JP4106028B2 - メモリ装置におけるソフトプログラム検証のための方法および装置 - Google Patents
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Description
セルのチャネルは、スタックゲート構造によってチャネル内に形成された電界に従って、ソースとドレインの間に電流を導通させる。NOR型の回路構成では、一列(1コラム)内のトランジスタの各ドレイン端子は同一のビット線に接続される。さらに、ある与えられたビット線に係る各フラッシュセルは異なったワード線に結合されたスタックゲート端子を持つ。一方、アレイ内のすべてのフラッシュセルのソース端子は共通ソース端子に結合される。動作時には、個々のフラッシュセルは、周辺デコーダおよび制御回路を使用して、プログラミング(書き込み)、読み出し、消去機能のために、対応するビット線およびワード線を介してアドレス指定される。
Claims (10)
- ゲート(26)、ドレイン(22)、およびソース(24)を持ち、少なくとも1ビットの情報を記憶することができる、少なくとも一つのコアセル(20)と、
ソフトプログラム検証動作の際に、前記ゲート(26)に定電圧電源(130)を提供することができるロジック回路(140)と、
前記ソフトプログラム検証動作の際に前記少なくとも一つのコアセル(20)に関連し、ソフトプログラム検証信号(170)に従って、前記少なくとも一つのコアセル(20)のソフトプログラミングを検証することができるセンサ(150)とを備え、
前記ロジック回路(140)は、前記定電圧電源(130)のオーバーシュートが実質的に終わった後で前記少なくとも一つのコアセル(20)のソフトプログラミング検証を開始するために前記ソフトプログラム検証信号(170)を前記センサ(150)に供給する、メモリ装置(10)。 - 前記ロジック回路(140)は、前記定電圧電源(130)から前記ゲート(26)に対して第1電圧(130)を印加し、前記定電圧電源(160)が第2電圧(160)よりも大きな値を持った後、ソフトプログラム検証信号(170)を前記センサ(150)に固定時間(166)与える、請求項1のメモリ装置(10)。
- 前記ロジック回路(140)は、
前記定電圧電源(130)が前記第2電圧(160)よりも大きな値を持つときに、第1信号(WAPDEV)を生成する第1回路(172)と、
前記第1信号(WAPDEV)を受信し、前記第1信号(WAPDEV)に従って前記固定時間(166)を示す第1ウェイト信号(RWAIT)を生成する第2回路(174)と、
前記第1ウェイト信号を受信して、前記第1信号(WAPDEV)の後、第2ウェイト信号(WAIT)を前記固定時間(166)供給するタイマー回路(176)と、
前記第2ウェイト信号(WAIT)に従って、前記ソフトプログラム検証信号(170)をセンサ(150)に供給する状態機械(178)とを備える、請求項2のメモリ装置(10)。 - 前記第2電圧(160)はおよそ4ボルト以上であり、前記第1電圧(130)はおよそ2.7ボルトであり、前記固定時間(166)はおよそ200ns以上で、およそ500ns以下である、請求項3のメモリ装置(10)。
- 前記定電圧電源(130)は、プログラミング動作の際に、前記少なくとも一つのコアセル(20)の前記ドレイン(22)に選択的に接続されるドレインポンプ(131)を含む、請求項3のメモリ装置(10)。
- 前記固定時間(166)は、およそ350ns以上、およそ450ns以下である、請求項2のメモリ装置(10)。
- ゲート(26)、ドレイン(22)およびソース(24)を持つ少なくとも一つのコアセル(20)を有するメモリ装置(10)のソフトプログラミングを検証するための方法(300)であって、
ソフトプログラム検証動作(302)の際に、分圧器(R1,R2)を通して、前記ゲート(26)に定電圧電源(130)を供給するステップ(304)と、
前記定電圧電源(130)のオーバーシュート(162)が弱まった(310)後、センサ(150)を用いて、前記少なくとも一つのコアセル(20)のソフトプログラミングを検証する(312)ステップとを含む方法(300)。 - 前記定電圧電源(130)を提供するステップは前記ゲート(26)に第1電圧(130)を供給するステップを含み、前記ソフトプログラミングを検証する(312)ステップは、
前記定電圧電源(130)が調整レベル(160)よりも大きくなった後、固定時間(166)待機する(310)ステップと、
前記固定時間(166)の後、センサ(150)を用いて、前記少なくとも一つのコアセル(20)に関する電流(150)をセンスするステップとを含む、請求項7の方法(300)。 - 前記固定時間(166)待機する(310)ステップは、
前記定電圧電源(130)が前記調整レベル(160)よりも大きな値を持つときに、第1信号(WAPDEV)を生成するステップと、
前記第1信号(WAPDEV)に従って、前記固定時間(166)を示す第1ウェイト信号(RWAIT)を生成するステップと、
前記第1信号(WAPDEV)の後、第2ウェイト信号(WAIT)を前記固定時間(166)供給するステップと、
前記第2ウェイト信号(WAIT)に従って、ソフトプログラム検証信号(170)を前記センサ(150)に供給するステップとを含む、請求項8の方法(300)。 - 前記固定時間(166)待機するステップは、前記定電圧電源(130)が前記調整レベル(160)よりも大きくなった後、およそ350ns以上、およそ450ns以下毎期するステップを含む、請求項8の方法(300)。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3984445B2 (ja) * | 2001-09-12 | 2007-10-03 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置のオーバーイレースセル検出方法 |
US6973003B1 (en) | 2003-10-01 | 2005-12-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device and method |
US6967873B2 (en) * | 2003-10-02 | 2005-11-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Memory device and method using positive gate stress to recover overerased cell |
JP4521243B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ消去方法 |
WO2006105133A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Sandisk Corporation | Soft programming non-volatile memory utilizing individual verification and additional soft programming of subsets of memory cells |
US7535763B2 (en) * | 2006-11-16 | 2009-05-19 | Sandisk Corporation | Controlled boosting in non-volatile memory soft programming |
US7697338B2 (en) * | 2006-11-16 | 2010-04-13 | Sandisk Corporation | Systems for controlled boosting in non-volatile memory soft programming |
US8189396B2 (en) | 2006-12-14 | 2012-05-29 | Mosaid Technologies Incorporated | Word line driver in a hierarchical NOR flash memory |
JP5316299B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2013-10-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体メモリ、システムおよび半導体メモリの動作方法 |
KR101610176B1 (ko) | 2013-10-30 | 2016-04-07 | 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션 | 반도체 메모리 장치 및 그것을 소거하는 방법 |
JP6144741B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2017-06-07 | ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション | 不揮発性半導体メモリ |
TWI822596B (zh) * | 2023-02-23 | 2023-11-11 | 華邦電子股份有限公司 | 記憶體裝置及其擦除方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5812461A (en) | 1990-06-14 | 1998-09-22 | Creative Integrated Systems, Inc. | Driver circuit for addressing core memory and a method for the same |
US5412238A (en) | 1992-09-08 | 1995-05-02 | National Semiconductor Corporation | Source-coupling, split-gate, virtual ground flash EEPROM array |
US5654929A (en) * | 1995-09-14 | 1997-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Refresh strategy for DRAMs |
US5856944A (en) * | 1995-11-13 | 1999-01-05 | Alliance Semiconductor Corporation | Self-converging over-erase repair method for flash EPROM |
EP0782149B1 (en) * | 1995-12-29 | 2003-05-28 | STMicroelectronics S.r.l. | Device for generating and regulating a gate voltage in a non-volatile memory |
US5896314A (en) | 1997-03-05 | 1999-04-20 | Macronix International Co., Ltd. | Asymmetric flash EEPROM with a pocket to focus electron injection and a manufacturing method therefor |
US5917743A (en) | 1997-10-17 | 1999-06-29 | Waferscale Integration, Inc. | Content-addressable memory (CAM) for a FLASH memory array |
EP0932161B1 (en) * | 1998-01-22 | 2004-06-09 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for controlled erasing memory devices, in particular analog and multi-level flash-EEPROM devices |
JP3863017B2 (ja) * | 1999-06-08 | 2006-12-27 | マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド | ビット線ソフト・プログラミング(blisp)のための方法及び集積回路 |
US6275415B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Multiple byte channel hot electron programming using ramped gate and source bias voltage |
US6331951B1 (en) * | 2000-11-21 | 2001-12-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for embedded chip erase verification |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8447221B2 (en) | 2011-04-04 | 2013-05-21 | Ricoh Company, Ltd. | Fixing device and image forming apparatus incorporating same |
Also Published As
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