TWI254976B - Lithographic projection apparatus and semiconductor device manufacturing method thereof - Google Patents

Lithographic projection apparatus and semiconductor device manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
TWI254976B
TWI254976B TW092106776A TW92106776A TWI254976B TW I254976 B TWI254976 B TW I254976B TW 092106776 A TW092106776 A TW 092106776A TW 92106776 A TW92106776 A TW 92106776A TW I254976 B TWI254976 B TW I254976B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
opening
lithographic apparatus
rotating member
radiation
rotating
Prior art date
Application number
TW092106776A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200402086A (en
Inventor
Levinus Pieter Bakker
Jeroen Jonkers
Dijsseldonk Antonius Johan Van
Marcel Mathijs Theodo Dierichs
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200402086A publication Critical patent/TW200402086A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI254976B publication Critical patent/TWI254976B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
    • G21K1/04—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
    • G21K1/04—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers
    • G21K1/043—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers changing time structure of beams by mechanical means, e.g. choppers, spinning filter wheels
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

1254976 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光刻設備，包含： 一輻射系統，用於供應輻射之脈衝投影光束； 、一支撐結構，用於支撐圖案化構件，該圖案化構件係用於 按照所要之圖案來圖案化該投影光束； 一基板台，用於支承一基板；及 一投影系統，用於將該圖樣化光束投影在該基板的—目 部位上。 Γ、 【先前技術】 本又中知用的用詞「圖案化構件」應被廣泛解譯為表示可 用來使一傳入輻射光束具有一圖樣化橫斷面（其相當於要形 成在該基板之目標部位中的圖樣）的構件。一般而言，該圖 樣對應於要在該目標部位中形成之一裝置的特定功能層，如 積體電路或其他裝置（請參考下文）。此類圖案化構件的實例 包括： 光罩光罩觀念疋光刻微影技術所熟知，並且包括如 一進位、X替相移、衰減相移之類的光罩類型，以及各種混 合光罩類型。將光罩放置在輻射光束中會導致按照光罩上的 圖樣，選擇性透射（假使是透射光罩）或反射（假使是反射光罩） 照射在光罩上的輻射。就光罩而言，該支撐結構通常是一光 罩口，用於確保可將光罩固持在傳入輻射光束中所期望位 置，並且如有需要，可相對於光束來移動光罩。 _可程式規劃鏡射陣列。此一裝置的實例是一可定址矩 84526-931015.doc 1254976 陣表面，其具有兼具黏著性與伸縮性的控制層及反射表面。 支持此光刻设備的基本原理為（例如）反射表面的定址區域將 入射輪射反射為偏斜輪射，而非定址區域將入射輕射反射為 非偏斜輻射。使用適合的濾光板，可濾除該反射光束的該非 偏斜1射，而只留下該偏斜輕射；在此方式中，會按照該可 疋址矩陣表面的定址圖樣將該光束圖樣化。可使用適合的電 子裝置執行必要的矩陣定址。如需此類鏡射陣列的詳細資 訊，請參閱（例如）US_A 5,296,891&US_A 5,523，193，這些 又獻以引用方式併入本文中。就可程式規劃鏡射陣列而言， 孩支撐結構可被具體化為工作架或工作台，視需要工作架或 工作台可能是固定式或可移動式。 可程式規劃LCD陣列。US_A 5,229,872中說明此類建構 的實例’該份文獻以引用方式併入本文中。如上文所述，在 此情況下，該支撐結構可被具體化為工作架或工作台，視需 要工作架或工作台可能是固定式或可移動式。 基於簡化目的，在特定位置上’本内文的其餘部份明確針 對涉及光罩及光罩台的實例；但是，此類事例中討論的一般 原理應被視為前文提出之圖案化構件的廣泛上下文。 例如，在製造積體電路（IC)過程中可使用光刻設備。在此 情況下，圖案化構件可產生相對應於1(：各層的電路圖樣。這 個電路圖樣可成像在已塗佈雷射感應材料（光阻）之基板（石夕 晶圓）上的目標部位上（例如，包含一個或—個以上晶粒）。一 般而言，單-晶圓將包含經由投影系統連續照射之鄰接目標 部位的整個網狀物，-次照射-個目標部位。在採用藉由光 84526-931015.doc 1254976 罩台上之光罩圖樣化的現行設備中，可區別兩種不同類型的 機器。在一種光刻設備中，照射每個目標部位的方式為，將 整個光罩圖樣一次曝光於目標邵位；此類設備通常稱為晶圓 步進機（stepper)。在另一種光刻設備中-通常稱步進掃描 (step-and-scan)設備-照射每個目標部位的方式為，以漸進方 式在投影光束下以給定參考方向（r掃描」方向）掃描光罩圖 樣，同時以同步方式往平行於或反平行於該參考方向掃描基 板台。一般而言，由於投影系統具有放大因數“（通常< 1)，所以掃描基板台的速度v是掃描光罩台之速度的因數m 倍。如需本文中討論之光刻裝置的詳細資訊，請參閱（例 如）US-A 6,046,792，這份文獻以引用方式併入本文中。 在使用光刻設備的製造程序中，圖樣（例如，在光罩中的 圖樣）被成像在至少部份被雷射感應材料（光阻）覆蓋的基板 上。在㈣成像步驟之前，基板可經過各種程序處理，如印 刷光阻塗你及軟烤（s〇ft bake)。曝光之後，基板可能會經 =其他程序處理，如後曝光後烘烤（㈣卜叫嶋以b叫、顯 更、考（hardbake)及成像圖案量測/檢查。 作圖案化構件（例如，j ^序筱田 會經過久種m 礎。接著，此_樣化層 口王处理，如蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬化、 工。如果 ^寺’所有都預定對各層進行最後加 ^，則針對每層新層必須重複整個&傲 化。最終，一系列壯w a 、里知正個私序或.交 、 置會出現在基板（晶圓）上。接著，夢甴 如切割之類的技術將 奸 口）接耆精由 黏著在載體上、-合二:衣^目分隔，因此可將個別裝置 土要針等等。如需製程的詳細資訊，請 84526-931015.doc A37264 84526 003881250 1254976 參閱（例如）McGraw Hill Publishing Co.之 1997 年 ISBN · 0-07-067250-4 由 Peter van Zant 著作的「Microchip ‘
Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing」 第三版，這份文獻以引用方式併入本文中。 基於簡化目的，下文中會將「投影系統」稱為「透鏡」； 然而’用詞「投影系統」應被廣泛解譯為包括各種投影系統， 例如，包括折射光學、反射光學及反射折射（Catadi〇ptric)。 輕射系統還可包含按照這些設計類型之任一種操作的組 件’用於導向、成形或控制輻射的投影光束。另外，光刻設 _ 備可能屬於具有兩個或兩個以上基板台（及/或兩個或兩個 以上光罩台）的類型。在能夠以平行或預備步驟使用額外工 作台的此類「多階」裝置中，可在一個或一個以上工作台上 執行步驟，同時使用一個或一個以上其他工作台進行曝光。 例如，118-八5,969,441及貿〇98/40791中說明雙座光刻設備， 這兩份文獻以引用方式併入本文中。 傳統光刻設備之效能（特別是利用EUV輻射的光刻設備）會 因為輻射光束之強度損失而受m艮制。料損《導致光束〗 · 度足、王面抽失，引起增加之曝光時間，因此降低總處理能 ^ ’光束強度上之局部損失導致投影在基板上之影像均勻性 抽失此一效應在利用EUV輻射之光刻設備特別嚴重，因 ㈣輕射被多數材料吸收。因此，光束之路徑在 、、 此損失，則甚為理想。 ，、 乂防 【發明内容】 本1月之目的為減少光刻設備中之光束強度損失之原因。 84526-931015.doc a37264 84526 00388i25〇 -9- I254976 此等目的可由【發明所屬之技術領域】提出之根據本發明 之光刻設備達成，其特徵為該光刻設備進一步包含： 一障壁，用以防止氣體及/或顆粒自該光刻設備之第一部 分流至第二部分，該障壁包括一受控孔隙； —控制器，用以操作該受控孔隙，藉此以同步於該脈衝光 束方式來以開啟或閉合受控孔隙，以使該等輕射光束之一的 脈衝通過該障壁。 例如，如果該光刻設備之第一部分中存在之氣體吸收被用 <輻射，但輻射必須被透射通過該光刻設備之第二部，則利 用孩受控孔隙就是有利的做法。在該光刻設備之第一部分與 弟二部分間流通之氣體被限制僅在輻射之脈衝期間才會流 動，以此方式大幅降低氣體流動。藉由減少氣體流向該光刻 设備之第二部，促使較少之輻射被吸收。此種該光刻設備還 有一項優點為’因為任何由輻射脈衝引起之灰塵或污染物將 在受控孔隙閉合後到達孔隙（因灰塵較輻射之光子為慢）。因 此，文控孔隙亦可提供一防灰塵的有效障壁。 孩受控孔隙較佳由固定式構件組成，該固定式構件可與該 P早壁一體成型或連接至該障壁，並備有一對齊於輻射光束之 開口 3文控孔隙進一步包含一旋轉構件，其位於鄰近該固 走弋構件之處，泫旋轉構件備有一或多個開口，當該旋轉構 件万疋軲時居旋轉構件中之開口會週期性對齊於該固定式構 件中又開口。這項做法週期性提供一穿過該障壁之開口，該 開I在其他時間為閉合以防止氣體流過障壁。此一組態甚為 俊兴因其貫施簡單，並可用於高循環率且在某一情況下可 84526-931015.doc A37264 84526 003881250 -10- 1254976 予以調整來配合既定狀況，例如，調整旋轉構件之旋轉速度 及調整開口之大小。 此實施例可較佳包含一第二固定式構件，其安排成使該旋 轉構件位於該第一固定式構件與該第二固定式構件之間。該 第二固定式構件亦備有一對齊於輻射光束之開口。該額外固 定式構件甚為優異，因其可在孔隙閉合時減少該旋轉構件四 周氣體之洩漏。 受控孔隙可進一步有一第二旋轉構件，亦位於該等二兩固 定式構件之間。該第二旋轉構件亦有一或多個開口，開口被 安排成在開口第二旋轉構件旋轉時，該第二旋轉構件中之開 口會週期性對齊於該等固定式構件之開口。因通過受控孔隙 之開口被開啟，可使輻射光束通過障壁輻射，所以在該第一 旋轉構件與該第二旋轉構件中之一開口必須對齊於該固定 式構件中之開口。此一組態甚為優異，因其可改進受控孔隙 之控制。例如，該第一旋轉構件與該第二旋轉構件可被組態 成使其以相反方向旋轉。此時，會在作業循環之較短比例期 間，局部開啟通過該受控孔隙之開口。這項做法亦可減少流 過該光刻設備之第一部分與第二部分間之氣體量。 此外，在該第一旋轉構件與該第二旋轉構件之間可提供一 空間。在一較佳實施例中，可用緩衝氣體來填充此空間。該 緩衝氣體可進一步減少氣體自該光刻設備之第一部分流至 該光刻設備之第二部分的流量。此點特別優異，如自該光刻 設備之第一部分流至第二部分之氣體對該光刻設備之第二 部分之效能有害。該緩衝氣體必須選擇為對該光刻設備之第 84526-931015.doc -11 - A37264 84526 003881250 1254976 一部分之為害低於對第二部分效能之為害的氣體。可經常或 週期性更新該緩衝氣體。 可以藉由提供一管子來縮小該等旋轉構件間之空間，且據 此而減少所需的緩衝氣體量，該管子自圍繞該第一旋轉構件 上開口之邊緣延伸至圍繞該第二旋轉構件上開口之邊緣。這 項做法甚為必須，例如，如果所需之緩衝氣體為高價，及其 在空間之更新率甚高時。 在另一替代方案中，可由另一固定式構件來填充該等二個 旋轉構件間之空間，該另一固定式構件有一對齊於輻射光束 之開口。當該受控孔隙閉合時，其可減少圍繞旋轉構件四周 之氣體流。其進一步減少氣體流至該光刻設備之第二部，因 為該緩衝氣體僅在需要時才會進入。 在一替代實施例中，該受控孔隙可由固定式構件組成，該 固定式構件可與障壁為一體或連接至障壁，並備有一對齊於 輻射光束之開口。該受控孔隙進一步包含一旋轉構件，其位 於鄰近該固定式構件之處，該旋轉構件備有一或多個開口， 當該旋轉構件旋轉時，該旋轉構件中之開口會週期性對齊於 該固定式構件中之開口。這項做法週期性提供一穿過該障壁 之開口，該開口在其他時間為閉合以防止氣體流過障壁。備 有一管子，該管子自圍繞固定式構件中開口之四周邊緣延 伸。該管子界定一開啟進入該光刻設備之第二部的空間。空 間中包含緩衝氣體，當旋轉構件之開口對齊於一緩衝氣體入 口時，就會從該缓衝氣體入口提供該緩衝氣體入口。此實施 例甚為優異，因為其簡單並容易同步於脈衝光束，而且還藉 84526-931015.doc -12- A37264 84526 003881250 1254976 由緩衝氣體來降低氣體流入該光刻設備之第二部之衝擊。 · 在本發明較佳實施例中，輻射系統包含一輻射源，其備於 、 障壁之第一側及一實際上真空系統備於障壁之另一側。當輻 射源為一 EUV放電源需要壓力為0.1毫巴之氙氣體，此EUV 光束需要輻射通過真空系統以降低光束強度損失。本發明亦 能提供一穿過障壁之開口，以使EUV光束透射至真空系統， 並使流入真空系統之氙氣體最少。 替代方案或額外做法，本發明可用以分隔基板與投影系 統。此時，利用本發明之受控孔隙是有利的做法，因基板上 之輻射脈衝可導致自基板上之光阻排氣。因氣體及任何污染 物（碳氫化物）流入投影系統均不理想，因其將造成降低輻射 光束強度，及污染物亦可能造成損壞投影系統元件。本發明 之受控孔隙可大幅減少氣體流入投影系統。 根據本發明之另一態樣，提供一種裝置製造方法，包含以 下步騾： 提供一基板，該基板至少部份被一雷射感應材料層覆蓋； 使用一輻射系統來提供一輻射投影光束； 使用圖案化構件，使該輻射光束的橫斷面具有一圖樣； 將該圖樣化輻射光束投影在該雷射感應材料層的一目標 部位上。 其特徵為以同步於該脈衝光束方式來開啟與閉合障壁之 一孔隙，以防止氣體自該光刻設備之第一部分流至第二部 分； 該受控孔隙提供一穿過障壁之開口，並且在該脈衝光束之 84526-931015.doc -13 - A37264 84526 003881250 1254976 脈衝期間對齊於一輻射光束，以及實際上防止在該等脈衝之 . 間氣體從該光刻設備之該第一部分流動至該第二部分。 維然本文中具體提出在製造ic過程中使用根據本發明 勺。又備’但是應明確知道本發明設備具有許多其他可能的應 用。例如，在製造整合式光學系統、磁性領域記憶體的引導 和偵測圖樣、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等過程中皆可採用 又備 热知技藝人士應明白，在此類供選擇的應用背景 下’本文中任何使用的用詞「倍縮光罩」（reticle)、「晶圓」 (wafer)或「晶粒」（die)應視為分別可被更泛用的用詞「光 _ 罩」（mask)、「基板」（substrate)或「目標部位」（target p〇rti〇) 取代。 在本文件中，使用的用詞r輻射」（radiati〇n)和「光束」 (beam)涵盖所有類型電磁輻射，包括紫外線輻射（例如， 波長為365、248、193、157或126奈秒）和EUV (極紫 外線輻射，波長範圍為為5至2〇奈秒）。 ^ 【實施方式】
實施例1 圖1緣示根據本發明特定具體實施例之光刻設備的原 圖。該光刻設備包括： 一輕射系統Ex、IL’用於供應—輕射（例如，輕射） 影光束PB,在此特殊情況下’還包含-輻射來源LA; -第-物體工作台(光罩台)Μτ,配備一用於支承光 ΜΑ(例如，倍縮光罩）的光罩支架（maskhQider)，並且連接 第-定位構件PM，用於以相對於（例如）項目pL方式來: 84526-931015.doc A37264 84526 003881250 -14- 1254976 位光罩； 一第二物體工作台（基板台）wt，配備一用於支承基板 W(例如，塗上光阻的矽晶圓）的基板支架（substrate holder)， 並且連接至第二定位構件PW，用於以相對於（例如）項目PL 方式來精確定位基板； 一投影系統（透鏡）PL(例如，鏡組），用於將光罩MA的照射 部位成像在基板W的目標部位C(例如，包含一個或一個以上 晶粒）上。 在本文中，設備屬於反射型（即，具有反射型光罩）。然而， 一般而言，設備也可能屬於透射型（即，具有透射型光罩）。 或者，設備可採用另一種圖案化構件，如屬於上文所述類型 的可程式規劃鏡射陣列。 來源LA(例如，放電或雷射成形電槳來源）產生輻射光束。 這個光束被饋送至照明系統（照明器）IL，例如，穿過條件反 射構件（如光束擴大器（beam expander) Ex)之後。照明器IL 可包含調整構件AM，用於設定光束散發強度的外半徑寬度 或及/或内半徑寬度（通常分別稱為σ-outer和σ-inner)。此外， 照明器IL通常包含各種其他組件，如積分器IN及聚光器 C0。在此方式中，照射在光罩MA上之光束PB的橫斷面具有 所期望的一致性及散發強度。 請注意，圖1所示的來源LA可能在光刻設備外罩内（例如， 如同來源LA水銀燈的常見情況）。來源也可能遠離光刻設 備，來源所產生的輻射光束被導向至設備（例如，在適當的 導向鏡輔助下）。後項案例通常是來源LA是准分子雷射的情 84526-931015.doc -15- A37264 84526 003881250 1254976 況。本發明及申請專利範圍涵蓋這些案例。 接著’光束PB攔截支承在光罩台mt上的光罩MA。經過光 罩MA選擇性反射的光束通過投影系統pL，由投影系統將光 束PB聚焦在基板W的目標部位〇上。在第二定位構件pw(及 干涉計量測構件IF)輔助下，可精確移動基板台WT，例如， 將不同目標部位C定位在光束PB路徑中。同樣地，可使用第 一疋位構件PM以相對於光束PB路徑方式來精確定位光罩 MA，例如，在從光罩庫以機械擷取光罩MA後，或在掃描期 間。一般而j，在向前衝程（al〇ng_str〇ke)模組（路線定位）及 短衝程（short-stroke)模組（微調定位）辅助下就可達成物體台 MT、WT移動，圖1中未明確描繪。然而，就晶圓步進機（相 對於步進掃描設備）而言，光罩台“丁可只連接短衝程致動器 或可能固定。 在兩種不同模式中可使用圖中所示的設備： 1·在步進模式中，光罩台MT實質上維持不動，並且會一 次（即，單一閃光）將整個光罩圖樣投影在目標部位c上。接 著，將基板台界丁往\及/或7方向移位，使不同目標部位〔可 被光束PB照射； 2.在掃描模式中，實質上相同的情況適用，除了不會以 單一「閃光」曝光給定目標部位c外。而是，光罩台Μτ能夠 以速度ν往給定方向移動（所謂「掃描方向」，例如，^方向）， 促使投影光束PB掃描整個光罩影像。同時，以速度v二 將基板台wt往同一方向或反方向移動，其中Μ是投影系統 PL的倍率（通常1/4或1/5)。在此方法中，可曝光相各大 84526-931015.doc -16- 1254976 的目標部位c，而不需要妥協投影系統解析度。 量測構件如圖2所示，該光刻設備係包含在真空系統VC 中。輕射源LA位於第一真空艙9之内，光刻設備之其餘組件 位於第二真空艙10之内。 圖2較詳細代表圖1光刻設備之一部分。輻射源LA典型操 作在氙氣體〇. 1毫巴大氣中，並產生輻射光束。該輻射光束 通過一金屬濾板（foil ti*ap)FT，該金屬濾板FT收集來自輻射 源L A之灰塵及限制氣體自輻射源側流至另一側，其壓力典型 為1(Τ3毫巴。輻射光束隨後橫渡一收集器CT並被光栅光譜濾 光器GF反射至光刻設備之主體内，其操作在10_6毫巴之真空 系統，並包含（例如）照明系統IL、圖案化構件ΜΑ、投影系統 PL及基板W。因此，本發明之受控孔隙必須使輻射之脈衝光 束在光刻設備之各艙間透射，該等艙可能以不同壓力操作， 而能使此等艙間氣體流動最小。視系統需求而定，其可被置 換或增加金屬濾板。如為後者，受控孔隙可位於金屬濾板FT 之前或其後。本發明之受控孔隙可位於光柵光譜濾光器GF 之後之次焦點SF之一點。 此外，亦可在投影系統與基板之間使用本發明之受控孔 隙。由於基板上之光阻被輻射系統選擇性顯影，因而產生大 量氣體。因此，可使用受控孔隙來當做障壁之一部分，以防 止使自基板流至投影系統之氣體或減少至最低量。此點非常 重要，因為在氣體流中可能含有顆粒及/或其他灰塵。 投影光束中之紅外線輻射造成晶圓加熱。據此，希望使投 影光束中紅外線量減少至最低量。大多數此等紅外線係由光 84526-931015.doc -17- A37264 84526 003881250 1254976 刻5又備中熱元件所產生，特別是在源極/集極模組中。熱元 之、工外線輪射之量隨時間為怪定。因此，受控孔隙可 用乂頌著減少紅外線輻射，這是因為當孔隙閉合時受控孔隙 ; 擋、、、工外線輪射。作此用途之党控孔隙之較佳位置為在 中間聚隹，Kfe*、 永…、邊處又光束直徑較小。亦可用於其他位置以減少 J達日曰圓的紅外線輻射。為改進受控孔隙之效能以使透射至 曰曰圓的紅外線輻射減少到最低量，可在受控孔隙之紅外線源 Ί (卩牛低孔隙之熱負載）加上一種紅外線反射塗層及/或於另 側使用低輻射率之塗層（減少來自於受控孔隙之紅外線）。 此外’文控孔隙可利用溫度控制及/或予以冷卻。 不娜又孔隙位於何處，其必須使輻射光束通過而且光束 強度播任何大幅損失，其亦必須限制通過孔隙之氣體，這是 Q為必/員在某側保持低壓力，並且某側之壓力可能影響另一 侧之組件。 通# ’會在輻射源LA之每一脈衝期間定時開啟孔隙。但 孔隙之開啟可能延遲一或多個脈衝，然而障壁之開啟仍然同 步於光束’其光束不會在每一脈衝皆會通過。這項做法可用 於啟動輻射源期間，因最初脈衝之能量位準不穩定。在晶圓 曝光期間必須定期啟動輻射源。 基於簡化目的，下文中將以隔離輻射源la與其他組件為 背景’來遝明本發明之特定受控孔隙敘述。應瞭解，在如上 文所述之任何情況下皆可應用本發明之受控孔隙。 圖3 A繪不本發明適用之受控孔隙的剖面圖，該受控孔隙可 採用’’截光器截光器”（chopper)之形式。截光器可安裝在障壁 84526-931015.doc -18- 1254976 上或與其為一體，兮11立、 第二㈣。截光哭ΓΓ壁係用於隔離光刻設備之第—舱9與 广、九 ‘、由繞軸8旋轉的旋轉板1所組成。旋轉板 位於二固定板3，4 疋和板 一 3。固定板3 , 4可連接至障壁或與其為 固；板;:系用於隔離光刻設備之第-請^ 以有對齊於#射光束7的孔隙5，6。旋轉板β 中之門口5田旋轉板1旋轉時，開口2會週期性對齊於固定板 口 5，：5，’二構件之開口 2對齊於固定板3 ’ 4中開 甘，土 自弟一艙9至第二艙10穿過障壁的開口。 其H，當旋轉構件丨之開口 2對齊於固定板3， 轉構㈣成一介於第一固定板3之開口 5與固定板4之 2 : 6間的障壁。因此在第一艙9與第二艙1。間的障壁中無開 轉備時’ _光束7用來提供輕射脈衝串。旋 ^ 從τ為疋時，俾在輻射脈衝期間使開口2, 5, 6對齊。 因此，輻射光束可自第一艙9通 " 開口被閉合，藉以*…“ 驗1〇。其它時間， 曰5際上防止任何氣體流過開口。 圖3 Α中之旋轉構件1有單一開口 4 η 仁旋軲構件可備有複數 =:Γ降低其旋轉之速度，因其已不再需要繼脈 衝期間芫成一完全旋轉。 截光器防止氣體在第一赠9與第二艙丨。間流動之效 盈決^開口2’ 5，6對齊或部分對齊時間為多長，及容少 ==板1附近流動。圖3Β顯示旋轉板丨之部分放大圖， 系在^板】中之開口2未對齊於固定板Η中之開口Η之 瞬間。氣體在第-舱9與第二舱10間之流速取 84526-931015.doc Α37264 84526 003881250 1254976 固定板3，4間之間隙dl，以及氣體必須繞旋轉板1流動之長 度d2。如果旋轉板與固定板間之間隙dl為最 以及如果圍 繞旋轉板1之流徑d2長度為最大，則圍繞截光器之無用氣體 流將最少。後者可經安排旋轉板丨中開口 2遠離旋轉板之 緣la而達成。開口 2，5，6之對齊可在第一艙9與第二艙⑺間 提供容易之氣體流通路徑，但是由於在截光器工作循環之大 部分時間開口2, 5, 6未被對齊，所以與經常開啟之氣體流 通路徑相比’得以大幅減少氣體流量。 、 圖4A繪示本發明截光器替代組態之一部分。此時，咳等二 個旋轉盤13，14被配置於二個固定板之間（未示出）。當截光 器開啟時（提供穿過用於隔離光刻設備之二艙之障壁的開 口 )，固定板中之開口 (對齊於旋轉光束)必須對齊於第：旋： 盤13及第二旋轉盤14上之開口⑴12。圖4B繪示裝在固定： 15，16上之旋轉盤13，14的剖面圖。 旋轉盤13，14中之開口 u，12不泰古知^^ U不而有相同之半徑rll，rl2。 但開口較佳為自旋轉盤之旋轉中心有一相等距離d。 旋轉盤13，14可彼此連接以保塔並Α π >綠 妖乂侏從其共同旋轉，並保持開口 11，12對齊。或者，旋轉盤亦可安裝 』文衮，俾其可以不同速度旋 轉或以反方向旋轉。這項做法f要極大之準確度，因為該等 二個旋轉盤必須對齊於靜止盤15，丨 以、 i 〇甲又開口，同時必須使 輻射脈衝通過障壁中之開口。俨以斤士 a > ^ 1一以反万向旋轉該盤可優異地 縮短截光器被部分開啟之時間。 旋轉盤13, 14之間有一距離d，因 ^囚1177在其間建立一空間1 8。 此空間較佳以缓衝氣體填充，並可推 .^ t ，、了進一步減少氣體自第一艙 84526-931015.doc -20 - 1254976 經截光職至第二搶。此點甚為重要，因為第—艙之氣體對 第二艙之組件有害。例如，輕射源以中之山气會吸收爾輕 射。因此，使光刻設備之其餘部分中氤之量為最小甚為重 要。緩衝氣體係選自對光刻設備之其餘組件影響甚低者。因 此，防止緩衝氣體流入第二艙不如防止氣體自第一艙流入第 二艙重要。有關此-緩衝㈣之資訊可參核洲專利中請案 第(H30947.5號’其以制方式併人本文巾。氬㈣可用作 緩衝氣體。 為縮小二盤間必須以緩衝氣體填充之體積，一管子19(如 圖4B中虛線所示）可插入旋轉盤13與14之間。如該等二個旋 轉盤以諧調旋轉’該管子19可連接至該等二個旋轉盤⑽ 14或者如旋轉盤13與14以相反方向旋轉，管子μ可僅連接 万疋U3與14之-’或不連接該等二個旋轉盤。與^，但應 位於一相對於固定板15, 16開口之固定位置。管子之每一末 端圍繞旋轉板13，14中之開口 U，12,亦可連接在開口之邊 彖田開口大杰另—開口時（如圖3 A所示），管子1 9為截頭 錐形。 、緩衝氣體可經由旋轉盤13，14間之空間18之永久流體補 充或者，可疋期補充緩衝氣體。緩衝氣體可被定期或持續 幫浦出空間18之外或擴散。 作為一替代万業，可用第三固定板來填充旋轉盤13，14間 灸工間1 8，忒第二固定板之開口對齊於前兩個固定板之開 口 〇 圖5A-5F%示本發明 之截光器，其定期補充該等二個旋轉 84526-931015.doc A37264 84526 003881250 -21， 1254976 盤間之空間中之緩衝氣體。圖5B-5F繪示圖5A中沿A-A線之 剖面圖。如圖4A所示之實例，截光器由二個旋轉板2 1，22 所組成，每一旋轉板分別有一開口 23，24。旋轉板21，22被 安排在二固定板25，26之間。截頭錐形表面30備於旋轉板 21，22中之開口 23，24之間。該表面30界定一可注入缓衝氣 體之空間3 1。 如圖5A所示之瞬間，第一旋轉板22之開口 24對齊於第一固 定板26中之緩衝氣體進入開口 32。在此瞬間，空間3 1之壓力 低於緩衝氣體供應中之壓力，導致氣流QA之缓衝氣體進入空 間31。表面30連接在旋轉盤21，22之間，當旋轉盤旋轉時， 第一旋轉板中開口 24不再對齊於第一固定板26中之緩衝氣 體進入開口 32。 在圖5C所示之瞬間，第一旋轉盤22中之開口 24不再對齊於 第一固定板中之緩衝氣體入口 32。第二旋轉板21中之開口 23 部分對齊於第二固定板中之輻射光束開口 27。因此導致部分 缓衝氣體QF自空間3 1洩漏而進入光刻設備之第二艙。 在圖5D所示之瞬間，第一旋轉板22中之開口 24對齊於第一 固定板26中之輻射光束開口 28，及第二旋轉板21中之開口 23 充分對齊於第二固定板中之輻射光束開口 27。因此而開啟截 光器，可使輻射脈衝7自第一艙内之源LA輻照至第二艙。在 此階段發生進一步洩漏QFi緩衝氣體進入第二艙。但如開口 僅開啟一短時間，不致有大量氣體自氣源室9洩漏至第二 艙，且大多數洩漏入第二艙之氣體僅為緩衝氣體。 在圖5E所示之瞬間，第一旋轉板22中之開口 24不再對齊於 84526-931015.doc -22- A37264 84526 003881250 1254976 第一固定板中之輻射光束開口 28。第二旋轉板21中之開口 23 部分對齊於第二固定板中之輻射光束開口 27，導致某些進一 步洩漏QF之緩衝氣體QF進入第二艙。 如圖5G所示瞬間，第二旋轉板21之開口 23對齊於第二固定 板之緩衝氣體排放開口 33。其與大量低壓之氣體之緩衝氣體 連接，結果，在空間3 1之其餘之緩衝氣體以流體QP通過開口 被排放。 為了使圖5A-5G所示之截光器高效率運作，缓衝氣體自空 間3 1流至第二艙所需之時間必須大於空間3 1對第二艙開啟 (部分）之時間（即圖5C，5D及5E所示之瞬間）。藉由移動固定 板25，26(圖5A所示）中之開口 32，27，28，33而排成更為接 近，就可縮知空間3 1對第二艙開啟之時間。可藉由在截光器 之一缓衝氣體流動側增加可穿透輻射的氣體流動限制（例 如，金屬濾板），來延長自空間3 1清空緩衝氣體之特性時間。 如圖5B-5G所示，截頭錐形表面30連接至旋轉板21，22上。 但並不必須如此，並且可相對於固定板方式來固定截頭錐形 表面30，當旋轉板中之開口表面對齊於固定板中之開口時， 旋轉板中之開口就會對齊截頭錐形表面30。此時，表面必須 較大。此外，表面不需為截頭錐形形狀。 圖6A及6B繪示使用於發明之截光器之另一變體。一旋轉 板40被配備於接近固定板42處。當旋轉板40旋轉時，旋轉板 40中之開口 41週期性對齊於固定板中之開口 43。該固定板42 備有一平面44，其界定一界面空間45。界面空間可備有緩衝 氣體，以減少氣體自第一艙通過障壁漏出。表面44有一開口 84526-931015.doc -23- A37264 84526 003881250 1254976 46，開口 46週期性變為對齊於旋轉板40中之第二開口 47。此 可提供新緩衝氣體至界面空間45。當旋轉板旋轉時，旋轉板 40中之開口 47對齊於緩衝氣供應開口 48，因而使缓衝氣體通 過界面空間4 5流動。 如圖6A所示，輻射光束開口 41及緩衝氣體開口 47以自其旋 轉軸49之不同距離安排在旋轉板上。這項做法可使缓衝氣體 提供至界面空間45之時間與輻射光束通過截光器之時間為 同一時間。或者，如圖6A所示，緩衝氣體開口 47可被安排成 供應緩衝氣體至界面空間45之時間較稍早於旋轉板40上之 輻射光束開口 41對齊於固定板上開口 43之時間。 雖然前文中已說明本發明的特定具體實施例的情況下，但 是熟知技藝人士應明白也可以其他方式來實施本發明。說明 書不作限制本發明之用。 【圖式簡單說明】 本發明之實施例將以舉例及參考以下圖式予以說明，其 中： 圖1繪示本發明一實施例之光刻設備； 圖2詳細繪示圖1之光刻設備之部分； 圖3 A及3B繪示本發明使用單一旋轉板之一受控孔隙； 圖4A及4B繪示本發明使用二個旋轉板之一受控孔隙； 圖5 A至5F繪示本發明受控孔隙在其循環之五個瞬間；及 圖6 A及6B繪示本發明另一受控孔隙。 圖中對應之參考號碼代表對應元件。 【圖式代表符號說明】 84526-931015.doc -24- A37264 84526 003881250 1254976 1 旋轉板 9 第一艙 10 第二艙 IL 輻射系統 PB 投影光束 LA 輻射源 MT 第一物體工作台 MA 光罩 PL 投影系統 PW 定位構件 CO 電容器 C 目標部位 w 基板 IF 量測構件 VC 真空系統 FT 金屬遽板 CT 收集器 GF 光概光譜滤光器 SF 次焦點 3,4 固定板 5,6 孔隙 7 輕射光束 8 轴 11,12 開口 84526-931015.doc
-25- A37264 84526 003881250 1254976 13,14 旋轉板 15,16 固定板 18 空間 19 管子 21,22 旋轉板 23,24 開口 25,26 固定板 27,28,32,33 開 30 表面 31 空間 Qf 洩漏氣體 40 旋轉板 41 開口 42 固定板 43 開口 44 表面 45 空間 46,47 開口
84526-931015.doc -26- A37264 84526 003881250

Claims (1)

1254976 拾、申請專利範圍： 1. 一種光刻設備，包含： 一輻射系統，用於供應輻射之脈衝投影光束； 一支撐裝置，用於支撐圖案化構件，該圖案化構件係用 於按照所要之圖案來圖案化該投影光束； 一基板台，用於支承一基板； 一投影系統，用於將該圖樣化光束投影在該基板的一目 標邵位上； 其特徵為該光刻設備進一步包含： 一障壁，用以防止氣體及/或顆粒自該光刻設備之第一 部分流至第二部分，該障壁包含一受控孔隙； 一控制器，用以操作該受控孔隙，藉此以同步於該脈 衝光束方式來開啟及閉合該受控孔隙，以使該等輻射光 束之一的脈衝通過該障壁。 2. 如請求項1之光刻設備，其中： 該受控孔隙包含： 一第一固定式構件，其與該障壁一體成型或連接至該 障壁，該第一固定式構件備有一對齊於輻射光束之開 口 ； 一第一旋轉構件，其至少一部分鄰近該第一固定式構 件； 其中該第一旋轉構件備有一或多個開口，該一或多個 開口被安排成，當該第一旋轉構件旋轉時，該第一旋轉 構件中之開口會週期性對齊於該第一固定式構件之開 84526 A37264 84526 003881250 1254976 口，提供一穿過該障壁之開口；及，當該等開口未對齊 時，該第一旋轉構件實際上防止氣體流過該障壁。 3. 如請求項2之光刻設備，進一步包含一第二固定式構件，其 安排成可使該第一旋轉構件之一部分位於該第一固定式構 件與該第二固定式構件之間，該第二固定式構件亦備有一 對齊於該輻射光束之開口。 4. 如請求項3之光刻設備，進一步包含一第二旋轉構件，其至 少一部分位於該第一固定式構件與該第二固定式構件之 間； 其中該第二旋轉構件有一或多個開口，該一或多個開口 被安排成，當該第二旋轉構件旋轉時，該第二旋轉構件中 之一開口週期性對齊於該等固定式構件中之開口，同時， 如果該第一旋轉構件之開口對齊於該等固定式構件之開口 時，則提供一穿過該障壁之開口；及當該第二旋轉構件之 開口都未對齊於該固定式構件之開口時，該第二旋轉構件 實際上防止氣體通過該障壁流動。 5. 如請求項4之光刻設備，進一步包含一位於該第一旋轉構件 與該第二旋轉構件之間之含緩衝氣體的空間。 6. 如請求項5之光刻設備，進一步包含·· 一緩衝氣氣入口，以便在一旋轉件之一開口對齊時，供 應缓衝氣體於第一與第二旋轉構件之間之空間；及 一緩衝氣體排放構件，用以在一旋轉構件之開口與該排 放構件對齊時自空間排放該緩衝氣體。 7. 如請求項5之光刻設備，進一步包含一管子，至少當在該受 84526 A37264 84526 003881250 1254976 控孔隙開啟時，該答 開口之邊 中該管子 自圍繞該第一旋轉構件上 、、彖延伸至圍繞該第二旋 、 上 空間。 界定一办… 捉谷構件上開口足邊緣；其 8 ·如明求项7之光刻設備，里中 圍结中被孩矛一旋轉構件上之該管子 ㈤、兀足孩開口大於被該、a 爷 、_ 罘一從备構件上之該管子圍繞之 乂开，並且该管子為截頭錐形。 9.如明求,7或g之光刻設， 、 两具宁$ $子係固足在對齊於該 固疋式構件上之開口的位置。
'如請求項7或8之光刻設備，其中該第—旋轉構件與該第二 旋轉構件一致旋轉，該管子連接至該旋轉構件。 11.如請求項4之光刻設備，進一步包含一第三固定板，其至 乂 一部分位於該第一旋轉構件與該第二旋轉構件之間；該 第三固定式構件亦備有一對齊於該輻射光束開口之。 12 ·如叫求項4，5，6，7，8或11之光刻設備，其中該該第一旋轉構 件與該第二旋轉構件以相反方向旋轉。
1 3 ·如請求項2之光刻設備，其中該第一固定式構件進一步包 含： 一管子，自圍繞該第一固定式構件中開口之邊緣延伸， 且界定一開啟進入該光刻設備之第二部的空間； 一緩衝氣體入口，以便在該第一旋轉構件中之開口對齊 於該緩衝氣體入口時供應緩衝氣體。 14.如請求項1，2,3,4,5,6,7,8，11或13之光刻設備，其中該輻射 系統包含一位於該光刻設備之第一部分中的輻射源；該光 刻設備之第二部分實際上為一真空系統。 84526 A37264 84526 003881250 1254976 i5.如請求項ι，2,3,4,5,6,7,8，11或13之光刻設備，其中該基板 · 台係在該光刻設備之第一部分中，該光刻设備之第一邓分 * 為一投影系統。 16·如請求項1，2,3,4,5,6,7,8，11或13之光刻設備，其中該控器 為適於閉合該受控孔隙，以便阻擋該輻射光束之至少一脈 衝。 17·如請求項1，2,3,4,5,6,7,8，11或13之光刻設備，其中該受控 孔隙包含一位於該於基板上面對該該受控孔隙一侧之低放 射率塗層與及位於另一侧上之紅外線反射塗層中至少一塗 層。 18.—種半導體裝置製造方法，包含以下步驟： 提供一基板，該基板至少部份被一雷射感應材料層覆 蓋； 使用一輻射系統來提供一輻射投影光束； 使用圖案化構件，使該輻射光束的橫斷面具有一圖樣； 將該圖樣化輻射光束投影在該雷射感應材料層的一目 標部位上； 其特徵為以同步於該脈衝光束方式來開啟與閉合_障 壁中之受控孔隙，以防止氣體自該光刻設備之第一部分流 至第二部分； 孩文控孔隙提供一穿過障壁之開口，在脈衝光束之一脈 衝期間與該輻射光束之一對齊，並且在該等脈衝之間實際 上防止氣體自自該光刻設備之第一部分流至第二部分。 84526 A37264 84526 003881250 -4-
TW092106776A 2002-03-28 2003-03-26 Lithographic projection apparatus and semiconductor device manufacturing method thereof TWI254976B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02252338A EP1349008A1 (en) 2002-03-28 2002-03-28 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200402086A TW200402086A (en) 2004-02-01
TWI254976B true TWI254976B (en) 2006-05-11

Family

ID=27798926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092106776A TWI254976B (en) 2002-03-28 2003-03-26 Lithographic projection apparatus and semiconductor device manufacturing method thereof

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6987275B2 (zh)
EP (1) EP1349008A1 (zh)
JP (1) JP3972084B2 (zh)
KR (1) KR100592821B1 (zh)
CN (1) CN100351699C (zh)
SG (1) SG120919A1 (zh)
TW (1) TWI254976B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4235480B2 (ja) 2002-09-03 2009-03-11 キヤノン株式会社 差動排気システム及び露光装置
JP3703447B2 (ja) 2002-09-06 2005-10-05 キヤノン株式会社 差動排気システム及び露光装置
WO2004081998A1 (ja) * 2003-02-20 2004-09-23 Nikon Corporation Ｘ線発生装置及びｅｕｖ露光装置
US7023524B2 (en) * 2003-12-18 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004037521B4 (de) * 2004-07-30 2011-02-10 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur Bereitstellung von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung
KR100669803B1 (ko) * 2004-12-04 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 증착 물질 공급장치 및 이를 구비한 증착장치
JP2008537178A (ja) * 2005-04-19 2008-09-11 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層に向かって放射を指向させるデバイス、かかるデバイスを含む装置、およびかかる装置を使用する方法
US7872729B2 (en) * 2006-08-31 2011-01-18 Christoph Noelscher Filter system for light source
US7719661B2 (en) 2007-11-27 2010-05-18 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and method for producing device
FR2938116B1 (fr) * 2008-11-04 2011-03-11 Aplinov Procede et dispositif de chauffage d'une couche d'une plaque par amorcage et flux lumineux.
JP5683902B2 (ja) 2010-10-29 2015-03-11 株式会社東芝 レーザ・イオン源
EP2533078B1 (en) 2011-06-09 2014-02-12 ASML Netherlands BV Radiation source and lithographic apparatus
US9609731B2 (en) * 2014-07-07 2017-03-28 Media Lario Srl Systems and methods for synchronous operation of debris-mitigation devices
DE102019211922A1 (de) 2019-08-08 2019-09-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage und verfahren zum betrieb derselben
CN111250662B (zh) * 2020-01-21 2021-05-25 三鑫重工机械有限公司 一种铸件接触式浇注定位装置
US11632849B2 (en) * 2021-08-27 2023-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for mitigating contamination

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4408338A (en) * 1981-12-31 1983-10-04 International Business Machines Corporation Pulsed electromagnetic radiation source having a barrier for discharged debris
JPS6136719A (ja) * 1984-07-30 1986-02-21 Nec Corp 同期式光路開閉装置及びその操作法
GB2195070B (en) * 1986-09-11 1991-04-03 Hoya Corp Laser plasma x-ray generator capable of continuously generating x-rays
JP2614457B2 (ja) * 1986-09-11 1997-05-28 ホーヤ 株式会社 レーザープラズマｘ線発生装置及びｘ線射出口開閉機構
JPS63292553A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Agency Of Ind Science & Technol Ｘ線発生装置におけるプラズマ飛散防止機構
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2938568B2 (ja) * 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
JPH08241847A (ja) * 1995-03-07 1996-09-17 Hitachi Ltd 露光装置及び露光方法
WO1997033205A1 (en) * 1996-03-06 1997-09-12 Philips Electronics N.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
NL1008352C2 (nl) * 1998-02-19 1999-08-20 Stichting Tech Wetenschapp Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden.
US6369874B1 (en) * 2000-04-18 2002-04-09 Silicon Valley Group, Inc. Photoresist outgassing mitigation system method and apparatus for in-vacuum lithography
IT1316249B1 (it) * 2000-12-01 2003-04-03 Enea Ente Nuove Tec Procedimento di abbattimento del flusso di ioni e di piccoli detritiin sorgenti di raggi-x molli da plasma, tramite l'uso di kripton.
US20020090054A1 (en) * 2001-01-10 2002-07-11 Michael Sogard Apparatus and method for containing debris from laser plasma radiation sources

Also Published As

Publication number Publication date
CN1448790A (zh) 2003-10-15
US20040013226A1 (en) 2004-01-22
KR100592821B1 (ko) 2006-06-23
CN100351699C (zh) 2007-11-28
SG120919A1 (en) 2006-04-26
EP1349008A1 (en) 2003-10-01
US6987275B2 (en) 2006-01-17
JP3972084B2 (ja) 2007-09-05
JP2003318107A (ja) 2003-11-07
TW200402086A (en) 2004-02-01
KR20030078692A (ko) 2003-10-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI254976B (en) Lithographic projection apparatus and semiconductor device manufacturing method thereof
KR100674698B1 (ko) 리소그래피 장치, 방사선 시스템 및 필터 시스템
US6838684B2 (en) Lithographic projection apparatus and particle barrier for use therein
US8129702B2 (en) Radiation system with contamination barrier
KR101652361B1 (ko) 방사선 소스, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP4799620B2 (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
US7026629B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1793277B1 (en) Radiation system and lithographic apparatus
JP2005505945A (ja) リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
US9632419B2 (en) Radiation source
JP2005020009A (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
US8232537B2 (en) Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1349010B1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006222198A (ja) 露光装置