TWI273601B - Method and apparatus for changing operating conditions of nonvolatile memory - Google Patents

Description

1273601 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於非揮發性記憶體與包含這種記憶體之積體電 路，尤有關在非揮發性記憶體之使用上能支援資料儲存之這種 裝置之架構。 【先前技術】

例如快閃記憶體與電荷陷阱記憶體之電性可程式化與可抹 除非揮發性記憶體技術具有許多應用。基於浮動閘（像是 _ EEPROM)之技術以及局部化電荷陷阱結構（像是以諸如SONOS 單元與NROM之各種不同的架構存在之氧化物-氮化物-氧化物 記憶體單元之技術通常可被程式化與抹除許多次。 非揮發性記憶體單元之操作特徵會隨著非揮發性記憶體單 元之壽命期間改變。當非揮發性記憶體單元經歷逐漸增加的程 式化與抹除循環次數時，非揮發性記憶體單元之操作特徵會改 變。此種實施樣態之非揮發性記憶體技術是有問題的，其乃因 為吾人期望不管非揮發性記憶體單元經歷過任何特定之程式化 與抹除循環次數，非揮發性記憶體單元能在它們的期望壽命期 籲 間如所預料地操作。 由於程式化與抹除循環次數之增加而改變非揮發性記憶體單元 之作用情形的一種方法，係完全地倚賴於從開頭所決定之適當 裕度，俾能在即使非揮發性記憶體單元之操作特徵隨著程式化 與抹除循環次數之增加而改變時，操作裕度在非揮發性記憶體 單元之特定壽命之内仍考慮非揮發性記憶體單元之任何期望的 變化行為。然而，完全倚賴於適當決定之裕度可能使非揮發性 記憶體單元在它們的部分壽命期間蒙受不必要的極端操作條 件。這種操作裕度不言而喻地是比在一非揮發性記憶體單元之 1273601 = Ξ = 命?間所?要的來得更嚴苛。在某些非揮發 有缩^非捏=a種°卩分之壽命期間’不必要的極端操作條件 有縮短非揮發性記憶體單元之壽命之趨勢。 單元抹除循環次數之增加而改變非揮發性記憶體 單元·^定m =方法’係完全地倚#於為非揮發性記憶體 :兀，=的哥命。雖然指定較短的壽命是簡單的解決方 換非揮發性記㈣^ 者在後來必須更頻繁地置 到〜 '兀，此乃因為非揮發性記憶體單元所遭遇 罢U ”抹除循環次數之增加會接近較短的壽命。如果僅 僅置換非揮發性記侉I#罝；θ a 禾僅 包含非揮發性二Γ:不際或沒有成本效益的，則 車毛U IS體早I之整個產品會被捨棄或置換掉。 口此U疋可提供在非揮發性記憶體單元之壽命週期 =用=評，隨著程式化與抹除循環次數之增加而改變之非揮發 性纪憶體單兀之操作特徵之設備與方法。 【發明内容】 -種實施樣n係為用以調整—龍電路上之 體之操作條件之方法。料體電路上之記憶體單元中已建= 1除閾值狀態大約數次之資料係被維持於譬如與記憶體單 的一計數記憶體中。供記憶體單元用之偏壓程序係基於此資 枓（譬如糟由查閱表示供記憶體單元所經歷之特定次數之抹除操 作用之適當偏壓程序的對照表（1GGkuptable))而決定。然後，將 偏壓程序施加至記憶體單元。 其他實施樣怨係為具有計數記憶體之非揮發性記 與製造方法。 两 於某些實施例中’當在一群組之記憶體單元中已建立抹除 閾值狀態達到另H欠數時，—記憶體會被更新。舉例而言 1273601 每虽抹除閾值狀態已被建立於此群組之記憶體單元，一第一組 記憶體將被更新，而在抹除閾值狀態已被建立達到另一預 =次數之後，第一組計數記憶體會被重置，而一第二組計數記 體會被更新以表示在記憶體單元中已建立抹除閾值狀態達到 另一預定次數。此種第二計數記憶體可以是單寫入之記憶 體，俾能使功率停止供應或其他錯誤將不會導致計數記憶體中 之大錯誤。 ~ 在許多實施例中，偏壓程序係為程式化程序、抹除程序、 包含確認之程式化程序、包含確認之抹除程序。 ^ 決定偏壓程序之其他例子包含調整施加於記憶體單元之偏 壓程序之偏壓配置之順序，調整施加於記憶體單元之偏壓程序 之偏壓配置之時序，調整施加於記憶體單元之偏壓程序之至少 一偏壓配置之期間，調整施加於記憶體單元之偏壓程序之至少 一偏壓配置之波形形狀，調整施加於記憶體單元之偏壓程序之 至少一偏壓配置之偏壓大小，添加施加於記憶體單元之偏壓程 序之至少一偏壓配置，以及移除施加於記憶體單元之偏壓程序 之至少一偏壓配置。 • 【實施方式】 第1圖顯示非揮發性記憶體陣列10〇之一實施例。非揮發 性記憶體陣列100係被分成複數個非揮發性記憶體區段，例2 非揮發性記憶體區段1 101、非揮發性記憶體區段N丨〇2、非揮 發性ό己憶體區段Μ 103以及非揮發性記憶體區段mn 1 〇4。每個 非揮發性記憶體區段係與一計數記憶體相關。舉例而言，非揮 發性記憶體區段1 101係與計數記憶體丨lu相關，非揮發性記 [思體區段N 102係與什數記憶體N 112相關，非揮發性記憶體區 段Μ 103係與計數記憶體μ 113相關，而非揮發性記憶體區段 1273601 ‘ MN 104係與計數記憶體MN 114相關。每次抹除一特定非揮發 性d憶體區段，就更新與非揮發性記憶體區段相關的計數記憶 體。儲存於計數記憶體中之這種資料係用以調整非揮發性記憶 體之操作條件。 於第2圖中，一積體電路記憶體係設有一快閃陣列2〇〇。此 陣列包含複數個區段，如圖所示之區段〇_N。如圖所示，複數個 區段係與複數個計數記憶體CM0-CMN相關。複數個位址係於 線201上被提供至一位址緩衝器與閂鎖器2〇2。位址緩衝器與閂 鎖裔202於線203上提供位址信號至包含邏輯定址之一 X解碼 .器204，以及一 γ解碼器205。γ解碼器係連接至供複數條位元 線用之複數個傳輸閘（pass gate)2〇6。傳輸閘使陣列200中之位 元線連接至感測放大器207，並連接至程式資料高電壓電路 208。這些程式資料高電壓電路2〇8係連接至一程式資料閂鎖器 209 ’其依序連接至輸入/輸出1/〇緩衝器21〇。又，感測放大器 207係連接至I/O緩衝器210。輸入與輸出資料係設置於線211 上。I/O緩衝210亦連接至一命令控制方塊212，其解譯於ϊ/〇 緩衝器210所接收之命令。命令控制方塊212係連接至寫入狀 態機213。寫入狀恶機213依序與控制邏輯214連接，而控制邏 Φ 輯214分別於線21 5、216與217上接收輸出致能、晶片致能與 寫入致能信號。又，寫入狀態機213控制程式化與抹除高電壓 電路218，其係連接至陣列以及X解碼器2〇4中之字元線驅動 器。 第3圖係為積體電路之簡化方塊圖。積體電路35〇包含在 一種半導體基板上藉由使用區域化電荷陷阱記憶體單元而實施 之一種記憶體陣列300。此記憶體陣列3〇〇包含計數記憶體 370。一個列解碼器301係連接至沿著記憶體陣列3〇〇中之複數 個列排列之複數條字元線302。一個行解碼器3〇3係連接至沿著 1273601 記憶體陣列300中之複數個行排列之複數條位元線3〇4。複數個 位址係在匯流排3 05上被提供至行解碼器303與列解碼器301。 方塊306中之感測放大器與資料輸入結構係經由資料匯流排3〇7 而連接至行解碼器303。資料係經由資料輸入線311而從積體電 路350上之輸入/輸出埠，或從積體電路35〇内部或外部的其他 資料源提供至方塊306中之資料輸入結構。資料係經由資料輸 出線312而從方塊306中之感測放大器提供至積體電路35〇上 之輸入/輸出埠，或提供至積體電路35〇内部或外部之其他資料 目標。一偏壓配置狀態機309譬如為了程式、抹除、抹除確認

與程式確認電壓以及計數記憶體37"之更新資料，而控制偏 壓配置電源電壓308之施加。 第2圖之寫入狀態機213與命令控制方塊212以及第3圖 之偏壓配置狀態機309,係基於在一記憶體區段中已建立之一抹 除閾，狀態之次數來蚊偏壓程序或寫人、讀取及/或抹除。在 某些貫施财，此確認程序可基於這個次數而調整。其他調整 係為調整偏壓配置之順序、偏壓配置之時序、至少一偏壓配置 之期間、至少-偏μ配置之波形形狀、至少_賴配置之偏麼 2小，添加在，程序期間所施加之偏屋配置，及/或移除在 期間所施加之偏壓配置。f 2圖之寫入狀態機213 2，控，方塊212亦更新關於陣列2⑽之特定區段㈣已被 =記憶體資料1 3圖之偏壓配置狀態機3〇9更新 = 細m段_已被抹除多少次之記憶體 於弟4圖中，一 怀咪桎序係由一抹除命令（方 於此啟發點’-索引η係被設成零以供抹除程序使 °本 ==广』_於本項技術中之-般供快閃記二 衣置用之種㈣區段抹除操作。為因應抹除命令，開始-偏 1273601 _壓=序。於一實施例中，偏壓程序中之第一操作係用以施加一 偏壓配置，其在記憶體單元之區段中生成熱電洞注入（方塊 〇1)舉例而&，此區段中之字元線係被偏壓大約_3至伏特， 連接至記憶體單元之汲極之位元線係被偏壓大約+3至+7伏特， 、及連接至此區段中之記憶體單元之源極之電源線係被偏壓至 接地端，而其中形成有記憶體單元通道之基板區域係接地。這 會使區段中之記憶體單元中，鄰近汲極端之電荷陷阱結構旁之 =、電洞/主入被抹除。抹除程序期間所施加之特定偏壓程序係基 、；對“、、表。對照表係以記憶體單元所經歷的抹除操作之次數 Φ 為索引這個次數係儲存於與記憶體單元相關的記憶體中，且 係在兄憶體單元之壽命期間被更新以反映記憶體單元所經歷的 抹除操作之增加次數。 —在施加熱電洞注入偏壓配置之後，一狀態機或其他邏輯決 疋抹除操作是否藉由執行一抹除確認操作而對區段中之每個單 一而。已、、二疋成功的。所施加的特定電壓係基於以記憶體單元 所經歷的抹除操作之次數為索引之一對照表。因此，^下一個 步驟中，演算法決定記憶體單元是否通過確認操作（方塊4〇2)。 如果此單元並未通過確認，則增加索引η(方塊403)，且演算法 • 4〇4)〇 士果已執行表大重試次數而沒有通過綠認，則程序失敗（方塊 405)。如果於方塊4〇4並未執行最大重試次數，則程序回復至方 塊402以再次嘗試熱電洞注入偏壓配置。如果記憶體單元於方 塊402通過確認，則演算法通過，且以增加的循環次數來更新 ^數圮憶體（方塊407)，並完成抹除程序（方塊4〇8)。增加的循 環次數，於記憶體單元之區段上執行下一次區段抹除操作時被 取用。每次執行抹除操作之後，儲存於計數記憶體中之資料係 用以調整抹除偏壓條件。這是處理抹除速度隨著記憶體區段之 1273601 使用次數的增加而減少 後，儲存於計數記憶體中之資料用又’每次執行確認操作之 關鍵所在 _又之使用次數的增加而導致之裕度損失之 之一程序’或其他程序係適合於建立記憶體單元中 ^私式閾值狀態，如第5闰私-( τ 於其中此單元首先被偏壓0不二程序包含再填補操作， 充電平衡脈衝，其易於藉二：：：；=狀態，然後施加- 阱排出來降低閾值，然後，萨二7何陷阱結構中之淺陷 電荷陷胖結構，以使電子、、主二t二脈衝而以負電荷，，再填補" 一 e ^人至電荷_結構。於第5圖中， t 5〇〇)ρ^ ° * - 設成，程式再嘗試程序使用，且-索引m係被 令ί廡使用°在某些實施實例中之程式命 ㈣:：’纟、技術中之—般供快閃記憶體裝置用之-種位元 偏】:序令’開始一偏壓程序。於-實施例中， 算來感應遭辣式_作之電職於抹除計 红Ό 电于/主入汜憶體早兀（方塊501)。舉 中二舍ΐ道開始之二次電子注入係被生成於一第—偏壓配置 使電子注人於被程式化之單元中之電荷_結構之一 ^在施加，子，人偏壓配置之後，—狀態機或其他邏輯決 匕才呆作是否藉由使用一程式續認操作而對每個單元而言 -a f力的α此’在τ —個步驟中，演算法決定記憶體單 =疋否基於抹除計算而通過確認操作（方塊5〇2)。如果此單元並 未通過確認’則增加索引η(方塊5〇3)，且演算法決定索引是否 已，到預先指定之最大重試次數]^(方塊5〇4)。如果已執行最大 重試次數*沒有通過確認，貞彳程序线（^塊奶）。如果於方塊 504亚未執仃最大重試次數，則程序回復至方塊jo〗以再次嘗試 1273601 電子注入偏壓配置。如果於方塊502，記憶體單元通過確認，則 演异法通過，如方塊509所示。每次執行程式化操作之後，儲 存於計數記憶體中之資料係用以調整程式偏壓條件。這是處理 程式化速度隨著記憶體區段之使用次數的增加而減少之關鍵所 在。又，每次執行確認操作之後，儲存於計數記憶體中之資料 係用以調整確認偏壓條件。這是處理隨著記憶體區段之使用次 數增加的而導致之裕度損失之關鍵所在。 此種技術之實施例包含在實際抹除程序之前、之後或期間 之種更新抹除计异。又，此種技術之實施例包含每隔一個抹 除操作，或以比每個抹除操作較不頻繁之某種有規則或不規則 的間隔，就以每個抹除操作更新抹除計算。 计數忆憶體之另一個實施例係顯示於第6圖中。於第6圖 中，计數圮憶體600包含複數個可重新寫入的計數記憶體6〇2， 其在圖中以重新程式化的計數記憶體〇_N顯示。計數記憶體6〇〇 亦包含複數嗰單次編程計數記憶體〇_N6〇4。單次編程計數記憶 體考量與計數記憶體相關的非揮發性記龍是隨著增加之使用 讀而不可逆地改變作用情形之事實。儲存於計數記憶體中之 貧料可被無意地抹除或遺失，譬如由於電力損失。尤其如果此 種事件產生數次，則-特定狀態已被建立之次數之資料將不再 正確地反映特定狀態已被建立之實際次數。藉由使用單次編程 計數記憶體6G4可處理這種錯誤。舉例而言，在儲存於可重新 寫入的計數記憶體6G2之資料增加至特定值m之後，單次編程 吞十數5己t思體6 0 4係被增加以々^ 1于、裉〜加以σ己錄與可重新寫入的計數記憶體6〇2 相關的記憶體已經達到另—Μ次之特定狀態，而可重新寫入的 計數記憶體602重置。 12 1273601 综上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，缺豆 亚非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保諜 乾圍當視後附之申睛專利範圍所界定者為準。

13 1273601 【圖式簡單說明】 第1圖顯示具有複數個非揮發性記憶體區段以及與每個非 Μ生錢體區段相_的計婁丈記憶體之一非揮發性記憶體陣

苐2圖顯示包含具有計數記憶體之一非揮發性記憶體陣 之一積體電路。 J 第3 W顯示包含具有計數記憶體之—非揮發性記憶體 <另一種積體電路。

發 第4圖赫在非揮發性記憶體场行確狀抹除操作之啟 第5圖顯*在轉發性記憶體域行確狀程式化操作之 第6圖顯示具有單次編程記憶體之一 々也_ > 计數兄憶體，且計數 5己k、體母次儲存一特定值就會被更新。 【主要元件符號說明】 CM0-CMN〜計數記憶體 100〜非揮發性記憶體陣列 101〜非揮發性記憶體區段1 102〜非揮發性記憶體區段n 103〜非揮發性記憶體區段μ 104〜非揮發性記憶體區段ΜΝ 111〜計數記憶體1 112〜計數記憶體Ν 113〜計數記憶體μ 114〜計數記憶體ΜΝ 200〜快閃陣列 14 1273601 \ 201〜線 202〜位址緩衝器與閂鎖器 203〜線 204〜X解碼器 205〜Y解碼器 206〜傳輸閘 207〜感測放大器 208〜程式資料高電壓電路 209〜程式資料問鎖器 > 210〜I/O緩衝器 211〜線 212〜命令控制方塊 213〜寫入狀態機 214〜控制邏輯 215、216、217〜線 21 8〜程式化與抹除高電壓電路 3 00〜記憶體陣列 301〜列解碼器 • 302〜字元線 303〜行解碼器 3 04〜位元線 305〜匯流排 306〜感測放大器與資料輸入結構 307〜資料匯流排 308〜偏壓配置電源電壓 309〜偏壓配置狀態機 311〜資料輸入線 15 1273601 V 312〜資料輸出線 350〜積體電路 3 70〜計數記憶體 400〜方塊（抹除程序之步驟） 4 01〜方塊（抹除程序之步驟） 402〜方塊（抹除程序之步驟） 403〜方塊（抹除程序之步驟） 404〜方塊（抹除程序之步驟） 405〜方塊（抹除程序之步驟） > 4 0 7〜方塊（抹除程序之步驟） 408〜方塊（抹除程序之步驟） 500〜方塊（程式化程序之步驟) 5 01〜方塊（程式化程序之步驟） 502〜方塊（程式化程序之步驟） 503〜方塊（程式化程序之步驟） 504〜方塊（程式化程序之步驟） 5 0 5〜方塊（程式化程序之步驟） 5 0 9〜方塊（程式化程序之步驟） • 600〜計數記憶體 602〜計數記憶體 604〜單次編程計數記憶體 16

Claims (1)

1273601 十、申請專利範圍：

之方法 一種用以調整積體電 ，包含以下步驟： 非揮發性記憶體之操作條件 體單 維持關於一抹除閾值狀態已被建 元中之次數之資料； 立在複數個非揮發性記憶 基於關於該抹除闕值狀態已被建立在該複數個非揮發 憶體單元中之該次數之該資料，決定 X ° 抑一 、 、疋5亥複數個非揮發性記憶體 早70之一偏壓程序；以及 將該偏壓程序施加至該複數個非揮發性記憶體單元。

2.如申請專利範圍第丨項所述之方法，更包含以下步驟： 決定該抹除閾值狀態已被建立在該複數個記憶體單元中達 到另一預定次數；以及 ^該積體電路上之-個單次寫人記憶體以表示該抹除間 —、怨已被建立於該複數個非揮發性記憶體單元中達到另一預 定次數。 、 3·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該偏壓程序建 立在該複數個非揮發性記憶體單元中之該程式閾值狀態。 、4·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該偏壓程序係 為私式化私序，其包含用以測量在該複數個記憶體單元中之 複數個閾值電壓之一確認偏壓程序。 、5·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該偏壓程序係 為抹除知序’其包含用以測量在該複數個記憶體單元中之複 數個閾值電壓之一確認偏壓程序。 人6·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該決定步驟包 3·调整施加至該複數個非揮發性記憶體單元之該偏壓程序以 建立該複數個非揮發性記憶體單元中之該抹除閾值狀態。 7·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該決定步驟包 17 1273601 含··調整施加於該複數個非揮發性記憶體單元之該偏壓程序中 之複數個偏壓配置之一順序。 8·如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中該決定步驟包 含：調整施加於該複數個非揮發性記憶體單元之該偏壓程序中 之複數個偏壓配置之一時序。 入9.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該決定步驟包 含：調整施加於該複數個非揮發性記憶體單元之該偏壓程序^ 之至少一偏壓配置之一期間。

八10:如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該決定步驟 包含··調整施加於該複數個非揮發性記憶體單元之該偏壓程序 中之至少一偏壓配置之一波形形狀。 王 其中讀決定步驟包 元之该偏壓程序中 11·如申請專利範圍第1項所述之方法， 含：調整施加於該複數個非揮發性記憶體單 之至少一偏壓配置之一偏壓大小。 ，其中該決定步驟 單元之該偏壓程序 12·如申請專利範圍第i項所述之方法 包含：添加施加於該複數個非揮發性記憶體 中之至少一偏壓配置。 Ιό 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該決 包含：移除施加於該複數個非揮發性記憶 '^驟 中之至少-偏壓配置。 （该偏壓程序 1—4.二申請專利範圍第"貞所述之方法’更包含以下步驟. 憶體母^該資料已被更新至-特定值時就更新_單次編程記 • 乂丨明f们軍巳囷罘！孭所迷之方法，更 每次當該資料已被更新至一特定值時就更 ％ ^ 憶體，並將該資料重置成零。 斫早-人編牙 16. —種用以調整積體電路上之非 私丨王s己憶體之操子 18 口736〇1 祌之設備，包含： 一非揮發性記憶體陣列，其包含·· 複數個第-記憶體單元，其儲存一 程式閾值狀態之至少一者；及 rJ二第二記憶體單元’其儲存該抹除閾值狀態與該 值，之至少一者，其中該複數個第二記憶體單元儲 存未除間值狀態已被建立在該複數個第-記憶體單 兀中之次數之資料；及 控制包路’其連接至非揮發性記憶體陣列，該控制電路 導致· 、—Ϊ?:數:固弟二記憶體單元中維持關於該抹除閾值狀態已 被建立在該複數個第—記憶體單元中之次數之資料；及 一 關Γί除閑值狀態已被建立在該複數個第-記憶體 r兀a <貝料.，施加—偏壓程序至該複數個第-記憶體 單兀。 =•如中請專利範圍第16項所述之設備，更包含： 電路ΐ數個第三記憶體單元，位於連接至該控制電路之該積體 控制電路從該資料決定該抹除閾值狀態已被建立在 谷亥複數個弟一記情、辦| & 士、本 個第三記憶體單r、I 到另—狀次數，並更新該複數 鬼j早几以表不該抹除閾值狀態已被建立在該複數個 第一故料以相另-預定次數。 建立專利㈣第16項所述之設備’其中該偏壓程序 。複數個記憶體單元中之該程式閾值狀態。 似二。如巾st專利範11第16項所述之設備，其中該偏壓程序 r,弋化私序，其包含用以測量在該複數個第一記憶體單 疋中之複數個閾值電壓之—確認偏壓程序。 19 J273601 r\ λ •如申請專利範圍第16項所述之設備，其中該偏壓程序 ’、.、、、抹除程序，其包含用以測量在該複數個第一記憶體單元 中之複數個閾值電壓之一確認偏壓程序。 21 Jj •如申晴專利範圍第16項所述之設備，其中該控制電路 基於该資料調整施加至該複數個第一記憶體單元之該偏壓程序 以建立該複數個第一記憶體單元中之該抹除閾值狀態。 22·<如申請專利範圍第16項所述之設備，其中該控制電路 基於該身料調整施加於該複數個第一記憶體單元之該偏壓程序 中之複數個偏壓配置之一順序。

如申研專利範圍第丨6項所述之設備，該控制電路基於 該資料調整施加於該複數個第—記憶體單元之該偏壓程序中之 複數個偏壓配置之一時序。 24.一如巾請專利範圍第16項所述之^備，其中該控制電路 基於該貧料調整施加於該複數個第—記憶體單元之該偏壓程序 中之至少一偏壓配置之一期間。 申明專利範圍第16項所述之設備，其中該控制電路 :於該資料調整施加於該複數個第_記憶體單元之該偏壓程序 中之至少一偏壓配置之一波形形狀。 欠二\如/請專利範圍第16項所述之設備，其中該該控制1 ^於“貝料調整施加於該複數個第—記憶體單元之該偏動 序中之至少一偏壓配置之一偏壓大小。 其二請專利範圍第16項所述之設備，其中該控制❹ J於r料添加施加於該複數個第—記憶體單元之該偏细 中之至少一偏壓配置。 28·如申請專利範圍第16瑁自^、+、 他 ^ t 負所边之設備，其中該控制雷 基於該負料移除施加於該複數個 ,^ ^ /b伯广 设數個罘—記憶體單元之該偏壓程 中之至少一偏壓配置。 〃 20 1273601 29· —種用來調整積體電路上之非揮發性記憶體之操作條 件之設備之製造方法，包含以下步驟： 提供一個半導體基板； 於該半導體基板上形成一非揮發性記憶體陣列，該非揮發 性記憶體陣列包含： 複數個第一記憶體單70，其儲存一抹除閾值狀態與一 程式閾值狀態之至少一者；及 複數個第二記憶體單元，其儲存該抹除閑值狀態與該 程式閾值狀態之至少-者，其中該複數個第二記憶體單元儲 存關於該抹除閾值狀態已被建立在該複數個第一記憶體單 元中之次數之資料；及 於連接至該非揮發性記憶體陣列之該半導體基板形成一控 制電路，該控制電路導致： 在，複數個第二記憶體單元中維持關於該抹除閾值狀態已 被建立在該複數個第一記憶體單元中之次數之資料；及 =於關：該抹除閾值狀態已被建立在該複數個第一記憶體 單=中之讀之資料，施加—偏壓程序至該複數個第一記憶體 21