TWI252792B - Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using complexing agents - Google Patents

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1252792 A7 B7 五、發明説明（1) 發明範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於使含有第VIII族金屬（以含鉑爲佳）之表 面平坦化之方法，此特別是用於半導體裝置之製造。 發明背景 金屬和金屬氧化物膜（特別是第VIII族重質元素）在各 種電子和電化學應用上具有重要性。此至少是因爲許多第 VIII族金屬膜通常不具反應性、抗氧化或延緩氧擴散且爲 良好導體之故。這些金屬中的一些氧化物亦具有這些性質 ，只是程度不同而已。 因此，第VIII族金屬、它們的合金及金屬氧化物（特別 是第二和第三列金屬，如：Ru、Os、Rh、Ir、Pd和Pt)的膜 具有適用於積體電路的性質。例如，它們特別適合作爲記 憶裝置中之介於介面材料和矽底質之間的阻擋層。此外， 它們適合作爲電容器本身的極板（電極）。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 鉑是作爲高介電電容器的電極選擇之一。電容器是隨 機存取記憶裝置（如：動態隨機存取記憶體（DRAM)裝置、靜 態隨機存取記憶體（SRAM)裝置及現今的鐵電記憶體 (FER AM)裝置）中的基本的電荷儲存裝置。它們由兩個傳導 器（如：平行金屬或多矽板）構成，它們作爲電極（即，儲存 節點電極和電池板電容器電極），彼此以介電材料隔開（對 FERAM而言是鐵電介電材料）。因此，對於處理含第VIII 族金屬的膜（以含鉑的膜爲佳）之方法和材料持續有需求存在 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -5 - 1252792 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2) 形成含第VIII族金屬的膜的期間內，形成許多表面， 在製造半導體裝置的晶圓表面時更是如此，其高度不均， 並因此使得晶圓表面也不均勻。此外，表面可能有缺陷（如 :晶體晶格損傷、刮傷、粗糙）或埋藏灰或塵顆粒。就不同 實施的加工程序（如：石版印刷和蝕刻）而言，必須減少或消 除晶圓表面的高度不均勻度和缺陷。此外，必須移除過多 材料以形成對於位於下方的底質具選擇性的結構。各式各 樣的平坦化技巧可用以提供這樣的減少和/或消除效果。 一個這樣的平坦化技巧包括機械和/或化學機械磨光（此處 簡稱爲"CMP")。 平坦化方法用以移除材料，以獲致平坦表面位於整個 晶片和晶圓上爲佳，有時將此稱爲”總體平坦性"。習慣上， 平坦化方法（特別是CMP)包含使用支撐晶圓的晶圓支撐器、 磨光墊和磨蝕漿料（包括許多磨蝕粒於液體中之分散液）。施 用此磨鈾漿料，使其與晶圓介面和磨光墊接觸。桌面或平 台上放置磨光墊。磨光墊以某些壓力施用於晶圓以實施平 坦化作用。至少一個晶圓和磨光墊相對於另一者運動。一 些平坦化方法中，晶圓支撐器旋轉或不旋轉，桌面或平台 旋轉或不旋轉和/或平台於旋轉方向的相反方向直線移動 。有許多類型的平坦化單元可以不同方式進行此程序。或 者，磨光墊和磨蝕漿料可以固定磨蝕粒（包括許多磨蝕粒分 散於黏合於至少一個背襯材料表面的黏合劑中）代替。 基本上’包括鉑和其他第VIII族金屬之表面的平坦化 處理，在磨光期間內，所包含的機械作用多於化學作用， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公漦） -6- 1252792 A7 B7 五、發明説明（3) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這是因爲它們的化學活性相當低和/或製造的揮發性物質 相當少之故。這樣的機械磨光使用三氧化二鋁和二氧化矽 顆粒。不幸地，機械磨光會形成缺陷（如：刮痕和顆粒，此 二者可被光學方法測知），無法乾淨移除鉑。此外，許多商 用磨光漿料無法有效地使含鉑或其他第VIII族金屬的表面 平坦化，這是因爲未移除材料（此不會改變晶圓的阻抗）或所 得表面中有缺陷之故。例如，註冊名稱爲KLEBOSOL 1508-50 和 30H50 及 GRANITE MSW2000 的磨蝕漿料（得自 Rodel， Phoenix，AZ)及其他以三氧化二鋁爲基礎的漿料無法有效移 除鉑，雖然GRANITE MSW2000的確移除釕和鉑，但它在表 面上留下明顯刮痕和其他缺陷且對於位於下方的底質沒有 選擇性，使其無法維持所須結構。雖然基本上包括相當大 量（如：超過約10重量％)的氧化劑，但咸信一些這樣的組 成物含有氧化劑。 因此，對於使包括鉑和/或其他第VIII族金屬的底質 外露表面平坦化的方法有需求存在，在製造半導體裝置時 更是如此。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明槪述 本發明提出一種克服與包括鉑和/或其他第VIII族第 二或三列金屬（即，第8、9和10族，以Rh、Ru、Ii·、Pd和 Pt爲佳）有關之許多問題的方法。此處將這樣的表面稱爲含 鉑表面，或者更常稱爲含第VIII族金屬表面。"含第VIII 族金屬表面"是指具有第VIII族金屬（特別是鉑，其量以區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1252792 A7 B7 - --—-一 " ----—丨 _ 一·· 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 域組成的至少約10原子％爲佳，至少約20原子％更佳，至 少約50原子％最佳）的外露區域，其可爲欲根據本發明加以 平坦化（如：藉由化學-機械或機械平坦化或磨光）的層、膜 、塗層·.等。此表面以包括一或多種元素形式或其合金形式 (彼此和/或與一或多種週期表中的其他金屬之合金）、氧化 物、氮化物和其矽化物形式的第VIII族金屬爲佳。更佳情 況中，此表面包括一或多種元素形式的第VIII族金屬和僅 第VIII族金屬之合金形式，以基本上由此構成爲最佳。 本發明之方法包含使用平坦化組成物（以包括錯合劑分 散或溶解於其中爲佳）使表面平坦化。視情況且爲較佳者， 氧化劑亦含括於此平坦化組成物中。 錯合劑於組成物中的存在量以至少約0.01重量％爲佳 ，不超過10重量％較佳，約0.05%至約5重量％最佳。較佳 錯合劑包括有機鉗合酸、環狀二烯、有機胺和它們的組合 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此處，如易於瞭解者，π平坦化”或π平坦化作用"是指以 機械方式、化學方式或二者自表面移除物質，無論其爲大 量或少量物質。此亦包括藉磨光移除物質。此處所謂"化學 -機械磨光”和"CMP"是指具化學構份和機械構份的雙重機 構，其中，磨光化學和破裂機構皆於材料移除（如：晶圓磨 光）中扮演角色。 平坦化組成物可視情況地包括磨蝕粒，藉此得到磨蝕 漿料，並可與慣用之不會有磨蝕粒埋於其中的磨光墊用於 平坦化技巧。或者，不含磨鈾粒的平坦化組成物可以與固 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -8- 1252792 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（5) 定的磨鈾粒（亦稱爲磨蝕性磨光墊）倂用以代替慣用磨光墊。 這樣的固定磨蝕粒包括許多磨蝕粒分散於黏合於至少一個 背襯材料表面上的黏著劑中。如果氧化劑於具磨蝕粒的組 成物（即，磨蝕漿料）中不安定，它們可由個別輸送系統和/ 或個別組成物提供並於使用處混合。 本發明的一個特點中，提出的平坦化方法包括：將底 質（以半導體底質或底質組合品爲佳，如：晶圓）之含第VIII 族金屬的表面置於磨光表面介面；供應平坦化組成物至接 近介面處；及使含第VIII族金屬的表面平坦化。第VIII族 金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的組合。 平坦化組成物包括錯合劑。某些實施例中，此方法以 單步驟進行，即，在使用兩種不同的平坦化組成物之間沒 有居間的沖洗步驟。某些實施例中，錯合劑包括環狀二烯 、有機胺或它們的組合。某些其他實施例中，平坦化組成 物包括有機酸和胺。 本發明的一個特點中，提出一種平坦化方法包括：將 底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面，其中的 第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的組合 ;供應平坦化組成物至接近介面處；及使含第VIII族金屬 的表面平坦化；其中，平坦化組成物包括有機胺和有機鉗 合酸。 本發明的另一特點中，提出一種平坦化方法包括：將 底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面，其中的 第VIII族金屬選自鍺、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的組合 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A7 B7五、發明説明（6) ;供應平坦化組成物至接近介面處；及使含第VIII族金屬 的表面平坦化；其中，平坦化組成物包括磨蝕粒和錯合劑 ;此外，其中，大部分磨蝕粒是CeCh磨蝕粒。 本發明的另一特點中，提出一種平坦化方法包括：將 底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面，其中的 第VIII族金屬選自鍺、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的組合 ;供應平坦化組成物至接近介面處；及使含第VIII族金屬 的表面平坦化；其中，平坦化組成物包括錯合劑選自環狀 二烯、有機胺、有機鉗合酸及它們的組合；此外，其中， 此方法以單步驟進行。 另一特點中，平坦化方法包括：提供一種半導體底質 或底質組合品，包括至少一個含鉑表面的區域；提供一個 磨光表面；於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的 介面提供一種平坦化組成物；及使至少一個含鉑表面的區 域平坦化；其中，平坦化組成物包括錯合劑選自環狀二烯 、有機胺及它們的組合。 另一特點中，平坦化方法包括：提供一種半導體底質 或底質組合品，包括至少一個含鉑表面的區域；提供一個 磨光表面；於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的 介面提供一種平坦化組成物；及使至少一個含鉑表面的區 域平坦化；其中，平坦化組成物包括有機胺和有機鉗合酸 〇 另一特點中，平坦化方法包括：提供一種半導體底質 或底質組合品，包括至少一個含鉑表面的區域；提供一個 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10- 1252792 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7) 磨光表面；於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的 介面提供一種平坦化組成物；及使至少一個含鉑表面的區 域平坦化；其中，平坦化組成物包括磨鈾粒和錯合劑；此 外，其中，大部分磨蝕粒是CeCh磨鈾粒。 另一特點中，平坦化方法包括：提供一種半導體底質 或底質組合品，包括至少一個含鉑表面的區域；提供一個 磨光表面；於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的 介面提供一種平坦化組成物；及使含至少一個含鉑表面的 區域平坦化；其中，平坦化組成物包括錯合劑選自環狀二 烯、有機胺、有機鉗合酸及它們的組合；及此外，其中， 此方法以單步驟進行。 另一特點中，一種用以形成電容器或阻擋層的平坦化 方法包括：提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具 圖案的介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案 的介電層上，其中的第VIII族金屬選自鍺、銥、釕、餓、 鈀、鉑和它們的組合；使磨光表面的的第一個部分與含第 VIII族金屬的層接觸；供應平坦化組成物至接近磨光表面 與含第VIII族金屬的層接觸之處；及使含第VIII族金屬的 層平坦化；其中，平坦化組成物包括錯合劑選自環狀二烯 、有機胺和它們的組合。 本發明亦提出一種用以形成電容器或阻擋層的平坦化 方法包括：提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具 圖案的介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案 的介電層上，其中的第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 1252792 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i、發明説明（8) 鈀、鉑和它們的組合；使磨光表面的的第一個部分與含第 VIII族金屬的層接觸；供應平坦化組成物至接近磨光表面 與含第VIII族金屬的層接觸之處；及使含第VIII族金屬的 層平坦化；其中，平坦化組成物包括有機胺和有機鉗合酸 〇 本發明亦提出一種用以形成電容器或阻擋層的平坦化 方法包括：提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具 圖案的介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案 的介電層上，其中的第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、 鈀、鉑和它們的組合；使磨光表面的的第一個部分與含第 VIII族金屬的層接觸；供應平坦化組成物至接近磨光表面 與含第VIII族金屬的層接觸之處；及使含第VIII族金屬的 層平坦化；其中，平坦化組成物包括磨蝕粒和錯合劑；及 此外，其中，大部分磨蝕粒是Ce〇2磨蝕粒。 另一特點中，一種用以形成電容器或阻擋層的平坦化 方法包括：提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具 圖案的介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案 的介電層上，其中的第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、 鈀、鉑和它們的組合；使磨光表面的的第一個部分與含第 VIII族金屬的層接觸；供應平坦化組成物至接近磨光表面 與含第VIII族金屬的層接觸之處；及使含第VIII族金屬的 層平坦化；其中，平坦化組成物包括錯合劑選自環狀二烯 、有機胺、有機鉗合酸和它們的組合；及此外，其中，此 方法以單步驟進行。 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A7 B7 _五、發明説明（9) 此處所謂，•半導體底質或底質組合品"是指半導體底質 如：基礎半導體層或具一或多層、結構或形成於其上之區 域的半導體底質。基礎半導體層基本上是位於晶圓上之最 下方的矽材料層或澱積於另一材料上的矽層’如：青玉上 的矽。爲底質組合品時，不同程序步驟事先用以形成或定 義區域、接點、不同結構或特徵及開口（如：電容器的電容 器板或屏障）。 附圖簡述 附圖1A和1B所示者是進行根據本發明之平面法之前 和之後的一部分晶圓截面圖。 附圖2A和2B所示者是進行根據本發明之平面法之前 和之後的一部分晶圓截面圖。 主要元件對照表 10晶圓部分 12底質組合品 13非平坦上表面 16接合點 19電容器和/或阻擋層材料 14電容器和/或阻擋結構層 16， Π經平面化處理的上表面 19' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X297公楚） -13- 1252792 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1)3 20晶圓部分 22底質組合品 23電極層的非平坦上表面 24導電區域 26具圖案的介電層 29電極層 27經平面化處理的上表面 較佳實施例之描述 本發明提出一種包括鉑和/或一或多種其他第VIII族 金屬之表面的平坦化方法。此第VIII族金屬亦被稱爲第 VIIIB族元素或週期表第8、9或10族過渡金屬。第二或三 列第VIIIB族金屬包括Rh、Ru、Ir、Pd、Pt和〇s。較佳情 況中，包括Rh、Ru、Ir、Pd和/或Pt的表面可根據本發明 之方法加以平坦化。此處將這樣的表面稱爲含第VIII族金 屬的表面（此是指含第二/或第三列過渡金屬者）。 較佳情況中，根據本發明加以平坦化（如：藉由化學-機械或機械平坦化或磨光）之"含第VIII族金屬的表面”是指 具以區域組成中之至少約10原子％(以至少約20原子％爲佳 ，至少約50原子％最佳）第VIII族金屬（特別是鉑）的外露表 面，其可爲層、膜、塗層..等。 這樣的表面（特別是包括鉑的表面）之平坦化處理基本上 包含機械法，其使用相當堅硬顆粒，如：三氧化二鋁 (AhOO和/或二氧化矽（SiO〇顆粒，其本身會造成嚴重髒污 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 1252792 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1)1 、移除速率緩慢和缺陷，無法乾淨地移除材料。使用包括 錯合劑之平坦化組成物，其中，許多磨蝕粒倂用於組成物 或者固定磨蝕物件中，減少（甚至消除）形成缺陷、髒污的問 題，並且通常提局選擇率和移除速率。 明顯地，本發明之方法用於含鉑或含其他第二和第三 列第VIII族金屬的材料（如··金屬、合金、氧化物）比用於 表面含其他金屬的材料較爲有利。自含鉑或含其他第二和 第三列第VIII族金屬的層選擇性地移除材料而言，此有其 重要性，例如，此不會移除大量位於下方的層，如：氧化 物層和氮化物層（如：TEOS或BPSG層）。較佳情況中，自 含第二和第三列第VIII族金屬的層移除材料及自含其他金 屬的材料（如：BPSG或TEOS)移除材料之選擇性比是至少約 10 : 1，以約20 : 1至約100 : 1爲佳，此視化學和處理條件 而定。 平坦化組成物可用於漿料平坦化處理（即，在慣用平坦 化法中，平坦化組成物包括磨蝕粒，磨光墊不包括磨蝕粒） 或固定磨鈾平坦化處理。因此，此處所謂的M磨光表面π是指 磨光墊或固定磨蝕物件。較佳情況中，本發明之方法使用 漿料平坦化程序。存在於平坦化組成物中時，以組成物總 重計，此組成物包括的磨蝕粒量以約1重量％至約30重量％ 爲佳，約1重量％至約15重量％更佳。 基本上，較少量的磨蝕粒提供較佳的含第VIII族金屬 表面相對於氧化物層（如：BPSG)之選擇性。但是，通常， 特別金屬的最適選擇性藉由磨鈾粒類型和量、錯合劑類型 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· *11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -15- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A7 _ B7五、發明説明（ 和量及組成物pH的均衡而得。 多種磨蝕粒可用於磨蝕漿料或用於固定磨鈾物件。基 本上，這樣的磨蝕粒顆粒尺寸範圍（即，顆粒最大尺寸）平均 由約10奈米至約5000奈米，更常是約30奈米至約1000奈 米。用於較佳實施例，適當磨蝕粒的平均顆粒尺寸約100 奈米至約300奈米。 適當磨蝕粒的例子包括，但不限於，三氧化二鋁 (Al2〇3)、二氧化矽（Si〇2)、二氧化鈽（Ce〇〇、二氧化鈦（Ti〇2) 、二氧化鉻（Ζι·〇2)、二氧化錳（MnCh)和二氧化鉬（TaCh)。較 佳磨蝕粒包括三氧化二鋁（AhOO、二氧化矽（Si〇2)、二氧化 鈽（CeO〇、二氧化鈦（Ti〇2)和二氧化銷（ZrCh)。有須要時， 可以使用磨鈾粒的各種組合。 較佳情況中，用於某些實施例，磨鈾粒包括硬度不超 過9 Μ q h s者，以不低於約6 Μ 〇 h s爲佳。這些包括，如：硬 度約6Mohs的二氧化铈（Ce〇2)、硬度約9Mohs的三氧化二 銘（A12〇3)和硬度約7 Μ 〇 h s的二氧化石夕（S i〇2)。 根據本發明的某些方法中，較佳情況中，大部分磨蝕 粒（於磨蝕漿料中或於固定磨蝕物件中）是Ce〇2顆粒。此基 本上減少缺陷。根據本發明的某些其他方法中，大部分磨 鈾粒（於磨蝕漿料中或於固定磨鈾物件中）硬度以約8Mohs至 約9Mohs爲佳。此基本上提高移除速率。 用於本發明的其他實施例，就選擇性移除含第VIII族 金屬表面而言，較硬顆粒（如：三氧化二鋁顆粒）與某些錯合 劑（如：有機酸氧化劑）效能優於二氧化鈽或二氧化矽。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） -16- 1252792 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1)3 此平坦化組成物包括錯合劑。此錯合劑基本上於室溫 是固體或液體。其可分散或溶解於平坦化組成物的液態介 質（基本上包括水，但其他溶劑或非溶劑化液態介質亦可用 以代替水或加至水中，如：二醇類）中。 此錯合劑是與第VIII族金屬形成良好配位子的化合物 。形成鉗合配位子的化合物是特別佳者，但此非必要條件 。例如，雖然氫氧化銨是鉑的良好配位子，它不會移除任 何大量金屬。雖然不欲加以限定，但咸信錯合劑與金屬形 成可溶性錯合物和/或將金屬氧化成惰性層，藉此有助於 移除。 適當錯合劑的例子包括有機鉗合酸或它們的鹽、環狀 二烯和胺。適當有機鉗合酸的例子包括，但不限於，醋酸 、抗壞血酸、檸檬酸、丙烯酸、酒石酸、丁二酸。適當環 狀二烯的例子可爲經取代或未經取代者，包括1，5-環辛二 烯（COD)和1，5-二甲基-1，5-環辛二烯。適當有機胺的例子包 括乙胺（EtNH2)、甲胺（MeNH2)、三乙胺（EbN)和三甲胺 (Me3N)。有須要時，可使用錯合劑的各種組合。較佳錯合 劑包括醋酸和其鹽（如：醋酸鈉）。 以組成物總重計，組成物中的錯合劑量以至少約〇.〇1 重量％爲佳，不超過10重量％較佳，約〇. 〇 5 %至約5重量％ 最佳。 用於各種所欲效果，平坦化組成物可視情況地包括氧 化劑以有助於平坦化作用並以此爲佳。適當平坦化組成物 揭示於申請人於2001年12月21日提出申請之目前審理中 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） -17- 1252792 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 的美國專利申請案第1 0/028,249號中，其標題爲METHODS FOR PLANARIZATION OF GROUP VIII METAL-CONTAINING SURFACES USING OXIDIZING AGENTS(使用氧化劑使含第 VIII族金屬之表面平坦化的方法）；及2001年12月21日提 出申請的美國專利申請案第1 0/032,357號，其標題爲 METHODS FOR PLANARIZATION OF GROUP VIII METAL-CONTAINING SURFACES USING OXIDIZING GASES(f|gfflM 有氧化力的氣體使含第VIII族金屬之表面平坦化的方法）。 此氧化劑以相對於251標準氫電極之標準氧化力至少 約1.4者爲佳。例子包括過氧化物（如：過氧化氫）、硝酸鹽 (如：硝酸銨鈽（（NH4)2Ce(N〇3)6)和硝酸鈽（Ce(N〇3)〇)、過錳 酸鹽（如：KMnOO、溴酸鹽（如·· KBr〇〇、過氯酸鹽（如： KC100、次氯酸鹽（如：HC10和KC1Q)或它們的組合。較佳 氧化劑包括過氧化氫、硝酸銨鈽、硝酸鈽和過錳酸鉀。組 成物中的氧化劑量以不超過10重量％爲佳，約0.1 %至約1 重量％更佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦可含括其他添加劑用於所欲效果。這些包括，但不 限於’界面活性劑（如：聚乙二醇、聚氧乙二醚或聚丙二醇） 以增進潤濕性和降低磨擦力、稠化劑（如：CARBOPOL)以達 到所欲黏度、緩衝劑（如：H2S〇4、NH4〇H、醋酸鹽和醋酸） 以達到所欲pH..等。此組成物以這些組份的水溶液爲佳。 含水的平坦化組成物具有酸性pH更佳。 平坦化組成物的各種組份於液態介質中合倂及混合。 不同組份可溶解或分散於液態介質中，其基本上包括水， 紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -18- 1252792 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ___B7五、發明説明（1)5 但可視所須地包括有機溶劑。或者，有相容問題或儲存問 題時’平坦化組成物的各種組份可於平坦化位置合倂。此 包括用以形成漿料的任何磨蝕粒。 用於某些實施例，平坦化組成物包括許多磨蝕粒。用 於其他實施例，施用於固定磨蝕物件和工件表面介面時， 平坦化組成物基本上無磨蝕粒。但在後者中，平坦化處理 藉固定磨蝕物件和/或磨蝕粒（於固定磨蝕劑/表面界面處 自固定磨蝕物件移出而與平坦化組成物合倂）之一或二者完 成。任何情況中，基本上，磨蝕粒於初施用時並未存在於 組成物中，即，它們不是由磨光介面以外的來源施用。 根據本發明之方法以於大氣壓和約40°F (約4°C )至約 145°F (約 63°C )施用爲佳，約 75°F (24°C )至約 115°F (46t )施 用更佳。但在許多情況中，以固定磨蝕物件使第VIII族金 屬平坦化的期間內，希望溫度維持於或低於常溫。此於漿 料平坦化處理（即，慣用平化法，其中，平坦化組成物包括 磨蝕粒）時通常難實行，此處，較低漿料溫度會使得在平坦 化處理期間內，磨蝕粒於漿料組成物中的分散性欠佳。據 此，漿料平坦化處理期間內基本上使用提高溫度。 實施本發明之方法的各種平坦化組合品或單元易取得 並由所附申請專利範圍中描述之本發明範圍淸楚界定。這 樣的平坦化組合品可以各種方式（如：旋轉、移動、壓力.. 等）形成介於磨光墊或固定磨蝕物件和底質表面（如：晶圓表 面）之間的界面，以達到平坦化效果。平坦化組成物基本上 以各種方法（如：浸泡、噴灑或其他分佈裝置或藉事先浸泡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -19- 1252792 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（life 磨光墊）引至介面或接近介面處，但也可以使用其他引入位 置和方法。 在典型平坦化機械中，磨光墊或固定磨触物件固定於 平台或桌面上，載體組合品包括底質支撐物以承載底質（如 :晶圓）（基本上利用抽氣）和驅動組合品於平坦化處理期間 內旋轉和/或平台往復和/或驅動組合品旋轉和/或移動 底質支撐器。因此，慣用平坦化機械旋轉載體組合品、磨 光墊或固定磨蝕物件或載體組合品和磨光墊或固定磨蝕物 件。通常，平坦化機械用以於底質表面製造平坦化反應產 物，底質硬度不及磨鈾粒硬度，底質黏著力不及原始表面 材料；及使用磨蝕粒移除反應產物。 基本上，磨光墊（有或無磨蝕粒埋於其中）是碟狀並可繞 著固定平面和軸以穩定或變化速率旋轉。基本上，旋轉速 率由約2rpm至約200rpm。 基本上，磨光墊經事先浸泡並持續以平坦化組成物再 度潤濕。如果磨光墊沒有磨蝕粒埋於其中，此平坦化組成 物包括磨蝕粒，下文中將其稱爲磨蝕漿料。此平坦化組成 物可以各種技巧施用於磨光墊和底質表面之間的介面。例 如，組成物的組份分別施用並於介面混合或立刻與界面接 觸。此平坦化組成物可藉抽取通過墊的方式施用。或者， 可以施用於墊的邊緣，雖然此可能無法使得平坦化組成物 均勻遍佈於欲平坦化的整個平面（遍佈於欲平坦化的整個平 面爲所欲者）。 磨光墊可爲多種與磨蝕漿料倂用之慣用磨光墊中之任 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1252792 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ________ B7五、發明説明（iy 何者。它們可製自如：聚胺基甲酸乙酯、聚酯、丙烯酸、 丙烯酸酯共聚物、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、纖維素 、纖維素酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚矽氧烷、聚碳酸酯、 環氧化物、酚醛樹脂..等。它們包括，如··以聚胺基甲酸乙 酯爲基礎的泡沬材料，其中，墊的泡沫槽壁有助於晶圓表 面的反應產物之移除，墊中的孔洞有助於將漿料施用於墊 /晶圓介面。它們可包括凸起或下凹輪廓，其可藉由在表 面圖案上形成浮雕而形成。例如，磨光墊的墊表面上可具 有集中橢圓連續溝槽，以便漿料的更均勻輸送和更有效的 碎物移除。商用磨光墊可以是註冊名稱爲"URII"、 "Sycamore"和''Polytexn(得自 Rodel，Phoenix，AZ)者。磨光墊 的例子亦揭示於美國專利案第6,039,633號（Chopra)。 通常，固定磨鈾物件包括許多磨蝕粒分散於黏合劑中 ，形成三維固定磨蝕構件黏合於一個背襯材料表面上。此 述於，如，美國專利案第5,692,950號（Rutherford等人）和 國際專利案W098/06541號。市售固定磨蝕物件可得自 Tokyo Sumitsu Kageki(日本）和 Ebera Corporation(日本）及 Minnesota Mining and Manufactruing Company(3M 公司）of St.Paul，MN。較佳固定磨蝕物件例是以二氧化鈽爲基礎的 墊，其爲3M公司之註冊名稱爲"SWR 159"的市售品。這樣 的固定磨蝕物件可與此處所述具有或不具有磨蝕粒的平坦 化組成物倂用。 非常希望磨光速率（即，自底質移除材料的速率）高，以 縮短各次平坦化循環的時間，以整個底質的磨光速率均勻 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 1^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -21 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A7 ______B7五、發明説明（1)3 爲佳’以製得均句的平表面。磨光速率經控制以提供精確 、可再製結果爲佳。此外，平坦化法以單次循環（g卩，單步 驟）進行爲佳。亦即，用以自特別表面移除任何材料，僅一 個平坦化循環而沒有居間的沖洗循環。基本上，此平纟曰化 法之後是平坦化法後淸潔程序，其中，未使用磨蝕粒。 附圖提供關於本發明之方法的進一步資訊。附圖1 A所 示者是經本發明之平坦化處理之前的晶圓10的一部分，其 輪廓充滿欲藉平坦化處理移除的材料。晶圓部分1 0包括有 接合點1 6形成於其上的底質組合品1 2。之後，電容器和/ 或阻擋層材料19形成於底質組合品1 2和接合點1 6上。電 容器和/或阻擋層材料19可以是任何傳導材料（如··鉑或任 何其他適當傳導性含第二或第三列第VIII族金屬的電容器 和/或阻擋材料）。通常，如附圖1A所示者，電容器和/ 或阻擋層材料19的非平坦上表面13被施以根據本發明之 平坦化處理或其他處理。所得晶圓10示於附圖1B，其包括 經平坦化處理的上表面17，使得整個晶圓1〇厚度實質上均 勻’使得晶圓現包括電容器和/或阻擋結層14。 附圖2A所示者是經本發明之平坦化處理之前的晶圓2〇 的一部分’其輪廓具有欲藉平坦化處理移除材料的小塊區 域層。晶圓20包括有具圖案的介電層26形成於其上的底 質組合品22。這樣的具圖案介電層26可用於多種構造，特 別是電容器構造。具圖案的介電層26可製自能夠提供金屬 區域之間之絕電性的任何材料，如：二氧化矽、氮化矽或 BBSG。之後，電極層29形成於底質組合品22和具圖案的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -22- 1252792 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（1)9 介電層26之上。電極層29的非平坦上表面23被施以根據 本發明之平坦化處理或其他處理。所得晶圓20示於附圖2B ’其包括經平坦化處理的上表面27，使得整個晶圓20厚度 貫質上均勻’使得晶圓現包括導電區域24與具圖案的介材 料26隔開，形成電容器構造。有須要時，在平坦化處理之 前，電極層29和開口 24覆以光阻物或其他材料，其於平 坦化處理之後移除，使得磨蝕物不會掉入開口 24中。 所示這些附圖僅用以顯示板導體裝置製造中的不均句 表面（如··高度差）。本發明不限於使用附圖所示非平坦表面 。本發明亦可有利地用於實質上平坦表面。例如，根據本 發明之方法在整體平坦化法期間內也有助益，即使經平坦 化處理的表面實質上爲平坦狀態亦然。 下列實例用以進一步說明不同的特定和較佳實施例和 技巧。但應瞭解能夠在本發明範圍內作出許多變化和修飾 〇 實例 實例1 自含有2700埃鉑覆層的晶圓上切下試樣。在任何磨光 之前，測定（四點測定）樣品上的數個位置的電阻値，薄層電 阻値與金屬厚度成正比。將0.5毫升冰醋酸和80毫升去離 子水加至20毫升含Ah〇3作爲磨蝕劑的Rodel CMP漿料 (GRANITE MSW2000 Part A)中而製得漿料。樣品固定於位 於Beuhler Minimet 1000磨光物上的載體上，並於Rodel磨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -23- 1252792 A7 _______ B7_ 五、發明説明（2)3 光墊上藉由添加數毫升製得的漿料磨光。使用丨5磅壓力和 50i:pm速率進行磨光處理。2分鐘之後，沖洗和乾燥樣品， 再度測定薄層電阻値。由最高薄層電阻値（四點測定）計算估 計移除125埃膜（或者移除速率約62.5埃/分鐘）。用以比 較’相同漿料未添加冰醋酸時，類似樣品的薄層電阻値變 化極微，僅形成刮痕和膜的一些區域與底質層離。此外， 沒有醋酸的漿料與含醋酸的漿料對於鉑及位於下方的氧化 物膜之選擇率是約1 : 1相對於6 : 1。 實例2 自含有2700埃鉑覆層的晶圓上切下試樣。在任何磨光 之前，測定（四點測定）樣品上的數個位置的電阻値，薄層電 阻値與金屬厚度成正比。將0.3毫升過氧化氫和0.5毫升冰 醋酸加至80毫升水和20毫升含Al2〇3作爲磨蝕劑的R〇del CMP漿料（GRANITE MS W2000 Part A)中而製得漿料。樣品 固定於位於BeuhlerMinimet 1000磨光物上的載體上，並於 Rodel磨光墊上藉由添加數毫升製得的漿料磨光。使用15 磅壓力和50rpm速率進行磨光處理。2分鐘之後，沖洗和乾 燥樣品，再度測定薄層電阻値。由最高薄層電阻値（四點測 定）計算估計移除293埃膜（或者移除速率約146.5埃/分鐘） 。用以比較，相同漿料未添加過氧化氫和冰醋酸時，類似 樣品的薄層電阻値變化極微，僅形成刮痕和膜的一些區域 與底質層離。對於氧化物的選擇性亦欠佳。僅含過氧化氫 者的移除速率較低且選擇率較差。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~~~ -24- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2》 實例3 自含有2 7 0 0埃銷覆層的晶圓上切下試樣。在任何磨光 之前，測定（四點測定）樣品上的數個位置的電阻値，薄層電 阻値與金屬厚度成正比。將0.5毫升三乙胺加至毫升水 和20毫升含AI2O3作爲磨鈾劑的Rodel CMP裝料（GRANITE MSW2000 Part A)中而製侍紫料。樣品固定於位於Beuhler Minimet 1000磨光物上的載體上，並於Rodel磨光墊上藉由 添加數毫升製得的漿料磨光。使用15磅壓力和50rpm速率 進行磨光處理。2分鐘之後，沖洗和乾燥樣品，再度測定薄 層電阻値。由最高薄層電阻値（四點測定）計算估計移除1 85 埃膜（或者移除速率約92.5埃/分鐘）。用以比較，相同漿 料未添加三乙胺時，類似樣品的薄層電阻値變化極微，僅 形成刮痕和膜的一些區域與底質層離。 實例4 自含有2700埃鉑覆層的晶圓上切下試樣。在任何磨光 之前，測定（四點測定）樣品上的數個位置的電阻値，薄層電 阻値與金屬厚度成正比。將0.5毫升1N抗壞血酸加至80毫 升水和20毫升含AlaCh作爲磨蝕劑的Rodel CMP漿料 (GRANITE MSW2000 Part A)中而製得漿料。樣品固定於位 於Beuhler Minimet 1000磨光物上的載體上，並於Rodel磨 光墊上藉由添加數毫升製得的漿料磨光。使用1 5磅壓力和 5 0rpm速率進行磨光處理。2分鐘之後，沖洗和乾燥樣品， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -25- 1252792 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（紅 再度測定薄層電阻値。由最高薄層電阻値（四點測定）計算估 計移除244埃膜（或者移除速率約122埃/分鐘）。用以比較 ，相同漿料未添加抗壞血酸時，類似樣品的薄層電阻値變 化極微，僅形成刮痕和膜的一些區域與底質層離。 實例5 自含有2700埃鉑覆層的晶圓上切下試樣。在任何磨光 之前，測定（四點測定）樣品上的數個位置的電阻値，薄層電 阻値與金屬厚度成正比。將0.5毫升三乙胺和0.5毫升1N 抗壞血酸加至80毫升水和20毫升含Al2〇3作爲磨蝕劑的 Rodel CMP 漿料（GRANITE MSW2000 Part A)中而製得漿料。 樣品固定於位於BeuhlerMinimet 1000磨光物上的載體上， 並於Rodel磨光墊上藉由添加數毫升製得的漿料磨光。使用 15磅壓力和50rpm速率進行磨光處理。2分鐘之後，沖洗 和乾燥樣品，再度測定薄層電阻値。由最高薄層電阻値（四 點測定）計算估計移除462埃膜（或者移除速率約231埃/分 鐘）。用以比較，相同漿料未添三乙胺和抗壞血酸時，類似 樣品的薄層電阻値變化極微，僅形成刮痕和膜的一些區域 與底質層離。 實例6 自含有2700埃鉑覆層的晶圓上切下試樣。在任何磨光 之前’測定（四點測定）樣品上的數個位置的電阻値，薄層電 阻値與金屬厚度成正比。將1.0毫升1，5-二甲基-1，5-環辛二 批衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 1252792 A7 B7 五、發明説明（2)3 少希加至80毫升水和20毫升含Al2〇3作爲磨蝕劑的Rodel CMP漿料（GRANITE MSW2000 Part A)中而製得漿料。樣品 固定於位於Beuhler Minimet 1000磨光物上的載體上，並於 Rodel磨光墊上藉由添加數毫升製得的漿料磨光。使用15 磅壓力和50rpm速率進行磨光處理。2分鐘之後，沖洗和乾 燥樣品，再度測定薄層電阻値。由最高薄層電阻値（四點測 定）計算估計移除249埃膜（或者移除速率約124.5埃/分鐘) 。用以比較，相同漿料未添加1，5-二甲基-1，5-環辛二烯時 ，類似樣品的薄層電阻値變化極微，僅形成刮痕和膜的一 些區域與底質層離。 之前的詳細描述和實例僅用以使讀者更瞭解本發明。 應暸解其未衍生出不必要的限制。本發明不限於所示和所 描述的確實細節，嫻於此技術者瞭解的變化含括於申請專 利範圍定義範圍內。例如，前述描述針對以半導體爲基礎 的底質之平坦化處理，本發明之組成物和方法亦可用於’ 如··磨光玻璃和隱形眼鏡，此爲許多其他可能應用之一。 茲將此處所列所有專利案、專利文件和文獻列入參考’亦 將其中各者列入參考。 (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
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Claims (1)

  1. 1252792 六、申請專利範圍 附件2A、： 第9 1 1 3 5 5 6 1號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 94年12月9日修正 1·一種平坦化方法，其特徵爲其包含： 將底質之含弟VIII族金屬的表面置於磨光表面介面， 其中第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的 組合； 供應平坦化組成物至接近介面處；及 使含第VIII族金屬的表面平坦化； 其中平坦化組成物包含錯合劑，其係選自環狀二烯、 有機胺和它們的組合；且其中該有機胺係選自乙胺、甲胺 、三乙胺、三甲胺和它們的組合。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中第VIII族金屬 存在量約50原子％或以上。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中底質之含第 VIII族金屬的表面所包含的第VIII族金屬爲元素形式或其 合金形式。 4·如申請專利範圍第3項之方法，其中含第VIII族金 屬的表面包含元素態鉑或鉑合金。 5.如申請專利範圍第4項之方法，其中含第VIII族金 屬的表面包含元素態鉑。 6·—種平坦化方法，其特徵爲其包含： 將底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） n 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍2 其中第VIII族金屬選自鍺、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的 組合； 供應平坦化組成物至接近介面處；及 使含第VIII族金屬的表面平坦化； 其中平坦化組成物包含約0.1重量％至約10重量％之錯 合劑，其係選自環狀二烯、有機胺和它們的組合； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑；且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中氧化劑選自過氧 化物、硝酸鹽、過錳酸鹽和它們的組合。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中磨光表面包含磨 光墊，平坦化組成物包含許多磨蝕粒。 9·如申請專利範圍第1項之方法，其中平坦化組成物包 含大部分硬度不超過9M〇hs的磨蝕粒。 1 0·如申請專利範圍第9項之方法，其中大部分磨蝕粒 包含Ce02、Al2〇3、Si02或它們的組合。 11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中底質是半導體 底質或底質組合品。 12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中移除含第VIII 族金屬的表面與氧化物層的選擇率比至少約1 0 : 1。 13·如申請專利範圍第1項之方法，其中環狀二烯選自 1，5-環辛二烯（COD)、1，5-二甲基-1,5-環辛二烯和它們的組 合。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐）-Z " 一 : -------^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A8 B8 C8 D8 ________ 六、申請專利範圍3 14·如申請專利範圍第1項之方法，其中磨光表面包含 固定磨蝕物件。 15· —種平坦化方法，其特徵爲其包含： 將底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面’ 其中第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鈾和它們的 組合； 供應平坦化組成物至接近介面處；及 使含第VIII族金屬的表面平坦化； 其中平坦化組成物包括有機胺和有機鉗合酸或其鹽； 且其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和它 們的組合。 16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中第VIII族金 屬存在量約5 0原子％或以上。 17. 如申請專利範圍第15項之方法，其中含第VIII族 金屬的表面包含元素態鉑。 1 8.如申請專利範圍第1 5項之方法，其中平坦化組成物 尙包含氧化劑。 1 9.如申請專利範圍第1 8項之方法，其中氧化劑選自過 氧化物、硝酸鹽、過錳酸鹽和它們的組合。 20.如申請專利範圍第15項之方法，其中磨光表面包含 磨光墊，平坦化組成物包含許多磨蝕粒。 2 i .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中平坦化組成物 包含大部分硬度不超過91^01^的磨纟虫粒。 22.如申請專利範圍第21項之方法，其中大部分磨蝕粒 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4絲（210X^7公瘦)^ ----,-----^------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 包含Ce02、a1203、Si02或它們的組合。 23·如申請專利範圍第15項之方法，其中底質是半導體 底質或底質組合品。 24·如申請專利範圍第i 5項之方法，其中有機鉗合酸選 自醋酸、抗壞血酸、檸檬酸、丙烯酸、酒石酸、丁二酸和 它們的組合。 2 5 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中磨光表面包含 固定磨蝕物件。 26.—種平坦化方法，其特徵爲其包含： 將底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面， 其中第VIII族金屬選自鍺、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的 組合， 供應平坦化組成物至接近介面處；及 使含第VIII族金屬的表面平坦化； 其中，平坦化組成物包括磨蝕粒和錯合劑；此外，其 中大部分磨蝕粒是Ce〇2磨蝕粒； 其中錯合劑係選自有機鉗合酸、有機胺、環狀二烯和 它們的組合；且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 27·如申請專利範圍第26項之方法，其中第VIII族金 屬存在量約50原子％或以上。 28·如申請專利範圍第26項之方法，其中含第.VIII族 金屬的表面包含元素態釕。 4^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐）_ 4 _ ： "" ----,------^------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1252792 ABCD 六、申請專利範圍5 2 9·如申請專利範圍第26項之方法，其中平坦化組成物 尙包含氧化劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 30·如申請專利範圍第26項之方法，其中有機鉗合酸選 自醋酸、抗壞血酸、檸檬酸、丙烯酸、酒石酸、丁二酸和 它們的組合。 3 1·如申請專利範圍第26項之方法，其中環狀二烯選自 1，5-環辛二烯（C0D)、丨，^二甲基- ：ι，5-環辛二烯和它們的組 合。 3 2 ·如申請專利範圍第2 6項之方法，其中磨光表面包含 磨光墊。 3 3.—種平坦化方法，其特徵爲其包含： 將底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面， 其中第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的 組合； 供應平坦化組成物至接近介面處；及 使含第VIII族金屬的表面平坦化； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，平坦化組成物包括錯合劑，選自環狀二烯、乙 胺、甲胺、三乙胺、三甲胺、醋酸、抗壞血酸、丙烯酸、 丁二酸、醋酸鹽、抗壞血酸鹽、丙烯酸鹽、丁二酸鹽、及 它們的組合；及 此外，其中此方法以單步驟進行。 3 4.—種平坦化方法，其特徵爲其包含： 將底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面， 其中第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉛和它們的 ^紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格（210X297公釐）-5 - ' ： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A8 B8 C8 ________ 08 六、申請專利範圍6 組合； 供應平坦化組成物至接近介面處；及 使含第VIII族金屬的表面平坦化； 其中平坦化組成物包含約0.1重量％至約1 0重量％之錯 合劑，其係選自環狀二烯、有機胺及它們的組合； 此外，其中此方法以單步驟進行； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑；且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 35· —種平坦化方法，其特徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，包括至少一個含 鉑表面的區域； 提供一個磨光表面； 於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的介面提 供一種平坦化組成物；及 使至少一個含鉑表面的區域平坦化； 其中平坦化組成物包含錯合劑，其係選自環狀二烯、 有機胺和它們的組合；且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 36. —種平坦化方法，其特徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，包括至少一個含 鉑表面的區域； 提供一個磨光表面； 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-6 - ： -------^------1T------0 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 1252792 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍7 於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的介面提 供一種平坦化組成物；及 使至少一個含鉑表面的區域平坦化； 其中平坦化組成物包含約〇· 1重量％至約1 〇重量％之錯 合劑，其係選自環狀二烯、有機胺及它們的組合； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑；且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 3 7.—種平坦化方法，其特徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，包括至少一個含 鉑表面的區域； 提供一個磨光表面； 於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的介面提 供一種平坦化組成物；及 使至少一個含鈾表面的區域平坦化； 其中平坦化組成物包含有機胺和有機鉗合酸或其鹽； 且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 3 8·如审請專利範圍第37項之方法，其中平坦化組成物 尙包含氧化劑。 39. —種平坦化方法，其特徵爲其包含： 提供一種半導體底質組合品，包括至少一個含鉑表面 的區域； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-7 - n I !, ' I 11 I— 11111 n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ABICD 1252792 六、申請專利範圍8 提供一個磨光表面； 於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的介面提 供一種平坦化組成物；及 使至少一個含鉑表面的區域平坦化； 其中平坦化組成物包括磨蝕粒和錯合劑；及 此外，其中，大部分磨蝕粒是Ce02-蝕粒；及 其中錯合劑係選自有機胺、環狀二烯和它們的組合； 且 ， 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 40.如申請專利範圍第39項之方法，其中平坦化組成物 尙包含氧化劑。 4 1.如申請專利範圍第39項之方法，其中磨光表面包含 磨光墊。 42.—種平坦化方法，其特徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，包括至少一個含 鉑表面的區域； 提供一個磨光表面； 於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的介面提 供一種平坦化組成物；及 使至少一個含鉑表面的區域平坦化； 其中平坦化組成物包含錯合劑，其係選自環狀二烯、 乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺、醋酸、抗壞血酸、·丙烯酸 、丁二酸、醋酸鹽、抗壞血酸鹽、丙烯酸鹽、丁二酸鹽、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-8 - ----.------装------1T------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 AB3CD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍9 及它們的組合；及 此外，其中此方法以單步驟進行。 43·—種平坦化方法，其特徵爲其包含·· 提供一種半導體底質或底質組合品，包括至少一個含 鉑表面的區域； 提供一個磨光表面； 於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的介面提 供一種平坦化組成物；及 （ 使至少一個含鉑表面的區域平坦化； 其中平坦化組成物包含約0.1重量％至約1 0重量％之錯 合劑，其係選自環狀二烯、有機胺及它們的組合； 此外，其中此方法以單步驟進行； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑；且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 44.一種用以形成電容器或阻擋層的平坦化方法，其特 徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具圖案的 介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案的介電 層上，其中第VIII族金屬選自铑、銥.、釕、餓、鈀、鉑和 它們的組合； 使磨光表面的的第一個部分與含第VIII族金屬的層接 艦 · m ， 供應平坦化組成物至接近磨光表面與含第VIII族金屬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董）-9 - ' -----：-----^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 8 8 8 ABCD 1252792 六、申請專利範圍 的層接觸之處；及 使含第VIII族金屬.的層平坦化； . _ 0-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中平坦化組成物包括錯合劑，其係選自環狀二_ ' 有機胺和它們的組合；且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和1 它們的組合。 4 5.—種用以形成電容器或阻擋層的平坦化方法，其特 徵爲其包含： . 提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具圖案的 介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案的介電 層上，其中的第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉛 和它們的組合； 使磨光表面的的第一個部分與含第VIII族金屬的層接 觸； 線 供應平坦化組成物至接近磨光表面與含第VIII族金屬 的層接觸之處；及 使含第VIII族金屬的層平坦化； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中平坦化組成物包含約〇·1重量％至約10重量％之錯 合劑，其係選自環狀二烯、有機胺及它們的組合； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑；.且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 46.—種用以形成電容器或阻擋層的平坦化方法，其特 徵爲其包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-1〇 - ABICD 1252792 六、申請專利範圍11 提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具圖案的 介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案的介電 層上，其·中第VIII族金屬選自鍺、銥、釕、餓、鈀、鉑和 它們的組合； 使磨光表面的的第一個部分與含第VIII族金屬的層接 觸； 供應平坦化組成物至接近磨光表面與含第VIII族金屬 的層接觸之處；及 使含第VIII族金屬的層平坦化； 其中平坦化組成物包括有機胺和有機鉗合酸或其鹽； 且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 47. 如申請專利範圍第46項之方法，其中平坦化組成物 尙包含氧化劑。 48. —種用以形成電容器或阻擋層的平坦化方法，其特 徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具圖案的 介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案的介電 層上，其中的第VIII族金屬選自铑、.銥、釕、餓、鈀、鉑 和它們的組合； 使磨光表面的的第一個部分與含第VIII族金屬的層接 觸； 供應平坦化組成物至接近磨光表面與含第VIII族金屬 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-11 _ ^¾1T------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1252792 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍12 的層接觸之處；及 使含第VIII族金屬的層平坦化； 其中，平坦化組成物包括磨蝕粒和錯合劑； 此外，其中大部分磨蝕粒是Ce02磨蝕粒； 其中該錯合劑係選自有機胺、環狀二烯和它們的組合 :且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 49.如申請專利範圍第48項之方法，其中平坦化組成物 尙包含氧化劑。 - 5〇·如申請專利範圍第48項之方法，其中磨光表面包含 磨光墊。 5 1.—種用以形成電容器或阻擋層的平坦化方法，其特 徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具圖案的 介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案的介電 層上，其中第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉑和. 它們的組合； 使磨光表面的的第一個部分與含第VIII族金屬的層接 觸； 供應平坦化組成物至接近磨光表面與含第VIII族金屬 的層接觸之處；及 使含第VIII族金屬的層平坦化； 其中平坦化組成物包括錯合劑，其係選自環狀二烯、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --------^------1T------線、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1252792 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍13 乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺、醋酸、抗壞血酸、丙烯酸 、丁二酸、醋酸鹽、抗壞血酸鹽、丙烯酸鹽、丁二酸鹽、 及它們的組合；及 此外，其中此方法以單步驟進行。 5 2 .如申請專利範圍第5 1項之方法，其中磨光表面包含 磨光墊。 5 3.如申請專利範圍第51項之方法，其中磨光表面包含 固定磨蝕物件。 54·—種用以形成電容器或阻擋層的平坦化方法，其特 徵爲其包含： · 提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具圖案的 介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案的介電 層上，其中的第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉑 和它們的組合； 使磨光表面的的第一個部分與含第VIII族金屬的層接 觸； 供應平坦化組成物至接近磨光表面與含第VIII族金屬· 的層接觸之處；及 使含第VIII族金屬的層平坦化； 其中平坦化組成物包含約0.1重量％至約10.重量％之錯 合劑，其係選自環狀二烯、有機胺及它們的組合； 此外，其中此方法以單步驟進行； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑； 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 ---：------装—— (請先閲讀背面之注意事項存填寫本萸) 訂 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） -13- 1252792 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍14 它們的組合。 55·—種平坦化方法，其特徵爲其包含： 將底質之含第VIII族金屬的表面置於磨光表面介面， 其中第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉑和它們的 組合； 供應平坦化組成物至接近介面處；及 使含第VIII族金屬的表面平坦化； 其中平坦化組成物包含錯合劑，其係選自環狀二烯、 有機胺和它們的組合； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑，其量爲不超過約1 〇. 重量％ :且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 5 6.如申請專利範圍第55項之方法，其中錯合劑以不超 過約10重量％之量存在。 57.如申請專利範圍第56項之方法，其中錯合劑以約 0.5重量％至約5重量之量存在。 5 8 .如申請專利範圍第5 5項之方法，其中氧化劑以約 0.1重量％至約1重量％之量存在。 59.—種平坦化方法，其特徵爲其包含= 提供一種半導體底質或底質組合品，包括至少一個含 鈾表面的區域； 提供一個磨光表面； 於至少一個含鉑表面的區域和磨光表面之間的介面提 本紙張尺度適用中國國家禚準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 14 - ^ ^------1T------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1252792 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍15 供一種平坦化組成物；及 使至少一個含鈾表面的區域平坦化； 其中平坦化組成物包含錯合劑，其係選自環狀二_ ' 有機胺和它們的組合； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑，其量爲不超過約1 〇 重量％ ;且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 60·如申請專利範圍第59項之方法，其中錯合劑以不超 過約1〇重量％之量存在。 6 1.如申請專利範圍第60項之方法，其中錯合劑以約 0.5重量％至約5重量％之量存在。 62·如申請專利範圍第59項之方法，其中氧化劑以約 0.1重量°/。至約1重量％之量存在。 63·—種用以形成電容器或阻擋層的平坦化方法，其特 徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具圖案的 介電層形成及含第VIII族金屬的層形成於此具圖案的介電 層上，其中的第VIII族金屬選自铑、銥、釕、餓、鈀、鉛 和它們的組合； 使磨光表面的的第一個部分與含第VIII族金屬的層接 觸； 供應平坦化組成物至接近磨光表面與含第VIII族金g 的層接觸之處；及 本纸張尺度適用中國國家糯準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ >|5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 、1T 1252792 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍16 使含第VIII族金屬的層平坦化； 其中平坦化組成物包含錯合劑，其係選自環狀二烯、 有機胺和它們的組合； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑，其量爲不超過約1 〇 重量％ ;且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 它們的組合。 64.如申請專利範圍第63項之方法，其中錯合劑以不超 過約10重量％之量存在。 6 5.如申請專利範圍第64項之方法，其中錯合劑以約 0.5重量％至約5重量％之量存在。 66.—種用以形成電容器或阻擋層的平坦化方法，其特 徵爲其包含： 提供一種半導體底質或底質組合品，其上有具圖案的 介電層形成及含鈾的層形成於此具圖案的介電層上； 使磨光表面的的第一個部分與含鈾的層接觸； 供應平坦化組成物至接近磨光表面與含鉑的層接觸之. 處；及 使含鉑的層平坦化； 其中平坦化組成物包含錯合劑，其係選自環狀二烯、 有機胺和它們的組合； 其中平坦化組成物尙包含氧化劑，其量爲不超過約1 〇 重量％ ;且 其中該有機胺係選自乙胺、甲胺、三乙胺、三甲胺和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 1252792 ABCD 六、申請專利範圍17 它們的組合。 67. 如申請專利範圍第66項之方法，其中氧化劑以約 0.1重量％至約1重量％之量存在。 68. 如申請專利範圍第66項之方法，其中錯合劑以不超 過約10重量％之量存在。 69. 如申請專利範圍第68項之方法，其中錯合劑以約 0.5重量％至約5重量％之量存在。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ _
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