JP2004343080A - リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びコンピュータ・プログラム - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 32
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract 1
- 208000006011 Stroke Diseases 0.000 description 112
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 101000972349 Phytolacca americana Lectin-A Proteins 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02P—CONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
- H02P13/00—Arrangements for controlling transformers, reactors or choke coils, for the purpose of obtaining a desired output
- H02P13/06—Arrangements for controlling transformers, reactors or choke coils, for the purpose of obtaining a desired output by tap-changing; by rearranging interconnections of windings
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
- H02M5/02—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc
- H02M5/04—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters
- H02M5/10—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using transformers
- H02M5/12—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases without intermediate conversion into dc by static converters using transformers for conversion of voltage or current amplitude only
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
【解決手段】走査露光の際に、短ストローク・モジュールは、長ストローク・モジュールより大きい加速度でマスク又は基板テーブルを加速する。短ストローク・モジュールは、その移動範囲の一端又はその近くから出発し、走査中に長ストローク・モジュールに追いつく。長ストローク・モジュールは早く減速を開始するが、短ストローク・モジュールはより速やかに減速し、その結果、短ストローク・モジュールは長ストローク・モジュールに追いつき、最後にはその移動範囲のもう一端に位置するようになる。長ストローク・モジュールによって加えられる力が増加することなく、したがって損失及び反力がほとんど増加することなく、加速時間を短縮することができる。
【選択図】図2
Description
放射の投影ビームを提供するための放射システムと、
パターン化手段を支持するための支持構造であって、パターン化手段が所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように働く支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
オブジェクトを位置決めするための位置決めシステムであって、前記オブジェクトが支持構造及び基板テーブルの少なくとも一方であり、前記位置決めシステムが直列の長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュール、ならびに位置決めされたオブジェクトを所望の経路に沿って所望の速度で移動させるように、長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを制御するための制御システムを有する位置決めシステムと
を有するリソグラフィ投影装置に関する。
(1)マスク
マスクの概念はリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク及び減衰位相シフト・マスクなどのマスク・タイプ、ならびに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。こうしたマスクを放射ビーム中に配置すると、マスク・パターンに従って、マスク上に衝突する放射の選択的透過(透過性マスクの場合)又は反射(反射性マスクの場合)が行われる。マスクの場合、その支持構造は、一般に入射する放射ビーム中の所望の位置にマスクを保持できること、及び必要であればビームに対してマスクを移動できることを保証するマスク・テーブルである。
(2)プログラマブル・ミラー・アレイ
このようなデバイスの一例は、粘弾性制御層及び反射面を有する、マトリクス状にアドレス指定可能な表面である。こうした装置の背景となる基本原理は、(例えば)反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射することにある。適切なフィルタを用いると、前記非回折光を反射ビームから濾去し、後に回折光のみを残すことができる。このようにして、マトリクス状にアドレス指定可能な表面のアドレス指定されたパターンに従ってビームがパターン化される。プログラマブル・ミラー・アレイの別の実施例は小さいミラーのマトリクス状の配列を使用するものであり、適切な局部電界を印加するか、あるいは電圧作動手段を用いることによりそれぞれのミラーを別々に軸線を中心に傾斜させることができる。ここでも、ミラーはマトリクス状にアドレス指定可能にされ、アドレス指定されたミラーが、入射する放射ビームを、アドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにして、マトリクス状にアドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに従って、反射ビームがパターン化される。必要なマトリクス・アドレス指定は、適切な電子手段を用いて実施することができる。上述のどちらの場合も、パターン化手段は1つ又は複数のプログラマブル・ミラー・アレイを備えることができる。本明細書で言及するミラー・アレイに関する他の情報は、例えば米国特許第5,296,891号及び第5,523,193号、ならびにPCT特許出願WO98/38597号及びWO98/33096号から得られ、これらは参照によって本明細書に援用される。プログラマブル・ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、例えばフレーム又はテーブルとして実施されることができ、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。
(3)プログラマブルLCDアレイ
このような構成の例は米国特許第5,229,872号に示されており、これは参照によって本明細書に援用される。この場合の支持構造は、上述のように、例えば必要に応じて固定することも移動させることもできるフレーム又はテーブルとして実施されることができる。
簡略化のために、本明細書の他の部分では特定の箇所で、特にマスク及びマスク・テーブルに関する実施例に言及することがあるが、こうした実施例の中で論じる一般原理は、先に述べたように、パターン化手段のより広い意味において理解すべきである。
少なくとも一部分を放射感光材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
放射システムを用いて放射の投影ビームを提供するステップと、
パターン化手段を用いて投影ビームの断面をパターン化するステップと、
パターン化された放射ビームを放射感光材料の層のターゲット部分の上に投影するステップと、
基板及びパターン化手段の少なくとも一方を、直列の長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを有する位置決めシステムを用いて位置決めするステップと
を含み、
短ストローク・モジュールが基板又はパターン化手段を加速するとき、長ストローク・モジュールが短ストローク・モジュールを駆動するより大きい加速度で、基板又はパターン化手段を駆動することを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
(1)この特定の場合には放射源LAをも備えた、放射の投影ビーム(例えばDUV放射)PBを供給するための放射システムEx、ILと、
(2)マスクMA(例えばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備えた第1のオブジェクト・テーブル(マスク・テーブル)MTであって、部材PLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1のオブジェクト・テーブル(マスク・テーブル)MTと、
(3)基板W(例えばレジスト塗布シリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダを備えた第2のオブジェクト・テーブル(基板テーブル)WTであって、部材PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2のオブジェクト・テーブル(基板テーブル)WTと、
(4)マスクMAの照射された部分を基板Wの(例えば1つ又は複数のダイを含む)ターゲット部分Cに結像させるための投影システム(「レンズ」)PL(例えば屈折レンズ系)と
を備えている。本明細書で図示する装置は、(例えば透過性マスクを有する)透過タイプのものである。しかし一般に、例えば(反射性マスクを有する)反射タイプのものであってもよい。あるいは装置には先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、他の種類のパターン化手段を用いてもよい。
(1)ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTを本質的に静止した状態に保ち、マスクの像全体を1回(すなわち、ただ1回の「フラッシュ」)でターゲット部分Cの上に投影する。次いで、異なるターゲット部分CをビームPBで照射することができるように、基板テーブルWTをx及び/又はy方向に移動させる。
(2)走査モードでは、所与のターゲット部分Cを1回の「フラッシュ」で露光しないことを除けば、本質的に同じ方法が適用される。その代わり、マスク・テーブルMTは速度vで所与の方向(例えばy方向など、いわゆる「走査方向」)に移動可能であり、したがって投影ビームPBはマスクの像全体を走査する。それと同時に、基板テーブルWTを、速度V=Mv(ただし、MはレンズPLの倍率であり、一般にM=1/4又は1/5)で同じ方向又は反対方向に同時に移動させる。この方法では、解像度を損なうことなく、比較的大きいターゲット部分Cを露光することができる。
Claims (9)
- 放射の投影ビームを提供するための放射システムと、
パターン化手段を支持するための支持構造であって、パターン化手段が所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように働く支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン化されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと、
オブジェクトを位置決めするための位置決めシステムであって、前記オブジェクトが支持構造及び基板テーブルの少なくとも一方であり、前記位置決めシステムが直列の長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュール、ならびに位置決めされたオブジェクトを所望の経路に沿って所望の速度で移動させるように、長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを制御するための制御システムを有する位置決めシステムと
を有するリソグラフィ投影装置において、
前記制御システムが、前記オブジェクトに所望の加速を与えるように前記短ストローク・モジュールを制御すること及びより小さい加速を与えるように前記長ストローク・モジュールを制御することによって、前記長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを制御し、前記オブジェクトに前記所望の加速を与えるようにされていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。 - 前記制御手段が、前記オブジェクトを、走査露光中に実質的に一定の走査速度で移動するように制御するようにされている請求項1に記載の装置。
- 前記制御手段が、前記短ストローク・モジュールを、前記走査露光の開始時又はその直前に前記オブジェクトが前記一定の走査速度に達するように制御し、前記長ストローク・モジュールを、オブジェクトが前記走査速度に達した後にその被駆動端が前記走査速度に達するように制御するようにされている請求項2に記載の装置。
- 前記制御手段が、前記被動オブジェクトが前記走査速度に平行な方向の速度がゼロである第1の位置で露光サイクルを開始し、前記短ストローク・モジュールが前記走査速度と反対の方向のその移動範囲の端又はその近くに位置するように、前記長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを制御するようにされている請求項2又は3に記載の装置。
- 前記制御手段が、前記長ストローク・モジュールが前記走査速度に達するとき、前記短ストローク・モジュールが前記走査速度の方向のその移動範囲の端又はその近くに達するように、前記長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを制御するようにされている請求項4に記載の装置。
- 前記制御手段が、前記長ストローク・モジュールを、前記走査されるオブジェクトの末端が減速を開始する前に減速を開始するように制御するようにされている請求項2、3又は4に記載の装置。
- 前記制御手段が、前記被動オブジェクトが前記走査速度と平行な方向の速度がゼロである第2の位置で露光サイクルを終了し、前記短ストローク・モジュールが前記走査速度の方向のその移動範囲の端又はその近くに位置するように、前記長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを制御するようにされている請求項2、3、4、5又は6に記載の装置。
- 少なくとも一部分を放射感光材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
放射システムを用いて放射の投影ビームを提供するステップと、
パターン化手段を用いて投影ビームの断面をパターン化するステップと、
パターン化された放射ビームを放射感光材料の層のターゲット部分の上に投影するステップと、
基板及びパターン化手段の少なくとも一方を、直列の長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを有する位置決めシステムを用いて位置決めするステップとを含むデバイス製造方法において、
短ストローク・モジュールが基板又はパターン化手段を加速するとき、長ストローク・モジュールが短ストローク・モジュールを駆動するより大きい加速度で基板又はパターン化手段を駆動することを特徴とするデバイス製造方法。 - リソグラフィ投影装置を制御するコンピュータ・システム上で実行されるとき、コンピュータ・システムに請求項8の方法を実行するように命令するコード手段を含むコンピュータ・プログラム。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP03252247 | 2003-04-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004343080A true JP2004343080A (ja) | 2004-12-02 |
JP4394500B2 JP4394500B2 (ja) | 2010-01-06 |
Family
ID=33515117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004104672A Expired - Fee Related JP4394500B2 (ja) | 2003-04-09 | 2004-03-31 | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びコンピュータ・プログラム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7280182B2 (ja) |
EP (1) | EP1467255A1 (ja) |
JP (1) | JP4394500B2 (ja) |
KR (1) | KR100756505B1 (ja) |
CN (1) | CN100520582C (ja) |
SG (1) | SG115669A1 (ja) |
TW (1) | TWI255395B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100478784C (zh) * | 2005-04-04 | 2009-04-15 | 中国科学院微电子研究所 | 全透明无铬移相掩模实现100纳米图形加工的方法 |
US7429845B2 (en) * | 2005-04-16 | 2008-09-30 | Nikon Corporation | System and method for controlling a stage assembly |
US20070268475A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Nikon Corporation | System and method for controlling a stage assembly |
JP2010162653A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Tesetsuku:Kk | ハンドリング装置および電子部品検査システム |
CN105137721B (zh) * | 2015-09-24 | 2017-04-12 | 山东科技大学 | 扫描工作台各速度段进行激光直写二值图案的方法与装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
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JP3813635B2 (ja) * | 1996-04-01 | 2006-08-23 | エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ | リソグラフィ走査露光投影装置 |
JPH10116779A (ja) | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nikon Corp | ステージ装置 |
DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
AU2048097A (en) | 1997-01-29 | 1998-08-18 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
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JP3626504B2 (ja) | 1997-03-10 | 2005-03-09 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
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-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004104672A patent/JP4394500B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-07 EP EP04252064A patent/EP1467255A1/en not_active Withdrawn
- 2004-04-07 SG SG200401980A patent/SG115669A1/en unknown
- 2004-04-08 US US10/820,228 patent/US7280182B2/en active Active
- 2004-04-08 CN CNB200410032532XA patent/CN100520582C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-08 TW TW093109801A patent/TWI255395B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-04-09 KR KR1020040024308A patent/KR100756505B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040257548A1 (en) | 2004-12-23 |
US7280182B2 (en) | 2007-10-09 |
JP4394500B2 (ja) | 2010-01-06 |
TWI255395B (en) | 2006-05-21 |
EP1467255A1 (en) | 2004-10-13 |
CN1536445A (zh) | 2004-10-13 |
CN100520582C (zh) | 2009-07-29 |
TW200510946A (en) | 2005-03-16 |
SG115669A1 (en) | 2005-10-28 |
KR20040087960A (ko) | 2004-10-15 |
KR100756505B1 (ko) | 2007-09-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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