DE69317035T2

DE69317035T2 - Herstellungsverfahren eines Kunststoffformkörpers mit elektromagnetischer Abschirmung

Info

Publication number: DE69317035T2
Application number: DE69317035T
Authority: DE
Inventors: Akira Motoki; Yoichi Murayama
Original assignee: CHUGAI INGS CO
Current assignee: Cbc Co ltd Tokio/tokyo Jp; MURAYAMA YOICHI TOKIO/TOKYO JP
Priority date: 1992-11-09
Filing date: 1993-11-09
Publication date: 1998-06-10
Anticipated expiration: 2013-11-10
Also published as: EP0597670A1; DE69317035D1; EP0597670B1; US5462771A

Description

Gebiet der Erfindung

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines leistungsstarken, elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, der in der abschirmenden Wirkung für elektromagnetische Wellen von Vorrichtungen, wie Kommunikationsgeräte, Computer und Meßgeräte, ausgezeichnet ist, wobei das Verfahren einfach ist und eine kostengünstige Herstellung erlaubt.

STAND DER TECHNIK

Verschiedenste Konstruktionen für die Abschirmung elektromagnetischer Wellen wurden bislang für verschiedenste elektrische und elektronische Vorrichtungen und Kommunikationsgeräte übernommen. Als eine derartige Konstruktion ist ein Aufbau bekannt, bei dem ein dünner Film aus Kupfer, Nickel, Aluminium oder dergleichen auf der Oberfläche eines Kunststofformkörpers durch Auftragen eines leitfähigen Anstrichs, stromloses Abscheiden oder Filmbildung in Vakuum, angeordnet wird. Die vorstehend beschriebenen, üblichen Konstruktionen schließen Filmstrukturen ein, bereitgestellt durch:
1) Auftragen eines leitfähigen Anstrichs;
2) Vakuumabscheidung;
3) stromloses Abscheiden;
4) einseitiges stromloses Abscheiden.
Diese üblichen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörper sind jedoch nicht in einem ausreichend zufriedenstellenden Zustand, ungeachtet des Verfahrens und des Aufbaus und werfen viele Probleme auf.
Das Auftragen eines leitfähigen Anstrichs, der unter 1) vorstehend angeführt ist, liefert, obwohl kostengünstig, nur eine gering abschirmende Wirkung, insbesondere bei einer Frequenz von mindestens 500 MHz ist die Wirkung deutlich vermindert. Mit stromlosem Abscheiden, das vorstehend in 3) angeführt wurde, ist eine relativ zufriedenstellende abschirmende Wirkung erreichbar, jedoch kann der Oberflächenanstrich auf der äußeren Fläche nicht fortgelassen werden, was zu hohen Kosten führt. Unter 4) vorstehend angegebenes einseitiges stromloses Abscheiden ist nachteilig, da es ein sehr kompliziertes Verfahren und sehr hohe Kosten erfordert.
Ein durch Vakuumabscheidung 2) gebildeter Film weist das Merkmal eines aus der Gasphase gebildeten Films auf, so daß eine Weiterentwicklung erwartet wird. Derzeit gibt es jedoch die Tendenz zu elektrischen Schaltkreisen geringerer Größe und höherer Dichte, und es wird angenommen, daß es notwendig ist, einen Film aus Aluminium oder dergleichen in einer Dicke von 5 bis 10 µm herzustellen, um Abschirmungseigenschaften ähnlich zu jenen, die durch stromloses Abscheiden erreicht werden, zu erhalten.
In der durch diese Vakuumabscheidung erhältlichen Abschirmungskonstruktion führt eine Filmdicke von 5 µm oder darüber jedoch zu einem beträchtlichen Anwachsen der Säulenstruktur und trotz des aktuellen Erfordernisses einer Bleistifthärte von mindestens 2H ist es sehr schwierig, eine Festigkeit in diesem Maß zu erreichen.
Dieser Film kann einem Umweltverläßlichkeitstest, wie Feuchtigkeitsbeständigkeitstest (65ºC, 95% relative Luftfeuchtigkeit, 168 Stunden) und einem Feuchtigkeitsbeständigkeits-Wassersprühtest (gemäß JIS (Japanischer Industriestandard) Z2371; 5% NaCl-Lösung, 35ºC, acht Stunden Besprühen und 16 Stunden Anhalten; viermaliges Wiederholen dieses Zyklus) nicht widerstehen und die Bewertung des Hafttests (ASTM D- 3559-78) ist geringer als Klasse 3.
Außerdem ist ein im Vakuum abgeschiedener Aluminiumfilm mangelhaft, indem ein Oxidfilm (passivierte Schicht) an der Luft gebildet wird und dieser isolierende Film ermöglicht nur unzureichende Leitung an den Kontaktpunkten mit anderen Metallen, die für die Abschirmung erforderlich sind. Kontinuierlich einer Umgebung mit hohem Wassergehalt ausgesetzt, kann der übliche, im Vakuum abgeschiedene Aluminiumfilm außerdem aufgrund eines Batterieeffekts beschleunigter Korrosion unterliegen, wenn er mit einem anderen Metall, wie Kupfer oder Nickel, in Kontakt steht, wie im allgemeinen wiedergegeben durch MIL-F-15072 (EL) 1969K.
Neben Aluminium schließen denkbare Materialien für die Vakuumdampfabscheidung im Hinblick auf die abschirmenden Eigenschaften Gold, Silber, Kupfer, Nickel und Chrom ein. Gold und Silber sind jedoch für die Anwendung zu teuer.
Kupfer wird andererseits, obwohl es ausgezeichnete Leitfähigkeit aufweist und hinsichtlich der Kosten praktikabel ist, stark oxidiert, wenn es einem Hochtemperatur- und einem Test mit hoher Luftfeuchtigkeitsumgebung unterzogen wird, wodurch es rasch seine abschirmende Wirkung verliert. Da Kupfer keinen Oxidfilm als Passivierungsschicht bildet, wie Aluminium, findet starke Oxidationskorrosion statt.
Eine denkbare Maßnahme, um die Oxidation von Kupfer zu verhindern, ist die Beschichtung mit Nickel (Ni), Gold (Au) , Silber (Ag) oder Chrom (Cr). Wenn jedoch tatsächlich ein Film auf einem Kupferfilm durch Vakuumabscheidung gebildet wird, zeigt die Anwendung eines Feuchtigkeitsbeständigkeitstests (60ºC x 95% x 240 Stunden) eine geringe Haftkraft, wodurch sich somit die Nichtanwendbarkeit zeigt, obwohl die anfängliche Haftkraft zufriedenstellend ist.
Die Anwendung einer elektromagnetischen Abschirmung wird nun üblich, zusammen mit den Bemühungen, Formlinge mit dünner Wanddicke und geringerem Gewicht herzustellen. Mit der Verminderung der Dicke wird ein in der Festigkeit, thermischen Schockbeständigkeit und Biegsamkeit ausgezeichneter Film erforderlich. Übliche Filme liefern keine ausreichende Festigkeit und Biegsamkeit.

KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG

Die Erfindung wurde im Hinblick auf die vorstehend beschriebenen Umstände entwickelt, und es ist eine Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, der die bei üblichen elektromagnetische Wellen abschirmende Strukturen auftretenden Mängel löst, ausgezeichnet im Haftvermögen, in der Haltbarkeit, wasserbeständigkeit und in anderen Eigenschaften ist, auch in der Abschirmstruktur, während er günstige Eigenschaften eines in der Gasphase gebildeten Films zeigt, eine Verminderung der Dicke erlaubt und eine hohe Produktivität gestattet, bereitzustellen.
Insbesondere stellt die vorliegende Erfindung zur Lösung der vorstehend genannten Aufgaben die nachstehenden Herstellungsverfahren bereit:
1) Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, umfassend den Schritt der Bereitstellung einer leitfähigen Schicht, die mindestens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al, Cu, Ni, Cr und Sn, oder eine Legierung davon umfaßt, durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf der Oberfläche eines Kunststofformkörpers ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht.
2) Ein Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, umfassend den Schritt der Bereitstellung eines Mehrschichtfilms mit einem der vorstehend genannten Metalle oder einer Legierung davon.
3) Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, umfassend die Schritte Beschußbehandlung der Oberfläche eines Kunststoffformkörpers mit einem durch Hochf requenz angelegten Plasma, ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht und anschließend Bereitstellen einer einzelnen Schicht oder eines Mehrschichtfilms aus einem der Metalle oder einer Legierung davon.
Außerdem stellt die vorliegende Erfindung ein Herstellungsverfahren bereit, unter Verwendung einer wasserlöslichen Grundierung mit nachstehenden Merkmalen:
4) Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, das die Schritte umfaßt, Bereitstellung einer einen wasserlöslichen Anstrichstoff umfassenden Grundierungsschicht auf der Oberfläche eines einen Füllstoff enthaltenden Kunststofformkörpers, und
nach dem Trocknen desselben Bereitstellung einer leitfähigen Schicht, die mindestens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe Al, Cu, Ni, Cr und Sn, und Legierungen davon, umfaßt, durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in einem Vakuumge-
Die vorliegende Erfindung stellt auch ein praktischeres Verfahren zur Lösung der Probleme bereit, die im Ergebnis des Anhaftens von Gleitöl, das für Spritzformen auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers verwendet wird, auftritt.
5) Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, umfassend den Schritt vorheriges Waschen von Teilen der mit Formstiften oder Gleitkernen, an deren Oberfläche ein Gleitöl haftet, in Kontakt kommenden Oberfläche eines Kunststofformkörpers, unter Verwendung eines organischen Lösungsmittels, gefolgt von Beschuß der Oberfläche des Kunststofformkörpers mit einem Hochfrequenzplasma und anschließend Bereitstellen einer leitfähigen Schicht durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf der Oberfläche eines Kunststofformkörpers.
Somit wird ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststofformkörper mit ausgezeichneter elektromagnetische Wellen abschirmender Wirkung bereitgestellt, während er günstige Eigenschaften der Gasphasenabscheidung zeigt, Rohstoffeinsparung erlaubt, hohe Haftkraft aufweist, zufriedenstellende Korrosions-, Wasser- und Hitzebeständigkeit aufweist und ausgezeichnet in der Festigkeit sowie in der Biegsamkeit ist.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Figur 1 ist eine Kurve, die die Ergebnisse der Messungen elektromagnetischer Wellen nach dem Advantest-Verfahren von einem auf einer ABS (Acrylnitril-Butadien-Styrol-Copolymer) -Platte laminierten Cu-Sn-Film gemäß vorliegender Erfindung zeigt;
Figur 2 ist eine Kurve, die die Ergebnisse der Messungen elektromagnetischer Wellen nach dem Advantest-Verfahren von einem auf einer ABS/PC (Polycarbonat) -Probe laminierten Cu-Sn-Film zeigt;
Figur 3 ist eine Kurve, die die Ergebnisse der Messungen elektromagnetischer Wellen nach dem Advantest-Verfahren zeigt, eines Kupfer-plattierten Films zum Vergleich;
Figur 4 ist eine Elektronenmikrographie, die die Oberfläche eines ABS-Formkörpers nach Plasmabeschußbehandlung zeigt und
Figur 5 ist eine Elektronenmikrographie, die die Oberfläche zeigt, die nicht beschußbehandelt wurde.

BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG IM EINZELNEN

Die erfindungsgemäßen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörper schließen verschiedene Kunststofformkörper, die durch Spritzformen, Extrusionsformen und Gießen erhalten werden und Oberflächen-geformte Formkörper ein, und die Dicke der Einzelschicht oder des Mehrschichtfilms aus Al, Cu, Ni, Cr und Sn oder einer Legierung davon, die auf der Oberfläche bereitzustellen ist, wird in geeigneter Weise in Abhängigkeit vom besonderen Zweck und von der besonderen Verwendung ausgewählt.
Eine Filmdicke von 0,7 µm genügt für einen Formkörper für einen 16-bit-Laptop-PC-Computer und diese Dicke kann 3 µm oder größer für einen 32-bit-PC sein.
In der vorliegenden Erfindung ist es nicht erforderlich, den Kunststofformkörper vorher in üblicher Weise zu waschen. Formöl, wie ein Gleitmittel, das auf dem Formkörper abgeschieden ist, kann leicht durch die Oberflächenbeschußwirkung unter Verwendung eines durch Hochfrequenz angeregten Plasmas fortgewaschen werden. Es ist in keinem Fall notwendig, von Furon oder seiner Alternative zur Vermeidung von Zonenbruch abhängig zu sein.
Außerdem ist es in der vorliegenden Erfindung gewöhnlich nicht erforderlich, eine Grundierungsschicht auf der Oberfläche des Kunststofformlings bereitzustellen, von der man bislang annahm, daß sie vor der Vakuumabscheidung wesentlich sei. Die Grundierungsbeschichtung wurde zur Verbesserung der Kunststofformkörperoberfläche und einem Aluminiumfilm als unabdingbar angesehen. Für den erfindungsgemäßen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststoffkörper weist das Metall oder die Legierung davon jedoch eine ausreichende Haftkraft unter der die Oberfläche aufrauhenden Wirkung des Beschusses, hervorgerufen durch Hochfrequenz angeregtes Plasma und die Aktivierungsakkumulationswirkung, die durch angeregte lonenkeime hervorgerufen werden, auf. Auch für eine Dicke von über 3 µm ist es nicht erforderlich, eine Grundierungsschicht bereitzustellen.
Filmbildung durch Hochfrequenzplasma erfolgt beispielsweise in einer Vakuumkammer mit einem Vakuumgrad im Bereich 1 x 10&supmin;&sup4; bis 1 x 10&supmin;&sup5; Torr durch Plasmaanregung durch Einführung eines Inertgases, wie Argon, unter einem Partialdruck von etwa 1 x 10&supmin;&sup4; bis 1 x 10&supmin;³ Torr, hergestellt durch Anlegen einer Spannung aus einer Hochfrequenzquelle. Dies ist ein Niederdruck-Glühentladungsplasma. Das filmbildende Material, wie Al, Cu, Ni, Cr oder Sn, kann durch eine geeignete Maßnahme, wie Widerstandsheizung, Induktionsheizung, Bestrahlung mit Elektronenstrahl oder Hohlkathodenentladung verdampft werden. Diese Dampfteilchen werden durch Hochfrequenz angeregt, ionisiert und auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers zur Bildung eines Films abgeschieden.
Dieses durch Hochfrequenz angeregte Plasma kann geeigneterweise mit Hinweis auf den bisherigen Wissensstand angewendet werden.
Die Filmbildung ist entweder durch ein Batchverfahren oder durch ein kontinuierliches Verfahren möglich. Da die Wiedergewinnung leicht ist, kann er wiederverwendet werden.
Beispiele für die Filmbildung sind wie nachstehend:
(1) Ein Al-Film, gebildet durch ein durch Hochfreguenz angeregtes Plasma mit einer Filmdicke von 0,7 bis 5,
(2) Al- und Cu-Filme, gebildet durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma mit einer Dicke von 0,7 bis 5,
(3) ein Cu-Film, gebildet durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm, gefolgt von einem Sn-Film, gebildet durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma mit einer Dicke von 0,7 bis 2,0 µm;
(4) ein Cu-Film, gebildet durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm, gefolgt von einem Ni-Cr (50 bis 80 Gew.-% Ni und 50 bis 20 Gew.-% Cr)-Film, gebildet durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma mit einer Dicke von 0,05 bis 2,0 µm.
Für den in (4) vorstehend gezeigten Nickel-Chrom-Film ist die Anwesenheit von Chrom (Cr) bei einem vorgeschriebenen Verhältnis, wie vorstehend beschrieben, wesentlich. Filmbildung sollte durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma ohne Probleme bewirkt werden.
Bei der Verwendung des Verfahrens auf der Grundlage von durch Hochfrequenz angeregtem Plasma wird die Kupferoberfläche durch Plasma aktiviert und die Haftkraft mit dem Nikkel-Chrom-Film wird größtenteils verbessert, wodurch ein Ansteigen in der Adhäsion gestattet ist.
Wenn ein Film mit Nickel ohne Verwendung von Chrom gebildet wird, wird nicht nur leicht Abschälen an der Grenzfläche mit Kupfer verursacht, sondern es tritt auch an der Oberfläche des Nickels selbst eine gelbliche Verfärbung nach dem Umwelttest auf und das Auftreten von Rost ist unvermeidbar. Die Gefahr dieser Verfärbung wird durch die vorliegende Erfindung beseitigt.
Es ist nicht notwendig, anzuführen, daß ein derartiges, durch Hochfrequenz angeregtes Plasma geeigneterweise mit Hinweis auf den bekannten Wissensstand eingesetzt werden kann.
Zusätzlich zu vorstehend genannten Punkten (1) bis (4) stellt die vorliegende Erfindung nachstehende Ausführungsformen bereit:
(5) Einen Cu-Film, gebildet durch ein Hochfrequenzplasma mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm, gefolgt von einem Metall- oder Legierungsfilm, gebildet durch ein Hochfrequenzplasma mit einer Dicke von 0,05 bis 2,0 µm, in einer Atmosphäre eines organischen Gases;
(6) einen Cu-Film, gebildet durch ein Hochfrequenzplasma mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm, gefolgt von einem Film aus leitfähigem Oxid, der durch ein Hochfrequenzplasma gebildet wird, mit einer Dicke von 0,05 bis 2,0 µm;
(7) einen Cu-Film, gebildet durch ein Hochfrequenzplasma mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm, gefolgt von einem galvanisch abgeschiedenen Cu-Film mit einer Dicke von 10 bis 30 µm.
Auch in diesen Ausführungsformen ist es möglich, einen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörper mit ausgezeichneter Haftkraft, Härte, elektromagnetische Wellen abschirmender Wirkung und Produktivität herzustellen.
In der vorstehend genannten Ausführungsform (5), in der das Metall oder ein Legierungsfilm in einem organischen Gas gebildet wird, wird das Metall oder der Legierungsfilm, der eine Dicke von 0,05 bis 2,0 µm aufweist, in einer Atmosphäre eines organischen Gases dampfabgeschieden, gefolgt von Ausbildung des Kupferfilms, ähnlich zu dem durch Hochfrequenz angeregten Plasma. In diesem Fall können im wesentlichen die gleichen wie vorstehend angeführten Bedingungen übernommen werden.
Metalle und Legierungen, die durch Dampf abzuscheiden sind, schließen solche Metalle, wie Au, Ag, Ni, Cr, W, Zr, Sn und Co, und Legierungen davon ein. Durch Hochfrequenz angeregte Dampfabscheidung dieser Metalle oder Legierungen erfolgt in einer Atmosphäre eines organischen Gases. Das Gas für diese Atmosphäre wird in geeigneter Weise aus gesättigten oder ungesättigten Kohlenwasserstoffen, wie Methan, Ethan, Ethylen und Propylen und derartigen Substitutionsverbindungen, wie mit Hydroxy, Alkoxy und Carbonylen davon, ausgewählt.
Unter Verwendung eines dieser organischen Gase bilden das Metall oder die Legierung des organischen Gases einen strukturell komplizierten Mischfilm, der in bemerkenswerter Weise die Korrosionsbeständigkeit und die Hitzeschockbeständigkeit verbessert.
Die organische Gaskomponente kann gewöhnlich unter einem Partialdruck von etwa 1 x 10&supmin;&sup4; bis 1 x 10&supmin;² Torr eingeführt werden. Das Verhältnis dieser Komponente kann gemäß dem Anteil an Metall oder Legierung ausgewählt werden.
Bei den üblichen Filmen schält sich der Film auf Nikkel oder dergleichen auf dem Kupferfilm bei dem Umwelttest ab. Im Fall des durch Hochfrequenz angeregten Plasmaverfahrens der vorliegenden Erfindung gebildeten Films ist die Kupferoberfläche durch das Plasma aktiviert, was zu einer deutlichen Verbesserung in der Haftkraft zu einem Ansteigen der Haftfestigkeit führt. In der vorliegenden Erfindung ist außerdem die Korrosionsbeständigkeit bei einer Salzwasserbesprühung und in Schwefeldioxidgas ebenfalls verbessert. Somit wird ein Film hoher Beständigkeit für thermischen Schock erhältlich. Der Film hat ausreichende Festigkeit und Biegsamkeit.
Auch wenn ein Mehrschichtfilm aus einem leitfähigen Oxid, wie in (6) vorstehend angeführt, gebildet wird, wird ein leitfähiger Oxidfilm mit einer Dicke von 0,05 bis 2,0 µm dampfabgeschieden, gefolgt von der Bildung des Kupferfilms in ähnlicher Weise durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasna. Auch in diesem Fall können im wesentlichen dieselben Bedingungen wie vorstehend genannt übernommen werden.
Leitfähige Oxide, die in dem Film verwendet werden, schließen im allgemeinen Zinnoxid (SnO&sub2;) und Indium-Zinn-Oxid (ITO) ein. Gemeinsam mit Argon oder dergleichen kann ein reaktives Gas, wie Sauerstoffgas, in die Vakuumreaktionskammer eingeführt werden.
Bei Verwendung des durch Hochf requenz angeregten Plasmaverfahrens wird die Kupferoberfläche durch das Plasma aktiviert, was zu einer beträchtlichen Verbesserung des Haftvermögens mit dem leitfähigen Oxid und zu einem Anstieg in der Haftkraft führt. Außerdem ist die Gleichförmigkeit des Films auf der Kupferoberfläche mit einer zufriedenstellenden Abscheidung des leitfähigen Oxids gewährleistet und ein ausgezeichneter Schutz der Kupferoberfläche ist möglich.
Die Ausführung (7) der vorliegenden Erfindung unterscheidet sich von anderen Ausführungsformen, indem ein galvanischer Cu-Film zusammen mit dem Cu-Film, der durch Hochfrequenzplasma gebildet wird, abgeschieden wird. In diesem Fall wird ebenfalls ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststofformkörper mit guter Qualität erhalten.
Insbesondere wird ein Kupferfilm mit einer Dicke von 10 bis 30 µm durch Auftragen eines galvanisch abgeschiedenen Kupferfilms (Cu-Films), gebildet durch Plasmadampfabscheidung, bereitgestellt. Durch dieses galvanische Verfahren ist ein dicker Film leicht erhältlich.
Es ist in diesem Fall nicht möglich, ein direktes galvanisches Verfahren auf das Kunststoffobjekt anzuwenden, und auch wenn chemisches Plattieren angewendet wird, ist eine Verbesserung des Haftvermögens nicht zu erwarten.
Für das galvanische Plattieren können beliebige übliche bekannte Verfahren angewendet werden.
Zusätzlich kann ein Schutzfilm aus Ni (Nickel) oder dergleichen zur Verhinderung der Ausbildung einer Oxidschicht von Kupfer auf dem galvanisch abgeschiedenen Film bereitgestellt werden. Hinsichtlich der Haltbarkeit ist dieser Schutzfilm erwünscht. Der Film kann entweder galvanisch oder durch Gasphasen-Dampfabscheidung gebildet werden.
Die vorstehend genannten Verfahren zur Herstellung von elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpern erfordern keine Bereitstellung einer Grundierung, jedoch kann eine Grundierungsbehandlung in Abhängigkeit von der Art des den Kunststofformkörper ausmachenden Kunststoffmaterials wirksam sein. In diesem Fall sollte auch eine einmalige Behandlung angewendet werden, um die Merkmale des durch Hochfrequenzplasma gebildeten leitfähigen Films voll zu nutzen.
Insbesondere gibt es eine Tendenz zu einer weiteren Verkleinerung von Formkörpern, wie Gehäusen von elektronischen Geräten und ein Füllstoff, wie Glasfaser oder Kohlefaser, in vielen Fällen zusammen mit einem Formmaterial, wie Polycarbonat oder Polycarbonat ABS-Legierungsharz, wird zur Verbesserung der Festigkeit des Formkörpers beigemischt.
Im Fall eines Kunststofformkörpers, der einen solchen Füllstoff enthält, ist aufgrund des Auftretens einer Teilflächenschichtabschälung unter den Wirkungen der durch Einwirkung des Füllstoffs auf die Oberfläche des Kunststofformkörpers selbst aufgerauhten Oberfläche Abtrennen des Metallfilms im allgemeinen unvermeidbar, auch wenn der Film durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma gebildet wird.
Wenn ein Füllstoff zur Verbesserung des Formvermögens eingesetzt wird, ist, verglichen mit üblichem Formmaterial, eine hohe Menge an Metallseife, wie Zinkstearat enthalten, um ein besseres Formfließen des Harzes zu erreichen. Diese Komponente tritt auf die Oberfläche des Formkörpers aus (blutet aus), wodurch leicht Abschälen zwischen Metallfilm und Oberfläche des Formkörpers erfolgt.
Die Innenwand des Gehäuses für ein elektronisches Gerät ist in der Form komplizierter als die Außenwand, und kann daher mangelhafte Haftkraft im Ergebnis der Abscheidung eines Gleitmittels von den Extrusionsstiften oder Schrägstiften der Form, Imprägnierung der Oberflächenschichtteile der Form oder Abscheiden von kalter Schlacke nahe dem Austritt verursachen.
Unter diesen Umständen war es erwünscht, eine Grundierung bereitzustellen, wenn ein Hochleistungs-Abschirmfilm durch ein durch Hochf requenz angeregtes Plasma mit ausgezeichneten Eigenschaften als vorläufige Behandlung auf der Kunststoffoberfläche als Filmbildungsverfahren ausgeführt wird.
Andererseits weist jedoch die Innenwand des Kunststoffgehäuses eines elektronischen Geräts beispielsweise eine komplizierte Form auf, der einen Einsatz, eingepaßt, um die Leiterplatte und andere elektronische Komponenten zu befestigen, eine unterschnittene Form und eine Rippe aufweist, was zu beträchtlicher Formspannung führt. Wenn eine Grundierungsbeschichtung bereitgestellt wird, kann daher ein organisches Lösungsmittel, das in der Grundierungsbeschichtung enthalten ist, Risse hervorrufen oder die Kugelfallschlag-(Kupferkugel- Falltest)-Eigenschaften können, verglichen mit jenen, die keine Grundierungsschicht aufweisen, beträchtlich vermindert werden.
Um diese Mängel, hervorgerufen durch das organische Lösungsmittel, zu beseitigen, ist es denkbar, eine wasserlösliche Grundierung zu verwenden. Eine wasserlösliche Grundierung vermindert die Wasserbeständigkeit und die Dünnfilmeigenschaften, wenn das Wasser nicht ausreichend entfernt wird. Im Gegensatz zu einem Metallsubstrat ist es tatsächlich schwierig, einen Kunststofformkörper bei hoher Temperatur zu trocknen und somit eine ausreichende Entfernung von Wasser zu gewährleisten, so daß die Anwendung einer wasserlöslichen Grundierungsbeschichtung schwierig ist.
Im Hinblick auf die vorstehend beschriebenen Umstände stellt die vorliegende Erfindung einen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörper, hergestellt durch Bereitstellung einer Grundierungsschicht, umfassend einen wasserlöslichen Anstrichsstoff mit einer Dicke von 1 bis 30 µm auf der Oberfläche eines Kunststofformkörpers, und nach Niedertemperaturtrocknen bei einer Temperatur bis zu 100ºC, unter Bereitstellung eines Aluminiumfilms mit einer Dicke von 0,6 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in einer Vakuumkammer bereit. Dieses Verfahren stellt einen neuen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörper bereit, der die Mängel der üblichen elektromagnetische Wellenabschirmung überwindet, ausgezeichnet in solchen Eigenschaften, wie Haftvermögen, Haltbarkeit, Wasserbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Beständigkeit gegen thermischen Schock ist, während es ausgezeichnete Merkmale der Gasphasen- Filmbildung zeigt. Dieses Verfahren gestattet auch eine hohe Produktivität und das Erreichen ausgezeichneter Dünnfilmeigenschaften, auch für einen Kunststofformkörper, der einen Füllstoff enthält.
Die vorliegende Erfindung stellt auch einen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörper bereit, hergestellt durch Bereitstellen einer Grundierungsbeschichtung, umfassend einen wasserlöslichen Anstrichstoff mit einer Dicke von 1 bis 30 µm auf der Oberfläche eines Kunststofformkörpers, und nach Niedertemperaturtrocknen bei einer Temperatur von bis zu 100ºC, Bereitstellen eines Kupferfilms mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in einer Vakuumkammer und außerdem Bereitstellen eines korrosionsbeständigen Metall- oder Legierungsfilms mit einer Dicke von 0,05 bis 3,0 µm.
Diese elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörper schließen natürlich verschiedene Kunststoffformkörper, die durch Spritzformen, Extrusionsformen und Gießen erhältlich sind, und Formkörperoberflächen, die daraus gebildet worden sind, ein. Diese Formkörper können einen Füllstoff, wie Glasfasern oder Kohlefasern, in Abhängigkeit vom Verwendungszweck, enthalten.
Ein üblicherweise als Grundierungsbeschichtung verwendeter wasserlöslicher Anstrichstoff wird bei einer hohen Temperatur (höher als beispielsweise 150ºC) für ein Metallsubstrat, wie Eisenstahlplatte oder Aluminiumdruckguß, verwendet, womit gewährleistet wird, daß der Anstrichstoff ausreichend gehärtet wird. Er wird somit nicht nachteilig durch Feuchtigkeit beeinflußt. Für ein Kunststoffgehäuse ist es jedoch schwierig, Hochtemperaturtrocknen wie vorstehend beschrieben anzuwenden und im Ergebnis wird der in dem Grundierungsanstrich vorliegende Anteil an Feuchtigkeit Vakuum unterzogen, unter Verwendung der Dampfabscheidung, wodurch mangelhafte Haftung hervorgerufen werden kann.
Diese Unzweckmäßigkeit tritt jedoch nicht auf, wenn ein Film durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in einem Vakuum nach Niedertemperaturtrocknen bei einer Temperatur von bis zu 100ºC gebildet wird.
Dies ist wahrscheinlich auf die Tatsache zurückzuführen, daß die Wirkung des Oberflächenbeschusses durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma eine unerwartet ausgezeichnete Funktion übernimmt und ausgezeichnetes Haftvermögen erreicht.
Beispiele des wasserlöslichen Anstrichstoffs schließen im allgemeinen Acrylemulsions-Anstrichstoffe ein, jedoch ist der Anstrichstoff nicht darauf begrenzt. Die Grundierungsbeschichtung, die diesen wasserlöslichen Anstrichstoff umfaßt, sollte vorzugsweise eine Dicke von 1 bis 30 µm aufweisen, und das Niedertemperaturtrocknen sollte bei einer Temperatur von bis zu 100ºC, bevorzugter von 60 bis 85ºC, für einen Zeitraum von einigen zehn Minuten bis vier Stunden ausgeführt werden.
Ein Film mit einer Dicke unter 1 µm oder über 30 µm würde zu einer mangelhafteren Haftkraft führen.
Im Gegensatz zu der Grundierungsbeschichtung unter Verwendung eines organischen Lösungsmittels ruft dieser wasserlösliche Anstrichstoff keine Luftverschmutzung hervor, so daß seine Verwendung hinsichtlich der Umwelt bedeutend ist.
Filmbildung durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma kann wie in den vorstehend genannten Ausführungsformen durch Plasmaanregung, hervorgerufen durch die Einführung eines Inertgases, wie Argon oder Hehum, unter einem Partialdruck von etwa 1 x 10&supmin;&sup4; bis etwa 1 x 10&supmin;³ durch Anwenden einer Spannung von einer Hochfrequenz-Leistungsquelle in einem Vakuumbehälter mit einem Vakuumgrad von etwa 1 x 10&supmin;&sup4; bis 1 x 10&supmin;&sup5; Torr erfolgen. Dieses Plasma ist als HF-Niederspannungs- Glühentladungsplasma bekannt. Aluminium und Kupfer als filmbildende Materialien und ein korrosionsbeständiges Metall oder eine korrosionsbeständige Legierung können durch geeignete Maßnahmen, wie Widerstandsheizen, Induktionsheizen, Bestrahlen mit Elektronenstrahl oder Hohlkathodenentladung, verdampft werden. Diese Dampfteilchen sind durch Hochfrequenzanregung ionisiert und werden auf der Oberfläche des Kunststoffomlings oder dergleichen unter Filmbildung abgeschieden.
Anwendbare korrosionsbeständige Metalle oder Legierungen, die Dampf-abgeschieden werden sollen, schließen verschiedene Metalle, wie Au, Ag, Ni, Cr, W, Zr, Sn und Co, und Legierungen davon ein. Durch Hochfrequenz angeregte Dampfabscheidung dieser Metalle und Legierungen wird wie in der vorstehend genannten Ausführungsform (5) in einer Atmosphäre eines organischen Gases ausgeführt. Dieses Gas wird geeigneterweise ausgesucht und wird von gesättigten und ungesättigten Kohlenwasserstoffen, wie Methan, Ethan und Propylen, und substituierten Verbindungen davon, wie Hydroxy-, Alkoxy- und Carbonyl-substituierten Verbindungen, ausgewählt.
Unter der Wirkung des organischen Gases bilden das Metall oder die Legierung und das organische Gas einen strukturell sehr komplizierten Mischfilm, der die Korrosionsbeständigkeit und die Hitzeschockbeständigkeit stark verbessert.
Die organische Gaskomponente kann gewöhnlich mit einem Partialdruck von etwa 1 x 10&supmin;&sup4; bis 1 x 10&supmin;² Torr eingeführt werden. Das Verhältnis von organischer Gaskomponente kann im Hinblick auf den Anteil an Metall oder Legierung ausgewählt werden.
Obwohl bei den vorstehend genannten Umweltverfahren der Film aus Nickel oder dergleichen auf dem Kupferfilm bei einem Umwelttest abschält, wird für den mit Hochfrequenz angeregtem Plasma der vorliegenden Erfindung gebildeten Film die Kupferoberfläche durch das Plasma aktiviert, was die Haftkraft deutlich verbessert und zu einer höheren Haftkraft führt. In der vorliegenden Erfindung ist außerdem die Korrosionsbeständigkeit in Salzwasserbesprühung und in einem Schwefeldioxidgas deutlich verbessert. Ein gegen thermischen Schock beständiger Film wird ebenfalls bereitgestellt, der zufriedenstellende Festigkeit und Biegsamkeit aufweist.
Die Dicke eines Aluminiumfilms sollte innerhalb eines Bereiches von 0,6 bis 5,0 p,m hinsichtlich der Wirkung einer elektromagnetischen Abschirmung liegen und der Kupferfilm sollte eine Dicke von 0,7 bis 5,0 µm aufweisen. Das korrosionsbeständige Metall oder der Legierungsfilm sollte eine Dicke im Bereich von 0,05 bis 3,0 µm aufweisen.
Es ist nicht notwendig, anzuführen, daß das durch Hochfrequenz angeregte Plasma der vorliegenden Erfindung geeigneterweise durch bekannte Technologien ausgeführt werden kann.
Im Hinblick auf den Kunststofformkörper gibt es den Fall, bei dem ein Gleitöl durch das Spritzformen an dessen Oberfläche haftet.
In diesem Fall ist eine vorherige Waschbehandlung wie nachstehend vor dem Beschuß wirksamer.
Die Waschbehandlung umfaßt Waschen der Teile der Oberfläche, die mit den Formstiften und Gleitkernen an dem Gleitöl an der Oberfläche haftet, in Kontakt kommen, unter Verwendung eines organischen Lösungsmittels oder organischer Lösungsmittel.
Ein organisches Lösungsmittel mit niederem Siedepunkt oder ein Gemisch von organischen Lösungsmitteln davon wird vorzugsweise als Waschmittel verwendet.
Insbesondere wird vorzugsweise Aceton, Methanol, Ethanol, n-Hexan und Diethylether verwendet.
Die Erfindung wird nun im einzelnen mit Hinweis auf die Beispiele beschrieben.

BEISPIEL 1

Ein Aluminiumfilm wurde direkt durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma ohne Waschen und ohne Bilden einer Grundierungsschicht auf dem Gehäuse eines Autotelephons, hergestellt aus ABS-PC-Legierungsmaterial als Kunststoff-Spritzformkörper, gebildet.
In einem Vakuum von 8 x 10&supmin;&sup5; Torr in einer Vakuumkammer wurde Argon unter einem Partialdruck von 3 x 10&supmin;&sup4; Torr eingeführt und die Anregung von Aluminiumdampfteilchen und deren Abscheidung auf der Oberfläche des Kunststoff-Spritzformkörpers wurde durch Glimmentladung, hervorgerufen mit spiralförmigen Hochfrequenz-Anregungselektroden, bewirkt. Ein Film wurde gebildet, bis eine Aluminiumfilmdicke von 3 µm auf dem flachen Teil erreicht war.
Die abschirmende Wirkung für elektromagnetische Wellen des so erhaltenen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers wurde nach dem Advantest-Verfahren bestätigt und ist äquivalent zu jenem, erhalten durch stromloses Abscheiden in einer Dicke von 4 µm. Die Filmeigenschaften waren wie in Tabelle 1 gezeigt ausgezeichnet. Tabelle 1

BEISPIEL 2

Eine Injektions-Spritzformkörperprobe mit einem BS- Harz in den Abmessungen 200 x 300 mm mit einer Dicke von 3 mm wurde Plasmabeschuß direkt für zwei Minuten in einer Vakuumkammer ohne Waschen und ohne Bereitstellen einer Grundierungsschicht unterzogen und dann wurde ein 4 µm dicker Aluminiumfilm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma gebildet.
In diesem Beispiel wurde Aluminium durch einen Elektronenstrahl verdampft. Der erreichte Vakuumgrad war 5 x 10&supmin;&sup5; Torr und der Argon-Partialdruck war 4 x 10&supmin;&sup4; Torr.
Wie in Beispiel 1 wurde ein elektromagnetisch abschirmender Kunststofformkörper mit ausgezeichneten Eigenschaften erhalten.

BEISPIEL 3

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurde zunächst ein 1 µm dicker Kupferfilm gebildet und dann ein 2 µm dicker Aluminiumf ilm gebildet.
Das so erhaltene Produkt zeigte ausgezeichnete Eigenschaften. Die Ergebnisse des Eigenschaftstests sind in Tabelle 2 dargestellt. Tabelle 2
Es wurde ein elektromagnetisch abschirmender Kunststofformkörper erhalten, der in der elektromagnetisch abschirmenden Wirkung ausgezeichnet ist und wirksam, die Bildung eines Aluminiumfilms dicker als 3 µm gestattet und außerdem die Bildung von Aluminium- und Kupferfilmen ohne das Erfordernis zu waschen oder ohne eine Grundierungsschicht bereitzustellen, erlaubt und unter Beseitigung der Gefahr von Verunreinigungen durch Abfallflüssigkeiten oder Abgase.

VERGLEICHSBEISPIEL 1

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurde der Film durch Vakuumabscheidung anstelle von Hochfrequenzangeregtem Plasma gebildet.
Mit einem Aluminiumfilm mit einer Dicke von 5 µm zeigten die Ergebnisse nach dem Advantest-Verfahren, daß die elektromagnetische Wellen abschirmende Wirkung viel geringer ist als in Beispiel 1 und die Filmeigenschaften sind sehr viel geringer als sie im allgemeinen durch den Hafttest Klasse 2 wiedergegeben werden, mit einer Feuchtigkeitsbeständigkeit der Klasse 2 und einer Bleistifthärte von nur 1H.

VERGLEICHSBEISPIEL 2

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurde der Film durch Gleichspannungs (DC)-Entladungsplasma anstelle von mit Hochfrequenz angeregtem Plasma ausgeführt.
Mit einem Aluminiumfilm mit einer Dicke von 3 µm ist die elektromagnetische Wellen abschirmende Wirkung schlechter als jene von Beispiel 1, wobei sowohl Haftkraft, als auch Feuchtigkeitsbeständigkeit auf dem Niveau von Klasse 3 waren und die Bleistifthärte 2H betrug und die Ergebnisse des Salzbesprühungstests Klasse 3 waren.

VERGLEICHSBEISPIEL 3

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurde der Film durch Vakuumabscheidung während Elektronenbestrahlung gebildet.
Keine Verbesserung der Eigenschaften wurde beobachtet.

BEISPIEL 4

Ein Kupferfilm und ein Zinnfilm wurden direkt durch Hochfrequenz-angeregtes Plasma auf einer 150 x 150 x 3,0 mm ABS-Platte ohne Waschen und ohne Bereitstellen einer Grundierungsbeschichtung gebildet.
Insbesondere wurde in derselben Vakuumkammer mit einem erreichten Vakuumgrad von 3 x 10&supmin;&sup5; Torr Argon bei einem Partialdruck von 1 x 10&supmin;³ Torr eingeführt und die ABS-Platte wurde zehn Minuten in durch spiralförmige Hochfrequenz-Anregungselektroden (13,56 MHz erzeugtem Glimmentladungsplasma) für den Beschuß belassen. Anschließend wurde dann ein 0,6 µm dicker Kupferfilm unter 1 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
Das Plasma wurde dann zwei Minuten gehalten und sofort ein 0,1 µm dicker Zinnfilm unter 1,5 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
Der so erhaltene elektromagnetische Wellen abschirmende Kunststofformkörper zeigte ausgezeichnete Eigenschaften, wie in Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 3
Figur 1 erläutert die Ergebnisse der Messung von elektromagnetischen Wellen nach dem Advantest-Verfahren. Es wird aus diesen Ergebnissen klar, daß eine Abschirmungswirkung ähnlich zu jener, die mit einem stromlos abgeschiedenen (Cu)-Film mit einer Dicke von 1,3 µm, wie in Fig. 3 dargestellt, erhalten wird. In diesem Beispiel ergibt auch ein dünnerer Film von 0,6 µm für Cu und 0,1 µm für Sn eine zufriedenstellende Wirkung, wodurch Rohstoff eingespart wird.

BEISPIEL 5

Ein Film wurde durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma (13,56 MHz) direkt in einer Vakuumkammer auf eine 150 x 150 mm und 3 mm dicke Spritzformprobe, umfassend ABS/PC (50/50)-Harz, ohne Ausführen von Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht gebildet.
Mit einem erreichten Vakuumgrad von 3 x 10&supmin;&sup5; Torr wurde Argon eingeführt zu 1 x 10&supmin;³ Torr.
Das Plasma wurde zehn Minuten gehalten und sofort ein Film unter Vakuum von 1 x 10&supmin;&sup4; Torr in einer Dicke von 0,1 µm gebildet. Danach wurde das Plasma zwei Minuten gehalten und ein Zinnfilm von 0,2 µm wurde bei 1,5 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
In derselben Weise wie in Beispiel 4 wurde ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststofformkörper mit ausgezeichneten Eigenschaften erhalten.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 und Figur 2 dargestellt. Tabelle 4
Aus den in Fig. 2 dargestellten Ergebnissen wird ersichtlich (elektromagnetische Wellen wurden nach dem Advantest-Verfahren) gemessen, daß eine bessere abschirmende Wirkung erreichbar ist als mit einem 2 jim dicken, einseitig stromlos abgeschiedenen (Cu)-Film und mit einem 1 µm dicken, zweiseitig stromlos abgeschiedenen (Cu)-Film, wie in Fig. 3 dargestellt.

BEISPIEL 6

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 4 wurde ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststofformkörper mit ähnlichen ausgezeichneten Eigenschaften durch Verwendung eines ABS-Formkörpers (DIAPET 3001M) erhalten.
Die ausgezeichnete Haftstärke des Dünnfilms dieses Formkörpers wurde hinsichtlich der Wirkung von Oberflächenbeschuß, hervorgerufen durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma, bewertet. Fig. 4 ist eine Elektronenmikrographie, die eine durch Beschuß geätzte Oberfläche zeigt und Fig. 5,1 ist eine nicht durch Beschuß behandelte Oberfläche.
Wie aus Fig. 4 deutlich wird, wird die Oberfläche durch einen durch Hochfrequenz angeregten Plasmabeschuß geätzt und das Erreichen einer hohen Haftfestigkeit wurde durch den Ankereffekt des anhaftenden Dünnfilms bestätigt.

BEISPIEL 7

Ein Kupferfilm und ein Nickel-Chrom-Film wurden direkt durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf eine 150 x 150 x 3,0 mm ABS-Platte ohne Waschen und ohne Bereitstellen einer Grundierungsschicht gebildet.
Insbesondere wurde die ABS-Platte zehn Minuten zum Beschuß in einem durch spiralförmige Hochfrequenz-Anregungselektroden (13,56 MHz) erzeugtem Glimmplasma durch Einstellen des erreichten Vakuumgrads auf 2 x 10&supmin;&sup5; Torr und Einführen von Argon unter einem Partialdruck von 1 x 10&supmin;³ Torr gehalten und dann unmittelbar ein 0,6 µm dicker Kupferfilm unter 1,5 x 10&supmin;&sup4; Torr darauf gebildet.
Anschließend wurde das Plasma - zwei Minuten gehalten und sofort ein 0,1 µm dicker Nickel-Chrom-Film (Nickel/Chrom = 80/20) gebildet.
Der so erhaltene elektromagnetisch abschirmende Kunststofformkörper hatte die nachstehenden ausgezeichneten Eigenschaften wie in Tabelle 5 dargestellt.
Nach dem Umwelttest gab es weder Abschälen an der Grenzfläche zwischen Kupfer und Nickel-Chrom, noch eine Entfärbung auf der Oberfläche des Nickel-Chrom-Films.
Aus den Ergebnissen der Messung der elektromagnetischen Wellen nach dem Advantest-Verfahren wurde eine Abschirmwirkung fast äquivalent zu jener des 1,3 p,m dicken stromlos abgeschiedenen (Cu)-Films erhalten. Tabelle 5

BEISPIEL 8

Ein Film wurde durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma (13,56 MHz) direkt in einer Vakuumkammer auf einer 150 x 150 mm und 3 mm dickem spritzgeformten Probe, umfassend ABS/PC (50/50)-Harz, ohne Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungs schicht, gebildet.
Mit einem erreichten Vakuumgrad von 3 x 10&supmin;&sup5; Torr wurde Argon eingeleitet, so daß sich 1 x 10&supmin;³ Torr ergaben.
Das Plasma wurde zehn Minuten gehalten und dann sofort ein 1,0 µm dicker Kupferfilm unter 1 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet. Das Plasma wurde weiter zwei Minuten gehalten und ein 0,2 µm dicker Nickel-Chrom (Nickel:Chrom 50:50)-Film unter 1,5 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
In derselben Weise wie in Beispiel 7 wurde ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststofformkörper mit ausgezeichneten Eigenschaften erhalten.

BEISPIEL 9

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 7 wurde ein ABS-Formkörpers (DIAPET 3001M) Oberflächenbeschuß mit einem durch Hochfrequenz angeregten Plasma unterzogen und dann ein Kupferfilm und ein Nickel-Chrom-Film gebildet. Die Oberfläche wurde durch einen durch Hochfrequenz angeregten Plasmabeschuß geätzt und Erreichen einer hohen Haftstärke unter der Ankerwirkung des anhaftenden Dünnfilms wurde bestätigt.

VERGLEICHSBEISPIEL 4

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 7 wurden Legierungsfilme mit einem Nickel-Chrom-Verhältnis von 45:55 und 30:70 gebildet. Mikrorisse wurden bei einem Umwelttest gebildet und zeigten somit Abnahme in der abschirmenden Wirkung.

VERGLEICHSBEISPIEL 5

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 7 wurden SUS 301 und SUS 316 Stahlfilme anstelle der Nickel-Chrom- Filme gebildet. Aufgrund des eingemischten Eisens trat bei dem Umwelttest rotbrauner Rost auf.

VERGLEICHSBEISPIEL 6

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 7 wurde ein Nickelfilm anstelle des Nickel-Chrom-Films gebildet. Abschälen wurde an der Grenzfläche zwischen Nickel und Kupfer nach einem Umwelttest gebildet und die Nickeloberfläche war verfärbt.
Aus Beispielen 7 bis 9 geht hervor, daß es möglich ist, gemäß vorliegender Erfindung einen elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörper, der in der elektromagnetische Wellen abschirmenden Wirkung ausgezeichnet ist, zur Verfügung zu stellen, während er günstige Eigenschaften eines in der Gasphase abgeschiedenen Films zeigt, Einsparen von Rohstoffen gestattet, eine hohe Filmhaftfestigkeit zeigt und frei von Rostbildung während der Herstellung oder von Entfärbung ist, weder Waschen, noch eine Vorkehrung für eine Grundierung erfordert und die Gefahr der Verunreinigung durch Abfallflüssigkeit oder Abgase beseitigt.

BEISPIEL 10

Ein Kupferfilm und ein Nickelfilm wurden direkt durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf einer 150 x 150 x 3,0 mm ABS-Platte, ohne Waschen und ohne Bereitstellen einer Grundierung, gebildet.
Insbesondere wurden unter einem Vakuum von 3 x 10&supmin;&sup5; Torr Argon unter einem Partialdruck von 1 x 10&supmin;³ Torr in dieselbe Vakuumkammer eingeleitet. Glimmentladung, erzeugt durch spiralförmige Hochfrequenz-Anregungselektroden (13,56 MHz) wurde für zehn Minuten gehalten und dann sofort ein 0,6 µm dicker Kupferfiln unter 1 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
Der Film wurde dann zwei Minuten im Plasma gehalten und sofort ein 0,2 µm dicker Zinnfilm in einer Ethylenatmosphäre von 1,5 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
Der so erhaltene, elektromagnetische Wellen abschirmende Kunststofformkörper hatte ausgezeichnete Eigenschaften, wie in Tabelle 6 dargestellt.
Der erhaltene Kunststofformkörper in Form einer Platte 100 x 100 x 1 mm wurde auf eine Eisenplatte gelegt und eine 1-pound schwere Stahlkugel wurde aus einer Höhe von 1 m herabfallen lassen, wodurch auf dem Film Risse beobachtet wurden.
Auf einem Film, gebildet ohne Einführung von Ethylen, wurde die Herstellung vieler Risse im Ergebnis eines ähnlichen Tests beobachtet.
Die Ergebnisse der Messung der elektromagnetischen Wellen nach dem Advantest-Verfahren zeigt eine abschirmende Wirkung auffast demselben Niveau wie bei dem 1,3 µm dicken, stromlos abgeschiedenen (Cu)-Film. Tabelle 6

BEISPIEL 11

Ein Film wurde durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma (13,56 MHz) direkt in einer Vakuumkammer auf einer 150 x 150 mm und 3 mm dicken spritzgeformten Probe, umfassend ein ABS/PC (50/50)-Harz, ohne Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungs schicht, gebildet.
Beim erreichten Vakuumgrad von 3 x 10&supmin;&sup5; Torr wurde Argon zu 1 x 10&supmin;&sup4; Torr eingeführt.
Unmittelbar nach Halten in einem Plasma für zehn Minuten wurde ein 1,0 µm dicker Kupferfilm unter 1 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet. Nach Halten für weitere zwei Minuten wurde ein 0,2 µm dicker Nickel-Chrom-Legierungsfilm in einem Verhältnis von Ni zu Cr von 60:40 in einer Ethylenatmosphäre unter 1,5 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
In derselben Weise wie in Beispiel 12 wurde ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststoffkörper mit ausgezeichneten Eigenschaften erhalten.
Ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststoffkörper wird eingesetzt, der in elektromagnetisch abschirmender Wirkung ausgezeichnet ist, eine hohe Haftkraft aufweist und in der Korrosionsbeständigkeit ausgezeichnet ist und in der Hitzeschockbeständigkeit ausgezeichnet ist und sowohl in der Festigkeit als auch Biegsamkeit befriedigend ist.

BEISPIEL 12

Ein Kupferfilm und ein SnO&sub2;-Film wurden durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf der inneren Bodenfläche eines ABS-Behälter-Formkörpers mit den Innenabmessungen 50 x 50 x 50,1 ohne Waschen und ohne Bereitstellen einer Grundierungs schicht gebildet.
Insbesondere wurde in dieselbe Vakuumkammer, wenn der Vakuumgrad auf 3 x 10&supmin;&sup5; Torr gebracht wurde, Argon unter einem Partialdruck von 1 x 10&supmin;³ Torr eingeführt. Sofort nach Halten für zehn Minuten in dem durch spiralförmige Hochfrequenz-Anregungselektroden (13,56 MHz) erzeugten Glimmplasma wurde eine 1 µm dicke Kupferschicht unter 1 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
Anschließend wurde nach Halten des Plasmas für zwei Minuten ein 0,5 µm dicker ITO-Film unter einem Sauerstoffpartialdruck von 1,2 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
Der so erhaltene, elektromagnetische Wellen abschirmende Kunststofformkörper hatte ausgezeichnete Eigenschaften, wie in Tabelle 7 dargestellt.
Der SnO&sub2;-Film zeigte gute Haftkraft bei gleichmäßiger Dicke. Tabelle 7
Aus den Ergebnissen der Messung der elektromagnetischen Wellen nach dem Advantest-Verfahren wurde das Vorliegen derselben abschirmenden Wirkung wie bei dem 1,3 µm dicken stromlos abgeschiedenen Kupferfilm beobachtet. Auch mit einem dünnen SnO&sub2;-Film von 0,2 µm war die Wirkung zufriedenstellend und trägt somit zur Einsparung von Rohstoff bei.

BEISPIEL 13

Ein Film wurde durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma (13,56 MHz) direkt in einer Vakuumkammer auf einer 150 x 150 und 3 mm dickem spritzgeformten Probe, umfassend ein ABS/PC (50/50)-Harz, ohne Waschen und ohne Bereitstellen einer Grundierungs schicht, gebildet.
Das Vakuum wurde auf 3 x 10&supmin;&sup5; Torr gebracht und Argon wurde eingeführt, so daß 1 x 10&supmin;³ Torr erreicht wurden.
Sofort nach Halten im Plasma für zehn Minuten wurde ein 1,0 µm dicker Kupferfilm unter 1 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet. Anschließend wurde nach Halten des Plasmas für weitere zwei Minuten ein 0,2 µm dicker ITO-Film unter einem Sauerstoffpartialdruck von 1,5 x 10&supmin;³ Torr gebildet.
Wie in Beispiel 12 wurde ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststofformkörper mit ausgezeichneten Eigenschaften erhalten.

VERGLEICHSBEISPIEL 7

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 12 wurde ein 0,2 µm dicker Nickel (Ni)-Film anstelle von ITO gebildet.
Es wurde bestätigt, daß gelbes Verfärben an den Ecken der inneren Bodenfläche nach einem Salzbesprühtest auftrat. Dies ist auf die Oxidation von Kupfer zurückzuführen.

BEISPIEL 14

Ein Kupferfilm wurde direkt durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf dem Gehäuse eines Autotelephons, hergestellt aus einer ABS/PC-Legierung als Kunststoff-Spritzformgegenstand, ohne Waschen und ohne Bereitstellen einer Grundierungs schicht, gebildet.
Der erreichte Vakuumgrad wurde auf 5 x 10&supmin;&sup5; Torr gebracht und Argon wurde unter einem Partialdruck von 2 x 10&supmin;&sup4; Torr eingeleitet. Durch Glimmentladung, erzeugt mit spiralförmigen Hochfrequenz-Anregungselektroden, wurden Kupferdampfteilchen angeregt und auf der Oberfläche des Kunststoff- Spritzformkörpers abgeschieden. Der Filmbildungsvorgang wurde fortgesetzt, bis eine Kupferfilmdicke von 1 µm auf den flachen Teil erreicht wurde.
Anschließend wurde ein etwa 5 µm dicker Kupferfilm und ein etwa 2 µm dicker Nickelfilm durch elektrolytische Abscheidung gebildet.
Der so erhaltene, elektromagnetische Wellen abschirmende Kunststofformkörper wies ausgezeichnete Eigenschaften, wie in Tabelle 8 dargestellt, auf. Tabelle 8

BEISPIEL 15

Ein 1 µm dicker Kupferfiln wurde durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma direkt in einer Vakuumkammer auf einer 200 x 300 mm und 3 mm dicken Spritzformprobe, umfassend ein ABS-Harz, ohne Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungs schicht, gebildet.
Kupfer wurde durch einen Elektronenstrahl verdampft. Anschließend wurde das Vakuum auf 4 x 10&supmin;&sup5; Torr mit einem Argon-Partialdruck von 4 x 10&supmin;&sup4; Torr gebracht.
Wie in Beispiel 14 wurde galvanische Abscheidung in einer Dicke von 5 µm angewendet und ein elektromagnetische Wellen abschirmender Kunststofformkörper mit ausgezeichneten Eigenschaften wurde erhalten.

BEISPIEL 16

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 14 wurde ein 3 µm dicker Kupferfilm zuerst gebildet und dann eine galvanische Kupferabscheidung zu einer Dicke von 10 µm aufgetragen.
Das so erhaltene Produkt zeigte ausgezeichnete Eigenschaften. Die Ergebnisse des Eigenschaftstests sind in Tabelle 9 dargestellt. Tabelle 9

BEISPIEL 17

Ein Innengehäuseformling für einen Laptop-PC wurde mit einem Formmaterial, umfassend die chemische Zusammensetzung von Polycarbonat (PC)/ABS-Harz = 70/30 und mit 10 Gew.-% Glasfasern hergestellt. Ein wasserlöslicher Anstrichstoff, umfassend einen Acrylemulsions-Anstrich, wurde aufgetragen und das Produkt wurde mit einem Heißluftgebläse 60 Minuten bei einer Temperatur von 85ºC getrocknet. Eine 1,5 µm dicke Grundierungsschicht wurde somit gebildet.
In einer Vakuumabscheidungskammer wurde das Vakuum auf 3 x 10&supmin;&sup5; Torr gebracht; Argon wurde unter einem Partialdruck von 1 x 10&supmin;&sup4; Torr eingeführt. Sofort nach Halten für fünf Minuten in Glimmplasma, erzeugt durch spiralförmige Hochfrequenz-Anregungselektroden (13,56 MHz), wurde ein 2,0 µm dicker Aluminiumfilm unter einem Argon-Partialdruck von 2 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet.
Auch nach Eintauchen des Produkts in Wasser bei 60ºC für 24 Stunden trat keine Verschlechterung im äußeren Aussehen, dem Haftvermögen und dem Widerstandswert des Aluminiumfilms auf.
Der Film hatte ausgezeichnete Haftfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Wasserbeständigkeit und Hitzeschockbeständigkeit.
Die Meßergebnisse der elektromagnetischen Wellen nach dem Advantest-Verfahren zeigten die Verfügbarkeit derselben abschirmenden Wirkung wie bei dem stromlos abgeschiedenen 1,3 µm dicken (Cu)-Film.

BEISPIEL 18

Ein Acryl-Emulsionsanstrichstoff wurde auf eine Abschirmplatte eines Mobiltelephons mit einem Polycarbonat (PC)-Formmaterial, enthaltend 8 Gew.-% gemischte Kohlefaser, aufgetragen und nach Trocknen mit einem Heißgebläse bei 80ºC für 60 Minuten wurde eine 20 µm dicke Grundierungsschicht gebildet.
Dann wurde in einer Vakuumkammer (Vakuum: 3 x 10&supmin;&sup5; Torr) das Produkt sechs Minuten in einem Hochfrequenzplasma (13,56 MHz) unter Argondruck von 7 x 10&supmin;&sup4; Torr gehalten und ein 1 µm dicker Kupferfilm wurde unter Argondruck von 2 x 10&supmin;&sup4; Torr gebildet. Unmittelbar danach wurde ein 0,2 µm dikker Nickelfilm gebildet.
Auch nach Eintauchen des Produkts in Wasser bei 60ºC für 24 Stunden wurde keine Verschlechterung im äußeren Aussehen, im Haftvermögen und im Widerstandswert beobachtet.

BEISPIEL 19

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 18 wurde Plasma weiter für zwei Minuten gehalten, nach Bilden des Kupferfilms und ein 0,2 µm dicker Nickel-Chrom-Legierungsfilm (Ni:Cr = 60:40) wurde in einer 1,5 x 10&supmin;&sup4; Torr Ethylengasatmosphäre gebildet.
Auch nach Eintauchen des Produkts in Wasser bei 60ºC für 24 Stunden wurde keine Änderung im äußeren Aussehen, im Haftvermögen und im Widerstandswert beobachtet.
Die Abschirmwirkungen waren wie in Beispielen 17 und 18 ausgezeichnet.

VERGLEICHSBEISPIEL 10

Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 18 wurde eine Grundierungsbeschichtung vom organischen Lösungsmitteltyp gebildet.
Nach Eintauchen des Produkts in Wasser bei 60ºC für 24 Stunden zeigte das Produkt lokale Risse.
Die Abschirmwirkungen waren mangelhafter.

BEISPIEL 20

Dieses Beispiel wurde unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 2 ausgeführt, wobei vorheriges Waschen vor der Beschußbehandlung ausgeführt wurde.
Teile der Oberfläche des Kunststofformkörpers, die mit Formstiften, Schrägstiften und Gleitkernen in Kontakt kamen, wurden mit dem Lösungsmittelgemisch Aceton:n-Hexan (50:50) gewaschen.
Ein an den Teilen der Oberfläche haftendes Gleitöl wurde durch die Waschbehandlung vollständig entfernt.
Die Hafteigenschaften der leitfähigen Schicht für die Teile der vorstehend genannten Oberfläche waren ausgezeichnet. Tatsächlich sank der Anteil der Gegenstände, die unter Standard liegen, hinsichtlich Haftvermögen der leitfähigen Schicht von 1% auf 0,3%.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, umfassend den Schritt der Bereitstellung einer leitfähigen Schicht, die mindestens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al, Cu, Ni, Cr und Sn, oder eine Legierung davon umfaßt, durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf der Oberfläche eines Kunststofformkörpers ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht.

2. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach Anspruch 1, wobei die leitfähige Schicht eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten umfaßt.

3. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei nach Beschuß mit einem durch Hochfrequenz angeregten Plasma die leitfähige Schicht durch ein mit Hochfrequenz angeregtes Plasma bereitgestellt wird.

4. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht ein Aluminiumfilm mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers gebildet wird.

5. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht ein Kupferfilm mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm und ein Aluminiumfilm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers gebildet werden.

6. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht vorher ein Kupferfilm mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in dem gleichen Vakuumgefäß auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers gebildet wird und anschließend ein Zinnfilm mit einer Dicke von 0,05 bis 2,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma gebildet wird.

7. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht vorher ein Kupferfilm mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in dem gleichen Vakuumgefäß auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers gebildet wird und anschließend ein Nickel-Chromfilm mit einer Dicke von 0,05 bis 2,0 µm und einem Nickel/Chrom-Verhältnis von 50-80:50-20 durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma gebildet wird.

8. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht vorher ein Kupferfilm mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in dem gleichen Vakuumgefäß auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers gebildet wird und anschließend ein Metall- oder Legierungsfilm mit einer Dicke von 0,05 bis 2,0 µm in einer Atmosphäre eines organischen Gases durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma gebildet wird.

9. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht vorher ein Kupferfilm mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in dem gleichen Vakuumgefäß auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers gebildet wird und anschließend ein Film aus leitfähigem Oxid mit einer Dicke von 0,05 bis 2,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma gebildet wird.

10. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ohne vorheriges Waschen und ohne Bereitstellung einer Grundierungsschicht vorher ein Kupferfilm mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in dem gleichen Vakuumgefäß auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers gebildet wird und anschließend ein Kupferfiln mit einer Dicke von 10 bis 30 µm galvanisch abgeschieden wird.

11. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach Anspruch 10, wobei ein Schutzfilm auf dem galvanisch abgeschiedenen Kupferfilm gebildet wird.

12. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, das die Schritte umfaßt, Bereitstellung einer einen wasserlöslichen Anstrichstoff umfassenden Grundierungsschicht auf der Oberfläche eines einen Füllstoff enthaltenden Kunststofformkörpers, und nach dem Trocknen Bereitstellung einer leitfähigen Schicht, die mindestens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe Al, Cu, Ni, Or und Sn, und Legierungen davon, umfaßt, durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in einem Vakuumgefaß.

13. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach Anspruch 12, wobei die leitfähige Schicht eine einzelne Schicht oder mehrere Filme umfaßt.

14. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach Anspruch 12 oder Anspruch 13, wobei die Grundierungsschicht, die einen wasserlöslichen Anstrich umfaßt, und eine Dicke von 1 bis 30 µm aufweist, auf der Oberfläche des einen Füllstoff enthaltenden Kunststofformkörpers gebildet wird und nach Niedertemperatur-Trocknen bei einer Temperatur von bis zu 100ºC ein Aluminiumfilm mit einer Dicke von 0,6 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in einem Vakuumgefäß gebildet wird.

15. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach Anspruch 14, wobei die Grundierungsschicht, die einen wasserlöslichen Anstrichstoff umfaßt, und eine Dicke von 1 bis 30 µm aufweist, auf der Oberfläche des einen Füllstoff enthaltenden Kunststofformkörpers gebildet wird, dann nach dem Niedertemperatur-Trocknen bei einer Temperatur von bis zu 100ºC vorher ein Kupferfilm mit einer Dicke von 0,7 bis 5,0 µm durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma in einem Vakuumgefäß gebildet wird und weiterhin ein korrosionsbeständiger Metalloder Legierungsfilm mit einer Dicke von 0,05 bis 3,0 µm gebildet wird.

16. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach Anspruch 15, wobei der korrosionsbeständige Metall- oder Legierungsfilm in einer Atmosphäre eines organischen Gases gebildet wird.

17. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, das die Schritte umfaßt, vorheriges Waschen von Teilen der mit Formstiften oder Gleitkernen, an deren Oberfläche ein Gleitöl haftet, in Kontakt gekommenen Oberfläche eines Kunststofform körpers unter Verwendung eines organischen Lösungsmittels oder organischer Lösungsmittel, gefolgt von Beschuß der Oberfläche des Kunststofformkörpers mit einem Hochfrequenzplasma und anschließend Bereitstellung einer leitfähigen Schicht, die mindestens eines, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al, Cu, Ni, Cr und Sn, und Legierungen davon, umfaßt, durch ein durch Hochfrequenz angeregtes Plasma auf der Oberfläche des Kunststofformkörpers.

18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das organische Lösungsmittel einen niedrigen Siedepunkt aufweist.

19. Verfahren nach Anspruch 17 oder Anspruch 18, wobei das organische Lösungsmittel aus der Gruppe Ethanol, n-Hexan und Diethylether ausgewählt ist.

20. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers, das den Schritt umfaßt, Versehen des Kunststofformkörpers mit einer leitfähigen Schicht, die mindestens ein Metall, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Al, Cu, Ni, Cr und Sn, oder eine Legierung davon umfaßt, durch eine durch Hochfrequenz angeregte Plasmaabscheidung.

21. Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen abschirmenden Kunststofformkörpers nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die leitfähige Schicht durch Plasmaanregung, hervorgerufen durch die Einführung eines Inertgases unter einem Partialdruck von etwa 1 x 10&supmin;&sup4; bis 1 x 10&supmin;&sup4; Torr durch Anlegen einer Spannung aus einer Hochfrequenzquelle in einem Vakuumgefäß mit einem Vakuumgrad von 1 x 10&supmin;&sup4; bis 1 x 10&supmin;&sup5; Torr, gebildet wird.