JP2003158865A - リソグラフィ装置および前記装置で用いるモータ - Google Patents
リソグラフィ装置および前記装置で用いるモータInfo
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バック・アイアンの質量が低減されるが、駆
動装置の性能は全く低下していないローレンツ駆動装置
を有するリソグラフィ投影装置を提供すること。 【解決手段】 装置の第１部分と第２部分との間に力を
発生させるローレンツ駆動装置であって、装置の第１部
分に取り付けられて第１磁界を発生させるメイン磁石シ
ステムと、前記第１部分に取り付けられてハルバック配
置で配置され第２磁界を発生させる補助磁石システム
と、装置の第２部分に取り付けられる導電性要素であっ
て、前記導電性要素を流れる電流と第１および第２の磁
界の組み合わせとの相互作用によって装置の前記第１お
よび第２の部分間に力を発生させるように配置される導
電性要素とを備えるローレンツ駆動装置。
動装置の性能は全く低下していないローレンツ駆動装置
を有するリソグラフィ投影装置を提供すること。 【解決手段】 装置の第１部分と第２部分との間に力を
発生させるローレンツ駆動装置であって、装置の第１部
分に取り付けられて第１磁界を発生させるメイン磁石シ
ステムと、前記第１部分に取り付けられてハルバック配
置で配置され第２磁界を発生させる補助磁石システム
と、装置の第２部分に取り付けられる導電性要素であっ
て、前記導電性要素を流れる電流と第１および第２の磁
界の組み合わせとの相互作用によって装置の前記第１お
よび第２の部分間に力を発生させるように配置される導
電性要素とを備えるローレンツ駆動装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射の投影ビーム
を供給するための放射システムと、所望のパターンに従
って投影ビームをパターン形成するように使用されるパ
ターン形成手段を支持するための支持構造と、基板を保
持するための基板テーブルと、パターン形成されたビー
ムを基板の目標部分に投影するための投影システムと、
モータの第１部分と装置の機械フレームとの間に少なく
とも１つの方向の長距離運動に渡る力を発生させるため
の長行程モータと、モータの前記第１部分と第２部分と
の間に少なくとも１つの方向の短距離運動に渡る力を発
生させ、前記第２部分は支持構造または基板に接続され
るローレンツ駆動装置とを備えるモータとを備えるリソ
グラフィ投影装置に関する。
を供給するための放射システムと、所望のパターンに従
って投影ビームをパターン形成するように使用されるパ
ターン形成手段を支持するための支持構造と、基板を保
持するための基板テーブルと、パターン形成されたビー
ムを基板の目標部分に投影するための投影システムと、
モータの第１部分と装置の機械フレームとの間に少なく
とも１つの方向の長距離運動に渡る力を発生させるため
の長行程モータと、モータの前記第１部分と第２部分と
の間に少なくとも１つの方向の短距離運動に渡る力を発
生させ、前記第２部分は支持構造または基板に接続され
るローレンツ駆動装置とを備えるモータとを備えるリソ
グラフィ投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ここで使用されるような「パターン形成
手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパタ
ーンに対応するパターン形成された断面を、入射放射ビ
ームに与えるために使用することができる手段のことを
言うものとして、広く解釈すべきである。また、用語
「光弁」は、この背景で使用することができる。一般
に、前記のパターンは、集積回路または他のデバイスの
ような目標部分に作られるデバイス内の特定の機能層に
対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン形
成手段の実施例は、次のものを含む。すなわち、マス
ク。マスクの概念は、リソグラフィではよく知られてお
り、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、２進位
相シフト、交番位相シフト、および減衰位相シフトのよ
うなマスクの種類が含まれる。そのようなマスクを放射
ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じ
て、マスクに当る放射の選択的な透過（透過マスクの場
合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスク
の場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、こ
のマスク・テーブルによって、マスクは、確実に入射放
射ビーム内の所望の位置に保持することができるように
なり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移
動させることができるようになる。プログラム可能ミラ
ー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御
層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定
可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例え
ば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折
光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射
光を非回折光として反射する。適当なフィルタを使用し
て、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去し
て、後に回折光だけを残すことができる。このようにし
て、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指
定パターンに従って、ビームはパターン形成されるよう
になる。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な
電子的な手段を使用して行うことができる。ここで言及
したようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許
第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，
１９３号からより多くの情報を収集することができる。
これらは参照して本明細書に組み込む。プログラム可能
ミラー・アレイの場合、前記の支持構造は、例えば、フ
レームまたはテーブルとして具体化することができ、必
要に応じて、固定するか、可動にすることができる。プ
ログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構造の実施例
は、米国特許第５，２２９，８７２号に与えられてい
る。この特許は、参照して本明細書に組み込む。上記の
ように、この場合の支持構造は、例えば、フレームまた
はテーブルとして具体化することができ、それは、必要
に応じて、固定するか、可動にすることができる。簡単
にするために、本明細書の残りは、ある場所で、特別
に、マスクおよびマスク・テーブルを含む実施例に向け
られる。しかし、そのような例で述べる一般的な原理
は、上で述べたようなパターン形成手段のより広い背景
の中で理解すべきである。
手段」という用語は、基板の目標部分に作成すべきパタ
ーンに対応するパターン形成された断面を、入射放射ビ
ームに与えるために使用することができる手段のことを
言うものとして、広く解釈すべきである。また、用語
「光弁」は、この背景で使用することができる。一般
に、前記のパターンは、集積回路または他のデバイスの
ような目標部分に作られるデバイス内の特定の機能層に
対応する（下を参照されたい）。そのようなパターン形
成手段の実施例は、次のものを含む。すなわち、マス
ク。マスクの概念は、リソグラフィではよく知られてお
り、様々な混成マスクの種類はもちろんのこと、２進位
相シフト、交番位相シフト、および減衰位相シフトのよ
うなマスクの種類が含まれる。そのようなマスクを放射
ビーム内に配置することで、マスクのパターンに応じ
て、マスクに当る放射の選択的な透過（透過マスクの場
合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスク
の場合、支持構造は一般にマスク・テーブルであり、こ
のマスク・テーブルによって、マスクは、確実に入射放
射ビーム内の所望の位置に保持することができるように
なり、さらに、望むならば、マスクをビームに対して移
動させることができるようになる。プログラム可能ミラ
ー・アレイ。そのようなデバイスの一例は、粘弾性制御
層および反射表面を有するマトリックス・アドレス指定
可能表面である。そのような装置の基本原理は、（例え
ば）反射表面のアドレス指定された領域は入射光を回折
光として反射するが、アドレス指定されない領域は入射
光を非回折光として反射する。適当なフィルタを使用し
て、前記の非回折光を、反射ビームからフィルタ除去し
て、後に回折光だけを残すことができる。このようにし
て、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指
定パターンに従って、ビームはパターン形成されるよう
になる。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な
電子的な手段を使用して行うことができる。ここで言及
したようなミラー・アレイについて、例えば、米国特許
第５，２９６，８９１号および米国特許第５，５２３，
１９３号からより多くの情報を収集することができる。
これらは参照して本明細書に組み込む。プログラム可能
ミラー・アレイの場合、前記の支持構造は、例えば、フ
レームまたはテーブルとして具体化することができ、必
要に応じて、固定するか、可動にすることができる。プ
ログラム可能ＬＣＤアレイ。そのような構造の実施例
は、米国特許第５，２２９，８７２号に与えられてい
る。この特許は、参照して本明細書に組み込む。上記の
ように、この場合の支持構造は、例えば、フレームまた
はテーブルとして具体化することができ、それは、必要
に応じて、固定するか、可動にすることができる。簡単
にするために、本明細書の残りは、ある場所で、特別
に、マスクおよびマスク・テーブルを含む実施例に向け
られる。しかし、そのような例で述べる一般的な原理
は、上で述べたようなパターン形成手段のより広い背景
の中で理解すべきである。
【０００３】リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回
路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような
場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する
回路パターンを生成することができる。このパターンの
像が、放射敏感材料（レジスト）の層で覆われた基板
（シリコン・ウェーハ）上の目標部分（例えば、１つま
たは複数のダイで構成される）に形成される。一般に、
単一のウェーハは全体として網の目のような隣接する目
標部分を含み、この隣接する目標部分が、投影システム
により、一度に１つずつ、連続的に放射を照射される。
マスク・テーブルのマスクによるパターン形成を使用す
る現在の装置は、２つの異なる種類の機械に区別するこ
とができる。一方の種類のリソグラフィ投影装置では、
全マスクパターンを一括して目標部分に露出させること
で、各目標部分が放射を照射される。そのような装置
は、通常、ウェーハ・ステッパと呼ばれる。走査ステッ
プ式装置と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの
当るマスク・パターンを特定の基準方向（「走査」方
向）に漸進的に走査し、同時に、同期して、この方向に
対して平行または逆平行に基板テーブルを走査すること
で、各目標部分が放射を照射される。一般に、投影シス
テムは、拡大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板
テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走
査される速度の因数Ｍ倍となる。ここで説明したような
リソグラフィ装置に関して、例えば、米国特許第６，０
４６，７９２号から、もっと多くの情報を収集すること
ができる。この特許は、参照して本明細書に組み込む。
路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような
場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する
回路パターンを生成することができる。このパターンの
像が、放射敏感材料（レジスト）の層で覆われた基板
（シリコン・ウェーハ）上の目標部分（例えば、１つま
たは複数のダイで構成される）に形成される。一般に、
単一のウェーハは全体として網の目のような隣接する目
標部分を含み、この隣接する目標部分が、投影システム
により、一度に１つずつ、連続的に放射を照射される。
マスク・テーブルのマスクによるパターン形成を使用す
る現在の装置は、２つの異なる種類の機械に区別するこ
とができる。一方の種類のリソグラフィ投影装置では、
全マスクパターンを一括して目標部分に露出させること
で、各目標部分が放射を照射される。そのような装置
は、通常、ウェーハ・ステッパと呼ばれる。走査ステッ
プ式装置と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの
当るマスク・パターンを特定の基準方向（「走査」方
向）に漸進的に走査し、同時に、同期して、この方向に
対して平行または逆平行に基板テーブルを走査すること
で、各目標部分が放射を照射される。一般に、投影シス
テムは、拡大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板
テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走
査される速度の因数Ｍ倍となる。ここで説明したような
リソグラフィ装置に関して、例えば、米国特許第６，０
４６，７９２号から、もっと多くの情報を収集すること
ができる。この特許は、参照して本明細書に組み込む。
【０００４】リソグラフィ投影装置を使用する製造プロ
セスでは、放射敏感材料（レジスト）の層で少なくとも
部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク内
の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基板
は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークのよ
うな様々な手順を経る可能性がある。露出後に、基板
は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、
および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手
順に供される可能性がある。この手順の配列は、デバイ
ス例えばＩＣの個々の層をパターン形成する基礎として
使用される。次に、そのようなパターン形成層は、エッ
チング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーシ
ョン、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層
を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経る可
能性がある。いくつかの層が必要な場合には、この全手
順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければ
ならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェー
ハ）上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは
鋸引きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離
し、それから、個々のデバイスは、ピンなどに接続され
たキャリアに取り付けることができる。そのようなプロ
セスに関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏ
ｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ： Ａ ｐｒａｃｔ
ｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：
半導体処理への実用的入門書）」， Ｔｈｉｒｄ Ｅｄ
ｉｔｉｏｎ， ｂｙ Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ，
ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃ
ｏ．， １９９７， ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０
−４の本から得ることができる。この本を参照して本明
細書に組み込む。
セスでは、放射敏感材料（レジスト）の層で少なくとも
部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク内
の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基板
は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークのよ
うな様々な手順を経る可能性がある。露出後に、基板
は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、
および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手
順に供される可能性がある。この手順の配列は、デバイ
ス例えばＩＣの個々の層をパターン形成する基礎として
使用される。次に、そのようなパターン形成層は、エッ
チング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーシ
ョン、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層
を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経る可
能性がある。いくつかの層が必要な場合には、この全手
順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければ
ならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェー
ハ）上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは
鋸引きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離
し、それから、個々のデバイスは、ピンなどに接続され
たキャリアに取り付けることができる。そのようなプロ
セスに関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏ
ｃｈｉｐ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ： Ａ ｐｒａｃｔ
ｉｃａｌ Ｇｕｉｄｅ ｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：
半導体処理への実用的入門書）」， Ｔｈｉｒｄ Ｅｄ
ｉｔｉｏｎ， ｂｙ Ｐｅｔｅｒ ｖａｎ Ｚａｎｔ，
ＭｃＧｒａｗ Ｈｉｌｌ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃ
ｏ．， １９９７， ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０
−４の本から得ることができる。この本を参照して本明
細書に組み込む。
【０００５】簡単にするために、投影システムを以下で
「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例
えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカ
タディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影
システムを包含するものとして広く解釈すべきである。
また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに
従って動作して放射の投影ビームを方向付け、整形し、
または制御する部品を含むことができる。さらに、その
ような部品もまた、下で一括してまたは単独で、「レン
ズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフィ装置は、
２以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク
・テーブル）を有する種類のものであることがある。そ
のような「マルチ・ステージ」の装置では、追加のテー
ブルは、並列に使用されることがあり、または、他の１
つまたは複数の他のテーブルを露出に使用しながら、１
つまたは複数のテーブルで準備ステップが行われること
がある。ツイン・ステージ・リソグラフィ装置は、例え
ば、米国特許５，９６９，４１１号および国際公開ＷＯ
９８／４０７９１に記載されている。この本を参照して
本明細書に組み込む。
「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例
えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカ
タディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影
システムを包含するものとして広く解釈すべきである。
また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに
従って動作して放射の投影ビームを方向付け、整形し、
または制御する部品を含むことができる。さらに、その
ような部品もまた、下で一括してまたは単独で、「レン
ズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフィ装置は、
２以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク
・テーブル）を有する種類のものであることがある。そ
のような「マルチ・ステージ」の装置では、追加のテー
ブルは、並列に使用されることがあり、または、他の１
つまたは複数の他のテーブルを露出に使用しながら、１
つまたは複数のテーブルで準備ステップが行われること
がある。ツイン・ステージ・リソグラフィ装置は、例え
ば、米国特許５，９６９，４１１号および国際公開ＷＯ
９８／４０７９１に記載されている。この本を参照して
本明細書に組み込む。
【０００６】前述した装置において、非常に重要である
のは、基板を保持する基板テーブルと、マスクを保持し
得る支持構造とを、非常に高い精度で位置決めすること
である。そのため、たとえば本明細書において参照によ
り取り入れる米国特許公報第５，１２０，０３４号に
は、ベースに対して少なくとも２つの座標方向に変位可
能なキャリッジ（ｃａｒｒｉａｇｅ）を備える位置決め
装置であって、キャリッジは、キャリッジに対して前記
２つの座標方向に変位可能なテーブルを変位させるため
のものであり、テーブルは前記２つの座標方向の磁石シ
ステムおよびコイルシステムのローレンツ力だけでキャ
リッジに接続されている位置決め装置を用いることが提
案されている。
のは、基板を保持する基板テーブルと、マスクを保持し
得る支持構造とを、非常に高い精度で位置決めすること
である。そのため、たとえば本明細書において参照によ
り取り入れる米国特許公報第５，１２０，０３４号に
は、ベースに対して少なくとも２つの座標方向に変位可
能なキャリッジ（ｃａｒｒｉａｇｅ）を備える位置決め
装置であって、キャリッジは、キャリッジに対して前記
２つの座標方向に変位可能なテーブルを変位させるため
のものであり、テーブルは前記２つの座標方向の磁石シ
ステムおよびコイルシステムのローレンツ力だけでキャ
リッジに接続されている位置決め装置を用いることが提
案されている。
【０００７】ローレンツ駆動装置をリソグラフィ投影装
置で用いる際の重大な問題は、使用中にローレンツ駆動
装置のコイルが発生させる熱量である。特に、基板テー
ブルまたは支持構造の非常に近くに配置されるローレン
ツ駆動装置がわずかでも発生させる熱である。発生する
わずかな熱も放散して、装置精度の低下をモータらす可
能性のある基板テーブルおよび支持構造の温度変化を防
がなければならない。
置で用いる際の重大な問題は、使用中にローレンツ駆動
装置のコイルが発生させる熱量である。特に、基板テー
ブルまたは支持構造の非常に近くに配置されるローレン
ツ駆動装置がわずかでも発生させる熱である。発生する
わずかな熱も放散して、装置精度の低下をモータらす可
能性のある基板テーブルおよび支持構造の温度変化を防
がなければならない。
【０００８】ローレンツ駆動装置は、導電性要素たとえ
ばコイルと、磁石アセンブリとからなる。磁石アセンブ
リから発生する磁界は、導電性要素を流れる電流と相互
作用して、導電性要素と磁石アセンブリとの間にローレ
ンツ力を発生させる。ローレンツ力の方向はその地点で
の電流および磁界の方向に垂直である。通常、磁石アセ
ンブリは、導電性要素の両側の少なくとも１つの磁石か
らなり、ほぼ均一な磁界を導電体の周りに発生させる。
ローレンツ駆動装置は、コイルの中に鉄を全く含まな
い。しかしローレンツ駆動装置の磁石アセンブリは、バ
ック・アイアン（ｂａｃｋ ｉｒｏｎ）を備えている。
バック・アイアンは、磁気飽和が高い材料から形成さ
れ、磁石の外側に配置される。バック・アイアンは通
常、飽和を防止するために大きいことが必要とされるた
め、駆動装置の質量のかなりの部分を構成し、モータの
効率が低下する原因となっている。
ばコイルと、磁石アセンブリとからなる。磁石アセンブ
リから発生する磁界は、導電性要素を流れる電流と相互
作用して、導電性要素と磁石アセンブリとの間にローレ
ンツ力を発生させる。ローレンツ力の方向はその地点で
の電流および磁界の方向に垂直である。通常、磁石アセ
ンブリは、導電性要素の両側の少なくとも１つの磁石か
らなり、ほぼ均一な磁界を導電体の周りに発生させる。
ローレンツ駆動装置は、コイルの中に鉄を全く含まな
い。しかしローレンツ駆動装置の磁石アセンブリは、バ
ック・アイアン（ｂａｃｋ ｉｒｏｎ）を備えている。
バック・アイアンは、磁気飽和が高い材料から形成さ
れ、磁石の外側に配置される。バック・アイアンは通
常、飽和を防止するために大きいことが必要とされるた
め、駆動装置の質量のかなりの部分を構成し、モータの
効率が低下する原因となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、バッ
ク・アイアンの質量が低減されるが、駆動装置の性能は
全く低下していないローレンツ駆動装置を有するリソグ
ラフィ投影装置を提供することである。
ク・アイアンの質量が低減されるが、駆動装置の性能は
全く低下していないローレンツ駆動装置を有するリソグ
ラフィ投影装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的およびその他の
目的は、本発明によって、冒頭の段落で明記したリソグ
ラフィ装置にさらに以下のものを備える装置で達成され
る。モータの前記第１および第２の部分の一方に取り付
けられ、前記力の方向に実質的に垂直な第１磁界を発生
させるメイン磁石システム、モータの前記一方の部分の
他方に取り付けられる導電性要素であって、前記導電性
要素を流れる電流と第１磁界との相互作用によって前記
力を発生させるように配置される導電性要素、モータの
前記一方の部分に取り付けられて、ハルバック（Ｈａｌ
ｂａｃｈ）配置で配置され、第１磁界に実質的に垂直な
第２磁界を発生させる補助磁石システム。
目的は、本発明によって、冒頭の段落で明記したリソグ
ラフィ装置にさらに以下のものを備える装置で達成され
る。モータの前記第１および第２の部分の一方に取り付
けられ、前記力の方向に実質的に垂直な第１磁界を発生
させるメイン磁石システム、モータの前記一方の部分の
他方に取り付けられる導電性要素であって、前記導電性
要素を流れる電流と第１磁界との相互作用によって前記
力を発生させるように配置される導電性要素、モータの
前記一方の部分に取り付けられて、ハルバック（Ｈａｌ
ｂａｃｈ）配置で配置され、第１磁界に実質的に垂直な
第２磁界を発生させる補助磁石システム。
【００１１】この配置は、飽和を防止するために必要な
バック・アイアンのサイズが低減されるため、好都合で
ある。したがってこれは、駆動装置のバック・アイアン
の質量が減少して駆動装置の効率がさらに高まることを
意味する。というのは、駆動装置の移動質量が減少する
と、所定の加速度を発生させるために必要な力が減少す
るからである。また駆動装置のｋファクタ（モータ定数
とも言われる）も増加する。これは、コイルを流れる所
定の電流に対して発生される力が増加することを意味す
る。これらの効果が組み合わさる結果、所定の加速度を
発生させるための電流が著しく減少し、その結果コイル
に発生する熱量が減少する。
バック・アイアンのサイズが低減されるため、好都合で
ある。したがってこれは、駆動装置のバック・アイアン
の質量が減少して駆動装置の効率がさらに高まることを
意味する。というのは、駆動装置の移動質量が減少する
と、所定の加速度を発生させるために必要な力が減少す
るからである。また駆動装置のｋファクタ（モータ定数
とも言われる）も増加する。これは、コイルを流れる所
定の電流に対して発生される力が増加することを意味す
る。これらの効果が組み合わさる結果、所定の加速度を
発生させるための電流が著しく減少し、その結果コイル
に発生する熱量が減少する。
【００１２】本発明の好ましい実施形態においては、補
助磁石システムは、第１および第２の補助磁石を備え、
メイン磁石システムはメイン磁石を備えており、メイン
磁石の少なくとも一部は２つの補助磁石の間に配置され
る。これらの磁石の配置は、第１補助磁石の磁気分極が
第２補助磁石の磁気分極と実質的に反平行となり、メイ
ン磁石の磁気分極がこれら２つの補助磁石の磁気分極と
実質的に垂直になるように行う。
助磁石システムは、第１および第２の補助磁石を備え、
メイン磁石システムはメイン磁石を備えており、メイン
磁石の少なくとも一部は２つの補助磁石の間に配置され
る。これらの磁石の配置は、第１補助磁石の磁気分極が
第２補助磁石の磁気分極と実質的に反平行となり、メイ
ン磁石の磁気分極がこれら２つの補助磁石の磁気分極と
実質的に垂直になるように行う。
【００１３】本発明のさらに好ましい実施形態において
は、ローレンツ駆動装置は２つの磁石アセンブリを備え
る。第１磁石アセンブリは、第１メイン磁石システム・
サブ・アセンブリと第１補助磁石システム・サブ・アセ
ンブリとを備える。第２磁石アセンブリは、第２メイン
磁石システム・サブ・アセンブリと第２補助磁石システ
ム・サブ・アセンブリとを備える。導電性要素の少なく
とも一部が、第１および第２の磁石アセンブリの間に配
置される。
は、ローレンツ駆動装置は２つの磁石アセンブリを備え
る。第１磁石アセンブリは、第１メイン磁石システム・
サブ・アセンブリと第１補助磁石システム・サブ・アセ
ンブリとを備える。第２磁石アセンブリは、第２メイン
磁石システム・サブ・アセンブリと第２補助磁石システ
ム・サブ・アセンブリとを備える。導電性要素の少なく
とも一部が、第１および第２の磁石アセンブリの間に配
置される。
【００１４】本発明のさらに好ましい実施形態において
は、各磁石アセンブリは、第１および第２のメイン磁石
を備え、これらはその磁気分極が互いに実質的に反平行
になるように配置される。磁気アセンブリはさらに、第
１、第２、および第３の補助磁石を備え、これらの配置
は、第１メイン磁石の少なくとも一部が第１および第２
の補助磁石の間に配置され、第２メイン磁石の少なくと
も一部が第２および第３の補助磁石の間に配置されるよ
うに行われる。導電性要素は、第１磁石アセンブリの第
１メイン磁石と第２アセンブリの第１メイン磁石との間
に配置される第１部分と、第１磁石アセンブリの第２メ
イン磁石と第２磁石アセンブリの第２メイン磁石との間
に配置される第２部分とを備える。導電性要素の配置
は、この要素に電流を流したときに、第１部分の電流の
方向が第２部分の電流の方向と実質的に反平行になるよ
うに行われる。
は、各磁石アセンブリは、第１および第２のメイン磁石
を備え、これらはその磁気分極が互いに実質的に反平行
になるように配置される。磁気アセンブリはさらに、第
１、第２、および第３の補助磁石を備え、これらの配置
は、第１メイン磁石の少なくとも一部が第１および第２
の補助磁石の間に配置され、第２メイン磁石の少なくと
も一部が第２および第３の補助磁石の間に配置されるよ
うに行われる。導電性要素は、第１磁石アセンブリの第
１メイン磁石と第２アセンブリの第１メイン磁石との間
に配置される第１部分と、第１磁石アセンブリの第２メ
イン磁石と第２磁石アセンブリの第２メイン磁石との間
に配置される第２部分とを備える。導電性要素の配置
は、この要素に電流を流したときに、第１部分の電流の
方向が第２部分の電流の方向と実質的に反平行になるよ
うに行われる。
【００１５】また本発明は、リソグラフィ投影装置で用
いるモータに関する。モータは、モータの第１部分とリ
ソグラフィ投影装置の機械フレームとの間に少なくとも
１つの方向の長距離運動に渡る力を発生させるための長
行程モータと、モータの前記第１部分と第２部分との間
に少なくとも１つの方向の短距離運動に渡る力を発生さ
せるためのローレンツ駆動装置とを備え、ローレンツ駆
動装置は以下のものを備える。モータの前記第１および
第２の部分の一方に取り付けられ、前記力の方向に実質
的に垂直な第１磁界を発生させるメイン磁石システム、
モータの前記一方の部分の他方に取り付けられる導電性
要素であって、前記導電性要素を流れる電流と第１磁界
との相互作用によって前記力を発生させるように配置さ
れる導電性要素、モータの前記一方の部分に取り付けら
れて、ハルバック配置で配置され、第１磁界に実質的に
垂直な第２磁界を発生させる補助磁石システム。
いるモータに関する。モータは、モータの第１部分とリ
ソグラフィ投影装置の機械フレームとの間に少なくとも
１つの方向の長距離運動に渡る力を発生させるための長
行程モータと、モータの前記第１部分と第２部分との間
に少なくとも１つの方向の短距離運動に渡る力を発生さ
せるためのローレンツ駆動装置とを備え、ローレンツ駆
動装置は以下のものを備える。モータの前記第１および
第２の部分の一方に取り付けられ、前記力の方向に実質
的に垂直な第１磁界を発生させるメイン磁石システム、
モータの前記一方の部分の他方に取り付けられる導電性
要素であって、前記導電性要素を流れる電流と第１磁界
との相互作用によって前記力を発生させるように配置さ
れる導電性要素、モータの前記一方の部分に取り付けら
れて、ハルバック配置で配置され、第１磁界に実質的に
垂直な第２磁界を発生させる補助磁石システム。
【００１６】この明細書で、ＩＣの製造において本発明
に従った装置を使用することに特に言及するが、そのよ
うな装置は他の多くの可能な用途を有することをはっき
りと理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気
ドメイン・メモリのための誘導および検出パターン、液
晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造で使用するこ
とができる。当業者は理解するであろうが、そのような
他の背景では、本明細書の「レチクル」、「ウェハー」
または「ダイ」の用語の使用は、それぞれ、より一般的
な用語「マスク」、「基板」および「目標部分」で置き
換えられるものとして考えるべきである。
に従った装置を使用することに特に言及するが、そのよ
うな装置は他の多くの可能な用途を有することをはっき
りと理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気
ドメイン・メモリのための誘導および検出パターン、液
晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造で使用するこ
とができる。当業者は理解するであろうが、そのような
他の背景では、本明細書の「レチクル」、「ウェハー」
または「ダイ」の用語の使用は、それぞれ、より一般的
な用語「マスク」、「基板」および「目標部分」で置き
換えられるものとして考えるべきである。
【００１７】本文献において、「放射」および「ビー
ム」の用語は、紫外線放射（例えば、波長が３６５、２
４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍである）およ
びＥＵＶ（極端紫外放射、たとえば、波長が５〜２０ｎ
ｍの範囲である）ならびにイオン・ビームまたは電子ビ
ーム等の粒子ビームを含んだ、あらゆる種類の電磁放射
を包含するように使用される。
ム」の用語は、紫外線放射（例えば、波長が３６５、２
４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍである）およ
びＥＵＶ（極端紫外放射、たとえば、波長が５〜２０ｎ
ｍの範囲である）ならびにイオン・ビームまたは電子ビ
ーム等の粒子ビームを含んだ、あらゆる種類の電磁放射
を包含するように使用される。
【００１８】ここで本発明の実施形態は、実施例として
のみ添付の模式図を参照して説明する。
のみ添付の模式図を参照して説明する。
【００１９】図において、対応する参照符号は対応する
部分を示す。
部分を示す。
【００２０】
【発明の実施の形態】実施形態１
図１は、リソグラフィ投影装置を模式的に示す。本装置
は、放射（例えば、ＥＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供
給するための、この場合に放射源ＬＡを備える放射シス
テムＥｘ、ＩＬと、マスクＭＡ（例えば、レチクル）を
保持するためのマスク・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに
対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決
め手段に接続された第１の物体テーブル（マスク・テー
ブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン
・ウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ
要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２
の位置決め手段に接続された第２の物体テーブル（基板
テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの放射照射部分の像を、
基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイで
構成される）に形成するための投影システム（レンズ）
ＰＬ（レンズ群）とを備える。ここに示すように、本装
置は、透過型（すなわち、透過マスクを有する）であ
る。しかし、一般に、本装置は、例えば、反射型（反射
マスクを有する）であることもある。もしくは、本装置
は、上で言及したような種類のプログラム可能ミラー・
アレイのような、他の種類のパターン形成手段を使用す
ることができる。
は、放射（例えば、ＥＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供
給するための、この場合に放射源ＬＡを備える放射シス
テムＥｘ、ＩＬと、マスクＭＡ（例えば、レチクル）を
保持するためのマスク・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに
対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決
め手段に接続された第１の物体テーブル（マスク・テー
ブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン
・ウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ
要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２
の位置決め手段に接続された第２の物体テーブル（基板
テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの放射照射部分の像を、
基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイで
構成される）に形成するための投影システム（レンズ）
ＰＬ（レンズ群）とを備える。ここに示すように、本装
置は、透過型（すなわち、透過マスクを有する）であ
る。しかし、一般に、本装置は、例えば、反射型（反射
マスクを有する）であることもある。もしくは、本装置
は、上で言及したような種類のプログラム可能ミラー・
アレイのような、他の種類のパターン形成手段を使用す
ることができる。
【００２１】放射源ＬＡ（例えば、Ｈｇランプまたはエ
キシマ・レーザ）は、放射のビームを生成する。このビ
ームは、直接か、または、例えばビーム拡大器Ｅｘなど
のコンディショニング手段を通り抜けた後かいずれか
で、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装
置ＩＬは、ビーム内の強度分布の外側半径範囲および／
または内側半径範囲（通常、それぞれ、σ−ｏｕｔｅ
ｒ、σ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整
手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、
一般に、積分器ＩＮ、集光器ＣＯなどの様々な他の部品
を備える。このようにして、マスクＭＡに当っているビ
ームＰＢは、その断面内に所望の一様強度分布を持つ。
キシマ・レーザ）は、放射のビームを生成する。このビ
ームは、直接か、または、例えばビーム拡大器Ｅｘなど
のコンディショニング手段を通り抜けた後かいずれか
で、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装
置ＩＬは、ビーム内の強度分布の外側半径範囲および／
または内側半径範囲（通常、それぞれ、σ−ｏｕｔｅ
ｒ、σ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整
手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、
一般に、積分器ＩＮ、集光器ＣＯなどの様々な他の部品
を備える。このようにして、マスクＭＡに当っているビ
ームＰＢは、その断面内に所望の一様強度分布を持つ。
【００２２】図１に関して留意すべきことであるが、放
射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にあ
ることがあるが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプの場
合、そうであることが多い）、また、放射源ＬＡがリソ
グラフィ投影装置から遠く離れており、それの生成する
放射ビームが装置の中に導かれることがある（例えば、
適当な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリ
オは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多
い。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオ
の両方を含む。
射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にあ
ることがあるが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプの場
合、そうであることが多い）、また、放射源ＬＡがリソ
グラフィ投影装置から遠く離れており、それの生成する
放射ビームが装置の中に導かれることがある（例えば、
適当な方向付けミラーを使用して）。この後者のシナリ
オは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に多
い。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオ
の両方を含む。
【００２３】ビームＰＢは、その後、マスク・テーブル
ＭＴに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭ
Ａを通り抜けたビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜け
る。このレンズＰＬは、基板Ｗの目標部分ＣにビームＰ
Ｂを収束させる。第２の位置決め手段（および干渉測定
手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴは、例えばビー
ムＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするよ
うに、正確に移動させることができる。同様に、第１の
位置決め手段を使用して、例えば、マスク・ライブラリ
からマスクＭＡを機械的に取り出した後で、または走査
中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位
置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、
ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短
行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。
ＭＴに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭ
Ａを通り抜けたビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜け
る。このレンズＰＬは、基板Ｗの目標部分ＣにビームＰ
Ｂを収束させる。第２の位置決め手段（および干渉測定
手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴは、例えばビー
ムＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするよ
うに、正確に移動させることができる。同様に、第１の
位置決め手段を使用して、例えば、マスク・ライブラリ
からマスクＭＡを機械的に取り出した後で、または走査
中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位
置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、
ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短
行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。
【００２４】長行程ＬＳの移動部分は、ＷＯ０１／１８
９４４に記載されているように平面モータによって移動
する。この文献は、本明細書において参照により取り入
れられている。磁気プレートＭＰがリソグラフィ投影装
置の機械フレームに固定され、長行程ＬＳには第１のコ
イル・セットＳＰ１が設けられている。電流をコイルＳ
Ｐ１に流すと、ＳＰ１は力を発生する。この力によって
長行程ＬＳを浮揚させて、磁気プレートＭＰに沿って移
動させることができる。基板テーブルＷＴは、第２のコ
イルＳＰ２と磁石ＭＳとを備えるローレンツ駆動装置に
よって、長行程ＬＳに対して移動する。電流を第２のコ
イルＳＰ２に流すと、長行程ＬＳと磁石ＭＳ（基板テー
ブルＷＴに設けられている）との間に力が発生して、基
板テーブルＷＴを微細に位置決めすることができる。基
板テーブルＷＴは、長行程ＬＳに対して、６自由度
（Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒｚ、Ｒｙ、およびＲｘ）まで移動させ
ることができる。
９４４に記載されているように平面モータによって移動
する。この文献は、本明細書において参照により取り入
れられている。磁気プレートＭＰがリソグラフィ投影装
置の機械フレームに固定され、長行程ＬＳには第１のコ
イル・セットＳＰ１が設けられている。電流をコイルＳ
Ｐ１に流すと、ＳＰ１は力を発生する。この力によって
長行程ＬＳを浮揚させて、磁気プレートＭＰに沿って移
動させることができる。基板テーブルＷＴは、第２のコ
イルＳＰ２と磁石ＭＳとを備えるローレンツ駆動装置に
よって、長行程ＬＳに対して移動する。電流を第２のコ
イルＳＰ２に流すと、長行程ＬＳと磁石ＭＳ（基板テー
ブルＷＴに設けられている）との間に力が発生して、基
板テーブルＷＴを微細に位置決めすることができる。基
板テーブルＷＴは、長行程ＬＳに対して、６自由度
（Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｒｚ、Ｒｙ、およびＲｘ）まで移動させ
ることができる。
【００２５】図示の装置は、２つの異なるモードで使用
することができる。１．ステップ・モードでは、マスク
・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マス
ク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目
標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分Ｃがビー
ムＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよ
び／またはｙ方向に移動される。２．走査モードでは、
基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目
標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露出されないことが異
なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向
（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで
移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像
全体を走査することができるようになる。これと並行し
て、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じまたは
反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの
拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４または１／５）。こ
のようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大き
な目標部分Ｃを露出させることができる。
することができる。１．ステップ・モードでは、マスク
・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マス
ク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目
標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分Ｃがビー
ムＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよ
び／またはｙ方向に移動される。２．走査モードでは、
基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目
標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露出されないことが異
なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向
（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで
移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像
全体を走査することができるようになる。これと並行し
て、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝Ｍｖで、同じまたは
反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの
拡大率である（一般に、Ｍ＝１／４または１／５）。こ
のようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大き
な目標部分Ｃを露出させることができる。
【００２６】図２ａに、本発明の好ましい実施形態によ
る駆動装置の断面を示す。図３に、同じ駆動装置を斜視
図で示す。使用時に、駆動装置は第１の方向（またはそ
の反対）に力を発生させる。この力を用いて短行程ドラ
イブ・モジュール（第２部分）を駆動して、マスク・テ
ーブルＭＴまたは基板テーブルＷＴを位置決めすること
ができる。図２ａでは、この第１の方向は図の面内の水
平方向である。駆動装置は、第１磁石サブ・アセンブリ
１、第２磁石サブ・アセンブリ１１（図１のＭＳ）、お
よびコイル２１（図１のＳＰ２）を備える。第１および
第２の磁石サブ・アセンブリ１、１１によって、それら
の間のスペース（第１の方向に垂直な第２の方向にあ
る）が規定される。このスペースにコイル２１が配置さ
れる。
る駆動装置の断面を示す。図３に、同じ駆動装置を斜視
図で示す。使用時に、駆動装置は第１の方向（またはそ
の反対）に力を発生させる。この力を用いて短行程ドラ
イブ・モジュール（第２部分）を駆動して、マスク・テ
ーブルＭＴまたは基板テーブルＷＴを位置決めすること
ができる。図２ａでは、この第１の方向は図の面内の水
平方向である。駆動装置は、第１磁石サブ・アセンブリ
１、第２磁石サブ・アセンブリ１１（図１のＭＳ）、お
よびコイル２１（図１のＳＰ２）を備える。第１および
第２の磁石サブ・アセンブリ１、１１によって、それら
の間のスペース（第１の方向に垂直な第２の方向にあ
る）が規定される。このスペースにコイル２１が配置さ
れる。
【００２７】第１および第２の磁石サブ・アセンブリ
１、１１の組み合わせによって、磁石アセンブリ（基板
テーブルＷＴまたはマスク・テーブルＭＴ上に配置さ
れ、駆動装置によって駆動される）が形成される。コイ
ル２１は、長行程モジュール（図示せず）に配置される
か、または（前述したように）長行程モジュールがない
ウェハ・ステッパ装置のマスク・テーブルＭＴの場合に
は、装置の固定部分に配置される。
１、１１の組み合わせによって、磁石アセンブリ（基板
テーブルＷＴまたはマスク・テーブルＭＴ上に配置さ
れ、駆動装置によって駆動される）が形成される。コイ
ル２１は、長行程モジュール（図示せず）に配置される
か、または（前述したように）長行程モジュールがない
ウェハ・ステッパ装置のマスク・テーブルＭＴの場合に
は、装置の固定部分に配置される。
【００２８】代替的に、磁石アセンブリを長行程モジュ
ール上に配置して、コイルを基板テーブルまたはマスク
・テーブル上に配置しても良いが、本構成が好ましい。
その理由は、コイルへの電力および冷却の付与が容易に
なるからである。
ール上に配置して、コイルを基板テーブルまたはマスク
・テーブル上に配置しても良いが、本構成が好ましい。
その理由は、コイルへの電力および冷却の付与が容易に
なるからである。
【００２９】第１磁石サブ・アセンブリ１は、第１メイ
ン磁石２、第２メイン磁石７、第１補助磁石５、第２補
助磁石４、および第３補助磁石３からなる。第２磁石ア
センブリ１１は、対応して、第１メイン磁石１２、第２
メイン磁石１７、第１補助磁石１５、第２補助磁石１
４、および第３補助磁石１３からなる。好ましい配置に
おいては、メイン磁石は永久磁石であってＮｉコーテッ
ド・ヴァコジム（Ｖａｃｏｄｙｍ）７２２Ｒ（残留磁気
Ｂr＝１．４７テスラ（Ｔ））からなり、補助磁石はＮ
ｉコーテッド・ヴァコジム３６２ＴＰ（残留磁気Ｂｒ＝
１．３０テスラ（Ｔ）、高保持力強度を有する）からな
る（たとえばＶａｃｕｕｍｓｃｈｍｅｌｚｅ 有限責任
会社で製造される）。
ン磁石２、第２メイン磁石７、第１補助磁石５、第２補
助磁石４、および第３補助磁石３からなる。第２磁石ア
センブリ１１は、対応して、第１メイン磁石１２、第２
メイン磁石１７、第１補助磁石１５、第２補助磁石１
４、および第３補助磁石１３からなる。好ましい配置に
おいては、メイン磁石は永久磁石であってＮｉコーテッ
ド・ヴァコジム（Ｖａｃｏｄｙｍ）７２２Ｒ（残留磁気
Ｂr＝１．４７テスラ（Ｔ））からなり、補助磁石はＮ
ｉコーテッド・ヴァコジム３６２ＴＰ（残留磁気Ｂｒ＝
１．３０テスラ（Ｔ）、高保持力強度を有する）からな
る（たとえばＶａｃｕｕｍｓｃｈｍｅｌｚｅ 有限責任
会社で製造される）。
【００３０】各磁石サブ・アセンブリの配置は、要素磁
石が上で定義した第１の方向において互いに隣接するよ
うに行う。この配置において、補助磁石は各メイン磁石
の両側に配置される。たとえば、第１磁石サブ・アセン
ブリ１の第１メイン磁石２は、第１磁石アセンブリの第
１補助磁石５と第３補助磁石４との間に配置される。同
様に、第１磁石サブ・アセンブリ１の第２メイン磁石７
は、第２補助磁石４と第３補助磁石３との間に配置され
る。第２磁石サブ・アセンブリも同様に配置して、完全
な磁石アセンブリにおいて２つのサブ・アセンブリ１、
１１の対応する磁石が互いに面するようにする。
石が上で定義した第１の方向において互いに隣接するよ
うに行う。この配置において、補助磁石は各メイン磁石
の両側に配置される。たとえば、第１磁石サブ・アセン
ブリ１の第１メイン磁石２は、第１磁石アセンブリの第
１補助磁石５と第３補助磁石４との間に配置される。同
様に、第１磁石サブ・アセンブリ１の第２メイン磁石７
は、第２補助磁石４と第３補助磁石３との間に配置され
る。第２磁石サブ・アセンブリも同様に配置して、完全
な磁石アセンブリにおいて２つのサブ・アセンブリ１、
１１の対応する磁石が互いに面するようにする。
【００３１】各磁石サブ・アセンブリは、バック・アイ
アン６、１６をそれぞれ備える。各サブ・アセンブリに
おいて、バック・アイアンは、磁石サブ・アセンブリ間
に規定されたスペースに対して磁石の反対側に配置され
る。バック・アイアンは、サブ・アセンブリの各メイン
磁石および各補助磁石に隣接し、好ましくは磁石表面を
完全に覆っている。またバック・アイアンは好ましく
は、磁石サブ・アセンブリ間のスペースから離れる方向
に、少なくとも部分的にテーパになっている。バック・
アイアンは好ましくは、ＣｏＦｅで形成されている。
アン６、１６をそれぞれ備える。各サブ・アセンブリに
おいて、バック・アイアンは、磁石サブ・アセンブリ間
に規定されたスペースに対して磁石の反対側に配置され
る。バック・アイアンは、サブ・アセンブリの各メイン
磁石および各補助磁石に隣接し、好ましくは磁石表面を
完全に覆っている。またバック・アイアンは好ましく
は、磁石サブ・アセンブリ間のスペースから離れる方向
に、少なくとも部分的にテーパになっている。バック・
アイアンは好ましくは、ＣｏＦｅで形成されている。
【００３２】コイル２１（図１のＳＰ２）は、図２ａに
しめされるように２つのサイド２１ａと２１ｂを有し、
磁石サブ・アセンブリ１、１１（図１のＭＳ）の間に配
置され、直角環状式巻き線（ｏｒｔｈｏｃｙｃｌｉｃ
ｗｉｎｄｉｎｇｓ）からなる。コイルの配置は、コイル
が第１および第２の磁石サブ・アセンブリ間に配置され
たときに、コイルを構成するワイヤが、上で定義した第
１および第２の両方向に垂直になるように行われる。図
２ａに示すように、ワイヤは図の面に垂直な方向に配置
される。
しめされるように２つのサイド２１ａと２１ｂを有し、
磁石サブ・アセンブリ１、１１（図１のＭＳ）の間に配
置され、直角環状式巻き線（ｏｒｔｈｏｃｙｃｌｉｃ
ｗｉｎｄｉｎｇｓ）からなる。コイルの配置は、コイル
が第１および第２の磁石サブ・アセンブリ間に配置され
たときに、コイルを構成するワイヤが、上で定義した第
１および第２の両方向に垂直になるように行われる。図
２ａに示すように、ワイヤは図の面に垂直な方向に配置
される。
【００３３】第１および第２の磁石サブ・アセンブリ
１、１１の磁石の配置は、第１磁石サブ・アセンブリの
第１メイン磁石２の磁気分極が、第２磁石サブ・アセン
ブリの第１メイン磁石１２の磁気分極と平行で、上で定
義した第１の方向と垂直な方向になるように、すなわち
駆動装置が発生する力の方向と垂直な方向になるように
行われる。第２メイン磁石７、１７の配置は、それらの
磁気分極が互いに平行で、第１メイン磁石２、１２の磁
気分極と反平行になるように行われる。
１、１１の磁石の配置は、第１磁石サブ・アセンブリの
第１メイン磁石２の磁気分極が、第２磁石サブ・アセン
ブリの第１メイン磁石１２の磁気分極と平行で、上で定
義した第１の方向と垂直な方向になるように、すなわち
駆動装置が発生する力の方向と垂直な方向になるように
行われる。第２メイン磁石７、１７の配置は、それらの
磁気分極が互いに平行で、第１メイン磁石２、１２の磁
気分極と反平行になるように行われる。
【００３４】磁石サブ・アセンブリの補助磁石の配置
は、いわゆるハルバック配置で行われる。補助磁石の配
置は、それらの磁気分極がメイン磁石の磁気分極と垂直
になるように行われる。前述したように、各メイン磁石
は、磁石サブ・アセンブリの２つの補助磁石の間に配置
される。これらの補助磁石の組は、それらの磁気分極が
互いに反平行になるように配置される。また第１および
第２の磁石サブ・アセンブリの対応する補助磁石の組
（前述したように、２つの磁石サブ・アセンブリ間の分
離箇所を越えて互いに面する）、たとえば第１磁石サブ
・アセンブリの第１補助磁石５および第２磁石サブ・ア
センブリ第１補助磁石１５も、それらの磁気分極が互い
に反平行になるように配置される。
は、いわゆるハルバック配置で行われる。補助磁石の配
置は、それらの磁気分極がメイン磁石の磁気分極と垂直
になるように行われる。前述したように、各メイン磁石
は、磁石サブ・アセンブリの２つの補助磁石の間に配置
される。これらの補助磁石の組は、それらの磁気分極が
互いに反平行になるように配置される。また第１および
第２の磁石サブ・アセンブリの対応する補助磁石の組
（前述したように、２つの磁石サブ・アセンブリ間の分
離箇所を越えて互いに面する）、たとえば第１磁石サブ
・アセンブリの第１補助磁石５および第２磁石サブ・ア
センブリ第１補助磁石１５も、それらの磁気分極が互い
に反平行になるように配置される。
【００３５】図２ｂに示すように、この配置から結果と
して生じる磁界によって、２組のメイン磁石の間のほぼ
均一な磁界の領域が発生する。コイル２１ａ、２１ｂの
２つのサイドが、この領域内に位置している。電流がコ
イルを流れるとき、コイルの２つのサイドを流れる電流
は反対方向である。したがって、コイル２１ａ、２１ｂ
の２つのサイドが配置される２つの領域での磁界の方向
も反対であるため、コイルの２つのサイドに及ぼされる
力は同じ方向（磁界および電流の両方に垂直）となる。
して生じる磁界によって、２組のメイン磁石の間のほぼ
均一な磁界の領域が発生する。コイル２１ａ、２１ｂの
２つのサイドが、この領域内に位置している。電流がコ
イルを流れるとき、コイルの２つのサイドを流れる電流
は反対方向である。したがって、コイル２１ａ、２１ｂ
の２つのサイドが配置される２つの領域での磁界の方向
も反対であるため、コイルの２つのサイドに及ぼされる
力は同じ方向（磁界および電流の両方に垂直）となる。
【００３６】図４に、本発明の代替的な駆動装置の構成
の断面を示す。この構成は、２つのコイル８１、８２を
備える。したがって磁石サブ・アセンブリ５１、７１の
構造は、図２ａに示したものとは異なっている。各磁石
サブ・アセンブリは、第１メイン磁石５７、７７、第２
メイン磁石５５、７５、第３メイン磁石５３，７３、第
１補助磁石５６、７６、第２補助磁石５４、７４、およ
び前の構成と同様にバック・アイアン５２、７２からな
る。
の断面を示す。この構成は、２つのコイル８１、８２を
備える。したがって磁石サブ・アセンブリ５１、７１の
構造は、図２ａに示したものとは異なっている。各磁石
サブ・アセンブリは、第１メイン磁石５７、７７、第２
メイン磁石５５、７５、第３メイン磁石５３，７３、第
１補助磁石５６、７６、第２補助磁石５４、７４、およ
び前の構成と同様にバック・アイアン５２、７２からな
る。
【００３７】メイン磁石の配置は、第１磁石サブ・アセ
ンブリの第１メイン磁石５７の磁気分極が、第２磁石サ
ブ・アセンブリの第１メイン磁石７７の磁気分極と平行
になり、第１磁石サブ・アセンブリの第２メイン磁石５
５の磁気分極が第２磁石サブ・アセンブリ第２メイン磁
石７５の磁気分極と平行になり、第１磁石サブ・アセン
ブリの第３メイン磁石５３の磁気分極が第２磁石サブ・
アセンブリの第３メイン磁石７３の磁気分極と平行にな
るように行う。図２ａの構成と場合と同様に、全てのメ
イン磁石の配置は、それらの磁気分極が、駆動装置が発
生させる力の方向と垂直になるように行う。加えて、第
１メイン磁石５７、７７および第３メイン磁石５３、７
３の配置は、それらの磁気分極が、第２メイン磁石５
５、７５の磁気分極と反平行になるように行う。
ンブリの第１メイン磁石５７の磁気分極が、第２磁石サ
ブ・アセンブリの第１メイン磁石７７の磁気分極と平行
になり、第１磁石サブ・アセンブリの第２メイン磁石５
５の磁気分極が第２磁石サブ・アセンブリ第２メイン磁
石７５の磁気分極と平行になり、第１磁石サブ・アセン
ブリの第３メイン磁石５３の磁気分極が第２磁石サブ・
アセンブリの第３メイン磁石７３の磁気分極と平行にな
るように行う。図２ａの構成と場合と同様に、全てのメ
イン磁石の配置は、それらの磁気分極が、駆動装置が発
生させる力の方向と垂直になるように行う。加えて、第
１メイン磁石５７、７７および第３メイン磁石５３、７
３の配置は、それらの磁気分極が、第２メイン磁石５
５、７５の磁気分極と反平行になるように行う。
【００３８】第１補助磁石５６、７６は、第１メイン磁
石５７、７７と第２メイン磁石５５、７５との間に配置
される。第２補助磁石５４、７４は、第２メイン磁石５
５、７５と第３メイン磁石５３、７３との間に配置され
る。その結果、第２メイン磁石は、各磁石サブ・アセン
ブリの補助磁石の間に配置される。
石５７、７７と第２メイン磁石５５、７５との間に配置
される。第２補助磁石５４、７４は、第２メイン磁石５
５、７５と第３メイン磁石５３、７３との間に配置され
る。その結果、第２メイン磁石は、各磁石サブ・アセン
ブリの補助磁石の間に配置される。
【００３９】第１磁石サブ・アセンブリ５１の補助磁石
の配置は、それらの磁気分極が、互いに反平行で、第２
メイン磁石５５の磁気分極と垂直になるように行われ
る。第２磁石サブ・アセンブリの補助磁石も、対応する
仕方で配置して、第１磁石サブ・アセンブリ５１の第１
補助磁石５６の磁気分極が第２磁石サブ・アセンブリ７
１の第１補助磁石７６の磁気分極と反平行になり、第１
磁石サブ・アセンブリ５１の第２補助磁石５４の磁気分
極が第２磁石サブ・アセンブリ７１の第２補助磁石７４
の磁気分極と反平行になるようにする。結果として生じ
る２つの磁石サブ・アセンブリのメイン磁石の間の磁界
は、ほぼ均一となる。
の配置は、それらの磁気分極が、互いに反平行で、第２
メイン磁石５５の磁気分極と垂直になるように行われ
る。第２磁石サブ・アセンブリの補助磁石も、対応する
仕方で配置して、第１磁石サブ・アセンブリ５１の第１
補助磁石５６の磁気分極が第２磁石サブ・アセンブリ７
１の第１補助磁石７６の磁気分極と反平行になり、第１
磁石サブ・アセンブリ５１の第２補助磁石５４の磁気分
極が第２磁石サブ・アセンブリ７１の第２補助磁石７４
の磁気分極と反平行になるようにする。結果として生じ
る２つの磁石サブ・アセンブリのメイン磁石の間の磁界
は、ほぼ均一となる。
【００４０】コイルの配置は、第１コイル８１の第１部
分８１ａが第３メイン磁石５３、７３の間に位置し、第
１コイル８１の第２部分８１ｂと第２コイル８２の第１
部分８２ａとが第２磁石５５、７５の間に位置し、第２
コイル８２の第２部分８２ｂが第３メイン磁石５７、７
７の間に位置するように行う。電流がコイル８１、８２
を流れるときに、第１コイル８１の第２部分８１ｂと第
２コイル８２の第１部分８２ａとを流れる電流の方向
は、互いに平行であり、第１コイル８１の第１部分８１
ａと第２コイル８２の第２部分８２ｂとを流れる電流の
方向とは反平行である。第２メイン磁石５５、７５間の
磁界の方向は、第１メイン磁石５７、７７間の磁界の方
向および第２メイン磁石５３、７３間の磁界の方向と反
対であるため、コイルの各部分８１ａ、８１ｂ、８２
ａ、８２ｂに発生する力（電流および磁界の両方の方向
に垂直な方向）は同じ方向である。
分８１ａが第３メイン磁石５３、７３の間に位置し、第
１コイル８１の第２部分８１ｂと第２コイル８２の第１
部分８２ａとが第２磁石５５、７５の間に位置し、第２
コイル８２の第２部分８２ｂが第３メイン磁石５７、７
７の間に位置するように行う。電流がコイル８１、８２
を流れるときに、第１コイル８１の第２部分８１ｂと第
２コイル８２の第１部分８２ａとを流れる電流の方向
は、互いに平行であり、第１コイル８１の第１部分８１
ａと第２コイル８２の第２部分８２ｂとを流れる電流の
方向とは反平行である。第２メイン磁石５５、７５間の
磁界の方向は、第１メイン磁石５７、７７間の磁界の方
向および第２メイン磁石５３、７３間の磁界の方向と反
対であるため、コイルの各部分８１ａ、８１ｂ、８２
ａ、８２ｂに発生する力（電流および磁界の両方の方向
に垂直な方向）は同じ方向である。
【００４１】本発明の特定の実施形態を上で説明した
が、本発明は、説明と違ったように実施することができ
る。説明は本発明を制限する意図ではない。
が、本発明は、説明と違ったように実施することができ
る。説明は本発明を制限する意図ではない。
【図１】リソグラフィ投影装置を示す図である。
【図２ａ】本発明による駆動装置の構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図２ｂ】図２ａの構成に対して計算された磁界線を示
す図である。
す図である。
【図３】図２ａの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明による代替的な駆動装置の構成を示す断
面図である。
面図である。
ＬＳ 長行程
ＭＳ 磁石
ＭＰ 磁気プレート
ＳＰ１ 第１のコイル
ＳＰ２ 第２のコイル
１、１１、５１、７１ 磁石サブ・アセンブリ
２、７、１２、１７、５３、５５、５７、７３、７５、
７７ メイン磁石 ３、４、５、１３、１４、１５、５４、５６、７４、７
６ 補助磁石 ６、１６、５２、７２ バック・アイアン ２１、２２、８１ａ、８１ｂ、８２ａ、８２ｂ コイル
７７ メイン磁石 ３、４、５、１３、１４、１５、５４、５６、７４、７
６ 補助磁石 ６、１６、５２、７２ バック・アイアン ２１、２２、８１ａ、８１ｂ、８２ａ、８２ｂ コイル
フロントページの続き
(72)発明者 ヤン ヴァン エイユク
オランダ国 エイントホーフェン、ボエル
ハーヴェラーン 33
(72)発明者 アンゲロ セザール ペテル デ クレル
ク
オランダ国 エッテン − レウル、ヴォ
ルステンドム ８
(72)発明者 ハルメン、クラース ヴァン デル ショ
ート
オランダ国 ビュット、クレイン ブラバ
ント 20
Ｆターム(参考） 5F046 BA05 CC01 CC02 CC19
5H641 BB06 BB18 GG03 GG05 GG07
HH02 HH05 HH06 HH14 HH17
Claims (15)
- 【請求項１】 リソグラフィ投影装置であって、 放射の投影ビームを供給するための放射システムと、 所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン形成
するように使用されるパターン形成手段を支持するため
の支持構造と、 基板を保持するための基板テーブルと、 前記パターン形成されたビームを前記基板の目標部分に
投影するための投影システムと、 モータの第１部分と装置の機械フレームとの間に少なく
とも１つの方向の長距離運動に渡る力を発生させるため
の長行程モータと、モータの前記第１部分と第２部分と
の間に少なくとも１つの方向の短距離運動に渡る力を発
生させ、前記第２部分は支持構造または基板テーブルに
接続されるローレンツ駆動装置とを備えるモータとを備
え、ローレンツ駆動装置は、 モータの前記第１および第２の部分の一方に取り付けら
れ、前記力の方向に実質的に垂直な第１磁界を発生させ
るメイン磁石システムと、 モータの前記一方の部分の他方に取り付けられる導電性
要素であって、前記導電性要素を流れる電流と第１磁界
との相互作用によって前記力を発生させるように配置さ
れる導電性要素と、 モータの前記一方の部分に取り付けられて、ハルバック
配置で配置され、第１磁界に実質的に垂直な第２磁界を
発生させる補助磁石システムとを備えるリソグラフィ投
影装置。 - 【請求項２】 前記補助磁石システムが２つの補助磁石
を備え、前記メイン磁石システムがメイン磁石を備え、
メイン磁石の少なくとも一部が前記２つの補助磁石の間
に配置され、補助磁石の磁気分極が、実質的に互いに反
平行となりかつメイン磁石の磁気分極に実質的に垂直と
なるように配置される請求項１に記載のリソグラフィ投
影装置。 - 【請求項３】 前記メイン磁石システムが第１および第
２のメイン磁石システム・サブ・アセンブリからなり、
前記補助磁石システムが第１および第２の補助磁石シス
テム・サブ・アセンブリからなり、前記導電性要素の少
なくとも一部分が、前記第１の磁石システム・サブ・ア
センブリからなる第１磁石アセンブリと、前記第２の磁
石システム・サブ・アセンブリからなる第２磁石アセン
ブリとの間に配置される請求項１または請求項２に記載
のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項４】 前記導電性要素の前記部分は、この部分
を流れる電流の方向がモータの２つの部分間の力の方向
と実質的に垂直となるように配置される請求項３に記載
のリソグラフィ投影装置 - 【請求項５】 前記メイン磁石システムは少なくとも１
つの磁石を備え、この磁石は、その磁気分極が、装置の
２つの部分間の力の方向と実質的に垂直となりかつ導電
性要素の前記部分を流れる電流の方向と実質的に垂直と
なるように配置される請求項３または請求項４に記載の
リソグラフィ投影装置。 - 【請求項６】 前記メイン磁石システム・サブ・アセン
ブリはそれぞれ第１および第２のメイン磁石を備え、第
１および第２のメイン磁石は、その磁気分極が実質的に
互いに反平行となるように配置される請求項３から請求
項５までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装
置。 - 【請求項７】 前記補助磁石サブ・アセンブリはそれぞ
れ、第１、第２、および第３の補助磁石を備え、前記補
助磁石アセンブリはそれぞれ、以下となるように配置さ
れる請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。前記第１
メイン磁石の少なくとも一部が第１および第２の補助磁
石の間に配置され、 前記第２メイン磁石の少なくとも一部が第２および第３
の補助磁石の間に配置され、 前記第１および第２の補助磁石は、それらの磁気分極
が、実質的に互いに反平行となりかつ第１メイン磁石の
磁気分極と実質的に垂直となるように配置され、 前記第２および第３の補助磁石は、それらの磁気分極
が、実質的に互いに反平行となりかつ第２メイン磁石の
磁気分極と実質的に垂直となるように配置される。 - 【請求項８】 導電性要素は、 第１および第２のメイン磁石システム・サブ・アセンブ
リの第１メイン磁石の間に配置される第１部分と、 第１および第２のメイン磁石システム・サブ・アセンブ
リの第２メイン磁石の間に配置される第２部分とを備
え、 導電性要素は、電流を流したときに、第１および第２の
部分の電流の方向が実質的に互いに反平行となるように
配置される請求項６または請求項７に記載のリソグラフ
ィ投影装置。 - 【請求項９】 前記メイン磁石サブ・アセンブリはそれ
ぞれ、第１、第２、および第３のメイン磁石を備え、こ
れらのメイン磁石は、前記第２メイン磁石の少なくとも
一部が前記第１および第３のメイン磁石間に位置するよ
うに配置され、前記メイン磁石は、前記第２メイン磁石
の磁気分極が、第１および第３のメイン磁石の磁気分極
と実質的に反平行となるように配置される請求項３から
請求項５までのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影
装置。 - 【請求項１０】 前記補助磁石サブ・アセンブリはそれ
ぞれ、第１および第２の補助磁石を備え、前記補助磁石
アセンブリはそれぞれ、以下となるように配置される請
求項９に記載のリソグラフィ投影装置。前記第２メイン
磁石の少なくとも一部が第１および第２の補助磁石の間
に位置し、 前記第１および第２の補助磁石は、それらの磁気分極
が、実質的に互いに反平行となりかつ第２メイン磁石の
磁気分極と実質的に反平行となるように配置される。 - 【請求項１１】 導電性要素は、 第１および第２のメイン磁石システム・サブ・アセンブ
リの第１メイン磁石の間に配置される第１部分と、 第１および第２のメイン磁石システム・サブ・アセンブ
リの第２メイン磁石の間に配置される第２および第３の
部分と、 第１および第２のメイン磁石システム・サブ・アセンブ
リの第３メイン磁石の間に配置される第４部分とを備
え、 導電性要素は、電流を流したときに、第１および第４の
部分の電流の方向が、実質的に互いに平行となりかつ導
電性要素の第２および第３の部分の電流の方向と実質的
に反平行となるように配置される請求項９または請求項
１０に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１２】 導電性要素がモータの第１部分に接続
され、メイン磁石システムおよび補助磁石システムがモ
ータの第２部分に接続される請求項１から請求項１１ま
でのいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１３】 前記短距離運動が、メイン磁石システ
ムおよび補助磁石システムの総サイズの約１０パーセン
トである請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。 - 【請求項１４】 短距離運動が約１ｃｍであり、長距離
運動が３０ｃｍを上回る請求項１に記載のリソグラフィ
投影装置。 - 【請求項１５】 リソグラフィ投影装置で用いるモータ
であって、モータの第１部分とリソグラフィ投影装置の
機械フレームとの間に少なくとも１つの方向の長距離運
動に渡る力を発生させるための長行程モータと、モータ
の前記第１部分と第２部分との間に少なくとも１つの方
向の短距離運動に渡る力を発生させるためのローレンツ
駆動装置とを備え、ローレンツ駆動装置は、 モータの前記第１および第２の部分の一方に取り付けら
れ、前記力の方向に実質的に垂直な第１磁界を発生させ
るメイン磁石システムと、 モータの前記部分の他方に取り付けられる導電性要素で
あって、前記導電性要素を流れる電流と第１磁界との相
互作用によって前記力を発生させるように配置される導
電性要素と、 モータの前記一方の部分に取り付けられて、ハルバック
配置で配置され、第１磁界に実質的に垂直な第２磁界を
発生させる補助磁石システムとを備えるモータ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP01307127.9 | 2001-08-22 | ||
| EP01307127 | 2001-08-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003158865A true JP2003158865A (ja) | 2003-05-30 |
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Family
ID=8182209
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002237732A Expired - Fee Related JP3749882B2 (ja) | 2001-08-22 | 2002-08-19 | リソグラフィ装置および前記装置で用いるモータ |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6717296B2 (ja) |
| JP (1) | JP3749882B2 (ja) |
| KR (1) | KR100548714B1 (ja) |
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