TWI262749B - RF power process apparatus and methods - Google Patents
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Description
1262749 修正 曰 五、發明說明（1) 本申明案主張根據2 0 0 1年4月7曰申請之美國專利第 60/282081號暫時申請案之優先權。本申請案與美國專利 第6, 3 2 6, 5 84號及20 〇1年4月7曰申請之美國專利申請案第 6 0/282 08 1號有關，且該美國專利申請第6〇/28 2 〇81號暫時 申請案在此併入本文參考。 【發明領域】 、本發明係有關於一種用以傳送射頻（RF )功率之改良方 Ϊ Ϊ ϋ術】用於電漿製程及射頻感應加熱之製程操作。 該行製程操作之多樣性應用上。 及柄合射頻功率至J頻感應加熱涉 之材料。 、頦力率亚轉換射頻功率變成熱 在其他應用上，射頻功 非熱性電漿亦稱作非 使用於產生非熱性電漿，此 用於製造半導體元件A中之激。非熱性電聚係相當廣泛使 熱性電聚，其中該非領域。使用於餘刻製程之非 物質：用以加速該物質與：：：被使用於氣體中產生活性 可以疋表面物質之移除二 主表面^反應。該蝕刻製程 經由使用光阻材料選擇】;^潔過程’或是某區域材料 =熱性電漿用以；=:二光阻衬料須預先Π 半導：產物並沉積於表面上。應h引起氣相物質反應 干等體元件之製造，工 程，射頰電: 匕含射頻電漿的蝕刻萝# a 電水h被重複地使用於生產過程與沉積製 使用非熱性 $ 6頁 1262749 -------91107030 五、發明說明（2)^ ' ±-J-___ 電漿之一主要之優點在於該； 力，否則於製造半導體元:士…、性電漿促進化學反應之能 溫度。 日可，該化學反應將需要更高之 有許多之公開文獻與專 術。這些標準化技術之栺^用以描述標準化之射頻功率技 5, 261，962 '5, 436, 528於美國專利第 4, 948, 4 58、 基於根據如上所述之射頻视〇，; 0 3 2及5, 942, 85 5號找到。 有多種有益的狀況來得到改$率傳送之多種可能之應用， 感應輕合射頻功率時。高 之方去與裝置，當製程涉及 提供預期之射頻功率傳送二且J ^射頰功率至負載，可以 剖面之結構，乃為射頻功二、置係相當緊密並具有低 射頻功率至大面積負載亦:衣。此外，可以耦合 求。 為射頻功率製程之改良系統之需 【發明概要】 本發明係有關於可以克服一個或多 送系統之缺失的方法與裝置。使用一 已知之射頻功率傳 達到射頻功率傳送至負載成為可能，系統執行本發明使得 到南射頻功率輕合，高電流容量，及 °亥系統包含一可達 低剖面特性之感應線圈。 1被緊密製造與具有 本發明之一目的在於提供一種耗合 法，其中該負載包含一射頻功率控^ 、頻功率至負載之方 頻功率至負載，例如一接收器，而兮電漿及用以耦合射 感應加熱系統之一部分。在一實施例中吹裔係為射頻功率 含流動射頻電流經過一射頻感應線圈，/該方法之步驟包 " ' ’該射頻感應線圈具
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啕..相畜Π ®積’文.…货,® 丨.3句射頻初系更：¾效：舉把..耦 | ! 争至.壽裁-較佳.地，.該線ϋ匝包含金屬：二.旦該線圈1.大致，] 本發明之其他目的在於.,提供執行使明射頻功率之製裎之ι 1 ! 裝置」該裝置a,含·…感應耦合射頻功產至i載之線圈：該 | 線圈包含-個或多個線圈E 其中該線圈匝係由一片金屬 b製成1以便該線圈匝與標準技術之射頻功系感應線圈比. 較時係具有一、大表面積。 本發明之其他目的在於提供執行使用射頻功率之製程之 裝置，其中該射頻功率係被耦合至一負載，而該負載使用 具有一個或多個線圈匝之線圈。該線圈匝係為多層導電 片，且該線圈匝被依基板所支持，該基板，舉例來說，係 被使用來製造印刷電路板；該多層導電片也可夾絕緣材料 於其中。 本發明之再一目的在於提供一製造射頻功率感應線圈之 方法，其中根據本發明實施例之裝置係使用標準印刷電路 板製造技術，用以製造該線圈匝與基板上之絕緣層。 需了解的是下文之描述與所附圖示並未用以限定本發明 詳細結構及物質排列的應用。本發明可以是其他之實施例 或以其他方式實行。此外，亦須了解的是本文所使用用以 描述目的之措辭與術語並不應視為是限制。 一般而言，熟悉該技藝者體會所揭示之觀念，可能利用 其作為設計其他結構、方法及系統之基礎，用以實行本發 明之目的◦因此，很重要的是在不脫離本發明之精神和範
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圍内，本發明申請專利之範圍應视為包含該等價結構在 内。 刖述摘要之目的係為使專利標準局與一般大眾，特別是 未此^知專利或法律名詞與措辭之科學家 '工程師及熟悉 該技藝者，能快速從粗略描述該應用所揭示之技術的 與貫貝中理解。本摘要並未意味用以限定本發明之應用， 該應用當視後附之申請專利範圍所界定者為準，也未意 以任何方式限定本發明之目的。 。 【發明詳細說明】 於下文圖之描述中，同 字係一致的。 本發明實施例之操作將於下文中討論，首先，描述 射頻功率至用以產生一電漿（例如：使用做為製造電子Ζ 件之電水）之氣體之背景。然而，需理解的是，根據 明之該實施例可以被使用作為一些應用，該應用諸如：二 了製作半導體之應用外，可促進化學反應之應帛、轉人二 頻功率至一負載用以射頻功率感應加熱、及用以傳口、 功率之其他應用，該應用使用射頻功率。 、、頰 之參考數 一元件及步驟其所設定 參考第1圖，第1圖係根據本發明一實施例之一 2 0的上視圖。根據本發明之線圈匝2 〇包含一 分圈匝 可為一金屬片或一金屬合金片，該金屬合金可 ^導體 金、及鋁等製成。線圈匝20具有一洞25並I有—二、銀、 及^對於f邊32之1二細。们圖所示，—/_〜邊32 及弟二邊34於線圈E2〇上界定一狹缝3〇 邊32 攸線圈匝
第9頁 1262749 _案號91107030 年月日__ 五、發明說明（5) 2 0之周圍延伸至洞2 5以便形成一通道。在一實施例中，線 圈匝2 0具有一約6英吋（1 5 2 . 4毫米）之外徑與約2英吋 (5 0, 8毫米）之内徑。當然，在其他之實施例中，線圈匝 2 0之外徑為了特別之應用可以是適當之尺寸。相似地，為 了特別之應用該洞之直徑亦可作適當之選擇。在一些實施 例中，該洞之直徑與該線圈匝之直徑比約為1 : 3。 該線圈匝2 0之厚度係由特殊之應用所決定。特別是，該 線圈匝之厚度係由包含線圈匝2 0之導電材料之導電性，及 由射頻功率感應所預期之電流所決定。對於南電流時’該 厚度將較大，反之對於低電流時，該厚度將變小。在一實 施例中，該線圈匝2 0具有約0 . 0 4英吋（約1毫米）之厚 度。 在一些實施例中，線圈匝2 〇包含一組片狀金屬。該片狀 金屬大小之選擇取決於使該線圈匝20可具有一大表面，並 有相對應之大表面積。特別是，該線圈匝2 0之厚度係小於 該線圈匝之長度與寬度。在一實施例中，該線圈匝2 0具有 約0 · 0 4英吋（約1毫米）之厚度，一約6英吋（1 5 0毫米） 之外徑與約2英吋（5 0毫米）之内徑。對於本發明之一些 實施例，線圈匝使用大直徑以便產生大面積電漿。相似 地，射頻感應加熱亦使用大直徑線圈匝。 一具有多層線圈匝之線圈可包含多層像線圈匝2 0之線圈 區。該多層線圈阻係可導電的以便流經線圈之電流方向大 致不會改變，且作為線圈位置之函數。 可理解的是如第1圖所示之線圈匝2 0之形狀只係用以說
第10頁 1262749 案號91107_0迎__年月日 從,χ_ 五、發明說明（6) 明的。特別的是，執行本發明時，除了第丨圖圓形線圈匝 2 0以外之形狀奋可被使用的。根據本發明之目的所使用之 線圈匝形狀可以是正方、四方、三角、或任何幾何型。對 於一些應用，線圈區將有一較佳之形狀。舉例來說，當執 行大致是圓形之工作件時，圓形之線圈匣將是可預期的。 然而，當執行大致是四方形之工作件時，將需要四方形之 線圈匝。 參考第2圖’第2圖係根據本發明一實施例之一多層線圈 匝的上視圖。該上視圖顯示一線圈匝2 〇大致與第丄圖所描 述者相同。線圈阻20具有一洞25、一第一邊μ、一第-邊 34及一狹縫3 0係由第一邊32及第二邊34所界定。第2圖更 顯示内層線圈電性連接35。該電性連接35從第二邊34向下 延伸至下一個線圈阻之第一邊32 (下一個線圈阻並未顯示 於第2圖）。s亥電性連接3 5允許電流於相鄰線圈匝之間流 動。 本發明之一實施例包含一用於感應耦合射頻功率至負載 之線圈。該線圈包含一個或多個線圈匝，而該線圈匝係由 -片金屬金屬層所製造’以便#相較於標準射頻感應 線圈技術時’每一個線圈匝皆具有一大表面積。 在一較佳實施例中，該線圈包含複數個非共平面線圈 E，而該線圈&係由導電片戶斤製造。在此實施例巾，該線 圈大致成螺旋型^ 1該導電片之表面大致與線圈軸垂直。 參考第3圖’第3圖係根據本發明一實施例之一多匝線圈 36的側視圖。第3圖顯示一4匝線圈，其中每一匝包含一線
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__案號 91】07(1刈 五、發明說明（7) 圈匝2 0。該線圈匝2 0大致與第1圖及第 線圈匝20包含一具有一、、同25 (未§ 2圖所描述者相同。 u 咕* 洞25 (未顯不於第3圖）之全屬 片、一第一邊3 2、及一第二邊34。室# 口 J之孟屬 一樺鲦Μ m u 弟一透 弟一邊32第二邊34界定 槽縫3 0。苐3圖也顯示内層線圈電性* 接35從每一個線圈匝2〇之第二邊34 包/ 、 M0之第一邊32，以便電流可流個相鄰線圈 1文包飢』/瓜、、工母—個線圈匝2 〇。第3 圖π-射頻功率之輪出如何可以應用於線圈2〇上方鄰 9η ί山气一位置。此外’第3圖亦顯示如何於線圈® 下知之第一邊34附近製造一接地連接。 —如第3圖所示之射頻功率應用及接地將能允許電流流經 每一個線圈匝2 0，及感應耦合射頻功率至一負載，該負載 係用以接收射頻功率（負載未顯示於第3圖）。該線圈3 6 與該負載之排列端視特別之應用。舉例來說，假/使該應用 涉及在一電漿室之電漿製程，則該較佳之排列應為置= =3 6近於該電漿室，以便更容易地耦合該射頻功率致電、” 漿。而若是針對射頻功率感應加熱，則該較佳之排列應為 置放線圈36近於該接收器，以便吸收該感應耦合之射^功
夕種方法可被使用來提供該内層線圈電性連接3 5。在一 實施例中，每一個線圈匝2〇可以是一單—單位且每一 係與導體電性連接，用以產生與相鄰之線圈匝2 〇電性連 Ϊ。然而，在另一實施例中，所有的線圈區與内層線圈遠 可被視為一單一單位，不同於〆單片金屬。特別是，节 線圈匝與該内層線圈連接可由單片之片狀金屬所製造。S
第12頁 1262749 ___案號 91107030_年月日__ 五、發明說明（8) 其他之實施例中，該線圈匝與該内層線圈連接可由單片之 片狀金屬用機器製造。 本發明之實施例可被製造具有低剖面（1 〇 w p r 〇 f i 1 e ) 之特性。在此描述下，剖面係相關於該多匝線圈之厚度。 因此，該多匝線圈之厚度係由該線圈匝之匝數、每一個個 別線圈匝之厚度、及相鄰線圈匝之間之距離所決定。因 此，使用薄金屬片或金屬薄膜之線圈匝及相鄰線圈匝間隔 相當緊密，則低剖面將可達到。 此外，需理解的是，本發明之實施例可選擇具有多層線 圈匝，該多層線圈匝之一個或多個線圈匝之直徑並不相等 於其他之線圈匝。 參考第4圖，第4圖係一多匝線圈3 8的側視圖。線圈3 8大 致與第3圖所描述之線圈3 6相同，除此之外，該線圈3 8更 包含一絕緣物4 0置放於該線圈匝2 0之間。絕緣物4 0作為防 止線圈匝2 0之間之放電。具有絕緣物4 0之一優點為該絕緣 物40可使該線圈匝更緊密的堆疊，使得線圈38具有更緊密 之整體結構，該結構係既薄且存在低剖面。特別是，對於 本發明之一些實施例而言，該線圈3 8之整體厚度因為具有 絕緣物40而縮小。換言之，藉由選擇絕緣物40使其具有較 佳之介電特性（例如：空氣），則線圈匝之間之間隙將可 相當小，即使只是空氣在線圈匝之間。 使用絕緣物的另一優點係為將可製作一具有相當小之剖 面的大型感應線圈。該磁場之柄合係為每一個線圈匝到負 載距離之函數。因此，藉由使用絕緣物，減少該距離，可
第13頁 1262749 .案號 91107030
五、發明說明（9) 改善至負載的功率之耦合。 多種材料可使用做為ς緣物4〇材料， ί ΐ。：些可使用做為絕緣物40之材料：Ξ : ϊ Ϊ足夠之 弗遽、紙片、絕緣沉積層、玻璃、石例子包含片狀鐵 絕緣材料。該絕緣物之厚度並不重要，、2聚合物、及其他 提供足夠之電阻隔。 ^要該絕緣物4 〇可 本發明之再一實施例，線圈38使用諸如 卻一個或更多線圈阻之方法冷卻。線圈阻^觸冷構件、冷 於可達到運轉時熱從線圈移除之良好效率Λ面積的好處在 本發明之實施例特別適合電漿製程’兑 耦合至游離化氣體以便產生電漿用以促進化=射頻功率係 的反應包含合成化合物、分解化合物、及:，應。類似 灰燼處理（ashing ))。 面處理（例如 本發明之實施例可以實現電漿製程，該電人一
工作件之電漿處理。類似的工作# (例如： ：T 包含使用以製造電子元件之電漿製程處理之半 3曰曰 也包含使用以製造光電元件、薄膜電晶俨 豆日日， U甘A +工-从 ^ ，寻腰电日日體、平面顯示器、 及其他電子兀件之電漿製程處理之工作件。 參考第5圖，根據本發明之一實施例，顯示其對於線圈 38與電漿室45 -示範性排列方式。再此實施例巾，線圈38 係位於電漿室附近且在電漿室4 5的外側。在此結構中，電 漿室4 5將可允許射頻功率進入該腔室。在一較佳之結構 中，電漿至4 5包含一材料，該材料大致可被射頻功率穿 透，以便該射頻功率可被提供至該電漿室4 5的内部。
第14頁 1262749 案號9110_ 五、發明說明（10)
4 θ次电 Wh *、、、〇 熟悉該 且該位置 電漿係顯 在一較 用以產生 低壓電漿 元件製造 本發明 耦合至游 的反應包 本發明 工作件之 包含使用 也包含使 及其他電 例中 。此型< 如真空t 元件製造 例特別適 體以便產 化合物、 例可以實 理。類似 電子元件 造光電元 之電漿製 應了解t彡 應用上是 電漿室Μ 電 為了描述之目的，— 技藝者 在某些 示於該 佳實施 該電漿 產生室 及光電 之實施 離化氣 含合成 之實施 電漿處 以製造 用以製 子元件 線圈3 8 有其優 中 。 漿室45 電漿室 漿產生 之電漿 合電漿 生電漿 分解化 現電漿 的工作 之電漿 件、薄 程處理 可包含 為熟悉 室，係 製程的 製程， 用以促 合物、 製程， 件（例 製程處 膜電晶 之工作 一適當 此技藝 廣泛使 應用上 其中該 進化學 及表面 該電漿 如：半 理之半 體、平 件。 壓力之氣體 者所習知。 用在如電子 〇 射頻功率係 反應。類似 處理。 製程包含一 導體晶圓） 導體晶圓， 面顯示器、 本發明之實施例包含如使用以製造電子元件之電聚製 程。類似的製程包含姓刻、沉積、表面清潔、添加水、 (doping)、乳化、乾燥、去光阻（photoresist str ipping )、部分清潔、反應腔室清潔、及回火 (annealing) 〇 參考第6圖，第6圖顯示其用於射頻感應加熱該線圈”及 接收器50 —示範性棑列方式。射頻感應加熱涉及耦合射頻 功率至一材料，例如接收器50或其他能吸收射頻功率並轉 換該射頻功率變成熱之工作件。換言之，因為該材料之電
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Λ. 阻吸收射頻功率，所婉 修正 流係轉換成熱。在此情；ΐ射頻功率於材料中所感應之電 50所使用而不需於功源5亥射頻功率可被該熱接收器 =係從線圈38… 5。：觸庫因 =便能輕合射頻功率至接收器5〇。 _應破 熱。特別是，接收哭50吸^ 便接收 由傳導、L ::及收该射頻功率且產生熱。該欹-甶傳V二對流、或輻射轉移至工作件。 …、'、、二 如^所述’本發明之實施例包含用於線圈 片：亥她適用於射頻功率感應至一㈣。在 I ’ 5亥導體溥片使用於形成該線圈匝於-基板上之後。 使用於製造印刷電路板的基板大體上為一合適之基板。 發明關於此型更多之描述，請參考第7圖。 第7圖顯示一用於射頻功率感應之裝置38。根據本發明 之實施例’裝置3 8包含一射頻功率感應線圈3 8。線圈3 8 大致與第4圖所描述相同。一基板如一印刷電路基板5 5亦 顯不於第7圖。線圈3 8由基板5 5所支撐。第7圖亦顯示一裝 置52的部分52B之放大圖52A。該放大圖52A顯示線圈匝 20、絕緣物40、及基板55。 在本發明之一些實施例中，線圈2 0可具有個別之厚度， 約一毫米或更小，如次微米（sub-micrometer )厚範圍。 需理解的是，該線圈匝個別的厚度至少部分由射頻功率及 線圈電組織大小所決定。特別是，所提供之個別線圈匝任 何厚度皆可使用，而該線圈之電阻也不會太高。
第16頁 1262749 __案號 91107030 修正 五、發明說明（12) 諸如用於製造印刷電路板及整合兩狄 ^ 使用以製造具有次微米大小厚度之=^ W造技術，可被 刷電路板及整合電路之製造技術係知該用以製造印 :亥絕緣物之厚度係由絕緣材料之電， =可=之絕緣物之厚度皆落於次微米大小範圍:、 明，-些實施例包含具有使用於印刷電路板及整合電路之 、％緣物之厚度之絕緣物。本發明之—些實施例之具有次微 未大小厚度之絕緣物，可用以製造印刷電路板及整合電路 之製造技術所製造。
基板5 5可任意選擇具有可提供線圈強度與耐久性特性之 基板。在一些實施例中，基板55大致係堅固的。另外，在 其他實施例中，較佳係具有彈性之基板。
使用一基板’該基板允許該線圈匝由材料薄膜或層更容易 沉積形成’該材料薄膜或層使用標準之金屬沉積製程（例 如·電鍍、蒸鍍（evap0ratiVe deposition)、濺錢、及 化學氣相沉積）製造。該線圈阻使用微影（丨i thography )及钱刻製程被圖案化。有利地，標準印刷電路板製造技 術允許多層導體之製作間隔置入該絕緣層，該絕緣層係適 合用以製作本發明之實施例。使用印刷電路板之製造技術 允許本發明之實施例更容易且更經濟地製造。 根據本發明一實施例之方法，於一基板上用以製造射頻 感應線圈包含下列之步驟：提供一適合之基板；沉積一導 體層於該基板上；於導體層界定一圖案用以形成一線圈 匝；沉積一絕緣層於該導體層之上；沉積再一導體層於該
第17頁 1262749 ---〜^案號9Π07030 年月日_修正_ 五、發明說明（13) 緣層之上；於再一導體層界定一圖案用以形成一線圈 區’及電性連接該線圈匝。製程之步驟可重覆直到預期之 線圈匝數形成。 參考第8圖，第8圖係根據本發明之一實施例一多匝線圈 3 6的側視圖。第8圖所示之實施例大致與第3圖所示相同， 除了修正該槽縫3 0之排列。特別是，第8圖顯示槽縫3 0並 未排成—列之實施例，而第3圖之實施例之槽縫3 0大致排 成一列。 夕裝配本發明之實施例使該線圈大致成平面。然而，包含 夕®、線圈之本發明之其他實施例其線圈大致非成平面。舉 例來說’本發明之實施例可以具有圓錐型之線圈匝。另 夕卜 ’、 八’本發明之實施例可以具有曲面之線圈匝，該曲面由部 =之球體或部分之橢圓及其他幾何曲面鎖定義。第9圖顯 不本發明之一實施例的側視圖，該實施例之線圈匝具有圓 》°第1 0圖顯示本發明之一實施例的側視圖，該實施例 ，線圈&具有曲面。顯示於第9圖及第1 0圖之實施例大致 與第3:所顯示者相同。 本發明之一較佳實施例包含一射頻感應線圈，用以從一 線頻功率源傳送射頻功率。該線圈包含複數個線圈匝，該 :圈£包含—導電 該線圈匝大致呈非共平面。此外， 談道 Φ u : 冤片之表面大致非平行於該線圈軸。再一更加之實施 1 歹中，Ί女 iM /jfi» ., ^ 电片之表面大致垂直於該線圈軸。 你Γ理解的是’對於本發明之實施例之導電片需被定位以 1 更^言亥 μ μ 电片之表面與該線圈軸界定一 〇度-180度之角度，
1262749 修正 案號 91107030 五、發明說明（14) 且次要範圍（subrange )亦包含在内。 為了進-步描述本發明之實施例，請參考第n圖 1 1圖所不之一多匝線圈之透視圖本質上與第3圖所描述者 相同。第11圖顯示多E線圈36具有4個線圈賴 線第-邊32及第二邊34。每一個線圈㈣亦具们有 •、 致位於5亥線圈匝之中心。每-線圈匝20係盥下一 個線圏®經由内層線圈電性連接35電性連接。 〃 古亥= 充分具有傳導力，以便一射頻功率源可與 率ί g葡fί接:以致於該多&'線圈能感應㉟合射頻功 #可選擇地夹於嫌之間以便防止線圈阻之間之電：緣 c i ng )(絕緣物並未顯示於第1 1圖）。 施γ ί數商業上可得之射頻功率源係適合使用於本發明之實 配纟 一歪，射頻功率源包含一射頻功率放大器及一匹 率、”。裝配該射頻功率源以便能達到阻抗匹配之射頻功 傳：並-射頻功率轉合構件（例如：射頻感應線圈） 在=至負載。本發明之一些實施例包含一射頻功率源、 $描述之射頻感應線圈及其等效裝置。 12 且更佳地’該厚度大約小於〇 . 2 5英吋（約6 · 毫米 些^理^的疋’本應用所描繪之圖並不能只視作縮圖：這 聲二係二T地顯不本發明之目的。熟習此技藝者須認清本 之貝施例可包含多匝線圈，其中該多匝線圈從第一線 吁r開始!!1最後一個線圈匝結束之全部厚度大約小於1英 約25宅米）°較佳地，該厚度大約小於0.5英吋（約 第19頁 1262749 _ 案號91107030_年月日__ 五、發明說明（15) 3毫米）。製造本發明之實施例使用諸如印刷電路板及整 合電路之製造方法可包含具有全部厚度大約小於0. 0 4英吋 (約1毫米）之多匝線圈。 雖然本發明已以前述較佳實施例揭示，然其並非用以限 定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和 範圍内，當可作各種之更動與修改。因此本發明之保護範 圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第20頁 1262749 案號 91107030 年月日 修正 圖式簡單說明 【圖示說明】 為了讓本發明之上述和其他特徵和優點能更明顯，下文 特舉本發明較佳實施例，並配合所附圖示，作詳細說明如 下： 第1圖：其係根據本發明一實施例之一單線圈匝的上視 圖。 第2圖：其係根據本發明一實施例之一多層線圈匝的上視 圖。 第3圖：其係根據本發明一實施例之一多層線圈匝的側視 圖。 第4圖：其係一多匝線圈的側視圖。 第5圖：其係根據本發明一實施例，顯示其對於線圈與電 漿室之示範性排列圖。 第6圖：其係根據本發明一實施例，顯示其用於射頻感應 加熱一線圈與接收器一示範性排列圖。 第7圖：其係根據本發明一實施例，一用於射頻功率感應 之裝置圖。 第8圖：其係根據本發明一實施例一多匝線圈的側視圖。 第9圖：其係根據本發明一實施例的側視圖。 第1 0圖：其係根據本發明一實施例的侧視圖。 第1 1圖：其係一多匝線圈之透視圖。 【圖號說明】 2 0 線圈匝 2 5 洞
第21頁 1262749 _案號91107030_年月曰_修正 圖式簡單說明 30 槽 縫 32 第 一 邊 34 第 二 邊 35 電 性 連 接 36 多 匝 線圈 38 多 匝 線 圈 40 絕 緣 物 45 電 漿 室 50 接 收 器 52 裝 置 55 基 板 第22頁
Claims (1)
1262749 案號 91107030 年月日 修正 六、申請專利範圍 1、 一種用以感應耦合射頻功率製程操作之裝置，其包 含： 一處理室； 一射頻功率源；及 一射頻功率感應線圈，該線圈大致具有數個非共平面線 圈阻，其中一個或一個以上的線圈阻包含一具有大表面積 之導電片，該線圈連接該射頻功率源以便接收射頻功率， 該大表面積大致與由流經該線圈之射頻電流所引起之磁力 線垂直排列，該線圈被設置以便於製程操作時耦合射頻功 率至該處理室。 2、 依申請專利範圍第1項之裝置，其中該一個以上的線 圈區包含多層線圈區。 3、 依申請專利範圍第2項之裝置，其中至少部分之多層 線圈匝係垂直於該磁力線。 4、 依申請專利範圍第1項之裝置，其中該線圈係位於處 理室之外部且該處理室包含易被射頻功率穿透之材料。 5、 依申請專利範圍第1項之裝置，其中該導電片包含一 沉積層。 6、 依申請專利範圍第1項之裝置，更包含一基板，該導
00516-2.ptc 第23頁 1262749 案號 91107030 申請專利範圍 +月〃曰修(更)正替換頁 修正 電片至少部分被該基板支持 7、 依申請專利範圍第1項之裝置，更包含一絕緣片夾於 至少兩個線圈匝之間。 8、 依申請專利範圍第7項之裝置，其中該線圈包含大約 四個線圈匝且該線圈之厚度約少於0. 5英吋（約1 2. 7毫米 9、 依申請專利範圍第7項之裝置，其中該線圈之厚度約 少於0· 25英吋（約6· 3毫米）。 1 0、依申請專利範圍第1項之裝置，其中該線圈之内徑與 外徑具有1 : 3之比例。 11、 依申請專利範圍第6項之裝置，其中該基板包含一印 刷電路板且該線圈匝包含一導體的沉基層。 12、 依申請專利範圍第1項之裝置，其中該處理室包含一 可接受氣體用以產生電漿之電漿室。 1 3、依申請專利範圍第1項之裝置，其中該處理室可以接 受一用於電漿製程之半導體晶圓。
第24頁 1262749 _ 案號 9ΐι〇7(ψ :丨 S ' 修正_ 六、申請專利範圍 1 4、依申請專利範圍第1項之裝置，其中該處理室包含一 真空電漿製程室，該室可以承受用於半導體元件製造過程 之一非熱性電漿。 1 5、依申請專利範圍第1項之裝置，其中該處理室包含一 真空電漿製程室，該室可以承受用於半導體元件製程之一 非熱性電漿，該半導體元件製造過程係選自由蝕刻，沉 積，表面清潔，摻雜，氧化，乾燥，去光阻，反應室清潔 及回火等製程組成之族群。 1 6、依申請專利範圍第1項之裝置，其中該處理室可以接 受該射頻功率用以產生用於射頻功率感應熱製程之熱。 17、一種用以感應耦合射頻功率裝置，其包含： 一射頻功率源；及 一射頻功率感應線圈，該線圈具有複數個線圈匝，該線 圈匝包含一導電片，而該線圈大致呈螺旋型，且該導電片 之表面大致與線圈軸垂直，而該線圈與射頻功率源連接以 便接收射頻功率。 1 8、一種用以感應耦合射頻功率裝置，其包含： 一射頻功率源； 一固體絕緣物；及 一射頻功率感應線圈，該線圈具有約4個線圈匝，該線
第25頁 1262749 _ 案號 91107030 年 ㈣ 曰_修正 六、申請專利範圍 圈匝包含一導電片以便具有大的表面積，因而該線圈匝外 徑與其厚度之比例係大於或等於6 : 0. 0 4，該絕緣物被夾 於線圈匝之間，且該線圈具有第一邊與相對於第一邊之第 二邊，該線圈之第一邊連接該射頻功率源以便接收射頻功 率，該線圈之第二邊可以連接至接地面，且該線圈之厚度 係小於約0 · 2 5英对（約6 · 3毫米）。 1 9、一種用以從一射頻功率源傳送射頻功率之射頻感應線 圈，其包含： 一複數個線圈匝，該線圈匝包含一導電片，該線圈匝具 有一内徑與一外徑，該線圈匝大致係非共平面，而該導電 片之表面大致非平行於該線圈轴。 2 〇、依申請專利範圍第1 9項之射頻感應線圈，其中該導電 片之表面大致與該線圈軸垂直。 2 1、依申請專利範圍第1 9項之射頻感應線圈，其中該導電 片與該線圈轴界定一介於0至180度之角度。 2 2、一種製造射頻感應線圈之方法，該方法包含： 提供一基板； 沉積一導電層於該基板上； 界定一圖案於導電層上並形成一線圈匝； 沉積一絕緣層於導電層之上；
第26頁 1262749 案號 9it!T7U3T)·————年一一再一J日 修正 六、申請專利範圍 沉積再一導電層於該絕緣層之上； 界定一圖案於再一導電層上並再形成一線圈匝大致與先 前之線圈匝同中心：及 電性連接該線圈匝。 2 3、一種感應耦合射頻功率之方法，該方法包含： 提供一射頻功率源；及 應用從射頻功率源之射頻功率至一射頻功率感應線圈， 該射頻功率感應線圈具有複數個線圈匝，該線圈匝包含一 導電片，該線圈大致呈螺旋型，且該導電片之表面大致與 線圈轴垂直。 2 4、一種用以感應耦合射頻功率製程操作之裝置，其包 含： 一處理室； 一射頻功率源；及 一射頻功率感應線圈，該線圈大致具有數個非共平面線圈 匝，其中僅一個線圈匝包含一具有大表面積之導電片，該 線圈連接該射頻功率源以便接收射頻功率，該大表面積大 致與由流經該線圈之射頻電流所引起之磁力線垂直排列， 該線圈被設置以便於製程操作時耦合射頻功率至該處理 室。
00516-2.ptc 第27頁 1262749 _ 案號91107030_ 年月日 修正 六、指定代表圖
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109757001A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 线圈盘组件及烹饪器具 |
| CN109757000A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 线圈盘组件、加热器具及线圈盘组件的加工方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7678705B2 (en) | 2001-07-05 | 2010-03-16 | Tegal Corporation | Plasma semiconductor processing system and method |
| US6756318B2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-06-29 | Tegal Corporation | Nanolayer thick film processing system and method |
| US9708707B2 (en) * | 2001-09-10 | 2017-07-18 | Asm International N.V. | Nanolayer deposition using bias power treatment |
| US7100532B2 (en) | 2001-10-09 | 2006-09-05 | Plasma Control Systems, Llc | Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle |
| US7084832B2 (en) | 2001-10-09 | 2006-08-01 | Plasma Control Systems, Llc | Plasma production device and method and RF driver circuit with adjustable duty cycle |
| US7513971B2 (en) * | 2002-03-18 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Flat style coil for improved precision etch uniformity |
| AU2003303538A1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-29 | Northeastern University | Low power plasma generator |
| US9121098B2 (en) | 2003-02-04 | 2015-09-01 | Asm International N.V. | NanoLayer Deposition process for composite films |
| US7713592B2 (en) * | 2003-02-04 | 2010-05-11 | Tegal Corporation | Nanolayer deposition process |
| CN100388434C (zh) * | 2003-03-12 | 2008-05-14 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理用的基板保持结构和等离子体处理装置 |
| US7273533B2 (en) * | 2003-11-19 | 2007-09-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling |
| JP2005166950A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-06-23 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ発生器及びプラズマエッチング装置 |
| US7464662B2 (en) | 2004-01-28 | 2008-12-16 | Tokyo Electron Limited | Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources |
| KR100873923B1 (ko) * | 2007-05-18 | 2008-12-15 | (주)제이하라 | 플라즈마 발생장치 |
| GB2478275A (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-07 | Tubefuse Applic V O F | Induction heating apparatus and method |
| JP5905447B2 (ja) * | 2010-04-20 | 2016-04-20 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | プラズマ処理システムにおける誘導コイルアセンブリ |
| US8425719B2 (en) * | 2010-08-09 | 2013-04-23 | Jehara Corporation | Plasma generating apparatus |
| US9206512B2 (en) * | 2011-06-21 | 2015-12-08 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system |
| JP5712889B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2015-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び基板処理装置 |
| US11004662B2 (en) * | 2017-02-14 | 2021-05-11 | Lam Research Corporation | Temperature controlled spacer for use in a substrate processing chamber |
| US10264663B1 (en) | 2017-10-18 | 2019-04-16 | Lam Research Corporation | Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4948458A (en) * | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
| US5048032A (en) * | 1990-07-18 | 1991-09-10 | Spectra-Physics | Air cooled RF induction excited ion laser |
| JPH04362091A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-15 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ化学気相成長装置 |
| US5231334A (en) * | 1992-04-15 | 1993-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Plasma source and method of manufacturing |
| JP3105403B2 (ja) * | 1994-09-14 | 2000-10-30 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5591268A (en) * | 1994-10-14 | 1997-01-07 | Fujitsu Limited | Plasma process with radicals |
| JP3426382B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2003-07-14 | アネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5650032A (en) * | 1995-06-06 | 1997-07-22 | International Business Machines Corporation | Apparatus for producing an inductive plasma for plasma processes |
| EP0858666A1 (en) * | 1995-10-31 | 1998-08-19 | The Whitaker Corporation | Rf transformer using multilayer metal polymer structures |
| US5800619A (en) * | 1996-06-10 | 1998-09-01 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processor having coil with minimum magnetic field in its center |
| US5942855A (en) * | 1996-08-28 | 1999-08-24 | Northeastern University | Monolithic miniaturized inductively coupled plasma source |
| US5945902A (en) * | 1997-09-22 | 1999-08-31 | Zefv Lipkes | Core and coil structure and method of making the same |
| US6320320B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing uniform process rates |
| US6326584B1 (en) * | 1999-12-31 | 2001-12-04 | Litmas, Inc. | Methods and apparatus for RF power delivery |
-
2002
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109757001A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 线圈盘组件及烹饪器具 |
| CN109757000A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 线圈盘组件、加热器具及线圈盘组件的加工方法 |
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