TWI268045B - Active filter - Google Patents

Description

1268045 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於可降低形成於半導體積體電路元件內之 運算放大器之回饋部之電容値之主動濾波器。 【先前技術】 類比（Analog)頻率濾波器（filter)係通信、聲頻（Audio) 、以及信號處理等之共同基礎要素。半導體積體電路係利 用主動元件之運算放大器、以及被動元件之電阻、電容器 (Capacitor)、及電感器（Inductor)來實現類比主動濾波器 〇 一般而言，因爲半導體之電感器之積體化會佔用較大 容積，故甚少實施。在種類眾多之主動濾波器當中，以交 換式電容器（a switched capacitor)置換電阻之時間取樣動 作之交換式電容器滅波器（switched capacitor filter)被廣 泛地應用於類比信號處理之應用程序（application)。因爲 交換式電容器濾波器之濾波器傳送函數係由電容器比率及 抽樣（Sampling)頻率來決定，故可實現正確特性而較爲有 利。 連續時間信號處理時，亦使用 RC主動濾波器、 M0SFET-C濾波器、以及Gm-C濾波器。而採用上述濾波 器時，電路及濾波器特性會因爲等效RC積、電阻之比率 、以及電容器之比率而改變。 典型之類比濾波器傳送函數H(s)係以所謂單極HKs) (2) 1268045 及2次（Biquad)H2傳送函數之積來表示。此處，係以實施4 次巴特威 士響應（fourth-order Butterworth response)之低 通據波器（a 1 o w · p a s s f i 11 e r)做爲具體實例。可使用級聯 (connected in cascade)之 2個雙二次部（雙二次區段（Biquad section))來實現第4圖（b)所示之濾波器。 此外，第4圖（a)係當做雙二次部使用之類比主動R c 濾波器之構成之電路圖。若第1段及第2段之雙二次部之傳 送函數分別爲 H21(s)及H22(s)，則第4圖（b)之傳送函數 H(s)如下式所示。 [數式1] H{s) = H2] (s) xH22 (*y) ::21 -〔％) 1-f 5C2j/?3)+ j+i2Cj,C2j>?2,i?3j 〜_ 1 + iC22/?32 + + j + S2CnC22^22^12 假設上式之各電阻値分別爲R，則上式可簡化成如下 所示。 [數式2] 2^\^s3C2]R^s2CuC2}R2 _-1_ 若C2j爲各段之基準電容器，則j段之比率kj定義如 下。 [數式3] 5- (5) 1268045 雜訊（switching noise)及電力消耗。 類比頻率濾波器係通信、聲頻、以及信號處理等之共 同基礎要素。例如，實施高次之主動RC濾波器之最新技 術時，高電容器比率會導致問題。爲了降低電容器比率， 上述傳統技術採用電阻分割器（美國專利449 8 063 )，結果 ，使輸入信號獲得衰減，使用於無線收發器（transceiver) 時，會有S/N比劣化之問題。

此外，爲了降低電容器比率，上述之其他傳統技術係 在經由高電阻將連接點連接於基準電壓之狀態下使用交換 式電容器電路網（美國專利4743 872)。結果，因爲上述高 電阻之緣故，除了會從端子將雜訊導入電容器以外，電容 器之切換（clocking)需要遠大於濾波器之截止頻率之抽樣 頻率。因此，會有切換雜訊及消耗電力增大之問題。 (專利文獻1) 美國專利4498063(發行日：1985年2月5日）

(專利文獻2) 美國專利4743872(發行日：1988年5月10日） 【發明內容】 有鑑於上述問題點，本發明之主要目的係降低形成於 半導體積體電路元件內之運算放大器之回饋部之電容器電 容。 爲了達成上述目的，本發明之主動濾波器係具有形成 於半導體積體電路元件內之運算放大器之主動濾波器，其 -8- (6) (6)1268045 特徵爲，連接於上述運算放大器之輸出端子、及反轉輸入 端子及非反轉輸入端子間之電容元件係由複數電容元件所 構成。 依據上述發明，主動濾波器係形成於半導體積體電路 元件內，且具有運算放大器。該運算放大器之輸出端子及 反轉輸入端子之間、或輸出端子及非反轉輸入端子之間， 連接著電容元件。 傳統之運算放大器之輸出端子及反轉輸入端子之間、 或輸出端子及非反轉輸入端子之間，只配設一個電容元件 ，爲了降低電容器比率等，該電容元件必須具有較小之靜 電容。 靜電容之降低有其限度。例如，傳統上，係使用電阻 分割器來實施輸入信號之衰減。然而，此時仍會有S/N比 劣化之問題。或者，亦有人提出在經由高電阻將連接點連 接於基準電壓之狀態下使用交換式電容器電路網之方法。 然而，此時亦會產生切換雜訊及消耗電力增大之問題。 因此，依據上述發明，在輸出端子及反轉輸入端子之 間、或輸出端子及非反轉輸入端子之間連接複數電容元件 。連接複數電容元件，可降低合成電容。如此，只要使用 標準處理即可實現，而無需特別技術或實施積體電路過程 (process)之修正，而且，不會有S/N比劣化、以及切換雜 訊及消耗電力增大之問題，而確實降低運算放大器之回饋 部之電容値。此外，亦可降低上述電容器比率。 以下所示之記載可充分說明本發明之其他目的、特徴 -9- (7) 1268045 、以及優點。此外，由參照附錄圖面之說明，可了解本 明之優點。 【實施方式】 以下，參照第1圖至第3圖，針對本發明之一實施形 進行說明。 #發明之主動濾波器之主要槪念係如應用於積分電 時之第1圖所示。該積分電路如第1圖所示，由運算放大 1'電阻2、以及複數電容器3〜5所構成，具有用以輸入 比輸入信號Vin之輸入端子、及用以輸出輸出信號Vo 輸出端子。 上述積分電路之用以輸入類比輸入信號Vin之輸入 子、及運算放大器1之反轉輸入端子間，配設著上述電 2(電阻値：R)。運算放大器1之反轉輸入端子、及輸出 子之間，則配設著連接成T字形之上述複數電容器3〜5 運算放大器1之電阻2及電容器3〜5係以如下所示之 決定積分電路之頻率響應（亦稱爲傳送函數，以Vo/vin 行定義）之方式進行連接。 更具體而言，運算放大器〗之反轉輸入端子及輸出 子之間串聯著電容器3(靜電容：C)及電容器4(靜電容： 。電容器3及電容器4之連接點及接地（ground)之間，則 設著電容器5(靜電容：a C)。 上述積分電路之回饋部（反轉輸入端子及輸出端子 間）之有效靜電容Ceff可以Cefi，=C/(2+ 〇：)來表示。亦即 發 態 路 器 類 之 端 阻 端 〇 可 進 端 C) 配 之 -10- (8) 1268045 代表回饋部之有效靜電容（合成電容）可以使用如α之較大 値來實現較小之等效靜電容。 此處，上述有效靜電容Ceff係以下述方法求取。 亦即，第1圖之電晶體（transistor)6處於斷開（off)狀態 時，從輸入端子流至電阻2電流與流至電容器3之電流相同 ，該電流會分流至電容器4及5。 [數式6]

Ii = -sCVx^saCVx^sC(Vx-V0) R

R v〇 2 + a 具備運算放大器之回饋部（輸出端子及反轉輸入端子 之間）之電容器Cf( = Ceff)之積分器之傳送函數如下式所示 [數式7] [V〇lV): - \jsCfR、 由上式可導出Ceff=C/(2+a )。 此外，尙配設與上述電容器5並聯之Μ 0 S場效應電晶 體6。M0S電晶體6在積分電路正常動作時會處於斷開（分 離狀態）。使該M0S場效應電晶體6處於導通（οη)，可使連 接成T字形之電容器3〜5之連接點（浮點（floating η 〇 d e)) V X會經由Μ Ο S場效應電晶體6連接於接地。如此， 依特定時序導通Μ Ο S場效應電晶體6，可確實除去蓄積於 -11 - (9) (9)1268045 浮點之電荷。 上述特定時序（timing)，例如，將積分電路設定成通 常動作模式前，對Μ Ο S場效應電晶體6之聞極（g a t e)施加 較短之重設脈波（reset puls e)(0 )，而將連接點Vx重設於 接地電平（ground)。 此處，參照第2圖，針對構成上述積分電路之主要部 位及主動濾波器（雙二次低通濾波器）進行說明。第2圖係 可降低半導體積體電路實現之電容器元件之比率（電容器 比率=(輸入部之可獲得之靜電容値當中之最大者）+(回饋 部之可獲得之靜電容値當中之最小者））之構成例。 依據第2圖之構成，與第1圖之積分電路之構成相同， 雙二次低通濾波器之運算放大器1 1之回饋部以T字形連接 著3個電容器13〜15(電容器13及14之靜電容爲C，電容器 1 5之靜電容爲a C)。 電容器13〜15(回饋電容器）係Τ字形連接，其連接點 (電容器13〜15之連接點）Vx經由MOS場效應電晶體16連 接於接地。MOS場效應電晶體16在特定時序會成爲導通 ，而除去蓄積於浮點之（最後）電荷。主動濾波器之通常動 作之期間，MOS場效應電晶體1 6係處於斷開狀態。 第2圖之主動濾波器具有唯一之運算放大器11、電阻 18(電阻値：R1)、電阻19(電阻値：R2)、電阻12(電阻値 :R3)、以及複數電容器13〜15，具有以下式表示之2次傳 送函數。 [數式8] -12- (10) 1268045

上述2次傳送函數式中，s=jw係複素頻率，κ係增益 (gain)，係截止頻率，Q係電路之品質因子（quality factor) ° 上述運算放大器11具有2個輸入端子（反轉輸入端子及 非反轉輸入端子）及1個輸出端子。電阻18、19會設定主動 濾波器之增益K。電阻18及電阻12係串聯於輸入端子Vin 、及運算放大器11之反轉輸入端子之間。上述電阻19係連 接於上述輸出端子、以及電阻18及電阻12之連接點之間。 上述電容器17(靜電容：C1)係連接於電阻18及電阻12 之連接點、以及接地之間。運算放大器1】之各電阻及電容 器1 3〜1 5係以可決定主動濾波器之頻率響應之例如下述說 明之T字形連接方式進行連接。 具體而言，運算放大器11之反轉輸入端子及輸出端子 之間串聯著電容器13(靜電容：C)及電容器14(靜電容：C) 。電容器13及電容器14之連接點（Vx)、及接地之間，則配 設著電容器1 5(靜電容：a C)。 回饋部（運算放大器1 1之反轉輸入端子及輸出端子之 間）之有效靜電容Ceff可以Ceff=C/(2 + α )來表示，使用如 α之較大値可以較小等效靜電容實現回饋部之有效靜電容 (合成電容）。 M0S場效應電晶體1 6係與上述電容器網路（capacitor -13- (11) 1268045 network)之電容器15並聯。該MOS場效應電晶體16之汲 極（d r a i η)係連接於上述連接點，源極（s 〇 u r c e)係連接於上 述接地，而對閘極施加脈波（pulse)電壓。 上述低通主動濾波器之傳送函數可以下式表示。 [數式9] -(¾)

上述增益Κ係由上述電阻19(R2)及電阻18(R1)之比來 決定（K = R2/R1)。

上述之低通主動濾波器具有並聯於上述T字形連接之 電容器網路之電容器15之MOS場效應電晶體16，其汲極 係連接於上述連接點 Vx，源極係連接於接地，而對閘極 施加脈波電壓。上述MOS場效應電晶體16在低通主動濾 波器未動作時會處於導通，上述低通主動濾波器在通常動 作模式時則會處於斷開。 此處，第2圖之低通主動濾波器可使電阻1 2形成短絡 (R3 = 0)且除去電容器17(C1=0)，即可構成具有下式之傳送 函數之一般1次漏電積分電路（leaky integration circuit)。 [數式ίο] 灿)

因此，任意之η次低通主動濾波器可以利用複數個上 -14- (12) 1268045 述1次漏電積分電路（1次傳送函數部）、及第2圖所示之低 通主動濾波器（2次傳送函數部）之級聯而實現。 此處，再度列示主動RC濾波器之基本基礎要素，亦 即，使用電容器分割技術之第2圖之雙二次電路之傳送函 數。 [數式Π]

和第1圖所示之積分電路時相同，第2圖所示之主動濾 波器之MOS場效應電晶體16在濾波器之通常動作期間會 處於斷開，將主動濾波器設定成通常動作模式前，對 MOS場效應電晶體16之閘極施加較短之重設脈波（0 )，可 將上述連接點Vx重設（reset)成接地電平。

上述說明中，係針對將本發明之電路技術應用於主動 低通濾波器或積分電路時進行說明，然而，本發明並未受 限於此。精通於電路技術者當然明白以下所述之事實。亦 即，上述技術亦可使用於MOSFET-C、Gm-C、以及交換 式電容器等其他類型之濾波器，並未限定爲頻率濾波器， 亦可使用於例如放大器、增益可變放大器、以及取樣保持 電路（asample-and_hold circuit)等。 爲了針對電路技術進行說明，故以下係第3圖參照， 針對將本發明之主動濾波器應用於無線收發器之通道 (channel)選擇濾波器所使用之8次低通巴特威士濾波器時 -15- (13) (13)1268045 進行說明。 該8次低通巴特威士濾波器之-3dB截止頻率fc爲 7MHz，使用第4圖所示之基本雙二次部。第3圖之構成中 ，4個雙二次部係級聯。 爲了方便說明，4個雙二次部全部具有相同之電阻値 。亦即，第3圖中之電阻 R11〜R14、R21〜R24、R31〜 R34之電阻値分別爲R。此外，第3圖中，電容器C11〜 C14以C!表示，C21〜C24以C2表示，該C21係第1段之回 饋部之有效靜電容（合成電容）。 表1係R=10kQ時之各雙二次部所決定之静電容値。 此外，表1中，第1段〜第4段分別表示第3圖之雙二次部之 第1段〜第4段。 [表1] 第1段 第2段 第3段 第4段 Ci[pF] 17.500 6.142 4.104 3.480 C2[pF] 0.296 0.843 1.261 1.487 如表1之結果所示，第1段之雙二次部具有5 9 · 1之電容 器比率 k( = C ^02 = 59.1)，電容器 C21之最小靜電容爲 0.296pF ° 爲了可進行控制（可進行製造）、及爲了減少寄生電容 之影響，最小靜電容Cu選擇0.5pF。另一方面，依據濾波 器設計之2次考察’利用運算放大器驅動之最大靜電容必 -16- (14) 1268045 須小於l〇PF ° 因此’ cn7.5pF之第1段雙二次部必須進行變更電 阻値（R)之0又S十變更。因此，使用R = 2 〇 k Ω，只改變第1段 雙二次部，而成爲表2中之各値。 [表2] 第1段 第2段 第3段 第4段 Ci[pF] 8.75 6.142 4.104 3.480 C2[pF] 0.148 0.843 1.261 1.487

第1段雙二次部之電容器C21爲0.148pF，小於上述最 小靜電容Cu = 〇.5PF。第1段雙二次部係使用第2圖所示之 構成。第3圖係8次低通巴特威士濾波器之最終電路構成。

第1段之回饋部之電容器C2 = 0.148pF，實際上係 C = Cu = 0.5pF(C ；電容器13、14之静電容値）、及α=1·38。 此外，α之値係將 Ceff=0.148、及 C = 0.5pF 代入 Ceff=C2 = C/(2 + α )而得到 α =1 .38。 初期設計之第1段雙二次部之總電容（total capacitance) Μ 1 7 · 7 9 6 p F (= C 】+ C 2 = 1 7 · 5 p F + 0.2 9 6 p F)，相對 於此，使用第2圖之構成之回饋部（電容器分割電路，亦即 ，T字形連接之電容器）之本發明之新設計時，總電容爲 SMSpFpC^ + C^USpF + O.MSpF)。 與面積成比例之靜電容之合計爲 10.44pF( = 8.75pF + 2x0.5pF + 1.38x0.5pF)，係表 1之初期設計 -17- (15) 1268045 之電容（ = 17.796pF)之 0.586 倍（ = 10.44pF/17.796pF)，約可 減少達約41 %之靜電容面積（area)(電容器所佔據之面積）。 上面係針對可減少5 0%以下之電容器面積時進行說明 。此處，則針對可減少5 〇%以上之電容器面積時進行說明 〇 以上，係針對第3圖之第1段雙二次部之各電阻爲 R = 20kQ時所得到表2之結果進行說明，然而，例如各電阻 爲R = 3 0kQ時，可得到表3之結果，故可減少50%以上之電 容器面積。 [表3 ] 第1段 第2段 第3段 第4段 Ci[pF] 5.83 6.142 4.104 3.480 C2[pF] 0.099 0.843 1.261 1.487 第3圖 所示之第1 段雙二 次部之回饋 部 之電容器 C2=0.099pF ，實際上係 C = Cu = 0.5pF(C :電容器 1 3、14 之 静電容値）、 及 α =3 · 0 5 。此外， α之値係將 Ce ff=0.099、 及 C = 0.5pF 代入（：“尸€2 = 〇/(2+6〇而到0=3.〇5。 如此，利用C = 0.5Pf、及α =3.05之T字形連接實現電 容器 C 2 = 0.0 9 9PF，雙二次部之合計容量（總電容）可以 (5.83pF + 0.099pF) = 5.929pF來表示，與面積成比例之靜電 容合計會成爲（5.83pF + 2x0.5pF + 3.05x0.5pF) = 8.3 5 5 pF，係 表1之初期設計之容量（=1 7.7 96pF)之0.469倍，約可減少 -18 - (16) 1268045 53%之電容器面積。 依據本發明，如上所示，在半導體積體電路（IC)晶片 利用運算放大器形成主動濾波器時之決定濾波器特性之電 容器（電容器、電容元件），可以得到以通常之技術水準無 法實現之微小電容値，而可大幅減少電容器面積。 例如，形成類比RC濾波器時，因爲輸入部及回饋部（ 從輸出部至輸入部）之2個電容器，濾波器特性係由該2個 電容値之比率來決定。亦即，要提高濾波器特性，就必須 提高該比率。因此，只要儘量降低一方（回饋部）之電容値 即可。然而，若將加工時之誤差（variation)等視爲實際問 題，比率之誤差會隨著電容元件之尺寸愈小而變成愈大， 故特性本身會不安定而無法使用。 因此，本發明爲了實現可應用於此種1C之濾波器電 路部之微小電容値而進行複數電容器之合成。如此，可得 到小於傳統之電容値且可得到安定之値。依據本發明之構 成’可在1C晶片形成小於通常之更爲安定之電容元件， 結果，實現具有優良特性之（換言之，由電容比較大之2個 電容器所構成之）濾波器。 本實施之形態係以T字形連接3個電容器來達成上述 目的，然而，有時亦可以例如串聯等其他連接獲得相同效 果。 此種電容器之合成亦可適用於第1圖所示之運算放大 器之回饋部只使用電容器之電路。第1圖時，可得到較小 且安定之電容値。當然，不但適用於一般之RC濾波器， -19- (17) (17)1268045 亦可適用於近年來常被使用之交換式電容器濾波器等。 由以上之說明可知，依據本專利發明而實現之半導體 積體電路內之類比之連續時間主動濾波器（an analog continuous-time active filter in a semiconductor integrated circuit)，具有如下所示之效果。 亦即，可減少50%以上之半導體積體電路之濾波器面 積。利用標準處理即可實現，無需特別技術或積體電路過 程之修正，而且，可避免S/N比劣化、以及切換雜訊及消 耗電力增大。可降低運算放大器之回饋部之電容値。亦可 降低主動濾波器之電容器比率。可提高主動濾波器之動作 頻率。此外，因爲可減少電容器，可降低同一動作頻率之 運算放大器之直流偏電流。 本發明之主動濾波器如以上所述，具有將複數電容元 件連接於運算放大器之輸出端子、以及反轉輸入端子或非 反轉輸入端子之間之構成。 因此，具有可降低運算放大器之回饋部之電容値之效 果。 上述第1及第2電容器係串聯於前述輸出端子及前述反 轉輸入端子之間，利用具有：串聯於輸入端子及前述輸出 端子之間之第1及第2電阻；配設於上述第1及第2電阻之連 接點及前述反轉輸入端子之間之第3電阻；以及配設於上 述第1及第3電阻之連接點及接地·之間之第4電容器；之構 成來實現雙二次低通濾波器。 此時，設定較大之第3電容器之電容可確實降低第1〜 -20- (18) (18)1268045 第3電容器之合成電容。因此，兼具可確實抑制電容器比 率（=第4電容器之電容/第1〜第3電容器之合成電容）之擴 大之效果。 上述複數電容元件應爲T字形連接。因此，可確實降 低合成電容。 上述複數電容元件係第1〜第3電容器，第1及第2電容 器係串聯於前述輸出端子及前述反轉輸入端子或前述非反 轉輸入端子之間，上述第3電容器則連接於上述第1及第2 電容器之連接點及接地之間，而實現上述T字形連接。 應連接與上述第3電容器爲並聯之開關。此時，使開 關部處於導通狀態，可使T字形連接之電容器之連接點（ 浮點）經由開關部連接至接地，而除去蓄積於連接點之電 荷（放電）。因此，隨時可執行迅速且正確之濾波器處理。 上述第1及第2電容器係串聯於前述輸出端子及前述反 轉輸入端子之間，利用具有：串聯於輸入端子及前述輸出 端子之間之第1及第2電阻；配設於上述第1及第2電阻之連 接點及前述反轉輸入端子之間之第3電阻；以及配設於上 述第1及第3電阻之連接點及接地之間之第4電容器；之構 成來實現高精度之雙二次低通濾波器。 此時，設定較大之第3電容器之電容可確實降低第1〜 第3電容器之合成電容，而可確實抑制電容器比率（=第4電 容器之電容/第1〜第3電容器之合成電容）之擴大。 前述第1以及第2電容器係串聯於前述運算放大器之輸 出端子及反轉輸入端子之間，利用具有連接於輸入端子及 -21 - (19) (19)1268045 前述反轉輸入端子之間之第1電阻、及連接於前述輸出端 子及前述反轉輸入端子之間之第2電阻之構成來實現高精 度之積分電路。 上述τ字形連接之第1〜第3電容器，第1及第2電容器 應具有相等之電容値，前述第3電容器之電容値則應爲前 述第1電容器之特定倍。因此，主動濾波器之設計將會更 容易且更正確，且可在較短時間內完成。 利用上述雙二次低通濾波器、及至少1個上述積分電 路之級聯，可實現高精度之η次（η : 2以上之整數）之低通 濾波器。 本發明使用標準處理即可實現，無需特別技術或積體 電路過程之修正，而且，不會有S/N比劣化、以及切換雜 訊及消耗電力增大之情形，卻可降低運算放大器之回饋部 之電容値，故可運用於使用運算放大器之連續型或交換式 電容器型主動濾波器等之濾波器技術。 構成發明之詳細說明之具體實施形態及實施例只是爲 了說明本發明之技術內容，不能只針對具體例進行狹義之 解釋，在本發明之精神及專利申請範圍內可實施各種變更 【圖式簡單說明】 第1圖係應用本發明之主動濾波器之積分電路之構成 之電路圖。 第2圖係本發明之主動濾波器之構成例之電路圖。 -22- (20) 1268045 第3圖係本發明之主動濾波器之其他構成例之電路圖 第4圖係針對本發明及傳統技術之雙方之說明圖，（a) 係雙二次構成之類比主動RC濾波器之構成之電路圖，（b) 係將（a)之構成進行2段級聯而實現4次之低通濾波器之電 路圖。 第5圖係傳統技術之利用電阻分割來減少電容器之構 成之電路圖。 第6圖係減少電容器之傳統其他構成之電路圖。 【主要元件符號說明】 1 ... · ..運算放大器 2... · ..電阻 3 .... ..電容器 4 ... · ..電容器 5 ... · ..電容器 6·" · ..MOS場效應電晶體 11·. ....運算放大器 12·· ....電阻 13·· .…電容器 14.· ....電容器 15·. ....電容器 16·· .…Μ 0 S場效應電晶體 -23-

Claims (1)

1. (1) 1268045 十、申請專利範圍 1 · 一種主動濾波器，具有形成於半導體積體電路元件 內之運算放大器，其特徵爲： 連接於上述運算放大器之輸出端子、及反轉輸入端子 或非反轉輸入端子間之電容元件係由複數電容元件所構成 〇 2 ·如申請專利範圍第1項之主動濾波器，其中 前述複數電容元件係T字形連接。 3 ·如申請專利範圍第2項之主動濾波器，其中 前述複數電容元件係第1〜第3電容器，第1及第2電容 器係串聯於前述輸出端子、與前述反轉輸入端子或前述非 反轉輸入端子之間，上述第3電容器係連接於上述第1及第 2電容器之連接點、及接地之間。 4.如申請專利範圍第3項之主動濾波器，其中 前述第1及第2電容器係串聯於前述輸出端子與前述反 轉輸入端子之間， 具有： 第1及第2電阻，串聯於輸入端子與前述輸出端子之間 第3電阻，配設於上述第1及第2電阻之連接點、與前 述反轉輸入端子之間；以及 第4電容器，配設於上述第1及第3電阻之連接點、與 接地之間。 5 .如申請專利範圍第3項之主動濾波器，其中 -24 - (2) 1268045 前述第1及第2電容器係串聯於前述輸出端子與前述反 轉輸入端子之間， 具有·’ 第1電阻，連接於輸入端子與前述反轉輸入端子之間 ;以及 第2電阻，連接於前述輸出端子與前述反轉輸入端子 之間。 6 ·如申請專利範圍第3、4、或5項之其中任一項之主 動濾波器，其中 連接著與前述第3電容器並聯之開關部。 7 ·如申請專利範圍第3或4項之主動濾、波器，其中 前述第1及第2電容器具有相等之電容値，前述第3電 容器之電容値爲前述第1電容器之特定倍。 8 . —種主動濾波器，其特徵爲： 將申請專利範圍第4項之主動濾波器、及至少丨個申請 專利範圍第5項之主動濾波器進行級（cascade)聯。 9·如申請專利範圍第6項之主動濾波器，其中 前述開關部係由M0S場效應電晶體所構成。 10·如申請專利範圍第6項之主動濾波器，其中 前述開關部在主動濾波器設定成通常動作模式前會處 於導通狀態，主動濾波器執行通常動作時則處於斷開狀態 〇 11.一種無線收發器，其特徵爲； 具有申請專利範圍第4項之主動濾波器。 -25-