TWI253117B - Atomic layer deposition methods of forming silicon dioxide comprising layers - Google Patents

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TWI253117B
TWI253117B TW093127330A TW93127330A TWI253117B TW I253117 B TWI253117 B TW I253117B TW 093127330 A TW093127330 A TW 093127330A TW 93127330 A TW93127330 A TW 93127330A TW I253117 B TWI253117 B TW I253117B
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Description

1253117 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種形成二氧化矽構成層之原子層沈積之 方法。 【先前技術】 積體電路製造中之半導體處理包括半導體基板上的層之 沈積。例示性方法包含化學氣相沈積（CVD)及原子層沈積 (ALD)。C VD及ALD可在腔室中進行，該等腔室將單個基板 固定在晶圓固持器或晶座上。亦可利用含多個基板之腔 室。一般將一種或多種前驅體氣體提供至腔室中之蓮蓬 頭，该蓮蓬頭意欲均一地反應物氣體大體上均質地提供在 基板之外部表面上。該前驅體反應或其它表明於基板上之 適合層的沈積。可利用或可不利用電萦增強。若利用電裝 k強可直接在腔至内或其运處產生及維持電漿。 在半導體製造中通常利用之絕緣或介電材料為二氧化 〇 【發明内容】 本發明包含形成二氧切構成層之原子層沈積之方法。 在一實施例中，將一基板定位於一沈積腔内。在有效使用 化學方法吸附含矽之第一物質單層至該基板之條件下，使 二甲基料流人腔室且使第-惰性氣體流人腔t。該p 惰性氣體以第-速率流動。在形成第一物質單層之後，在 使氧化劑與用化學方法吸附之第-物質有效反應，且在該 基板上形成-含二氧化石夕之單層之條件下，使氧化劑流入 95854.doc 1253117 該腔室，且使第二惰性氣體流入該 以低於第-速率之第二速率流 f -弟-惰性氣體 匕勒。3玄a) ^曱基石々p— 惰性氣體流動及該b)氧化劑；给 //兀及弟一 第二惰性氣體流動係連續會 複的，以在該基板上有效形成二氧切構成層/、、’、 在-實施例中，在基板上^ 沈積之方法包含在沈積腔内定位石夕構成層之原子層 方法吸附含矽之第一物質單芦：反纟有效使用化學 曱基矽烷流入該腔室。在形成 ％ 一 化劑與化學方法吸附之第一物 设在使乳 0^ ^ 、有效反應，且在該基板上 形成一含一乳化矽之單層夕 早層之條件下，使氧 室，且使第二惰性氣μ冷λ斗 W机八d月工 、/；，'〜腔室。該氧化劑以至少2000 seem之流動速率流進腔室。 .^ ^ ^ ^ °亥二甲基矽烷及氧化劑流動物 係連績重稷的，以在該某扭 有效形成二氧化秒構成声。 涵蓋其它實施例及態樣。 【實施方式】 出於美國專利法"促進科學及有用技術之進 ， 第八部分）之擁護憲法之目的，提交本發明所揭示之内:。 =明包含在-基板上（例如在一半導體基板上）形成二 爾構成層之原子層沈積之方法。在該文件之上下文 中:語，’半導體基板”或，，半導電基板”^義為意味含半導 體丰莫：任何構造，其包含但不限於諸如半導電晶圓之表 -、電才才料（單獨地或其上含其它材料之組合）及半導電 2層（早獨地或與其上含其它材料之組合）。術語”基板" ''曰任何支撐結構’包含但不限於’上面所描述之半導體 95854.doc 1253117 基板。雖然本發明係關於—種形成二氧化石夕構成声之ald 方法，本發明並不排除藉由非ald形成之二氧化石夕構成声 二 的::層;例如且僅舉例而言’該方法涵蓋了根據 本么之.占樣，在藉由CVD沈積之二氧化石夕構成層上形成 二乳切構成層，及/或在藉由ALD形成之二氧切構成層 上形成糟由CVD沈積之二氧化石夕構成層之ald之方法。換 而言之，本發明亦包含在在基板上形成複合物或均質的、 氧化石夕構成層中，將本發明之方法態樣與㈣製程相… ALD有時亦係指原子層蟲晶法、原子層處理等。當通常 想在基板上形成比較薄之層時，⑽係可取的。^包含 使初始基板曝露於第-化學物質’以達成將該物質吸附至 該基板之化學㈣作用。理論上’該化學吸附作用在整個 曝露的初始基板上形成一單層，其係均一地—個原子或分 子之厚度。換而言之，較佳地形成一飽和單層。然而，化 學吸附作用不可能或一般不能發生在基板之所有部分，使 得一般最初形成不連續之單層。但是，該不完美之單層仍 然在此文獻範圍内’且為熟習此項技術者所認可。在許多 應用中’僅有一大體上飽和之單層係合適的。大體上飽和 單層為一種仍能產生沈積層之大體上飽和單層，該沈積層 展現该層想要之品質及/或特性。 在曝露於第-物質後，通常自基板上淨化及提供第二化 學物質以使用化學方法吸附至第—物質之第一單層上。然 後淨化第二物質且重複將第二物質單層曝露於第一物質之 步驟。在某些狀況下’該等兩個單層可為相同物質。同時， 95854.doc 1253117 第三物質或更多之物質可如對第一或第二物質之描述相繼 使用化學方法吸附及淨化。此外，第_、第二及第三物質 之種或夕種此與惰性氣體混合以加速反應室中之壓力飽 和度，或為其它目的。 淨化可含多種技術，其包含但不限於使基板及/或單層接 觸運載氣體及/或使壓力低於沈積壓力，以減少與基板及/ 或使用化學方法吸附物質接觸之物質的濃度。運載氣體之 實例包含A、Ar、He、Ne、Kr、Xe#。淨化可實際上包含 使基板及/或單層接觸允許化學吸附副產物以釋出及減少 準備引入另一物質之物質的濃度的任何物質。對於熟習此 項技術者而言，可用實驗方法測定淨化之合適量係已知 的。淨化時間可相繼減少至產生薄膜增長速率增加的淨化 時間。薄膜增長速率增加可指示改變至非ALD製程狀態， 且可用來建立淨化限制。 通常將ALD描述為一種自我限制製程，其中基板上存在 有限數目之位置，使用化學方法吸附可將第一物質吸附至 該基板上。第二物質僅可與第一物質結合，且因此亦可係 自我限制的 旦基板上所有有限數目之位置與第一物質 結合，該第一物質通常不與已與基板結合之第一物質之其 它結合。然而，在ALD中處理條件可變化，以促進該結合， 且ALD可為非自我限制的。因此，ALD亦可包含藉由物質 堆疊-次形成除了 一個單層之外，形成超過一個原子或分 子厚度的-層的物質。更進一步注意到局部化學反應可發 生於ALD期間（例如，引人的反應物分子可替㈣自現㈣ 95854.doc 1253117 庫上層）°在發生該等化學反 應=圍内，通常將其限制在該表面之最上面的單層内。 在溫度及壓力之常用範圍内進行，且根據已建立 之淨化標準逐單層地達成所需之雔a 此，讳姓—乂 " 0層之形成。即使如 :特…體、層組合物、沈積裝傷及根 此項技術者已知標準的其它因素而定，ald條件大' $不維^^度、壓力及淨化之傳統條件使不當反應最小化， 違不虽反應可影響單層形成及所得總ald層之品質。因 ^傳統溫度與壓力範圍之外的操作可使有缺陷單層 存在風險。 化學氣相沈積（CVD)之通用技術包含多種更呈體之方 法，其包含但不限於電毁增強之CVD及其它。CVD通常用 於在基板上非選擇性地形成完整、沈積之材料。Me⑽ =程之-特徵為沈積腔中多種物質同時存在，該等多種物 負共同反應以形成沈積材料。將該條件與傳統⑽之 心準作對比’其巾基板與單沈積物質接觸，該單沈積物 可使用化學方法吸附至基板或至基板上先前沈積之物質、 - ALD處理方式可提供同時接觸之複數個物質，其屬於— 種類型或在發生ALD化學吸附作用而非CVD反應條件下。 不是共同反應’該物質可使用化學方法吸附至一基板上或 提供-表面之先前沈積之物質(後續物質可接著使用化I 方法吸附至忒表面）以形成適當材料之一完整層。 在多數CVD條件下，沈積之方生在很大程度曰上不依賴於 組合物或下層基板之表面特性。相反地，基板或使用化學 1253117 方法吸附物質之組合物、結晶結構及盆
々再及具匕特性可影響ALD 之化學吸附作用速率。 僅舉例而言，參照^-3描述了根據本發明之態樣在基板 上形成二氧化_構成層之例示性方法。形成之層可包含二 氧化石夕、大體上由二氧㈣組成’或由二氧切組成。圖【 圖解地展示了沈積腔10，其中已定位了基板i2，例如半導 體基板13。將沈積腔10圖解地展示為具有原料流之A、B及 C。當然可提供更多或更少的前驅體原料流。此外，在將原 料流送至腔室1G之前，可將其組合或混合。#然亦可在腔 室10内提供蓮蓬頭或其它分配裝置（未圖示）。一例示性真空 控制降落/排氣管16自腔室1〇延伸用於排出未反應之氣體 與來自基板之副產物且用於控制腔室壓力。該沈積條件可 包7至少—或所有前驅體之«產生、或無任何前驅體之 電漿產生。此外，任何該電漿產生可在沈積腔10中及/或其 遠處進行。 〃 在一實施例中，在有效使用化學方法吸附含矽之第一物 貝單層至基板上之條件下，使三曱基矽烷流入腔室且使第 一惰性氣體流入腔室。圖2描述了一例示性第一物質單層 20其包含結合至基板13/與基板13結合之矽及一或多個殘 餘甲基。一例示性第一惰性氣體包含氦。當然，該第一惰 性氣體亦可組成惰性氣體之混合物。僅舉例而言，例示性 車乂佳壓力條件包含自1托爾（Torr)至400托爾。一例示性較佳 狐度知圍（例如藉由溫度控制卡盤）包含自20°C至lOOOt：之 任何溫度。 95854.doc 1253117 以某-第-速率引人第—惰性氣體流，相對於本發明之 -態樣，自連續討論得出，㈣_惰性氣體流之物質性係 固有的。將本發明簡化至在一具有52〇〇cm3之内部容積之 反應器/腔”進行。三甲基石夕燒以⑺_之速率流動2 秒’且氦以_0 sccm之速率流動2秒。反應器壓力為⑽托 爾，且卡盤溫度為125°C。 在形成第-物質單層之後，在使氧化劑與化學方法吸附 …物質有效反應’且在該基板上形成一含二氧化石夕之 單層之條件下’使氧化劑流入該腔室，且使第二惰性氣體 流入該腔室。在—實施例中，該第二惰性氣體流以低於第 -速率之第二速率流動。僅舉例而言，圖2描述了十 25,其包含藉由使用氧化劑之氧原子置換或取代圖2中 基所形成之二氧化石夕。 流人腔室之前，反應器淨化掉 之三甲基矽烷。在一伽-从— ^ 在例不性實施例中，藉由終止三甲基石夕 烷流入腔室，同時佶笛 _ t使第一惰性氣體流入腔室持續一段 而使其發生，以自肿金士 、 二至中有效淨化三甲基矽烷。淨化三 基矽烷時，該惰性氧，泣7 t 汛體流可以與初始化學吸附作用期間之 惰性氣體流之相同第-速率流動，或以不同速率流動。 、/亥第&第一惰性氣體可係相同的或係不同的。氧化劑 流可在腔室内不含雷將 电水、可在腔室内包含電漿，及/或藉由 遠端電漿送入腔室之針〜 精田 月,J ’传以活化/充能（energized)。 —動氧化^時，惰性氣體流之第二速率較佳地不超過 在甲基石夕垸飢動期間第一惰性氣體流入腔室之第一速率 95854.doc -12- 1253117
ί 5第°:速且皁更二地:超過該第—速率之4 °%。此外較佳地， Μ-速率為該第-速率之至少25%，更佳地為該第—速 率之至少鳩，且甚至更佳地為該第—速率之至少35%。 已發現’藉由ALD利用具有低於第一惰性氣體流之第一 二速率惰性氣體流之三甲基㈣形成之二氧化石夕 f能產生一更完整/連續之二氧化石夕單層構成。舉例而 ^夏化（qUantify)基板上所形成之單層之飽和度的典型方 法是參照各自反應前驅體流之—單循環後之單層的平均厚 度。，例而言’吾人預期形成於基板上之二氧切之100% 飽和早層具有約3埃（^糾細）至4埃之厚度。典型先前技術 —乳切⑽製程在基板上達成僅m埃或更小之平均厚 度#曰不在基板上平均覆蓋三分之一（1/3)或更少。根據本 發明之-較佳態樣及實施例，將該等二氧切構成單層之 每一形成約至少2埃之平均厚&，且較佳地為至少3埃之平 均厚度。 在車乂 u知例中，所述之三甲基石夕烧流動持續某一第 寺奴，且氧化劑流動持續長於該第一時段之某一第二時 段。在-較佳實施例中，該第二時段為該第一時段的至少 兩倍。在—較佳實施例中’㈣二時段超過2·5秒，而該第 寺奴不超過2.5秒。僅舉例而言，一實例三甲基矽烷流動 時段為自1秒至5秒，其中2秒為一特定較佳實例。更進一步 堇牛例而5 ’ 一較佳氧化劑流動時段為自1秒至1 〇秒，其中 5秒為一特定較佳實例。 氧化劑流動期間之條件（例如溫度及壓力）可與三甲基矽 95854.doc -13- 1253117 燒流動期間之條件相同或不同，且例如以上所提供。在一 例示性簡化實施之實例中，氧化劑包含以测sccm之組合 速率抓動之12體積％的〇3及88體積％的〇2之組合。惰性氣體 ^以3_咖流動之氦，其在三曱基石夕烷流動期間為仍 a積％的錢率之惰性氣體。基板或卡盤溫度為⑵。c，且 内部反應器壓力維持在㈣峨爾。該處理持續5秒。可使 2任何替代氧化劑’當然，無論是現有的還是將開發的。 舉例而言，實例包含氧基、η2〇、η2〇2、ν〇、Ν2〇#。 三甲基石夕烧及第一惰性氣體流動，連同氧化 1 生氣體流動’相繼重複，在基板上有效形成二氧切構成 層，例如圖1所描述之層30。 在一較佳實施例中，腔室之、秦 之/㈣較佳的在形成具有氧化 1 -乳切構成單層後進行。在—較佳實施例中，藉由 =第二惰性氣體流人腔室時終止氧化劑流人腔室進行該淨 =自腔室中有效淨化氧化劑。—實例中惰性氣 較佳時段為自1秒至_、之任何時段，其中5秒為-特定實 : 卜當然，在淨化以第一速率流動之三甲基石夕炫時 二:=動時段與在淨化氧化劑時第二情性氣趙之流 勖時4又可相同或不同。 :據本：明之另一態樣，及不依賴於上述之内容 涵盘在基板上形成二氧切構成層之ALD方法，1包括 2效使用化學方法吸附含石夕之第一物質單層至基板上之 惰Li二二广，麗入腔室。在三甲基石鳩動期間， @乱旦可 >瓜入或不流入該腔室。無論如何，在使氧化劑 95854.doc -14- 1253117 與化學方法吸附之第—物質有效反應且在基板上形成含二 氧化矽之單層之條件下’在形成第一物質單層之後，將氧 化劑流入該腔室。在氧化劑流動期間，可使惰性氣體流入 或不流入該腔室。該氧化劑以至少2_咖之速率流入腔 室’較佳地以至少3_ scem之速率，更佳地以至少4刚 seem之速率，且最佳地以至少5〇〇〇sccm之速率。該三甲基 石夕烧及氧化劑流動相繼重複，在基板上有效形成二氧化石夕 構成層。
在二氧化石夕之ALD製程期間，先前技術氧化劑流入腔^ 之速率應理解為稍低於2〇〇〇 sccm，且特定地低於⑽ seem。如此處所描述的，提供—增加的氧化劑㈣速度， 且不依賴於反應器容積，能在基板上形成—更完整或飽禾 之一乳化石夕單層，且可能不依賴於上述關於第—實施例泛 屬性。^而無論如何，較佳處理係進一步根據上述第一負 '每 且上述第一實施例係根據本發明之此後者實 施例之較佳態樣。
,據法令m言描述本發明之結構特徵或方法特徵 的。然而，應理解本發明不限於所展示及 ^、疋特徵，因為此處所揭示之手段包含使本發明生 =較佳形式。因此，本發明主張根據均等物原則 二申物範圍之合適範圍内的任何格式或修正。 【圖式間單說明】 ==本發明之一態樣所使用之沈積腔之圖解視圖。 係根據本發明之一態樣所處理之基板之圖解剖視圖。 95854.doc -15- 1253117 圖3為圖2基板之視圖，其處於圖2所展示之處理步驟之後 續處理步驟中。 【主要元件符號說明】 10 沈積腔 12 基板 13 半導體基板 16 真空控制降落/排氣管 20 第一物質單層 25 單層 30 層
95854.doc -16-

Claims (1)

1253117 、申請專利範圍： 一種在一基板上形成一=氧化石夕構成層之原子層沈積方 法，其包含以下步驟： 在一沈積腔内定位一基板； 在有效使用化學方法吸附含石夕之一第一物質單層至該 基板上之條件下，使三甲基钱流人該腔室且使一第一 惰性氣體流入該腔室，該第一惰性氣體以一第—速率流 動； 在形成該第-物質單層之後，在使一氧化劑與該化學 ^法吸附之第-物質有效反應且在該基板上形成一含二 二化石夕之皁層之條件τ，使該氧化劑流人該腔室，且使 :第二惰性氣體流人該腔室；該第二惰性氣體以低於該 第一速率之一第二速率流動；及 :鏖重稷4 a)二甲基矽烷及第一惰性氣體流動及b)氧 氧I及m氣體流動，以在該基板上有效形成-二 氧化矽構成層。 如請求項1之方法，其中第 50% 〇 二速率不超過該第一速率之 如請求項1之方法，其中第 40%。 一速率不超過該第一速率之 如請求項1之方法，其中第二 至 50%。 •速率為該第一速率之自25〇/。 如明求項1之方法，其中第二 至 40%。 速率為该第一速率之自25% 95854.doc 1253117 6. 方法，其中第二速率為該第—速率之自娜 7· 1 =項1之方法，其中第二速率為該第1率之自Μ 8·:;請求項1之方法’其中該第-與第二惰性氣體係相同 9·:請求項1之方法’其中該第-與第二惰性氣體係不同 之方法’其中將該等二氧切構成單層之每一 為一至少2埃（Angstrom)之平均厚戶。 方法’其中將該等二氧化;構成單層之每一 y成為一至少3埃之平均厚度。 12. 如請求们之方法’其中該氧化劑 率流人該反應器。 JOOOsccm之速 13. 如請求項1之方法，其中該氧化劑以5 I 率流入該反應^。 心—至少侧咖之速 14. 如請求们之方法，其中該氧化 率流入反應器。 —h、4_sccm之速 15. 如請求項〗之方法，其中 率流入該反應器。 訐M 一至少5000 sccm之速 16·如請求項〗之方法，其中爷 漿。 μ乳化劑流在該腔室内不含電 17·如請求項1之方法，其中 桃’將該等二氧化石夕構成該第一速率之抓至 早層之母一形成為一至少3埃 95854.doc 1253117 之平均厚度，且該氧化劑以一至 該反應器。 2〇0〇 seem之速率流入 1 8·如請求項!之方法，其中該三 段，且T基矽烷流持續一第一時 仅且邊乳化劑流持續一第二時# 外咕 第一時段。 手奴，该第二時段超過該 1 9 ·如δ月求項1 8之方法，盆中 一 少2倍。 /、 βΧ 一時段為該第一時段之至 2〇·如請求項18之方法，其中 一時段不超過2.5秒。 仏超較5秒，且該第 21. -種在一基板上形成一二 法，其包括以下步驟： 冑成層之原子層沈積方 在一沈積腔内定位一基板，· 二⑷在有效使用化學方法吸附含石夕之一第一物質單層至 絲板上之條件下，使三甲基錢流人該腔室，且使惰 性氣體流人該腔室，該惰性氣體流為-第-速率； (b) 在形成該第一物質置爲 一 士 貝早層後’在使該惰性氣體流入該 月工至之同時’終止該二甲其々 —甲基矽烷流入該腔室以自該 中淨化三甲基矽烷； & (c) 在自該腔室中淨化該— 化。亥二甲基矽烷後，在使一氧化 與該化學方法吸附之第—私新 罘物質有效反應，且在該基板上 形成含二氧化矽之一單居夕彳欠μ 層之條件下，使該氧化劑及該惰 性氣體流入该腔室；在兮_儿 在以化劑流動期間，該惰性氣體 以一低於该第一速率之第二速率流動； ⑷在形成乳切構成單層後，在將該惰性氣體流 95854.doc ^53117 室之同時，終止該氧化劑流入該腔室以有效自該 腔至中淨化氧化劑；及 相繼重複該⑷至⑷流動，在該基板上有效形成一二氧 化石夕構成層。 22.如請求項21之方法，其中在淨 ^ ^ 匕一甲基矽烷時，該惰性 氧體以該第一速率流動。 23·如請求項21之方法，苴中在、、泰外知7丨 ，、甲在淨化虱化劑時，該惰 以該第一速率流動。 ^乳體 24.2求項21之方法，其中在淨化三甲基錢時，該惰性 :體：該第、一速率流動’且在淨化氧化劑時，該惰性氣 體以该第一速率流動。 、 2 5 ·如晴求項21之方法，其中將兮望 … ，、干將-亥專―減矽構成單層之每 一形成為一至少2埃之平均厚度。 A如請求項21之方法’其中將該等二氧切構成單層之每 一形成為一至少3埃之平均厚度。 27. 如請求項21之方法’其中第二速率不超 50%。 <千心 28. 如請求項21之方法，其中第— 甲弟一速率不超過該第一速率之 40%。 <干< 30% 第 29·如請求項21之方法，其中 至 40%。 3 0·如請求項21之方法，其中 至 40%。 31.如請求項21之方法，其中 第一速率為該第—速率之自25% 第二速率為該第一速率之自 該第一速率之自35% 95854.doc 1253117 至 40%。 32·如請求項21之方法，其中該氧 Λ古 虱化劑以一至少2000 sccm之 速率流入該反應器。 33.如請求項21之方法，其中第二速率為該第-速率之自35% 至4〇%，將該等二氧化石夕構成單層之每-形成為-至少3 埃之平均厚度，且該氧化劑以一 人該反應器。 刀〇〇〇吻之速率流 其中該氧化劑流在該腔室内不含電 34.如請求項21之方法 其中該⑷流係在—第-時段且該⑷ 該第二時段長於該第一時段。 其中該第二時段為該第一時段至少2 其中該第二時段超過2.5秒，且該第 3 5 ·如請求項21之方法 流係在一第二時段 36.如請求項35之方法 3 7.如請求項35之方法 一時段不超過2.5秒 38種在—基板±形成—二氧切構成層之原子層沈積方 法，其包括以下步驟： · 在一沈積腔内定位一基板； 在有效使用化學方法吸附一含矽之第一物質單層至該 基板上之條件下，將三子基石夕院流入該腔室； 、、在形成該第-物f單層後，在使—氧化劑與該化學方 法吸：之第一物質有效反應且在該基板上形成一含二氧 單層之條件下’使該氧化劑流人該腔 以一至少鳩咖之流動速率流人該腔室；及 95854.doc 1253117 —相繼重複該三甲基㈣及氧化劑流動以在該基板上有 效形成—二氧化矽構成層。 月求項38之方法，其中該氧化劑以至少3_ %⑽之流 動速率流入該腔室。 、、員38之方法’其中邊氧化劑以至少彻。⑶⑽之流動 速率流入該腔室。 h =求項38之方法，其中該氧化劑以至少测sccm之流 動速率流入該腔室。 :.1°::項§38之方法’其中該氧化劑為0⑽之-混合物。 •女印求項38之方法，其中 毁。 亥腔室内不含電 44·如請求項38之方法，並中 ，、中5亥乳化劑為〇3及〇2之一混合 ’且在該腔室内不含電漿。 45·如請求項38之方法， T 4 4 一虱化矽構成單層之每一 彤烕為一至少2埃之平均厚度。 46. 如請求項38之方法， 亥4 一虱化矽構成單層之每一 形成為一至少3埃之平均厚度。 47. 如請求項38之方法， 一 ,,0 ，、中'亥二甲基矽烷流係在一第一時 ί又且4氧化劑流係在一第_ 罘一時奴，該第二時段長於該第 一時段。 48=請求項47之方法，其中該第二時段為該第一時段至少2 倍。 49·如請求項47之方法，其中哕 〜第一時|又超過2·5秒，且該第 一時段不超過2.5秒。 95854.doc
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