TWI271884B - Ito thin-film polishing apparatus for OLED - Google Patents

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TWI271884B TW094128278A TW94128278A TWI271884B TW I271884 B TWI271884 B TW I271884B TW 094128278 A TW094128278 A TW 094128278A TW 94128278 A TW94128278 A TW 94128278A TW I271884 B TWI271884 B TW I271884B
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Description

1271884 . 玖、#明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種用於研磨玻璃基板的研磨裝置,特別是涉及一種研磨 玻璃基板或塗覆有銦錫氧化物薄膜(以下簡稱ITO薄膜)的玻璃基板, 從而獲得低光照度和平坦度的研磨裝置。 【先前技術】 一般情況下,普遍採用TFT-LCD裝置、利用有機發光 二極體(以下簡稱OLED )的影像顯示裝置等作為影像的顯 I 示裝置。TFT-LCD裝置作為顯示元件的開關元件,採用了薄 膜電晶體(Thin Film Transistor)。薄膜電晶體是在玻璃基 板上蒸鍍矽膜等之後,通過圖像化程式而製成的。為了使 顯示裝置能夠準確地顯示晝面’玻璃基板的平坦度及表面 光照度必須達到一定水準。為了使玻璃基板的平坦度和表 面光照度達到一定水準’必須對玻璃基板進行研磨。 另外,由於OLED顯示裝置自行發光,因此,具有不需 _ 要附加光源、能量消耗少、可用直流電壓驅動、視野開闊
等優點。製造OLED顯示裝置所採用的最基本的元件是塗覆 有ITO膜的ITO塗層玻璃。OLED是在ITO塗層玻璃上蒸鍍和 餘刻發光層而製成的。因此’ 塗層玻璃的ιτο膜的表面 光照度及平坦度等因素直接影響0LED產品的質量。為了得 - 到這種表面光照度及平坦度’有必要對ιτο塗層玻璃的ITO , 膜進行研磨。特別是對ITO塗層玻璃進行研磨後ιτο塗層膜 的阻力應當與研磨前相比變化較少。 圖1是現有研磨裝置示意圖。如圖所示’現有技術的研 5 1271884 磨裝置,包括附著有研磨墊的下頂板100、在下頂板100上 迴旋的上頂板200、設置於所述上頂板200的底面的研磨座 (未圖示)、向下頂板100供應研磨液的研磨液供應裝置300 、用於驅動所述下頂板100的旋轉驅動裝置(未圖示)、以 及用於驅動所述上頂板200迴旋的迴旋驅動裝置400。 觀察上述結構研磨裝置,我們可以發現被研磨的玻璃基 板或ITO塗層玻璃(以下將經研磨裝置研磨的研磨物稱為 “ITO塗層玻璃”)借助設置於上頂板200下面的研磨座而 附著於所述上頂板200。由此,上頂板200在下頂板100上迴 旋,並隨著下頂板100的旋轉,與下頂板1〇〇—起旋轉。這 時,附著於上頂板100下面的ITO塗層玻璃,在附著於下頂 板100上面的研磨墊和研磨液供應裝置300供應的研磨液的 作用下得到研磨。在此,研磨液主要是矽系列研磨材料和 DI水的混合物,或者是矽系列研磨材料和去除雜質的水的 混合物,或者是二氧化鈽、分散劑及去離子水(DI水)的 混合物。因此,ITO塗層玻璃的塗層膜,在供應到附著於 上頂板200的ITO塗層玻璃和附著於下頂板1〇〇的研磨墊之 間的研磨液以及下頂板1〇〇和上頂板200的旋轉作用下得到 研磨。在此,研磨液的溫度、pH值、流量等研磨液條件都 將對表面光照度及平坦度等研磨特性產生影響。 但是,現有技術的研磨裝置,在對ITO塗層玻璃進行研 磨時,不能改變下頂板的旋轉速度、上頂板的迴旋角度及 上頂板的壓力大小等研磨條件。因此,難以對ITO塗層玻 璃進行精確的研磨。 1271884 • 1 並且,現有技術的研磨裝置,不能調節研磨液的溫度、 流量及pH值,因而不能達到具備最佳研磨條件,存在研磨 後表面光照度不理想等缺點。 【發明内容】 本發明的目的在於解決上述現有技術的不足,提供 一種可隨時改變最佳研磨條件,可精確研磨ITO塗層玻璃的 研磨裝置。 . 本發明還提供一種可随時判斷研磨液狀態,從而具備最 佳研磨條件,以製得低光照度研磨表面的研磨裝置。 為了實現上述目的,本發明採取如下技術方案:本發明 研磨裝置包括:附著有研磨墊的下頂板;用於驅動所述下頂 • 板旋轉的旋轉驅動裝置;對應於上頂板,其下面設有用於 放入研磨對象物的研磨座的上頂板;用於上下移動上頂板, 使所述上頂板在與下頂板相互接觸,並向下施加壓力的氣缸 ,與所述氣缸連接,用於驅動所述上頂板迴旋的迴旋驅動裝 .置;向所述下頂板供應研磨液的研磨液供應裝置;用於控制 所述旋轉驅動裝置旋轉的旋轉控制裝置;用於控制所述氣缸 上下移動和加壓的壓力控制裝置;用於控制所述迴旋驅動裝 置迴旋的迴旋控制裝置。 本發明還包括用於操作旋轉控制裝置、壓力控制裝置及 迴旋控制裝置的操作板,藉此便於顯示研磨裝置的工作狀態 * ,也便於變更研磨條件。 本發明的所述研磨液供應裝置還包括:研磨液儲存箱; 用於混合所述研磨液儲存箱内研磨液的馬達;用於從所述研 7 1271884 磨液儲存箱抽取所述研磨液的研磨液供應泵;向所述研磨液 儲存箱供應研磨原液的研磨原液供應裝置;與所述研磨液儲 存箱連通,形成通向所述上頂板和下頂板的油路的研磨液供 應管道;所述研磨液儲存箱還包括:用於測定研磨液儲存箱 内研磨液溫度的溫度感測器和研磨液加熱器;所述供應管道 包括:用於測定研磨液pH值的pH值感測器,測定研磨液流量 的流量感測器和研磨液篩檢程式。 所述供應管道包括向所述下頂板的中央供應研磨液的下 部供應管道和附著於所述迴旋驅動裝置的一側、並從所述下 頂板的上部供應研磨液的上部供應管道。由此可更為順暢地 為下頂板供應研磨液。 所述研磨液供應裝置還包括從所述流量感測器接收流 量資訊、並以此控制所述研磨液供應泵的研磨液供應控制 裝置,以及從所述溫度感測器接收溫度資訊、並以此控制 所述加熱器的溫度控制裝置。以此保證研磨液流量和溫度 保持在一定水準。 並且,所述研磨原液供應裝置還包括研磨原液儲存箱和 研磨原液供應泵,以及從所述pH值感測器接收pH值資訊, 並以此控制所述研磨原液供應泵的研磨原液供應控制裝置 。以此使研磨液保持一定的pH值。 【實施方式】 下面結合附圖對本發明進行更為詳細的說明。 圖2是本發明研磨裝置的示意圖,圖3是本發明研磨裝置的各控制裝置 的運行流程圖,圖4是本發明研磨裝置上頂板向上移動後的示意圖,圖5 1271884 是本發明研磨裝置的側剖視圖。如圖所示,研磨裝置包括有··本體1〇,設 - 置於本體10上面的下頂板20,用於驅動下頂板20旋轉的旋轉驅動裝置3〇, 設置於下頂板20上部的上頂板40,與上頂板4〇連接、並使上頂板4〇上下 移動的氣缸50,與氣缸50連接、用於驅動上頂板4〇迴旋的迴旋驅動裝置 60,以及向下頂板20供應研磨液的研磨液供應裝置7〇。還包括有··用於控 制旋轉驅動裝置30運行的旋轉控制裝置35,用於控制氣缸5〇上下移動和 加壓的壓力控制裝置55,用於控制所述迴旋驅動裝置6〇旋轉運行的迴旋控 制裝置65。並且還包括有·設置於本體1〇的一側、用於控制旋轉控制裝置 ❿ 35、壓力控制裝置55、迴旋控制裝置65的操作板8〇。 本體10设有下頂板20,下頂板20的外側周圍設有用於防止研磨液供應 裝置70供應的研磨液散射的防散射柵攔在防散射拇搁u的一侧設有 收集研磨㈣研磨液排出孔12。另外,下頂板2〇社面設料磨塾2卜 旋轉驅動裝置30包括:與下頂板20連接、並使下施2〇按狀方向旋 轉的驅動馬達31和減速機32。並且,驅動馬達31上連有用於控制旋轉驅 動裝置30運行的旋轉控制裝置35。 藝 附著有研磨對象ITO塗層玻璃90的研磨座41設置於上頂板4〇的底面。 為了與ITO塗層玻璃90的外形相對應’研磨座41設有多個安裝孔。 氣缸50與上頂板40的上面結合’使上項板4〇上下移動當上頂板4〇 與研磨墊21接觸時向下施加加壓力。並且,氣缸5〇上連接有壓力控制裝 置55 ’用於控制氣缸5〇的上下移動及加壓。 ' 魏驅練㈣祕:姆下概如沿轉純讀上施4()的支撐 '臂61 ’與支射61的一端連接、用於左右轉動支樓臂61的旋轉軸62,以 及用於左右移動旋轉軸62的鶴馬達63和減速機64。並且,迴旋驅動裝 置6〇還包括有設置在氣虹5〇和支樓臂01之間的開合臂67,開合臂67用 9 !271884 於使上頂板40相對於下頂板2〇旋轉規定角度,以便在研磨前後安裝和拆 卸ιτο塗層玻璃。用於控制驅動馬達63的旋轉控制裝置65連接於驅動馬 達63。 另外,本體10的一側設有可輸入上頂板4〇的加壓量、下頂板2〇的轉速 及上頂板40的迴旋角度的操作板9〇。如圖3所示,這些輸入值傳遞到各控 制裝置35,55,65,各控制裝置35,55,65根據上述輸入值來控制旋轉驅 動裝置30、氣缸50及迴旋驅動裝置60。 圖6是本發明研磨裝置的研磨液供應裝置的示意圖。圖了心化表示包括 在研磨液供應裝置内的各控制裝置的運行流程圖。如圖所示,研磨液供應 裝置70未在本體1〇内,是單獨設置的。它由儲存研磨液的研磨液儲存箱 71,用於混合研磨液儲存箱71内研磨液的馬達72,從研磨液儲存箱71抽 取研磨液的研磨液供應泵73,向研磨液儲存箱71供應原液的研磨原液供應 裝置74,以及與研磨液儲存箱71相連通、並形成研磨液油路的研磨液供應 管道75構成。 研磨液儲存箱71上附著有可測定儲存研磨液溫度的溫度感測器711和可 加熱研磨液的加熱器712,研磨液儲存箱71的上部設有帶有用於混合研磨 液的轉子(impeller ) 721的馬達72。另外,如圖7a所示,溫度感測器711 和加熱器712上連接有從研磨液的溫度感測器711接收研磨液溫度資訊, 並以此運行加熱器712的溫度控制裝置715。 並且,研磨液儲存箱71上設置有與研磨原液供應裝置74相連通、用於 , 從研磨原液供應裝置74接收研磨原液的研磨原液供應口 716,以及與研磨 液供應泵73連通、用於排出研磨液的研磨液排出口 717。 為從研磨液儲存箱71向下頂板20供應研磨液,研磨液供應泵73與研磨 液排出口 717相連通。另外,研磨原液供應裝置74由儲存有研磨原液的研 1271884 •磨原液儲存箱741和用於把研磨液供應給研磨液儲存箱71的研磨液供應泵 742構成。 研磨液供應管道75可將研磨液從研磨液供應泵73向下頂板2〇的中央及 週邊供應。即,研磨液供應管道75與研磨液供應泵73相連通,並從規定 的位置分岔成上部供應管道75a及下部供應管道75b。上部供應管道7允連 接於氣缸50的規定位置,並向下頂板2〇的週邊部分供應研磨液,下部供 應管道75b與下頂板2〇的中央部分連通,向下頂板2〇的中央部分供應研 磨液。 並且研磨液供應管道75上依次設有用於測定研磨液pH值的值感 測器751、研磨液篩檢程式752和用於測定研磨液流量的流量感測器。此外, 在pH值感測器751和研磨液篩檢程式752之間設有與研磨液儲存箱71相 連通的側管757。如圖7b所示,研磨液供應控制裝置735根據從流量感測 器753接收的流量資訊,控制研磨液供應泵73。如圖%所示,研磨原液供 應控制裝置745根據從pH測定感測器751接收的PH值測定資訊,控制研 磨原液供應泵742,進而控制供應給研磨液儲存箱71的研磨原液量。 下面對上述結構研磨裝置的工作原理進行說明。首先,如圖4所示,上 頂板40相對於下頂板20向上移動之後,IT〇塗層玻璃9〇裝設於上頂板4〇 的研磨座41上。而後,上頂板4〇平行於下頂板2〇向下移動,在氣缸5〇 的作用下向下移動並施加壓力,使上頂板4〇與下頂板2〇的研磨墊以相接 觸。之後,在下頂板20旋轉的同時,上頂板40在運轉裝置6〇的作用下迴 旋。上頂板40在迴旋的同時和旋轉的下頂板2〇 一起聯動,並以上頂板4〇 的旋轉軸為中心自行旋轉。此外,研磨液從研磨液供應裝置70供應到下頂 板20的中央部分和週邊部分,同研磨墊21 一起研磨上頂板牝的ιτ〇塗層 玻璃90。 11 1271884 ‘此時,下頂板20的轉速、上頂板40的加壓量及迴旋角度分別由旋轉控 制裝置35、壓力控制裝置55及迴旋控制裝置65控制。下頂板20的轉速、 上頂板40的加壓及迴旋角度的設定隨著研磨時間的不同而不同。進行研磨 時’如果所採用的研磨條件都相同,那麼就會導致研磨後的ITO玻璃膜表 面光照度降低、平坦度不理想。因此,根據ITO塗層玻璃90的條件進行控 制’為各階段提供不同的研磨條件。 圖8a-8c是本發明研磨裝置各時間段的研磨條件曲線圖。圖8a表示的是 不同研磨時間段上上頂板的壓力,圖8b表示的是不同研磨時間段上下頂板 的轉速,圖8c表示的是不同研磨時間段上頂板的迴旋角度。如圖所示,在 研磨初期,上頂板40施加較小的壓力,下頂板2〇以低速度旋轉,上頂板 以較小的迴旋角度旋轉。之後的一段時間,上頂板4〇向下頂板2〇施加較 大壓力,下頂板20的轉速加快,上頂板4〇的旋轉角度加大。 經過一定時間後,首先加在上頂板4〇的壓力降低,隨後上頂板4〇的迴 旋角度變小’最後下頂板20的轉速降低,結束研磨。其間,在上頂板4〇 上施加較大壓力時,ITO塗層玻璃90的大部分ΓΓΟ塗層膜得到研磨。另外, 當加在上頂板的壓力變小後,讓下頂板2〇的轉速及上頂板4〇的旋轉角度 保持一段時間’是為了能夠均勻地研磨ITO塗層玻璃9〇的IT〇塗層膜表面。 【表1】表示利用本發明研磨裝置研磨ιτο塗層玻璃的,在研磨後ΙΤ〇 塗層膜按區域表面光照度及研磨前後ΙΤ0塗層膜的單位面積電阻變化量。 【表1】
12 1271884 表面 光照度 ^(Ra) 1.93 2.16 1.79 2.38 2.63 2.18 電阻 變化 (△ Ω /s q) 0.29 0.24 0.5 0.2 0.22 0.29 另外,在設置於研磨液供應裝置70的溫度控制裝置715 、研磨液供應控制裝置735及研磨原液供應控制裝置745的 作用下,供應於下頂板20的研磨液的溫度、流量及pH值等 保持一定量,並且通過研磨液篩檢程式752供應含有一定大 小粒子的研磨液。溫度控制裝置715通過接收溫度感測器 711傳出的研磨液的溫度資訊來運行加熱器712,並使研磨 液保持一定溫度。研磨液控制裝置735通過接收流量感測器 753傳出的研磨液流量資訊來控制研磨液供應泵73,以此控 制研磨液的流量。研磨原液供應控制裝置45通過接收pH值 感測器751傳出的研磨液pH值資訊來控制研磨原液供應裝 置74的研磨原液供應泵742,使研磨液保持一定的pjj值。 研磨結束後’回收到研磨液儲存箱71裏的研磨液中所包含 的研磨材料的數量有所減少,因此,通過向研磨液儲存箱 71供應更多的研磨原液,保持一定的研磨液濃度。當研磨 液濃度高而導致pH值增大時,可以減少從研磨原液供應箱 741供應給研磨液儲存箱71的研磨原液量;當研磨液濃度低 13 1271884 而導致pH值減小時,加大供應給研磨液儲存箱71的研磨原 • 液量,由此使研磨液保持一定的pH值。一般情況下,研磨 • 液的pH值保持在10。 因此,本發明研磨裝置對ITO塗層玻璃90進行研磨時, 可以通過改變決定研磨狀態的下頂板20的轉速、上頂板40 的加壓量及上頂板40的迴旋角度等,提供最佳研磨條件, 以保持一定的研磨液溫度、流量和pH值,進而使研磨後的 ITO塗層玻璃90具有較低的表面光照度。 • 上述說明中,將ITO塗層玻璃作為被研磨材料進行了說 明,但也適用於LCD裝置的玻璃基板。 另外,上述說明中列舉了通過研磨液供應泵來控制研磨 液的情形,但也可以用電磁閥替換研磨液供應泵來控制研 磨液的供應。 綜上所述,本發明研磨裝置通過隨時改變最佳研磨條件 ,精確研磨ITO塗層玻璃。而且,本發明研磨裝置通過隨 時判斷研磨液狀態,保持一定的流量、溫度和pH值,由此 • 提供最佳研磨條件。 【圖式簡單說明】 圖1是現有研磨裝置示意圖。 _ 圖2是本發明研磨裝置示意圖。 圖3是本發明研磨裝置的各控制裝置運行流程圖。 圖4是本發明研磨裝置的上頂板向上旋轉後的示意圖。 圖5是本發明研磨裝置的側剖視圖; 1271884 圖6是本發明研磨裝置的研磨液供應裝置示意圖; 圖7a是本發明研磨裝置的溫度控制裝置運行流程圖; 圖7b是本發明研磨裝置的研磨原液供應控制裝置運行流程圖 么^福7b _本發明研磨裝置的研磨液供應控制裝置運行流程圖; 圖8a-8c是本發明研磨裝置的研磨條件曲線圖。 【主要元件符號說明】 先前技術: Φ 100、下頂板 300、研磨液供應裝置 本發明技術: 10、本體 12、研磨液排出孔 21、研磨墊 35、旋轉控制裝置 ® 4卜研磨座 55、壓力控制裝置 61、支撐臂 65、迴旋控制裝置 - 70、研磨液供應裝置 711、溫度感測器 715、溫度控制裝置 721、轉子 200、上迴旋的上頂板 400、迴旋驅動裝置 11、防散射柵欄 20、下頂板 30、旋轉驅動裝置 40、上頂板 50、氣缸 60、迴旋驅動裝置 62、旋轉轴 67、開合臂 71、 儲存箱 712、加熱器 72、 馬達 73、 研磨液供應泵 15 1271884 .735、研磨液供應控制裝置74、研磨原液供應裝置 - 741、研磨原液儲存箱 742、研磨液供應泵 75b、下部供應管道 752、研磨液篩檢程式 757、侧管 90、ITO塗層玻璃 745、研磨原液供應控制裝置75、研磨液供應管道 75a、上部供應管道 751、pH值感測器 753、流量感測器 80、操作板
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Claims (1)

1271884 拾、申請專利範圍: 1、一種研磨裝置,其特徵在於它包括·· 附著有研磨墊的下頂板; 用於驅動所述下頂板旋轉的旋轉驅動裝置; 對應於所述下頂板的上頂板,所述上頂板下面設有用於放入研磨對象物 的研磨座; > 用於上下移動上頂板,使所述上頂板與下頂板接觸,並向下加壓的氣缸; # 與所述氣缸連接,用於驅動所述上頂板迴旋的迴旋驅動裝置; 用於向所述下頂板供應研磨液的研磨液供應裝置; 用於控制所述裝置旋轉的旋轉控制裝置; \ 用於控制所述氣缸上下移動和加壓的壓力控制裝置; 用於控制所述迴旋驅動裝置迴旋的的迴旋控制裝置。 2、 如申請專利範圍第1項所述的研磨裝置,其特徵在於:它還包括有用 於控制旋轉控制裝置、壓力控制裝置及迴旋控制裝置的操作板。 3、 如申請專利範圍第1項或第2項所述的研磨裝置,其特徵在於: _ 所述研磨液供應裝置包括有: 研磨液儲存箱; 用於混合所述研磨液儲存箱内研磨液的馬達; 用於從所述研磨液儲存箱中抽取所述研磨液的研磨液供 應泵; 用於向所述研磨液儲存箱供應研磨原液的研磨原液供應 ' 裝置; 與所述研磨液儲存箱相連通,形成通向所述上頂板和下 頂板的油路的研磨液供應管道; 17 Ϊ271884 ,所述研磨液儲存箱包括有:用於測定研磨液儲存箱内研 磨液溫度的溫度感測器和研磨液加熱器; 所述供應管道包括有:用於測定研磨液pH值的pH值感測 器、用於測定研磨液流量的流量感測器和研磨液篩檢程式。 4、 如申請專利範圍第3項所述的研磨裝置,其特徵在於 :所述供應管道包括有··向所述下頂板的中央供應研磨液 的下部供應管道和附著於所述運轉裝置的一側、並從所述下 頂板的上部供應研磨液的上部供應管道。 5、 如申請專利範圍第3項所述的研磨裝置,其特徵在於 :所述研磨液供應裝置還包括有:從所述流量感測器接收 流量資訊,並以此控制所述研磨液供應泵的研磨液供應控制 裝置;以及從所述溫度感測器接收溫度資訊,並以此控制所 述加熱器的溫度控制裝置。 6、 如申請專利範圍第3項所述的研磨裝置,其特徵在於 :所述研磨原液供應裝置還包括有:研磨原液儲存箱和研 磨原液供應泵,以及從所述pH值感測器接收PH值資訊,並以 此控制所述研磨原液供應泵的研磨原液供應控制裝置。 18
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100820303B1 (ko) * 2006-07-21 2008-04-10 남상규 크리스탈 제품의 연마방법 및 장치
KR100832346B1 (ko) * 2007-07-03 2008-05-26 경북대학교 산학협력단 블랭크 마스크용 기판의 연마장치
KR101289742B1 (ko) * 2010-12-21 2013-07-26 안경철 Bm인쇄된 유리기판의 bm인쇄표면의 연마방법 및 이를 이용하여 제조된 bm인쇄된 유리기판
KR20190126533A (ko) 2018-05-02 2019-11-12 주식회사 앤아이윈 디스플레이용 대면적 글라스 하정반
KR102052006B1 (ko) 2018-05-23 2019-12-04 주식회사 앤아이윈 Oled용 대면적 글라스 연마시스템
KR102027814B1 (ko) 2018-05-23 2019-10-02 주식회사 앤아이윈 디스플레이용 대면적 글라스의 cmp 장치의 상정반
KR102147702B1 (ko) * 2018-11-30 2020-08-25 주식회사 포스코 연마장치의 연마칩 배출장치
CN110666620B (zh) * 2019-10-09 2021-03-26 浙江海洋大学 一种木质拼板玩具的打磨装置
CN110666621B (zh) * 2019-10-09 2021-04-02 浙江海洋大学 一种用于木质拼板零件的打磨装置
CN111408995A (zh) * 2020-04-26 2020-07-14 佘小梅 一种红酒杯口打磨装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07150361A (ja) * 1993-11-25 1995-06-13 Tokyo Gas Co Ltd Ysz薄膜を用いたsoiデバイスの作製法
JP2001009699A (ja) * 1999-07-05 2001-01-16 Nichiden Mach Ltd 平面研磨装置
JP2002144218A (ja) 2000-11-09 2002-05-21 Ebara Corp 研磨装置
JP2003200342A (ja) 2001-12-28 2003-07-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置用コンディショナー装置
JP2003257913A (ja) 2002-02-27 2003-09-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化学的機械研磨装置、化学的機械研磨方法及びドレッシング方法

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