TWI251723B - Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

1251723 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於一種用於一微影裝置之校準方法及—壯 製造方法。 衣 【先前技術】 ^微影裝置係-施加所需圖案於—基板目標物部分上之 ’例如’微影裝置可詩積體電路（lCs)、平面型顯示 器及牽涉到精細結構之其他裝置之製造中，精細結構即如 微電機系統(MEMS)。在習知微影裝置中，一另可稱為光罩 或主光罩之圖案化裝置可以產生—對應於mc(或其他裝 置）之個別層之電路圖案，而此圖案可以成像於位在—基板 (曰例如一矽晶圓或玻璃板)上之目標物部分(例如包含一或多 米之邠刀）上，該基板具有一層輻射敏感性材料（光 阻）。除了光罩，圖案化裝置可以包含一可個別控制元件陣 列’用於產生電路圖案。 、" 單基板包含一整個網狀系統的相鄰目標物部 77且其依序曝光。習知微影裝置包括俗稱之步進機，立 中每個目標物部分係利用一次將該整個光罩圖案曝光到該 目標物部分上來輻射，及俗稱之掃描裝置，其中每個目標 物的#*射係利用在—既定方向（"掃描”方向），透過該投 射光束下漸進地掃描該光罩圖案，而同步地以平行於或反 平行於該方向掃描該基板。 /在-微影裝置中，基板平台通常可移動，且其在一座標 系、”先内之位置可以極準確地得知及控制，例如利用干涉量 94044.doc !251723 刿衣置。同樣地，若可個別控制元件陣列可移動，且其在 一（不同）座標系統内之位置亦可以極準確地量火 虽然，可 個別控制元件陣列内之任一可定址像素之座標即可極準確 地界定。惟，儘管已有許多相關於在微影投影裝置内使用 可個別控制元件陣列之提案問世，但是鮮少相關於心決 定可個別控制元件陣列座標系統與基板平台座標系统之間 關係之校準方法之資訊，當然，此校準方法是必要的，以 利於將-基板上特定位置之圖形成像於基板平台上，以得 知將該圖形產生於可個別控制元件陣列上之何處。 于 目前有欠缺決定座標校準之已知特定程序的：題，若盈 之校準方法，則會有更多問題，例如校準可能花 =長日』’例如因為料之可個別控制元件陣列係由數 個需权準之可動式面鏡組成時。若未正確執行校準， =广此圖案問題。關於校準之另一問題在於某些微 二又=置’晶圓平台及/或可個別控制元件陣列係經掃 二其在圖案曝光期間呈運動狀態，且照明系統可以脈 =連问空間性校準皆需校準出輕射脈衝相關於可動 之每’因為㈣脈衝之—觸發信號與輕射脈衝 之只際放射之間可能有延遲。 【發明内容】 以上任一問題之校準 本發明之一目的在提供一種可解決 方法。 、 影，其提供-種使用於， 94044.doc 1251723 -一照明系統’其用於供給一輻射之投射光束； 一可個別控制元件陣列，其以一圖案施加於該投射光束 之截面； -一基板平台，其用於固定一基板；及 -一投影系統’其用於投射該已圖案化光束到該基板之一 目標物部分上， 該方法包含： 利用可個別控制元件陣列產生一圖案； 將一輻射感測器提供於基板平台； 放射輻射以產生一圖案影像於基板平台； 移動彼此相對之該所生圖案與基板平台至少一者，以利 相對於感測器而移動該影像； 利用感測器偵測輻射強度；及 其特徵在 根據所偵測之強度及可個別控制元件陣列與基板平台之 位置而計算一校準，以建立可個別控制元件陣列座標系統 之座標與基板平台座標系統之座標之間之關係。 依本發明之另一項内容所示，其提供一種裝置製造方 法，包含： -提供一基板； -使用一照明系統以提供一輻射之投射光束； -使用一可個別控制元件陣列，以一圖案施加於該投射光 束之截面，及 -將該已圖案化光束投射到該基板之一目標物部分上； 94044.doc 1251723 以取得校準資 種用於控制一微 述界定方法之碼 其特徵在執行如前述界定之校準方法 机，及 關之該基板與可個別控制 -利用校準資訊以定位彼此相 元件陣列。 依本發明之又一項内容所示，其提供一 影裝置之電腦程式，其包含用於執行如前 裝置。 本文所用之”可個別控制元件陣列詞應廣義解釋為可 用於使一入射輻射光束具有圖案化橫截面之任意裝置，因 此所而之圖案可產生於基板之一目標物部分内；"光閥" 及”空間性光線調變器”（SLM)等詞亦可用於本文内。此圖案 化裝置之實例包括： -可私控面鏡陣列，此可包含一矩陣定址表面，其具有 一黏彈性控制層及一反射式表面。在此裝置後面所存在的 基本原理係（例如）該反射式表面之定址區域會反射入射光 線以作為繞射光線’而未定址區域則反射入射光線以作為 未繞射光線。使用一適當之空間性濾光器，該未繞射光線 可以從該反射光束中過濾出來，只留下該繞射光線到達基 板，以該方式，該光束係根據該矩陣定址表面之定址圖案 成為圖案化。另者，可以瞭解的是濾光器可以濾出繞射光 線，留下該未繞射光線到達基板。一繞射式光學MEMS裳 置陣列亦可依對應方式使用，各繞射式光學MEMS裝置係 由複數個反射式緞帶構成，其可彼此相對地變形，以形成 一反射入射光線而作為繞射光線之光栅。一可程控面鏡陣 94044.doc 1251723 列之另一實施例係採用微鏡之矩陣配置，藉由施加一適當 局口 f5私昜或疋藉由採用壓電驅動裝置，每個微鏡可以個別 地相對一軸傾斜。再次地，該面鏡係為矩陣可定址，定址 之面鏡即以不同方向反射一進入輻射光束到未定址鏡；以 該方式，該反射光束係根據該矩陣可定址鏡之定址圖案以 圖案化’所要求矩陣定址可以使用適當電子裝置來執行。 在兩種上面所描述之情況中，該圖案化裝置係包含一或更

多可程控面鏡陣列。在此所指位在面鏡陣列上之更多資訊 可見於例如美國專利US 5,29M91、uS 5,523，193，及pCT 專利申請案W0 98/38S97、WO 98/33096，在此以參考方式 併入本文。 一可程控LCD陣列。該架構之範例係提供在美國專利us 5,229,872，其全文在此納入供作參考。 應該瞭解的是雖然其使用圖形之預先偏壓、光學近接校 正特性、相位變化技術及多次曝光技術，例如，，，顯示於，， 可個別控制元件陣列上之圖案實質上仍不同於最終轉移至 基板之一層或基板上之圖案。同樣地，最終產生於基板上 之圖案可能不符於任一瞬間形成在可個別控制元件陣列上 之圖案，此可能發生在最終形成於基板各部分上之圖案係 在一疋時間週期或一定曝光數之例子中，而曝光期間可個 別控制兀件陣列上之圖案及/或基板之相對位置皆改變。 儘管本文之特定參考為微影裝置使用在ICs的製造中，應 該瞭解的1文内所述之微影裝置亦可用於其他應用上，例 如積合式光學系統、磁域記憶體之導引與偵測圖案、平面 94044.doc -10- 1251723 型顯不器、薄膜磁頭、等等之製造。該熟悉技藝者應了解 在该不同應用之背景中，在本文中之術語，，晶圓，，或，，晶粒，， 之任何的使用應該視為可以分別被更普通術語，，基板”或，， 目払物邛分”所取代。本文中之基板可在例如一執跡（即一 型上將一層光阻劑施加於一基板且將曝光之光阻劑顯影 之工具）或一度量衡或檢查工具内曝光之前或後處理，再 者’基板可處理一次以±，例如為了產生多層IC，因此本 文内所用之基板亦可視為一含有多數處理層之基板。 本文内所用之”輕射”及”光束”等詞係涵蓋所有類型的電 磁輻射，包含紫外線（uv)輻射（例如具有4〇8、355、365、 248 193、157或126奈米波長）及極紫外線（EUV)輻射（例如 有5 20奈米波奸以&諸如離子束或電子束等之粒子束。 文内所用之”投影系統”一詞應廣泛地解釋成涵蓋各種類 型的投影系統，包含折射型光學系統、反射型光學系統、 及反射折射混合型光學系統，例如適用於所使用之曝光輻 射’或其他變數，諸如使用浸液或使用真空。A内所使用 之”透鏡”-詞可視為同義於一般，’投影系統，，用詞。 該照明系統亦可包含各種類型的光學組件，包括折射 里反射里及反射折射混合型光學組件，用以引導、塑 形或控制該輻射投射光束，而該組件在文後也可以整體地 或單一地稱作一”透鏡”。 U〜衣置可為具有二（二階段式）或更多基板平台之類 型，在此”多重階段”機器中，該額外平台可以並行地使用， 或在或更夕平台上執行準備步驟，而—或更多其他平台 94044.doc 1251723 則用於曝光。 微影裝置亦可為基板浸入一較高折射指數液體 之類型，以填注投影系統最終元件與基板之間之*門= 液亦可施加於微影裝置内之其他空 B。反 元件陣列與投影系統第一元件之間1二二別控制 增加投影系統數值孔徑之技術。 自°用於 【實施方式】 實施例1 圖1概略地說明本發明特殊實施例之—微影投 裝置包含： $ …、明系統（輻射器）IL，用以提供一輻射（例如^^輻 之投射光束PB ; 一可個別控制A件陣列PPM(例如可程控面鏡陣列），用 以施加一圖案於投射光束；大體上該可個別控制元件陣列 之位置將相對於物件PL而固定；惟，其另可連接於一定位 裝置’用以相對於物件PL而精確定位； -一基板平台（例如晶圓平台）WT，用以支撐一基板（例如 一塗佈光阻的晶圓）W，及連接到—定位裝置pw，用以相對 於物件PL精確定位該基板；及 -一投影系統（”透鏡”）PL，其利用可個別控制元件陣列 PPM以將一施加於投射光束PB之圖案成像在基板w之一目 標物部分C (例如包含—或多晶粒）上；投影系統可將該可個 別拴制元件陣列成像在基板上；另者，投影系統可將二次 光源成像，而該可個別控制元件陣列即做為快門；投影系 94044.doc -12- 1251723 統亦可包含一聚焦元件陣列（習知為ML A)或菲斯涅透鏡陣 列，例如用以形成二次光源及將微光點成像在基板上。 如在此所說明，該裝置是反射型（例如具有一反射型可個 別拴制元件陣列）。然而，其例如亦可是透射型（即具有一透 射型可個別控制元件陣列）。 轄射器IL係自-輻射源S0接收一李昌射光束，該源及微影 I置可為分離之實體，例如當該源為一準直分子雷射時。 在此例子中，該源不視為微影裝置之一部分，且輻射光束 藉由一光束傳送系統BD之助而自源s〇傳送至輻射器α，該 光束傳送系統例如包含適當之導引面鏡及/或一光束擴展 器。在其他例子中，該源可為裝置之—體成型部分，例如 田忒源為一水銀燈時。若有需要，源s〇及輻射器辽連同光 束傳送系統BD可視為一照明系統。 輕射器IL可包含調整裝置賴，以調整光束之強度分佈， 大體上彳调整輪射器成像平自中之強度分佈#至少外部 及/或内部徑向範圍（通常分別稱作為σ外部及σ内部）。此 外:輻射㈣通常包含各種其他組件，諸如_積分器爾 水光為C0。輻射器提供一調整過之輻射光束，稱為投射 光束PB ’其检截面上具有所要求的均勻度及強度分佈。 光束PB接著相父於可個別控制元件陣列，藉由可個 別L制凡件陣列PPM之反射，光束pB通過投影系統，而 將光束PB聚焦在基板，之_目標物部分〇上。藉由定位裝置 PW(及干/歩里測I置IF)的幫助，基板平台资可以精確地移 動，例如可將列目標物部分C定位在光束PB之路徑上。 94044.doc 1251723 使用時，用於可個別控制元件陣列之定位裝置可用以相關 於光束PB之路徑而精確定位可個別控制元件陣列ppM，例 如在一掃描期間。大體上，物體平台WT之移動可以在_ ♦ 程模組（粗略定位）及一短程模組（微細定位）的幫助下實 現，這並未明顯地說明在圖W。一相似系絶亦用於將可個 T控制元件陣列定位，可以瞭解的是投射光束可以變換地/ 額外地移動，同時物體平台及/或可個別控制元件陣列可具 有一固定位置，以提供所需之相對移動。在又一變換型式 中，其特別適用於平面顯示器之製造，物體平台及投影系 統之位置可固t，且I板可配置以相對於基板平台而移 動。例如’基板平台可具有一系、统，用於掃描以一實質上 固定速度通過之基板。 仏官本發明之微影裝置在此揭露為用於曝露一基板上之 光阻，可以瞭解的是本發明並不限於此應用，且裝置可用 於杈心圖案化之投射光束，以用於無光阻之微影裝置。 所述之裝置可以使用在四種較佳模式中： 乂進模式·可個別控制元件陣列施加整個圖案於投射 光束，以利一次投影至一目標物部分C上（即單一靜熊瞧 光）。基板平台WT隨後在乂及/或¥方向上移動，以曝光一不 同目㈣部分C。在步進模式卜曝光之最大尺寸限制 了在單一靜態曝光時成像之目標物部分C之尺寸。

掃描模式·可個別控制元件陣列可在一既定方向中（俗 稱”掃，方向”，例如γ方向）以一速^移動，使投射光束PB 可以掃描在可個別控制元件陣列上；同步地，基板平台WT 94044.doc -14- 1251723 糸冋時地在相同或相反方向以速度v=Mv移動，其Μ係透 鏡PL之倍率。在掃描模式中，曝光範圍之最大尺寸限制了 =-動態曝光時目標物部分之寬度(在非掃描方向中)，而 U運動之長度決^ 了目標物部分之高度（在掃描方向中）。 3·脈衝模式：可個別控制元件陣列基本上保持固定，且 ^個圖案利用—脈衝式㈣源而投影至基板之—目標物部 分〇上。基板平台WT以一基本上固定之速度移動，使投射 光束PB掃描一通過基板,之線。可個別控制元件陣列上之 =案係依需要而在照明系統之脈衝之間更新，且脈衝係定 守使連、’、|丨生之目標物部分c曝露於基板上之要求位置。因 此，投射光束可以掃描過基板，以針對基板之一長條而將 整個圖案曝光。該程序重覆直到整個基板逐線地曝光為止。 4·連續掃描模式：基本上相同於脈衝模式，不同的是其 使用一固定之輻射源，且可個別控制元件陣列上之圖案係 在投射光束掃描通過基板及將之曝光時更新 上述使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式 亦可採用。 本發明之實施例使用一輻射感測器，以收集由可個別控 制元件陣列所產生相關於一圖案之空中影像位置之資訊， 。亥圖案係成像於基板平台附近。此一感測器亦可為習知之 傳輸衫像感測為、或TIS，一傳輸影像感測器插入一相關聯於 基板平台WT之貫體參考表面。在一特殊實施例中，至少一 傳輸影像感測器安裝在一安裝於基板平台WT頂表面之基 準板上，典型上是在欲由晶圓w覆蓋之區域以外。基準板 94044.doc -15- 1251723 係由高穩定性材料構成，且具有極低膨脹係數，例如銦釩 鋼，且其具有一平坦之反射型上表面，可攜載對準過程中 另一基準所使用之標記。 一傳輸影像感測器可用於決定影像之焦點平面之位置， 即決定z方向中之可個別控制元件陣列與基板之相對位 置。本發明之實施例主要相關於校準χγ平面中之可個別控 制7〇件陣列與基板平台之座標，包括在又與丫方向中之位移 及相關於Ζ軸之旋轉。 一傳輸影像感測器之實例為一光點感測器，如圖2所示， 其包含一孔10且設於一光二極體12前方，用於感測通過孔 10之所有輻射。典型上，孔10之尺寸大約相同於微影投影 裝置所欲成像之圖形之最小尺寸。惟，具有極小彳貞測面積 之任意適當感測器皆可使用。一光點感測器可以清楚地用 於建立一影像強度分布圖。 不同形式之感測器，即傳輸影像感測器之變換型式， 其亦可使用本發明之校準方法。可個別控制元件陣列，例 如一微面鏡陣列，其設定以顯示一標記圖案，而在基板平 台上，一光谓測器係由一已形成相同圖案之板覆蓋，並考 慮到投影系統PL之倍率。易言之，圖2中之光點感測器之孔 10係由對應於標記圖案之一孔或複數孔取代。當板内之圖 案重合於由可個別控制元件陣列所產生之標記圖案之影像 時，一大信f虎即由感測器之光偵測器债測。在—變換型式 中’感測器之光二極體12可由—電荷輕合裝置（CCD)取了戈， 且在CCD之所有敏感性元件上以電子式執行整合，或者圖 94044.doc -16- 1251723 案板可予以施配，且CCD上之標記圖案之影像 式執行。 电子 -用於本發明校準程序之適當標記圖案為一或多 及/或垂直柵條’柵條之間距可由校準所使用之感測哭決 定，例如由感測器之解析度或由拇條之間距，其可製於^ 述用以覆蓋光偵測器之板内。 衣、 本發明之此第一實施例之校準方法如下： ⑴-標記圖案產生於可個別控制元件陣列上，其相符於 基板平台上之輻射感測器之圖案，如上所述。 、 尸基板平台移動，使輻射感測器定位於欲產生標記圖案 衫像之區域内。 、（日3)雷射脈衝擊出且在感測器處量測輕射強度，當然，可 以提供及同時使用複數個圖案及輻射感測器。 ❿ W可個別控制元件陣列±之標記圖案：過一定量之像 素，及/或T個別控制元件p車列在其座標系統之\與¥方向中 移動（即可個別㈣元件P車列係可移動式之例子）。 (5) 步驟3及4重覆以收集資料。 (6) 使用軟體以所收隼之眘枓斗曾 木之貝枓5十异可個別控制元件陣列 ^關於基板平台之正確位置，以取得可個別控制元件陣列 相關於基板平台座標系統之準確校準。 此實施例中，基板平台係固定且標記圖案移動以找出 :佳位置，供產生圖案，使其落在輻射感測器上。一粗 :掃掠可先執行以找出標記圖案之概略位置，接著為精細 ，】如以可個別控制元件陣列上僅一像素之增量來移 94〇44.do, -17- 1251723 動標記圖案，以利定出最佳位置。輻射感測器之座標可在 基板平台之座標系統中準確地得知。收集到之資料指定一 標圮圖案應該產生於可個別控制元件陣列之座標系統中之 那一位置，使影像落在輻射感測器上，因此得以決定二座 標系統之間之校準。對於可個別控制元件陣列為可移動式 之裝置而言，用於移動可個別控制元件陣列之致動器之座 標系統與可個別控制元件陣列之可定址像素之座標之間亦 可取得校準。

藉由移動可個別控制元件陣列上之圖案及/或藉由移動 可個別控制元件陣列，上述方法中標記圖案每次重覆移動 之距離可稱為三角距離，最小之三角距離不需為一個像 素’而可為—個㈣之—部分m距離/像辛尺寸 (或是像素尺寸/三角距離，若三角距離小於像素尺寸旬之 比率較佳為非整數。當該㈣接近錄時，位置之準確度 即不大於三角距離或像素尺寸，但是t該㈣㈣^ 時’校準之準確度即可改善。

實施例2 在微影投影裝置之—些例子中，其提供複數個可個別控 制兀件陣列，例如位於圖】所示可個別控制元件陣列舰旁 側之-線性或二維式之可個別控制元件陣列。在此穿置 中’基板平台及可個別控制元件陣列之一或二者可移動， 使各可個別控制元件陣列上 平“…… 可以依次成像於基板 ° 5 之外，投影系統可經調整以將各可個別 控制元件陣列成像於基板平台，且可 各了個別 」私動或不移動可個別 94044.doc -18- 1251723 控制元件陣列或基板平台。此實施例之方法如下： ⑴上述實施m之方法用於決i可個別控制元件陣列 相對於基板平台之位置。 (2) 裝置之組件可依需要而移動，使另一可個別控制元件 陣列上之一標記圖案可成像於基板平台。 (3) 實施例1之方法用於決定該另一可個別控制元件陣列 相對於基板平台之位置。 (4) 步驟2及3重覆以量測值各可個別控制元件陣列之位 置，據此，即可取得所有可個別控制元件陣列彼此之間及 對於基板平台座標系統之準確校準。 實施例3 ⑴實施例！之方法用於決定_產生於可個別控制元件陣 列上之偏離中心（例如在可個別控制元件陣列之右側上）標 €圖案之位置。 (2) 基板平台移動至一第二位置且記錄該位置。 (3) 貫％例1之方法用於決定一產生於可個別控制元件陣 列上之不同偏離中心（例如在可個別控制元件陣列之左側 上）標記圖案之位置。 (4) 根據步驟1及3之結果而執行計算，其可在投影系統之 倍率及相關於可個別控制元件陣列對基板平台座標系統之 旋轉校準等二項上產生資訊。 此方法同樣可用於實施例2，以取得複數個可個別控制元 件陣列彼此之間及對於基板平台座標系統之準確旋轉校 準。 94044.doc -19- 1251723 貫施例4 陣任—實施例之量測，但是保持可個別控制元件 皁歹】上之標記圖案呈固定， 之幸s身 文為知描基板平台（與相關聯 個==此係對比於保持基板平台呈固定及移動可 而+ 上之標記圖案。針對一脈衝式照明系統 之;法取道正確之脈衝延遲定時，但是可依文後所述 實施例5 依上述任一實施例執行量測，，淮，可個別控制元件陣列 =之標記圖案及基板平台二者同時掃摇，但是在垂直方 I優法具有可同時在χ及γ二方向中執行校準 實施例6 複數個輕射感測器提供於基板平台上，例如在一個以上 可個別控制元件陣列之例子中，其中一者用於各可個別控 制凡件陣列，此使校準足以較快速地執行。 實施例7 ⑴上述任一實施例之方法用以相關於基板平台座標系 統而校準可個別控制元件陣列。 (2)一晶圓提供於基板平台上，晶圓備有至少一對準標 記’-偏離巾^對準系統用以相關於基板平台座標系統而 校準晶圓座標系統（此由至少—對準標記之位置及方位決 定），-準確之校準即可在可個別控制元件陣列與晶圓（基板) 座標系統之間取得。 94044.doc -20- 1251723 實施例8 U❹;；實_之方法中’不使用照明^提供-用 於各位置決疋之雷射助伞 田射閃先，而採用較長波長之輻射。若复 未令一基板上之光阻上之右其 _曝光’則此料可稱為非化 干先線。其亦可視為”紅，，光，因為其波長較長於 之紫外線光譜諸部分者，且其為可見之紅光，例如來自氣 坑雷射者。不用—般投射光束輻射，採用較長波長之輻射 可具有不需要脈衝之優點，且如實施例4之定時問題亦不再 是問題，其亦意指可個別控制元件陣列不需要像一般情形 在各次化學輻射之雷射閃光後重新裝填。 實施例9 此實施例係用於雷射脈衝定時之校準。 (1) 一標記圖案產生於可個別控制元件陣列上。 (2) 包括輻射感測器在内之基板平台係以定速掃描。 (3) 當基板平台掃描時，一觸發信號經傳送以產生一雷射 輻射脈衝，其將標記圖案成像於基板平台。 (4) 雷射定時延遲及/或誤差係經偵測做為感測器上之位 置誤差’例如’由先前實施例之座標位置校準可知，標記 圖案相關於基板平台座標系統内標記圖案影像生成位置之 位置可以準確得知。基板平台之速度亦可以準確得知，因 此當雷射脈衝觸發信號產生時標記圖案影像之預期位置與 基板平台上影像實際生成位置之間之差異使雷射定時延遲 及/或誤差可藉由將諸位置間之距離除以基板平台之速度 而計算之。實際上，諸步驟可以重覆改變雷射脈衝定時與 94044.doc ，21 - 1251723 使標記圖案影像落在輻射感測 標記圖案位置之一或二者 器上。 在此實施例中，# #, J τ 右基板平台之掃描速度基本上在一基板 *光期間為相同時’則雷射脈衝觸發信號與影像位置之間 之直接％c準即可取得，儘管可能仍需在二個掃描方向進行 刀開技準，以考量不同方向中之不同掃描速度。 在此Κ &例之-變換型4中，在步驟（3)中不—次射出雷 射產生單一脈衝，而是多次射出雷射。 雖然本發明之特定實施例已經在上文中加以描述，應了 解的是本發明另可在上述之外實施，該描述並非是要限制 【圖式簡單說明】 、、本發明之實施例將舉例並參考伴隨之概略圖式加以名 述中對應之餐考符號表示對應之組件，及其中： 圖1說明本發明實施例之微影裝置；及 圖2係以截面圖簡單說明一適用於本發明實施例之 感測器。 【主要元件符號說明】 10 子L 12 光一極體 LA 輻射源 Ex 光束擴展器 IL 輻射器 AM 調整裝置 94044.doc -22- 1251723 IN 積分器 CO 聚光器 PL 投影系統 PB 投射光束 IF 干涉量測裝置 W 基板 PW 光罩 WT 基板平台 PPM 可個別控制元件陣列 94044.doc -23-

Claims (1)

1. 125 1 118652號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(94年9 十、申請專利範圍： 1 · 一種使用於一微影投影裝置之校準方法，包含·· -一照明系統，其用於供給一輻射之投射光束； -一可個別控制元件陣列，其以一圖案施加於該投射光 束之截面； - 基板平台’其用於支撐一基板；及 才又衫糸統，其用於投射該已圖案化光束到該基板之 一目標物部分上， 该方法包含： 利用可個別控制元件陣列產生一圖案； 將一輻射感測器提供於基板平台； 放射輻射以產生一圖案影像於基板平台； 移動彼此相對之該所生圖案與基板平台至少一者， 以利相對於感測器而移動該影像； 利用感測器偵測輻射強度；及 其特徵在 根據所偵測之強度及可個別控制元件陣列與基板平 台之位置而計算一校準，以建立可個別控制元件陣列 座標系統之座標與基板平台座標系統之座標之間之關 係。 2·如請求項1之方法，其中放射、移動及偵測程序係重覆以 取得計算程序用之資訊。 3.如請求項丨或2之方法，其中移動程序包含掃描彼此相對 之該所生圖案與基板平台至少一者，同時持續執行偵測 O:\94\94044-940915.doc 1251723 程序。 士明求項1或2之方法，其中移動程序包含選自以下 中之一或多者： 、 移動可個別控制元件陣列上所產生之圖案，同時保 基板平台固定； ’'、 ㈣可個別控制元件陣列，同時保持基板平台固定； 移動基板平台，同時保持可個別控制元件陣列上所產 生之圖案固定； 移動基板平台，同時保持可個別控制元件陣列固定； 5. 基板平台，且移動可個別控制元件陣列及可個， 控制元件陣列上所產生之圖案至少一者。 、 如請求項1或2之方法，1中哕 〃 T，亥圖案在連績偵測輻射強^ 之間移動之距離係稱為三角距離，且三角距離對可個另 控制70件陣列像素尺寸之比率並非整數，或當三角距离 6· 小^像素尺寸時’像素尺讀三角之比率並非整數 如凊求項1或2之方法，其中 .^ Α 、移動轾序包含在不同方向彩 勤基板平台，及可個別护告丨丨 工制TG件陣列與可個別控制元件 陣列上所產生之圖案至少一者， 7. 一種校準方法，包含： “在垂直方向。 安使用一產生於可個別控制元件陣列第一部分上之圖 木，以執行如睛求項〗之校準方法，·及 使用一產生於可個別抻鈿 必、 J控制7^件陣列第二部分上之圖 案’以重覆校準方法。 94044-940915.doc 1251723 8· Μ衣項7之方 9. 10. · I •卞 yij 弟 _ 第 部分係偏離中心，且較佳在可個別和制_ ^ & 對^ ❹^件陣列之相 如請求们、2、7或8之方法，尚包含：掃描基板平台. 產生—觸發信號以自照明系統觸發—輕射脈衝，同時掃 為基板平台；利用已知之座標校準 +以決定因觸發信號 產生與輕射脈衝放射之間之基板平台運動所致之生成圖 案影像之位置誤差；及自位置誤差計算出輕射延遲定時。 如請求項1、2、7或8之方法，其中放射輻射之程序包含 放射—波長較長於由照明系統所提供輻射投射光束者之 輻射。 11. :種使用於-微影投影裝置之方法’微影投影裝置包含 複數個可個別控制元件陣列，該方法包含·· 針對各可個別控制元件陣列執行如前述請求項任一項 才又準方法，及利用各可個別控制元件陣列校準之間之 一已知向量以移動基板平台。 12. 13. :種使用於一微影投影裝置之方法，微影投影裝置包含 複^可個別控制元件陣列及複數個H射感測器，該方 法包含使用不同之各別感測器以針對各可個別控制元件 陣列執行如前述請求項任一項之校準方法。 如請求項卜㈠“…㈣之方法’尚包含使用一對 準感測器以校準基板平台相關於其上方一基板座標之座 標。 14. 一種裝置製造方法 包含： 94044-940915.doc 1251723 -提供一基板； 使用妝明系統以提供一輻射之投射光束； 使用可個別控制元件陣列，以一圖案施加於該投射 光束之截面；及 將該已圖案化光束投射到該基板之-目標物部分上； 其特被在執行如前述請求項任一項之校準方法，以取 得校準資訊；及 -利用校準資訊以定位彼此相關之該基板與可個別控制 元件陣列。 15· —種電腦可讀取記錄媒體，具有程式儲存其上，當為一 電腦所執行時，致使程式控制一微影裝置，其包含用於 執行如别述睛求項中任一項方法之編碼構件。 16. —種如請求項14之方法製成之裝置。 94044-940915.doc -4-