TWI281521B - Apparatus and method for manufacturing semiconductor single crystal - Google Patents

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TWI281521B
TWI281521B TW094139598A TW94139598A TWI281521B TW I281521 B TWI281521 B TW I281521B TW 094139598 A TW094139598 A TW 094139598A TW 94139598 A TW94139598 A TW 94139598A TW I281521 B TWI281521 B TW I281521B
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Akiko Noda
Akihiro Iida
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Sumco Techxiv Corp
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Description

•1281521 ， 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種半導體單纟士 、 促丁守版早結晶製造裝置及製造方 法0 【先前技術】 。於半導體元件基板上主要係使用高純度之♦單結晶。 石夕早結晶製造方法之一有捷克拉斯基法（稱作法）。在 CZ法中，如第8圖所示一例，在設於半導體單結晶製造裝 置腔體1内之石英掛鋼5中填充石夕多結晶，藉由設於石英 甜鋼^周圍之加熱器6來加熱溶㈣多結晶而使其成為溶 ^ 4後’ m裝在種子夾頭14上之種子結晶浸潰在溶液4 :’使種子夹頭14及石英㈣5持續以同方向或反方向旋 相牽引種子夾頭14，藉此來成長發單結晶9。而且，在 第8圖中，絕熱筒7係以絕熱材來構成。 «充於5巾之0結晶料時，藉由溶液 4與石英掛鋼5之反靡，自 义…. 應自熔液表面會產生蒸發SiO氣體。 月』述SiO矹體會以非晶質態樣冷凝附著在石英坩鍋5内面 或牽引中之單結晶9 # 平 9表面或腔體1内壁，當其在熔液4内 剝落時’會附著在成長中之單結晶而產生錯位，使 用率降低。 又，當加熱器6或石墨掛鋼3或絕熱筒7被加熱到高 溫時，會產生co及c〇2等氣體，當其混入溶液4内時，成 長中早結晶之C濃度會變高。為了解決此問題，而使用Ar 7054-7526-PF;Ahddub 5 1281521 等惰性氣體，使蒸發物及反應生成物排出爐外。 亦即，如第8圖箭頭所示，腔體j上部導入之惰性氣 體^沿者單結晶9流下後，自溶液表面沿著石英㈣ 5内壁上升，而在石墨坩鍋3與加熱器6之間隙，或者， ^熱裔6與絕熱筒7之間隙往下流，經過腔體1之底部排 亂口及外部排氣管’冑蒸發物及反應生成物一齊排出爐外。 A /是，當使用如第8圖所示之構成時，蒸發物及：應 、 札篮η輸运到爐外途中，會附著在石墨坩 銷3或加熱器6或絕埶筒7。。 飞、巴…间7石金坩鍋3會與含有蒗發si〇 之惰性氣體相接觸，藉由SlQ與石墨反應，會促進μ化。 因^藉由形成之Sic與石墨之熱膨脹率不同，石墨㈣ 3 1"現者使用次數之增加合涿治, 命人心形。另外，加熱器6也會 有瘵發SiO之惰性氣體相 我 變高溫之加師……错由Si0與石墨反應， … 6中央部或狹缝終端部會快速減厚。結果 V液4之溫度分布會產生變化，對於 曰 氧濃度會有不良影響。 、早”之品質，例如 第9 =^為/技解決上述問題’在下述專利文獻1中，如 同時:皮”:加熱器6外周面設置内筒(遮熱板)11， -内二外 内周面之外筒(遮熱板)12,將這 二;用:=當做排氣通路，而排出惰I氣體。 田使用此構成時’如第 導入之k氣體，當通過輻射幕1Q==’自腔體1上部 會沿著石英㈣4内面上升，細=與溶液4間之後， 往下流而被排出爐外。 5肖外筒12之間隙 7054-7526-PF;Ahddub 6 ... 1281521 ' 如上所述，由熔液4產生之si〇等氣體不會接觸到石 墨掛鍋3及加熱器6,所以，能延緩石墨坩鍋3及加熱器6 之SiC化，石墨掛鋼3及加熱器6之耐用壽命就能大幅延 長。 - 又，在下述專利文獻2中，係記载有於加熱器外側設 . 置絕熱材，於前述絕熱材外侧設置排氣管之單結晶製造裝 .置。 φ 又，在下述專利文獻3中，係記載有於加熱器外側設 置絕熱材，並設置貫穿前述絕熱材之排氣管的單結晶製造 裝置。 【專利文獻1】曰本特開平7-223894號公報 【專利文獻2】曰本特開平9 - 2 8 9 2號公報 【專利文獻3】日本特開200 1-1 0893號公報 【發明内容】 φ 【發明所欲解決的課題】 可是，具有第9圖所示構造之物件中，以加熱器6產 生之熱’係以内筒11來遮斷，外筒12之溫度變得很低， 例如在1 600K左右以下。當外筒12溫度變低時，因為接觸 ' 到排氣氣體，在爐内產生之蒸發物及反應生成物會附著及 ， 冷凝在外筒12上。因此，内筒11與外筒12間之排氣通路 會因為堆積而被堵塞，有導致妨礙排氣功能之顧慮。又， 有時會導致製程無法繼續。 又’低溫之外筒1 2，係容易S i C化，S i C化會導致直 7O54-7526-PF;Ahddub 1281521 到破損為止之使用次數維 成本上升。 夺間鈿知’被迫提早換新，導致 尤其’外筒12，係支擇輻射幕10之構造 外筒12接觸排氣氣體而促進训化3 斤以，當 脹率會改變。而且，參_T 1C化部位的熱膨 外筒12㈣㈣V者使料數及使用時間之增加而 戶合改;、= 卜筒12支撐之輻射幕Ϊ0的高 度會改變。在此，鲳鼾萁 W间 輻射幕10下端位置與 會對被牵引出之單結晶9的品質產生很大影響。面之距離， 當猎由外筒12熱膨脹率之改變而輕射幕1G高 改變時，輻射幕10下端位置盥 又 之&中桔 f 罝〃、熔展表面之距離會偏離當初 叹疋值’而會對單結晶9的品質產生不良影響。 而且’上逆專利文獻2及專利文獻3所記載之排氣管， ^樣地係設於加熱器外側之絕熱材還要外側，或者設於加 ^ 、材中所以，以加熱器產生之熱會被絕埶， 排氣管温度會降低，與上述專利文们記載之單結晶製造 裝置U 9圖）同#地’會有排氣通路會阻塞，或者因為排 氣管之SiC化而導致使用次數減少之問題。 又，上述專利文獻i記載之以内筒u及外筒Μ構成 之排氣管係包圍加熱器6周圍，而形成筒狀，所以，其為 大直徑之大型構件，會有製造成本很高之問題。 本發明，係鑑於上述問題而研發出之物件，其係解決 第1課題之物件，第1課題，係使爐内產生之蒸發物及反 應生成物能在不接觸石墨坩鍋及加熱器之情形下排氣，同 時，能使排氣管本身保持高溫，而抑制蒸發物及反應生成 7054-7526-PF;Ahddub 8 (S： 1281521 物之附著及凝結，以防止阻塞排氣 身之SiC化而提高排氣管耐久性 ’抑制排氣管本 播^扭 抑制支標輻射幕之 構件的熱膨脹率改變而能以高品質牽引熱單結晶。暴之 又，本發明在第1課題之外 曰曰 件，楚〇 亦為解決第2課題之物 弟2課題，係藉由以較少材料 製造成本。㈣㈣’而降低 【用於解決課題的手段】 第1發明’係-種半導體單結晶製㈣置，其具 ::體單結晶原料之掛鍋、以及在前述掛鍋周圍加敛掛 2原料之加熱H係設置於腔體内，使種子結晶浸潰於炫 一+、 晕引早、“晶<牽引機構，其特徵在於：於 心加熱器外側’沿著加熱器圓周方向設有複數排氣管。 絲f 2判、，係在第1發財，於前述加熱料侧設有 €板’在月Ij述加献哭盘今'-P ^ Jkb ± 熱益與剛述遮熱板之間，沿著加熱器圓 周方向设有複數排氣管。 經细2 3 ^明’係在第1發明中，於前述加熱器外侧設有 闲’’’、同’纟刚述加熱器與前述絕熱筒之間，沿著加熱器圓 周方向設有複數排氣管。 ^ ^ 係在第1〜3發明任一項中，前述複數排氣 “糸連通到設於前述腔體底部之複數排氣口。 第5發明，仫+ & ^ 糸在第2發明中，前述複數排氣管係具有 〇引述遮熱板分開獨立之分隔壁的排氣管。 第6 t明，係在第2發明中，前述複數排氣管係具有 7〇54-7526-PF;Ahddub 9 1281521 與則述遮熱板共用之分隔壁的排氣管。 第7發明，係一種半導體單結晶製造方法，其使用申 請專利範圍第1〜6項中任一項所述之半導體單結晶製造裝 置。 如第1圖所示，排氣管2〇之上端開口部係位於比加熱 器6上端還要上方之位置，下端開口部係連通到排氣口 8b ’所以’ Ar氣體幾乎不接觸石墨坩鍋3及加熱器6，僅 在排氣管20内部流動。因此，與帛9圖所示之先前技術相 同地’月b避免石墨掛鋼3及加熱器6之Sic化，能大幅延 長耐用壽命。
而且，本發明之排氣管2〇，係設於加熱器6與遮熱板 12之d ’以熱傳性良好之材辑來構成，所以，與先前技術 不同地’排氣管20能保持高溫。因此，當使用本發明時， 能抑制蒸發物及反應生成物附著及冷凝在排氣管別上，而 防止排氣管20堵塞。又，能抑制排氣管2〇之加化。因 此’能延長更㈣氣f2G之週期，能降低成本。而且，即 :吏不以遮熱板12被覆絕熱村7,目為絕熱材7幾乎不接觸 表之Sl〇戶斤以’就無須遮熱板12，能夠更降低成本。 *使用本明¥ ’因為排氣氣體幾乎不接觸遮孰 能抑制遮熱板12之S1C化。藉此，遮熱板 12更換週期可延長，而能永 4 1 此抑制成本。又，因為能抑制遮熱 才反12之熱膨脹率變化，所 干交化所以，能保持以遮熱板12支撐之 輻射幕1 0下端位置盥忮本二 …… 表面之距離之當初設定值，而能 字引早…曰曰9,同時，能提高製品之材料利 10 7054-7526-PF;Ahddub 1281521 用率。 又，尤其當使用第4發明時廣、 積較小排氣口 8b(排 ’係連通到面 型構“ 22b)之小剖面積筒狀小直握及j 型構件’所以，能壓低製造成本。 &及小 本發明並不偶限於第 — a # # 圖所不之構成，加熱器6 要/口者加熱器6圓周 外侧 為任意構成(第】發明“稷數排氣管2°即可，其可 也可例二第1〇圖所示’在加熱器6與遮熱板12之間， 也可以沿著加熱器6圓周 明）。 方向5又且複數排氣管20(第2發 ”二複數！⑽2°，可為具有與前述遮熱板分開獨立 ill用'"的“官(第5發明)’也可為具有舆前述遮執板 ，、用之分隔壁的排氣管（第6發明）。 /如’如第U ®所示’在加熱器6與遮熱板12之間， 沿：加熱器6圓周方向設置複數排氣管2〇(第2發明），這 些複數排氣管2〇可為具有與前述遮熱板^共用之分隔辟 的排氣管（第6發明）。 土 。如第12圖所示’在遮熱板工2外侧沿著遮埶板12 圓周方向設置複數排« 20,這些複數排氣管2〇可為具 有與前述遮熱板12共用之分隔壁的排氣管。 又’當使用本發明之半導體單結晶製造方法時，因為 能抑制遮熱板12熱膨脹率之改變，所以，能使輕射幕1〇 下端位置與熔液表面之距離維持在當勒設定值，所以，能 穩定牽引製造高品質的單結晶，同時，能大幅延長使用零 7054-7526-PF;Ahddub 1281521 件之耐用壽命，所以，能壓低單結晶之製造成本（第7發 明）。 【實施方式】 以下，參照圖面來說明本發明半導體單結晶製造裝置 - 之實施形態。 第1圖係表示實施形態之半導體單結晶製造裝置構成 Φ 之剖面圖。 第1(a)圖係側視圖，·第1(b)圖係上視圖。第圖 A-A剖面係與第1(b)圖之上視圖相當；第i(b)圖之b — 剖面係與第1 (a)圖之側視圖相當。 如第1圖所示’腔體1中心設有坶鍋軸2。前述坩鍋 轴2 一中心軸係與腔體i中心軸相當。掛鶴軸2上端係透過 未圖示之掛锅承受器來支擇石墨坩銷g。 在石墨掛鋼3中收容有石英掛鶴5。石英掛銷5係儲 φ 存熔液4。 ，在石墨掛鋼3外御i，設有環繞石墨_ 3周圍的圓筒 狀加熱器6,而且在加熱器6的外側’設有環繞加熱器6 周圍之圓筒狀絕熱筒7。絕熱筒7,係以絕熱材來構成，沿 著《 1側面内壁設置。加熱器6及絕熱M 7，係相對於 石英坩鍋中心（中心軸2c)設成同心圓狀。 單結晶9係自石英掛銷5中心牵引。亦即，使安裝有 種子結晶之種子夾頭14浸潰到熔液4,使種子夾頭14及 石英掛鋼5持續以同方向或反方向旋轉而奪引種子爽頭 7〇54-7526-PP;Ahddub 12 1281521 1 4 ’藉此來成長梦單結晶g。 又，在腔體1底部設有由相同絕熱材構成之絕熱底8。 在絕熱底8中心位置形成有被掛鋼轴2貫穿之孔8心 又，，口著絕熱底8圓周方向形成有等間隔之4個排氣 口 8b排氣口 8b係用於排出後述爐内之氣體。 在絕熱同7上端’設有以相同絕熱材構成之圓環板狀 絕熱構件13。在絕熱構件13上連接有輻射$ 1()之上端。
輕射幕係環繞單結晶牽引領域之熱遮蔽體，下端 開口部直徑係比上端開口部直徑還要小之圓錐狀及筒狀構 件。 曰曰 輻射幕10,係遮斷由溶液4及石英掛鋼5等施加在單 、，晶9上之輻射熱’而促進軍結晶9之冷卻，加快單結 牵引速度’同時，防止結晶缺陷之產生。X，輻射幕i0 係使自L體1上方導入之惰性氣體（Ar氣體）被導引到罝莊 晶9周圍，形成自石英掛鋼5中心部經過周緣部而到達腔 體底部排氣口，之氣流，藉此，其具有排除阻礙單結晶化 之自熔液4產生之Si〇等蒸發物及反應生成物的功能。 ‘”、筒7内周面’被覆有以絕熱材構成之圓筒狀遮 ，板12。前述遮熱板12，係與第9圖先前技術說明過之外 ^ 田之物件。遮熱板12，係以例如碳或碳纖維強化 厌所構成。而且，遮熱板12可與絕熱筒7内周面密接，也 可接近設置。 ^在本實施形態中，而且在加熱器6與遮熱板12之間， 认有以導熱性良好材料構成之排氣管2。。排氣管，係設 7054-7526-PF;Ahddub 13 1281521 有複數（4個），其分別連通形 複數（4個）排氣口处。 成在腔體1底部絕熱底8 之 亦即，排氣管20,係其上端位於比加熱器6還要上方 之位置，其下端，係位於έ 亍位於絕熱底8排氣口 8b之筒狀構件， 配置於比加熱器6還要外側而比遮熱板12還要内側之位 置。排氣管2。剖面(排氣通路剖面)係例如形成矩形。 排乱g 20 ’係自加熱器6分離既定距離，而且自遮熱 板12分離既定距離。 … 排氣管20,係以熱傳性比較良好且具有耐熱性之材 料’例如石墨、碳纖維強化石墨或陶竞來構成。 排乳β 2〇 ’係其上端部透過排氣管固定環21而被遮 熱板支撐，同時，其下端部係以支#構件22來支擇。 亦即，在加熱器6上方，設有覆蓋加熱器6上端之圓 環板狀排氣管固定€21。排氣㈣定環21外周係被固定 於遮熱板12,石墨坩鍋3(石英㈣5)係位於 環21中央之孔處。 & 在排氣管固^環21處，形成有對應排氣管20外形之 矩，孔21a。前述矩形孔21a插通有排氣f 2q，藉此，/排 氣管20上端部係透過排氣管固定環21以遮熱板u支撐， 排氣官20上端部係被固定於腔體1内。 於絕熱底8外表面處，被覆有圓板狀支撐構件μ。於 支撐構件22處，對應上述4個排氣口肋之位置分別形成 有4個排氣孔22b。在排氣孔22七周圍處，形成有對應排 氣管20外形之矩形法蘭22a。前述矩形法蘭2。，係被插 7054-7526-PF;Ahddub 14 ,1281521 入排氣n8b’矩形法蘭22a後合有排氣t2〇下端部，夢 此，排氣管20下端部係以支樓構件22來支樓，排氣管^ :端部係被固定於腔體1内。排氣管20排氣通路剖面積係 破设定成雨排氣孔22b相同面積。 ’、 - 而且，本發明中之排氣管剖面積，為了降低遷損，最 .好比排氣口剖面積還要大，但是，考慮到幫浦能力、爐内 塵力、氣體流量，也可以比排氣口剖面積還要小。 • 接著，說訂述構叙料結晶製造裝置的氣體流動。 、、當牽引單結晶9時’惰性氣體(Ar氣體)自腔體ι上部 被導入腔體1内。Ar氣體，如第1圖箭頭gi所示，流下 刮單結晶9外周面’當通過輻射幕10下端與熔液4間之間 隙後，沿著石英坩鍋5内面上升。而且’如箭頭以所示， f排氣管2°内流下’如箭頭輪，經過排氣孔22b(排 氣口 8b)而被排出腔體ι外。 排孔g 20 ’係其上端開口部位於比加熱器6上端還要 上方之位置’下端開口部係連通到排氣口处，所以士氣 體幾乎不接觸石墨掛銷3及加熱器6,僅在排氣管2〇内部 流動。因此，與第9圖所說明過之先前技術相同地，能避 免石墨義3及加熱器6之训化，而能大幅延長耐用壽 命。 而且’本只施形態之排氣管2〇，係設於加熱器6與遮 熱板12之間，以熱傳性良好之材料來構成，所以，與先前 技術不同地，排氣管20係被保持在高溫狀態m氣 不直接在遮熱板12徘徊。亦即，在以第9圖說明過之先前 7 054-7526-PF;Ahddub π 1281521 技術中，遮熱板12本身係構成排氣管外筒，所以，排氣管 本身溫度會較低，蒸發物及反應生成物容易附著及冷凝在 外筒12。在實驗中，經過確認，外筒容易附著蒸發物及反 應生成物之處所的溫度係1 600K。而且，經過確認，於外 筒12之深度l〇mm處係1 5 00K以下。 相對於此，本實施形態之排氣管2〇，係以加熱器6產 生之熱直接在排氣官2 0周圍徘徊，而保持高溫狀態。在實 驗中，經過確認，排氣管20之溫度係被保持在18〇〇κ左右。 因此，能防止蒸發物及反應生成物附著及冷凝在排氣管2〇 上。因此，當使用本實施形態時，能防止排氣管2〇堵塞。 又，能抑制排氣管20之SiC化。因此，排氣管2〇之更換 週期能延長而壓低成本。
又，當使用本實施形態時，排氣氣體幾乎不接觸遮熱 板12 ’所以’能抑制遮熱板12之Sic化。藉此，遮熱板 12之更換週期能延長而壓低成本。又，能抑制遮熱板w 之熱膨脹率改變’所以’能保持以遮熱板12支撐之輕射幕 =下^位置與熔液表面之距離之當初設定值，而能維持高 品質地牵引單結晶9’同時，能提高製品之材料利用率。 又’實施形態之排氣管2G，係連通到面積較小排氣口 此（排氣孔22b)之小剖面積筒狀小直徑及小型構件，所以， 能壓低製造成本。 相對於上述實施形態，可有種種變形之實施 第2〜5圖係例示排氣管2〇之固定方法。 第 係在排氣管 20上端部形成！^字形狀剖面之鉤 16 7054-7526-PF；Ahddub 1281521 構:施，則述釣構件2Qa係卡合到加熱器6上端，藉此， 排氣管2G係以加熱器6支撐，排氣管2〇被固定於腔體1 内。 s而且’在第2圖+，雖然使排氣管20接觸加熱器6， 仁疋，也可以使排氣管2〇不接觸加熱器6，例如透過非導 „電性構件使排氣管2〇被加熱器6支撐。 第3圖，係在排氣管2〇上端部形成^字形狀剖面之鉤 φ構件2〇b别述鉤構件20b係卡合到形成在遮熱板12上之 L子形狀剖面釣承受構件仏，藉此，排氣管μ係以遮熱 板12支撐，排氣管2 0被固定於腔體1内。 而且本第3圖中，雖然排氣管2 0側面係自遮熱板 12内周面刀離，但是，排氣管2 0側面也可以接觸到遮熱 板12内周面。 第4、5圖係例示形成於遮熱板12内周面之排氣管固 定用導引構件。 _ 在第4圖中’八字形剖面之兩導引構件12b，12c係沿 著排氣管20縱向間歇設置，如箭頭c所示，各導引構件 12b，12c之間，插入有排氣管2〇而卡合到導引構件 12b，12c ’藉此，排氣管2〇，係以遮熱板12支撐而被固定 ' 於腔體1内。 " 在第5圖中，八字形剖面之兩導引構件12d，12e係沿 著排氣管20縱向連續形成，如箭頭D所示，導引構件 12d，12e之間，插入有排氣管2〇而卡合到導引構件 12d，12e，藉此，排氣管2〇，係以遮熱板12支撐而被固定 7054-7526-PF;Ahddub 17 1281521 於腔體1内。 在此’於排氣管20上下方向各處，溫度各異，尤其， 在排氣笞下部係變成較低孟度，會加速s丨c化，可以預見 f更換週期會縮短。另外，排氣管20上部係高溫狀態，而 施使更換週期延長。在此，如第6、7圖所示，也可使排氣 & 2 0成為可上下2分割之構造，而每次只更換上部或下 部。 —第6圖，係表示使圓筒狀排氣管2〇可分割成上部排氣 .官20U及下部排氣管20L構成之立體圖。如第6圖所示， 在下部排氣官2 0L上端處形成有嵌合凹部2 〇La，同時，在 上部排氣管20U下端處形成能嵌合到嵌合凹部2〇La之嵌合 必部20Ua，上部排氣管20U嵌合凸部2〇^係嵌合到^ 排氣管20L後合凹部20La，藉此，上部排氣管2〇υ舆下部 排氣管20L扼分割存在而被連接及固定。 第7圖，係表示相同地使圓筒狀排氣管2〇分割成上部 排氣管2⑽及下部排氣管20L構成之縱剖面圖。如第7圖 所示，在下部排氣管組上端處形成有能敌合到上部㈣ 管20UT端部之㈣20Lb，在下部排氣f隱法蘭嶋 處’喪合有上部排氣管20U下端部’藉此，上部排氣管2〇u 與下部排氣管20L能分割存在而被連接及固定。 而且’在第6、7圖中，雖然例示2分割構造之排氣管 20，但是，排氣管20也可以3分割以上。在任何情況下， 分割位置最好不是蒸發物及反應生成物會附著及冷凝脂溫 度區域。 曰Μ 7054-7526-PF;Ahddub 18 1281521 、而且’在上述說明中，雖然例示使排氣管20剖面形狀 y屯（第1圖）、圓形（第6、7圖）之物件，但是，本發明 並不偈限於这些形狀，也可為任意剖面形狀。 又，在上述說明中，排氣管2〇排氣通路剖面積，雖然 例示與腔體1底部排氣孔22b(排氣口 8b)約略相同面積， 仁疋考慮到減少壓力損失，複數排氣管2〇排氣通路剖面 積總叶最好比腔體1複數排氣孔22b(排氣口 8b)總面積還 要大。 、 又，在上述說明中，雖然例示使排氣管2〇沿著絕熱底 8圓周方向設置複數個之情形，但是，排氣管2〇之數量可 對應腔體1底部排氣孔22b(排氣口 8b)之數量而任意設置。 又，複數排氣管20，未必需要與腔體1底部複數排氣 孔22b對一對應而連通，也可以排氣孔22b數量比排氣 官20數量還要多，也可以排氣孔22b數量比排氣管^數 量遝要少。例如，可以集合2個排氣管2〇而連通到1個排
氣孔22b，又，也可以分歧}個排氣管2〇而連通到2個排 氣孔22b。 F 又，排氣管20圓周方向長度可設為任意長度。又，在 上述說明中，雖然假設使排氣管2〇在絕熱底8圓周方向間 歇設置複數個，但是，排氣管20也可以沿著絕熱底8圓周 方向環狀（連續）形成。 ° 又，在第1圖中，排氣管20，係分別自遮熱板！ 2及 加熱器6分離配置，但是，也可以配置成使排氣管2 〇接觸 到遮熱板12或加熱器6中任一者，或者同時接觸到兩者 7054-7526-PF;Ahddub 19

Claims (1)

1281 鉍申藥—圍修正本 λ * / 「〜.一一，.一…一..…“‘〇.'…...+ r申讀專羽1画：丨做U月:^ ‘v,:X、公::‘丨 修正日期：95·12· 22 1 · 一種半導體單結晶製造裝置，包括： 掛锅，溶解半導體單結晶原料； 加熱器，在前述坩鍋周圍加熱坩鍋内原料；
單結 體中 複數個排氣管，以導熱性佳的材料製成 牵引機構，使種子結晶浸潰於熔解後之 曰曰，上述坩鍋、加熱器以及複數個排氣 ;以及 原料中而牽引 管係設於一腔 其特徵在於： 於前述加熱器外側 排氣管係間歇地設置於 的位置上。 沿著加熱器圓周方向 上述複數 可直接接受上述加熱器的輻射及熱 2·如申請專利範圍第丨項所述之半導體單結晶製造裝 置，其中，於前述加熱器外侧設有遮熱板，在前述加執器 與前述遮熱板之間’沿著加㉟器圓胃方向設有複數排氣y。 3·如申請專利範圍第1項所述之半導體單結晶製造裝 置，其中，於前述加熱器外側設有絕熱筒，在前述加熱器 與前述絕熱筒之間，沿著加熱器圓周方向設有複數排氣管°。 4·如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之半導體 單結晶製造裝置，其中，前述複數排氣管係連通到設於前 述腔體底部之複數排氣口。 5·如申請專利範圍第2項所述之半導體單結晶製造裝 置’其中’前述複數排氣管係具有與前述遮熱板分開獨立 之分隔壁的排氣管。 7054-7526-PF1 23 1281521 6.如申請專利範圍第2項所述之半導體單結晶製造裝 置，其中，前述複數排氣管係具有與前述遮熱板共用之分 隔壁的排氣管。
7054-7526-PF1 24 1281 j修正日期：95.12.22
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