TWI273581B - Information storage medium and method and apparatus for recording and/or reproducing data - Google Patents

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1273581 九、發明說明： 祖胤申請之相互參眧 本申請案主張對於在2003年9月8日於韓國智慧財 產局提出之編號爲2003-62855之韓國專利申請案之優先 權’並且主張對於分別在2003年6月12日及2003年6月 3〇日於美國專利商標局提出之臨時編號爲60/477,793及 60/483,233之美國專利申請案之優先權，在此完整揭露其 內容以作爲參考。 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種可記錄資訊儲存媒體，且特別是 有關於一種即使在複數層資訊儲存層當中存在離心率 (eccentricity)時也能控制最佳功率控制（0PC)區的最佳寫入 功率之資訊儲存媒體，以及一種用以記錄資料於上述資訊 儲存媒體或從上述資訊儲存媒體再生資料之方法與裝置。 【先前技術】 一般資訊儲存媒體廣泛使用爲以不接觸方式來記錄/ 再生資料之光學讀寫裝置的資訊記錄媒體。光碟使用爲資 訊儲存媒體並且根據其資訊儲存容量區分爲雷射光碟（C]Ds) 或數位多功能碟片（DVDs)。可記錄、可抹除以及可再生光 碟之例子爲650百萬位元組(MB)的CD-R和CD-RW、4.7 十億位元組（GB)的DVD+RW以及其他類似產品。此外，具 有25十億位元組（GB)或更大的記錄容量之HD-DVDs則正 在開發中。 如上所述，資訊儲存媒體已經發展成具備較大的記錄 6 13953pif 1273581 容量。資訊儲存媒體之記錄容量可藉由兩種典型方式予以 增加：1)縮減光源所發射之記錄光束的波長；以及2)增加 物鏡的數値孔g(numerical aPerture)。此外’有另一種形成 複數層資訊儲存層之方法。 第1圖繪示具有第一及第二資訊儲存層L0及L1之雙 層資訊儲存媒體。第一及第二資訊儲存層L0及L1分別包 括用以獲得最佳寫入功率之第一及第二最佳功率控制 區10L0及10L1，以及第一及第二缺陷管理區（DMAs)13L0 及13L1。第一及第二最佳功率控制（〇PC)區10L0及10L1 排列成互相面對。 將利用各種準位的寫入功率來記錄資料於第一及第 二最佳功率控制（OPC)區10L0及10L1以尋求最佳寫入功 率。因此，可能以高於最佳寫入功率之功率準位來記錄資 料。第1表繪示當記錄資料於具有不同準位的寫入功率之 最佳功率控制（OPC)區時，第一及第二資訊儲存層L0及L1 之每一層的跳動(jitter)特性之變化。 13953pif 7 1273581 第1表 正常寫入功率 高於正常寫入功率 約20%之寫入功率 L0 正寫入 未寫入 正寫入 已寫入 正寫入 已寫入 L1 未寫入 正寫入 已寫入 正寫入 已寫入 正寫入 跳動 0 5.9% 6.0% 5.8% 5.9% -> 6.4% 1 6.3% 6.2% 6.3% 6.2% ^ 6.3% 寫入 0 6.4 6.3 6.3 7.5 6.4 功率 1 6.0 6.0 6.2 6.0 7.2 根據第1表，若以正常寫入功率來記錄資料，則第一 或第二資訊儲存層L0或L1之跳動特性將保持固定。另一 方面，若以高於正常寫入功率大約20%之寫入功率來記錄 資料，則已經記錄資料之第一或第二資訊儲存層L 0或L1 的最佳功率控制（OPC)區之跳動特性將衰減。若以高於正常 寫入功率超過20%之寫入功率來記錄資料於第一及第二資 訊儲存層L0及L1之一，則可預期另一資訊儲存層之跳動 特性可能進一步衰減。 因此，若第一及第二資訊儲存層L0及L1的第一^及第 二最佳功率控制（OPC)區10L0及10L1存在於如第1圖所示 之一相等半徑內，則其中一區可能無法使用。 第一及第二最佳功率控制（OPC)區10L0及10L1其中 一區的記錄狀態可能影響到另一最佳功率控制（OPC)區的 記錄特性。例如，如第2A圖所示，若已經記錄資料於第一 13953pif 8 1273581 最佳功率控制（OPC)區10L0的一部分10L0—A且尙未s己錄 資料於其剩餘區域l〇LO_B，則第二最佳功率控制（0PC)區 1〇L1當中與第一最佳功率控制（OPC)區10L0的已佔用部分 10L0_A相對應之部分的記錄特性將不同於第二最佳功率 控制（OPC)區10L1當中與第一最佳功率控制（0PC)區10L0 的未佔用部分l〇L〇_B相對應之部分的記錄特性。換言之’ 因爲與第一最佳功率控制（OPC)區10L0的已佔用部分 1 0L0_A有關之雷射的透射率不同於與其未佔用部分 10L0_B有關之雷射的透射率，所以第二最佳功率控制（〇PC) 區10L1的記錄特性在此區域上可能是不規則的。 如上所述，若第一及第二最佳功率控制（OPC)區位於 一相等半徑內，則其可能無法適當地運作。 在資訊儲存媒體之製造期間，可能存在離心率。例 $口’具有單一資訊儲存層之資訊儲存媒體可能存在大約 7〇4〇微米（// m)(p-p)的離心率，其中P表示一尖峰。爲了 製造具有第一及第二資訊儲存層L0及L1之資訊儲存媒 體’因此將分別製造第一及第二儲存層L0及L1，然後再 予以互相連結。若在第一及第二資訊儲存層L0及L1之每 〜層的製造期間存在離心率，則其可能互相連結成第一資 奶儲存餍L0的區域不對齊第二資訊儲存層L1的區域，如 _ 2Β ΪΙ所示。 若第一及第二最佳功率控制（OPC)區10L0及i〇Li未 逝列’則因未並列排列而產生之重疊區域可能互相影響。 例如’茗利用高於正常寫入功率之功率來記錄資料於第一 ]3953pif 9 1273581 8pif1. doc 區的其中之-，·以及根據光碟的資料區結構資訊， 二己錄，定區中，其中該光碟的資料區結構資訊係用 &示導入區、使用者資料區、以及導出區’是從光 開始朝向其内部順序成形。 /、 ”將資料記錄在光碟的選定區中的該步驟，可包括以纪 f早位記騎料’其中每-記錄單位的長度較-預定内區 中的一個磁執的長度還長。 、 將資料記錄在光碟的選定區中的該步驟，可包括 料以從辆外目躺其巾^財向 、' 的選定區中的該步驟資: 吕己錄在至少兩個記錄單位中。 貝丁十 置。5=的::觀點’本發明提供-種資料再生裝 置該衣置包括-個光讀取頭；一 用來儲存碟片的資料區結構資墓、厂早70， 資料區'以及一導出F :且一導入區、-使用者 序成形在光碟上；以的=朝向其内圍，順 參考該資料區結構資訊，約^ 用來控制光讀取頭， 資料。使用者讀區、以及導出區的其中之-中讀取 根據該資料再生裝置 是以記錄單位記錄，其中每人，碟中的貝枓可能 光碟的-預定内區巾的錄早福長度都較在 可控制光讀取頭，以從光 長。因此，控制器 料。 A料_向其内圍的方向讀取資 1273581 根據本發明之一目的，每一個的大小至少是上述容許 範圍之緩衝區位於上述最佳功率控制（OPC)區之每一區的 兩側。 根據本發明之一目的，上述緩衝區於上述資訊儲存媒 體之徑向上的長度是在5至100微米（// m)之範圍。 根據本發明之一目的，一個用以儲存只可再生 (reproduction-only)資料之區域位於一資訊儲存層，使其面 對一相鄰的資訊儲存層之一最佳功率控制(OPC)區。 根據本發明之另一目的，在此提供一種包括複數層資 訊儲存層之資訊儲存媒體，其中每一層包括一個用以獲得 光學記錄條件之最佳功率控制（0PC)區。一單數資訊儲存層 之一最佳功率控制（0PC)區與一相鄰的偶數資訊儲存層之 一最佳功率控制（0PC)區位於上述資訊儲存媒體之不同半 徑內，使得即使在上述資訊儲存層之每一層有製造誤差時 也不會互相面對。 根據本發明之另一目的，上述資訊儲存媒體包括一缺 陷管理區及一使用者資料區。一緩衝區包含於上述缺陷管 理區與上述使用者資料區之間。 根據本發明之另一目的，一個用以儲存只可再生資料 之區域可能位於一資訊儲存層，使其面對一相鄰的資訊儲 存層之一最佳功率控制（〇pc)區。 根據本發明之另一目的，在此提供一種包括複數層資 訊儲存層之資訊儲存媒體，其中每一層包括一個用以獲得 光學記錄條件之最佳功率控制（OPC)區以及一個用以儲存 13953pif 11 1273581 只可再生資料之區域。一資訊儲存層之一最佳功率控制 (OPC)區將排列成面對一相鄰的資訊儲存層之一只可再生 ° 根據本發明之另一目的，上述只可再生區可能大於上 述最佳功率控制（OPC)區。 根據本發明之另一目的，上述緩衝區可能位於上述最 佳功率控制（OPC)區的兩側，並且上述緩衝區之每一區的大 小可能是考慮下列因素之至少一項所獲得的：測定每一區 域的起始位置之誤差；用以記錄及再生之光束的大小；以 及離心率。 根據本發明之另一目的，上述緩衝區位於上述最佳功 率控制區的兩側，並且位於上述最佳功率控制區之前的緩 衝區的大小可能對應於一對記錄一次的碟片相關資訊及碟 片控制資料。 爲了讓本發明之上述及/或其他目的和優點能更明顯易懂，下文 特舉其較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 現在將詳細參考本發明之實施例，其例子並於附圖中予以 繪不，其中相同的參考數字皆表示相同的元件。爲了解釋本 發明，因此以下將參照附圖說明其實施例。 參照第3A圖及第3B圖，根據本發明之一實施例之資 訊儲存媒體包括至少一層資訊儲存層，其中每一層包括一 個用以獲得最佳功率之最佳功率控制（〇]?(：：)區。上述最佳功 13953pif 12 1273581 率控制（OPC)區位於不同的半徑內，使得上述最佳功率控制 (OPC)區不會互相面對。 上述資訊儲存層之每一層更包括一缺陷管理區 (DMA)，以及一個用以記錄使用者資料之資料區。 第3A圖繪示包括第一及第二資訊儲存層L0及L1之 雙層資訊儲存媒體。第一資訊儲存層L0包括第一最佳功率 控制（OPC)區20_L0、第一缺陷管理區(DMA)23_L0以及第 一資料區35_L0，而第二資訊儲存層L1則包括第二最佳功 率控制（OPC)區20_L1、第二缺陷管理區(DMA)23JL1以及 第二資料區35__L1。 第一及第二最佳功率控制（OPC)區20JL0及20JL1位 於上述資訊儲存媒體之不同半徑內。第一緩衝區19JL0及 21_L0分別位於第一最佳功率控制(〇PC)區20_L0之前及之 後。第二緩衝區19JL1及21_L1分別位於第二最佳功率控 制（OPC)區20_L1之前及之後。 最好（但非必要）的情況是第一和第二緩衝區19_L0、 21_L0、19_L1以及21_L1具有足以包含製造資訊儲存媒體 時所需之容許範圍之長度。上述容許範圍是考慮下列三個 因素當中至少一個而獲得的：測定每一區域的起始位置之 誤差；用以記錄及再生之光束的大小；以及離心率。上述 測定每一區域的起始位置之誤差是在操作上述資訊儲存媒 體期間產生的，並且具有大約100微米（# m)的大小。對於 在區域之間無緩衝區之資訊儲存媒體’若記錄資料於軌跡 或由軌跡再生資料，則因爲光點（beam spot)的半徑通常大 1273581 於軌跡間距(track pitch)所以相鄰的軌跡受到光點°因 此，緩衝區將置於區域之間。上述緩衝區的大小可能在記 錄及再生光束的大小考量下決定，以避免記錄及再生光束 之影響。 若所使用之資訊儲存媒體作得有誤差，則第一及第二 緩衝區19—L0、21—L0、19—L1以及21—L1可避免第一及第 二最佳功率控制（OPC)區20—L0及20_L1影響到其他區域。 第一及第二最佳功率控制（OPC)區20—L0及20_L1位 於不同半徑內，使得第一及第二最佳功率控制（0PC)區 20_L0及20_L1不會互相面對。換言之，第一最佳功率控 制（OPC)區20_L0面對保留區30—L1，而第二最佳功率控制 (OPC)區20JL1則面對保留區30—L0。 第一及第二最佳功率控制（0PC)區20-L0及2〇-L1將 作成彼此相距一段距離，此距離不小於在上述貪通儲存媒 體之徑向上的可容許離心率。換言之，在徑向上第一及第 二最佳功率控制（〇pC)區20—L0及20-L1位置之間的差距不 小於上述可容許離心率。第一及第二最佳功率控制（〇PC) 區20_L0及20_L1位置之間的差距表不第一最佳功率控制 (OPC)區20JL0的後端與第二最佳功率控制（〇pC)區20-L1 的前端之間的距離。 參照第3A圖，第一及第二緩衝區19_L1及21—L0最 好以不小於可容許離心率之距離來隔開。 第3A圖之雙層資訊儲存媒體更包括一對緩衝區 31 L0及31—L1與一對緩衝區32__L0及32—L1當中至少一 13953pif 14 Ι27358Ϊ 對，以及保留區30_L0及30JL1。保留區30__L0及30_L1 也可能未包括。上述緩衝區位於保留區30_L0(或30_L1)與 ， 最佳功率控制（OPC)區20_L0(或20_L1)之間，以及位於缺 v 陷管理區（DMA)23—L0(或23—L1)與資料區35—L0(或35—L1) 之間。， 於第3A圖之雙層資訊儲存媒體中，緩衝區位於相對 應之第一及第二資訊儲存層L0及L1的第一及第二最佳功 率控制（OPC)區20JL0及20_L1之每一區的兩側。這原則最 好也同樣應用於第3B圖之單層資訊儲存媒體。 · 參照第3B圖，上述單層資訊儲存媒體包括最佳功率 控制（OPC)區20，以及位於最佳功率控制（OPC)區20兩側 之緩衝區19及21。上述單層資訊儲存媒體更包括保留區 30、缺陷管理區（DMA)23以及資料區35。如第3B圖所示， 緩衝區31位於保留區30與缺陷管理區（DMA)23之間，而 緩衝區32則位於缺陷管理區（DMA)23與資料區35之間。 爲了避免離心率影響到第3A圖所示之資訊儲存媒 體，因此第一及第二緩衝區L0、21_L0、19_L1以及21—L1 _ 之每一區的大小對應於可容許離心率。因此，即使在第一 及第二資訊儲存層L0及L1的離心程度、達到可容許離心率 範圍內之最大量時，也能分別將第一及第二資訊儲存層的 最佳功率控制（OPC)區2〇_LO及2〇_Ll排列成最佳功率控制 (OPC)區20_L0與20_L1不會互相面對。 對於具有120毫米(mm)直徑之資訊儲存媒體，可容許 離心率是在大約70-80微米（/zm)的範圍。對於具有60毫 13953pif 15 1273581 米（mm)直徑之資訊儲存媒體，可容許離心率是在大約20-30 微米（// m)的範圍。可容許離心率是根據資訊儲存媒體的大 小而變化。因此，第一及第二緩衝區19_L0、21_L0、19_L1 以及21_L1具有5至100微米（// m)之大小，以便包含所有 可能種類之資訊儲存媒體的可容許離心率。 第4A圖及第4B圖繪示第一及第二資訊儲存層L0及 L1 ’其離心程度達到可容許離心率範圍內之最大量。第4A 圖繪示作成分別偏向第3A圖之資訊儲存媒體的內側及外 側邊界之第一及第二資訊儲存層L0及L1。第4B圖繪示作 成分別偏向第3A圖之資訊儲存媒體的外側及內側邊界之 第一及第二資訊儲存層L0及L1。 篸P兒弟4A圖’虽弟3A圖之貪訊儲存媒體處於最大離 心狀態時，第一最佳功率控制（OPC)區20_L0將面對緩衝區 31_L1(見圓圏A)或保留區30_L1而非第二最佳功率控制 (OPC)區20JL1。同樣地，第二最佳功率控制（OPC)區20_L1 將面對緩衝區31_L0(見圓圈B)或保留區30_L0而非第一最 佳功率控制（OPC)區20_L0。 參照第4B圖，當第3A圖之資訊儲存媒體處於最大離 心狀態時，第一最佳功率控制（OPC)區2〇_LO將面對緩衝區 19_L1(見圓圈A，），並且第二最佳功率控制（OPC)區20_L1 將面對緩衝區21_L0(見圓圈B’）。 如上所述，即使在第3A圖之資訊儲存媒體處於最大 離心狀態時，第一及第二最佳功率控制（〇PC)區20_L0及 20_L1也不會互相面對，因此在測試最佳功率控制期間將 13953pif 16 1273581 不會互相影響。當然，若第3A圖所示之資訊儲存媒體未作 成離心的，則因爲第一及第二最佳功率控制（0PC)區20-L0 及20JL1原本就排列成不會互相面對，所以他們不會互相 影響。 第.3A圖之雙層資訊儲存媒體之上述佈置也可同樣應 用於具有多於兩層資訊儲存層之資訊儲存媒體。換言之’ 對於具有至少四層資訊儲存層之資訊儲存媒體而言’單數 資訊儲存層每一層都具有第3A圖之第一資訊儲存層L0之 佈置，而偶數資訊儲存層每一層都具有第3A圖之第二資訊 儲存層L1之佈置。 第5A圖繪示一種具有第一、第二、第三以及第四資 訊儲存層LO、Lb L2以及L3之四層資訊儲存媒體。第一、 第二、第三以及第四資訊儲存層L0、LI、L2以及L3分別 包括：最佳功率控制（OPC)區20—L0、20_L1、20_L2以及 20JL3 ;缺陷管理區（DMAs)23__L0、23-L1、23—L2 以及 23—L3 ;以及資料區 35JL0、35JL1、35—L2 以及 35—L3。 若資訊儲存媒體具有複數層資訊儲存層’則其將具有 單數資訊儲存層及偶數資訊儲存層。單數資訊儲存層所包 括之最佳功率控制（OPC)區20_L0及20_L2將以第一最佳功 率控制（OPC)區來表示，而偶數資訊儲存層所包括之最佳功 率控制（OPC)區2〇_Ll及2〇_L3則以第二最佳功率控制 (OPC)區來表示。單數及偶數資訊儲存層之第一及第二最佳 功率控制（OPC)區分別位於上述資訊儲存媒體之不同半徑 內。用以避免最佳功率控制（OPC)受到離心率影響之一對緩 13953pif 17 1273581 衝區19—L0及21_L0、一對緩衝區19—L1及21-L1、一對 緩衝區19—L2及21JL2、以及一對緩衝區19—L3及21-L3 分別位於最佳功率控制（OPC)區20—L0、20—L1、20—L2以 及2〇_L3之每一區的兩側。 其中更包括保留區30_L0、30—L1、30—L2以及3〇—L3 ’ 並且可能還有緩衝區31__L0、31—LI、31_L2以及31—L3與 保留區 30_L0、30_L1、30JL2 以及 3〇_L3 相鄰。 第5B圖繪示第5A圖之四層資訊儲存媒體之一離心狀 態。如第5B圖之圓圏E及F所示，即若具有至少三層資訊 儲存層之資訊儲存媒體作成離心的，相鄰資訊儲存層之最 佳功率控制（OPC)區也不會互相面對。因此’可避免某一最 佳功率控制（OPC)區所執行之最佳功率控制（0PC)影響到另 一最佳功率控制（OPC)區。 參照第0A圖，第3A圖之雙層資訊儲存媒體之一變型 包括至少一層資訊儲存層，其中每一層包括一個用以獲得 最佳功率之最佳功率控制（OPC)區、一缺陷管理®(DMA)、 以及一個用以記錄使用者資料之資料區。一緩衝區與上述 最佳功率控制（OPC)區相鄰且朝向上述資訊儲存媒體之內 側或外側邊界。 第όΑ圖之雙層資訊儲存媒體包括第一及第一貪訊儲 存層L0及L1。第一及第二資訊儲存層L()及L1的第一及 第二最佳功率控制（OPC)區20—L0及20-L1位於上述資訊儲 存媒體之不同半徑內，使得第一及第二最佳功率控制（〇PC) 區20_L0及20_L1不會互相面對。第一及第一最佳功率控 13953pif 18 1273581 制（OPC)區20_L0及20_L1排列成在上述資訊儲存媒體之徑 向上彼此相隔一距離，此距離至少是最大離心率。 第一緩衝區2匕L0位於第一最佳功率控制（OPC)區 20_L0面對上述資訊儲存媒體外側邊界的那一邊，而第二 緩衝區1,9_L1則位於第二最佳功率控制（OPC)區20_L1面對 上述資訊儲存媒體內側邊界的那一邊。若上述資訊儲存媒 體不具離心率，則第一及第二緩衝區21_L0及19_L1將互 相面對。第一及第二緩衝區21_L0及19_L1具有至少是最 大離心率之長度。保留區3〇_LO及30_L1與第一及第二緩 衝區21_L0及19_L1相鄰。 於第6A圖之資訊儲存媒體中，無緩衝區包含於缺陷 管理區（DMA)23_L0與資料區35__L0之間以及缺陷管理區 (DMA)23_L1與資料區35_L1之間。因此，第6A圖之資訊 儲存媒體提供比第3A圖之資訊儲存媒體更多用以儲存使 用者資料之區域。 第6B圖及第6C圖繪示第6A圖之雙層資訊儲存媒體 之不同最大離心狀態。如第6B圖所示，若第一及第二資訊 儲存層L0及L1作成分別偏向第6A圖之資訊儲存媒體之 內側及外側邊界，則第二最佳功率控制(OPC)區20JL1將面 對第一資訊儲存層L0之缺陷管理區(DMA)23_L0。 如第6C圖所示，若第一及第二資訊儲存層L0及L1 作成分別偏向第6A圖之資訊儲存媒體之外側及內側邊 界，則第一最佳功率控制（OPC)區20_L0將面對第二資訊儲 存層L1之緩衝區19_L1，並且第二最佳功率控制（〇PC)區 13953pif 19 1273581 20_L1將面對第一資訊儲存層L0之緩衝區21—L0。換言之， 於本例中，即若第6A圖之資訊儲存媒體作成離心的’桌一 及第二最佳功率控制（OPC)區20_L0及20—L1也不會互相面 對。因此，第一及第二最佳功率控制（〇PC)區20-L0及20一L1 不會互相影響。並且，藉由儘可能地減少緩衝區可增加第 6A圖之資訊儲存媒體的記錄容量。 第7A圖繪示第3A圖之雙層資訊儲存媒體之另一實施 例。參照第7A圖，第一及第二資訊儲存層L0及L1分別 包括：第一及第二最佳功率控制（OPC)區4(LL0及40_L1 ; 缺陷管理區（DMAs)42_L0及42_L1 ;以及資料區44_L0及 44JL1。緩衝區39_L0與第一保留區41__L0位於第一最佳功 率控制（OPC)區40_L0的兩側，而緩衝區41_L1與第二保留 區39_L1則位於第二最佳功率控制（OPC)區40_L1的兩側。 第7A圖與第3A圖之貧訊儲存媒體相问的地方在於弟一'及 第二最佳功率控制（OPC)區40JL0及40_L1位於不同半徑 內。而異於第3A圖，第7A圖之第一及第二保留區41__L0 及39JL1的大小與第3A圖之保留區30_L0及30JL1的大 小不同。於第3A圖中，緩衝區21_L0、保留區30_L0以及 緩衝區31_L0循序排列在第一最佳功率控制（OPC)區20JL0 面對外側邊界的那一邊。同樣地，於第7A圖中，其長度對 應於保留區30_L0和緩衝區21JL0及31JL0之第一保留區 41_L0位於第一最佳功率控制（OPC)區4〇JLO面對外側邊界 的那一邊。 並且，於第3A圖中，緩衝區31_L1、保留區30JL1 13953pif 20 1273581 以及緩衝區19_L 1循序排列在第二最佳功率控制（〇pc)區 2LL1面對內側邊界的那一邊。同樣地，於第7A圖中，其 長度對應於保留區30_L1和緩衝區19_L1及31_L1之第二 保留區39_L1位於第二最佳功率控制（〇PC)區40JL1面對內 側邊界的那一'邊。 如上所述，將根據各種實施例之資訊儲存媒體作成相 鄰資訊儲存層之最佳功率控制（OPC)區位於不同半徑內且 每一最佳功率控制（OPC)區面對一保留區或一緩衝區，藉以 避免因最佳功率控制（OPC)而減弱記錄特性。上述面對每一 最佳功率控制（OPC)區之保留區或緩衝區最好比每一最佳 功率控制（OPC)區長。 第7B圖繪示第3B圖之單層資訊儲存媒體之另一實施 例。爲了與第7A圖之雙層資訊儲存媒體一致，因此第7B 圖之單層資訊儲存媒體包括最佳功率控制（〇PC)區40、位 於最佳功率控制（0PC)區40的某一邊之緩衝區39、以及位 於最佳功率控制（0PC)區40的另一邊之保留區41。缺陷管 理區（DMA)42、緩衝區43以及資料區44與保留區41相鄰。 於本實施例中，保留區41大於緩衝區39。 第8圖是根據本發明之另一實施例之雙層資訊儲存媒 體的資料區之佈置圖。第8圖之雙層資訊儲存媒體包括第 一及第二資訊儲存層L0及L1。用以控制最佳記錄功率之 第二最佳功率控制（0PC)區47JL1包含於第二資訊儲存層 L1，而用以儲存只可再生資料之第一只可再生區50_L0則 位於第一資訊儲存層L0當中面對第二最佳功率控制（〇PC) 1273581 區47__L1之位置。第一只可再生區50_L0大於第二最佳功 率控制（OPC)區47_L1。只可再生資料之例子包括碟片相關 資訊及碟片控制資料。 第一資訊儲存層L0更包括第一保護區5 1_L0,以及位 於緩衝區45JL0與48_L0之間的第一最佳功率控制（OPC) 區47_L0。第二資訊儲存層L1更包括緩衝區45_L1及 48JL1、第二保護區51_L1以及第二只可再生區50JL1。緩 衝區45JL1及48JL1位於第二最佳功率控制（〇PC)區47—L1 的兩側。 第一及第二保護區51JL0及51_L1用以獲得碟機存取 碟片的每一區之時間間隔。換言之，保護區用以依碟片之 徑向由一區域轉移至另一區域。 第一及第二緩衝區45—L0、45_L1、48_L0以及48一L1 之每一區的長度足以包含製造資訊儲存媒體時所需之谷5午 範圍。上述容許範圍是考慮下列三個因素當中至少一個而 獲得的：測定每一區域的起始位置之誤差；用以記錄及1 生之光束的大小；以及離心率。上述測定每一區域的起始 位置之誤差產生於操作期間並且具有大約100微米（//m)的 大小。對於在區域之間無緩衝區之資訊儲存媒體’右j錄 資料腿誠由軌跡再生資料’靡爲光_半徑通常大 於軌跡間距所以相鄰的軌跡受到光點影響。因此’於本1發 明之實施例中緩衝區將置於區域之間。上述緩衝區的大小 可能在記錄及再生光束的大小考量下決定’以避免記錄及 再生光束之影響。 13953pif 22 Ι27358Ϊ 爲了避免最佳功率控制（OPC)影響到相鄰資訊儲存 層，因此第一資訊儲存層L0的最佳功率控制（OPC)區47_L0 排列成面對第二只可再生區50_L1，而第二資訊儲存層L1 之第二最佳功率控制（OPC)區47_L1則排列成面對第一只 可再生區50_L0。 爲了增加資訊之可靠性，因此可能在第一及第二只可 再生區50_L0及50_L1中多次記錄碟片相關資訊及碟片控 制資料，而這些是只可再生資料之例子。於本例中，爲了 面對一個對應於至少一對碟片相關資訊及碟片控制資料之 區域，因此緩衝區45_L0及45_L1之每一區都比一對記錄 一次的碟片相關資訊及碟片控制資料還長。 因爲只可再生區之記錄幾乎不受最佳功率控制（OPC) 程序影響，所以此區直接位於第8圖之資訊儲存媒體的最 佳功率控制（OPC)區之上或之下。因此，當使用只可再生區 來避免某一最佳功率控制（OPC)區之最佳功率控制（OPC)影 響到另一最佳功率控制（OPC)區時，也將使用只可再生區作 爲資料區。並且，即若第8圖之資訊儲存媒體存在離心率’ 因爲第一及第二最佳功率控制（〇PC)區47_L0及4乙L1排列 成不會互相面對，所以在某一最佳功率控制（OPC)區中執行 最佳功率控制（OPC)程序不會影響到位於不同層之另一最 佳功率控制（OPC)區。 第9圖繪示第8圖之雙層資訊儲存媒體之一變化類 型。於第9圖之雙層資訊儲存媒體中’第一資訊儲存層L0 包括第8圖之第一只可再生區50_L0 ’此區用以記錄只可 13953pif 1273581 再生的碟片相關資訊與只可再生的碟片控制資料’並且包 括第一保護區5 1 _L0。第*資訊儲存層L1包括面對弟一只 可再生區50_L0之最佳功率控制（OPC)區47_L1。第一及第 二緩衝區45_L1及49JL1位於最佳功率控制（OPC)區47_L1 的兩側。第9圖之資訊儲存媒體與第8圖不同之處在於第 二緩衝區49_L1的大小近似第8圖之第二緩衝區48JL1加 上第8圖之第二保護區51_L1的大小。如上所述，緩衝區 根據其目的、用途或類似因素可能有各種大小。 即若第8圖及第9圖之資訊儲存媒體作成離心的，或 在第8圖及第9圖之資訊儲存媒體的每一區域起始位置產 生誤差，最佳功率控制（OPC)區47_L1也總是面對第一只可 再生區50_L0。因此，只可再生區50JL0避免某一層的最 佳功率控制（OPC)區之最佳功率控制（OPC)影響到相鄰層的 區域，並且可作爲資料區使用。 第11圖是用以實施第1〇圖之裝置之碟機之方塊圖。 參照第11圖，上述碟機包括作爲記錄器/讀出器 (writeiVreader)lOO 之讀寫頭(pickup)llO。碟片 130 將載入 於讀寫頭no之中。上述碟機更包括個人電腦介面（pc I/F)121、數位信號處理器（DSP)122、射頻放大器（RF AMP)123、伺服單元（servo)124以及系統控制器125，所有 這些元件構成控制器120。 於記錄時，個人電腦介面(PC I/F)121從一主機（未顯 示）接收記錄命令連同所要記錄之資料。系統控制器125執 行用以記錄所需之初始化。更特別的是系統控制器125讀 13953pif 24 1273581 出用以初始化所需之資訊，例如碟片的導入區（lead_in area) 所儲存之碟片相關資訊，並且根據所讀出之資訊來準備記 錄。數位ig 5虎處理益（DSP) 122對於接收自個人電腦介面（pc I/F)121且要記錄之資料執行錯誤修正碼(ECC)編碼，其方 法爲增加如同位元（parity)之資料至所接收之資料，然後以 指定方式來調變已用錯誤修正碼(ECC)編碼之資料。射頻放 大器(RF AMP)123將接收自數位信號處理器(DSP)122之資 料轉換成射頻(RF)信號。讀寫頭11〇將接收自射頻放大器 (RF AMP)123之射頻(RF)信號記錄於碟片130。伺服單元 124從系統控制器125接收用以伺服控制所需之命令，並且 伺服控制讀寫頭110。若碟片130未儲存再生速度資訊，則 當記錄開始時系統控制器125將命令讀寫頭110於正在執 行記錄時或在已經完成記錄之後把再生速度資訊寫入碟片 130之一指定區。 於再生時，個人電腦介面（PC I/F)121從上述主機（未 顯示）接收再生命令。系統控制器125執行用以再生所需之 初始化。當初始化完成時，系統控制器125讀出碟片130 所記錄之再生速度資訊，並且以與所讀出之再生速度資訊 相對應之再生速度來執行再生。讀寫頭110投射雷射光束 於碟片13〇，並接收碟片130所反射之雷射光束，且輸出光 學信號。射頻放大器（RF AMP)123將接收自讀寫頭110之 光學信號轉換成射頻（RF)信號，並將由此射頻（RF)信號所 獲得之調變資料提供給數位信號處理器（DSP)122，且將由 此射頻（RF)信號所獲得之伺服控制信號提供給伺服單元 13953pif 25 1273581 124。數位信號處理器(DSP)122解調上述調變資料，並且輸 出經由錯誤修正碼(ECC)錯誤修正所獲得之資料。伺服單元 124從射頻放大器(RF AMP)123接收伺服控制信號，並從系 統控制器125接收用以伺服控制所需之命令，且伺服控制 讀寫頭110。個人電腦介面（PC I/F)121將接收自數位信號 處理器(DSP)122之資料送至上述主機（未顯示）。 根據本發明之一種記錄資料於資訊儲存媒體之方法 包括：記錄資料於用以獲得光學記錄條件之最佳功率控制 區；以及將上述最佳功率控制區置於相鄰的資訊儲存層且 置於上述資訊儲存媒體之不同半徑內。 如上所述’根據本發明之資訊儲存媒體即使在作成離 心的或有製造誤差時，也能避免因某一資訊儲存層之最佳 功率控制（OPC)區影響到相鄰資訊儲存層之最佳功率控制 (OPC)區而減弱上述資訊儲存媒體之記錄特性。 雖然已經揭露本發明之較佳實施例，然其並非用以限 定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之原理及 精神的情況下，當可作些許之更動，因此本發明之權利保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 【圖式簡單說明】 第1圖是習知雙層資訊儲存媒體的資料區之佈置圖。 第2A圖及第2B圖繪示第1圖之習知雙層資訊儲存媒 體的最佳功率控制（OPC)區對於最佳功率控制（〇pc)區以外 的區域之影響。 13953pif 26 1273581 第3A圖是根據本發明之一實施例之雙層資訊儲存媒 體的資料區之佈置圖。 第3B圖是根據本發明之一實施例之單層資訊儲存媒 體的資料區之佈置圖。 第4A圖及第4B圖繪示第3A圖之雙層資訊儲存媒體 之不同離心狀態。 第5A圖是根據本發明之一實施例之四層資訊儲存媒 體的資料區之佈置圖。 第5B圖繪示第5A圖之四層資訊儲存媒體之一離心狀 冃皂〇 第6A圖繪示第3A圖之雙層資訊儲存媒體之一變化類 型·。 第6B圖及第6C圖繪示第6A圖之雙層資訊儲存媒體 之不同離心狀態。 第7A圖繪示第3A圖之雙層資訊儲存媒體之另一變化 類型。 第7B圖繪示第3B圖之單層資訊儲存媒體之一變化類 型。 第8圖是根據本發明之另一實施例之雙層資訊儲存媒 體的資料區之佈置圖。 第9圖繪示第8圖之雙層資訊儲存媒體之一變化類 型。 第10圖是根據本發明之一實施例之一種記錄資訊於 一資訊儲存媒體或從一資訊儲存媒體再生資訊之裝置之方 13953pif 27 1273581 塊圖。 第Π圖是用以實施第10圖之裝置之碟機之方塊圖。 【主要元件符號說明】 圖式標記說明 10L0 最佳功率控制（OPC)區 10L0_A 最佳功率控制（OPC)區之已佔用部分 10L0_B 最佳功率控制（OPC)區之未佔用部分 10L1 最佳功率控制（OPC)區 13L0 缺陷管理區（DMA) 13L1 缺陷管理區（DMA) 19 緩衝區 19_L0 緩衝區 19_L1 緩衝區 19_L2 緩衝區 19_L3 緩衝區 20 最佳功率控制（OPC)區 20_L0 最佳功率控制（OPC)區 20_L1 最佳功率控制（OPC)區 20_L2 最佳功率控制（OPC)區 20_L3 最佳功率控制（OPC)區 21 緩衝區 21_L0 緩衝區 2 1 _L 1 緩衝區 13953pif 28 1273581 21_L2 緩衝區 21_L3 緩衝區 23 缺陷官理區（DMA) 23_L0 缺陷管理區（DMA) 23_L1 缺陷管理區（DMA) 23_L2 缺陷管理區（DMA) 23_L3 缺陷管理區（DMA) 3 0 保留區 3 0_L0 保留區 3 〇_L 1 保留區 3 0_L2 保留區 3 0_L3 保留區 31 緩衝區 31_LO 緩衝區 31_L1 緩衝區 31_L2 緩衝區 31_L3 緩衝區 32 緩衝區 32_L0 緩衝區 32_L1 緩衝區 32_L2 緩衝區 32_L3 緩衝區 35 資料區 35_LO 資料區 29 13953pif 1273581 35_ _L1 資料區 35— _L2 資料區 35_ _L3 資料區 39 緩衝區 39_ —L0 緩衝區 39_ _L1 保留區 40 最佳功率控制（OPC)區 40 _L0 最佳功率控制（OPC) 40 —LI 最佳功率控制（OPC) 41 保留區 41_ _L0 保留區 41_ _L1 緩衝區 42 缺陷管理區（DMA) 42_ 一 L0 缺陷管理區（DMA) 42 一 _L1 缺陷管理區（DMA) 43 緩衝區 43_ _L0 緩衝區 43 一 _L1 緩衝區 44 :料區 44一 L0 資料區 44— _L1 資料區 45 — L0 緩衝區 45_ _L1 緩衝區 47 L0 最佳功率控制（〇pcy 13953pif 30 1273581 47_L1 最佳功率控制（OPC)區 48_L0 緩衝區 48_L1 緩衝區 49JL1 緩衝區 5 0_^L0 只可再生區 5 0_L1 只可再生區 51_L0 保護區 51_L1 保護區 1〇〇 記錄器/讀出器 110 讀寫頭 120 控制器 121 個人電腦介面（PC I/F) 122 數位信號處理器（DSP) 123 射頻放大器（RF AMP) 124 伺服單元 125 系統控制器 130 碟片 L0 第一資訊儲存層 L1 第二資訊儲存層 L2 第三資訊儲存層 L 3 第四資訊儲存層 13953pif 31

Claims (1)

1273581 十、申請專利範圍： 1. 一種資訊儲存媒體，該資訊儲存媒體包括： 至少兩層資訊儲存層，每一該資訊儲存層包括一個用 以獲得一光學記錄條件之最佳功率控制區，其中該些資訊 儲存層之相鄰層的該些最佳功率控制區位於該資訊儲存媒 體之不同半徑內，以及至少一緩衝區位於至少一最佳功率 控制區之至少一側。 2. 如申請專利範圍第1項所述之資訊儲存媒體，其中 若該些相鄰的資訊儲存層之該些最佳功率控制區於該資訊 儲存媒體之一徑向上彼此相隔一小距離，則該距離至少是 一個製造該資訊儲存媒體時所需之容許範圍。 3. 如申請專利範圍第2項所述之資訊儲存媒體，該資 訊儲存媒體更包括複數個位於每一該最佳功率控制區的兩 側之緩衝區，每一該緩衝區的大小至少是該容許範圍。 4. 如申請專利範圍第3項所述之資訊儲存媒體，該資 訊儲存媒體更包括一個與位於該些最佳功率控制區周圍之 該些緩衝區之一相鄰之保留區。 5. 如申請專利範圍第1項所述之資訊儲存媒體，該資 訊儲存媒體更包括複數個資料記錄區以及一個介於相鄰的 該些資料記錄區之間的緩衝區。 6. 如申請專利範圍第1項所述之資訊儲存媒體，該資 訊儲存媒體更包括一缺陷管理區以及一使用者資料區，並 且包括一個位於該缺陷管理區與該使用者資料區之間的緩 衝區。 13953pif 32 1273581 7·如申g靑專利範圍第3項所述之資訊儲存媒體，其中 每一該緩衝區於該資訊儲存媒體之該徑向上的一長度是在 5至100微米（// m)之範圍。 8·如申請專利範圍第3項所述之資訊儲存媒體，其中 該容§午範圍是考慮下列因素當中至少一項而獲得的：一個 測定每一區域的一起始位置之誤差；一個用以記錄及再生 之光束的大小；以及離心率。 9·如申請專利範圍第1項所述之資訊儲存媒體，其中 一個用以儲存只可再生資料之區域位於該些資訊儲存層之 一，使得該只可再生資料面對相鄰的該些資訊儲存層之一 的該最佳功率控制區。 10·如申請專利範圍第9項所述之資訊儲存媒體，其中 碟片相關資訊及碟片控制資料將記錄於用以儲存該只可再 生資料之該區域。 11·如申請專利範圍第1項所述之資訊儲存媒體’其中 該至少一緩衝區位於該至少一最佳功率控制區之兩側。 12·—種資訊儲存媒體，該資訊儲存媒體包括： 複數層資訊儲存層，每一該資訊儲存層包括一個用以 獲得一最佳記錄條件之最佳功率控制區，其中一單數資訊 儲存層之該最佳功率控制區與一相鄰的偶數資訊儲存層之 該最佳功率控制區位於該資訊儲存媒體之不同半徑內’使 得即使在每一該資訊儲存層有一製造誤差時該單數資訊儲 存層之該最佳功率控制區與該偶數資訊儲存層之該最佳功 率控制區也不會互相面對，以及至少一緩衝區位於至少一 13953pif 33 1273581 最佳功率控制區之至少一側。 13. 如申請專利範圍第12項所述之資訊儲存媒體，其 中若該些相鄰的資訊儲存層之該些最佳功率控制區於該資 訊儲存媒體之一徑向上彼此相隔一小距離，則該距離至少 是一個製造該資訊儲存媒體時所需之容許範圍。 14. 如申請專利範圍第13項所述之資訊儲存媒體，該 資訊儲存媒體更包括將每一區都具有至少是該容許範圍的 大小之一緩衝區及一保留區當中至少一區置於每一該最佳 功率控制區的兩側。 15. 如申請專利範圍第12項所述之資訊儲存媒體，該 資訊儲存媒體更包括一缺陷管理區以及一使用者資料區， 其中一緩衝區包含於該缺陷管理區與該使用者資料區之 間。 16. 如申請專利範圍第15項所述之資訊儲存媒體，其 中該緩衝區於該資訊儲存媒體之該徑向上的一長度是在5 至100微米（//m)之範圍。 17. 如申請專利範圍第12項所述之資訊儲存媒體，其 中一緩衝區及一保留區之一位於一資訊儲存層，以面對一 相鄰的資訊儲存層的該最佳功率控制區。 18. 如申請專利範圍第12項所述之資訊儲存媒體，其 中一個用以儲存只可再生資料之區域位於一資訊儲存層， 以面對一相鄰的資訊儲存層的該最佳功率控制區。 19. 如申請專利範圍第12項所述之資訊儲存媒體，其 中該至少一緩衝區位於該至少一最佳功率控制區之兩側。 13953pif 34 1273581 20. —種資訊儲存媒體，該資訊儲存媒體包括： 複數層資訊儲存層，每一該資訊儲存層包括一個用以 獲得一最佳記錄條件之最佳功率控制區以及一個用以儲存 只可再生資料之區域，其中該些資訊儲存層之一的該最佳 功率控制區將排列成面對該些資訊儲存層之一相鄰層的該 只可再生區，以及至少一緩衝區位於至少一最佳功率控制 區之至少一側。 21. 如申請專利範圍第20項所述之資訊儲存媒體，其 中該只可再生區大於該最佳功率控制區。 22. 如申請專利範圍第20項所述之資訊儲存媒體，該 資訊儲存媒體更包括複數個位於該最佳功率控制區的兩側 之緩衝區。 23. 如申請專利範圍第22項所述之資訊儲存媒體，其 中每一該緩衝區的大小對應於一個製造該資訊儲存媒體時 所需之容許範圍。 24. 如申請專利範圍第23項所述之資訊儲存媒體，其 中該容許範圍是考慮下列因素當中至少一項而獲得的：一 個測定每一區域的一起始位置之誤差；一個用以記錄及再 生之光束的大小；以及離心率。 25. 如申請專利範圍第20項所述之資訊儲存媒體，其 中碟片相關資訊及碟片控制資料將重複記錄於該只可再生 丨品° 26. 如申請專利範圍第20項所述之資訊儲存媒體，該 資訊儲存媒體更包括： 13953pif 35 1273581 複數個緩衝區，該些緩衝區位於該最佳功率控制區的 兩側，而該些緩衝區之一位於該最佳功率控制區之前且其 大小對應於首先要記錄之一對碟片相關資訊及碟片控制資 料。 27. 如申請專利範圍第20項所述之資訊儲存媒體，其 中該至少一緩衝區位於該至少一最佳功率控制區之兩側。 28. —種多層資訊儲存媒體，該資訊儲存媒體包括： 一第一資訊儲存層，該第一資訊儲存層包括一第一最 佳功率控制區；以及 一第二資訊儲存層，該第二資訊儲存層與該第一資訊 儲存層相鄰且包括一第二最佳功率控制區，其中該些第一 及第二最佳功率控制區並未重疊，以及至少一緩衝區位於 該第一與第二最佳功率控制區之至少一之至少一側。 29. 如申請專利範圍第28項所述之多層資訊儲存媒 體，其中即若該第一資訊儲存層與該第二資訊儲存層相對 而言是離心的，該些第一及第二最佳功率控制區也不會重 疊。 30. 如申請專利範圍第28項所述之多層資訊儲存媒 體，該資訊儲存媒體更包括： 複數個緩衝區，該些緩衝區位於該第一最佳功率控制 區的每一邊且位於該第二最佳功率控制區的每一邊。 31. 如申請專利範圍第30項所述之多層資訊儲存媒 體，其中每一該緩衝區定義一個該第一最佳功率控制區與 該第二最佳功率控制區在一徑向上的分隔距離。 13953pif 36 1273581 32. 如申請專利範圍第31項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該分隔距離是在5至100微米（// m)之範圍。 33. 如申請專利範圍第31項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該些緩衝區大於一個製造該資訊儲存媒體時所需 之容許範圍。 34. 如申請專利範圍第33項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該容許範圍是考慮下列因素當中至少一項而獲得 的：一個測定每一區域的一起始位置之誤差；一個用以記 錄及再生之光束的大小；以及離心率。 35. 如申請專利範圍第30項所述之多層資訊儲存媒 體，該資訊儲存媒體更包括： 一第一保留區，該第一保留區位於該第一最佳功率控 制區的一邊；以及 一第二保留區，該第二保留區位於該第二最佳功率控 制區的一邊，其中若第一資訊儲存層與第二資訊儲存層之 間不存在離心率，則該第一保留區將對齊該第二最佳功率 控制區且該第二保留區將對齊該第一最佳功率控制區。 36. 如申請專利範圍第35項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該些緩衝區與該些第一及第二保留區比該些第一 及第二最佳功率控制區長。 37. 如申請專利範圍第28項所述之多層資訊儲存媒 體，該資訊儲存媒體更包括： 複數個緩衝區，該些緩衝區位於該第一最佳功率控制 區的一邊且位於該第二最佳功率控制區的一邊。 13953pif 37 1273581 38. 如申請專利範圍第37項所述之多層資訊儲存媒 體，該資訊儲存媒體更包括： 一第一保留區，該第一保留區位於該第一最佳功率控 制區的一邊；以及 一第二保留區，該第二保留區位於該第二最佳功率控 制區的一邊，其中該第一保留區與該第二最佳功率控制區 重疊且該第二保留區與該第一最佳功率控制區重疊。 39. 如申請專利範圍第38項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該些緩衝區與該些第一及第二保留區比該些第一 及第二最佳功率控制區長。 40. 如申請專利範圍第38項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該些緩衝區大於一個製造該資訊儲存媒體時所需 之容許範圍。 41. 如申請專利範圍第40項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該容許範圍是考慮下列因素當中至少一項而獲得 的：一個測定每一區域的一起始位置之誤差；一個用以記 錄及再生之光束的大小；以及離心率。 42. 如申請專利範圍第38項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該些第一及第二保留區是該緩衝區的兩倍大。 43. 如申請專利範圍第37項所述之多層資訊儲存媒 體，該資訊儲存媒體更包括： 一第一再生區，該第一再生區與位於該第一最佳功率 控制區的一邊之該緩衝區相鄰；以及 一第二再生區，該第二再生區與位於該第二最佳功率 13953pif 38 1273581 控制區的一邊之該緩衝區相鄰，其中該第一再生區與該第 二最佳功率控制區重疊且該第二再生區與該第一最佳功率 控制區重疊。 44. 如申請專利範圍第43項所述之多層資訊儲存媒 體，其中僅用以再生之該些第一及第二再生區分別大於該 些第一及第二最佳功率控制區。 45. 如申請專利範圍第43項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該第一再生區及該第二再生區包含碟片相關資訊 及碟片控制資料。 46. 如申請專利範圍第43項所述之多層資訊儲存媒 體，該資訊儲存媒體更包括： 一第一保護區，該第一保護區排列在該第一再生區與 位於該第一最佳功率控制區的一邊之該緩衝區之間；以及 一第二保護區，該第二保護區排列在該第二再生區與 位於該第二最佳功率控制區的一邊之該緩衝區之間，其中 該第一保護區對齊該第二保護區。 47. 如申請專利範圍第46項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該些第一及第二保護區形成一再生及/或記錄裝置 之複數條路徑以便在該資訊儲存媒體之該徑向上於各層之 間傳輸。 48. 如申請專利範圍第28項所述之資訊儲存媒體，其 中該至少一緩衝區位於該第一與第二最佳功率控制區之該 至少一之兩側。 49. 一種多層資訊儲存媒體，該資訊儲存媒體包括： 13953pif 39 1273581 複數層連續編號之資訊儲存層，每一該資訊儲存層包 括一最佳功率控制區，其中該些單數資訊儲存層之該些最 佳功率控制區互相對齊，該些偶數資訊儲存層之該些最佳 $率控娜5插齊而且不對齊該_賴顏儲存層之該 些最佳功率控制區。 一一 5〇•如申請專利範圍第49項所述之多層資訊儲存媒 體，宜中即若該些單數資訊儲存層與狀t偶數貝$儲存層 相對而言是最大程度之離心，該些單數資訊儲存層及該些 偶數資訊儲存層之該些最佳功率控制區也不會重疊。 51.如申請專利範圍第49項所述之多層資訊儲存媒 體，其中該資訊儲存媒體的記錄特性可避免因該些單數資 訊儲存層的該些最佳功率控制區及該些偶數資訊儲存層的 該些最佳功率控制區當中一區之一最佳功率控制程序影響 到其他區而衰減。 52· —種用以記錄資料於一資訊儲存媒體之裝置，該資 訊儲存媒體包括複數層資訊儲存層，每一該資訊儲存層具 有一最佳功率控制區，該裝置包括： 一記錄器’該記錄器將資料寫入該資訊儲存媒體；以 及 一控制器，該控制器控制該記錄器使得該些資訊儲存 層當中相鄰層之該些最佳功率控制區位於該資訊儲存媒體 之不同半徑內，以及至少一緩衝區位於至少一最佳功率控 制區之至少一側。 53·如申請專利範圍第52項所述之裝置，其中若該些 13953pif 40 1273581 相鄰的資訊儲存層之該些最佳功率控制區於該資訊儲存媒 體之一徑向上彼此相隔一小距離，則該距離至少是一個製 造該資訊儲存媒體時所需之容許範圍。 ' 54.如申請專利範圍第52項所述之裝置，其中該至少 一緩衝區位於該至少一最佳功率控制區之兩側。 55. —種記錄資料於一資訊儲存媒體之方法，該資訊儲 存媒體包括複數層資訊儲存層，每一該資訊儲存層具有一 最佳功率控制區，該方法包括： 記錄資料於用以獲得一光學記錄條件之該最佳功率 控制區；以及 將該些資訊儲存層當中相鄰層之該些最佳功率控制 區置於該資訊儲存媒體之不同半徑內，以及至少一緩衝區 位於至少一最佳功率控制區之至少一側。 56. 如申請專利範圍第55項所述之方法，其中若該些 相鄰的資訊儲存層之該些最佳功率控制區於該資訊儲存媒 體之一徑向上彼此相隔一小距離，則該距離至少是一個製 造該資訊儲存媒體時所需之容許範圍。 57. 如申請專利範圍第55項所述之方法，其中該至少 一緩衝區位於該至少一最佳功率控制區之兩側。 13953pif 41 1273581 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（3A )圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： L0 :第一資訊儲存層 L1 :第二資訊儲存層 19_L0 :緩衝區 19JL1 :緩衝區 20_L0 :最佳功率控制（OPC)區 20_L1 :最佳功率控制（OPC)區 21—L0 :緩衝區 21JL1 :緩衝區 23_L0 :缺陷管理區(DMA) :缺陷管理區（DMA) 23_L1 3 0_L0 ·保留區 31_L0 :緩衝區 32_L0 :緩衝區 35_L0 :資料區 3 0_L1 ·保留區 31_L1 :緩衝區 32_L1 :緩衝區 35_L1 :資料區 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的 化學式： 13953pif 5