量，及由該 第一偵測器所測量的位置的資訊，控制該物體的位置及傾 斜度的至少之一。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置，其中該第 一偵測器測量該物體上的至少三點。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置，其中該多 個點被配置於與該投影光學系統的光學軸線垂直的方向。 4 ·如申請專利範圍第1項所述的曝光裝置，另外包含 第二偵測器，其中該第二偵測器在該曝光裝置的內部或外 部測量該物體的平坦度。 5 ·如申請專利範圍第4項所述的曝光裝置，其中該控 制器將由該第二偵測器所獲得的該物體的平坦度的資訊儲 存成爲資料庫。 6 ·如申請專利範圍第4項所述的曝光裝置，其中該物 1282115 (2) 體在由該第一及第二偵測器測量的期間以相同的固持方式 被固持。 7 .如申請專利範圍第4項所述的曝光裝置，其中該第 二偵測器使用干涉法來測量該物體的平坦度。 8 · —種曝光裝置，用來將形成在標線片上的圖型曝光 在物體上’經由一投影光學系統，該曝光裝置包含： 測量站，用來測量與物體之平坦度有關的資訊； 曝光站’用來曝光形成於標線片上之圖型至物體上， 該曝光站具有偵測系統，其照射光至物體，用來偵測關於 與該投影光學系統的光學軸線平行的方向之物體的位置資 訊； 控制器，用來控制放置於該曝光站中的該物體的位置 及傾斜度的至少之一，根據在該測量站測量的平坦度資訊 及由該偵測系統得到的位置資訊。 9 ·如申請專利範圍第8項所述的曝光裝置，其中該高 度偵測系統照射光至該物體，在與該物體傾斜的方向上。 1〇·—種裝置製造方法，包含： 平坦度測量步驟，用來測量物體之平坦度且儲存所得 到的資訊； 多個曝光步驟’用來曝光形成在標線片上的圖型至物 體上，各曝光步驟包含： 位置測量子步驟，用來測量該體上多個點的位置； 改變子步驟’用來改變該物體的位置及傾斜度的至少 之一 ’根據由該平坦度測量步驟所得到的平坦度資訊，及 -2- 1282115 (3) 由該位置測量步驟所得到的位置資訊。 11.如申請專利範圍第1 0項所述的裝置製造方法，其 中該位置測量步驟在一曝光裝置中進行，而該平坦度測量 步驟測量在該曝光裝置的內側或外側之平坦度。 -3-