TWI274962B - Positive photoresist composition for spinless (SLIT) coating - Google Patents

Positive photoresist composition for spinless (SLIT) coating Download PDF

Info

Publication number
TWI274962B
TWI274962B TW093115691A TW93115691A TWI274962B TW I274962 B TWI274962 B TW I274962B TW 093115691 A TW093115691 A TW 093115691A TW 93115691 A TW93115691 A TW 93115691A TW I274962 B TWI274962 B TW I274962B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
jia
methyl
photoresist composition
positive photoresist
Prior art date
Application number
TW093115691A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200428152A (en
Inventor
You-Lee Pae
Young-Keun Kim
Suk-Young Choi
Hyuk-Jin Cha
Jae-Hwan Lee
Original Assignee
Samyangems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samyangems Co Ltd filed Critical Samyangems Co Ltd
Publication of TW200428152A publication Critical patent/TW200428152A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI274962B publication Critical patent/TWI274962B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Description

1274962 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種用於狹縫塗佈之光阻組成物，尤其關於 一種用於狹縫塗佈之正光阻組成物，當以無旋轉式塗佈機於一基. 板上形成一層時，其可形成無塗佈缺陷之均勻塗層，且易控制塗 w 層之邊緣輪廓。 . 【先前技術】 φ 平面顯示器，例如液晶顯示器(LCDs)目前正斬大尺寸化，因 此’用於LCDs之基板亦正朝大尺寸化發展。目前，已建立第五 代基板之生產線’且車父大基板(如第六或第七代)正在發展中。隨著 基板增大之趨勢，雜之塗佈方法因而改變。換言之，就細代… 玻璃基板而言，係使用裂縫及旋轉式塗佈法，其中光阻組成物係 透過裂縫而施於基板上’且接著旋轉塗佈之。然而，就具尺寸為 超過麵絲xl_絲之第五代或赠之玻璃基板而言，已因_ 其不能旋轉而使用狹縫塗佈法，其中光阻組成物係透過裂縫而施· 於基板上，且接著不需旋轉而完成塗佈程序。如上述，由於已改. 變塗佈方法，故應改變目前正使用的光阻組成物。尤其於將狹縫 塗佈法應用於大尺寸基板之情形下，應無任何缺陷地均勻化及塗 佈由光阻組成物形成之塗層。再者，於狹縫塗佈製程綱，應可 容易地控制塗層之邊緣輪麼。 6 1274962 【發明内容】 3本發鴨期驗先前簡之問題，因此，本發明之目的為 :種正光阻組成物’當於一基板上形成一層(例如有機絕緣層） 才其可形成無均勻及塗佈缺陷的塗層，且易控制塗層之邊緣輪 廓。 為了達成上述目的，本發明提供一種正光阻組成物，其包含： 5〜50重1份之丙烯酸系或諾沃拉克黏著劑樹脂；〇1〜5〇重量份之 光活性化合物；〇·〇〇1〜5重量份之含環氧或胺基團之矽酮化合物； 及0.001〜5重量份之氟基底或矽酮基底的表面活性劑，其中添加溶 wj以使得黏度為2〜20釐泊(cps)。 【實施方式】 本發明將詳細地說明如下。 本發明用於狹縫塗佈之正光阻組成物包含5〜50重量份之丙 烯酸系或諾沃拉克黏著劑樹脂。就丙烯酸系黏著劑樹脂而言，可 使用任一種用於正光阻組成物之習用的丙烯酸系黏著劑樹脂。較 仏為早獨或以混合物使用具以下通式1或2結構之樹脂。 XXX1274962
COOY1 COOH COOY2 於通式1中，X為氳原子或曱基，Y1為具有1至16個碳原 子之烷基或羥烷基，且Y2係選自由具有以下化學式(I)至(XX)結構 之化合物組成之群。
^OH CH2==C-C〇-〇-R2 ch2=c-co-o—r2 ch2=c-co-o~-r2 CH2=C—CO-CHIV
XX CH2=C-CX)-〇-R2^ \
(I) (Π)(m) (IV) (V) (VI) (VB) (ΥΠΟ (DO
8 (X) 1274962 ch2=c-co
CHaH…、0Η (XI) chJ-co-^
OH (ΧΠ) CH2=C—CO—O—R2_0_《C0 - R2—0)k-
R2—O一(CO—R3—0)k—CO~~N
Re (xm) CH2=C-C0-0-R2-0—(CO-R2—〇)k-C〇-N^ Λ
-«2—0-(CX)-R3-0)k-C0~N R4 (XIV) =6—〇〇—〇—R2
HO (XV) ch2 0-R2
CO—0—CH2
OH (XVI) CH2=C—CO—O—R2 Hi
9—0—CO
(xvn) ch2=c—CO—or2-ch
(xvm) J-c ch2=c-co—o Hi
CH2-〇. CH2_0^
OH (XIX) chJ-co.
O—CH2， O-CHg^
(XX) 於化學式(I)至(XX)中，Ri為氳原子或曱基，R2為具有1至 10個碳原子之伸烷基，R3為具有1至10個碳原子之烴，R4為氫 1274962 原子或甲基，R5為具有1至10個碳原子之炫，且k為整數0至 10 〇 通式2
於通式2中，重複單元Α係選自由曱基丙烯酸罕酯、苯乙烯、 α-甲基苯乙烯、丙烯酸異冰片酯及甲基丙烯酸異冰片酯、丙烯酸 二環戊酯、曱基丙烯酸二環戊酯、丙烯酸二環戊烯酯、曱基丙烯 酸二環戊烯酯、丙烯酸二環戊基乙氧基酯、曱基丙烯酸二環戊基 乙氧基酯、丙烯酸二環戊烯基乙氧基酯、甲基丙烯酸二環戊烯基 乙氧基酯等組成之群，Β係選自由甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基 丙烯酸羥乙酯、二甲基胺基曱基丙烯酸酯、丙烯醯胺等組成之群， 且C為丙烯酸或甲基丙烯酸，其中具通式2結構之黏著劑樹脂含 有不論A、Β及C順序之無規共聚物。 具通式1結構之黏著劑樹脂係為由含有驗之單體盘含有雔 鍵之單體組狀共雜。倘若対此絲物之本發日狂光阻組= 物施於基板且接著軸随，貞幽雜佳，时雜何 如顯影後之殘餘物）。換言之，通式i中i Y為具有1至16個碳 原子之烷基或羥烷基，藉以改良黏附性。再者，Υ2人 ^ 含有巨大環脂 1274962 U冓(不似含有芳族基團之習知的丙稀酸系共聚物黏著劑樹 月曰）藉以改良膜保料及耐熱性(根據高玻璃轉變溫度）。 再者具通式2結構之黏著劑樹脂顯示幾乎與具通式丨結構 之黏著劑樹脂相同的效果。就通式2之黏著劑樹脂而言，其他種、 類重複單元，例如如通式3(D)中所示具有2至Μ個烧基基團之丙… 湘夂烧Sg或甲基丙烯酸烧醋，可包括在本發明之範圍内。更特別 地’重複單元可為曱基丙烯酸曱®旨、甲基丙烯酸丁醋、甲基丙烯 酸月桂g旨、丙烯酸曱自旨、丙烯酸獨、丙烯酸月桂醋、苯乙烯等。春 通式3
特別地’當使用通式1之黏著劑樹脂與通式2之黏著劑樹脂 時，圖案的硬度可改善，且白化現象可消失，因為黏著劑樹脂與 ⑩ 組成物中其他光阻成分間之相容性增加:了。 就諾沃拉克樹脂而言，可使用任一種熟知的諾沃拉克樹脂， · 其可經由揭不於 Chemistry and Applieation of Phenolic Resins,
Knop A and Scheib，W·; Springer Verlag，New York, 1979 Chapter 4” 之方法合成。 再者’本發明之正光阻組成物包含〇·1〜5〇重量份之光活性化 合物。就光活性化合物而言，可使用任一種習用的光活性化合物， 11 1274962 例如2,2’，3,4,4，-五羥基二苯曱酮、2,2，，3,4,4，，5-六羥基二苯曱酮、 2,2’，3,4,4L五羥基二苯基丙烷、2,2，，3,4,4，，5-六羥基二苯基丙烷、 2.3.4- 三經基二苯曱酮、2,3,4_三羥基苯乙酮、2,3,4_三羥基苯基己 基酉同、2,4,4’-三經基二苯曱酮、2,4,6-三經基二苯曱酮、2,3,4_三經 基_2’_曱基二苯曱酮、2,2，，4,4，_四羥基二苯曱酮、2,3,4,4，_四羥基二 本甲酮專之1，2_重氮蒂處冬或5_石黃酸鹽。 於本發明正光阻組成物中含環氧或胺基團之矽酮化合物改良 了 ITO電極與組成物間之黏附性以及硬化後之财熱性。此石夕酮化 合物包含選自由(3-縮水甘油氧基丙基)三甲氧基矽烷、(3_縮水甘油 氧基丙基)三乙氧基矽烷、（3-縮水甘油氧基丙基)甲基二甲氧基石夕 烷、（3-縮水甘油氧基丙基)曱基二乙氧基矽烷、（3_縮水甘油氧基丙 基)二甲基曱氧基石夕烷、(3_縮水甘油氧基丙基)二曱基乙氧基矽烷、 3.4- 環氧基丁基三曱氧基矽烷、3,4_環氧基丁基三乙氧基矽烧、 M3,4·環氧基環己基)乙基三曱氧基石夕烧、2_(3,4_環氧基環己基)乙 基二乙氧基石夕烧、胺基丙基三曱氧基石夕烧等組成之群中之至少一 者。矽酮化合物之含量為0·001至5重量份，且較佳為〇 〇5至〇1 重量份。 再者，本發明之正光阻組成物中包含0.001至5重量份之氣 基底或矽酮基底的表面活性劑。氟基底或矽酮基底的表面活性劑 係商品名 Megaface F142D、F172、F-172D、F177P、r_08、F_47〇、 F-471、F-475(由 Dainippon Ink & Chemicals 製造）、FC470C、 12 1274962 FC-430、FC-431(由 Sumotomo 3M co·，Ltd·製造）、BYK 306、307、 310、331、333 (由 BYK-Chemie 製造)等出售。 另外，必要時，於正光阻組成物中可使用添加劑，例如光敏 劑'熱聚合抑制劑、消泡劑及勻平劑。 較佳添加溶劑以使得本發明正光阻組成物具2〜2〇釐泊之黏 度。更佳為調整黏度至3〜10釐泊(此更有利於控制無針孔之薄層 厚度）。溶劑包含選自由醋酸乙酯、醋酸丁酯、一縮二乙二醇二甲 基醚、一縮二乙二醇二甲基乙基醚、丙酸甲基曱氧基酯、丙酸乙 基乙氧基酯(EEP)、乳酸乙酯、丙二醇曱基醚醋酸酯(pGMEA)、丙 酸醋、一縮二乙二醇曱基醋酸酯、 _、甲基異丁基酮、環己酮、二亏 二醇甲基醚、丙二醇丙基醚、甲基溶纖劑醋酸酯、乙基溶纖劑醋 苯、己烧、庚烧、辛烧等組成之群中之至少一者。 本發明將詳細地說明如下。然而，
及潤飾。 、一縮二乙二醇乙基醋酸酯、丙
13 1274962 具體例1〜20 根據如下表1之成分及含量，製備正光阻組成物。 甲酚-曱醛諾沃拉克樹脂：10重量％ 2,2,5,5’-四羥基二苯甲酮之1，2_重氮蔡跟_5-磺酸鹽：2〜俠 (3-縮水甘油基丙基)三甲氧基；ε夕烧：〇 〇5重量％ 氟基底的表面活性劑：0.03重量％ 溶劑：殘餘量
Megaface F142D(由 Dainippon Ink & Chemicals co·製造)係用 作氟基底的表面活性劑。 所形成的正光阻組成物之黏度為約4釐泊(cps)。 具體例21〜39 根據如下表2之成分及含量，製備正光阻組成物。 丙烯酸系樹脂：10重量％ 2,2,5,5 -四經基^一本甲晒之1，2_重鼠寮碳_5-石黃酸鹽·· 2wt% (3-縮水甘油基丙基)三甲氧基矽烷：〇·05重量％ 氟基底的表面活性劑：0.03重量％ 溶劑：殘餘量 使用通式1之丙婦酸糸黏者劑樹脂(其中X為曱基，γ1為甲 基，且Υ2為具&為曱基之化學式(II))。 14 1274962
Megaface F142D(由 Dainippon Ink & Chemicals co·製造)係用 作氟基底的表面活性劑。 所形成的正光阻組成物之黏度為約4釐泊(CpS)。 具體例40〜71 除使用DMC作為溶劑，且根據表3改變表面活性劑之類型 及吞里外，依照與具體例21中相同之方式，製備正光阻組成物。 所形成的正光阻組成物之黏度為約4釐泊(cps)。 鲁 根據此等具體例之正光阻組成物之評估係於Cr玻璃上進 行。測试塗層之塗佈性質、均勻度及邊緣輪廓如下。結果顯示於 表1至3中。 (1) 塗佈性質 。以無旋轉式塗佈機將正光阻組成物塗佈於Cr玻璃上，且接著 於90 C下預烘烤約2分鐘。接著，在鈉燈下，以肉眼觀察塗層。 倘若無塗佈缺陷，則代表「佳」，否則為「不佳」。 譬 (2) 均勻度 ·· 以無旋轉式雜機紅編^物塗佈於q _上，讀著 ;C下預火、烤、力2分鐘。接著’以薄膜測厚儀(腦⑽㈣於 個位置測量塗層厚度。倘若厚度之最大值與最小值間之差小於 5嫩，則代表「佳」’否則為「不佳。 15 1274962 (3)邊緣輪廓 以無旋轉式塗佈機將正光阻組成物塗佈於Cr玻璃上，且接著 於90°C下預烘烤約2分鐘。接著，以輪廓儀掃描邊緣面積。倘若 圖案内壁與基板間之角度大於55°，則代表「佳」，否則為「不佳」。 表1 具體 例 溶劑 均勻 度 邊緣 輪廊 塗佈 缺陷 I II Ill 比例％ (1:11:111) 1 PGMEA - - 100:0:0 佳 佳 佳 2 PGMEA MCA - 95:5:0 佳 佳 佳 3 PGMEA MCA - 90:10:0 佳 佳 佳 4 PGMEA MCA - 85:15:0 佳 佳 佳 5 PGMEA MCA - 80:20:0 佳 佳 佳 6 PGMEA MCA - 70:30:0 佳 佳 佳 7 PGMEA MCA NBA 95:5:5 佳 佳 佳 8 PGMEA MCA NBA 80:10:10 佳 佳 佳 9 PGMEA MCA NBA 70:15:15 佳 佳 佳 10 DMC - - 100:0:0 佳 佳 佳 16 1274962 11 DMC NBA - 90:10:0 佳 佳 佳 12 DMC NBA - 80:20:0 佳 佳 佳 13 ECaA - - 100:0:0 佳 佳 佳 14 ECaA NBA - 95:5:0 佳 佳 佳 15 ECaA NBA - 90:10:0 佳 佳 佳 16 ECaA NBA - 80:20:0 佳 佳 佳 17 PGMEA EEP - 90:10:0 佳 佳 佳 18 PGMEA EEP - 80:20:0 佳 佳 佳 19 PGMEA EEP NBA 90:5:5 佳 佳 佳 20 PGMEA EEP NBA 80:10:10 佳 佳 佳 表2 具體例 溶劑 均勻度 邊緣輪 廓 塗佈缺 陷 I II 比例 %(I:II) 21 DMC - 100:0 佳 佳 佳 22 DMC NBA 90:10 佳 佳 佳 23 DMC NBA 80:20 佳 佳 佳 24 DMC NBA 70:30 佳 佳 佳 25 DMC MCA 90:10 佳 佳 佳 26 DMC MCA 80:20 佳 佳 佳 17 1274962 27 DMC MCA 70:30 佳 佳 佳 28 DMC CHX 90:10 佳 佳 佳 29 DMC CHX 80:20 佳 佳 佳 30 DMC CHX 70:30 佳 佳 佳 31 DMC PGMEA 90:10 佳 佳 佳 32 DMC PGMEA 80:20 佳 佳 佳 33 DMC PGMEA 70:30 佳 佳 佳 34 DMC EEP 90:10 佳 佳 佳 35 DMC EEP 80:20 佳 佳 佳 36 DMC EEP 70:30 佳 佳 佳 37 DMC PGPE 90:10 佳 佳 佳 38 DMC PGPE 80:20 佳 佳 佳 39 DMC PGPE 70:30 佳 佳 佳 表3 具體例 表面活性劑 均勻度 邊緣輪 廓 塗佈缺 陷 類型 含量 40 Megaface F142D 0.01 佳 佳 佳 41 F142D 2 佳 佳 佳 42 F172 0.01 佳 佳 佳 1274962 43 F172 2 佳 佳 佳 44 F-172D 0.01 佳 佳 佳 45 F-172D 2 佳 佳 佳 46 F177-P 0.01 佳 佳 佳 47 F177-P 2 佳 佳 佳 48 R-08 0.01 隹 佳 佳 49 R-08 2 佳 佳 佳 50 F-470 0.01 佳 佳 佳 51 F-470 2 佳 佳 佳 52 F-471 0.01 佳 佳 佳 53 F-471 2 佳 佳 佳 54 F-475 0.01 佳 佳 佳 55 F-475 2 佳 佳 佳 56 FC-170C 0.01 佳 佳 佳 57 FC-170C 2 佳 佳 佳 58 FC-430 0.01 佳 佳 佳 59 FC-430 2 佳 佳 佳 60 FC-431 0.01 佳 佳 佳 61 FC-431 2 佳 佳 佳 62 BYK306 0.01 佳 佳 佳 63 BYK306 2 佳 佳 佳 64 BYK307 0.01 佳 佳 佳 19 1274962 65 BYK307 2 佳 佳 佳 66 BYK310 0.01 佳 佳 佳 67 BYK310 2 佳 佳 佳 68 BYK331 0.01 佳 佳 69 BYK331 2 佳 佳 佳 70 BYK333 0.01 佳 佳 佳一 71 BYK333 2 佳 佳 佳 產業應用性 如上述，本發明之正光阻組成物，當以無旋轉式塗佈機於一 基板上形成一層(例如有機絕緣層)時，可形成無塗佈缺陷之均勻塗 層’且易控制塗層之邊緣輪廓。 本發明已詳細地說明如上。然❿，應瞭解詳細說明及同時代 ^發明難碰狀__ ^飾自拇細綱，#刊自林㈣料魏_之許多變化 【圖式簡單說明】 【主要元件符號說明】 本案無圖式說明，故無元件符號

Claims (1)

1274962 十、申請專利範圍： 1·一種用於狹縫塗佈之正光阻組成物，其包含·· 5〜50重量份之丙烯酸系或諾沃拉克黏著劑樹脂；〇 ι，重 量份之光活性化合物’· 0.001〜5重量份之含環觀胺基圈之糊 化合物；及0.001〜5重量份之氟基底或石烟基底絲面活性劑， 其中添加溶劑贿鄕度為2〜2〇㈣㈣；其中丙稀酸系黏著 劑樹脂係選自由具以下通式1結構之樹脂、具以下通式2結構 之樹脂及其混合物組成之群·· <通式1>
COOY1 COOH 0〇〇Υ2 其中X為氫原子或甲基，γιΑ Τ 土 γ馮具有1至16個碳原子之尤 基或經燒基，且γ2係選自由 田具有以下化學式(I)至(XX)結構之<1 合物組成之群；
(I) (Π) ΟΠ) (IV) (V) 21 (VI)1274962
?1 j3X CH2=C_CO— chU从
chJV^
HO
chU^X (VH) (Vffl) (K) (X) (XI) (ΧΠ) (xm) (XIV) (XV) (XVI) (XVH) (xvm) 22 1274962
其中Rl為氣原子或甲基，I為具有1至10個碳原子之伸 、一、3為一有1至10個碳原子之烴，為氳原子或曱基， R5為具有1至1G個碳原子之烴，且k為整數0至10 ;
其中Rl為氫原子或甲基，心為具有1至10個碳原子之伸 烷土 3為/、有1至10個碳原子之烴，為氳原子或甲基， R5為具有1至10個碳原子之烴，且k為整數〇至10 ; 土 其中Rl為風原子或曱基，R2為具有1至10個碳原子之伸 烧基，R3為具有1至1G個碳原子之烴，R4為氫原子或甲基， 心為具有1至10個碳原子之煙，且k為整數〇至10 ; 土 <通式2>
重複單疋A係選自由甲基丙烯酸$酯、苯乙烯、α_甲絲 乙婦、丙婦酸異冰片酿及甲基丙烯酸異冰㈣、丙烯酸二^戊 醋、甲基丙烯酸二環柄、丙烯酸二環戊_旨、甲基丙烯酸二 、丙烯酸二環戊基乙氧基i旨、甲基丙烯酸二環戊基乙 氧基酉曰、丙烯6^—%鱗基乙氧基g旨及甲基丙烯酸二環戊婦基 乙氧基醋組成之群，B係選自由曱基丙烯酸縮水甘柄、甲^ 23 1274962 丙烯酸羥乙酯、二甲基胺基甲基丙烯酸酯及丙烯醯胺組成之 群，且c為丙烯酸或甲基丙烯酸，其中具通式2結構之黏著劑 樹脂含有不論A、B及C順序之無規共聚物。 2.如申凊專利範圍第1項所述之用於狹缝塗佈之正光阻組 成物，其中含環氧或胺基團之石夕酮化合物包含選自由(3_縮水甘 油氧基丙基)三甲氧基矽烷、（3_縮水甘油氧基丙基)三乙氧基矽 烷、（3-縮水甘油氧基丙基)甲基二曱氧基矽烷、（3_縮水甘油氧 基丙基)甲基二乙氧基矽烷、（3_縮水甘油氧基丙基)二曱基曱氧 基矽烷、（3'縮水甘油氧基丙基)二甲基乙氧基石夕院、Μ環氧基 丁基三甲氧基魏、3,4_環氧基丁基三乙氧基魏、2_(3,4_環氧 基玉衣己基)乙基三甲氧基石夕烧、2_(3，4_環氧基環己基)乙基三乙氧 基矽烷及胺基丙基三甲氧基矽烷組成之群中之至少一者。 3·如申請專利範圍第1項所述之用於狹縫塗佈之正光阻組 成物，其中溶劑包含選自由醋酸乙酯、醋酸丁醋、一縮二乙二 醇一甲基醚、一縮二乙二醇二甲基乙基醚、丙酸甲基甲氧基 酉旨、丙酸乙基乙氧基_EP)、乳酸乙醋、@二醇甲細醋酸醋 (PGMEA)、丙二醇甲基.丙二醇丙基醚、？基溶纖綱酸醋、 乙基溶纖劑醋酸酯、一縮二乙二醇甲基醋酸酯、一縮二乙二醇 乙基醋酸酯、丙酮、曱基異丁基酮、環己酮、二曱基曱醯胺 (DMF)、N，N-二曱基乙醯胺(DMAc)、N-甲基冬咯烷酮 24 I 1274962 (NMP)、γ-丁内酯、二乙醚、乙二醇二甲基醚、二乙二醇二甲 醚(diglyme)、四氫喃(THF)、甲醇、乙醇、異丙醇、甲基溶 纖劑、乙基溶纖劑、一縮二乙二醇甲基醚、一縮二乙二醇乙基 醚、一縮二丙二醇甲基醚、曱苯、二甲苯、己烷、庚烷及辛烧 組成之群中之至少一者。 4·如申請專利範圍第1項所述之用於狹縫塗佈之正光阻組 成物，氟基底或石夕酮基底的表面活性劑係選自由Megaface F142D、F172、F-172D、F177P、R-〇8、F-470、F-471、F-475(由鲁 Dainippon Ink & Chemicals 製造）、FC-170C、FC-430、FC-431 (由 Sumotomo 3M co·，Ltd·製造)、BYK 306、307、310、33卜 333 (由 BYK-Cliemie製造)及其混合物組成之群。
25
TW093115691A 2003-06-02 2004-06-01 Positive photoresist composition for spinless (SLIT) coating TWI274962B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030035442A KR100579832B1 (ko) 2003-06-02 2003-06-02 스핀리스 코팅용 포토레지스트 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200428152A TW200428152A (en) 2004-12-16
TWI274962B true TWI274962B (en) 2007-03-01

Family

ID=33487834

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093115691A TWI274962B (en) 2003-06-02 2004-06-01 Positive photoresist composition for spinless (SLIT) coating
TW093115695A TWI266952B (en) 2003-06-02 2004-06-01 Negative photoresist composition for spinless (slit) coating

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093115695A TWI266952B (en) 2003-06-02 2004-06-01 Negative photoresist composition for spinless (slit) coating

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR100579832B1 (zh)
TW (2) TWI274962B (zh)
WO (2) WO2004107053A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100595818B1 (ko) * 2004-03-10 2006-07-03 (주)서원인텍 엘라스토머 성형품의 도장방법
JP2005338831A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置の有機膜フォトレジスト組成物、そのスピンレスコーティング方法、これを用いた有機膜パターン形成方法及びこれにより製造された液晶表示装置
JP4828275B2 (ja) * 2006-03-30 2011-11-30 新日鐵化学株式会社 カラーフィルター用遮光性樹脂組成物及びカラーフィルター
KR101299967B1 (ko) * 2009-06-23 2013-08-27 주식회사 엘지화학 스핀리스용 열경화성 수지 조성물
CN106866435A (zh) * 2017-03-01 2017-06-20 无锡阿科力科技股份有限公司 一种含有桥环结构的聚醚胺及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1148105B1 (en) * 2000-04-17 2006-10-04 JSR Corporation Composition for film formation, method of film formation, and silica-based film
KR100367471B1 (ko) * 2000-12-14 2003-01-10 주식회사 아담스테크놀로지 오버코트용 레지스트 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004107053A1 (en) 2004-12-09
WO2004107052A1 (en) 2004-12-09
KR20040104053A (ko) 2004-12-10
TW200428140A (en) 2004-12-16
TW200428152A (en) 2004-12-16
TWI266952B (en) 2006-11-21
KR100579832B1 (ko) 2006-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI330759B (en) Negative photoresist composition
JP4181152B2 (ja) ネガレジスト組成物
TWI505031B (zh) 矽烷偶合劑、負型感光性樹脂組成物、硬化膜及觸控面板用構件
TWI401272B (zh) A resin composition, a method for forming a protective film of a color filter, and a color filter protective film
KR20120009598A (ko) 코팅성과 재코팅성이 우수한 열경화성 보호막 조성물
JP5644339B2 (ja) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターン形成方法
TWI330760B (en) Positive photoresist composition
TW200946597A (en) Organic-inorganic complex resin composition adapted for protection layer
JP2003021839A (ja) 液晶表示素子のカラムスペーサ用レジスト組成物
CN101165091A (zh) 热固性树脂组合物、滤色片保护膜及其形成方法
US9235124B2 (en) Planarization over topography with molecular glass materials
TWI274962B (en) Positive photoresist composition for spinless (SLIT) coating
CN106054532B (zh) 负型感光性聚硅氧烷组合物
JP5514566B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP2011006620A (ja) ハードコート用組成物
TW201708296A (zh) 陽離子聚合性光阻下層膜形成組成物
TWI816838B (zh) 感光性樹脂組成物、感光性樹脂皮膜、感光性乾薄膜及黑矩陣
JP7147500B2 (ja) 感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び反射防止膜
TW200813150A (en) Flattened film-forming composition
TWI396715B (zh) 樹脂組成物、彩色濾光片的保護膜及其形成方法
CN110286561A (zh) 感放射线性组合物、硬化膜及显示元件
TWI225085B (en) Coating composition
TW200808856A (en) Thermosetting resin composition, protective film and method for forming protective film
JP2014197143A (ja) 導電性パターン形成方法、樹脂組成物、導電性パターンおよび電子回路
TW201700649A (zh) 防濕絕緣塗料及其應用