TWI276397B - EMI-shielding assembly and method for the manufacture of same - Google Patents

Description

1276397 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 置之電磁波屏敝組件及其製造方 本發明係有關一種用於攜帶式電子裝 法。 【先前技術】 在許錢帶式電子裝置巾，如行動電話中，為防止某些電子^件產生 ^電磁波對内部臨近電子元件之干擾，通常在需要屏蔽的電子元件周圍藉 由k接金屬外殼或金屬化塑膠外殼來實現屏蔽電磁;皮。焊接金屬外殼^ 增加了行動電關重量及成本，這顏不符合行動電話日益小型化^潮 ^因此解紐元件在其讎基縣面驗—層金屬層或在印數電路板 基體局部魏-層金屬屏蔽層，以屏蔽對電磁波比較敏感的電子元件或植 件。然而，一般的水電鍍使鍍層與基體結合不夠牢靠。而且，對於形狀不 規則或形狀較複雜的塑膠基體經常會出現電鍍不均句的現象，導致電磁波 屏蔽性能降低，影響電子元件的正常運行。 【發明内容】 —本發明之目的在於提供一種電磁波屏蔽組件，該電磁波屏蔽組件之屏 蔽層厚度均勻，而且屏蔽層與電磁波屏蔽組件之基體結合牢靠。 本發明之另一目的在於提供一種電磁波屏蔽組件之製造方法，該方法 可使不，形狀的電磁波屏蔽組件之基體獲得均勻致密的電磁波屏蔽層。 為實現上述發明之目的，本發明電磁波屏蔽組件之製造方法包括以下 步驟：首先對基體進行預處理，對預處理過的基體進行離子鍍膜，鍍上一 層黏附層鎳。對鍍有鎳層的基體再次進行離子鍍膜，在基體鎳層薄膜表面 鍍上一層金屬屏蔽層銅。最後，為增加該處理過的電磁波屏蔽組件之耐磨 防蝕性能，用離子鍍方法使其鍍上一層耐磨防蝕層，如不鏽鋼。為取得更 好的屏蔽性能，可以對該基體鍍上多層交替的黏附層及金屬屏蔽層。 相較習知之電磁波屏蔽組件及製造方法，本發明電磁波屏蔽組件因藉 ，離子鍍方法多次鍍膜，使該電磁波屏蔽組件獲得均勻、致密的電磁波屏 蔽層，而且基體與電磁波屏蔽層結合牢靠。因為離子鍍方法具有繞射性好 之特點，所以適宜製造不同形狀的電磁波屏蔽組件。 【實施方式】 請參閱第一圖所示，離子鍍膜裝置由真空室1、真空機組2及電子搶3 1276397 組成。真空機組2設於真空室1之麻j 設於真”丨之左碰，㈣發射高能_可子職工室1 «空。電子搶3 在直ίί 乍架&在真空室1右側壁開設有進氣孔1〇。 在具工至1之底部，又置有陽極_ 15、16。另 ΐΐϋ41| °基體41由常用的塑膠材料，如聚碳酸醋加卫而成。坩^ 15 及綱16則分別容置不同金屬原材料，如錄17及銅18。成掛尚15 組件^圖及第，下祕仔緒述本發日㈣磁波屏蔽 纽41離子鍍金屬屏蔽層之前，需要對基體41進行預處理。首 =;Γ再入=二，欠r水沖洗、蒸配 錢制x 基體進魏水處理並吹乾。最後將吹乾 後的基體41放入烘烤爐内烘乾，烘烤溫度不高於8〇t。 +將裝人真空室1内’搁置於旋轉工作架12上進行氧氣 电水Μ洗。此柃，真空室内之真空度為1〇-ι〜1〇·2托(丁〇ιτ)。由進氣孔1〇以 200 2000SCCM(Standard Cubic Centimeter per Minute，標準立方厘乎备八户、 的速度通人減，並錄體41爲加丨〜3千伏的貞緒喊生輝H刀電鐘) 乳氣被輝光放電電離成氧離子，並在施加於基體41上的貪高壓電場的加速 下飛向基體41，對基體41表面進行離子轟擊清洗，上述過程持續12〜2〇 分鐘。 、 氧氣電漿清洗完畢後，停止通入氧氣。啟動真空機組2對真空室i内 未反應氣體抽真空，同時並由進氣孔1〇通入適量惰性氣體如氬氣，以使真 空室1内保持惰性氣氛。五分鐘後，停止通入氬氣並關閉進氣孔1〇。繼^ 利用真空機組2對真空室1抽真空，使其達到真空度為ι〇-6〜ισ8托。、 此時’對基體41進行離子鍍膜處理，為增加金屬屏蔽層在基體41上 的黏著力，可在其上鍍一層黏附層如鎳或磷化鎳。施加5〇〜2〇〇伏特的偏壓 於基體41上。由電子搶14之钽管32中通入氬氣，保持通入氬氣流量為 20〜60SCCM和抽氣速率為70〜150SCCM，接通引燃電源，使鈕管32内產 生空心陰極放電，鈕管32被氬離子轟擊而溫度升高並發射大量熱電子。這 時接通主電源，就會形成低電壓、高電流密度的空心陰極等離子電子束。 該電子束之放電電壓維持在30〜60伏，放電電流為2〜300Α。電子束在聚焦 磁場和偏轉磁場的作用下射向陽極坩堝15，並由坩堝聚焦磁場聚焦後打在 1276397 ίϊ，15/0t金屬鎳17表面’使其炫化、蒸發。金屬·17表面之鎳原 ^穿過電子束向基體41遷移的過程中，與電子發生激烈的碰撞而電離 =成大量^能中性粒子，沉積於基體41表面形成鎳層薄膜42，厚度為门$ X〜10x10 #。由於在整個離子錢膜過程中，電離的正離子在基體^ =作用下及高能巾性粒子碰撞下，獨地轟擊基體q和膜層表面，清除 =不牢_原子和韻於表面的殘錢體分子，所以使膜_著力比較 強，艘膜也比較均勻、致密。 單又 然後，對鍍有錄層薄膜42的基體q進行離子鍍 面附著-層金屬屏蔽層銅。藉由同樣的方法，使離子源14 打到置㈣^6中的金屬銅18之表面，最終在基體41之錄層薄膜^ 面形，銅層薄膜43。銅層薄膜43之厚度為3χ1〇-7〜6χ1〇-7米。、、 ’為增加電磁波屏蔽組件表面之耐磨、防止腐姓，可選擇性地再 二錯由離子鍵方法使表面形成銅層_43的基體41附著—層耐磨防健 二如^ ^不鏽躺厚度在2XlG.8〜2議·8狀間。在整個離子鑛膜i 二尸：ΓΓ度要保雜於8GC。藉此方法製成的具有屏蔽電磁功能之電 磁波屏敝組件4結構如第三圖所示。 机^理解，上述電磁波屏肢件製造方法可以祕手機、筆記本電腦、 私蓉- =Ϊ(ΡΕ)Α^裝置之具屏蔽電磁波功能之印刷電路板、電磁波屏蔽外 二實現對安裝於電路板上的電子元件進行屏蔽。為得到更 呈古夕/·井蔽效果，上述方法亦可用於對基體41進行多層離子鏡，使1 膜屬屏蔽層。如在本實施例中，在離子鑛金屬銅結束後，停止錢 二t41冷卻5〜15分鐘，使其溫度低於80°c。然後，對鍍有銅層 賴=的基體4丨離子難，然後再離子_，最碰上耐磨防储44。 上』ilt ’本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以 限，二iff發明之較佳實施例，本發明之範圍並不以上述實施例為 比/、、”本紐藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化， 白應涵盍於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第圖係本發明製造電磁波屏蔽組件所用裝置之示意 圖。 ^ 第=圖係本發明製造電磁波屏蔽組件流程示意圖。 第三圖係本發明製造電磁波屏蔽組件結構示意圖。 1276397 【主要元件符號說明】 真空室 1 氣體入口 10 旋轉工作架 12 坩堝 15 坩堝 16 金屬鎳 17 金屬銅 18 真空機組 2 電子槍 3 電子槍鈕管 32 電磁波屏蔽組件 4 基體 41 鎳層薄膜 42 銅層薄膜 43 而才磨防#層 44

Claims (1)

127639^-T—Π 年卜月 > 日修(東说頁 . 十、申請專利範圍： 1·一種電磁波屏蔽組件之製造方法，包括以下步驟： (1) 首先對基體進行氧氣電漿處理，以清洗該基體； (2) 對電漿處理過的基體進行離子鍍膜，鍍上一層勘附層； ⑶對鍍有黏附層的基體再次進行離子鍍膜，鍍上—層^屬屏蔽層；及 (4)最後再對該鍍有金屬屏蔽層之基體鑛上一層耐磨防姓声。 2·如申請專利範圍第1項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，&中在製造過程 中電磁波屏蔽組件基體之溫度低於80°C。 八 3·如申請專利範圍第1項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中所述離子鍍 膜係在真空條件下進行，真空度為1〇-6〜10·8托(丁0〇：)。/、 又 4·如申請專利範圍第1項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中所述步驟 氧氣之流速為200〜2000標準立方厘米每分鐘。 ’、 ^ 5·如申請專利範圍第1項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中所述步驟 黏附層為鎳或磷化鎳。 μ 6·如申請專利範圍第1項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中所述步驟 金屬屏蔽層為銅。 7·如申請專利範圍第1項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中在步驟〇)結 束5〜15分鐘後，可選擇性地在金屬屏蔽層上離子鍍膜，鍍上一層黏附層7 鎳或磷化鎳。 8·如申請專利範圍第7項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中在鍍有鎳或 磷化鎳的表面，再離子鍍上一層銅層薄膜。 9·一種電磁波屏蔽組件之製造方法，包括以下步驟： (1)清洗基體； (2)對清洗過的基體進行離子鍍膜，鍍上一層黏附層；及 ⑶對鑛有黏附層的基體再次進行離子鍍膜，鍍上_層金屬屏蔽層。 10·如申請專利範圍第9項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中最後再對該 鑛有金屬屏蔽層之基體鍍上一層耐磨防蝕層。 以 11·=申請專利範圍第9項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中清洗基 採用氧氣電漿處理。 土 ’、 ’其中步驟(2)離 12·如申請專利範圍第9項所述電磁波屏蔽組件之製造方法 子鍍之黏附層為金屬鎳。 13·如申請專利範圍第9項所述電磁波屏蔽組件之製造方法，其中步驟⑶離 子鍍之金屬屏蔽層為金屬銅。 14.一種電磁波屏蔽組件，包括： 基體，係由塑膠材料制成； 附著於基體表面之黏附層； 附著於黏附層表面之金屬屏蔽層；及 附著於金屬屏蔽層表面之耐磨防蝕層。 15·如申睛專利乾圍第μ項所述電磁波屏蔽組件，其中所述黏附層為鎳層。 16.如申請專利範圍第14項所述電磁波屏蔽組件，其中所述黏附層為磷化鎳。 17·如申請專利範圍第15項或16項所述電磁波屏蔽組件，其中所述黏附層之 厚度為5χ10·9〜l〇xi(T9米。 18·如申請專利範圍第14項所述電磁波屏蔽組件，其中所述金屬屏蔽層為銅。 19·如申請專利範圍第18項所述電磁波屏蔽組件，其中所述鋼之厚声為 3xlCT7 〜6xl〇·7 米。 X 1276397 γ年(月α日修(更)正替換頁乂 _____ 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（二）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：

八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無