TWI282032B - Attaching a pellicle frame to a reticle - Google Patents

Description

(1) 1282032 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於貼接一薄膜框至一標線板之裝置及方法 【先前技術】 一種微晶片製程可在一晶圓上之一或多個沉積層上形 成一光感性膜或光阻膜。一微影系統可使光線穿透透射性 光學兀件或將光線從反射性光學元件反射至一標線板或具 圖案之光罩。來自於標線板之光線可將一圖案化影像轉移 至光阻膜。該光阻膜上受到光線照射之部分便可被移除。 該晶圓未受到其餘光阻膜保護的部分會被融刻而形成電晶 體特徵。 ―微晶片製程可能需要在晶圓平面上實施數個微影製 程。藉由微影製程在不同階層中被印製在晶圓上之圖案係 會從標線板複製。一標線板可用以重複地印製數千個晶圓 。該標線板在其使用壽命期間可能會被搬動。可採用一薄 膜來保護該標線板，以避免由於環境及搬動而使微粒污染 物沉積在薄膜化之標線板上。 【發明內容及實施方式】 圖1顯示一微影系統1 0 0 (亦可稱之爲一微影工具、微 影曝照系統、一投影印表機、〜掃描器或一步進器）之實 例。該微影系統]0 0可包括—雷射或輻射源1 0 2、具有一圖 (2) 1282032 案之反射性標線板1 0 7 (亦可稱之爲一光罩）及複數個反射 性還原光學件1 Q 8。該標線板1 〇 7可以由玻璃及鉻所製成。 該雷射1 〇 2可產生輻射，該輻射可反射出該標線板1 0 7以在 一物件1 1 0上形成一圖案化影像。 圖2 A及2 B分別爲圖1之標線板1 0 7、一薄膜2 0 0及一 可被使用在圖1之微影系統1 0 〇中之薄膜框2 0 2之俯視及側 視圖。該薄膜200可以爲一薄且透射性膜，其可使來自於 / 雷射1 〇 2之輻射穿透至該標線板1 〇 7。該薄膜2 0 0及薄膜框 \ 202可永久性地貼接至標線板1〇7。該薄膜200可保持與該 標線板表面隔開一固定距離。在微影製程期間’在薄膜

I I 200上之大部分微粒的影像可能會失焦在物件（晶圓）表面 上，因此在物件π 0上將不會產生一瑕疵。如此可以保持 該標線板107原有的品質。 一旦該薄膜2 00及薄膜框202被適當貼接時，該標線板 ]07之表面可保持免於未來的微粒污染。沉積在標線板107 上之一微粒或污染物可能會降低由該微影系統1 0 0所處理 之物件1 1 0的產量。該薄膜2 0 0及薄膜框2 0 2係用以保護（例 如，密封）該標線板1 〇 7，以免由於搬動該標線板1 〇 7而受 到掉落在標線板上之微粒污染。該薄膜2 0 0可增加微影系 統1 〇 〇之晶圓產量。 薄膜2 0 0可藉由有機黏膠而施加、鋪設及貼接至薄膜 框2 0 2。該黏膠通常可包括具有添加劑或溶劑（諸如過氟化 胺溶劑）之低分子量成份，例如聚合物。黏膠亦可用以將 薄膜框2 0 2貼接至標線板1 0 7。壓感性襯墊亦可用作爲將標 (3) 1282032 線板貼接至框的黏膠。 當薄膜2 0 0在圖1之微影系統1 〇 〇中受到輻射（例如，散 射光或雷射曝照）照射時，該黏膠及溶劑可除氣或蒸發。 黏膠或溶劑的除氣可產生一或多種殘餘有機蒸汽，其可能 包括諸如過氟三丙胺。被除氣之有機蒸汽可能由於降低薄 膜透明度、造成薄膜薄化及加速薄膜光解而對薄膜2 〇 〇有 害。當有機蒸汽的濃度增加時，用以造成在薄膜200中之 傳輸損失所需要的能量可能會減少。因此，被除氣之有機 蒸汽會降低薄膜的使用壽命。薄膜2 00的薄化會造成在標 線板107上之瑕疵或微粒污染。 圖3係顯示在薄膜200及標線板107在圖1之微影系統 100中受到輻射照射（例如，數焦耳）之後而在圖2A之標線 板107上所產生的瑕疵3 0 0。該瑕疵3 00可能係在24 8 -nm、 193-nm、157-nm或其他波長輻射下對薄膜黏膠除氣以及 微粒污染物所造成。若薄膜200被移開且淸潔該標線板107 時，該瑕疵3 0 0可能會進一步惡化該標線板表面。 本發明係關於將一薄膜安裝至外及內框以及將至少一 框貼接至一標線板而無需使用傳統黏膠。以下所述之安裝 技術可降低由於除氣所造成之瑕疵且可以免除淸潔程序。 圖4 A及4 B分別爲依照一實施例之薄膜4 0 2、一外薄 膜框4 04及一內薄膜框406的俯視及截面視圖。該薄膜402 可針對一預定的曝照波長，諸如1 5 7 n m、1 9 3 n m、2 4 8 n m 或其他波長具有透光性。該薄膜4 0 2可以爲一薄聚合物膜 ，例如小於或等於1 0微米厚，諸如6微米厚或1微米厚。該 (4) 1282032 薄膜4〇2可以爲一藉由旋塗、擠製 '鑄模或某些其他方法 所製成之薄膜。該薄膜402可以爲任何熱塑性聚合物（諸如 一氟化聚合物、一碳氫化合聚合物，諸如纖維，或一含砂 聚合物，諸如聚矽）或上述聚合物的異量分子聚合物’其 可符合所需要的透光性及照射耐用性規格。針對透光性之 規格的一個實例係針對1 5 7 n m、1 9 3 n m、2 4 8 n m或任何其 他波長具有大於9 0 %的穿透率。針對光學耐用性之規格的 一個實例爲在1 57nm、1 93nm、24 8nm或任何其他波長之 數千焦耳/平方公分的等效照射劑量之後具有大於9 0 %的穿 透率。 作爲一實例，該薄膜402可以爲”Cytop”（無晶性循環 的過氟聚合物或聚（氟化（3-丁烯乙醚））），其可以由日本的 Asahi玻璃公司所購得，或者爲”Teflon AF”，一種無晶性 循環的過氟聚合物，其含有一二氧雜圜及一線性碳化氟圜 ，其可以由D υ Ρ ο n t P h 〇 t 〇 m a s k公司所購得，或者係其他 符合光學及耐用性條件的聚合物。這些聚合物可用以作爲 圖4A-4B之薄膜402。爲了提供本發明之某些態樣之觀念 性驗證，可以採用一 6微米厚之熱塑性聚合物聚四氟乙烯 (P T F E )膜，諸如可由力口少H Garden Grove之St.Gobain公司 所購得。PTFE爲一種由一-CF2-CF2-重複單體單元所構成 之聚合物。 在圖4A-4B中之雙框404、406可由金屬所製成，諸如 鋁或殷鋼（含有鐵（Fe)、鎳（Ni)及鈷（Co)之金屬合金）。該 外薄膜框404可以由相同於或不同於內薄膜框4 0 6之材料所 (5) 1282032 製成。該框4 0 4、4〇6可具有各種應用依附性型式。例如， 該框 404、406 可具有 148x122x6.3 毫米或 148x105x5.0 毫 米之尺寸。另一可行的長寬尺寸爲I44毫米x120毫米。其 他可行的尺寸可至少部分根據由微影步進器設備製造商所 提供的數値。 薄膜至框的機械式貼接 在一實施例中，該薄膜402可以不使用黏膠而機械式 地牢固貼接或夾持在外薄膜框4 0 4與內薄膜框4 0 6之間，如 圖4B所示。該外及內框404、406之尺寸及形狀可設計成 例如藉由一壓扣或鎖扣動作而連接在一起。該內薄膜框 406之一頂面407可壓抵該外薄膜框404之一內表面408而使 該薄膜402被固持在這些表面407、408之間。該薄膜402可 藉由摩擦力而被固持。這構成該薄膜4〇2至框4〇4、4〇6的 機械式貼接，其可以避免使用一黏膠而降低除氣的機會。 另一實施例顯示在圖5A及5B中，其中分別顯示圖4A 之薄膜402、外薄膜框404及內薄膜框406及螺釘5 02的俯視 及截面側視圖。該螺釘5 02可將外薄膜框404附接至內薄膜 框4 0 6。該螺釘5 0 2亦可將薄膜4 0 2保持在框4 〇 4、4 0 6之間 。該螺釘5 02可延伸於大致相同於薄膜4 02的方向，如圖5B 所示。 薄膜的熱處理 薄膜4 0 2至外及內框4 0 4、4 0 6的貼接及夾持可以配曰 (6) (6)J282032 一加熱處理或以一加熱處理來取代（亦稱之爲熱處理），其 包括一加熱及冷卻循環，以保持及伸展該薄膜4 〇 2。薄膜 貼接至框可以藉由內金屬框的熱膨脹來達成，其中該內金 屬框的熱膨脹應大於聚合物膜及外金屬框兩者的熱膨脹。 圖6A及6B顯示圖4A之薄膜402及外薄膜框404在一 熱處理之前6 0 0 A及熱處理之後6 0 0 B的情況。該薄膜4 0 2 在被夾持於框4 0 4、4 0 6間之後且在一熱處理之前會略微地 縐縮（圖6 A)。該熱處理可以消除在薄膜4 0 2中之縐縮（圖 6A)，且將薄膜402伸展在框404、406之間（圖4A-4B)。該 熱處理可以在高於薄膜4〇 2 (例如，聚合物）之玻璃變態溫 度且低於其熔點溫度的溫度範圍中來進行。該熱處理亦可 採貼接將框4 0 4、4 0 6及薄膜4 0 2置入一爐中的方式來進行 〇 選擇外及內框4〇4、4〇6的材料係很重要的，因爲該薄 膜4 0 2、內薄膜框4 0 6及外薄膜框4 0 4間之熱膨脹係數的差 異會影響在薄膜402上之張力。外薄膜框4〇4可選擇一種熱 膨脹係數小於內薄膜框4 〇 6的材料。在另一實施例中，該 外及內框4 0 4、4 0 6可皆具有相同的熱膨脹係數。在此實施 例中，熱循理可以配合機械式貼接。 作爲一實例，該薄膜4 〇 2及框4 0 4、4 〇 6係以每分鐘3。C 的加熱率被加熱至一固持溫度，諸如2 0 0、3 2 9或3 3 7。C。 此固持溫度可選擇爲高於薄膜402之玻璃變態溫度（例如在 圖][〇中爲]3 7。C)及高達至該薄膜402之熔點溫度。例如 ，該P T F E膜之熔點大約爲3 2 9或3 4 0 ° C，其中3 2 9。C爲一 -10 - (7) 1282032 始熔溫度。該薄膜4 0 2及安裝之框4 0 4、4 0 6可被保持在一 選擇的固持溫度（例如，2 0 0，3 2 9或3 3 7。C )達一小時或其 他可選擇的期間。 圖10係一可作爲圖4A之薄膜402之聚四氟乙烯的差分 掃描熱量計（DSC)圖表1〇〇〇。在圖1〇中之熱流量（左側垂直 )軸代表單位爲瓦特/每公克（w/g)之熱吸收或熱產生量。 圖1 〇中之對角線對應於在右側軸（代表以分鐘爲單位之時 間）上的數値。底部（水平）軸代表以攝氏度爲單位之溫度 。在大約3 24.43 °C的溫度，該PTFE之能量大約爲35.13 焦耳/克。圖1 〇顯示一玻璃變態溫度、一熔點溫度及在該 玻璃變態溫度及熔點溫度之間的範圍。 在熱處理之後，該框4 0 4、4 0 6及薄膜4 0 2可緩慢冷卻 至室溫，例如，以每分鐘4。C之速率。在熱處理及冷卻期 間，該被夾置在兩框4 0 4、4 0 6 (例如，鋁）之間的薄膜4 0 2 ( 例如聚合物）可伸展在該框4 0 4、4 0 6上，如圖6 B所示。該 薄膜402在冷卻後之機械式伸展可歸因於該薄膜402(例如 ，針對PTFE爲每百萬分之8(ppm)/攝氏度）與框404、406( 例如針對鋁爲23· 6Ppm/攝氏度）之熱膨脹係數的差異所造 成。 使用比外薄膜框404還大之熱膨脹係數的內薄膜框406 可較佳提供該薄膜4 0 2在熱處理期間的夾持。若該外薄膜 框4〇4係由一種具有熱膨脹係數低於內薄膜框4 0 6之材料所 製成時，則該夾持·伸展效果更彰顯。例如，該外薄膜框 4 0 4可以由具有熱膨脹係數爲0 (零）p p m /攝氏度之殷鋼所製 (8) 1282032 成，而該內薄膜框406可以由具有熱膨脹係數爲23.6ppm/ 攝氏度之鋁所製成。該內薄膜框4 0 6可以比外薄膜框4 0 4膨 脹較少或較多。 薄膜4 0 2至框4 0 4、4 0 6的機械式貼接（圖4 A - 4 B )及後續 熱處理（圖6A-6B)可保持在薄膜402上之張力。該熱處理可 以爲一重複進行的程序以消除在薄膜4 0 2中之縐縮。即使 在該薄膜框404及/或406已被貼接至標線板702 (圖7)之後， 仍可重複該熱處理以消除在薄膜4 02上的縐縮。 貼接至少一框至一標線板 圖7顯示圖4A之薄膜402及框404、406、一預切聚合 物層700及一標線板702。該標線板7 02可以由熱熔合的矽 土所製成且可具有0.5 5ppm/攝氏度之熱膨脹係數。該外薄 膜框4 0 4及/或內薄膜框4 0 6可以藉由使用聚合物層7 0 0作爲 一黏膠而被貼接至標線板702。 該聚合物層7 〇 〇可以爲一”低熔點聚合物”，其具有介 於大約60至150 °C之間的熔點。該”低熔點聚合物”亦可被 稱之爲一低熔點、低除氣性熱塑膠塑膠。例如，該聚合物 層7 0 0爲一種可購自3M公司之聚酯熱塑性塑膠。該熱塑性 材料亦可具彈性。一般而言，熱塑性材料相較於低分子量 黏膠材料係具有較少的殘留雜質及溶劑。 該聚合物層7 0 0可被預切割成符合該內薄膜框406及/ 或外薄膜框4〇 4之底表面積的尺寸及形狀，如圖7所示。該 框4 04、406係平置在該預切割聚合物層7 0 0上。該框404、 (9) 1282032 4〇6、聚合物層7 0 0及標線板7 02可藉由一安裝器來予以對 齊。熱及壓力可施加至框4 〇 4、4 0 6、聚合物層7 〇 〇及標線 板702上以達到在內及/或外框4〇6、4〇4及標線板7〇2之間 的密閉式密封或結合。該熱及壓力可移除在框4 0 4、4 0 6、 聚合物層7 0 0及標線板7 02之間的任何空氣間隙。該熱處理 可引入一從大約4 5 ° C至1 5 0 ° C的溫度變化。該聚合物層 7 〇 〇可以爲一種以6 5 - 7 5 ° C結合線溫度、2秒駐留時間及5 0 磅/每平方吋（psi)壓力的聚酯熱塑性塑膠。 在一實施例中，僅有內薄膜框4〇6藉由聚合物層700而 被貼接至標線板702，其留下該外薄膜框404未被貼接以吸 收應力或位移。 在外薄膜框4 04與標線板702之間的熱塑性密封可以藉 由加熱該薄膜4 0 2、框4 0 4、4 0 6及標線板7 0 2而反向地予以 移狳。 一熱塑性密封比壓感性襯墊更能提供較佳的微粒保護 特性，其中該壓感性襯墊爲現行所使用的框至標線板黏膠 。該聚合物層7 0 0較壓感性襯墊具有較少的殘留雜質及溶 劑。該聚合物層7 00可降低除氣的機會及降低薄膜的惡化 加熱的效果 圖8 A-SC係一薄膜8 0 0、一薄膜框8 02、一黏膠層803 及一標線板8 04的側視圖。若一 ”非局部性”熱處理用以將 至少一框404、4 0 6貼接至標線板7 0 2，則在圖8A-8C中之 -13 - (10) 1282032 薄膜8 0 0、薄膜框8 〇 2、黏膠層8 0 3及標線板8 0 4可代表在圖 7中之薄膜4 0 2、外薄膜框4 0 4、聚合物層7 0 0及標線板7 0 2 。”非局部性”表示熱施加至圖8A-8C之所有構件。，，局部 性”表示熱僅施加至圖8Α中之一個或多個特定構件。 圖8 Α顯示平坦且以一初始溫度τ未貼接至該標線板 8 0 4之該薄膜8 0 〇、薄膜框8 0 2及黏膠層8 0 3。 圖8B顯示圖8A之薄膜8 0 0、薄膜框8 02、黏膠層8〇3 及標線板8〇4移動至一具有溫度爲τ + Δ T的位置以藉由” 非局部性”熱處理來結合。熱及壓力被施加以利用該黏膠 層8 0 3來將薄膜框802黏合至該標線板8 04。 . 圖8 C顯示該薄膜8 〇 〇、薄膜框8 〇 2、黏膠層8 〇 3及貼接 之標線板8 0 4被移動回到具溫度τ之位置。該非局部性溫 度在黏全至標線板的黏結期間的變化會造成該薄膜框8 〇 2 及標線板8 0 4的平面內扭曲。例如，在標線板8 〇 4中之扭曲 會造成在薄膜框8 02中的扭曲。圖8 C顯示一誇張的扭曲量 ’因爲在圖8C之真實尺度中並不容易看到實際的扭曲。 在圖8C中之平面中扭曲可能夾自於在一安裝溫度與一步 進器使用溫度之間的熱梯度△ T所造成。圖8 A - 8 C可代表 一最差案例架構，其中該標線板8〇4及薄膜框8 02兩者被帶 往該固定溫度Τ + Δ T且回到原來溫度τ。 若一低熔點聚合物層7 0 0(圖7)用以作爲一黏膠以將該 框4 04、4 06至少一者黏接至標線板7〇2，則可藉由”局部性 ”力口熱該聚合物層700來獲得一良好的密封。例如，可採用 一紅外線槍來局部性地加熱該聚合物層7 〇 〇。該聚合物層 -14- (11) 1282032 7 00之局部性加熱可以造成比加熱至框404、4 0 6及標線板 7 0 2 (圖8 C )的情況還要少的扭曲。 圖9顯示一標線板之溫度變化（水平軸）及對應的平面 內位移或扭曲（垂直軸）。在圖9中之標線板具各種不同的 楊氏模數（Eg)。圖9顯示針對具有較高楊氏模數之標線板 具有較大的扭曲。扭曲會隨著溫度而呈線性增加。雖然圖 9顯示爲0.5 °C的溫度變化，然而圖9可預測在將至少一框 404、406以圖7中之聚合物層70 0黏接至標線板702時由較 大溫度差△ T所造成之扭曲。例如，該黏結溫度變化可以 從4 5。C至1 2 0 ° C。在另一實施例中，該黏結溫度變化可從 65°C至150°C。熱引致扭曲的整體量値可以較低，因爲在 圖9中的四個描線中的三個顯示針對0.5 °C梯度具有小於 1 n m的位移。 圖1 1顯示將薄膜402貼接至圖4A-4B之框404、406及 將至少一框4 〇 4、4 0 6貼接至圖6之標線板7 0 2的技術。在步 驟1110，圖4B之薄膜402被夾置在外及內框404、406之間 。螺釘502(圖5A_5B)可插入穿過該框404、406。在步驟 1102中，該薄膜402可被加熱以伸展該薄膜4 02及消除縐縮 (圖6A-6B)。在步驟1 1〇4中，該外薄膜框404及/或內薄膜 框406可藉由一預切割聚合物層7〇〇(圖7)而被黏接至一標 線板7 0 2。 上述用以貼接薄膜402、框404、406及標線板702而不 使用傳統黏膠的機械及熱技術可降低黏膠副產物除氣的機 會以及增進一步”柔軟"聚合物式薄膜4 〇 2針對1 9 3 - n m及 -15 - (12) 1282032 1 5 7 - n m微影製程的輻射耐用性（亦即，使用壽命）。 以上已說明數個實施例。然而，應瞭解在不違背本發 明之主旨及範疇的情況下仍可進行各種不同的修飾。上述 的技術可使用於製造薄膜以外的其他應用中。例如，其他 應用可使用一種方法，其包含：將一聚合物膜夾持在一第 一框及一第二框之間，該聚合物膜具有不同於第一及第二 框之熱膨脹係數；在介於一玻璃變態溫度及一熔點溫度之 間的範圍內加熱該聚合物膜；以及在加熱以伸展該聚合物 膜之後冷卻該聚合物膜。 因此，其他實施例亦在以下申請專利範圍內。 [圖式簡單說明】 圖1顯不一微影系統之一實例。 圖2 A及2 B分別爲使用在圖1之微影系統中之一標線 板、一薄膜及一薄膜框的俯視及側視圖。 圖3係顯示薄膜及標線板在圖1之微影系統中受到輻射 照射後在圖2A之標線板上所產生的瑕疵。 圖4 A及4 B分別爲依照一實施例之薄膜、一外薄膜框 及一內薄膜框的俯視及截面視圖。 圖5A及5B分別顯示圖4A之薄膜、外薄膜框及內薄 膜框及可選用之螺釘的俯視及截面側視圖。 圖6 A及6 B顯示圖4 A之薄膜及外薄膜框在一熱處理 之前及熱處理之後的情況。 圖7顯示圖4 A之薄膜及薄膜框、一預切割聚合物層及 -16- (13) 1282032 一標線板。 圖8 A-8C係一薄膜、一薄膜框、一黏膠層及一標線板 被安裝且經歷一溫度變化的側視圖。 圖9顯示標線板之溫度變化及對應之平面內位移或扭 曲。 圖10係一可作爲圖4A之薄膜之聚四氟乙烯（PTFE)的 差分掃描熱量計（DSC)圖表。 圖1 1顯不將薄膜貼接至圖4 A - 4 B之框及將至少—框貼 接至圖6之標線板的技術。 【主要元件符號說明】 100 微影系統 102 輻射源 1 07 標線板 108 光學件 110 物件 200 薄膜 202 薄膜框 300 瑕疵 402 薄膜 404 外薄膜框 406 內薄膜框 40 7 頂面 408 內表面 - 17- (14) 螺釘 熱處理前 熱處理後 聚合物層 標線板 薄膜 薄膜框 黏膠層 標線板 圖表 步驟 步驟 步驟 -18-

Claims (1)

1282032 卜朱M3;曰觀楚)正替类貢j (1) | 十、申請專利範圍 附件2A : 第93 125 594號專利申請案 中文申請專利範圍替換本： 民國94年8月31日修正 1. 一種微影處埋之方法，其包含： 將一聚合物層放置在一標線板及一薄膜框之間；及 加熱該聚合物層至一預定溫度，以將該標線板貼接至 該薄膜框。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚合物層具 有介於大約60至150°C之間的熔點。 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱步驟將 該聚合物層加熱至介於大約45°C至150°C之間。 4.如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含在該 加熱期間施加壓力至該標線板及薄膜框。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚合物層包 含一熱塑性塑膠。 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含在該 標線板及該薄膜框之間形成一密閉式密封。 7.如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含切割 該聚合物層以符合該薄膜框之底表面積。 8 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該加熱步驟係 局部性施加於該聚合物層以將薄膜框結合至該標線板。 9 · 一種使用微影處理之裝置，其包含： 1282032 (2) …一 * · -.* 心 .............. 一聚合物層’其形狀符合一薄膜框之底表面積，該聚 合物層係藉由靠近該聚合物層施加熱而將一薄膜框貼接至 一標線板。 10.如申請專利範圍第9項之裝置，其中該聚合物層具 有一介於60至150°C之熔點。 11 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該聚合物層係 藉由介於大約45至150°C的加熱而被附接至該薄膜框及標 線板。 1 2 ·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該聚合物層係 藉由局部性靠近該聚合物層加熱而被附接至該薄膜框及標 線板。 13.如申請專利範圍第9項之裝置，其中該聚合物層係 當壓力被施加至該薄膜框及標線板之至少一者時將一薄膜 框貼接至一標線板。 14·如申請專利範圍第9項之裝置，其中該聚合物層包 含一熱塑性塑膠。 1 5 .如申請專利範圍第9項之裝置，其中該聚合物層係 用以在標線板與薄膜框之間形成一密閉性密封。 1 6 . —種使用微影處理之裝置，其包含： 一框； 一標線板；及 一聚合物層，其形狀符合該框之底表面積，該聚合物 層係藉由靠近該聚合物層施加熱而將該框貼接至該標線板 (3) 1282032 ，? ,9| ；·ν --.· 17.如申請專利範圍第16項之裝置，其中該聚合物層 包含一聚酯熱塑性塑膠。