TWI269520B - Apparatus for the high voltage testing of insulated conductors and oscillator circuit for use with same - Google Patents

Description

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五、發明説明G 發明範B| 本發明大致關於一種測試絕緣之電導體之裝置，且較 別的是-火花測試器，其包含—改善功率效能之混合雙極 FET功率振盪電路。 1明背景 在一絕緣導體之絕緣之連續測試中，目前通常實際上係 利用在大約500 Hz到大約5〇〇〇 Hz之間之一頻率之一高電 壓j弦波AC電位。一種產生本測試電位之方法係藉由操作 於高電壓變壓器之共振頻率之一自激振盪器，及在對測試 電極之測試下產生之電容。在u.s•專利號碼4,952,88〇中說 明一種用於本目的之適當電路，其中之揭示藉由參考納入 於本發明中。 本發明之一目的係提供一種使用於一絕緣測試裝置之 改進振盪電路，增加振盪器效能，以便於在消除用於散熱 ’或強制空氣冷卻之需求時，增加傳送到負載之功率。 本發明之又一目的係提供一種絕緣測試裝置，其允許高 電壓輸出短路，沒有對電路元件之損壞，及根據短路之去 除’提供高電壓電位到其之預設數值之快速回復。 發明概述 在本發明之一第一觀念中，使用於一絕緣測試裝置之一 振盪電路，其包含具有一初級線圈，及至少一次級線圈之 一變壓器。耦合次級線圈通過一外部負載。在一振盪迴路 中使用至少一雙載子接面電晶體，及搞合於變壓器之初級 線圈’用於產生高頻率電壓。至少一場效電晶體並聯耦合 -4- 本紙張尺歧中國國家料(CNS) A4規格(21G X 297^¥) 1269520

1269520 A7 B7 五、發明説明（3 ) 實質同步傳導於第一及第二雙載子接面電晶體之一驅動 器電路。‘ 驅動器電路較佳具有分別耦合於第一及第二場效電晶 體之閘極之第一及第二數位輸出，以使驅動器電路之第一 輸出具有有關驅動器之第二輸出之一相對數位狀態，用於 激勵第一及第二場效電晶體，分別實質同步傳導於第一及 第二雙載子接面電晶體。 在本發明之一第三觀念中，用於電導體之絕緣之高電壓 測試之一裝置，其包含一絕緣電導體通過其延伸之一電 極。裝置進一步包含具有其包含一初級線圈’及至少一次 級線圈之一變壓器之一振盪電路。次級線圈係耦合通過電 極及接地。在一振盪迴路中使用至少一雙載子接面電晶體 ，及耦合於變壓器之初級線圈，用於產生高頻率電壓。至 少一場效電晶體並聯耦合於雙載子接面電晶體。本發明進 一步提供用於根據變壓器之次級線圈之激勵，及根據在振 盪迴路中到達一預定電壓之一振盪信號，激勵第一及第二 場效電晶體傳導於第一及第二雙載子接面電晶體之一種 裝置，藉此傳傳導過變壓器之初級線圈之電流實質係從雙 載子接面電晶體分流到場效電晶體，明顯減少功率損失， 反之，如果電流僅係傳傳導過雙載子接面電晶體則增加功 率損失。 切換裝置較佳包含一取樣及抑制電路，具有耦合於一充 電電容器之一開關，用於切斷一啻壓調整器迴路，及維持 供應電壓通過充電電容器到振盪迴路。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 裝 訂

1269520 A7 — B7 五、發明説明（4 ) 本發明之一優點係通過場效電晶體之阻抗及相應電壓 下降，比較於通過雙載子接面電晶體之電壓下降係非常 低。這導致從雙載子接面電晶體到場效電晶體之大部分電 流之分流，以使幾乎完全消除通過電晶體之功率損失。 本發明之另外優點係使用本發明之裝置，其允許高電壓 輸出短路，沒有對電路元件之損壞，及根據短路之去除， 提供高電壓電位到其之預設數值之快速回復。 根據下面詳細說明及附加圖式，本發明之這歧 點將變得更明顯。 一 ' b 1式簡單說明 圖1概略說明一執行本發明之絕緣測試裝置。 較佳實施例之詳細說昍 參閱圖1，大體上以參考數字10指定使用本發明之一絕 緣測試裝置。裝置10使用高電壓以測試電導體之絕緣缺陷 ，例如裸線或針孔。 裝置10包含一振盪電路，具有一高電壓變壓器其具 有一初級線圈14，及個別之第一、第二及第八 々 木夂罘一次級線圈16 二8及20。第一次級線圈16係一高電壓線圈，耦合於具有 藉由22代表之電容，及藉由24代表之電阻之一負載，以使 線圈16及負載電容22組成一反共振調諧電路。次鈒線圈“ 可以，例如，耦合於一絕緣、接地導體移動通過其之一高 電壓測試電極25。然而，次級線圈16可以沒有離開本^ 之範圍，耦合於其它類型負載。. ^ 振盪電路進一步包含依據一"推拉，’操作模式配置之第

1269520 A7 B7 五、發明説明（5 ) 一及第二雙載子接面電晶體（BJTs)26及28，以使在振盪週 期之--半週期時，在其它係在一切斷狀態中時，一電晶 體係在一完全傳導中，及利用假設在振盪週期之其它一半 週期時之相對傳導狀態之電晶體。雖然依據一推拉結構揭 示振盪電路，應該瞭解可以沒有離開本發明之範圍，依據 單一終止，或其它類型之結構執行振盪電路。電晶體26及 28之集極係耦合於變壓器12之初級線圈14之個別終端29 及31。電晶體26及28之射極係互相耦合，及通過一偏壓電 阻器33到地。應該暸解通過各第一及第二電晶體26及28之 集極到射極產生一方波。在一反共振調諳電路上一方波之 使用，產生在電晶體26及28中，及在變壓器12中之大量熱 損失。因此，想要施加一正弦波波形而非一方波通過變壓 器12之初級線圈14，及具有一固定電流特性之一電感器或 扼流圈30係耦合於初級線圈之一中央分接頭32，以吸收在 二個波形中之差異，產生想要之正弦波形。扼流圈30之其 它終端係連接於其可以從，例如，大約〇伏特改變到大約 + 32伏特之一 DC電位。因此，振盪電路由於不影響在反共 振調諧電路上產生之方波，達到具有大改進效能。因此， 電感器30之使用，減少提供一給定功率到通過變壓器12之 第一次級線圈16之終端連接之負載電阻24之必要直流。變 壓器12之第二次級線圈18具有終端34、36,耦合於第一及 第二電晶體26、28之基極，以提供正回授產生振盪。 一低通濾波器，例如，包含一嚏流限制電阻器42、一電 感器43，及其係在電晶體26及28之個別基極之間連接之一 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1269520 A7 B7 五、發明説明（6 ) 電容器44之一LC濾波器，係使用於防止無線電頻率寄生振 盪。也在基極之間連接前向偏壓電阻器45及47。可以藉由 變壓器洩漏電抗，或藉由在一些電路元件之間共同耦合產 生寄生振盪，例如那些在電晶體26及28，及變壓器12之間 使用一長連接纜線時產生之寄生振盪。在高電壓變壓器， 及振盪電路元件之間係引入相當於數百呎之距離時，可以 維持振盪電路之穩定性。 在一 DC電壓係施加於電感器30時，藉由具有一終端耦合 於一 DC電壓，例如32伏特，及另外終端耦合於電晶體28之 基極之一電阻器46前向偏壓電晶體26及28。在同時》—集 極電壓係通過電感器30，及初級線圈14施加於電晶體26及 28。第二次級線圈18係連接於電晶體26及28之基極，以便 於在初級線圈14中之電流流動感應在第二次級線圈1 8中之 電壓，立即增加在電阻器中之一電阻器之電流流動，及減 少在其它電阻器中之電流流動。 第一次級線圈16及負載電容22組成在例如，大約2到大約 5 kHz之頻率範圍中之一高Q反共振電路，及任何初級電流 改變將在變壓器12之所有線圈中，以在本範圍中之一些頻 率產生一振盪電壓。第二次級線圈1 8施加額外基極電流到 電晶體26及28，不論那個係大部分傳導，及切斷其它電晶 體，直到前者電晶體係在完全傳導中。然後，反共振變壓 器12之行動轉換電晶體26及28之作用，及電晶體持續在切 斷及完全傳導之間變換。電感器30允許反共振變壓器12控 制產生之連續振盪之頻率及波形。在BJTs26及28之基極 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 裝 訂

1269520 A7 _B7^__ 五、發明説明（7 ) 及集極之間分別耦合電容器48及50，防止在高頻率之假振 盪。 . 功率場效電晶體（FETs)，例如MOSFETs52及54，係通過 振盪雙載子接面電晶體26及28耦合。如在圖1中所示’第 一及第二FETs52及54之源極係互相耦合，及耦合於第一及 第二BJTs26及2 8之各射極。第一及第二FETs52及54之汲極 係分別耦合於第一及第二BJTs26及28之集極。FETs52及54 之閘極係分別通過偏壓電阻器55及57耦合於接地電位。如 線性振盪器開始振盪，BJTs係在一傳導狀態中，及FETs 係在一非傳導狀態中。進一步，在第三次級線圈20中感應 一正弦波波形，在振盪迴路中之一振盪信號到達一預定電 壓時，傳導通過線圈20耦合之一低電壓開關56，以便於施 加操作電源到FET驅動器58。同時，藉由一電阻器60，及 一交互二極體62鉗正弦波電壓，各元件耦合於線圈20之相 對終端，及通過一緩衝器64施加於FET驅動器58，導致驅 動第一及第二FET電晶體52及54之閘極變換為正，及，依 序，導致FETs52及54分別同步感應於第一及第二雙載子接 面電晶體26及28之傳導。 比較於第一及第二雙載子接面電晶體26及28之集極到 射極電阻，及相應電壓下降，即使在高汲極電流，第一及 第二場效電晶體52及54之汲極到源極電阻，及相應電壓下 降係非常低。因此，藉由第一及第二場效電晶體52及54， 攜帶等於到變壓器12之初級線圈14之所有電流，實質已經 從第一及第二雙載子接面電晶體26及28分流出去。幾乎完 -10- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 五 1269520 、發明説明（8 全消除在第一及第二場效電晶體52及54，及第一及第二雙 載子接面電晶體26及28二者中之功率損失。因此，傳送更 多功率到高電壓負冑，及如比較於僅通過第一及第二雙載 子接=電晶體26及28之料，明㈣加全部效能。 理論上允許僅在一線性模式到開始振盪中使用場效電 晶體。然而，從一特定觀點，在線性模式中係非常難以偏 壓電晶體，及仍然使用其如一低損失高電流開關。用於一 曰通小功率場效電晶體之正常操作電流範圍之中點可以 係15安培，或更多於一操作閘極偏壓之以伏特。在〇·4伏 特之偏壓中之改變將藉由5安培改變集極電流。這係適用 於說月之目的，不可以沒有在射極汲極電路中，或使用複 雜偏壓電路引入大電阻數值產生線性操作。 谷易偏壓雙載子接面電晶體於它們之線性範圍中，以有 效開始振盪。這允許振盪到達一預定振盪輸出電壓，功率 場效電晶體立即接管負載。 繼續參考於圖1，裝置10進一步包含一精密整流器1〇〇, 其使用來自變壓器12之次級線圈2〇之一電壓，以產生其係 直接對稱於在測試電極25之〇到15 kv RMS高電壓之一 〇到 + 10 VDC。本DC係連接於一電壓比較器1〇2之一輸入。比 較器102之其它輸入適過包含開關1〇3 ,及電容器之一 取樣及抑制電路，連接於一電壓調整器1〇6，其提供一 〇到 + 32 VDC到振盪反相器電路，藉此控制高電壓之振幅。

電壓調整器106確保精密整流器100之輸出係接近於控 制電壓，以便於產生直接對稱於控制電壓改變之電極AC -11 - 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210X297公爱） 訂 線 1269520

測試電位。取樣及抑制電路、及開關ι〇4僅在一針孔 裸線間隔通過測試電極25時，服務如一比較電壓穩定器' 功能。在需要用於誤差完成其通過電_之通道之時脈週 期時，取樣及抑制電路103、107切斷調整器迴路，但是藉 由使用充私之電容器107維持一提供電壓於電壓調整器， 維持DC調整器輸出電壓在其之誤差前之位準。在事件之結 論中，取樣及抑制電路103、1〇7,及電壓調整器ι〇6回^ 無誤差操作，沒有導致高電壓或者太慢上升，或超過其之 適當數值。對確保封閉配置誤差之偵測，及避免過度測試 電位之應用，這特性係重要。 一習知裸線偵測器1〇8反應於來自電感器在對電極25之 測試下，藉由附加一低電壓DC在高電壓上之DC電流流動 ，及然後偵測任何到地之直流流動。這產生用於任何在電 極’及產生電感器之間之歐姆接點之一裸線指示，及係獨 立於高電壓測試狀態。 裝置10可以包含一誤差指示電路11〇，其包含一計時器 電路112、一計數器116，及繼電器118。藉由根據在代表 高電壓電極25之負載中，藉由在測試下產生之功率損失之 振盪電路變化引入DC電流。藉由一 DC電流限制器12〇測量 電流，及電流超過一預定位準，限制器輸出影響電壓調整 器106，以減少提供於振盪電路之電壓，因此維持電流在 預定位準。誤差指示電路11 〇，及裸線偵測器1 〇8也操作一 电流知圍開關114 ’以便於在任何產生誤差通過電極25之 事件中，減少電流限制器120之預定電流位準。

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在一裸露或針孔誤差事件產生時，例如，藉由一十一之 係數，自動減少電流之預定位準。藉由切換電流範圍開關 =4耦合於電流限制器12〇之範圍完成這。這減少在高電壓 電極25内產生之一電弧中之電流，及也減少用於操作人員 之包擊危險。不論何時低電壓偵測器操作，去除對場效電 阳體52及54之驅動，然後藉由雙載子接面電晶體26及28維 持振堡’其在一裸線事件之後立即也重新開始振盪。 在高電壓變壓器次級16之電流中之不連貫短暫改變，其 在一針孔誤差事件係使用於觸發計時器112，計時器112產 生如一針孔誤差通過電極25之一系列脈衝時產生。 裝 雖然已經在一較佳實施例中揭示及說明本發明，應該瞭 解可以沒有離開本發明之精神及範圍產生一些修改。因此 ’已經藉由說明而非限制揭示及說明本發明。 訂

______-13- 本紙張尺度適用中國國冬標準(CNS) A4規格(210X 297公爱）

Claims (1)

1. ABCD 1269520 六、申請專利範圍 1. 一種振堡電路，其·包含： 一變壓器（12)，其包含一初級線圈（14)，及至少一次 級線圈（16、18、20)，通過一外部負載耦合該次級線圈； 第一及第二雙載子接面電晶體（26、28)，依據在一振 盪迴路中之一”推拉”操作模式連接，及耦合於變壓 器（12)之該初級線圈（14)，用於產生一高頻率電壓，該 初級線圈具有二個終端（29、3 1 )，各終端係分別耦合於 該第一及第二雙載子接面電晶體之一個別之集極； 第一及第二場效電晶體（52、54)，分別並聯耦合於該 第一及第二雙載子接面電晶體（26、28);及 裝置，用於根據該變壓器線圈（14、16、18、20)之激 勵，及根據在振盪迴路中到達一預定電壓之一振盪信號 ，激勵該第一及第二場效電晶體（52、54)，分別實質同 步傳導該第一及第二雙載子接面電晶體（26、28)，藉此 傳導通過該初級線圈（14)之電流實質係從該第一及第二 雙載子接面電晶體（26、28)分流到該第一及第二場效電 晶體（52、54)，以明顯減少功率損失，否則，如果該電 流僅係傳導通過該雙載子接面電晶體產生功率損失。 2·如申請專利範圍第1項之振盪電路，其中該第一及第二 場效電晶體（52、54)係MOSFETs。 3. 如申請專利範圍第1項之振盪電路，其中該第一及第二 場效電晶體（52、54)係IGFETs。 4. 如申請專利範圍第1項之振盪電路，其中該變壓器（12)包 含一額外次級線圈（20)，及其中該激勵裝置包含一低電 -14- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1269520 - C8 D8 六、申請專利範圍 壓開關（56)，其耦合於該額外次級線圈，用於根據該額 外次級線圈之激勵導通，及通過該低電壓開關供電之一 驅動器電路（58)，用於觸發該第一及第二場效電晶體（52 、54)，分別實質同步傳導該第一及第二雙載子接面電晶 體（26 、 28) 〇 5. 如申請專利範圍第4項之振盪電路，其進一步包含一緩 衝器電路（64)，插入於該額外次級線圈（20)及該驅動器 電路（58)之間。 6. 如申請專利範圍第4項之振盪電路，其中該驅動器電 路（58)具有第一及第二數位輸出，分別耦合於該第一及 第二場效電晶體（52、54)之閘極，該驅動器電路之該第 一輸出具有關於該驅動器之該第二輸出之一相對數位 狀態。 7. 如申請專利範圍第6項之振盪電路，其中建構該緩衝器 電路（64)如一零交叉偵測器，用於根據各零觸發交叉該 驅動器之各該第一及第二輸出，改變到該相對數位狀 態。 8. 如申請專利範圍第1項之振盪電路，其中該變壓器（12)包 含一額外次級線圈（18)，及進一步包含一低通濾波器（42 、43、44)，插入於該額外次級線圈及該第一及第二雙載 子接面電晶體（26、28)之基極之間。 9. 如申請專利範圍第8項之振盪電路，其中該低通濾波 器（42、43、44)係一 LC濾波器。 10. —種振盧電路，其包含： -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) A BCD 1269520 六、申請專利範圍 一變壓器（12)，其包含一初級線圈（14)，及至少一次 級線圈（1 6、1 8、20)，通過一外部負載耦合於該次級線 圈； 至少一雙載子接面電晶體（26、28)，在一振盪電路中 使用，及耦合於該變壓器（12)之初級線圈（14)，用於產 生高頻率電壓； 至少一場效電晶體（52、54)，並聯耦合於該雙載子接 面電晶體（26、28);及 裝置，用於根據該變壓器線圈（14、16、18、20)之激 勵，及根據在振盪迴路中到達一預定電壓之一振盪信號 ，激勵該場效電晶體（52、54)，藉此傳導通過該初級線 圈（14)之電流實質係從該雙載子接面電晶體（26、28)分 流到該場效電晶體（52、54)，以明顯減少功率損失，否 則，如果該電流僅係傳導通過該雙載子接面電晶體（26 、28)產生功率損失。 11. 如申請專利範圍第10項之振盪電路，其中該至少一場效 電晶體（52、54)係一 MOSFET。 12. 如申請專利範圍第10項之振盪電路，其中該至少一場效 電晶體（52、54)係一 IGFET。 13. 如申請專利範圍第10項之振盪電路，其中該變壓 器（12)包含一額外次級線圈（20)，及其中該激勵裝置包 含一低電壓開關（56)，其耦合於該額外次級線圈，用於 根據該額外次級線圈之激勵導通，及通過該低電壓開關 供電之一驅動器電路（58)，用於觸發該場效電晶體（52、 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

   1269520 έ8δ C8 D8 六、申請專利範圍 54)，傳導於該雙載子接面電晶體（26、28)。 14\如申請專利範圍第13項之振盪電路，其進一步包含一緩 衝器電路（64)，插入於該額外次級線圈（20)及該驅動器 電路（58)之間。 15. 如申請專利範圍第13項之振盪電路，其中該驅動器電 路（58)具有一數位輸出，耦合於該場效電晶體（52、54)之 閘極。 16. —種用於電導體之絕緣之高電壓測試之裝置（10)，該裝 置包含： 一電極（25)，用於通過一絕緣電導體；及 一振盪電路，其包含： 一變壓器（12)，其包含一初級線圈（14)，及至少一次 級線圈（16、18、20)，通過該電極（25)耦合於該次級線 圈； 至少一雙載子接面電晶體（26、28)，在一振盪電路中 使用，及耦合於該變壓器（12)之初級線圈（14)，用於產 生高頻率電壓； 至少一場效電晶體（52、54)，並聯耦合於該雙載子接 面電晶體（26、28);及 裝置，用於根據該變壓器線圈（14、16、18、20)之激 勵，及根據在振盪迴路中到達一預定電壓之一振盪信號 ，激勵該場效電晶體（52、54)，藉此傳導通過該初級線 圈（14)之電流實質係從該雙載子接面電晶體（26、28)分 流到該場效電晶體（52、54)，以明顯減少功率損失，否 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 1269520 as B8 C8 _—_____D8_^ 六、申請專利範圍 則’如果該電流僅係傳導通過該雙載子接面電晶體（26 、28)產生功率損失。 17·如申請專利範圍第16項之裝置（1〇)，其進一步包含： 一 AC到DC整流器（1〇〇)，镇合於一次級線圈（2〇)通信 於該振盪迴路； 一比較器（102)，用於比較一控制電壓於該比較器之一 DC輸出電壓，該控制電壓用於調整該電極電壓； 一電壓調整器（106)，在調整器迴路中通信於該振盪迴 路’用於維持該整流器（1〇〇)之一 DC輸出電壓，其接近 該控制電壓；及 切換裝置（103、1〇4、107)，用於在一裸線或針孔事件 時，反應於該比較器（1〇2)之一輸出電壓，短暫切斷該調 整器迴路，維持一提供電壓到該振盪迴路，及為用於該 比較器之輸出電壓回復到一誤差前位準，導通包含該整 流器（100)之輸出之一回授迴路，藉此該振盪迴路及該回 授迴路快速回復到誤差前電壓位準，沒有因為轉換信號 ’產生一電極電壓或者太慢上升，或超過其之無誤差操 作位準，以便於確保封閉配置誤差之偵測，及避免過度 測試電位之應用。 18.如申請專利範圍第17項之裝置（10)，其中該切換裝置包 含一取樣及抑制電路（1〇3、1〇7)，其具有一第一開 關（103)耦合於一充電電容器（107)，用於切斷該振盪迴 路’及通過該充電電容器維持該提供電壓到該電壓調整 器（106)，及一第二開關（1 〇4)，用於導通該回授迴路。 -18 - 本纸張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4規格(210X297公釐) " --— 1269520 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範園 19·如申請專利範圍第16項之裝置（1〇),其進一步包含裝 置（108、114、120)，用於在一裸線或針孔事件產生時， 減少通過該變壓器線圈（14、16、18、20)之輸出電流。 2〇·如申請專利範圍第19項之裝置（1〇)，其中該電流減少裝 置包含： 一誤差偵測器（1 08)，用於重疊一 DC電壓通過該電 極（25)，及偵測任何在該電極，及電感器之間因此通過 之DC電流流動； 一電流範圍開關（114)，具有一輸入搞合於該誤差偵測 器；及 一電流調整器（120)，具有用於感測振盪迴路電流之一 電流輸入，用於反應於該感測電流，控制該電壓調整 器（106)，維持在該振盪迴路中之電流於一預定位準之一 輸出，及耦合於該電流範圍開關（Π4)之一控制輸入，用 於根據沿著一電導體通過該電極（25)之一裸線或針孔事 件之偵測，向下調整該預定電流位準。 21·如申請專利範圍第20項之裝置（1〇)，其進一步包含誤差 指示裝置（110)，引導轉合於該次級線圈（16、18、20)， 用於偵測在該次級線圈之電流中，藉由在一電導體通過 該電極（25)中之一誤差產生之不連貫轉換。 22.如申請專利範圍第21項之裝置（1〇)，其中該誤差指示裝 置（110)包含： 一計時器（112)，引導耦合於該次級線圈（16、18、20)， 用於在一誤差產生於一電導體通過該電極（25)中時，產 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) —I 1269520 as B8 C8 ____D8 六、申請專利範圍 生一系列脈衝，，該計時器係耦合於該電流範圍開 關（114)之一輸入； 一計數器（II6)，具有一輸入耦合於該計時器（112)， 用於計數藉由該計時器（112)產生之脈衝之數量；及 一繼電器（ns)，具有一輸入耦合於該計時器（112)， 及用於在接收來自該計時器（112)之脈衝時觸發。 -20-