TWI255395B - Lithographic projection apparatus, semiconductor device manufacturing method and computer readable recording medium - Google Patents

Description

1255395 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一微影投影裝置，其包括： -一輻射系統，其用於提供輻射之投影射束； -一支撐結構，其用於支撐圖案化構件，該圖案化構件用 於根據一期望之圖案來圖案化投影射束； -一基片工作臺，其用於保持一基片； •一投影系統，其用於向基片之目標部分投射該圖案化射 束；以及 一定位糸統，其用於定位一物件，該物件至少係支撐結 構和基片工作臺其中之一’該定位系統依序具有一長衝程 模組和—短衝程模組，以及—控m該控制系統用於 控制該長衝程和短衝程模組以期望之速度沿一期望之線路 移動已定位之物件。 【先前技術】 此處所採用之術語”圖幸仆椹丄， 案化構件應廣義解釋爲能夠用來 賦予一入射之輻射射束一帶圖案之 安夕择# τl隹乂 117 <構件’該帶圖 木之杈截囬相應於將在基片 t下々“ 之目部分建立之圖案；在此 該目#邻八+通书，该圖案相應於將於 及Μ“分中產生一元件中—特殊 件 括： 了文）如此之圖案化構件之實例包 光罩。在微影技術中，朵 尤草之概念已為五 且其包括像二元、交替相蒋* & 為。人所熟知， 又€相移和衷減相 ^日砂寺先罩類型及多 92334.doc 1255395 種:^ &光罩類型。根據光罩 叫未，如此之光罩放置 在輪射射束中可致使選擇性透射（在—透射光軍之情形 下）或反射（在-反射光罩之情形下）照射在該光罩上之扭 射。在使用-光罩之情形下，該支撐結構通常係一光罩田 工作臺’其確保該光罩固定在人射韓射射束中—所需之 位置，且若有此需要，該光罩可相對於該射束移動。 --可程式化之鏡陣列。此一元件之一實例為一具有一黏 =控制層和—反射表面之可矩陣定址表面。此一裝置 背後之基本原理為(諸如)該反射表面之定址區域將：射 光反射爲繞射光’反之非定址區域將人射光反射爲非繞 射先。採用一適當之過濾器，可以從該被反射之射束令 濾除該非繞射光，然:後僅留τ繞射光；藉由此種方式， 依據該可料定址表面之定址圖案，該射束變得帶有圖 案…可程式化之鏡陣列之—#代實施例㈣了若干微 小鏡子之矩陣排列，藉由施加-適當之局部電場，或藉 由採用麼電致動構件，可使每一鏡子單獨相對於—軸傾 斜。再者’該等鏡子係可矩陣定址的，藉此被定址之鏡 子將在不同方向上向未被定址之鏡子反射一入射輻射 射束’如此’依據該等可矩陣定址鏡子之定址圖案來使 :被反射射束圖案化。所需之矩陣定址可以使用適當之 电子構件來貫現。在上述兩種情形下，該圖案化構件可 以包括-個或多個可程式化之鏡陣列。舉例而言，自美 國專利US 5,296,891和仍5,523，193 ,及pcT專利申請案 98/385 97和W0 98/33096可收集如此處提及之關於鏡 92334.doc 1255395 引用之方式併入本文中。 下，該支撐結構可具體化 。亥支撐結構可視需要為 陣列之更多資訊，該等專利以 在一可程式化之鏡陣列之情形 爲一框架或工作臺，舉例而言 固定或可移動。 一可粒式化LCD(液晶顯示器）陣列。 匕、、、〇構之一實例於暮 國專利1^ 5,229,872中給出，該專利 、、吳 j Μ用之方式併人本文中。 如上所述，在此情形下之支撐結 牙。偁了具體化爲一框 作臺，舉例而言，該支撐結構可 $ ^ 兄而要為固定或可移動。 爲了簡單之目的，本文之其餘邻 、 〃馀邛分可於某些位置特別專 注於與某一光罩及光罩工作臺有 负關之貫例；不過，在該 實例中所討論之基本原理可於 ^ ^ 於上面所闡述之圖案化構件之 更廣泛背景中瞭解。 微影投影裝置可使用於諸如 谓®笔路（1〇)之製造中。在 此種情形下，該圖案化構件可 卞」屋生一相應於該1C之一單一 層之電路圖案，且該圖宰可忐 描 茶了成像於一基片（矽晶圓）上之一目 才示部分（諸如包括一個或多個Β 兄夕1u日日叔）’該基片之目標部分已塗 有一層輻射敏感材料（抗餘塗 土層）通常，一單一晶圓將包含 相鄰之目標部分之一 ^ 士 ’路、、、。構，藉由該投影系統對其 連續照射。在現有之裝置中， ^ 错由一光罩工作臺上一光罩 進行圖案化’於兩種不回％ 種不同類型之機器間將產生差異。在- 種類型之微影投影裝置中， 稭由一次性地將該整個光罩圖 案曝光到目標部分上對每一 > 目；分進行照射；此一裝置 通爷稱爲晶圓步進機。力2 ^ 在另—可選之裝置（通常稱爲步進掃 4田破置）中，吾同步掃描此伞一 此千仃於或反向平行於一既定參考 92334.doc 1255395 方向（該”掃描”方向）之美片τ # * 士 束逐逢士 土 置日彳，沿該方向藉由該投影 果逐漸地掃描該光罩圖荦， 系攸而對母一目標部分進行照 射，由於該投影系統一般呈 ^ 版，、有放大係數Μ(通常小於1)， 以掃描該基片工作臺之速度ν為掃㈣光罩工作臺速度 :數Μ倍。關於此處所介紹之微影褒置之更多相關資訊 σ從諸如美國專利US 6,046 792中择尸兮奎$丨 、， ，。，γ擭侍，泫專利以引用方式 併入本文中。 在採用-微影投影裝置之製造過程令，一圖案（諸如在一 光罩中)成像到一基片上，該基片至少藉由一層輻射敏感材 料（抗姓塗層）部分覆蓋。在此成像步驟之前，該基片可經受 各種工序，諸如塗底料、塗抗蝕塗層和軟烘烤。在曝光後， 亥基片可以經歷其他工序，諸如曝光後烘烤（ρεβ)、顯影、 硬烘烤和成像特徵之測量/檢測。此一系列工序被用作圖案 化一元件（例如一積體電路）之單一層之基礎。然後，可對此 Τ圖案的層進行各種處理，諸如姓刻、離子植入（摻雜）、 鍍金屬、氧化、化學一機械拋光等，所有此等處理之目的 係完成一單一層。若需要多層，則必須對每一新層重複全 部工序（或其變化版）。最終，將在該基片（晶圓）上出現一 件陣列。然後，藉由諸如剪切或鋸開之類技術將該等元件 彼此分開，藉此，該等單個元件可以安裝於一載體上、及 連接到插腳等。關於此等工序之其他資訊可以從諸如”微晶 片製作：半導體加工實踐指導（Microchip Fabrication: a Practical Guide to Semiconductor Processing)’’一書第三版 (作者Peter van Z ant，1997年由Me Gr aw Hill出版公司出版， 92334.doc 1255395 !则〇 =如250·4)中獲得，言亥書以引用方式併入本文。 爲了財早之目的，下文中將該投影系統稱爲”透鏡”；不 過，該術語應廣義解釋爲包含各種類型之投m u 諸如折射光學部件，反射光學部件和兼反射光及折射光之 系統。該輻射系統亦可以包括依據任一此等設計類型操作 之部件用以引導、造形或控制輻射之投影束，且此等部件 在下文也可統稱為或單獨稱爲"透鏡”。此外，該微影裝置 可以係-具有兩個或多個基片工作臺(及/或兩個或多個光 罩工作臺)之類型。在此等”多平臺”之元件中，該附加工作 臺可同步使用’或當-個或多個其他工作臺用來曝光時， 此-個或多個工作臺上可執行準傷步驟。諸如在us5，⑽，州 和WO 98/4G79 1中介紹了雙平臺微影裝置’其以引用方式併 入本文。 在一經常被稱爲一掃描器之步進及掃描微影投影裝置 中，光罩工作臺與基片工作臺同步移動（基片工作臺以光罩 工作速度之Μ倍速度移動，此處M係投影透鏡之放大倍 數，諸如爲1/4)以穿過光罩上之圖案掃描明亮區域，藉此^ •一大於該明亮區域之圖案投射到該基片之一目標部分上。 接著該基片工作臺以垂直於掃描方向之方向來步進，下一 目標部分藉由以相反方向的一掃描而曝光。該光罩工作臺 來回移動’同時該基片工作臺沿著一彎曲路徑來曝光目標 部分之一行或列。 —般，將光罩工作臺和基片工作臺之定位系統分成—長 衝程模組和一短衝程模組，其中該短衝程模組安裝於該^ 92334.doc 10- 1255395 衝程模組和工作臺之間。該長衝程模組具有一幾 移動範圍和一幾微米之精確产， 、 月雒度，同％，該短衝程模組且有 -幾毫米之移動範圍但精確度卻以奈米度量之。—已知之 控制排列’有時稱爲主—從控制系統，採用該工作臺之期 望位置作爲短衝程式控制迴路之設定點，同時長衝程式控 制迴路之目的爲相對於短衝程模組保持長衝程模組於一固 :位置’ ϋ此該短衝程模組在其移動範圍之中心。因此， 右下達一移動的命令，該短衝程模組在期望之方向上停 止、，同時長衝程模組儘量繼續。通常地，該長衝程式控制 制迴路之延遲小，藉此該短衝程模組與其移動範圍之中心 之偏移小。 舄增加裝置之生産量，可提高掃描之速度，然而這受到 明党區域之寬度所限制’依序受到投影系統之大小所限 制、及受到投影射束之強度所限制、受到輻射源之功率所 限制。因此，增加掃描速度係不容易的，或在某些情況下 不可旎。一可選擇之增加生産量之方法為降低非掃描時 門也即·加速時間、減速時間和安排時間。這麼做之一 方去為增加長短衝程模組之加速度。即意味著增加驅動之 功率’此將導致增加消耗，此可能導致度量系統或致動器 …、星問越。而且，增加之加速度導致增加之干擾力量 和/或增加之平衡塊之偏移。 【發明内容】

Jr· /jj'O X明之一目的為提供一微影投影裝置，其中可以在沒 有相應增加消耗和反作用力之情形下更快獲得階段定位。 92334.doc 1255395 置中獲得此及其 根據本發明，在開始段落描述之微影裝 他目的，其特徵在於·· 使該控制系統用於控制該 5亥短衝程模組來給該物件應 物件應用該期望之加速度， 物件應用一更小之加速度。 長及短衝程模組，以藉由控制 用一期望之加速度，從而給該 以及控制該長衝程模組來給該 。藉由爲該長衝程模組應用一更小之加速度，使在該長衝 私核組致動器中之消耗降低，反作用力也係如此。此意味 ㈣短衝程模組可以被用於制_更大之加速度，使得被 疋位^物體達到更快之期望速度。因此非掃描時間降低而 +産里g加^然，此意味著長衝程模、组跟不上該短衝程 杈、、且目此加速度之差別程|由該短衝程模組之移動範圍 所限疋。》ΠΤ7 ’因爲由該長衝程模組驅動之塊比由該短衝 程模組驅動之塊大很多（如大約4或5倍大），因此可以獲得消 耗及反作用力之明顯降低。當然，本發明應用於正加速度 和負加速度（減速度）。 田在相反之方向貫現交替之曝光時，本發明在目標部分 之-系列掃描曝光中提供了 —特別之優點。在此情況下， 該短衝程模組將在其移動範圍之-最遠端處開始加速來完 成一第一曝光，在該長衝程模組之後有效。當將被驅動物 件加速至掃描速度，該短衝程模組跟上了該長衝程模組， 該長衝程模組更加緩慢地加速使得花費更長時間達到掃描 速度。在曝光結束時，該長衝程模組在該短衝程模組

Λ ^月1J 開始減速，該短衝程模組減速得較快。因此該短衝程模組 92334.doc 1255395 趕上該長衝程模組’且當兩者都停止移動時，該短衝程模 組在其移動範圍之另一最遠端，此另一最遠端係在相反方 向開始加速來實現一曝光之恰當位置。 根據本發明之另一方面，其提供一元件製造之方法，其 包括此等步驟： 〃 -提供一基片，該基片至少由一層輻射敏感材料部分覆蓋； -如用一輻射系統來提供一輻射投影射束； -採用圖案化構件來在投影射束之橫截面上賦予投影射束 一圖案； -將圖案化的輻射射束投射到一輻射敏感材料層之目標部 分上；以及 -用一定位系統定位至少一基片及該圖案化構件，該定位 系統依序（mSeries)包括一長衝程模組和一短衝程模組；其 特徵在於： -當加速該基片或該圖案化構件時，該短衝程模組以一比 該長衝程模組驅動該短衝程模組更大之加速度來驅動該基 片或該圖案化構件。 & 本發明更進一步提供一電腦程式，其包括代碼構件，當 在一控制一微影投影裝置之電腦系統上執行時，該構件指 示該電腦系統去實現上面提出之方法。 雖然在本文對根據本發明之 的使用給出具體參考，但是應 有許多其他可能之應用。舉例 光學系統、用於磁域記憶體之 該裝置在積體電路製造當中 該明確瞭解的係此一裝置具 而言，其可以用在製造積體 控制及監測圖案、液晶顯示 92334.doc 1255395 面板、薄膜磁頭等算。孰绩 、 、”，、、來之技術人員可以明白，在此等 替代應用之内容中，本文所用 ,— + 汀用任何術語π光網，，，，晶圓，，或，，晶 粒”等應被視為可 刀別用更加通用之術語”光罩，，f，基片，，，，目 標部分”來替代。 在本5兄明書中，該術語，，輜射，，和，，射束”用於包含所有類型 之電磁輻射，包括紫外線（諸如波長係365、248、193、157 或者Π6奈米）及EUV(遠紫外線輕射，諸如具有波長範圍“ 至1奈米），退有粒子射束，諸如離子射束或者電子射束。 【實施方式】 見在僅藉由實例方式，參考附隨之示意圖來描述本發明 之實施例。 在該等圖中，相應之參考符號表示相應之部件。 實施例1 圖1不思(1地杬述了根據本發明一特殊實施例之一微影 投影裝置。該裝置包括： •一輻射系統Ex、IL，並用於拇说 /丨L τ故 八用於提供一例如深紫外線（DUV) 之幸§射投影射束PB，在此特疾#、、兑 击一 #凡付沐If況下該輻射系統也包括一 輻射源LA ; •-第-置物台(光罩工作臺)MT’其具有一光罩支撐物來 支撐-光罩MA(如一光網)，且將該第一置物臺連接到第一 定位構件用以精確定位該光罩相對於元件1^的位置； •-第二置物台(基片工作臺)WT，其具有一基片支撐物來 支撐-基片W(如一塗有抗蝕塗層之矽晶圓)，且將該第二置 物s連接到第二定位構件來精4定位該基片相對於元件孔 92334.doc !255395 的位置； •-投影系統（’，透鏡”)PL(例如-折射透鏡系統），用於將一 該光罩MA之被照射部分成像到該基片w之一目標部分 C(例如包括一個或多個晶粒）。 如此處所描述，該裝置係屬於一透射類型（例如具有一透射 光罩）。然而，通常該裝置也例如可以係一反射類型（例如具 有一反射光罩）。作爲替代，該裝置可以採用另外一種圖案 化構件，諸如一如上所述類型之可程式化鏡子陣列。 該輻射源LA(如一準分子雷射）産生一輻射射束。該射束 直接或穿過如一射束擴張器Ex之調節構件後射入一照射系 統（照射器）IL。該照射器IL可以包含調節構件入“來設置該 射束中強度分佈之外部及/或内部徑向範圍（通常各自表示 爲σ -外部和σ -内部）。另外，該照明器通常包括各種其他 部件，諸如一積分器IN和一聚光器c〇。在此方式下，射向 该光罩MA之射束PB在其橫截面上具有一所需要之均勻分 佈及強度分佈。 關於圖1，應該注意的係該源1人可位於該微影投影裝置 之機體内（例如通常情況當該源LA係一水銀燈時），但該源 LA也可遠離該微影投影裝置，將其産生之輻射射束引入該 裝置（如借助於合適之引導鏡）；當該源[八係一準分子雷射 時，通常係後一情形。本發明及申請專利範圍包含此雨種 情形。 隨後，該射束PB交會於該光罩MA，該光罩固定在_ 光罩工作臺MT上。穿過該光罩^後，該射束叩穿過該透 92334.doc -15 - 1255395 鏡P]L，4透鏡PL將該射束]?8聚焦到該基片w之一目標部分 C上。借助於第二定位構件（及干涉測量構件IF)，可精確地 移動忒基片工作臺WT，例如藉此在該射束之路徑上定位 不同之目標部分c。同樣地，例如自一光罩庫機械地取回該 光罩MA後或於一掃描過程中，可使用該第一定位構件來精 確定位該光罩MA相對於該射束PB之路徑之位置。通常，該 置物σ MT、WT之移動將會借助於一長衝程模組（粗略定位） ί 紐衝私模組（精細定位）來實現，此等内容未曾在圖工中 明確地杬述。然而，在一晶圓步進機（與步進及掃描裝置相 對）之情況下，可將該光罩工作臺ΜΤ僅連接到一短衝程致 動器，或者將其固定。 該被描述之裝置可以在兩種不同模式下被採用： 1·在步進模式中，該光罩工作臺…丁大體上保持靜止，並 將一完整光罩影像一次性（如一單次”閃光"）投影到一目標 部分C上。然後該基片工作臺，丁在乂及/或乂方向上移動，藉 此該射束ΡΒ可照射不同之目標部分c。 2·在掃描模式中，本質上採用相同之情形，除了一給定目 標部分C不是以一單次”閃光”曝光外。實際上，該光罩工作 臺ΜΤ可沿一給定之方向（所謂之”掃描方向，，，例如y方向） 以一速度v移動，藉此使該投影射束pB掃描一光罩影像·同 時，該基片工作臺WT在相同或相反之方向以_速度〆= 同時移動，其中从係該透鏡pL之放大倍數般从 1/5)。在此方式下，可對一相對大之目標部分c進行曝光， 而不會影響解析度。 + & 92334.doc -16- 1255395 根據本發明，圖2和3 A_E描述了如何使得置物臺、光罩工 作堂或基片工作臺之加速度最大，同時消耗及反作用力最 小。^圖表示了在短衝程模組SSm和長衝程模組LSm之被驅 動端之掃描方向（或y方向）上速度隨一次掃描持續時間之變 等α亥短衝权模級之被驅動端連接到置物臺，同時將該 長衝程模組之被驅動端連接到該短衝程模組之驅動端。可 將忒長衝程模組之驅動端連接到一反作用框架或者一平衡 塊。 在點A，該短衝程和長衝程模組處於靜止，該短衝程靠近 掃描方向（或y方向）上其移動範圍之負的最遠端（_d)，如圖 3A所不。該掃描方向（或y方向）由箭頭ι〇來表示。該短衝程 杈組SSm和長衝程模組LSm之相對位置在圖3八到3£中概略 描述。假定LSm和SSm爲在掃描方向（或者y方向）上在從_d 到〇到+d指示之範圍内可相對彼此移置。從如圖3八所示之相 對位置出發’短衝程和長衝程模組都爲掃描準備而加速， 而短衝程加速得更快。 在點B，該短衝程模組達到了掃描速度Vs。正如在圖2中 能看到的，該長衝程模組還未達到該掃描速度，但是此後 不久就達到該掃描速度。因爲該短衝程之加速度比該長衝 私之加連度大，同時該短衝程比該長衝程移動得快，所以 該短衝程將沿著+y方向相對該長衝程移動。圖3B表示在點 B處該LSm及SSm之相對位置。在點b處，該短衝程模組靠 近其移動範圍之中心。較佳地選擇該長衝程與短衝程之間 加速度之差距，藉此在一最遠端或靠近一最遠端出發，當 92334.doc 1255395 該長衝程達到掃描速度Vs時該短衝程到達其移動範圍之中 心。此種情形係在該短衝程模組到達掃描速度後一段時間 才發生（在圖2中點B，）。在圖2所示之點8’處，該長衝程模組 和短衝程模組達到了相同之速度，兩模組之相對位置在圖 3C中表不。在點B’與c’之間，兩模組之相對位置保持大^ 上不變。因此，圖3C所示之情形代表點B’與c，之間之時期。 在點C’處，該長衝程模組開始減速，而該短衝程模組 處開始減速。 ^ 在點C處，該長衝程已經開始其減速了，但是以一較低之 速度*圖3D所不’在點C處，該短衝程已經稍微移動超 過了其移動範圍之中心。該掃描曝光可以在從；6到c之部分 或全部間隔中來實現。 迴路之終點在點D處，此處該短衝程和長衝程模組都處於 停止狀態，而該短衝程靠近其移動範圍之正的最遠端 (+d)。此在圖3Ε中描述。因此，使該短衝程模組最佳地定 位以在一相反方向方向）開始一掃描。 本發明V以採用獨立之位置及/或用於該長衝程模組和 短衝程模組之速度控制迴路來實現，而不是採用一主/從排 列來實現。可選擇地，可保留—主/從排列，且本發明：由 改變從迴路⑽ve 一p)m點來實現，控制該長衝程模 組’從而在-掃描曝光期間實現該長衝程模組和短衝程模 組之間之合適相對位置。 、 圖4及5描述了在本發明兩個例子中，一掃描期間，該短 衝程之速率SSvel及該長衝程之速率―丨，以及該長衝程 92334.doc !255395 及該短衝程之絕對位置LSpos* SSpos，該兩個模組之相對 位置爲SS-LS。圖中之單位爲任意。藉由比較圖4和5可以看 到，增加該短衝程模組之移動範圍使得在該長衝程與短衝 柽之間加速度方面差異變大一一導出圖5之實例所具 有之短衝程移動範圍大約是導出圖4之例子之短衝程移動 範圍的二倍。具有一掃描速度爲〇·36及一最大爲1〇5 口3_2 之長衝程加速度，則短衝程±0.3 移動範圍能夠對短衝 之加速度有大約1 〇 /〇之增加，而大約± 1 · 0 mm之移動範圍 能夠産生大約3 8 %之加速度增加。 在本實施例之一變形中，僅在一曝光周期之加速階段採 用不同之加速度。當在該長衝程模組已趕上之點時，於是 該短衝程模組比該長衝程加速更快，藉此該短衝程模組從 周期起始處其移動範圍之一最遠端或該最遠端附近移動到 另一最遠端。對於剩下之該曝光周期之定速階段及減速階 段，該長衝程和短衝程模組一起移動。 在此方式下，在該加速階段加速度上可應用更大之差 異’代價爲在減速階段未有差異。因爲當該裝置安置用於 一曝光時，在一曝光之前之時期内其干擾力必然大為降 低，所以此係有盈的。在一曝光之後之時期内，該裝置對 干擾更不敏感。 雖然以上已描述了本發明之特殊實施例，但是應瞭解的 係本發明還可以實踐於已描述之實施例以外的地方。舉例 而言，雖然已描述之實施例在掃描方向上應用了本發明， 但疋本發明也可應用在與該掃描方向垂直之方向上。也應 92334.doc 19 1255395 該瞭解的係本發明可 史 欠碩開始被建造成一新的微影事 A，或者本發明可具體仆g ^ 爲電腦軟體，該電腦軟體可藝 一現有之微影裝置之控制雷 八 市J兒恥中來實現升級。本描述 用於限制本發明。 1恭 【圖式簡單說明】 圖1描述一根據本發明一每 乂 ⑦％例之微影投影裝置； 圖2係在一掃描曝光期簡 月間本發明一實施例之長衝程模組 和短衝程模組之速度對時間圖表· 圖3 A至E圖解表示了在一檑 ~ ^曝光期間該長衝程模組和 短衝程模組之相對位置；以及 圖4和5係在本發明之兩個眚 貝例中該長衝程模組和短衝程 模組之加速度、絕對位置和相對位置之圖表。 【主要元件符號說明】 AM 調節構件 C 目標部分 CO 聚光器 Ex 幸§射糸統 IL 照射系統 IN 積分器 LA 輻射源 LSm 長衝程模組 Lspos 長衝程之絕對位置 Lsvel 長衝程之速率 MA 光罩 92334.doc -20- 1255395 MT 光罩工作臺 ΡΒ 射束 PL 透鏡 SS-LS 兩模組之相對位置 SSm 短衝程模組 SSpos 短衝程之絕對位置 SSvel 短衝程之速率 Vs 掃描速度 W 基片 WT 基片工作臺 10 掃描方向 92334.doc

Claims (1)

1. @9^109謝號專利申請案 ，.文申請專利範圍替換本(94年9月） 十、申請專利範圍：作7 L 一種微影投影裝置，其包括·· -一輻射系統，其用於提供一輻射之投影射束； --支撐結構，其用於支撐圖案化構件，該圖案化構件 用於根據一期望之圖案對該投影射束進行圖案化； -一基片工作臺，其用於保持一基片； ——投影系統’其用於將圖案化的射束投影至該基片之 一目標部分上；以及 --定位系統，其用於定位一物件，該物件至少爲該支 撐結構及該基u作臺其巾之―，較位系統依序具有 :長衝程模組和一短衝程模組以及一控制系統，該控制 系統用於控制該長衝程和短衝程模組以按期望之速度沿 一期望之線路移動已被定位之物件；其特徵在於：又/σ 該控制系統用於控制該長和短衝程模組，以藉由控制 該短衝程模組來給該物件應用一期望之加速度、給=物 件應用該期望之加速度、以及控制該長衝程模組來給該 物件應用一較小之加速度。 2. 根據申請專利範圍第!項之裝置，其中該控制系統用於控 制該物件以在-掃描曝光期間以—大體上不變之掃描速 度移動。 ^ 3.根據申請專利範圍第2項之裝置，其中該控制系統用於斤 制該短衝程模組，藉此在該掃描曝光開始時或者稍早於 該掃描曝光開始前不久該物件達到該不變之掃描速度， 以及用於控制該長衝程模組’藉此其被驅動端在該物件 92334-940927.doc 1255395 運到该知描速度後達到該掃描速度。 4.根據申請專利範圍第2或3項之裝置，其中該控制系統用 於控制該長和短衝程模組，藉此該物件在一第一位置開 始—曝光周期’在該第—位置其在-平行於該掃描速度 向上一有零速度，且該短衝程模組位於與該掃描速 又相反之方向上其移動範圍之最遠端上或者在其最遠端 附近。 5. 6. 根據申請專利範圍第4項之裝置，其中該控制系統用於控 制-亥長及紐衝程模組，藉此當該長衝程模組達到該掃描 ，度時’該短衝程模組達到該掃描速度之方向上其移動 範圍之最逖端的一位置或者在其最遠端附近的一位置。 根據申請專利範圍第2或3項之裝置，其中該控制系統用 於控制該長衝程模組以在該被掃描物件開始減速結束之 前開始減速。 •根據申請專利範圍第2或3項之裝置，其中該控制系統用 於控制該長及短衝程模組，藉此該物件在一第二位置結 束曝光周期，在該第二位置其在平行於該掃描速度之 方向上具有一零速度，且該短衝程模組位於該掃描速度 方向上其移動範圍之最遠端上或者在其最遠端附近。 8· 一種半導體元件製造方法，其包括此等步驟： 提七、基片，该基片至少由一層輻射敏感材料部分覆 採用一輻射系統來提供一輻射投影射束； 採用圖木化構件來在投影射束之橫截面上賦予投影射 92334-940927.doc 1255395 束一圖案； 將圖案化之n㈣束投射到— 部分上；以及 輻射敏感材料層之目標 -用一定位系統定位 該定位系統依序包括 在於： 至J δ亥基片及該圖案化構件之一， 長衝程和一短衝程模組；其特徵 9. -當加速該基片或該圖案化構件時，該短衝程模組以— 比该長衝程模組驅動該短衝程模組更大之加速度來驅動 該基片或圖案化構件。 -種電腦可讀取記錄媒體，實施有一電腦程式於其上， 其包括代碼構件，當在一控制一微影投影裝置之電腦系 、先上執行時，4電腦程式指示該電腦系統實現申請專利 範圍第8項之方法。 92334-940927.doc