TWI277617B - Metal complexes and organic electro luminescence elements - Google Patents

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TWI277617B
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Shuji Doi
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Description

1277617 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 一本發明為關於一種新穎之金屬錯合物，及以該金屬錯 合物為發光體之發光元件。 【先前技術】 、 可在二重激發悲下發光之金屬錯合物（以下亦可稱之 為一重怨發光錯合物），已知為一種可發出可見光範圍磷光 之發光材料，可使用在元件中，作為發光元件之發光層。 三重態（triplet state)發光錯合物已知之例可舉如中心 金屬為銥之 L· (ppy)3(Appl· Phys. Lett·，4(1999))、中心 金屬為白金之PtOEP(Nature，3 95, 151(1998))、中心金屬為 销之 Eu(TTA)3 phen(Jpn. J· Appl. Phys·，】883(1995)) 等ο
fr(ppy>3
PtOEP (修正本）314530 6 1277617
cf3
Eu(TTA)3phen 但使用上述已知之三重態發光錯 —Jg. O Ah /4； ^ _ 物升/成發光層時， ^以此使用真空蒸鍍法等方法， 了 層。 S M塗布法形成發光 【發明内容】 =明之目的在提供—種發光效率比上述發光材料更 土可电出可見光範圍碟光之金屬錯合物。本發明之 又在提供一種發光元件，其中使 、 使用鑌新頭之金屬錯合物及 …’曰。，其分子内具有三重態發光錯合物構造，可以涂 布法形成發光層。 土 一亦即，本發明提供如下式⑴或⑺所示，具有i價基且 有二重激發態發光錯合物構造之金屬錯合物。該錯合物可 以塗布法高效地形成發光層。
(式⑴中之A表單鍵或共軛2價基。R〗及R2各自獨立， 表示1S素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基矽 烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、芳 基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基烷 7 (修正本）314530 1277617 基矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基烯基、 芳基炔基、氰基、或1價雜環基。R3為烷基、芳基、芳基 烧基、芳基稀基、芳基炔基、或1價雜環基。a為0至3 之整數。b為0至4之整數。a為2以上之場合，其複數之 R1可相同或不同。b為2以上之場合，其複數之r2可相同 或不同。）
(2) (式（2)中之D表單鍵或共輛2價基。R4、R5各自獨立，表 示鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基矽烷 基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、芳基 烧基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基烷基 矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基烯基、芳 基炔基、氰基、或1價雜環基。c、d各為獨立之〇至4整 數。c為2以上之場合，其複數之R4可相同或不同。d為 2以上之場合，其複數之R5可相同或不同。） 【實施方式】 本务明中所指之呈現源自三重激發態之發光之金屬錯 合物為由三重態發光錯合物所衍生之構造。 、主u下對為遠呈現源自三重激發態之發光金屬錯合物構 过之母版之二重態發光錯合物加以說明。三重態發光錯合 8 (修正本）314530 1277617 物一般為重金屬錯合物，其例如可由該錯合物發出磷光之 錯合物。但亦包含在發磷光外亦可觀察到發螢光之錯合物。 三重態發光錯合物已往乃利用低分子系之el發光材 料，此等材料可舉如在 Nature，（1998) 395 1 5 b Appi phys
Lett·，（1999)，75(1)，4、Proc.SPIE-Int.Soc· Opt. Eng·， (2001), 41 05(〇rganic Light-Emitting Materials and
Devices IV)，119、J.Am.Chem.Soc·，（2001)，123, 4304、
Appl. Phys. Lett., (1 997),71 (1 8)? 2596 ^ Syn. Met., (1998), 94(1)，103、Syn· Met·，（1999)，99(2)，1361、场施如， (1999)，11(10)，852 中所揭示者。 本毛明中呈現源自三重激發態之發光金屬錯合物構造 中心之金屬為一般原子序5〇以上之原子，該等金屬可因自 旋軌道相互作用而在該錯合物中發生單態（singiet Μ"勻與 三重態間之態間交替。 該中心金屬之例可舉如銖、銥、鐵、銃、釔、白金、 金、及鑭系元素類之銪、铽、铥、鏑、釤、镨、釓等，其 中以銀、白金、金、銪為佳，錶、白金、金又特佳，以銀 最佳。 三重態發光錯合物之配位基為一般之有機配位基，其 碳原子數一般為3至6 0左右。 三重態發光錯合物之配位基可例舉如8_喹啉酚及其衍 生物苯并喹啉g分及其衍生物、2_苯基4卜定及其衍生物、 2-苯基-笨并噻唑及其衍生物、八苯基_笨并噚唑及其衍生 物、卩卜啉及其衍生物等。 9 (修正本）314530 1277617 三重態發光錯合物之例可舉如以下之化合物。
R R R R
R η
R R R
R
R
10 (修正本）314530 1277617
R
11 (修正本）314530 1277617
R
R
12 (修正本）314530 1277617
13 (修正本）314530 1277617
R a R R-P^P-R Au Au R-Pv^PrR R R 其中之R各自獨立，表示鹵素原子、烷基、烷氧基、 烷硫基、烷胺基、烷基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳胺，、芳基料基、芳純基、芳純氧基、芳基烧硫 基、芳基烷胺基、芳基烷基矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺 基、酸胺基、芳基稀基、芳基快基、氰基、i價雜環基、 述式（1)中所不之基及上述式（2)中所示之基之基。】 之例中，在发.上、〜 十且 /、對洛劑之溶解性之提高上，以含1個以上ί| 1Γ辛二鏈2者為佳，可例舉如環戊基、環己基、戊基、己 基連結i成2之t基己基、癸基、3j·二甲基辛基。2個㈣ 衣亦可。此外，烷鏈上部份碳原子亦可由令 14 (修正本）314530 1277617 氧原子'硫原子 氣原子、溴原子 氮原 碘原 雜原子之基取代，該雜原子之例如 子等。 鹵素原子之例可舉如氟原子、 子等。 烷基可為任意之直鏈、分枝鏈或環狀者，亦可再含取 其二原子數一般為】至2。左右，具體例可舉如甲基、 乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁 環戊基、己基、環己基、庚基、辛二2_乙二基: 癸基、3,7-二甲基辛基、十二碳院基、三敦甲基、五氣土乙 基、全氣丁基、全氟己基、全敦辛基等，其中以戊基、己 基、辛基、2-乙基己基、癸基、3,7_二甲基辛基為佳。 烷乳基可為任意之直鏈、分枝鏈或環狀者，亦可再含 取代基。其碳原子數一般為！至2〇左右，具體例可舉如甲 減、乙，基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、$ 丁氧基、 第一-丁乳基、戊氧基、環戊氧基、己氧基、環己氧基、庚 氧基辛氧基、乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3，7-二 甲基辛氧基、十二碳烧氧基、三I甲氧基、五氟乙氧基、 全氟J氧基、《氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲氧基、 2-甲氧基乙基氧基等，《中以戊氧基、己氧基、辛氧基、 2-乙基己氧基、壬氧基、3,7_二甲基辛氧基為佳。 燒&基可為任意之直鏈、分枝鏈或環狀者，亦可再含 取代基。其碳原子數一般為1至20左右，具體例可舉如甲 石瓜基乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、 第三-丁硫基、戊硫基、環戊硫基、己硫基、環己硫基、庚 15 (修正本）314530 1277617 硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7_二 甲基辛硫基 '十二碳烷硫基、三氟甲硫基等，纟中以戊硫 基、己硫基、辛硫基、2-乙基己硫基、癸硫基、3，、二甲 基辛硫基為佳。 烷胺基可為任意之直鏈、分枝鏈或環狀者，單烷胺基 或雙烷胺基均可，其碳原子數一般為i至4〇左右，具體例 可舉如甲胺基、二甲胺基、乙胺基、二乙胺基、丙胺基、 二丙胺基、異丙胺基、二異丙胺基、丁胺基、異丁胺基、 第二_ 丁胺基、戊胺基、環戊胺基、己胺基、環己胺基、庚 胺基、辛胺基、2-乙基己胺基、壬胺基、癸胺基、3,7-二 甲基辛胺基、十二碳烷胺基、環戊胺基、二環戊胺基、環 己胺基、二環己胺基、D比嘻烧基、贩17定基、二三氟甲胺基 等，其中以戊胺基、己胺基、辛胺基、2-乙基己胺基、癸 胺基、3,7-二甲基辛胺基為佳。 烧基矽燒基可為任意之直鏈、分枝鏈或環狀者，其碳 原子數一般為1至60左右，具體例可舉如三甲基碎烧基、 三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三異丙基矽烷基、二甲基 異丙基石夕烧基、二乙基異丙基矽烧基、第三-丁基矽烧基二 曱基矽烷基、戍基二曱基矽烷基、己基二甲基矽烷基、庚 基二曱基矽烷基、辛基二曱基矽烷基、2-乙基己基-二甲基 矽烷基、壬基二曱基矽烷基、癸基二甲基矽烷基、3，7-二 曱基辛基-二甲基矽烷基、十二碳烷基二甲基矽烷基等，其 中以戊基二曱基矽烷基、己基二甲基矽烷基、辛基二甲基 矽烷基、2-乙基己基-二曱基矽烷基、癸基二曱基矽烷基、 16 (修正本）314530 1277617 3,7-二甲基辛基-二甲基矽烷基為佳。 芳基中亦可有取代基，其碳原子數一般為6至6〇左 右，具體例可舉如苯基、Cl_Ci2烷氧基苯基（Ci_Ci2指碳原 子數1至I2,以下亦同。）、Cl_Ci2烷基苯基、萘基、2_ 奈基、五氟笨基、吡啶基、噠嗦基、嘧啶基、吡嗪基、三 吖嗪基等’以Cm-C〗2烷氧基苯基、Ci-Cu烷基笨基為佳。 芳氧基之芳環上帶有取代基者亦可，其碳原子數一般 為6至60左右，具體例可舉如苯氧基、Cl_Cl2烷氧基笨氧 基、G-C〗2烧基苯氧基、丨_萘氧基、2_萘氧基、五氟苯氧 基、_变氧基、噠嗪氧基、嘧啶氧基、吡嗪氧基、三γ嗪 氧基等，以c^c]2烷氧基苯氧基、Cl_Cl2烷基苯氧基為佳。 芳硫基之芳環上帶有取代基者亦可，其碳原子數一般 為6至60左右，具體例可舉如苯硫基、Cl_Cl2烷氧基苯硫 基、烷基苯硫基、；1_萘硫基、2_萘硫基、五氟苯硫 基、吡啶硫基、噠嗪硫基、嘧啶硫基、吡嗪硫基、三吖嗪 硫基等，以Cl-Cl2烷氧基苯硫基、Cl_Cl2烷基苯硫基為佳。 芳胺基之芳環上帶有取代基者亦可，其碳原子數一般 為6至60左右，具體例可舉如苯胺基、二苯胺基、Ci-Ci2 燒氧基苯胺基、二烷氧基苯基）胺基、二（Cl_c】2烷 基笨基）胺基、1-萘胺基、2-萘胺基、五氟苯胺基、吡啶胺 基、噠嗪胺基、嘧啶胺基、吡嗪胺基、三吖嗪胺基等，以 1 纟元基本胺基、一基苯基）胺基為佳。 芳基石夕烧基之芳環上帶有取代基者亦可，其碳原子數 一般為6至60左右，其例可舉如三苯基矽烷基、三-對- 17 (修正本）314530 1277617 二甲苯基石夕烧基、三苯甲基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、 弟二-丁基二苯基石夕烧基、二甲基苯基石夕烧基等。 芳基烷基有取代基者亦可，其碳原子數一般為7至6〇 左右’其例可舉如苯基- Ci-C!2：)：完基、Ci-Cu燒氧基苯基 -Ci-C!〗：):完基、Ci-C12^ 基苯基- Ci-C12 燒基、1·萘基-文元基、2 -萘基- Ci-C12烧基等’以Ci-C】2烧氧基苯基·CrCu 烷基、（^-(：12烷基苯基-Ci-Cu烷基為佳。 芳基烧氧基有取代基者亦可，其碳原子數一般為7至 60左右’其具體例可舉如苯基— 烧氧基烧氧 基苯基- CVC】2烧氧基、Ci-C!2烧基苯基- 氧基、1- 萘基- Ci-C12^氧基、2 -萘基- 氧基等，以q-Cu 烧氧基苯基- C^C!2烧氧基'CVC〗2烧基笨基- Cj-C〗〗烧氧基 為佳。 芳基烷硫基亦可有取代基，其碳原子數一般為7至60 左右，其具體例可舉如苯基-CrC】2烷硫基、CrCu烷氧基 本基- CrCu烧硫基、Ci-Cu院基苯基- Ci-Cu烧硫基、1-奈基-C 1 - C 1 2烧硫基、2 -奈基-C 1 - C 1 2烧硫基等，以C 1 - C 1 2 烷氧基苯基-CrC〗2烷硫基、Ci-Cu烷基苯基烷硫基 為佳。 芳基烷胺基碳原子數一般為7至60左右，其具體例可 舉如苯基-(^-(^烷胺基、d-C12烷氧基苯基-CVCu烷胺 基、〇^-(：12烷基苯基-Ci-Cu烷胺基、二（C^Cp烷氧基苯基 -CrCp烷基）胺基、二基苯基-Κ12烷基）胺基、 1-萘基-C】-C12烷胺基、2-萘基-CVCu烷胺基等，以C】-C12 18 (修正本）314530 1277617 烧基苯基-Ci_Ci2院胺基、二（Ci_Ci2烧基苯基- 烧基） 胺基為佳。 芳基烧基石夕烧基碳原子數一般為7至6 0左右，其具體 例可舉如苯基-CrC〗2烷基矽烷基、Ci-Cn烷氧基苯基 -CrCu烷基矽烷基、C^-Cu烷基苯基-CrCu烷基矽烷基、 】-蔡基- Ci-Ci2烧基>5夕；I：完基、2_蔡基- Ci-C】2院基碎纟完基、苯 基-C^C!2烷基二甲基矽烷基等，以Ci-Cn烷氧基苯基 C】-C〗2烧基石夕烧基、G^-C】2院基苯基- CrCu烧基石夕烧基為 佳。 醯基碳原子數一般為2至20左右，其具體例可舉如乙 醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三曱基乙醯基、苯甲 酿基、三氟乙醯基、五氟苯甲醯基等。 醯氧基碳原子數一般為2至2 0左右，其具體例可舉如 乙酿氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、異丁醯氧基、三甲基乙 酿氧基、苯甲醯氧基、三氟乙醯氧基、五氟苯甲醯氧基等。 亞胺基碳原子數一般為2至20左右，其具體例可舉如 下列構造式所示之化合物等。 19 (修正本）314530 1277617
醯胺基碳原子數一般為2至20左右，其具體例可舉如 甲醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯甲醯胺基、 三氟乙醯胺基、五氟苯甲醯胺基、二甲醯胺基、二乙醯胺 基、二丙醯胺基、二丁醯胺基、二苯甲醯胺基、二三氟乙 酸胺基、二五a笨甲_基等’ #包括琥㈣亞胺基、苯 二甲酸亞胺基等。 方基細基奴原子數一船為7$ fid -h t ^马7至60左右，其具體例可舉 如苯基- Ci-Ci2烯基、Ci-Cn惊贫A r* ^ ^ 1 12況虱基本基-Ci-c12烯基、Cl_Ci2 烧基苯基- Ci_Ci2稀基、1_笼其r r — ^ 不暴-Ci-C12烯基、2-萘基-Cl-Cl2 基’其中以 C 1 - C ] 2 ^ 2凡虱丞本基-C丨-C〗2烯基、Cl-Cl2烷基 苯基- C!-Ci2婦基為佳。 方基快基奴原子數一船A 7 Ζ； 4· -j- ^ 奴為7至60左右，其具體例可舉 如本基- Ci_Ci2块基、Ci-Cii、j：士与甘〇甘〇 土 虱基苯基-Cl_C12 炔基、Ci_Ci2 烧基苯基-Crh炔基、i•萘基_Ci_Ci2炔基、2•萘基_c心 炔基等，其中以Ci-Cl2烷氧基苯基-cvc]2炔基、Ci_c】2 烧基苯基- Ci-Cu炔基為佳。 (修正本）3】4530 20 1277617 1價雜環基指雜環化合物中除去】個氣原子之直餘之 =團’其碳原子數—般為4至60左右，其具體例；舉如 _基、cvc12烧基噻吩基、吼洛基、D夫喃基、吼咬美、 c,_Cl2院基吼咬基等，其中以噻吩基、Ci_c”烧基噻：基、 吼咬基、CVC!2烷基吡啶基為佳。 此外，在R中之方基或i價雜環基亦可再含i個以上 之取代基。 本發明之金屬錯合物中含下述式⑴或式（2)所示之！ 價基。因此而可增加其發光效率。
(式中之A表單鍵或共輛2價基。為獨立之函素 原子、烧基、烧氧基、炫硫基、院胺基、燒基石夕烧基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基梦院基、芳基烧基、 芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基矽烷基、醯 基、酸氧基、亞胺基、醯胺基、芳基婦基、芳基块基、氛 基、或1價雜環基。y為烧基、芳基、芳基燒基、芳基稀 基、芳基炔基、或】價雜環基。&為〇至3之整數。匕為〇 至4之整數。3為2以上之場合，其複數之r1可相同或不 同，亦可互相鍵結成環。]3為2以上之場合，其複數之r2 可相同或不同，亦可互相鍵結成環。 (修正本）314530 2】 1277617
D-N
(式中之D表單鍵或共軛2價基。汉4及R5各為獨立之鹵素 原子、烧基、烧氧基、烧硫基、院胺基、燒基石夕烧基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烧基、芳基烷基、 芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基矽烷基、醯 基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰 基、或1價雜環基。c、d各為獨立之〇至4整數。e為2 以上之場合，其複數之R4可相同或不同，亦可互相鍵結成 %。。d為2以上之場合，其複數之R5可相同或不同，亦 可互相鍵結成環。） R1至R5中之鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷 胺基、烷基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳 基矽烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷 月女基芳基石夕烧基、酸基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳 基烯基、芳基炔基、氰基、丨價雜環基與上述R中所例示 者相同。 A或D中之共軛2價基表其中存在可因非定域化冗電子 •子或非成對電子或非共有電子對而共振之共振構造中之 基，其例可舉如伸乙烯基、乙炔、伸芳基、2價雜環基、 以下所示之鍵結單位、及此等基2個以上之組合。 22 (修正本）314530 !277617 α
S 表} f ο R》基 之環 中隹^價 R*IN 基 一烷
RIB
OHC 基 芳 基 烷 芳 或 基 炔 芳 基 烯 芳 ,伸芳基碳原子數一般為6至60，或更好是6至2〇，其 例可舉如伸苯基（例如下圖之式丨至3)、萘二基（例如下圖 之式4至13)、伸蒽基（例如下圖之式14至19)、伸聯苯美 (例如下圖之式20至25)、伸聯三苯基（例如下圖之式μ ^ 28)、縮合環化合物基（例如下圖式 寺。伸芳基 之石反原子數並不包括取代基R之碳原子數。 (修正本）314530 23 1277617
24 (修正本）314530 1277617
25 (修正本）314530 1277617
R R
R R
R
R
R
R R
R R
R R 本發明中之2 *准環基指雜環化合物中除去2個氫原 子數並不包括取代基之礙原 厂、原子團’其碳原子數-般為4至60左右，以4 至0為佳。2價雜環基之碳原 子數。 s ϋ物心具環狀構造之有機化合物， 玉衣之構成原素 ™ ^ ^ ” 原子，其環内亦包括氧、硫、氮 爛寺雜原子者。 價雜環基之例可舉如下者。 、所含雜原子為氮之2價雜環基，可舉如口比咬二基 下圖之式39至44)、- ft站 眩 4) 一氣雜伸苯基（如下圖之式45至48)、 (如下圖之式49至63)、喹唑啉二基（如下圖之式 26 (修正本）314530 1277617 64至68)、°r°定二基(如下圖之式69至72)、聯二吼咬 如下圖之式73至75)、啡啉二基（如下圖之式％幻土 其所含雜原子包含 ^ )寺。 基，可舉如(下H二 有苟構造之 (下圖之式79至93)。在發光效率方面以 工’ 82至84味唾或三苯基胺二基基等芳族胺單體* 其所含雜原子包含石夕、氮、硫、石西等之 2其 可與丄/ nr㈤ 片衣亦隹％基， 了舉如（下圖之式94至98)。 其所：雜原子包含石夕、I、硫、栖等之5員環縮合雜 衣土，可牛如（下圖之式99至109)、苯并噻二唑_4 7__萁 或笨并噚二唑_4,7-二基等。 土 其:斤含雜原子包含矽、氮、硫、硒等之5員環雜環基， 且其中雜原子之α位上鍵結成2聚物或低聚物之基 (下圖之式110至118)。 牛σ 其所含雜原子包含石夕、氮、硫、石西等之5員環雜環基， 且其中雜原子之《位上鍵結笨基之基可舉如（下圖之式 至 118) 。 $
(修正本）314530 27 1277617
28 (修正本）314530 1277617
29 (修正本）314530 1277617
30 (修正本）314530 1277617
si
R
其中之R表與上述相同之基。 A及D之具體例可舉如以下所示之基，但並不限定於 此。 9 ~Qr -〇<y — Ο
31 (修正本）314530 1277617 其特徵為可發出可$ 光二:錯合物如下列式⑺所示， (L^~Ml Μ (3) 其甲之可見光範圍鱗光指 。 出波長380至80〇nm 之石β 表原子序50以上之原子中 作用而在本錯合物中發生單，能鱼_可因自旋軌道之互相 屬。Μ»所表之原子可舉如：:二三之態間交替之金 原子、金原子、鑭原子、飾原子、：原子、銀原子、白金 子、釤原子、销原子、此原子、心：子、錢原子、钷原 以銖原子、餓原子、銀厚子“、鏑原子等’其中 銪々子、礼科心 原子、金原子、彭原子、 有原子釓原子、铽原子、鏑原子為佳 子、金原子、銪原子更佳。 ’、、金原 L2表經由1個以上之氮原子、 山 工々#店2 t 1 乳原子、石反原子、硫原 子或％原子與Μ鍵結之配位基，及幽素原子或氫原子。 其中經由1個以上之氮原子、氧原子、碳原子、硫原 子或構原子與結之配位基，可為〇價或〗價以上。 可舉如烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳胺基、芳烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳 基烧胺基、續酸基、氰基、雜環配位基、羰基化合物、鱗、 胺、亞胺、膦、亞磷酸酯、及硫醚，亦可為此等組合之多 齒配位基。 烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳 (修正本）314530 32 1277617 、:基、芳胺基、芳燒基、芳基院氧基 ^ t胺基可舉如上述R令所載 方基t硫基、芳基 雜環配位基可舉如 咲喃環等雜環類、或此等雜㈣ι D㈣環、，坐環、 醯氧基為碳原子數2至2 '、子之1價配位基。 氧基、三1乙醯氧基、二二;具體可舉如乙酿 舉如苯續酸基、對甲笨續酸基 基^酸基可 三氟甲烷磺酸基。 土 疋K s欠基、乙烷磺酸基、 氧化物為經氧原子與Μ配位鍵結者，可舉如一 二 等，類、乙W類。 乙喊 t子與M配位鍵結者，可舉如二甲_、二 乙祕、四氣呋味、二甲氧基乙院。 =經氮原子與M1配位鍵結者，可舉如三甲基胺、 基胺、三丁基胺、三笨甲基胺、三苯基胺、二甲基苯 基胺、甲基二苯基胺等單胺 " -四苯基乙二胺、112二:基乙二胺、U，2,2 ，，2,2-四曱基-〇-本二胺等二胺。 亞胺為經氮原子與M1配位鍵結者，可舉如苯伸甲Λ 苯胺、苯伸甲基苯甲胺、笨伸甲基甲胺等單亞胺，二笨伸 :基乙二胺、二苯伸甲基_。·苯二胺、2,3_雙（苯胺基）丁烧 寻一亞胺。 膦為經磷原子與M1配位鍵結者，可舉如三苯基膦、 三_0-甲苯基膦、三-第三丁基膦、三環己基膦、U雙(二 苯基膦）乙烷、1,3-雙（二苯基膦）丙烷。 亞磷酸酯為經磷原子與Μι配位鍵結者，可舉如磷酸 (修正本）314530 33 1277617 三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三苯酯、磷酸三苯甲酯。 硫醚為經硫原子與Μ1配位鍵結者，可舉如二甲硫_、 二苯硫醚、苯硫基甲烷。 與此等鍵結之2齒以上基可舉如苯基D比咬、2 -(對笑基 苯基）吼咬、2-苯基苯并噚唑、2-(對苯基苯基）笨并曙唑、 2-苯基苯并噻唑、2_(對苯基苯基）苯并噻唑等、與雜環及苯 環鍵結之基、2-(4-噻吩-2-基）吼啶、2-(4-苯基噻吩_2_基） 吡啶、2-(苯并噻吩_2_基）哦啶、2,3,7,8，12，13，17，18_八乙基 -21H，23H-tI卜啉等、與2個雜環鍵結之基、丙_酸乙醯酯、 二苯并甲基、噻吩甲醯基三氟乙醯酯等乙醯酯類。 1表1至3之整數。m表0至3之整數。爪為2以上 之場合，複數之P可相同或不同。1 + m表2至6之整數。 式（3)中之L1表式（4)或式（5)所示之配位基。
、碳原子、硫 之配位基之 A、a、b、j (其中之Ar1表經1個以上之氮原子、氧原子 原子或磷原子與M1鍵結且與j個a共價鍵結 殘基。j表1至3之整數。式中之反1至尺3及 與在上述式（1)中者相同。） (修正本）314530 34 (5) 1277617
(其中之Ar表經i伽、 © ^ ^ ^ ^ 1 之氮原子、氧原子、碳原子、硫 原子或鱗原子與IV[输& a t , 户其—-φ夕D4 價鍵結之配位基之 殘基。式中之R4、R5 , , t ，仆入^ 及D、C、d、a上述式⑺中者相同。) .^ . λΛΐ κ 方面，以L至少經1個氮原子或碳 原子與Μ配位者為佳，L、多齒配位基者更佳。 :發光效率之觀點上，〜上述式(4)所示配位基之場 σ為佳。 美二二:：上述式(5)所示配位基，…共耗2價 基配位基之場合亦佳。 佳
Ar及Ar2為下述式（6)及⑺所$ 1價配位基之場合更 R7
(式中R至R各自獨立，表示氫原子、鹵素原子、烷基 烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基矽烷基、芳基、芳氧基、 芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、 (修正本）314530 35 1277617 芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基烷基矽烷基、醯基、醯氧 基、亞胺基、醯胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基、〗價 雜環基、或上述式⑴或式⑺中所示之基，亦可互相鍵結： 成環。R6至R13中至少-者為上述式⑴或式⑺中所示之 基。) R14 R15
表氫 。Rl4至R19各自獨立 原子、i素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基 矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、 方基烧基方基烧氧基、芳基烧硫基、芳基燒胺基、芳基 烷基矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基烯基、 芳基快基、氰基、1價雜環基、或上述式⑴或式（2)中所示 之基，亦可互相鐽結形成環。rh至Rl 9中至 述式（1)或式（2)中所示之基。） — 在發光效率之觀點上，Μι以銥原子、白金原子、金原 子或銪原子為佳。 L為如下所示者。 36 (修正本）314530 1277617
37 (修正本）3】4530 I277617 (其中之R”各為獨立，表氫原子、鹵素原子、烷基、垸氧 基、纟完硫基、院胺基、烧基碎烧基、方基、芳氧基、芳硫 基、芳胺基、芳基矽烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基 、元石基、芳基纟元胺基、芳基烧基石夕烧基、||基、醒氧美、 亞胺基、醯胺基、芳基稀基、芳基炔基、氰基叫價雜产 或如上述式⑴或式(2)中所示之基。其具體例可舉二 ，”所舉之基。但各配位基中至 丨：：上 ⑴或式⑺中所示之基eR ”…+们r為如上述式 對溶劑之溶解度，R" A目鍵結形成環。為增加 式⑷中所示1長鏈燒基為佳。） J舉如下列者。 (修正本）314530 38 1277617
39 (修正本）314530 1277617
(式中之π表烷基、芳基、芳基烷基、芳基烯基、芳基炔 基或1價雜環基。） 式（5)中所示L1可舉如下列構造者。 40 (修正本）314530 1277617
41 (修正本）314530 1277617
42 (修正本）314530 1277617
43 (修正本）314530 1277617
44 (修正本）314530 ^277617 合物及下述式（18)或（19)所((XV十1— 示D卡唑衍生物經 觔合反應製 造。 (17) (式中之 M1、Ar1、L2、1 原子、磺酸酯基、硼酸基 4 S欠甲g旨基、單鹵化甲基
硼酸酯基、鎏亡素 甲醯基、氰美弋 |、 虱基或乙烯基。） (18)
酸基、蝴酸醋基、審5甲^ 匕甲基、甲醯基、氰基或乙
(式中之 A、R1、R2、R 表鹵素原子、磺酸酯基 鐫甲基、磷酸甲酯基、 基。）
(19) (式中之D、R4、R5、c、d、父2主t 1 2rW上 表與前述相同者。） x及x中之齒素原子可例舉如氟、氣、、、皇） 磺酸酯基可例舉如磺酸笨防 /、 峨 甲 曰％、確酸對笨甲 烷磺酸酯基、乙烷磺酸酯基、=& 丞 一鼠曱烷磺酸酿基。 石朋酸酯基可例舉如下述所示& (修正本）314530 45 1277617
鎏甲基可例舉如下述所示基。
-CH2SMe2X -CH2SPh2X (X 表 i 素原子。） 鱗甲基可例舉如下述所示基。 -CH2PPh3X (X表鹵素原子。） 磷酸甲酯基可例舉如下述所示基。 -CH2P( = 0)(0R·)2 (R•表烷基、芳基或芳基烷基。） 單鹵化曱基可例舉如氯化甲基、溴化甲基、碘化甲基。 經伸乙烯基縮合之場合，可例舉如由含甲醯基化合物 與含鎮甲基化合物、或由甲醯基與含鱗甲基化合物經 Witng反應’ $由含乙烯基化合物與含ώ素原子化合物經 Heck反應進行反應，由含甲醯基化合物與含氰基化合物經 Knoevenagel反應，由含甲醯基化合物經反應進 行反應等方法。 •形成單鍵結之場合，可例舉如Suzuki鍵結反應、使用 Νι催化劑之Grignard鍵結反應等。 再更具體言之，即依其需要以有機溶劑溶解，例如以 鹼及適當之催化劑，在有機溶劑熔點以上沸點以下反應即 可使用之方法可例舉如Organic Reactions，第I4卷，27〇 至 490 頁’ J〇hns Willey & Sons, Inc.，1 965 年、Organic Syntheses, Collective Volume VI9 407-411, Johns Willey & 46 (修正本）314530 1277617
Sons，Inc·，1 988 年、Chem. Rev.，第 95 卷，2457 頁（1995 年、J· Organomet. Chem·，第 576 卷，147 頁（1999 年）、j Prakt. Chem·，第 336 卷，247 頁（1994 年）、Makromol· Chem,
Macromol· Symp·，第12卷，229頁（1987年）等之中所載之 一般方法。 在合成配位基後可再經錯體化方法合成。配位基之合 成方法，可以例如下述式（20)所示化合物與前述式（丨8)或式 (19)所示咔唾衍生物之縮合反應製造。縮合反應之方法可 以如同上述式（17)所示錯合物與前述式（18)或式（丨9)所示 咔唑衍生物進行鍵結反應。 Χ'-Αγ^Η (20) (式中之X1及Ar1與上述相同。） 由上述式（20)進行錯體化方法可例舉如在銥錯合物之 場合依 Inorg· Chem·，1991，风 1685、In〇rg. chem，2〇〇1， 切，1704等之中所載之方法，在白金錯合物之場合如依
Chem· Mater·，1999, 77, 37〇9等之中所載之方法，在銪錯 合物之場合如依 j. p〇lymer Science: part 2⑽ 3405等之中所載之方法，在釕錯合物之場合如依Polymer
Bulletin，1999,仏 135、J· Mater· Chem” 1999, 9, 2103 等 之中所載之方法。 有機溶劑依照使用之化合物或反應而異，但一般為抑 制副反應使用之溶劑須經充份之脫氧處理，且在惰性氣體 下進行反應為佳。此外經脫水處理者亦佳。但在如Suzuki 鍵結反應與水之兩相反應之場合則不受此限。 (修正本）314530 47 1277617 反應中須加入適當夕认a /aj 田之自双或催化劑。可依照使用反應 方法選擇。該鹼或催化劑， Μ 乂可充伤，谷解在反應中所使用 之溶劑中者為佳。鹼或催各Ϋ 乂惟化劑之混合方法可舉如在氬 氮氣等惰性氣體下一面撸挫二ρ ρ丄 攪拌一面慢慢在反應液中加入鹼或 催化劑，或相反地將反廉、、态^ p丄 …’夜k k加入鹼或催化劑溶液之中。 反應溫度並無特別限定 1 一 奴以-100至3 50。(：左古 為宜，〇°C至溶劑沸點更佳。 久應日守間亚無特別限定，但一 般以0分鐘至30小時左右為宜。 自反應混合液取出目的物 7物之精製方法，依照錯合物而 不同，可使用一般精製錯合物曰 田 之再、、、〇日日、幵華、層析等方 法。 例如在錯合物中加入1告旦 田里意酉夂水溶液之弱溶劑使錯 合物結晶，經過濾，再將其中 了 /、Τ之固體溶於二氣甲烷 等有機溶财。該溶液再經㈣、去除W物後再度濃缩， 再；了柱層析(以二氯甲燒溶出)精製，並收集目的物 :::液’再適當加入例如甲醇(弱溶劑)濃縮使目的錯合 物二，再經過瀘'乾燥即可得錯合物。但本發明錯合物⑺ 之衣造方法並不限於上述方法。 例如下述式（Α)所示之本發明許人 奴A! S日合物可以以下人 經路合成。 口成 (修正本）314530 48 1277617
1) 鎂，四氫呋喃 2) [1，3-雙(二苯基膦酸） 丙烷]二氯化鎳（II) (NiCh(dppp))， 埃化銅， 啡啉, 氫氧化鉀， 甲苯
B〆3 本發明之
其主鏈之末端上 三重激發態發光之金屬錯合物構造在其主鏈上之高分 子發光體，即指三重激發態發光之錯合物所配位之芳環或 縮環部份在其主鏈上之場合，亦指其主鏈上含金屬之場：。 在主鏈上之三重激發態發光金屬錯合物之構造，具體 地可舉如下列式（8)、（9)所示之反複單位。 ^--L5
(式中之M2表原子序5G以上之原子中，可因自旋軌道之相 互作用而在本錯合物中發生單態與三重態間之態間交換之 (修正本）314530 49 1277617 金屬。） L3表下列式（12)或（13)戶斤 以上之氮原子、氧原子、雄π >)所示之配位基。L4表經由1個 碳原子、硫原子或磷原子與Μ2 鍵結之配位基、鹵素原子或氫原子。e表丨至3整數。f 表0至3整數。L5表經由！個以上之氮原子、氧原子、碳 原子、硫原子或鱗原子與M2鍵結之配位基，且經由二鍵 與2相接之反複單位共價鍵結。e為2以上之場合，複數 之L可相同或不同。f為2以上之場合，複數之l4可相同 或不同。e + f為1至5之整數。
(式中之A/表經由"固以上之氮原子、氧原？、碳原子 A鍵結之配位基之殘 a及b各與上述式（1) 硫原子或磷原子與M2鍵結且與〇個 基。〇表1至3整數。A、R1至R3、 中相同。）
氧原子、碳原子、 D共價鍵結之配位 (式中之Αι*5表經由1個以上之氮原子 硫原子或磷原子與Μ2鍵結，且與ρ個 (修正本）314530 50 1277617 R、C及d各與上述 基之殘基。P表1至3整數。D、R4 式（2)中者相同。）
:二中广广及卜各與上述相同…及口表互為獨立， = 之氮原子、氧原子'碳原子、硫原子綱 /、 鍵結之配位基，且各經由一鍵與相接之丨反複單 位鍵結。至3整數，h表0至3整數。為2以 上之場合，L3及L4可相同或不同。g+h為i至4之整數。） 分枝鏈上具有三重激發態發光之金屬錯合物構造，具 體地可舉如下列式（1 0)所示之反複單位。
(10) f (式中之M2、L3 、L4、e及f各與上述式（8)中者相同。Ar3 為3彳貝方族基、或3價雜壞基。L表經由1個以上之氮原 子、氧原子、碳原子、硫原子或碟原子與鍵結之配位 基，且其經由一鍵與Ar3共價鍵結。） 主鍵末端上具有呈現源自二重’放舍您之發光之金屬錯 (修正本）314530 51 1277617 合物構造，具體地可舉如下列式（丨丨）所示之反複單位。
(Π) (式中之M2、L3、L4、e及f各與上述式⑻中者相同。L9 表經由1個以上之氮原子、氧原子、碳原+、硫原子或磷 原子與M2鍵結之配位基，且其經由一鍵與高分子末端共 "ί貝鍵結者。） &又，在该呈現源自三重激發態之發光之金屬錯合物構 造上，以及在該金屬錯合物構造外之反複構造單位上，亦 可再含上述式（1)或式（2)所示之1價基。 八/、中Μ所不之原子可舉如銖原子、锇原子、銥原子 白孟原子、金原子、鑭原子、鈽原子、镨原子、斂原子、 “原子、髟原子、銪原子、釓原子、铽原子、鏑原子等 :中以銖原子、餓原子、銥原子、白金原子、金原子、彩 原子、銪原子、I原子、_子、鏑原子為佳，銥原子、 白金原子、金原子、銪原子更佳。 *、工由1個以上之氮原子、氧原子、碳原子、硫原子邊 =與二鍵二 年土、方硫基、芳胺基、芳基烷基、芳 土凡羊土、方錢硫基、芳純胺基、續酸 雜環配位基、銷其仆人札 乳丞 及炉亦 _、胺、亞胺、膦、亞她旨、 及亦可為此等組合之多齿配位基。其具體例可舉如 (修正本）314530 52 1277617 L2所示之化合物。 本發明φ +， 子後其餘之原子團匕合物中去除3個氫原 更佳…_化合物 子數。其具體例如…中所.二不包括取代基之碳原 氫原子之基。 列中伸芳基再去除1個 本lx月中之3價雜環基，指雜環化 原子後其餘之原子團，其碳原子數=除3個風 更佳。3價雜環之碳原子數 又”’、6〇, 4至20 千數亚不包括取代基之碳原子數。 其具體例如A及D中所載 之基。 冑U中“基再去除丨個氫原子 本發明中之高分子化合物中，含2種以上上述式(8) 至⑽中所示反複單位者亦可。同時，此等反複單位對全 反複單位之總莫耳數比一般以〇.〇1至Μ莫耳％為佳，〇」 至1 〇莫耳％更佳。 壬現源自三重激發態之發光之金屬錯合物構造在其主 鍵上之場合，其具體例可舉如下述所示之構造。 (修正本）314530 53 1277617 ο
呈^源自二重激發態之發光之金屬錯合物構造在其側 鏈上之^刀子發光體，係指經由配位於呈現源自三重激發 I、之&光之錯合物上之芳環或其縮合環而與主鏈鍵結者。 其中所心之鐽結表單鍵、雙鍵等直接鍵結鍵，或經氧原子、 硫原子、碼原子等原子之鍵結，或經伸f基、伸烷基、伸 芳基等2價鍵結基之鍵結。 其中’以其共軛鍵結之側鏈上含三重激發態發光之金 54 (修正本）3】4530 1277617 屬錯合物構造者為佳，且至少該金屬錯八 基之1芳族環與其高分子主鏈上所含—=構造中含配位 鍵結鍵結者為佳。 方麵環形成碳-碳單 其 1具體例可舉如下列Μ構造。其鍵結為主QQ^Cr 鏈之鍵結
上列式中，Μ為原子序5〇以上之原子中，可因自
幸九 A^C pQ 下用’而在該錯合物中發生單態與三重態間： 間交替之入^ p 、 至屬。L·為Μ之配位基，其例可舉如烷基、） 55 (修正本）314530 1277617 基、烷^基、烷胺基、芳夷、—# ^ ^ρ1 ^ 土 方虱基、方硫基、芳胺基、 方基烷基、芳基烷氧基、 ^ 万|心石度基、方基院胺基、石备酸 醒基、/環基、醯氧基、氰基、雜環配位基1基化合物、 祕、胺、亞胺、膦、亞碟酸醋、及硫謎，亦可為此等組合 之多齒配位基。〇表1至5 敕 、 <正數。〇為2以上時丄可互 為相同或相異者。 Μ所表示之原子可舉如铍 千又蛛原子、餓原子、銥原子、白 金原子、金原子、鑭原子、钸盾 ^ ν 鄉原子、錯原子、歛原子、金巨 原子 '釤原子、錢原子' IL原子、錢原子、鋼原子等，其 中以銖原子、餓原子、銥原？、白金原子、金原子釤原 子、銪原子、釓原子、铽原？、鏑原子為佳，銥原子、白 金原子、金原子、銪原子更佳。 L所表示之配位基，可為〇價或1價以上。L所表示 之基可舉如上it R2中所冑之烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺 基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳烷基、芳基烷氧 基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、雜環基、醯氧基、羰基化 合物、醚、胺、亞胺、膦、亞磷酸酯、及硫醚。 本發明高分子發光體中，以其主鏈為共軛高分子發光 者為仏。其中之向分子發光體為沿聚合物主鏈骨架上存 在不固定7Γ電子對之高分子發光體，即指主鏈為共輛高分 子之高分子發光體。其中指不固定電子之場合，即指非雙 鍵而由不成對電子或非共有電子產生共振者。 本發明實施形態之1為有2種以上呈現源自三重激發 怨之發光金屬錯合物構造之咼分子發光體，即其主鍵、側 (修正本）314530 56 1277617 鏈或末端之任意2者以上為具呈現源自三重激發態之發光 金屬錯合物構造之高分子發光體。其中各金屬錯物構造 可互為相同金屬，亦可為不同之金屬者。又，各金屬錯合 物構造亦可發出各色彩不同之光。例如在一高分子發光體 中含發綠光之金屬錯合物構造及發紅光之金屬錯合物構： 等。此時，最好設計成含適量之金屬錯合物構造，即可控 制其發光色彩。 本發明之高分子發光體中最好含下述式（14)所示之反 複單位。 (14)
Ar6-(cR20=CR21-)- (式中之Ar6表伸芳基或2價雜環基。 代基。自獨立，表示氫原亦可芳再基含: m方基烯基'芳基炔基、1價雜環基、氰基或上述 工（）或式（2)所示之基。Ar6上之取代基、r2〇及r2i中至 少有1為上述式⑴或式（2)所示之基。4 〇或 所舉r相及同R21所示之織、芳基、1價雜環基與上述"
Ar6所表伸芳基或2價雜 2價基相同。 -基與上迷A及D中所舉之 本發明之高分子發光體中含 位者發光效率較佳。 3下0⑴）中所示反複單 (2 1) ‘Ar7切-Ar8 七 R36 1 (修正本）314530 57 1277617 36 (弋中之Ar及αγ8各為獨立之伸芳基 $
為烷基、芳基、丨俨$ _饧雜環基。R 4貝才准壞基、上述式（1 ) _ (2)所示之基、下、)斤不之基、上述式 7 η 丁心丞下述式（22)所示之基、或 基。t表1至4整數。） 次下述式（23)所示之 (2 2) -Ar9+Z1 士 R37 (式中之A，表伸芳基或2價雜環基。R37 芳基、1價雜擇其 1, 、氫原子、烧基、 土 11貝_%基、或下述式（23)所示 或-CsC_〇r38 土 z 表-Cr38=cr39. 麻 各為獨立之氣原子、烷其^ 價雜環基、上述式（1)所其 烷基、方基、1 、'(1)所不基、上述式 表0至2整數。） 不基或氰基。u (2 3) (式中之Ar1。及Ar"各自獨立，表 W表院基、芳基、上述式⑴所干義方基或2價雜環基 1價雜環基。π表氫原子、燒基、土上迷式⑺所示基； 表1至4整數。） 方土或1價雜環基。 A’至Ar"中之伸芳基、2價 所舉者相同。 一上述Ar1例r 之烧基、芳基"價雜環 中所舉者相同。 轉上述R 4 上述式（21)所示之較佳反複單位，且雜 所示者。 虹彳可舉如下屬 (修正本）314530 58 1277617
59 (修正本）314530 1277617
(式中之R與上述相同。 /舌性之基時，可能 以女疋之基加以保 結者為佳，可例如 。其具體例可舉如 又’聚合物末端之基為原先具聚合 造成元件發光純及壽命降低，因此可 護。主鏈之共1^構造以連續形成共輕鍵 經碳-碳鍵結與芳基或雜環基鍵結之構造 下述構造等。（式中之R與上述相同。） (修正本）314530 60 1277617
61 (修正本）314530 1277617 '、可為其中間構造之高分子，例如帶嵌段性之無規共聚 7 °在高分子螢光體要得到高量子產率螢光之觀點上，帶 〜^性無規共聚物或嵌段性或接枝共聚物比全為無規共聚 =者為佳。其中亦包含具分支之主鏈、有3個以上末端之 ~合及樹枝狀高分子材料（dendrimer). 更加地’在高分子螢光體安定性之觀點上，三重態發 光金屬錯合物部份以配位基中至少含1氮原子或碳原子者 為佳。或配位基中至少含1多齒配位基者為佳。 在配位基中至少含1下列式（15)或式（16)所示配位基 之場合又更佳。
(式中之R22至R29各自獨立，表示氫原子、鹵素原子、烧 基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基矽烷基、芳基、芳氧 基、芳硫基、芳胺基、芳基石夕烧基、芳基烧基、芳基烧氧 基、芳基院硫基、芳基烧胺基、芳基烧基石夕烧基、si基、 醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基烯基、芳基炔基、氰基、 或1價雜環基，亦可互相鍵結形成環。R22至R29中至少有 1為與主鏈或側鏈鍵結之鍵。） 62 (修正本）314530 1277617 R30 R31
(式中之E為氧原子或硫原子。rSG至r35互為獨立，表示 氫原子、_素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷 基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、 芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基 烷基矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基烯基、 芳基炔基、氰基、或丨價雜環基，亦可互相鍵結形成環。 τ) 3 0 ^ -|3 3 5 由 至 >、有1為與主鏈或側鏈鍵結之鍵。） 呈現源自三重激發態之發光之金屬錯合物部份之中心 金屬為銥原子、白金原子、金原子或銪原子之場合較佳。 其次說明本發明高分子發光體之製造方法。本發明高 分子發光體可以例如以具呈現源自三重激發態之發光之金 屬錯合物構造的單體單元與具上述式（1)或式（2)所示之咔 唑基之單體單元共聚合之方法，或以具上述式（1)或式（2) 所示味吐基、且具呈現源自三重激發態之發光之金屬錯合 物構造的單體單元共聚合之方法製造。此時，具呈現源自 一重激發恶之發光之金屬錯合物構造的單體單位，及具上 述式（1)或式（2)所示咔唑基之單體單位亦可為2種以上，或 /、中有與任何非具三重態可發光金屬錯合物構造的單體單 位與具上述式（1)或式（2)所示昨唑基之單體單位共聚合者 63 (修正本）314530 1277617 亦可。 其具體例可舉如以下列式（24)及式（25)所示配位基之 2種以上單體縮聚合所製造者。 X3— n (24) (式中之Ar6、R20、^丄 3 . K及11各為與上述式（14)中者相同。 X 、X各為獨立之鹵夸盾；r廿匕甘 α京原子、嶒酸酯基、硼酸基、硼酸酯 基、鎏甲基、鱗甲基、磷酸甲醋基、單齒化甲基、甲酸基、 氣基或乙烯基。） (2 5) ((xtAr12i~M2 十) (式中之M2、！/各為與上述式（8)中者相同。&12為經由 個以上之氮原子、氧原子、碳原子、硫原子或磷原子與 M鍵結之配位基。X5U素原子、續酸s旨基、㈣基、 爛酸酯基、婆甲某、镇甲其 平 甲暴&甲基、磷酸甲酯基、單鹵化甲基、 甲，基、氮基或乙稀基。U 1至3整數、1表4 6整數' m表0至6整數。） X至X5中之A素原子、續酸g旨基、棚酸基、删酸酷 dt鱗甲基、鱗酸甲酿基、單“甲基之具體例 了舉如上述Χι、χ2例中所示之化合物。 反應之方法，具體地可例舉如m(i7)及式（… 或式(19)中所示之咔唑衍生物進行縮合反應。 亦可以在製成其構造中之主鏈上所含配位基為 …纖之金屬錯合物構造之高分子化合物後，再經 (修正本）314530 64 1277617 在曰妝化製成本發明之高分子發光體。在該場合中，以其金 屬含量可加以控制者為佳。 其具體例可舉如以下所示之構造。
錯體化之方法可例舉如前述式（2〇)中所示化合物錯 化之方法。 凡了中之有機溶劑依照所使用之化合物及反應而異，但 :、、、卩制w反應之發生，其使用之溶劑以經充份脫氧處 理且在惰性氣體下進行反應為佳·相同地，經脫水處理者 亦佳。但在如Suzuki鍵結反應與水之2相反應之場合則不 么明回分子發光體在作為高分子led之場合，其乡 f將影^其發光特性等元件性能，因此以聚合前單腿 …、知#華精製、再結晶等方法精製後再聚合者為佳。^ 合後亦以再經再製精製、層析分離等純化處理為佳。 其次說明本發明之高分子LED。本發明高分子LED 3 (修正本）314530 65 1277617 特徵為在高分子LED中，在其陽極及陰極所構成之電極間 含發光層，該發光層中含本發明高分子發光體。 又，本發明之高分子LED可舉如陰極與發光層間設有 2子輸送層之高分子LED、陽極與發光層間設有電洞輸送 層之南分子LED、陰極與發光層間設有電子輸送層且陽極 鉍發光層間設有電洞輸送層之高分子[ED等。 “此外，另有在上列中至少其-側之電極與發光層間於 相㈣該電極上設有導電性高分子層之高分子咖、在上 歹J中至少一側之電極盘於来屏 Ί先層間於相鄰於該電極上設有平 均肤厚2nm以下之緩衝層之高分子LED。 其具體例可舉如以下所示之^d)構造。 Μ陽極/發光層/陰極 b )陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 C)陽極/發光層/電子輪送層/陰極 =極/電洞輪送層/發光層/電子輪送層/陰極 C、中之/表相鄰相疊之各層。以下亦同。） 其中之發光層表具發光機能 送電洞機能之層，電子輸送層二=送層為具輸 子輪诘@ βΜ、、 ”輸运電子機能之層。電 輸送層'I二雨运層總稱為電荷輪送層。發光層、電洞 :I子輸爾可使用各為獨立 又，相鄰於電極所設之電 別稱為電荷導入層（電洞導入層、^子層/，亦可有一般特 改善電極之電荷導入效率機能 件入層^者此具有 此外，為改善其與電極之密接生及^㈣電麼效果。 山伐注及電極之電荷導入， (修正本）314530 66 1277617 可以在相鄰於電極處設置前述電荷導入層或膜厚2nm以下 之絕緣層，在提高界面之密接性及防止其混合上，亦可再 於電荷輸送層或發光層界面上嵌入薄緩衝層。 相疊各層之順序及數目、及各層之厚方面，可以依照 其發光效率或元件壽命適當使用。 本發明中設有電荷導入層（電子導入層、電洞導入層） Μ分子LED，可舉如相鄰於陰極處設置電荷導入層之高 分子LED、相鄰於陽極處設置電荷導人層之高分子㈣。 其具體例可舉如以下之匀至p)構造。 e)陽極/電荷導入層/發光層/陰極 1厂勿性/發、无層/電荷導 g) 陽極/電荷導入層/發光層/電荷導入屠/陰極 h) 陽極/電荷導入層/電洞輸送層/發光層/陰極 =極/電洞輸送層/發光層/電荷導入層/陰極 J)知極/電荷導入層/電洞輸送層/發光層 k)陽極/電荷導入禺 °了 V入層/陰極 « /¾先層/電荷輸送層/险 υ陽極/發光層/電+於、矣居^ 1衣極 冤子知运層/電荷導入層 m)陽極/電荷導 ^極 入層/發光層/電子輸送；# η)陽極/電荷導 θ电何¥入層/陰極 灯¥入層/電洞輸送 〇)陽極/電洞輪送岸/ *先电荷輪送層/陰極 先層/電子輸送層# P)陽極/電荷導 电何¥入層/陰極 、 層/ ¾洞輸送層/获本 導入層/陰極 "子輸送層/電荷 電荷導入層 極與電洞輪送層 之具體例可舉如含導電性高分子 間設有其離子化電位為陽極材料 、陽 洞輸 (修正本）3】4530 67 1277617 送層中所含電洞輪# # 子輸送層間設有其電子二之：間值的材料之層、陰極與電 所含電子輸送材料力為陰極材料與電子輸送層中 十 < 中間值的材料之層等。 上述電荷導入層含墓 ^ s v %性鬲分子層之場合，該導電性 南分子之導電产^ 又 S/cm以上l〇3S/cm以下為佳，為读 低發光像素間電流之漏矣—$ 馬減 属失，在l〇-5S/cm以上l〇2S/cm以下 更佳，在1(T5S/Cm以上1〇1 工1υ S/cm以下又更佳。 為維持該導雷姓古八^ ln3c/ ， 呵刀子之導電度經常在i〇-5s/cm以上 m以下，5亥導電性高分子中亦可以摻雜適量之離子。 該摻雜離子之種_，少+、 ^ 、 禋頦在黾洞導入層為陰離子、在電子 ^入層為陽離子。险雜了 毛 可例舉如聚苯乙烯石黃酸離子、ρ 基苯續酸離子、樟腦碏酸離 凡 八欠雖子荨，陽離子可例舉如鋰離子、 鈉離子、鉀離子、四丁基銨離子等。 電荷導入層膜之厚可舉如lnms 1〇〇nm，卩2咖至 50nm為佳。 電荷導入層所使用之材料，可依照其與電極及相鄰之 層的材料適當地選擇’可例舉如聚陰離子或其衍生物、聚 唾吩或其衍生物、聚吼„各或其衍生物、聚㈣基伸乙稀基） 類或其衍生物、聚（伸噻吩基伸乙浠基）類或其衍生物、聚 喹琳或其衍生物、聚喹㈣或其衍生物、主㈣側鍵含芳 族胺構造聚合體等之導電性高分子、金屬歌菁（如銅歌菁 等）、碳等。 膜厚2譲以下之絕緣層具有易於導人電荷之機能。上 述絕緣層之材料可舉如金屬氟化物、金屬氧化物、有機絕 (修正本）314530 68 1277617 緣材料等。設置膜厚2nm以下絕緣層之高分子led可舉 如相鄰於陰極設置膜厚2nm以下絕緣層之高分子lED、相 鄰於陽極設置膜厚2nm以下絕緣層之高分子[ED。 其具體例可舉如以下之q)至ab)構造。 q)陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/陰極 0陽極/發光層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極 s) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/膜厚2nm以下之絕 緣層/陰極 t) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/陰極 U)陽極/電洞輸送層/發光層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極 v) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/膜厚 2nm以下之絕緣層/陰極 w) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/電子輸送層/陰極 >0陽極/發光層/電子輸送層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極 y) I%極/膜厚2nm以下之絕緣層/發光層/電子輸送層/膜厚 2nm以下之絕緣層/陰極 z) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子 輸送層/陰極 aa) 陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/膜厚以下之 絕緣層/陰極 ab) 陽極/膜厚2nm以下之絕緣層/電洞輸送層/發光層/電子 輸送層/膜厚2nm以下之絕緣層/陰極 在使用本發明之有機溶劑可溶性高分子發光體製成高 分子LED時，在由溶液成膜之場合，不只可在溶液塗布後 69 (修正本）314530 1277617 乾燥去除溶劑’亦適用混合電荷輸送材料或發光材料之場 合之同樣方法’因此製造上極有利。自溶液成膜之方法， 可使用旋塗法、鑄塑法、顯微照相凹板印刷法、照相凹板 印刷法、板塗法、輥塗法、漆塗法法、浸塗法、噴塗法、 網版印刷法、苯胺印刷法、平版印刷法、噴墨轉印法等塗 布法。
發光層膜之厚係依其使用之材料有不同之最佳值，只 要選擇適於驅動電壓與發光效率之值者即可，其例可舉Z InmS 至 500nm 更佳，5nm 至 2〇〇nmx 更佳。 本發明之高分子LED,在其發光層中亦可使用混合上 述高分子發光體以外之發光材料。同時，本發明高分子led 中^含上述高分子發光體以外發光材料之發光層上亦可再 相璺含上述南分子發光體之發光層。
』從用一股所知者。其中可使用之低分 化合物可例舉如萘衍生物、蒽或其衍生物、花或其街生冷 聚甲炔系、口山系、薰草素系、菁系等色素類，8-經基眩 或其衍生物之金屬錯合物、芳族胺、四笨基環戊二稀‘ 打生物、或四苯基丁二稀或其衍生物等。 其具體例可舉如特開昭第57·5178ι號公報、 5 9-1943 93號公報中所纪#去 …厅。己載者4，即可使用-般公開者, 、'明之高分子LED在具電洞輸送層之場合，可使』 之電洞輸送材料可你丨與1 μ 〇牛如♦乙烯基咔唑或其衍生 烷或其衍生物、侧鉍々士 μ 人+ 刃來 物、吡唑啉衍生物 ’丁生 丁生物、方族胺衍生物、】，二苯乙烯衍生物 (修正本）3】4530 70 1277617 二苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生 物、聚吡咯或其衍生物、聚（p_伸苯基伸乙烯基）類或其衍 生物、或聚（2,5-伸噻吩基伸乙烯基）類或其衍生物等。 該電洞輸送材料之具體例可舉如特開昭第63_7〇257 旎公報、同第63_1 75860號公報、特公平第2_135359號公 報、同第2_ 135361號公報、同2-209988號公報、同第 夂37992號公報、同第3_1521 84號公報中所記載者等。 電洞輸送層之電洞輸送材料中以聚乙烯基咔唑或其衍 ，物、聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈上含芳族胺之聚J 氧蜿何生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚 (P-伸苯基伸乙烯基）類或其衍生物、或聚（2,5_伸噻吩基^ 乙烯基）類或其衍生物等高分子電洞輸送材料為佳，聚乙烯 基咔唑或其衍生、聚矽烷或其衍生物、側鏈或主鏈上含芳 族胺之聚錢烧衍生物更佳。低分子電洞輸送材料之場合 以經高分子連結劑分散者為佳。 聚乙婦基昨嗤或其衍生物可以以例如乙晞基單體經陽 離子聚合或基團聚合製成。 聚矽烷或其衍生物可例舉如在Chem Rev，第89,1359 頁0989年）、英國專利第⑽3G0196號公開明細f中 之化合物等。其合成方法亦可以其+所載之方法製成，其 中尤以基平法（Klpping法）為佳。 、、聚矽烷或其衍生物’因矽烷骨架構造中幾乎無電洞輪 达性’以使用其側鏈或主鏈上具上述低分子電洞輸送材料 構造者為佳。其較佳例特別可舉如其側鏈或主鏈上具電洞 (修正本）314530 71 /617 輪送性之芳族胺。 篆洞輪送層之成膜 、、 輪送材料可例舉如與：八法並無特別限定，但低分子電洞 法。古八2 ’、阿刀子連結劑混合之溶液成膜之方 问刀子電洞輸送材料亦^饱 由其溶液成膜之方法由以其溶液成膜之方法。 電洞輸送材料者即可 ^使用之溶劑，只要為可溶解 仿、一 及热4寸別限定。該溶劑可例舉如氣 劍， — 凡4虱糸溶劑，四氫呋喃等醚系溶 本、一曱笨等芳族你备w ” ip, ^ ^ t糸洛劑，丙酮、甲基乙基酮等 π糸〉谷劑，乙酸乙酯、 子 喂系溶劑。 m、乙二醇乙醚·乙酸醋等 由洛液成膜之方法可你田 ox ^ 使用例如由溶液之旋鍍法、鑄塑 去、頒微照相凹板印刷法、日刀4 丄 、 涂 ^ 妝相凹板印刷法、板塗法、輥 主去、漆塗法法、浸塗法、 ^ 贺塗法、網版印刷法、苯胺印 刷法、平版印刷法、噴墨轉印法等塗布法。 其所混合之高分子:;鱼h h 门刀千連結劑以對電荷輸送不致過份妨礙 者為佳，亦可使用對可見光吸收不強者。該高分子連結劑 之例可舉如聚碳酸s旨1丙烯酸醋、聚丙烯酸甲酯、聚甲 基丙烯酸甲酯、聚苯乙埽、聚氣乙婦、聚石夕氧烧等。 電洞輸送層之膜厚依照其使用之材料有不同之最佳 值，只要選擇適合驅動電屋與發光效率之值即可，但至少 要為不發生插孔之厚度，過厚時元件之驅動電塵會變高因 此不佳。因此，該電洞輪送層之膜厚以例如lnm至 為佳，2nm至500nm更佳，5nm至2〇〇nm又更佳。 本發明之高分子led含電子輸送層之場合，所使用之 (修正本）314530 72 1277617 +電子輸送材料可使用一般已知者，可舉如噚二唑衍生物、 蒽醌基二甲烷或其衍生物、笨并喹啉或其衍生物、萘醌或 其衍生物、蒽醒或其衍生物、四氰蒽醒二甲烧或其衍生物、 苟酮何生物、聯對苯基：氰乙烯或其衍生物、聯對苯醒衍 生物、或8-經基喹啉或其衍生物之金屬錯合物、聚喹啉或 其衍生物、聚喹唑啉或其衍生物、聚苗酮或其衍生物等。 其具體例可舉如特開昭第63_7〇257號公報、同第 63475860號公報、特開平第2_135359號公報、同第 2-135361號公報、同第2_2〇9988號公報、同第號 公報、同第3-1521 84號公報中所載者。 〜 此等物中以曙二唾衍生物、笨并嗤琳或其衍生物、茵 醌或其衍生物、聚喹啉或其衍生物為佳，2_(4_聯苯基Μ# 第一丁基本基）-1，3,4_嗜二唾、苯并麵、葱醒、參（8_眩 啉酚）化鋁、聚喹啉酚為佳。 笔子輸送層之成膜法並無特別限定，其例可舉如 分子電子輸送材料可以以粉末進行真空蒸❹、或容 液或溶融狀態後成膜之方法，在高分子電子輸送材料可以 :鳩或炼融狀態後成膜之方法。在形成溶液或炫融狀 恶後成胰時，亦可以併用高分子連結劑。 由溶液形成膜時使用之溶劑，口 - v /、要為可溶解電子輪送 =或…連結劑者即可’並無特別限定。該溶劑可 例舉如氣仿、二氧甲P 一 β 7 ”甲蛻、一虱乙烷寻氯系溶四 等醚系溶劑，甲苯、— 夫南 本一甲本寺方私烴糸溶劑，丙酮、 乙基嗣等，系溶劑，乙酸乙酯 7基 敗J Θ日、乙一醇乙醚· (修正本）3]4530 73 1277617 乙酸酯等自旨系溶劑。 形成溶液或熔融狀態後成膜之方法可使用例如旋鍍 法、鑄塑法、顯微照相凹板印刷法、照相凹板印刷法、板 塗法、輕塗法、漆塗法、浸塗法、噴塗法、網版印刷法、 笨胺印刷 >去、平版印刷法、纟墨轉印法等塗布法。 混合之高分子連結劑以對電荷輪送不過份妨礙者為 佳，亦可使用對可見光吸收不強者。該高分子連結劑之例 可舉如聚（N-乙烯基昨嗤）、聚苯胺或其衍生物、聚喧吩或 其衍生物、聚（P-伸苯基伸乙烯基）類或其衍生物、或聚（2,5-伸噻吩基伸乙烯基）類或其衍生物、聚碳酸醋、聚丙婦酸 酿、聚丙稀酸甲醋、聚甲基丙烯酸甲醋、聚苯乙稀、聚氯 乙烯、或聚矽氧烷等。 電子輸送層之膜厚依照其使用之材料有不同之最價佳 值、，只要選擇適合驅動電屢與發光效率之值即可，但至少 ^為不發生插孔之厚度，過厚時元件之驅動電壓會變高因 此不佳。因此，該電洞輪送 θ <联/予以例如1 nm至1 # m 為么，21^至500nm更佳，5nm至“如爪又更佳。 =明中形成高分子LED之基板為形成其電極者，只 高分子LED各層時不發生變化者即可，其例可 :::板、塑谬板、高分子滤板石夕膠基板等。不透明基 …以對側之電極為透明或半透明者為卜 者為;:般以陽，及陰極之電極中至少一方為透明或半透明 -土又以陽極之-方為透明或半透明者為佳。 該陽極之材料可使用導電性金屬氧化物膜、半透明之 (修正本）314530 74 1277617. 金屬薄膜等。其具體例可舉如以氧化銅、氧化鋅、氧化錫 =其複合物銦氧化物（ίτο)、銦•辞•氧化 J導電性破璃所製成之膜⑽SA#)、或金、白金、銀、： / t以ΙΤΌ、銦•鋅·氧化物、氧化錫為佳。其製作 :了例舉如真空蒸鍍法、濺鍍法、離子束電鍍法、電鍍 直：。又，該陽極亦可使用聚笨胺或其衍生物、聚噻吩或 ，、何生物等有機之透明導電膜。 〆 陽極之膜厚可考慮光之透過性及導電性再選擇適宜 =例？。_至10心，或2一心更佳，5〇nm 芏5〇Onm更佳。 此外’在陽極上為 衍生极^ 為谷易v入電何亦可再形成酞醛笨胺 何生物、導電性高分 令 氟化物-反4層，或以金屬氧化物或金屬 化4二有機絕緣材料等形成膜厚平均一下之層。 本备明鬲分子LED中所使$ & 小之材料為佳…… 陰極材料，以功率函數 約、鳃、鋇n / 卸m鎂、 镱等金屬，以及复m ㊆、銪、铽、 白全、钢# /、 以上之合金，或其中1種與金、銀、 曰孟、銅、I孟、敍 ^ W ^ ^ ^ 、’ 、、臬、鎢、錫之1種以上之合金、 石墨或石墨層間化合 -銦合金、錢-銘人入、σ、，之例可舉如鎂-銀合金、鎂 站口金、銦·銀合、 裡’合金、鈣·叙合金朽…、·“至、鋰-鎂合金、 造。 〃 陰極亦可有2層以上之相疊構 極之膜厚可考慮1命 如l〇nm至1()V包11或耐久性選擇適當者，例 (修正本）314530 75 1277617 又更佳。 陰極之製作方法， — ^ _ 了使用真工条鍍法、濺鍍法、或埶 麼者金屬薄骐之氯 …、 < 、，寺.又，匯極與有機物層之間亦可再 :屬氣I，下由導電性高分子層、或由金屬氧化物或
可再設置保广有機絕緣材料等形成之層，在陰極製成後亦 二邊層，保護該高分子^D。為保護該高分子LED 外;保；，地使用’可以再設置保護層及/或防護罩由元件 石亥保護層可传用古八ζ & a 问刀子化合物、金屬氧化物、金屬氟 Η爛化物等。防護罩可使用玻璃板、表面經低透 水率處理之塑膠板等， 、防4罩以經熱效果樹脂或光硬化 树月曰與7L件基板貼合密 其間隔時，可容易地防止Γ 間隔片維持 .,.^ 易也防止70件受損。該間隔中再封入氮氣 气ΙΓι月性氣體’即可防止陰極氧化，該間隔中再設置 乳化鋇寺乾燥劑時，可容 .„.^ ^ τ合易地防止在製造工程中吸收水份 相“件。其中以採取其任一以上方法者為佳。 厂牡y明之南分子發光元件可使用為平面光源、栅狀顯 不衣、矩陣基質顯示裝置或液晶顯示裝置之背光源。 使^本發明之高分子LED為平面光源時，可設置成平 面狀之陽極與陰極重聶之驻w w a室且之袁置。又，在圖樣形狀之光源時， ^木取=述平面狀發光元件表面設置其上具有圖樣形狀 二^法，在其非發光部份形成極厚有機物層成為 :貝不以部份之方法，在任意之陽極或陰極或兩方之 琶極上形成圖樣形狀之方法。在以其中任— (修正本）314530 76 ^277617 ^，蚪，再於特定之電極上設置獨立可ΟΝ/OFF之裝置， :可得到可顯示數字或文字、簡單記號等之柵狀顯:元 侔狀ί自在矩陣基質元件時，可將其設置成陽極與陰極成 分子發=父再以分別塗以複數種不同發光顏色之高 制、 — / 、或以彩色濾、光或發光變換之方法即可 :成部份彩色顯示、複彩顯示。矩陣基質元件可以被動驅 亦可與TFT組成主動驅動。此等顯示元件可使用於電 ^電視 '行動電話、車用衛星導航“、攝影機為顯示 拳寻顯示裝置。 此外，前述平面光源之發光元件為自發光、薄型，適 =為液晶顯示裝置之背光用平面光源、或作為平面照明 一原又在使用於可曲性基板上時，亦可作成曲面型 光源或顯示裝置。 本發明咼分子發光體在分子内具有三重態發光錯合物 在工業上可簡便地以旋鍍法、噴墨轉印法、印刷法 :塗布方法形成發光層。又’本發明高分子發光體為三重 =發光錯合物’因此有高發光效率。故本發明高分子發光 肢適於作為高分子led之發光材料等。 以下即以實施例更詳細說明本發明，但本發明並不限 定於此。 —其中所指之數量平均分子量、重量平均分子量為氯仿 下經膠體過遽層析(GPC)所求出再換算成聚苯乙烯之 數里平均分子量、重量平均分子量。 <單體A-1之合成> (修正本）314530 77 1277617 先將1.55g* 二漠·2,5•雙（漠甲基）_苯與亞碟酸三 乙酿反應得到之磷酸S旨與^“之^乙基·3_咔唑綾基醛溶 於30g之四氫呋喃（脫水）中。室溫下於該溶液中滴入預 溶有〇.9g之第三丁醇鉀之10g四氫呋喊（脫水）溶液，於室 溫下反應5小時。 反應後，溶液加入乙酸中和後，該溶液再加入甲醇， 過遽回收生成之沉澱。該回收之沉殿再經乙醇洗淨後經減 壓乾燥，即得…之粗生成物。其後，以氯仿再結晶，即 得精製之單體A。 d)、7· 9 3 (2H, s)、 、4· 3 7 (4H，q)、i. ⑴-NMR (2 0 0MHz、CDC13) δ8· 24 (2H，brs)、8· 14 (2H, 7· 7 1 (2H，d)、7· 5 2 (1 2H，m) 4 5 (6Η, t)
(2·(溴化苯基）¾啶之合成） 先取 3g(19.3mmol)之 2-苯基吡啶與 4〇mg(〇 716mm〇1) 之鐵粉攪拌混合。再將其冷卻至〇t：下，一面攪拌混合一 面’主意其發熱下滴入4.0g(25mmol)溴，之後升溫至9〇〇c並 (修正本）3M530 78 Ϊ277617 見掉1 0小％。在反應終止後將該反應混合液溶於氯仿成溶 /夜，並經5°/。硫代硫酸鈉水溶液洗淨。該氯仿溶液經硫酸 吶乾餘後，再加以濃縮，其餘物再經石夕膠管柱層析，即得 目的之精製2-(溴化笨基）哦啶。 其生成 Κ 為 1.6g(6.83mmol)，生成率為 35.4°/。。LC-MS 所測得之M+為234.0。 (參（2-(溴化苯基）口比咬）化銦（3價）之合成） 先將50mg(0.1021mmol)之參乙醯基乙酸化銦（3價）錯 合物與95.6mg(0.4084mm〇l)之2-溴化苯基吡啶及2〇ml之 乙二醇加入一 50ml之蒸餾瓶中，回流} 〇小時。該反應液 中再加入100ml之1當量鹽酸水溶液，並攪拌3〇分鐘。 過濾其析出之固體後，再以少量之二氯甲烷溶解成溶液。 該溶液再經矽膠管柱層析，慢慢去除其中由多餘之銦錯合 物生成之金屬分解物。之後，該所得之溶液再濃縮成一半， 並加入曱醇後過濾回收其析出之黃色固體。 其目的物參（2-(溴化苯基）口比啶）化銦（3價）為⑺· 12mg (〇.〇113mmol)。其生成率為ιι·1%。fD-MS所測得之M+為 8 9 3 〇 (雙（2 -(本基）口比。疋）單（2 -(>臭化苯基）口比。定）化銦）（3價）（單體 A-2)之合成） 先將0.642mg(1.31mmol)之參乙醯基乙酸化銦（3價）錯 合物與1.41g(1.75mmol)之2-(溴化苯基）[]比啶及〇 54g (3.5mmol)之2·(苯基）口比啶及50ml之乙二醇加入一 i〇〇ml 之蒸餾瓶中，回流ίο小時。該反應液中再加入100ml之工 (修正本）314530 79 1277617 备里鹽酸水溶液，並攪拌3 〇分鐘。過濾其析出之固體後， 再以少量之二氯甲烷溶解成溶液。該溶液再經矽膠管柱過 渡’去除其中由多餘之銦錯合物生成之金屬分解物。之後， 該所彳于之溶液再濃縮成一半，並加入曱醇後過爐、回收其析 出之黃色固體。 所得到0.13g(0.177mmol)之混合物，主成份為（雙 (2-(苯基）tl比啶）單（2-(溴化苯基）口比啶）化銦價）。其生成 率約為13.5%。FD-MS所測得之M+為733。該混合物為參 (2-(溴化苯基）π比啶）化銦價）錯合物（錯合物4)、單（2_(苯 基）雙（2-(溴化苯基）哦啶）化_ (3價）錯合物（錯合物3)、雙 (2-(苯基）0比啶）單（2-(溴化苯基）d比啶）化銦）（3價）（錯合物 2)、參（2-(苯基）晰唆）化銦（3價）錯合物（錯合物〗）之混合物。 FD-MS所測得之各成份比例如下表i。
表1單體A-2之組成（混合物） 錯合物之FD-MS 波峰比 組成比（％) 備註 錯合物 1 31 12.2 未反應排出系外 錯合物 2 86 33.7 反應於分子末端 錯合物 3 100 3 9.2 錯合物 4 38 14.9 <聚合物A之合成> 洗將0.40g(0.73mm〇l)之9,9-二辛基_2,7-二溴化芴及 0.044g(0.065mmol)之單體 A-1 及（K〇12g(〇 016nimol)之單 (修正頁）314530 80 1277617 體A-2與0.30g(1.9mmol)之2,2’-聯吡啶裝入反應容器後， 反應系中再充入氮氣取代。其内再加入20ml預先經氬氣 循壞並脫氣之四氫D比喃（脫水2 液中加入〇.54g(l .9mmol)之雙（1，5-環辛二烯）化鎳（〇價）， 並於60°C下反應3小時。此反應在氮氣下進行。反應後再 將該溶液冷卻’再倒入50ml之25%氨水i〇ml/甲醇12〇ml/ 離子交換水50ml之混合溶液中，並攪拌約1小時。其次， 過濾、回收其中生成之沉澱。再以乙醇洗淨該沉澱，並經 減壓乾2小時。該沉澱再以30ml甲苯溶解，再加入3〇ml 之IN鹽酸並加以攪拌，去除水層之有機層中再加入3〇mi 之4%氨水經攪拌丨小時後去除其水層。再於有機層中滴 入1漏之甲醇並攪拌】小時，過濾其析出之沉澱後減壓 乾燥2小時，再以3〇mi甲苯溶解。之後，再經氧化鋁管 柱（氧化鋁量為20g)精製，於回收之甲苯溶液中滴入i5〇mi 之甲醇並攪拌i小時，再過濾其析出之沉澱，經減麼乾燥 2小時。所得共聚物之生成量為〇14g。 该共聚物換算成聚苯乙烯之數量平均分子 10 ，換算成聚苯乙烤之重量平均分子量為3·9χ/〇5。 <錯合物Β之合成> (1-溴-3-三氟甲基磺醯氧基苯之合成） 咬、^氣下將Wg之漠化紛、12.8§之4.二甲基口比 m之-乳甲烷裝入四口蒸餾瓶中。再於冰浴 郃’並於約i小日卑中脾^ τ 肝之一田"中將3〇ml經冰浴之24々三氟甲烧石黃酸 狀一乳甲烧溶液滴入。待其自然升溫至室溫後，再於室 (修正本）314530 81 1277617 溫下反應5小時。其反應餘物再充入矽膠管柱中，經甲苯 沖提。其過濾液經濃縮後即得20.4g含1-溴-3-三I甲基石黃 醯氧基苯之混合物。 (1-溴- 3·(2-噻吩基）苯之合成） 在氬氣下將2.2g之溴化鋰裝於四口蒸餾瓶中，在減壓 下加熱乾燥。其次，再於氬氣下加入丨0ml二乙醚。再加 入9.9g含1-溴-3-三氟甲基磺醯氧基苯之混合物、〇.72g之 一氯化[1，2-雙（二苯基膦基）乙烧]她（2價），經冰浴冷卻。 於冰洛下’在約1 0分鐘中滴入45ml依照定法調整完成之 演化-2-噻吩基鎂（37.5mmol)之二乙醚溶液，再經反應6小 時。其反應餘物再經矽膠以氣仿展開。該濾液經濃縮後即 得其反應混合物。再經矽膠管柱（展開溶劑··環己烷/甲苯 = 40/1)精製，即得i.96g含1-溴-3-(2-噻吩基）苯之混合物。 (N-3-(2_噻吩基）苯基咔唑之合成） 在氬氣下將l.Og之咔唑、L75g含1-溴-3-(2-噻吩基） 本之’匕合物、0.08g參（二苯亞曱基丙酮）二|巴（〇價）、 第三丁醇鈉、5ml曱苯、〇.〇6g三（第三丁基）膦裝入容器中， 並升溫至100°C。再於l〇〇°c下反應9小時。之後追加〇 04g 之參（二苯亞甲基丙酮）二鈀（〇價）、0·03§之第三丁醇鈉， 於100 C下再反應8小時。之後於反應餘物中加入1〇〇ml 曱苯，並以3 0ml之離子交換水洗淨2次，再使其分層。 其有機層經脫水酸鈉乾燥後，再過濾、濃縮，即得其反應 混合物。再經矽膠管柱（展開溶劑··環己烷/甲苯^6/丨）精製， 即得1.61g之N-3-(2-噻吩基）苯基咔唑。 (修正本）314530 82 1277617 lc/ms :依 APCI 法[m+h]+=326 (配位基B之合成） 在氬氣下將Ν·3-(2_噻吩基）笨基咔唑（2.5mm〇1， g) 一乙醚95(5mi)裝於四口蒸餾瓶中。再以甲醇/冰 P於約5 /刀釦中將正丁烷鋰（1.6M己烷溶液）（2.3ml) 滴=。之後使其自然升溫至室溫，再㈣1()分鐘後於約5 分麵中將2-就吼,定（2.5mm。卜〇24g)之二乙⑽液 滴入後，回流2小時。經自然冷卻至室温後，加入2〇〇mi 之甲苯' 50ml之離子交換水並使其分層，其有機層經脫水 I鈉乾| ’再過濾、濃縮’即得其反應混合物。再經矽 膠管柱（展開溶劑：環己院/甲笨，）精製，即得〇16§之 配位基B。 'H-NMR (3 0 0MHz, CDC 1 3) 58 (1H, d)、8· 16 (2H，d)、7 8 9 (ih，brs)' 7. 76 (1H，d)、7. 70 〜7· 14 (13H，m)
(錯合物B之合成） 加入上述中所合成之配位基B57.3mg、17.4mg之乙酸 (修正本）314530 83 1277617 乙酸銀（3價）、l〇ml之甘油醇，並充入氬氣。於1小時内 升/皿至200 C ’並保溫8小時。放置至室溫後加a in之鹽 酸水溶液（3〇ml)，過濾其析出物。該析出物再以少量之二 氯甲烷溶解，再經矽膠管柱（溶出液：氯曱烷）過濾。濃縮 其中所得之溶液，即得l3 7mg之淡橙色結晶。經測定 FD/MS 之結果，可測得錯合物B分子之波峰。 FD/MS : 1397[M+]
<錯合物C之合成> (N-乙基-3-溴化咔唑） 在一充入氬氣之三角瓶中將5.00g之N-乙基咔唑溶解 於130ml脫水DMF中。該溶液冷卻至〇。〇，並於3小時中 分5次加入4.60g之N-溴化琥珀醯亞胺。再升溫至室溫後 攪拌12小時，將其倒入冰水中並過濾之。其餘物中再加入 水、甲醇洗淨，再減壓乾燥後即得6.28g之粗生成物。經 矽膠管柱層析（展開溶劑：含0.1%三乙胺之環己烷）精製， 即得5.6 8g之N-乙基-3-溴化咔唑。 84 (修正頁）314530 1277617 :H — NMR (3 0 0MHz、CDC13) (58· 17(1 H、brs)、8.01(1 H、dd)、7. 50(1H dd )、7· 46 (1H、d)、7· 35 (1H、d)、7· 24 〜7· 17 (2H 、m)、4· 2 6 (2H、q)、l· 3 9 (3H、t) MS(APCI、psitive) ‘ m/z : 2 7 4、2 7 6 [M + H] + (N·乙基-3-(3-三氟曱烷磺醯氧基苯基）咔唑） 在一經火燄乾燥、充入氬氣之修蘭可蒸餾瓶中將丨· 之N-乙基-3-溴化咔唑溶於3.2ml脫水乙醚中。該溶液在冷 卻至-78°C後於其中滴入2.4ml之正丁鋰（2·64M己燒溶 液）。升溫至〇°C後攪拌1小時，再冷卻至_78°c，並滴入由 〇.4g鎂及〇.8g之l，2-二溴乙烷所調製之溴化鎂之乙醚溶 液。升溫至室溫攪拌1 2小時後，反應溶液中再滴入由〇.28g 之溴化鋰、0.82g之3-三氟甲烷硫醚溴化苯、〇.〇9g之二氯 [1，3-雙（二苯基膦）丙烷]化鈀（2價）懸浮於2ml脫水二乙醚 並冷部至0 C之溶液。經攪拌7小時後，再滴入2〇mi之水 並使其分層。其水相經甲苯萃取2次，合併水相後以水、 飽合食鹽水洗淨後濃縮之，即得L61g之粗生成物。再經 矽膠管柱層析（展開溶劑己烷：乙酸乙酯=25 :丨）精製，即 付0.33g之N -乙基- 3- (3 -溴苯基）D卡σ坐。 iH-NMR (CDC13、3 0 0MHz) δ8· 28 (1H、brs)、8· 17 (1H、dd)、7· 86 (1H、br s)、7· 68 〜7· 61 (2H、m)、7. 52 〜7· 16 (6H、m)、4 • 3 9 (2H、q)、i· 4 5 (3H、t) * MS (APCI、psitive) m/z : 3 5 0、3 5 2 [M + H] + 85 (修正本）314530 1277617 (配位基c之合成） 在一經火談乾燥、充入氬氣之修蘭可蒸餾瓶中將〇.3〇g 之N-乙基-3-(3->臭化苯基）卩卡ϋ坐溶於〇.9mi脫水二乙醚中， 並冷卻至-78°C。該溶液中在滴入〇·4πιΐ之正丁鋰（2 64M己 烷溶液）後升溫至- l〇°C，經攪拌1小時後再冷卻至_78°C。 該溶液中再滴入由0.08g之2-氟化吡啶溶於〇.9ml脫水二 乙醚之溶液。在緩緩升溫至室溫後再攪拌1 2小時，加入 5ml之水並使其分層。其水相經5ml之曱苯萃取3次，合 併有機相後濃縮之，即得（K39g之粗生成物。 MS(APCI、positive) m/z : 349[M+H] +
(錯合物C之合成） 依照上述合成 位基B，即可人> 上述合成錯合物B之方法，惟以配位基C取代配 即可合成錯合物C。 86 (修正本）314530 1277617
<發光強度之測定> 取上述中所合成之高分子發光體A之〇.2wtG/c>氯仿溶 液以旋鍍法在石英上製成薄膜。再以螢光分光光度計 (JOBIN YVON/ SPEX公司製造之FL3-221 TAU螢光分光
光度計）測定該薄膜之發光頻譜。發光強度之計算是以 3 5〇nm光激發時之發光頻譜，以其波數為橫軸之 得之發光頻譜面積除以350nm下之吸光度， J , 之相對值。其測定之結果如以下所示。“發光強度 發光強度 (修正本）314530 87

Claims (1)

1277617 第92106272號專利中請案 申請專利範圍修正本 (95年9月22曰 1 · 一種金屬錯合物，其特徵為具有呈現源自三重激發態之 發光之金屬錯合物構造，以及有如下述式及所示 之1價基
(式中之A表單鍵或共軛2價基；R1及R2各自獨立， 表示齒素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基 碎烧基、方基、芳氧基、方硫基、芳胺基、芳基碎烧基、 芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳 基烷基矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基 烯基、芳基炔基、氰基、或1價雜環基；R3為烷基、芳 基、芳基烧基、芳基沐基、方基炔基、或1價雜壞基’ a為0至3之整數；b為〇至4之整數；a為2以上之場 合’其複數之r1可相同或不同；1)為2以上之場合’其 複數之R2可相同或不同） 1 (修正本）314530 (2)1277617
(式中之D表單鍵或共軛2價基；R4及R5各自獨立，
表示鹵素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基 矽烧基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、 芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳 基烷基矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基 烯基、芳基炔基、It基、或i價雜環基；c、d各自獨 立’表不0至4整數；。為2以上之場合，其複數之r4 可相同或不同’d為2以上之場合，其複數之r5可相同 或不同）。 2· —種錯合物，其特徵為 = ^ 下述式⑺所示， 不自-重激發悲之發光且如 L2 (3) (式中之Μ1表原子序5〇以 之互相作用而原子中，可因自旋軌$ 在本錯合物中發生單態盥— 間交替之金屬；τ 1主 /、一重恶間之悲 L2表㈣i個以上^ Γ列式（4)或式（5)所*之配位基； 口 M上之氮原子、氧原；山 及/或磷原子與M鍵处 ^ 、杈原子、硫原3 殊、、之配位基，芬 子；1表1至3之整 及齒素原子或氫原 ，瓜、〇至3之整數；1為2以J (修正本）314530 2 1277617 之場合，複數之L1町相同或不同；m為2以上之場合， 複數之L2可相同或不同；1+111表2至6之整數）
、氧原子、碳原子、 j個A鍵結之配位基 至r3及a及b各與
(式中之Ar1表經1個以上之氮原子 硫原子及/或磷原子與M1鍵結且與 之殘基；j表1至3之整數；A'R1 上述式（1)中者相同）
(5) (式中之Ar2表經1個以上之氣 { 上之鼠原子、氧原子、碳原子、 硫原子及/或磷原子與Μι锺处 鍵結且與k個D鍵結之配位基 之殘基；k表1至3之整赵·η 5 正歎，0、尺4、115、（：及（！各盥上 述式（2)中者相同）。 〃 3·如申請專利範圍第2項 ^ 喝之錯合物，其中，L1為上述式（4) 所示之配位基者。 4.如申請專利範圍第2 、之錯合物，其中，L1為上述式（5) 所不之配位基，且其从 u為共軛2價基者。 5·如申請專利範圍第2項 、之錯合物，其中，L1為經至少1 (修正本）314530 3 1277617 個氮原子及/或至少1個碳原子與…鍵結者。 6·如申請專利範圍第5項之錯合物，其中，Ll為多齒配位 基者。 7·如申請專利範圍第2項之錯合物，其中，A—及為 下述式（6)或（7)所示之1價2齒配位基者
(式中R6至R"各自獨立 基烧氧基、烧硫基、烧胺基、烧基石夕烧基、芳基、芳 氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、芳基烷基、芳基 炫氧基、芳基烧硫j 醯基、醯氧基 氰基、1價雜、_ R6至R13中至少一^ 芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基烷基矽烷基、
雜土、 ％丄地叭【。取式（2)中所示之基； 至少一者為上述式（1)或式（2)中所示之基） R14 R15
至R 各自獨立，表 、烧硫基、烧胺基、 (式中之E1表氧原子或硫原子；R〗4至 不氫原子、鹵素原子、烷基、烷氧基、 (修正本）314530 4 1277617 烷基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽 烷基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺 基、芳基烷基矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、 芳基烯基、芳基炔基、氰基、丨價雜環基、或上述式〇) 或式（2)中所示之基；Ri4至中至少一者為上述式⑴ 或式（2)中所示之基）。 8·如申請專利範圍第2項之錯合物，其中，Ml為銀原子、 白金原子、金原子或銪原子者。 ( 9. 一種有機電場發光元件，其特徵為在陽極及陰極所構成 之電極間，含由申請專利範圍第2纟8項中任一項之錯 合物所形成之層者。 10·-種高分子化合物’其係—種高分子發光體而在其主 鏈或刀枝鏈具有呈現源自三重激發態之發光之金屬錯 口物構k ’且具有上述式⑴或⑺所示之i價基者。 11.如申請專利範圍第1G項之高分子化合物，#具有下列 式W' (9)及(10)所示之反複單位且具有可見光範圍< 之磷光者
(式中之M2表原子床 序50以上之原子中，可因自旋執道 之相互作用而在太^^人 畏本錯合物中發生單態與三重態間之態 間交換之金屬；L3本了 表下列式（12)或（13)所示之配位基； 5 (修正本）314530 Ϊ277617 L表經由1個以上之氮原子、氧原子、碳原子、硫原子 及/或磷原子與M2鍵結之配位基、鹵素原子或氫原子； 6表1至3之整數；£表〇至3之整數；l5表經由1個 以上之氮原子、氧原子、碳原子、硫原子及/或磷原子 與Μ鍵結之配位基，且經由二鍵與二個反複單位共價 鍵結；e為2以上之場合，複數之l3可相同或不同；f 為2以上之場合，複數之L4可相同或不同；e + f為1至 5之整數） 1
(12) (式中之Ar4表經由1個以上之氮原子、氧原子、碳原 子、硫原子及/或磷原子與M2鍵結且與〇個A鍵結之配 位基之殘基；〇表1至3整數；A'R1至R3、a&b各 與上述式（1)中者相同）
(13) (式中之Ar5表經由1個以上之氮原子、氧原子、碳原 子、硫原子及/或磷原子與M2鍵結，且與p個D共價鍵 結之配位基之殘基；p表1至3整數；D、R4、、c (修正本）314530 6 1277617 及d各與上述式（2)中者相同） •L6 L7-
h 叹L· 各自獨立，表示經由！個以上之氮原子、氧原子、碳原丨 子、硫原子及/或磷原子與M2鍵結之配位基，且L6及 L7各經由一鍵與相接之一反複單位形成共價鍵丨呂表工 至3之整數，^ 〇至3之整數；“ 2以上時，複數 之L3可相同或不同；…以上時，複數之。可相同 或不同；g+h為1至4之整數） -Ar3-
(10) A 3 ^及f各與上述式（8)中者相同； &表3價之芳族基或3價之雜環基表經由"固以 上鼠原子、氧原子、碳原子、硫原子及/或磷原子與Μ 鍵結之配位基’且L'經由一鍵與Ar3共價鍵結旬。 .如申請專利範圍第10項之高分子化合物其中，高分 子末端具有下述式⑼所示構造，且可發/可見光二刀圍 (修正本）314530 7 12 1277617 之磷光者 (ii) (式中之]Vi2、L3、L4、e及f各盍 τ9 # ^ 谷與上述式（8)中者相同； L表經由1個以上之氮原子、轰 « / ,. ， 乳原子、碳原子、硫原子 及/或磷原子與M2鍵結之配位其 〇 Q I .y 位基，且L9經一鍵與高分 子末端形成共價鍵結）。 1 3 ·如申請專利範圍第i 〇項之高 八1k A 刀子化合物，其中，該高 刀子化a物具有呈現源自三重激 人此说 夏激發怨之發光之金屬錯 7物構造’ a在該金屬錯合物構造外之反複構造單位 上’另有上述式⑴或式⑺所示之Uf基者。 今·如申請專利範圍第項 固乐項之呵分子化合物，其中，主鏈 為共軛高分子者。 15.如申請專利範圍帛㈣之高分子化合物，#中，另含< 有下述式（14)所示之反複單位者 (14) "Ar6-(cR20=CR214- / η 弋中之Γ表伸芳基或2價雜環基；R2〇及各自獨 f表不氫原子、烷基、芳基、芳基烷基、芳基稀基、 芳2 1土炔基1饧雜環基或氰基；Ar0上之取代基、R2G及 中之至夕一者為上述式（1)或式（2)所示之基；n表〇 或1)。 (修正本）314530 8 1277617 16 17 18 •如申請專利範圍第1〇項之高分子化合物，其中，該呈 現源自三重激發態之發光之金屬錯合物部份之配位基 中’至少一個係經由氮原子及/或碳原子與金屬鍵結。 •如申請專利範圍第10項之高分子化合物，其中，該呈 現源自二重激發態之發光之金屬錯合物部份之配位基 中’至少一個為多齒配位基。 •如申請專利範圍第10項之高分子化合物，其中，該呈 現源自三重激發態之發光之金屬錯合物部份之配位基_ 中’至少一個為下列式（15)或式（16)所示之配位基
(式中之R至R29各自獨立，表示氫原子、鹵素原子、 烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、烷基矽烷基、芳基、鲁 芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽烷基、芳基烷基、芳 基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺基、芳基烷基矽烷基、 醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳基烯基、芳基炔基、 氰基、及1價雜環基；且R22至R29中之至少一者為與 主鏈或侧鏈鍵結之鍵）； 9 (修正本）314530 (16) (16)1277617
(式中之E2為氧原子或硫原子；至R35各自獨立，表 示氫原子、_素原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、 I 烧基矽烷基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳基矽 院基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烷胺 基、芳基烧基矽烧基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、 芳基烯基、芳基炔基、氰基或1價雜環基；r3〇至R35 中之至少一者為與主鍵或側鍵鍵結之鍵）。 如申喷專利範圍第10至18項中任一項之高分子化合 =，其中，該呈現源自三重激發態之發光之金屬錯合物 部份之中心金屬為銥原子、白金原子、金原子或销原子 者。 4 20:種有機電場發光元件，其特徵為在陽極及陰極所構成 ^極間具有含t請專利範圍第1()至19射任一項之 向分子化合物之層。 、 (修正本）314530 10
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