TWI246713B - Processing chamber including a circulation loop integrally formed in a chamber housing - Google Patents

Description

1246713 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發㈣大致.在製造铸難置或其錄 物及污祕_域。本發明尤其是關 體流來處理一物體。 &里至甲以同速抓 【先前技術】 =已觀制鱗臨界二氧化碳來有效清洗晶圓可藉由增加 洛劑或共溶劑至該」氧化碳中而加以強化。於該^氧化碳中之溶 劑及共溶繼_二氧化碳触學_ 觸晶面上 染物。 ^於二氧化碳必須維持在高壓下以達到超臨界狀態，處理室 以及官路之大小則必須設計成最小的尺寸以達成經濟化設計。經 由降，該處理室以及處理回路之容積，藉以降低清洗該基板所需 之一氧化碳、溶劑及共溶劑的量並降低處理室及處理管路之尺寸 及重，，便可^成設計的經濟化。基板表面上之高速表示該超臨 界一氧化峻之尚谷積流速。該而容積流速需要大流道以避免在該 清洗處理中因該超臨界二氧化碳循環所產生之高壓降。若該超臨 界二氧化碳在循環時必須退出該處理室，流經管道，而回到該^ 理至中’谷納该壓力所需之流動控制元件、管線、以及配件等均 變得非常龐大，因此而增加設計的成本以及容納該超臨界二氧化 碳、溶劑及共溶劑之處理回路的容積。因此需要一個在該基板表 面上容許超臨界二氧化碳通過，但卻不會增加該處理管路尺寸的 設計。 【發明内容】 本發明之第一實施例為一利用一處理流體來處理一物體之設 備。該設備包含一形成於一處理室殼體内之處理室。一流體循環 回路係一體形成於該處理室殼體内。 本發明之第二實施例為一利用一處理流體來處理一物體之設 備。該設備包含一界定一處理室之處理室殼體。該處理室殼體包 5 1246713 含一流體入口裝置以及一流體出口裝置而與該處理室相通。該處 理室殼體更包含一體形成於該處理室殼體之一流體循環回路。該 流體循環回路係與該流體入口裴置及該流體出口 設^包含-流動產生裝置，用以接收—流體而產生高1 速流體。 该流動產生裝置係耦合於該流體循環回路。該設備亦包含一流體 供給裝置，用以供給一處理流體至該含有至少一個流體來源之處 理室。 ^第三個實施例為一半導體晶圓處理設備。該半導體晶圓處理 設備包含一形成於一處理室殼體内之處理室。該處理室殼體包含 一机體入口及一流體出口而與該處理室相通。該晶圓處理設備包 =體形成於該處理室殼體之H體連通管線並輕合於該流 體出=及該流體入口。該第-流體連通管線包含一泵浦，用以產 生一，速流體流。該設備更包含一過濾流體用之過濾裝置。 第四實施例為以一處理流體處理一物體的方法。該方法包含 在二體形成於該處理室殼體内之—流體循環· _環一流體流 之^，。該方法更包含在-處理室内產生—高速流·之步驟。 t實施例為從一半導體晶圓之一表面去除至少一部份殘餘 ίίΐί。ΐ方法包含齡產生—高速處理流體流而增加在該半 ν Τ圓之表面上該處理流體之摩擦力的步驟。該方法包含使位 成於該處理室殼體之—流體循環回路内之該處理流體循 壞的夕驟。 ，六，施例則為製造一超臨界處理設備之方法，其步驟包 室殼體内形成—處理室；並—體形成-流體循環回路 體内，用以在該處理室内產生-高速流體流。 1貫施万式】 明係針對以―處理流體來處理—物體的賴而說明。對 及所揭露者，「流體」代表—氣體、液體、超^ Λ界流體。在本發明之較實施例中，「流體」 代表乳體、賴、超臨界以及/或接近超臨界二氧化碳。吾人應理 6 1246713 解，溶劑、共溶劑、化學品以及/或界面活性劑均可 二 化碳中。對於本發明的目的來說，吾人應可理解「二氧化係 指稱峨體、氣體或超臨界（包含接近超臨界）狀社流體呈現 碳（C〇2)。在此，「超臨界二氧化碳」係指高於臨界溫度 (刈.5C)以及臨界壓力（7.38MPa)狀態下的c〇2。當c〇2分別達 到壓^ 38MPa以及溫卿· 以上時，便認定棚2已達到該超臨 ^狀悲。「接近超臨界狀態」是指到達約85%的臨界溫度以及臨界 壓力之内。，對本發明的目的來說，「物體」通常是指—用以形成積 體電路的半導體晶圓、—基板或其他需低污染程度的媒體。如同 此處使用的，「基板」包含各種不同的結構，例如通常含有一沈積 光阻或殘餘物的半導體裝置結構。基板可以是一單一材質層，例 如一矽晶圓，或也可包含任意數層。一基板可包含各種同材質， 包括金屬、陶瓷、玻璃或其組合。 、 圖1為一示思圖，說明根據本發明之實施例中，以一處理流體 來處理一物體之一設備1〇〇。根據本發明之該較佳實施例中，該設 備100包含一形成於一處理室殼體1〇1内之處理室1〇2。在共同擁有 且仍在審查中之美國專利申請案，案號09/912, 844，於2001年7月 24日申請之發明名稱「HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE」、案號09/970, 309，於2001 年 10月 3 日 申請之「HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR MULTIPLE SEMICONDUCTOR SUBSTRATES」、案號 10/121，79 卜於2002 年4 月 10 日申請之「HIGH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE INCLUDING FLOW ENHANCING FEATURES」以及案號 10/364, 284,於2003年2月 10 日申請之「HIGH-PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR A SEMICONDUCTOR WAFER」中係揭露關於處理室之一 例的細節，在此將此等内容一併納入以資參考。 根據本發明之該較佳實施例，該設備100包含一體形成於該處 理室殼體101内之一流體循環回路140。較佳的情況下，該流體循 環回路140包含一流動產生裝置146，用以接收一流體而產生一高 1246713 速流體流。在某些實施例中，該流動產生裝置146係用以接收來自 圖1中之该流體出口裝置137之流體。在某些實施例中，如圖2所 示，該流動產生裝置246係用以接收來自至少該流體供給裝置1〇9 以及該流體出口裝置237兩者其中一個的流體，如虛線所示。如圖 2所示，在一實施例中，該流體供給裝置1〇9係耦合至該處理室2〇2。 如圖1所示，在本發明之一實施例中，該處理室殼體101係包 含一流體入口裝置139以及一流體出口裝置137而與該處理室相通· 一耦合於該流體入口裝置139以及該流體出口裝置137之流動循環’ 回路；以及一流動產生裝置146，用以接收一流體並產生一高速^ 體。較佳的情況下，該流動產生裝置146為一耦合於該流體循環回 路140之泵浦。在本發明之一實施例中，設備1〇〇包含一回流封鎖 裝置（未顯示）。較佳的情況下，該回流封鎖裝置係用以容許一流 體從該處理室102内朝單一方向流至該流動產生裝置146。在一實 施例中，該回流封鎖裝置包含至少一止回閥。 在本發明之一實施例中，該設備1〇〇包含一過濾裝置（未顯 示）’用以過濾、所供應之該處理流體。較佳的情況下，該過濾裝置 係與該流體循環回路140流體相通。較佳的情況下，該過濾^係 用以降低該處理流體之污染程度。任何用以過濾處理流體之襞置、 而可降低該處理流體之污染程度均可適用於本發明。在某些實施 例中，該過濾裝置係具有一粗濾器及一精細濾器其中之一或兩者 兼具。 成在一實施例中，設備100包含一用以在該處理室102中重新循 環該處理流體一段時間之裝置，以便將污染物自該物體之一表面 上去除。在某些實施例中，該物體可為一用以形成積體電路之半 f體晶圓。較佳的情況下，該處理流體包含至少氣體、液體、超 臨界以及接近超臨界之二氧化碳等其中之一。吾人應理解到，溶 劑、共溶劑、化學物以及/或界面活性劑亦可包含於該二氧化碳中。 如圖所示，在一實施例中，設備1〇〇包含一流體供給裴置1〇9， 用以將該處理流體供應至該處理室1〇2中。吾人應可理解，該流體 1246713 供給裝置109可包含一流體混合器135、一與該混合器135流體相通 之流體來源121、一用以控制來自該流體來源至該混合器135之流 體流動之閥門123、一與該混合器135流體相通之第二流體來源117 以及一用以控制來自該第二流體來源至該混合器135之流體流動 之閥門119等上述之任意組合。在某些實施例中，該第一流體來源 121以及该弟一流體來源117其中之一或兩者均係供應溶劑、共溶 劑、化學物以及/或界面活性劑。較佳的情況下，該第一流體來源 121以及該第二流體來源in其中之一或兩者均係供應氣體、液 體、超臨界以及/或接近超臨界之二氧化碳。吾人應理解到，溶劑、 共溶劑、化學品以及/或界面活性劑亦可包含於該二氧化碳中。在 一實施例中，係提供一流動控制裝置133，如同一閥門，用以控制 該處理流體之流動。 在本發明之一實施例中，係提供一用以將一處理化學品引入 ，流體循環回路140中之裝置。在一實施例中，該設備1〇〇包含一 ^置，其用以維持位於該處理室1〇2内之一流體以及位於該流體循 環回路140内之一流體等兩者至少其中之一的溫度。 、在本發明之一實施例中，該流體入口裝置139係用以導引該高 速ί體ΐ至該物體上。較佳的情況下，該流體入口裝置139更用以 實質容許所有該高速流體流以一預定距離内自該物體之一表面 通過戎物體上方。在某些實施例中，該流體入口裝置139包含一具 ，，流體出π的歧管，用以引導該高速流體流至該物體上:、 施例中，該歧管包含—注人環。在本發明之-實施例中， 超臨界二氧化碳係通過管路及流動控制元件而循環，之 ，以在該物體表面產生高速流體流循環之有效去除污染 =至該物體上。在—實施例巾，—大量的超臨界二氧化碳係通 =官路及-體形成於該處理謂2或—體 理室 區塊上之流動控制元件猶。藉㈣方ΐ 加該&體循環回路14Q之尺寸及容積所需的配件及管路更了免《 圖3顯示一示意圖，說明根據本發明之實施例中之一半導體晶 9 1246713 圓處理設備300。如圖3所示，該半導體晶圓處理設備300包含一形 成於一處理室殼體301内之處理室302。較佳的情況下，該處理室 殼體301包含一流體入口 339以及一流體出口 337而與該處理室302 相通。在某些實施例中，該半導體晶圓處理設備3〇〇包含一耦合於 該流體出口337以及該流體入口339之流體連通管線340。較佳的情 況下，該流體連通管線340係一體形成於該處理室殼體301之内。 較佳的情況下，該流體連通管線340包含一用以產生高速流體流之 泵浦346。 如圖3所示，在本發明之一實施例中，該設備3〇〇係包含一用 以過濾該處理流體之過濾裝置343。較佳的情況下，該過濾裝置343 係耦合於該流體連通管線340。較佳的情況下，該過濾裝置343係 用以降低該處理流體之污染程度。任何用以過濾處理流體之裝置 而可降低該處理流體之污染程度均可適用於本發明。在某些實施 例中，該過濾裝置343係具有一粗濾器及一精細濾器其中之一或雨 者兼具。 在本發明之某些實施例中，該流體入口裝置339係用以導引該 物體上之該高速流體流。較佳的情況下，該流體入口裝置339更用 以實質上容許所有該高速流體流以一預定距離内自該物體之一表 面通過該物體上方。在某些實施例中，該流體入口裝置339包含一 具有複數個流體出口的歧管，用以引導該物體上之該高速流體 流。在一實施例中，該歧管包含一注入環。 、"在本發明之一實施例中，半導體晶圓處理設備3〇〇包含一回流 封f裝置（未顯示）。較佳的情況下，該回流封鎖裝置用以使一處 =巧體從該流體出口 337内朝單一方向流至該流體入 口339。在一 貝施^中，忒回流封鎖裝置係用以使一處理流體從該處理室洲2内 以單方向流至该泵浦346。在一實施例中，該回流封鎖裝置包 含至少一止回閥。 ° ，據某些實_，半導體晶_理設備綱包含—越供給褒 用以供給—處理流體至包含至少-流體麵之該處理室。 !246713 吾人應理解，該流體供給裝置309可包含一流體混合器335、一與 5亥此合器335流體相通之第一流體來源121、一用以控制來自該第 一流體來源至該混合器335之第一流體流動之第一閥門323、一與 该混合态335流體相通之第二流體來源π7以及一用以控制來自該 第二流體來源至該混合器335之第二流體流動之閥門319等上述之 任意組合。在某些實施例中，該第一流體來源121以及該第二流體 來源117其中之一或兩者均係供應溶劑、共溶劑、化學物以及/或 界面活性劑。較佳的情況下，該第一流體來源121以及該第二流體 來源117其中之一或兩者均係供應氣體、液體 '超臨界以及/或接 近超臨界之二氧化碳。吾人應理解到，溶劑、共溶劑、化學品以 及/或界面活性劑亦可包含於該二氧化碳中。在一實施例中，係提 供一流動控制裝置333，如同一閥門，用以控制該處理流體之流 動。在某些實施例中，係裝設一處理控制電腦35〇，用以控制該第 二閥門323、混合器335、第二閥門319、流動控制裝置333以及/或 該泵浦346，如圖3中之虛線所示。 圖4顯不一示意圖，說明圖3顯示之該半導體晶圓處理設備之 另一實施例。如圖4所示，該半導體晶圓處理設備4〇〇包含一形成 於一處理室殼體4〇1内之處理室4〇2。 入口 在本發明之某些實施例中，該處理室殼體4〇1包含一第一流體 449以及一第一流體出口447而與該處理室4〇2相通。較佳情況 下，該半導體晶圓處理設備400包含一耦合於該第一流體出口447 ，該第-流體入口449之第-流體連通管線働。較H兄 該第一流體連通管線44〇係一體形成於該處理室殼體之一 牌Ϊ —實施例中，該第一流體連通管線440包含一用以產生高 第一果浦446。在一實施例中，一第一賴裝置443係 嫩了哪—過臟 459以祀ft些實施例，該處理錢體侧亦包含—第二流體入口 ⑽以及一弟二流體出口457而與該處理室4〇2相通。較佳情況下， 1246713 該設備400包含一耦合於該第二流體出口 457以及該第二流體入口 459之第二流體連通管線45〇。較佳的情況下，該第二流體連通管 線450係一體形成於該處理室殼體4〇1之一壁内。在一實施例中， 該第二流體連通管線450包含一用以產生高速流體流之第二泵浦 456。在一實施例中，一第二過濾裝置453係耦合於該第二流體連 通管線450。較佳的情況下，該第二過濾裝置453係用以降低該處 理流體之污染程度。 根據某些實施例，該半導體晶圓處理設備4〇〇包含一流體供給 裝置309，用以供給一處理流體至包含至少一流體來源之該處理 室。吾人應理解，該流體供給裝置309可包含一流體混合器335、 一與該混合器335流體相通之第一流體來源121、一用以控制來自 該第一流體來源至該混合器335之第一流體流動之第一閥門323、 一與該混合器335流體相通之第二流體來源in以及一用以控制來 自該第二流體來源至該混合器135之第二流體流動之閥門319等上 述之任意組合。在某些實施例中，該第一流體來源丨21以及該第二 流體來源117其中之一或兩者均係供應溶劑、共溶劑、化學物以及 /或界面活性劑。較佳的情況下，該第一流體來源121以及該第二 流體來源117其中之一或兩者均係供應氣體、液體、超臨界以及/ 或接近超臨界之二氧化碳。吾人應理解到，溶劑、共溶劑、化學 品以及/或界面活性劑亦可包含於該二氧化碳中。在一實施例中， 係提供一流動控制裝置333，如同一閥門，用以控制該處理流體之 流動。在某些實施例中，係裝設一處理控制電腦35〇，用以控制該 第一閥門323、混合器335、第二閥門319、流動控制裝置333以及/ 或該泵浦446，如圖4中之虛線所示。 一在某些實施例中，流體供給裝置3〇9係耦合於該第一流體連通 管線440或該第二流體連通管線45〇其中之一，用以可控制性地使 來自該流體供給裝置309之流體進入該半導體晶圓處理設備4〇〇 中。 圖5顯示一流程圖，說明根據本發明之實施例中，以一處理流 12 1246713 循ίΞΓ:中，一_係於-體形成於 體流係產回路内循環。在步獅中，-高逮流 晶圓呈圖、’說明根據本發明之實施财，從一半導體 ^產生4♦于、至少一部份殘餘物的方法。在步驟610中，係_ 里：流而增加在該半導體晶圓表面上之該： 至忒體中之一流體循環回路内循環。 处理 處理f ，網雜本發明之實_帽造—超臨界 t内，，《在該處理室中產生 中H供—猶流體狀賴裝4崎降健趙之^染ίί ;雖然本發明之製程及裝置在制的目的之下均已詳細描^， ，發明製程及裝置並不因而僅限於此。對於熟習本技藝者，^

It列之申睛專職_之對於前输佳實關之各種修改均 【圖式簡單說明】 圖1A〜1B為數個示意圖，說明根據本發明之實 理流體來處理一物體之一設備； 】之以處 圖2為一示意圖，說明圖ία中顯示之該設備之另一實施例· 圖3為一示意圖，說明根據本發明之實施例中之一半導體晶 處理設備； 圖4為一示意圖，說明圖3顯示之該半導體晶圓處理設備之 一實施例； 圖5為一流程圖，說明根據本發明之實施例中，以一處冷 來處理一物體的方法； ，L體 圖6為一流程圖，說明根據本發明之實施例中，從一半導體曰曰 圓之一表面去除至少一部份殘餘物的方法； - 13 1246713

圖7為〆流程圖’說明根據本發明之實施例中製造 理設備的方法。 在該等圖示中，在描述相同的元件時係採用類似的參考編 號。此外，參考編號之最左一碼通常代表該參考編號第一次出現 的圖號。 【主要元件符號說明】 100設備 101處理室殼體 102處理室 109流體供給裝置 117第二流體來源 119閥門 121第一流體來源 123閥門 133流動控制裝置 135混合器 137流體出口裝置 139流體入口装置 140 流體循環回路 146流動產生裝置 202處理室 237流體出口裝置 246流動產生裝置 300半導體晶圓處理設備 301處理室殼體 302處理室 309流體供給裝置 319閥門 323第一閥門 流動控制裝置 混合器 流體出口 流體入口 流體連通管線 過濾裝置 果浦 處理控制電腦 設備 處理室殼體 處理室 第一流體連通管線 第一過濾裝置 第一泵浦 第一流體出口 第一流體入口 第二流體連通管線 第二過濾裝置 第二泵浦 第二流體出口 第二流體入口 15

Claims (1)

1. ^46713 十、i申請專利範圍： —處S 體來處理—物體之設備，該設備包含： 成於—處理室殼體内；以及 2.如申體形成_處理室殼體内。 傷，其中該g法，圍第1項之以r處理流體來處理—物體之設 產生—高^回路包含流動產生衫，用以接收—流體妓 備，3其ΐΓϊίΞί,1項之以一處理流體來處理-物體之設 朝單£用來使該處理流體自該處理室内 備，4其ί Γίϋϊΐΐ3項之以—處理流體來處理—物體之設 5 4 過/慮震置，用以過滤該處理流體。 備’其之以—處理流體來處理，體之設 6.如置’邮供應-越至該處理室。 -' f 備，其中Τίί，圍第1項之以一處理流體來處理-物體之設 間，以去。二種用，循環該處理㈣之該處理流體-段時 除"亥物體之一表面的污染物的裝置。 傷，其圍第1項之以—處理流體來處理—物體之設 裳置。、l s種用以引進—處理化學品至該流體循環回路的 備，申請相範圍第1項d處理流體來處理-物體之抓 環回路體===處理室内之—流體以及該流體ί < 體兩者至少其中之一的溫度之裝置。 •—種以一處理流體來處理一物體之設備，該設備包人·· 9•-處理室殼體，其界定—處理室，該處理室殼體包含3: • ·々IL體入口裝置以及流體出口裝置，其並與該處理室相通· 11· 一流體猶環回路，其係一體形成於該處理室殻體内，該 16 1246713 流體循環回路並耦合於該流體入口裝置以及該流體出口裝置；與 、Ui•流動產生裝置，用以接收一流體並產生一高速流’體'， 該流動產生裝置係耦合於該流體循環回路；以及 、b·流體供給裝置，用以供給一處理流體至該包含至少一流體 來源之處理室。 11.如申請專利範圍第10項之以一處理流體來處理一 設備，其中該越人口裝置係肋料體上之該 1 Λ申請料範圍第11項處理祕來處理—物體之 权備’ ^中該流體人口裝置更用以實質上容許所有之高 = 以一預疋距離自該物體之一表面通過該物體上方。 _仙· 工心琢尚迷流體流。 ，…… 設備14其 紐錢a-物體之 設備15ι如中申上處理流體來處j里一物體之 〜岳13甘如/請專職圍第12項之以—處理流體來處理—物體之 :體上;管，其具有複數個流體出口，用以引導該 一Η -农1网有主一的流體。 設備 16·甘如:請專利範圍第翻之以―處理流體來處理-物體之 ，/、中更包含回流封鎖裝置，其係用以容許該處理冷龄 處理至内朝單-方向流至該流動產生裝置。 ~ L足該 〜卷1，7·^!巾請專利_第16項之以―4理流體來處理-物體之 a又備，，、中該回流封鎖裝置包含至少—個止回閥。 設備18.其如中申該請物專 鼓備^^人利”第^之^—處理賴^理:物體之 間，以ϊ除匕二該處理流體一段時 20.如申請專利範圍第10項之以一處理流體來處理一物體之 17 1246713 ’其中該流體包含氣體、液體、超臨界以及/或接近超臨界之 —氧化碳至少其中之一。 ^ 21·如申請專利範圍第20項之以一處理流體來處理一物體之 二’其中該二氧化碳含有溶劑、共溶劑、化學品以及界面活性 劑至少其中之一。 $22·如申請專利範圍第1〇項之以一處理流體來處理一物體之 °又’其中更包含過濾裝置，用以過濾該處理流體。 # 23·如申請專利範圍第22項之以一處理流體來處理一物體之 又 其中0亥過濾、裝置係用以降低該處理流體之污染程度。

   讲24·如申請專利範圍第23項之以一處理流體來處理一物體之 :’其中該過濾、裝置更包含—減||以及_精細濾器至少其中 之一 ° ~&2\如中請專利範圍第1G項之以—處理流體來處理一物體之 二2中更包含流體供給裝置，用以供給來自該流體來源之流 遐主邊處理室。 26· —種半導體晶圓處理設備，其中包含： 濟入2理ΐ:成於一處理室殼體内，該處理室殼體具有一流 體入口及一流體出口而與該處理室相通；

   人於體^通，其—體形成於該處理室殼體内，且搞 口於邊流體出口及該越人Π，該第—聽 浦，其用以產生一高速流體流；以及 s、、、策立匕3泵 過濾裝置，用以過濾該處理流體。 27·如申請專利範圍第26項之半導體晶圓處 體入口制則丨導該物體上之該處理流體。備其中& 28.如申請專利範圍第26項之半導體晶圓處理 包置’其用以容許-處理“Ϊ 體出口朝早一方向流至該流體入口。 流封半導糊處理賴，其中該回 18 1246713 30·如申請專利範圍第26項之半導體晶圓處理設備，其中該過 濾裝置係輕合於該流體連通管線。 31·如申請專利範圍第26項之半導體晶圓處理設備，其中該過 濾、裝置係用以降低該處理流體之污染程度。 32·如申請專利範圍第31項之半導體晶圓處理設備，其中該過 濾裝置更具有一粗濾器以及一精細濾器至少其中之一。 3^·如申請專利範圍第26項之半導體晶圓處理設備，其中更包 含一第二流體連通管線，其係一體形成於該處理室殼體内並耦合 於該流體出口及該流體入口，該第二流體連通管線包含一泵浦， 用以產生一高速流體流。 、34·如申請專利範圍第26項之半導體晶圓處理設備，其中更包 含流體供給裝置，用以供應一處理流體至該包含至少一流體來 之處理室。 、 35· —種以一處理流體來處理一物體的方法，其步驟包含·· /·、在一流體循環回路内循環一流體流，該流體循環回路係一 體形成於一處理室殼體内；以及 b·在一處理室内產生一高速流體流。 36·種以一處理流體來去除一半導體晶圓之一表面上至少 一部份殘餘物的方法，其步驟包含： a·藉由產生一高速處理流體流而增加該半導體晶圓表面上 該處理流體的摩檫力；以及 b·循環在一流體循環回路内之該處理流體，該流體循環回路 係一體形成於一處理室殼體内。 37· 一種製造一超臨界處理設備的方法，包含如下步驟： a·在=處理室殼體内形成一處理室；以及 b·在該處理室殼體内一體形成至少一流體循環回路，用以 該處理室内產生-高速流體流。 、、38·如申請專利範圍第37項之製造一超臨界處理設備的方 法，更包含如下步驟··提供一過濾裝置，用以過濾一流體以降低 19 1246713 該流體之污染程度。 十一、圖式：