TWI278358B - Apparatus and method for processing a substrate - Google Patents

Description

1278358 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於半導體基板處理， 體有效施加在基板表面並予以有效移 有關於用以將 板處理成本的設備與技術。 ’、$日守卜低污染並減少基 【先前技術】 在半導體晶片製造製程中，眾戶斤 兩 -等操作以處理基板。在每-這些操i用如清潔與乾燥 給晶圓操作製程並予以移除。 、、孓中，而要有效施加流體 圓表面留ΐ不想製造操作已經實施過而在晶

中，晶圓是放置在會將一曰曰圓械*研磨(CMP)。在CMP 這條傳送帶使用由化學‘與磨=且23送帶的-支架中。 人遺憾，這個製程傾向將泥製物彳、^水物以進行研磨。令 在其他物件中引起缺陷，^在日要之殘餘材料與微粒可能 ‘相互作用。在部分情況中^面的刮痕與金屬化特徵間的 無法運作。要避免丢棄掉二n成導致晶圓上的元件變得 當成本，因此必須在；以；法運作元件之晶圓所產生的不適 效地清潔晶II。 α不想要之朗物的製造操作後充分且有 或清以留加以有，，以防止水 潔流體能夠予以蒸發，如滴 曰士〆如果在晶圓表面上的清 溶解的殘⑽或污錄將在生^’則清潔流體中所 痕）。要防止蒸發發生，清潔、^ ^^在曰曰圓表面上(如形成水 前盡快予以移除。試圖實現ϋ壬^，未在晶圓表面上形成滴狀 燥技街其中一者，^，乃是應用幾種不同乾 破轉乾U去、IPA或馬蘭葛尼乾燥法。所有這 5 1278358 J乾=術均利驗在日日日圓表面上的隸形式之移動液體 表面的°乾=當的:：]在未形成滴狀下i成二 如4果這個移動液體/氣體介面破壞_， 生有乾燥方法經常發生的，滴狀形式與蒸發均_ 技術為清洗魏法(SRD)。 天所仙、㈣行的乾燥 ，1A_SRD製程顧在-晶_上的流||移動 中，一潤濕晶圓係依照旋轉方向14，於高速下旋轉。^ ^ ’經由離心力，則用以清洗晶__係從晶圓中心拉至 外側，最後如流體方向箭頭16所示般脫離晶圓。—旦浐 曰曰 拉離晶15時’則—移動液體/氣體介面12即會產 日^二二 然後隨著乾燥製程繼續而移動至晶圓外側(亦即^曰 ^面 =產生的圓圈變大)。細A的範例中，由移動g 斤形成的關_區域沒有流體，而由移動液體/氣體介抓所妒 外側地區則是流體。因此，隨著乾燥製程繼續，則：動 區域則_祕域)減少。如前陳述般，如果移動液= 軋體面12破壞，則滴狀流體會形成在晶圓上，且污 此丄則:須限制滴狀形成與隨後的蒸發以 功令人遺憾，目前的乾驗在防止移動液 。另外，SRD製程難以乾燥屬於疏水性的晶圓表面。疏水 圓表面可能難以乾制原因是，這類表面會排斥水與水性清潔溶 液。、因此，隨著乾燥法繼續且清潔流體係正從晶圓表面拉離時， 則殘留清潔流體(如果為水性的)係將會受到晶圓表面排斥。因此， 水性清潔流體將想要讓最少數量區域與疏水性晶圓表面接觸。另 外，水性清潔溶液傾向因表面張力影響而自我凝聚(亦即，導致分 子氳鍵）。因此，因為疏水性的相互作用與表面張力，所以水性清 潔溶液的球狀(或滴狀)會以不受控制之形式形成在疏水性晶圓表 6 1278358 Ξί 形ί會導致前面所討論的有害蒸發與污染。s奶的限 處是特別嚴重，其中作用在滴狀上的離心力是最小 方丰n =SRD㈣是目前最普遍的晶®乾燥法，但是這種 ii。晶圓的特定部分可能具有不同的疏水性。 1〇的部修具有—親水性區域，而部分22則區以 會Τ丨水’因此在那個區域有一流體池26。部分2“ t區域會排斥水，因此在晶圓1G的那個部分上ΐ ί/此，晶圓_疏水性部分通常較親水性部分 這類—可接受晶圓㈣ 【發明内容】 、ii 發明藉由提供一種基板處理設備來滿足這此需 晶圓 求其中《板處理設備能夠處理晶圓表面，同時大二而 設備 明實施例 >5= 應體姻本發明可以許多方式加以實施 夢 以下描述有本發明的幾個發 在-貫關巾，提供有_種基板處 ， ϊίίΐίϊΐΐΓ即加以處理。其中該流 在另一只例中，提供有-種基板處理設備，其包含有：具 一热供、-系統、一裝置或—方法 3田忭I私 7 1278358 有複數個管道的一近接頭；一流體輸入，其係連接至該近接頭且 用以將流體供應至複數個管道其中一相對應者，該複數個管道其 中該相對應者係用以使用該流體，以便在該基板之一表面上產^ 一流體新月的一片斷◦這個設備亦包含有用以管理穿過該流體輸 入之流體流的一流體流控制裝置。 ；,L且刖 在又一實施例中，提供有一種基板處理系統，其包含有：用 以產生一流體新月其中至少一片斷的一近接頭；連接至該近接頭 的流體輸入，其係用以將流體供應至該近接頭。這個系統亦包 含有連接至該流體輪入的一流體供應器，該流體供應器係用以將 流體供應至該流體輸入。 、

本發明的優勢很多。最值得注意的是，如此所描述的那些設 備與方法利用一種方法與設備來聰明並強有力地管理新月尺^與 形^，以便有效處理(如清潔、乾燥等等)基板。因此，操作能夠^ 用流體施加與從基板處移除的最佳化管理，同時降低殘留在一晶 圓表面上的不想要流體與污染物。因此，晶圓處理與生產係可予 以增加，且更高晶圓產率係可因有效晶圓處理而獲得。 、本發明能夠透過強有力暨聰明管理進入至該近接頭之各該來 源入口的流體輸入而讓晶圓處理最佳化。透過管理各輸入或系列 ，入，則欲彳火各來源輸入施加至晶圓表面的流體係可以一種聰明 f來加以控制。透過控繼各來源人加的越，則新月 ，尺寸與形狀係可依照期望的晶圓處理操作而加以調整。在一實 =列中’牙過供應該來源人σ之各輸人的該流動係可藉著使用— 制裝置來加以調整。在另一實施例中，任何合適數量的新月 可屬於彼此同心與/或彼此圍繞的。 本發明的其他實施態樣與優勢經由本發明原理的範例方式， 4以下洋細描述並伴隨附圖，即將變得明顯。 【實施方式】 將揭露用以處理基板的一項方法與設備發明。在以下描述 8 1278358 1 悉述出許多具體細節。然而對於 些具體細節全部或部分下發明可能在沒有這 本發:;!不詳_収他貫辦，為避免混溃 到對二施例而加以描述時，將體認 究圖式將了解各種變化二，據閱讀先前說明與研 算讓本發㈣含^在本發^ y 其鱗者。因此打 例、增修例、換變ί與^^貝精神與範圍内的所有這類變化 以上的具體形狀、尺寸與產生出一個 來源入Π的流體=H。在另-實施例中，至 理。這項技術可加以利ί自的流體輸出兩者均可加以管 型組合，如乾燥、餘刻、電晶圓操作類 與近接頭本質上是屬於示範性質並==如此所描述的系統 維持固中近例而移動或 動可能是不必要的。在t ’用於晶圓處理的近接頭移 圓則係可加以移動的=只3二近接頭可維持固定，但晶 式從晶圓中心部分移動1ΐ圓直線方 於如使用者期望的任何合適之指定移ί輪r另:項 1278358 中’晶圓係可加以施鑪， 接頭可處理到晶_所有部分直線方式移動，因此近 其中晶圓係未加以旋轉，但是解到可利用其他實施例， 所有部分的方式遍及晶圓移動 係用以依照能夠處理晶圓之 任何形狀與的係可利用以處理 施例中，透過產生、缺後:二的晶圓還大。在這類實 頭與新月尺寸可能較欲進行處i的日^圓、=另2施例中，近接 的新月係可與其他形式的晶圓處:1者’=所3 印刷、超音波等等。 处卿併利用，如刷洗、平版 所到在此所贿㈣統本質上僅屬料範性質，且在此 案中述的那些。亦應體認到圖2卿描述-單-新 可处=同因此其中所描述的製程變數(如流體速度、尺寸等等） Γί=圖^至9中所描述之多新月近接頭所描述的製程i ΐ 如_= 中所描述之新月部分產生的製程變數均不相同u 如=，應理解到流人近接頭之流體的控制與管理，其係可依照用 =產生任何合適細流體新狀任何合適师近接頭而加以管 圖2是顯示本發明一實施例中的一種晶圓處理系統1〇〇。該系 統100包含有可夾持住與/或旋轉晶圓以便讓晶圓表面能夠進g處 f的滾軸102a與102b。該系統100亦包含有在一實施例内係分別附 著在一上臂104a與一下臂1〇牝的近接頭l〇6a與106b。在一實施例 中，近接頭106a與/或i〇6b可屬於如此更詳細描述的任何合適近接 頭。近接頭106a與l〇6b可產生一單一新月或可產生多個新月。因 此，在一實施例中的近接頭10如與106|3可屬於一單一新月近接頭 !278358 i月ΐϊ月近接頭，或其中近接頭膽與10613其中-者為-單-述的為—多新月近接頭的兩者組合。如此所描 上係ί」第在實施例中’-第-流體新月實質 新月則r圍繞，而在另—實施例中，該第一流體 新日、丄洛在弟一k體新月旁邊。近接頭可屬於可產生一流體 新合適設備。上臂104a與下臂104b可屬於一構件中，實 句讓近接頭106a與祕沿著晶圓半徑線性移動(或在另一實 稍微弧形移動)的部分。在又一實施例中，該構件可依照 "士使用者定義移動方式來移動近接頭106&與10恥。 杜办貫施細，臂1()4係肋湘相當近接於晶®方式來夾持 步…、A曰曰圓上的近接頭106a與位在晶圓下面的近接頭l〇6b。舉例 i〇4a|%Ttl〇4b^a#^ 工夕動，如此一旦近接頭係水平移動進到開始晶圓處理的位置 ，近接柳6a與1 G6b係可㈣轉至相當近接於晶圓的位置 =因此即可完成上述動作。在另—實施射，上臂购與下臂 係可用以啟動位在一位置中的近接頭1〇6&與1〇你，在該位置 中新月係在處理前產生，且已經產生在近接頭1〇如與1〇61)間 、/月係可從晶圓1〇8邊緣區域移動至欲處理的晶圓表面上。因 此，上臂104a與下臂104b係可用以任何合適方式，以便於讓近接 頭106a與l〇6b可移動來啟動如此所描述的晶圓處理。亦應體認到 該系統100係可用任何合適方式，只要近接頭係可移動至相當近接 於晶圓處，以便產生並控制在一實施例中屬於彼此同心的一個以 上新月。亦應理解到相當近接狀態可為與晶圓相距的任何合適距 離’只要可維持一新月即可。在一實施例中，近接頭1〇6^1〇6b(亦 同於如此所描述的任何其他近接頭)係可坐落在與晶圓相距約〇1 毫米至約10毫米間處，以便在晶圓表面上產生流體新月。在一較 佳實施例中，近接頭106a與106b(亦同於如此所描述的任何其他近 接頭)係可各自坐落在與晶圓相距約〇·5毫米至2 〇毫米間處，以便在 11 1278358 晶圓表面上產生流體新月，且在更較佳實施例中，近接頭1〇如與 106b(亦同於如此所描述的任何其他近接頭)係可坐落在與晶圓相 距約1.5毫米處，以便在晶圓表面上產生流體新月。 在一實施例中，系統100、臂1〇4係用以啟動近接頭1〇知與 106b，以便使其從晶圓處理過部分移動至未處理過部分。應體切、 到臂104是可以任何合適方式鶴，其啟動近接頭驗與祕;的移“ 動以依照^望來處理晶圓。在一實施例中，臂1〇4係可利用一馬達 激發以便讓近接頭106碘獅沿著晶圓表面雜。應理解到雖然 該晶圓處理系統100係顯示成具有近接頭驗與腿，但是亦可利 用任何合適的近接頭數量，如1、2、3、4、5、6等等。晶圓處理 接頭施與獅亦可屬於在此所描述之任何近接頭 曰曰:圓:二ίΐί形ί。如此所描述的不同構造會在近接頭與 歹至晶圓的流體’即可達到清潔、乾燥、韻 Γ第—流體新月可實施—種類型操作，而 diirn各雜造，或能触動如此·述之製程的 料卿时纽晶圓的-表减晶圓的頂 以夢^入^理晶圓的頂與/或底表面外’該系統1 〇〇係亦可用 侧，並使_。不=型=來==處理晶圓的一 緣。亦應上)處糊斜邊緣的晶圓邊 類型的近接頭。I員與可屬於相同類型的設備或不同 12 1278358 ，圓108係可由滾軸102a與l〇2b夾持住並依照任何合適定 理Γίΐ，只要該定向㈣讓—雛近接頭處於相當近接於欲處 針L08即可。在一實施例中’滾軸腿與職可依照一順時 麻ϊίΐ，以便依照一逆時針方向來旋轉晶圓108。應理解到滾 t ίI根據期望的晶圓旋轉而依照一順時針或一逆時針方向來加 是2脸施例中，由滚轴胞與腿傳授給晶圓108之旋轉 钬而H处理過的一晶圓區域移動至近接頭10如與106b處。 k往'C身並不會乾燥晶圓’或將位在晶圓表面上的流 /Γ 曰曰囫1、、象。因此，在一示範性晶圓處理操作中，晶圓之未 k 域係將透過近接聊6硪祕的線性移動與透過晶圓 執行。因此’在—實施例中，晶圓應的處 —中續Λ依照:螺旋形移動從晶圓108的 i〇6btoaaa«^ f ： ^mi〇e^ 過邱八腺/㈣邮動至日日_8的中心日T，晶圓1G8的處理 的中:區^了、疋形移動從晶圓1〇8的邊緣區域延伸至晶圓108 .ί 口),=:ί用以輸入去離子水(DIW)(亦已知為-· 的氮氣載送氣體(/已:二輸j t蒸氣形式異丙醇_ 施以直处而膝泣挪…為入入），且至少一出口係可用以透過 已知出晶圓與一特定近接頭間的一區域移除(亦 為真工出口）。應體驗到雖然IPA墓氣係使用名—此+ 一二二1、有枝化合物、揮發性化學藥品等等。 範性則ίΐ例ί 例=潔溶液係可取代·。一示 類型溶液係可取決於 13 1278358 Π ° 應體認到坐落在近接頭-面上的入口與出 構造，只要可利用如此所描述的穩定新月二任何合適 至少-氮氣/ΙΡΑ蒸氣入口可鄰近於至少一 f-:施例中， 出口是依序鄰近於至少-處理流體人口的二=^中該真空 處理流體的定向。這類構造可產生至少m—w-真空_ 外侧新月。另外，内侧新月係可透過—具有處&㉟^^的― 構造而產生。因此，其中一第二_新月至“二向的 月的一示範性實施例’其係可由 二第： =體-真空-第二處理流體.真空_第_處理流處 流體-真空抛、真空_ΙΡΑ_處理流體等等係可取決處理 ，想辦法提升之晶圓處理機制為何而加以利用^X圓ί 中，如此所描述屬於ΙΡΑ_處理流體_真空冗在只靶例 ίίΐ生’ ί制與移動坐落在-近接頭與‘處理晶圓 狀任何合適方式予以排列，如 、二工出係可依 定向或任何其他合適定向即可。體新月的上述 氮氣/IPA蒸氣人口、真空出口，在附加實施例中除 =頭構造而具有額外_IPA^^n 2 予以改變。舉例來說，IP、At t的精確構造係可取決於應用而 離你纟 ' 輸入、真空與處理流體入口位置間的距 不二;夂：。另f :二於讓該距離為-致的或以便於讓該距離為 新月雜與尺寸)而在尺寸t面^^及门一^新月期望尺寸(亦即 ί理流體定向係可在如上面所Π 在貝知例中，近接頭106a與l〇6b係可定位在分別相當近接 14 1278358 於曰曰圓108的一頂表面與一底表面處，並刊^ 的職(選擇性的)與處理流體入口以及H用如===述 晶圓，縣面與底表面的晶圓處理新3 繼/或可位在晶 = 合;;型乙如f丙可;於水的任何合適醇 的構Xe ’可不要求IPA入口，僅至a圓的♦、六μ 、 ，繼即可產生一穩定的流體新;口=二 出」可扣為將流體從晶圓1〇8與一特定近接頭間的一區 ， :棄::x:f中將至晶圓觸嫩 y，同ί 頭106am〇6b係可遍即晶圓108掃 “同守正移動在依知-猶微弧形正在移動的一臂端處。 106 Τ至近接頭2之輸人可改變至近接頭來源人口内讀體輸 面二當近接頭106移動至相當近接於晶圓108的一 ^卜/圓處理操作。應體認到近接頭廳係亦 ί ^ Γ著巧面施正在進行處理時的頭移動方向 =動。猎她由入口 302來施加ΙΡΑ 310，經由出口 304來施加真 工312與、、坐由入口306來施加處理流體314，即 =:二，入•定向本質上僅以'=體2: 到亦可利用可產生-穩枝體新月的任何合適人σ/出口定向。 15 1278358 圖4A說明本發明一實施例中，係可由一近接頭忉6 圓處理操作。雖然圖4A顯示正在進行處理的一頂声 勺一晶 ==對晶圓應之絲面觸b帽 相同方+式來完成。在-實施例中’人口 3_可利用㈣里2 氣施加至晶圓1 〇8的一頂表面1 〇8a，而人口 306係可^用^ 將-處理流體施加至晶圓108的頂表面腿。另外，而出口^^ 真空施加至近接於晶圓表面内的一區域處，以便‘ Ϊ 在頂表面驗上或附近處的流體或蒸氣。如上面i述 $ 忍到任何合適組合的入口與出口係均可加以利用，;

可形成新月116即可。IPA可處於任何合適形式，如IpA j 蒸氣係透過氮氣氣體的使用而加以輸人的。再者，用於處ς曰 可啟動或提升晶圓處理的任何合適流體(如清潔流體、乾= 豆、餘刻流體、電鑛流體等等)係可均加以利用。在一實施例中、了 ΙΡΑ進入流310係透過人口3〇2而提供的，真空⑽系可透過出口綱 而施加的，而處理流體進人流314係可透過人口施而提供的 ^ ’如果-流體膜殘留在晶圓應上，則—第—流體壓力係可透過 ϋ進入流31G祕加至晶®表面，—第二流體壓力係可透過處理 k體進入流31柄施加至晶圓表面，而—第三越壓力係可透過真 空312而施加，以便移除位在晶圓表面上的處理流體、ιρΑ與流^ Μ ° "" 、因此，在晶圓處理的一實施例中，一旦處理流體進入流314與 ΙΡΑ進入*310係施加至—晶圓表面時，則位在晶圓表面上的流體 (如果有的話)係會與處理進入流314混合。此時，曰曰曰圓表面所施加 的處理流體進入流314會遭遇到ΙΡΑ進入流31〇。在從晶圓1〇8表面 處併私除處理流體進入流314與任何其他流體之輔助下，ιρΑ會 在與處理流體進入流314與真空312間形成介面118(亦已知為ΙΡΑ/ 處理流體介面118)。在一實施例中，ΙΡΑ/處理流體介面118會降低 處理流體的表面張力。在操作中，處理流體係施加至晶圓表面， 且係幾乎立即透過出口 304所施加之真空而與晶圓表面上的流體 16 1278358 一併移除。至晶圓表面處所施加，且與晶圓表面上之任何流沪一 併停留在一近接頭與晶圓表面間之區域内的處理，其會形 ’其中新月I%邊界即為I?A/處理流體介面Π8。因此，新月U6 蚊流體流，其係正施加至表面，且係於實f上相同時間時 ϊίΞ表面上的任何流體—併移除。幾乎立即從晶圓表面移除處 二體，個動作會防止流體滴狀形成在正欲乾燥的晶圓表面區 或上，藉此降低在處理流體已經依據操作(如餘刻、 電鍍等等)而完成其目的後，位在晶圓108上的污染可能性。ΙΡΙ往 向下注射的壓力（因IPA流速所引起的)亦幫助包含新月116。應理 =-，構造巾，IPA絲面張力降低流體健選擇性施加了且亦 可利用未施加IPA的實施例。 押、例巾，&含IPA之氮氣載1^體的流速可冑助導致處 體^的了移動或-推進離開位在近接頭與晶圓表面間之區 或，並進入經此可將流體從近接頭輸出的出口3〇4(真空出口注 意=理流體的推進並非—製程要求，但其係可用，以讓新月邊界 控制取佳化。因此’-旦IPA與處理流體係拉人出⑽辦，則組 流體介面118的邊界並非一連續邊界，因為氣體(如空氣） 係正體一併拉入出口3〇4。在一實施例中，一旦來自出口3〇4 的真空拉域理流體、IPA與位在晶圓表面上的流體時，則進入出 口士304的流奴不連續的真空係施加在流體與氣體的組合上 日攻種流動間斷性是相似贿過—吸管正在往上拉的流體與 此，—旦近接聊6移動時，則新月會與近接頭—起移動， :，、、、後先則，月所佔用之區域已經因ΙρΑ/處理流體介面118的移動 而加以乾秌二應理解到任何合適數量的入口3犯(選擇性）、出口 =口 =6係1取決於設備構造與鮮輯狀寸與形狀而加以 利用。在另-實施例中，液體流速與真空流速是如此的 ，以至於 、入/、空出口的總液體流是連續的，所以沒有氣體會流入真空 出口内。 應體認到任何合適流速係可利用在氮氣/IpA、處理流體與真 17

圖4Β說明本發明一實施例中，一雙晶圓表面處理系統内所使 用的示範性近接頭106&與1061?之側視圖。在此實施例中，藉由使 用入口302與306以分別輸入氮氣/ΙΡΑ與處理流體，連同使^出口 3〇4以提供餘，即可產生_16。另外，在與人= ^口306该侧上，可具有一出口3〇4以移除處理流體並維持新月 70整。如上面討論般，在一實施例中，入口302與306係可分別提 ΙάΙΡΑ進入流310與處理流體進入流314所利用，同時出口π*係 1278358 只要可維持新月116即可。在一實施射，穿過一、組入口306 白、1理*體々IL速疋在約每分鐘25毫升至約每分鐘3,〇〇〇毫升間。在 二較佳實施例中，穿過該組入口3〇6的處理流體流速則是在約每分 升。應理解到流體流速可取決於近接頭尺寸而改變。在一 二ί例ΐ ’與’到、近接頭者相比之下，—較大近接頭的流體流速 季父大。這個現象可能因在一實施例中的較大近接頭具有更多入口 302、306與出口304而發生的。 —在一實施例中，穿過一組入口302的氮氣/ΙΡΑ蒸氣流速是在約 母为鐘1公升(SLPM)至約100SLPM間。在一較佳實施例中，ΙρΑ流 速是在約6至20SLPM間。 在一實施例中，穿過一組出口304的真空流速是在約每小時1〇 標準立方英尺(SCFH)至約1250SCFH間。在一更好實施例中，穿過 出口304的真空流速是約350SCFH。在一示範性實施例中，一 流量計可利用以測量氮氣/IPA、處理流體與真空的流速。 應體認到任何合適類型的晶圓處理操作係均可取決於所利用 f處理流體而使用新月來加以執行。舉例來說，如sc_卜sc_2等 等=清潔流體係可當作處理流體使用，以便產生晶圓清潔操作、。 依照相似方式，可利用不同流體並利用相似入口與出口構造，以 讓晶圓處理新月亦可侧與/或電鑛晶圓。在一實施例中，如 氳氟酸、EKC專屬溶液、氫氧化鉀等等的蝕刻流體係可利用以蝕 刻晶圓。在另一實施例中，如硫酸銅、氯化金、硫酸銀等等 鍍流體’其伴隨著電力輸入則係可加以執行。 18 !278358 ^ 可利用以施加真空312。另外，在又承农丨山 :^吐所引用之美國專利申的：請= 係可藉由新月m移進與移出麵^=表面⑽樓腿均 邻丨A至i〇顯示示範性近接頭，其中一第一流體新月俜至少乃 :由=一第二流體新月所圍繞住。應體認到可產生斤口㈡ 平流f新月以執行任何合適類型的基板/晶圓處理摔作，如 寸娜㈣妹何合_形狀或尺 其中第二流體新月會圍繞住第-流體新㈡: 體新月提供—連續流體連接。因此，在第-^ 空氣實質接觸下，立即由第過ί晶圓部分係在未與 的第一流體新月可與第二新月接 I而在另心财㈣—流韻月舰不直接與第二新月接 ^106·10 ^ 產生。 处里衣面之一弟一流體新月區域402内的管道而 面的ί if^接聊卜1亦可包含有可將—第二流體施加至晶圓表 3= 1真施加而從晶圓表面移除。在—實施例中，第- j 部分係亦可藉由複數個來源出口3〇4a，伴隨第一流t 二ΪΓ目其在首一實施例中’複數個來源出口购係可^為 早相*體私除官道，因為出口3〇4a會移除掉透過來源3〇6^ 19 1278358 306b而施加至晶圓的液體。另外，複數個來源出口3〇邰係可 二兩^移除管道，因為出σ3_會移除掉來自來源人口3。^ 流體與流體新月外侧的空氣。因此，在—實施例中，出口 >!·移1J掉液體與氣體兩者，而施出口僅會移除掉液體。因此， 弟二，體新月係可藉由定位在多新月近接頭106_1上，處理表面 一弟二流體新月區域4〇4内的管道而建立。 又，^新月近接頭1〇6-1亦可包含有可將一第三流體施加至 複數個來源入口302。在一實施例中，第三流體可為-種 \降低流體，其可降低因第二流體施加至晶圓表面所形成 之弟二新月 >的一液體/空氣邊界表面張力。 攻 外L多新月近接頭離1的處理表面(如有管道存在的多新月 之、^面區域X或如此所描述的任何其他近接頭)可屬於任何 如平坦的、隆起的、凹下的。在一實施例中，多新 月-1的處理表面可具有一實質上平坦表面。 图。貝f本發明一實施例的多新月近接頭應-1之橫剖面 :月近接頭1〇6]可透過複數個來源入口 306a來施加第一流 。,„來源出口3〇4a來移除第一流體。第一流體新月 s m各在貫質上由複數個來源出口3()4&所圍繞的一區域下 -法μ夕斤月近接碩106-1亦可透過複數個來源入口⑽你來施加第 =Γί二，*過第二流體新月一侧上的複數個來源出u3〇4a與另 302矸h來移除第二流體。在一實施例中，複數個來源入口 J 弟二流體以減少構成第二流體新月1161?之流體的表面 3 來源入口302係可選擇性加以佩，以便較好地限制 住弟一流體新月116b 〇 中的發明一實施例的多新月近接頭106_2。在一實施例 包合有輔助板454與主體456。應體認到近接頭 ί任何合適數量與/或類型的部分，只要可產生如此所 :報、體新月與第二流體新月即可。在一實施例中，辅助 /、豆456係可拴在一起，或在另一實施例中該板454與主體 20 1278358 _，著。伽板454餘細係可取決 施加至晶圓表面並可將二曰曰二=::#: 例中々處理表面458係可如提高過區域452 ， 453。應體認到處理表面458匕：所升冋於-表面 表面458可實質上的’並__ 表面453呈對者奴進仃處理之晶圓表面的近接頭應-2 -，圖= 兒明ί發1月一實施例的近接頭1〇6_2之處理表面458。在 域^ 8屬於產生出流體新月的近接頭腸區 於可漆可包含有可任何合適數量與_的管道，以便 面458包a弟有一新1與第二流體新月。在一實施例中，處理表 出口+、峨咖、敵口流體 協:體人口^^可將—第—流體施加至晶圓表面，而流體入口 夢由於第一^體施加至晶圓表面。另外’流體出口30如可 ^;出、流體與第二流體—部分從晶圓表面中移 可猎由施加真空而將第二流體一部分從晶圓表 力的_ 1、辦至於/流^入口 302則可施加能夠降低第二流體之表面張 操體與/或第二流體可為能夠有助於一平版印刷 乾燥操作的二、-清潔操作、-沖洗操作與- 之近明—實施例的多新月近接頭隱2處理表面458 ‘Η 歸Ϊ中，歧表面458包含有具備流體入口施 二极體出口304a的一第一流體新月區域4〇2。處理表

有具備流體入口 306b與流體出口 304b的一第二流體新月H 4二報因此，第一流體新月區域402可產生第一流體新 饥體新月區域404則可產生第二流體新月。 一 近接 圖6D顯示本發明一實施例，附著至主體456以形成多新月 21 1278358 頭1〇6_2的輔助板454。對應於流體入口306a、304a與302的通道將 流體從輔助板454供應至多新月近接頭106-2的主體456内，而對應 於流體出口 306b與304b的通道則將流體從主體456移除至輔助板 454。在一實施例中的通道5〇6a、5〇4a、5〇6b、5〇牝與5〇2會對應 於流體入口 306a、流體出口 306b、流體入口 304a、流體出口 3〇4b 與流體入口302。 圖6E說明本發明一實施例的近接頭1〇6-2之橫剖面圖。參照圖 6D所描述的，通道5〇6a、5〇61)與5〇2可分別將一第一流體、一第二 流體與一第三流體供應至入口 306a、306b與302的。另外，通道5〇4a 可將第一流體與第二流體之一組合從流體出口3〇4a移除，而通到 5〇4b則可將第二流體與第三流體之一組合從出口如仙移除。在一 實施例中，第—流體是—第—處理流體，其可在-晶Ϊ表面上執 订任何合適操作，如蝕刻、平版印刷、清潔、沖洗與乾燥。第二 =體是一^二處理流體，其可與第一流體相同或不同。如同第一 =體般，第二流體可為任何合適類型的處理流體，如可有助於蝕 划 '平版印刷、清潔、沖洗與乾燥的一流體。 、

接頭曙，示範性晶圓處理操作的多新月近 ί 7 ^ 雖然圖7顯示欲進行處理的晶圓丨〇8之一頂表 而φ 於縣該項技術之相關人士應體認到晶®⑽之-頂表 、斤面係均可由如此所描述’位在晶圓108頂表面上的任何 時進行^理如’位在晶圓1〇8底表面上的任何近接頭來同 體入鳴a而ΐ力一曰^理化學藥品係透過流 視曰主工^ 8108在弟一晶圓處理化學藥品已經處理 從;二則ί 一晶圓處理化學藥品係透過流體出鳴而 f —趣德16a。在—實關巾，如去離子 面。、弟—處理讀係透過流體人口獅而施加至晶圓表 圓表面上期 如上所討論般’第二處理越可聽夠完成在晶 22 1278358 係f。在diw已經處理過晶圓表面後’則 頭106推日與3G4b而從晶圓表面移除。位在多新月近接 表面間的DIW可形成一第二流體新月116b。 降低产·τΙϊΐ中’如包含於氮氣中之異丙醇蒸氣的—表面張力 第二、性地從來源人⑽2施加至晶圓表面’以便維持 的液體/氣體邊界穩定。在-實施例中，第-产 幾乎^即處理過晶圓表面後’則第二流體新月116b可 面-部分因 1 ίί，第—流體新月U6a所處理過的晶圓表 體新月= 中’第二流體新月116b會在第一流 作而利用任的=體_斷料聊細圓處理操 入至f體的流體新月，則透過來源入口3,輸 出口 3〇4_ί除的第=ί體2數f $ J應實質上等於透過來源 流體新月的第二流《:量，其】實質f等:^入至第二 304b所移除的第二流體數量。二與、^透匕來源出口304a與 頭106-2拉離晶圓⑽的一轉貝：例中’流體流速係由近接 何合適距離，只要以料方^ 疋。顧認_離_可為任 例中，距。在-實施 〇·5毫米至2.5毫米。較佳之产、、另貝她例中，則為 間。在-實施例中，距離48$為約u距肖_為約11米至1.5毫米 r斩示pfi危體流速可為任何合適流逮，並可產生第、古 流體新月與第二流體新月間所期以Si改^ 23 1278358 . =施例中，來源入口306a可以約600 ec/分之一流速來施加第一流 ，、、，來源入口306b可以約900 cc/分之一流速來施加第二流體，一 來，出口304a可以大約1200 ec/分之一流速來移除第一流體與第 二流體，而來源出口3〇4b則可以約300 ec/分之一流速來蔣险^ 一 ，體與空氣(可包含有部分包含在氮氣中的IPA蒸= 表面張力降低流體係正施加至晶圓表面的話）。在一實施例中，透 過來源出口 304的流體流速可等於透過來源入口 3〇6a的流體流速 之兩倍。透過來源入口30615的流體流速可等於透過來源入=兕如 ，的流速加上3〇〇。熟悉該項技術之相關人士應體認到，來源入口 3G6a、3_與來源人n3()4a、3_間的特定流速關係可取決於如 響 此所描述的處理區域構造與/或近接頭構造而改變。 圖8說明本發明一實施例中，包含有矩形狀新月的多新月近 ， 頭106~4。在此實施例中，多新月近接頭106-4包含有由一新月116/ 所圍繞，然後依序由外侧流體新月116b，所圍繞的一矩 1 116a^ ^ 116c^ 係可藉由改變如此所描述之入口/出口構造而產生。在一實施 中，來源入口306a ' 306c與306b係可用以將一第一流體、一第二 流體與一第三流體施加至晶圓。另外，來源出口3〇4a、3〇4c與邓牝 ，係可用以(透過真空)分別移除第一流體與第二流體、第二流體盘第 . 二流體、以及第三流體與空氣。另外，來源入口302係可選樹生刺 用以將一表面張力降低流體施加至第三流體新月的一外侧部分。 熟悉該項技術之相關人士應體認到對照圖8 = ，、H6c與116b，可在晶圓表面上執行任何合適操作，如=月 清潔、平版印刷、沖洗、乾燥等等。 ^ 圖9顯示本發明一實施例，具有長方形流體新月的一多 接頭106士在-實施例中，流體新月⑽的兩侧上(―實 ^ • 長度部分)係由依次由流體新月1施_1與116b-2所圍繞的流I#斩曰 116c]、116〇2所圍繞。應體認到如圖9所示的各流體新月 - 圓表面上執行任何合適操作，如蝕刻、清潔、平版印刷、沖洗曰、曰 24 1278358 乾燥等等。亦應體認到所示的新 設備一致的任何合適方法來產生二你可利用如此所描述之方法與 圖10至16說明示範性實施例，盆 含有流控制機構，_流控制機;頭的流體輸入可包 源入口3_流體流，朗此可改近接頭中所決定進入來 之-區域的流體流。透過流體輸^至近接頭與晶圓間 制機構來加以控制。應，切、刹冷祕自近接頭之流體流的流控 的任何合適設備。在:C二1機構可屬於能夠改變流體流 閉的閥Η。在另—實施;機構可為能夠開啟或關 入而將流速從零改變可肝大有能夠透過一特定尺寸輸 構係可包含流體輸入或可管可，適設定值。流控制機 在-實施例中，:輸的一流控制機構各-。 亦可透過一流控制掬槿的估田I碩之流體輸出所施加的真空係 口與至少一;加以改變。因此，至少-來源入 中，藉由改變穿過來源入口/出口各吕貫施例 讓流體新月係可—次以月斬太士 f的机，則近接頭係可用以 調整對應於特定新月勹 坆個目係可猎由 另-實施例中，至近接頭的：辦d’出口之流體流而完成。在 以上产#於人/二新月片斷—起加以官理。亦應理解到針對-個 備中控制，構係可定位在-流體供應或移除設 在來源入口 /出:内亦應體認到流體流控制機構係亦可定位 出口 圖式的近娜06之舰®巾，並未顯示來源 入口 3066^ 以便更清楚顯示流體輸入係連接至來源 之侧^圖。在貫施射，具有流體輸人的近接頭刚七 ^只施例中，複數個來源入口306各一者係連接至對 25 1278358 un體輸入402其中—者。應體認到來自進入至來源入口 $體輸入各一者或多者的流體流輸入，其係可獨立透 〜51、Λ個Γ體輸入各一者可包含有一流體流控制裝置404。庳體 f到^流控魏置彻可屬於㈣控職體流的任何合: 算。,α，Γ:夾止裝置、閘門、栓塞、流約束11、_、球閥等 巧例中：流體流控繼置4。4可屬於能夠開啟或關閉或 二、-二5^適分流的—閥門。因此’在-實施例中’藉由控制 可變流流體輸入402各一者而進入複數個來源入口： ::f的流體流’則由相對應來源入口306所控制 畊係可加以開啟或關閉。 1/1/7 3〇4/^理t到在流體輸出可將流體從相對應的複數個來源出口 制穿用^輸出μ。另外，一流體流控制機構亦可控 相對ΜΪΐΐ " ’猎控制讓從新月所移除的流體穿過 相對應之^源出Π而至連接著流體輸出者。 制梦詈科’ ^想要產生—流體新月片斷時，則流體流控 設賴穿過來源人口裹的流速落在每個 约(ηγ二二至5笔升。來源入口306係可與來源出口3〇4間隔成 ί可Γίί至約0.5英寸間。另外，來源入口3〇2(如果有使用的話) ίϋ 306間隔成約〇.625英寸至約〇.125英寸間。這些參 用在如此所描述的任何合適近接頭106上。應體認到如上 ΪΪ3程變數係可取決於期望的晶圓處理條件與/或操作而加以 ㈣圖=顯7F本發明—實施例中，近接頭1G6_6的處理區域之前 產操作中，近接頭雛6之管道會在晶圓表面上 源有區域440、442與444。其中定位有複數個來 、 勺區域係以區域444來顯示。複數個來源入口306係可 26 1278358 由L 3有複數個來源出口 304的區域442所圍繞。複數個來源出口 304係可由可包含有複數個來源入口 3〇2的一區域44〇所圍繞或與 之為鄰。如上面所討論般，複數個來源入口3〇6可將處理流體施力^ 在近接頭106-6該面與晶圓1〇8間的區域。而複數個來源出口3〇4則 可將構成新月的一部分流體從近接頭1 〇6-6該面與晶圓1 〇8間的區 域移除。在一實施例中，複數個來源入口3〇6各一者可接收來自複 數個流體輸入402各自一者的流體。應體認到如圖所說明的管 道圖案本質上僅為示範性質，並體認到能夠產生一流體新月的任 何合適管道圖案係均可與流體輸入402一併利用，管道其中一或多 者已經分別控制由流體流控制機構所控制的流體流即可。 圖10C說明本發明一實施例中的近接頭106-6，其中顯示出具 有管道，在操作期間會由近接頭106_6形成之新月片斷'的區域448二 450、=52、454、456、458、460、462、464、466、468、470與472。 在一貫施例中’具有各區域448、450、452、454、456、458、460、 462、464、466、468、470與472的各來源入口306、來源出口3〇4 與來源入口302係可分別加以管理。在此方法中，進入盥 域448、450、452、454、456、458、46〇、462、4科、46^^6口^ 470與472的流體流係可獨立開啟或關閉，藉此產生或移除對應於 區域448、450、452、454、456、458、460、462、464、466、468、 470與472的流體新月片斷。亦應體認到流體新月片斷係可藉由一 組入口 (超過一個)與多組出口(超過一個)來產生。另外，多^入口 可具有相對應的流體輸入，而多組出口則可具有相對應的流體輸 出。 圖10D顯示本發明一實施例的晶圓處理系統之放大圖。在一實 施例中，4糸統包含有可利用流體新月116之施加來處理晶圓1⑽ 的一近接頭106-6。近接頭106-6可包含有用以施加構成一流體新月 H6之-流體的來源入口，與用以從流體新月116移除流^來源 出口。近接頭106-6係可附著在複數個流體輸入4〇2與複數個流體輸 出406上。各複數個流體輸入4〇2可具有一流體流控制裝置4〇4，而 27 1278358 Λ 可具有一流體流控制裝置404。複數個流體 夂自：自連接至相對應的來源人σ，而複數個流體輸出4〇6 個流體輸入402與複數個流體輸出406，故流體流控制 ^，米ϋ理流體新月116之一片斷的產生或移除。在一實施例 祕新月116之一片斷要產生時，相對應於來源入口，將流 Ζ而 月116之片斷的流體輸入，其是由流體流控制裝置 虛^十十士特疋流體輸入開啟流體流。在實質上相同時間時，相對 口，將流體從流體新月116之片斷移除的流體輸出，a $立官理牙過各赫輸人無體輸丨的流黯 除流體新月116之片斷。 /、牙夕 該系統亦可包含有連接著流體輸入4〇2與流體輸出4%的_ 流體供應422可屬於能夠將流體供應至流體輸入術^ 將机體從k體輸出406移除的任何合適裝置。在一實施例中，产 ，應422可為能夠管理進人各輸人樣中之流體流與管理離開^ f 4〇6中之流體流的一歧管。在另一實施例中，流體供應似可控 制k速，而流體流動控制機構係可定位在流體供應422内。工 圖11A顯不本發明一實施例，具有複數個流體輸入4〇2 之流體的-近接聊6.6。在—實施例中，該近接頭係連接至複^ 個流體輸人402，以至於可讓新月116之片斷根據期望的新月數量 或新月形狀而產生或移除。新月116之片斷可屬於由複數個來源 入口306其中特定一或多者所形成的新月116之個別部分。另外， 新月116之各片斷亦可由複數個來源出口如4其中特定一或多者來 力—口以管理。在一實施例中，位在複數個來源入口3〇6其中特定者與 複數個來源出口 304其中特定者内的流體流係可彼此結合在一 起，所以當某一來源入口306停止將流體供應至晶圓表面時，一相 對應的來^出口304即會停止將流體從晶圓表面移除。在如圖nA 所示的示範性流體產生操作巾，所有複數織體流控制裝置 28

1278358 404係均予以開啟，因此將流體供應至所有複數個來源入口兕6 内。因此，可由圖ΠΑ所示之實施例近接頭1〇6_6所產生的最大尺 寸流體新月係描繪成欲在晶圓1〇8上形成般。 /、圖1 曰1B顯示已經由本發明一實施例中，圖nA之近接頭1〇6_6 形成在晶圓108上的一流體新月116。應體認到該新月的尺寸與/或 形狀係可以任何合適的各種方式來加以決定。在一實施例中、，新 月116可延伸在晶圓108的一半徑以外。藉由開啟 定片斷。因此，在一實施例中，在未移動近接頭1〇6_6情況下，則 流體新月116係可如雙向箭頭416般，根據是哪一個來源入口供應 有流體來予以縮短或伸長(亦可根據是哪一個來源出口供應有£^ 來將抓體予以移除）。當流體新月116如圖11Β中 時徑以外時，即可掃描位在近接頭下的晶圓⑽。^另㈣ 貫施例中，近接頭可在晶圓表面上形摘月116，並掃描在晶圓上 方的流體則116。在又-實施例巾，近接聊6_6可覆蓋大過晶圓 的區，’其中藉由使用在晶圓不同部分中產生之選定新月，則 =有晶圓表面均係可在不移動近接聊6销晶圓情況下來加以處 理。 圖11C頒不本發明一實施例，在操作中的近接頭1〇6_6，呈中 ΐΐϊι變流流體輸人其中—部分是開啟的。複數個流體輸义其 細示成因將越流控㈣置侧設定成允許流體流 牙過稷數個可變流流體輸人其巾部分484而使其呈制啟狀態 娜可k錢體輸人其巾—部分48φ_示成因將流體流控 t置404設定成停止越流穿過魏個可變流趙輸入其中部 ^ 2而使其王現_狀態#。@此，由複數個可變流流體輸入其 2分彻所供給的複數個來源人㈣6其中械應者，其會將流 3加在晶_8與近接頭應·6間的區域。這種在晶圓上的流體施 J曰=成《新月116。反之，複數個可變流流雜人其中部分 並不G將流體供應至複數個來源人n3G6其中相對應者，因為流體 29 1278358 流控制裝置404乃是呈現關閉狀態的。 相，之來源入口的流體輸出可管理出自於 ，接碩1〇6_6_疋義之來源人口的流體流。因此，即 ^原出π其中特m多者而移除的流體數量。因此，合相要 產生特定的新月ϋ斷日寺，相對應之來源入口306與相_ : j :304(未顯示於’C内）的啟動，其係可藉由啟動穿過▲相^ ^原入口 3G6與相對應之來源出口 3〇4有關之流體輪人^輸出ς達 圖11D制本發明-實施射，具有如圖加所示之可 =^402構造的近接頭106_6所形成的新月116。新月116係可^ dri49G所讀延伸或收縮。這錄況係可透過或關閉穿 tn進人至複數個來源人口裏其中特定者之流體流而 凡成。另外，牙過流體輸出而進入至複數個來源出口3〇41 之流體流係可加以開啟或關。當想要產生—或多個的月 斷％，可產生流體流以穿過來源入口 3〇6與來源出口 3〇4。者 入至一特定來源入口之流體流處於開啟狀態時，即形 二 Ϊ入口所供應的新月片斷。反之，當進人至特定來源人卩之^ 處於關閉狀態時，則移除由特絲源人口所供應的新月 ^ 例中’當進入至-相對應之來源入口的流體流處於開啟時 且出自於一特定來源出口的流體流處於開啟時，藉此產生新月片 斷，則進人至相對應之來源人口的流體流處於關晴且出自 定來源出口的流體流處於關閉時，藉此移除新月片斷。又，來、、原 = 302可將ΙΡΑ/氮氣蒸氣供應至晶·面上所產生的流體新 巧。針對來源人Π302之流體輸人係可在姆應之來源入口3〇6 出口304呈現關閉狀態時加以關閉，藉此關閉特定的流體新 月片断。另外，針對來源入口302之流體輸入係可在相對應之 入口 306與來源出口 304呈現開啟狀態時加以開啟 ^定、 的新月片斷。 生土付疋 圖11Ε說明本發明一實施例中，如圖UD所討論之近接頭1〇6_6 30 1278358 的操作情況，其中區域484顯示其各自流體流控制裝置4〇4,呈現關 閉狀悲的流體輸入’區域482顯示其各自流體流控制裝置404呈現 開啟狀態的流體輸入。在一實施例中，區域484包含有各自相對應 於可予以形成之一新月片斷的流體輸入4〇2。位在區域482内之流 體輸入402會將流體流施加至近接頭1〇6-6相對應的來源入口内。由 流體輸入402所供應之各來源人σ可產生—流麟月片斷。如圖 11Ε所示，曰曰曰_8上所形成之流體新月116會相對應於來源入口， 其中該來源土口具有來自區域482内之流體輸入4〇2的一正流體供 相：ΐ丄動任何適當一個的流體流控制裝置404，則因藉 由相對應之;源人口而將流體施加至關處，而可產生 2相對，流體新月片斷。如上所討論般’藉由調整穿過連接^近 接頭之k體輸出的流，即可㈣透過摘應 口304，從新月處進行的流體移除。 Μ㈣之入源出 圖11F顯示本發明一實施例中，近接 =說明另-示範性新月的產生。在如圖11F所示的 中，區域482内之流_入4〇2的流體流 二^ 月116a與116b的產生。另外，藉由错此導致新 輸出的流，即可控制透過相對應於欲ς 體 出口304，從新月處進行的流體移除。 新月叫的來源 圖11G說明本發明一實施例中， 位置。因此，因為未將流體新月片斷供庫置於關閉 在此實施例中，藉由停止穿過、、六辦、、 口此未產生任何新月。 關閉來自於近接獅领流，即可 成任何新月。 ΰ430顯不在晶圓上未形 圖11Η顯不本發明一實施例中，已經 新月m。在此實施例，乃是利用較晶圓直握長mg的= 31 1278358 在未私動近接頭106_6下，流體新月116係可依昭如雔—技^ 416所示般，取決於供應有流體的來源入口而加以延伸或以= 二於:2?真空以移除流體的來源出口)。當流體新月；16如ϊ’ηΗ 下延，在晶_直徑以外時，則晶_8係可在近接頭 ,丁^。在另-貫施例中’近接頭可將新月116形成在晶 面上’並以流體新月116掃描過晶圓上方。在又一實施， 乂8#^^_續整個晶圓表_則度旋轉方式*加以旋^。' 又一貫施例中’近接聊6何蓋住較晶圓大的—區域，盆中夢 表同部分中所產生、選擇過的新月，則“ 义句係可在未矛夕動近接頭1〇6_6或晶圓下而加以處理。 圖12八顯^本發明一實施例中，產生多類型新月的一近接頭 ☆ 6 6在貝施例中，流體流控制裝置404可屬於能夠關掉流體 一流體流過流體輸入402或允許一第二 輸入402的一夕流體閥門。藉由使用多流體閥門，則一第一流體係 可，入至近接頭1G6-6内，其中近接頭1G6_6之相對應來源入口能夠 =第一流體施加至近接頭，以便產生由第一流體所組成的一第一 流體新月116a。藉由聰明管理多流體閥門，則在已經利用第一流 體^月116a處理過-期望數量的晶圓後，多流體閥門可允許一第 二流體流進近接頭106-6的相對應來源入口内。屬於將第一流體施 加至晶i的相同來源入口稍後能夠將第二流體施加至晶圓。因 ^匕，可讓第一流體新月116b形成在晶圓108上。如下一步圖12B所 不般，可管理多個流體流控制裝置4〇4，以便允許第二流體進入至 近接頭106-6的多個相對應來源入口内。因此，一旦更多來源入口 進行第二流體的施加者，則第二流體新月n6b可變得更大。在如 圖12A所示的一示範性實施例中，新月n6b可往左邊延伸，然後流 32 J278358 期望時問;^知?中、’在已經將第一流體新月116a施加至晶圓-段 斷。田，弟一流體新月的片斷係可轉換成第二流體新月的片 區域可旦時間繼續，獅第二流體新月116b所覆蓋的晶圓 少。曰σ，而由第一流體新月116a所覆蓋的晶圓區域則可減 流體傳=ΐΐ任務财藉由麵赫流㈣裝置，續將第一 應於期望進ίϊϊΙΓ·6?來源人口喊成，其中該來源入口相對 可加ΜΪ ®處理處的流體新月片斷。流體流控制裝置係亦 中兮办二 以便將弟一流體傳遞至近接頭106-6的來源入口，其 理摔作應於期望在相對應晶圓部分進行一不同晶圓處 透二如沖洗)處的流體新月片斷。透視圖_說明圖13C所顯示的 盥一，顯不本發明一實施例中，正在處理晶圓1〇8之一頂表面 =一氐表面的雙近接頭1〇6^1〇6b之侧視圖。在此實施例中 = 10=與1，可屬於如上面所描述，參照圖—的近接頭 能夠藉由將流體新月116之片斷產生在晶圓表面上與從晶 =㈣嫌而來處理晶_8的部分。在—實施例巾，欲繼續予以 ^生=創造一增長新月或逆向流體新月116的流體新月ιΐ6鄰近片 ’〔、係逐漸加以移除，以便創造一縮短新月。這項任務係可藉 $斩開啟各接㈣近越輸人巾的越流，或藉由逐漸關閉各 接曰鄰近流體輸入中的流體流而達成。 圖13C顯示本發明一實施例中，如圖13A所示的一近接頭寬度 之侧，圖之觀察位置6〇〇。在一實施例中，流體流控制裝置4〇4，屬 於一三向閥，其係用以能夠不讓任何流體穿過流體輸入或能夠讓 兩流體其中一者進入至供應來源入口3〇6a的流體輸入。在一實施 ，中]三向閥可允許一化學藥品或DIW穿過流體輸入。該化學藥 口口可屬於可在一期望操作中處理晶圓的任何合適溶液。近接頭工〇6 可包含有如上所討論，參照多新月近接頭的合適管路圖案其中任 何一者。因此，來源入口3〇6a可將一第一流體施加至晶圓，因此 產生流體新月116a。第一流體係可經由來源出口3〇4a而從晶圓表 34 .!278358 * 面處移除。來源入口306b可將一第二流體施加至晶圓，因此產生 與流體新月116a呈現同心狀的流體新月116b。第二流體係可經由 來源出口304b而從晶圓表面處移除。來源入口302係可在期望控制 流體新月116a邊界之表面張力時，選擇性用以施加一表面張力降 低流體。除了供應來源入口306a外，流體輸入亦可包含有用以流 體供應控制的流體流控制裝置4〇4。將流體從來源出口304a與304b 移除的流體輸出亦可包含有用以流體移除控制的流體流控制裝置 404 〇 '圖14A顯示本發明一實施例中，能夠產生一實質上為圓形之流 體新月的近接頭106-7。在一實施例，近接頭106-7具有同心區域 - 504。近接頭106_7的各同心區域504可產生一流體新月片斷。各同 心區域包含有同心的複數個來源入口 3〇2，同心的複數個來源入口 ‘ 306與同心的複數個來源出口304(如圖14B所示）。因此，各區域5〇4 可在晶圓表面上產生相當於區域5〇4之形狀與尺寸的一圓形流體 新月。 圖14B顯示本發明一實施例中，沿著在晶圓1〇8底面上之近接 頭106-7的圓形區域504—半徑所示之侧視立體圖。在一實施例，近 接頭106 1包含有各自能夠產生一流體新月的複數個區域5〇4。近接 •頭106_7之侧視圖顯示沿著區域504 —半徑處(如圖14A所示），各區 ⑩· 域包含有一來源入口306，其鄰近於接著與來源出口304比鄰的來 源入口302。在一實施例中，來源入口3〇6可將一處理流體施加至 晶圓。來源入口302可將-表面張力降低流體施加至經由來源入口 306而施加至晶圓的處理流體内。來源出口3〇4可移除經由來源入 口306而知加至晶圓的處理流體。藉由至晶圓處的處理流體施加， 至晶K上之越的—表面張力降低流體施加與從晶圓表面處 的k體移除，即可產生一穩定的流體新月。 —#、流體輸人可包含有流體流控制裝置，其中 制裝置可控㈣過流體輸人的流體流，藉此控制穿過 來源入口306的流體流。從來源出口3〇4處移除流體的流體輸出(如 35 Ϊ278358 圖10D所示)可包含彳流體流控制裝置，#中該流體流控制裝置可 控制穿過流體輸出的流體流，藉此控制穿過來源出口3〇4的流體 流。 圖14C說明本發明一實施例中，如圖刚所示，位在要處理晶 圓108之一頂表面的一類似結構。在此實施例中，近接頭1〇6_7係定 位在晶圓108的下面，且近接頭1〇6_7可依照如此所描述的方法來處 理晶圓108底表面。 圖15說明本發明一實施例的同心流體新月之管理。在一實施 ^2户、ί 3 3 3 ^之近接頭1 %领各同心區域係可從流體輸 入402處（、應有&體。賴錢體輸人搬之雜餘雛置4 或關閉。S來源入口306是從流體輸入4〇2供應有流體時，則來 將流體供應至晶圓表面，來源人口遍與晶圓表面間的 為開啟狀恶，其依序產生流體新月片斷7〇〇 入4_撒態’其不會依序產生流體新月丄=體J 如圖15所不的流體新月圖案類似於一牧戒指。 在 f已經以數個較佳#_方絲 與研九圖式，即將理解出其各種改變例、增修例、^ 例。，此本發明欲包含有落在本發明實 ' 二斤有1 類改變例、增修例、換變例與等質例。 _的所有及 【圖式簡單說明】 本發明之實施例將藉由以下詳細描 為了便於描述，故類似參數是表示類似結=而-易了知。 體：說明在—崎燥製程期間，位在-晶圓上的清麵 36 1278358 圖1B說明一示範性晶圓乾燥製程。 圖2顯示本發明一實施例的晶圓處理系統。 頭。圖3說明本發明—實施例中，實施—晶圓處理操作的—近接 晶圓本糾—實細，可糊實施—近接财執行的一 性發明—實施例中，耻雙晶K處料統中的示範 圖5Α顯示本發明一實施例的一多新月近接頭。

圖5Β顯示本發明一實施例的多新月近接頭之橫剖面圖。 圖6Α說明本發明一實施例的一多新月近接頭。 ° 圖6Β說明本發明一實施例的近接頭之處理表面。 圖。圖6C顯示本發明一實施例，多新月近接頭的處理表面之近視 頭的員示本發明一實施例’附著至主體以便形成多新月近接 圖6Ε說明本發明一實施例的近接頭之橫剖面圖。 圖7說明本發明一實施例，在一示範性晶圓處 新月近接頭之橫剖面圖。 崎中的多 頭圖8說明本發明一實施例，包含有矩形新月的一多新月近接 一圖9顯示本發明一實施例，具有矩形流體新月的一多新月近 接頭。 視圖圖1〇Α說明本發明一實施例，具有流體輸入的一近接頭之侧 圖10Β說明本發明一實施例，近接頭的一處理區域之前視圖。 一圖loc說明本發明一實施例，顯示出具有在操作期間由^ 一貝所形成之新月片斷形成的管道之區域的近接頭。 圖10D顯示本發明一實施例的一晶圓處理系統之放大圖。 37 1278358 晶圓明一實施例，由圖11A之近接頭而已形成在 ^不本發明—貫施例’在操作中時，有複數個可變流 k體輪入其中一部分為開啟狀態的近接頭。 士 aii1D說明本發明一實施例，其由具有如圖nc所示之可變 >度>瓜體輸入構造之近接頭所形成的新月。 桩s首圖日f本發明一實施例，在操作中時如圖11D所示的近 =:示具有各自流體流控制裝置為關閉狀態的流體 ^入。°°s、’顯7F具有各自越流控制裝置為開啟狀態的流體 圖11G，明本發明一實施例，未形成新月的近接頭。 月。圖11H說明本發明—實施例，已經形成在晶圓上的—流體新 ΐ Sf示本發明—實施例，產生多類型新月的—近接頭。 圖 &、員不本發明一實施例的一近接頭，其中多個流妒产枇 制裝置僻容許第二流體流動，而非第-流體。 體机控 Ξ 示本發明—實施例的—多新月近接頭之頂視圖。 底表面的雙施例’正在處理晶^之—了 1表面與— 之側Ϊ3ΪΓ發明一實施例，如圖_示之近接頭—寬度 月的圖示本發明—實施例，能夠產生—實質上_流體新 本發明—實施例，沿著在晶圓底面上之近接_ 圓形區域一半徑所示之側視立體圖。 、勺 38 1278358 圖14C説明本發明一實施例，如圖14B所示，j立在要處理晶 圓一頂表面的一類似結構。 圖15說明本發明一實施例的同心流體新月之管理。 【元件符號說明】 10、108〜晶圓 12〜移動·液體/氣體介面 14〜旋轉方向 16〜流體方向箭頭 18〜晶圓乾燥製程 20〜具有親水性區域的晶圓部分 22〜具有親水性區域的晶圓部分 26〜流體池 100〜晶圓處理系統 102a、102b〜滾軸 104、104a、104b〜臂 106、106a、106b、106-1、106-2、106-4、106-6、106-7〜近接頭 108a〜晶圓的頂表面 108a〜晶圓的底表面 116、116a、116a，、116b、116b-l、116b-2、116b’、116c、116c-l、 116〇2〜新月 118〜IPA/處理流體介面 302、306、306a、306b、306c〜入口 304、304a、304b、304c〜出口

310〜IPA 312〜真空 314〜處理流體 400〜第一流體新月區域 401〜弟^一流體新月區域 39 1278358 402〜流體輸入 4〇4、404’〜流體流控制裝置 406〜流體輸出 416〜箭頭 422〜流體供應 430、432〜頂視圖 440、442、444、504〜處理區域 448、450、452、454、456、458、460、462、464、466、468、470、 472〜新月片斷區域 452〜近接頭上的提高過區域 453〜近接頭上的表面 454〜輔助板 456〜主體 458〜近接頭的處理表面 480〜近接頭拉離晶圓的距離 482、484〜流體輸入其中特定部分 502、504a、504b、506a、506b〜通道

Claims (1)

1278358 十、申請專利範圍： 1·一種基板處理方法，包含： 上；=體從複數個入口其中一部分處施加至該基板的一表面 流體該流體，該移除動作係在將該 上形該流體移除步驟會在該基板之該表面 2·如!ΐ專/1範圍第1項的基板處理方法，更包含. L體新月之該片斷來處理該基板的該表面。 3. 如申請專利範圍第2項的基板處理方法， 之該片斷來處理該基板的該表面之 新月 _作、-沖洗操作、一電鍍操作、一乾二:n、-清 作其中一者。 木作或一平版印刷操 4. 如申請專利範圍第！項的基板處理方法 產生該流體新月的額外片斷。 3 5·如申請專利範圍第4項的基板處理方 、 的額外片斷之該步驟包含， /、中，產生該流體新月 將一額外流體從複數個入口之不 表面上；以及 门°卩刀處施加至該基板的一 從該基板之該表面處移除至少該 將該額外越施加至該表面時即加以^上體，該移除動作係在 6.如申請專利範圍第！項的基板處理 印刷流體、一蝕刻流體、一電鍍流許、/—’：、中该流體屬於一平版 1 一4潔流體、一乾燥流體 41 1278358 或一沖洗流體其中一者。 7·如申請專利範圍第i項的基板處理方法，更包含： 將一表面張力降低流體施加至該基板的該表面。 減理綠，其中，絲錄力降低 所加以管理 π.如^請專利範圍第i項的基板處理方法， Ϊ面ί ?之該步驟是峨個出、口其中:ί分進： -流體流控;;裂置各—者將該流體移除之該步驟係由 12. 如申請專利範圍第u項的基板 允許流體流出至少一相斜麻屮 八f ^，遠開啟位置 至少-相對應出口。應出而_閉位置停止流體流出該 13. 如申請專利範圍第1 其中該部分屬於-人σ胸法，其中，該複數個入口 f、、且，忒入口群組包含至少用以施加流體 42 的一入

1278358 Μ至少用以施加一表面張力改樣、、六 ;數個入口其中該部分的流體係由“ 該 本明專利範圍第1項的基板處理方法，Α中，從1其板夕今 表面處移除至少該_之齡驟是 群、巾；^基J之该 出口群組的-流動係由-流體流二二=的’流經該 15·一種基板處理設備，包含·· 一近接頭，具有複數個管道； 個管道賴麵近_且_料體供應至複數 以及旦 以土板之一表面上產生一流體新月的一片斷； 一流體流控制裝置，用以管理穿過該流體輸人之流體流。 包申W專利涵第15獅基板處理設備，其巾，該複數個管道 用以將該_施加至該基板之該表面的至少—入口；以及 用以將至少該流體從該基板之該表面處移除的至少一出口。 請專纖圍第16項的基域職備，其巾，練數個管道 用以將一第三流體施加至該基板之該表面的至少一入口。 道圍第15獅基減理設備，其中，該趙新月之 二断疋此夠執行一蝕刻操作、一清潔操作、一沖洗操作、一電 、1刼作、一乾燥操作或一平版印刷操作其中一者。 43 1278358 . I9.如申請專利範圍第17項的基板處理設備，其中，該第三流體會 改變該第二流體的表面張力。 =·如申巧專利範圍第15項的基板處理設備，其中，該流體流控制 衣置疋一閥門、一流約束器或一栓塞其中一者。 21·如申請專利範圍第20項的基板處理設備，其中，該閥門有助於 至少一流體的一流動穿過該流體輸入。 22·如申請專利範圍第15項的基板處理設備，更包含： 擊 一流體輸出，用以將流體從至少一出口其中一相對應者移 除，至少一出口其中該相對應者係用以將該流體從該基板之該表 • 面上的该流體新月之該片斷處移除；以及 一流體流控制裝置，用以管理穿過該流體輸出之流體流。 』3·、=π申明專利範圍第22項的基板處理設備，其中，用以管理穿過 该流體輸出之流體流的該流體流控制裝置是一閥門、一流約 或一栓塞其中一者。 、m 24.如申睛專利範圍第23項的基板處理設備，其中，該閥門有助於 至少一流體的一流動穿過該流體輸出。 25·—種基板處理系統，包含： 一近接頭，用以產生一流體新月其中至少一片斷； 一流體輪入，連接至該近接頭，該流體輸入係用以將流體供 應至該近接頭；以及 - 一流體供應器，連接至該流體輸入，該流體供應器係用以將 k體供應至該流體輸入。 44 1278358 26. 如申請專利範圍第25項的基板處理系統，其中，該流體輸入包 含有用以管理傳送至該近接頭之流體的一流體流控制裝置。 27. 如申請專利範圍第25項的基板處理系統，其中，該流體供應器 包含有用以管理傳送至該近接頭之流體的一流體流控制裝置。 2&如申請專利範圍第25項的基板處理系統，更包含： 連接至該近接頭的一流體輸出，該流體輸出係用以將流體從 該近接頭處移除；以及 連接至該流體輸出的一流體供應器，該流體供應器係用以將 •流體從該流體輸出處移除。 29. 如申請專利範圍第28項的基板處理系統，其中，該流體輸出包 含有用以管理傳送自該近接頭之流體的一流體流控制裝置。 30. 如申請專利範圍第28項的基板處理系統，其中，該流體供應器 包含有用以管理傳送自該近接頭之流體的一流體流控制裝置。 十一、圖式：

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