TWI245381B - Electrical package and process thereof - Google Patents

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Kwun-Yao Ho
Moriss Kung
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Description

J2451SJ___ 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種的電氣封裝體及其製程，且特別 是有關於一種應用由導電材質所製成之支撐基板 (support substrate )之電氣封裝體及其製程。 【先前技術】 覆晶連線技術（F 1 i p C h i p I n t e r c ο η n e c t T e c h η o 1 o g y ，簡稱F C )是一種將晶片（d i e )電性連接至 承載器（c a r r i e r )的封裝方法。覆晶連線技術主要是利 用面陣列（area array)的方式，將多個晶片墊（die pad)配置於晶片f主動表面（active surface)上，並 在晶片墊上形成凸塊（b u m p )，接著將晶片翻覆（f 1 i p ) 之後，再利用這些凸塊來分別電性耳結構性連接晶片之晶φ 片塾至承載器上的凸塊塾（buinp pad )，使得晶片可經由 這些凸塊而電性連接至承載器，並經由承載器之内部線路 而電性連接至外界之電子裝置。值得注意的是，由於覆晶 連線技術（F C )可適用於高腳數（H i g h P i n C 〇 u n t )之晶 片封裝體，並同時具有縮小晶片封裝面積及縮短訊號傳輸 路徑等諸多優點，所以覆晶連線技術目前已廣泛地應用於 晶片封裝領域，常見應用覆晶接合技術之晶片封裝結構例 如有覆晶球格陣列型（F 1 i p C h i p / B a 1 1 G r i d A r r a y ’ FC/BGA )及覆晶針格陣列型（F 1 i p Ch i p / P i n G r i d Array ，FC/PGA )等型態之晶片封裝結構。 請參考第1圖，其繪示習知之一種覆晶球格陣列型之 4 電氣封裝體的剖面示意圖。電氣封裝體1 0 0包括基板
11530rwf.prd 第6頁 1-245381--- 五、發明說明（2) (substrate ) 110 、多個凸塊1 2 0、晶片1 3 0及多個銲球 140。其中，基板11〇具有一頂面112及對應之一底面114 ， 且基板110更具有多個凸塊墊（bump pad) 116a及多個銲 球墊（b a 1 1 p a d ) 1 1 6 b。此外，晶片1 3 0具有一主動表面 (active surface )132及對應之一背面134 ，其中晶片 1 3 0之主動表面1 1 2係泛指晶片1 3 0之具有主動元件 (active device)(未繪示）的一面，並且晶片130更具 有多個晶片墊136 ，其配置於晶片130之主動表面132 ，用 以作為晶片1 3 0之訊號輸出入的媒介，而這些凸塊墊1 1 6 a 之位置係分別對應於這些晶片墊1 3 6之位置。另外，這些 凸塊1 2 0則分別電性及結構性連接這些晶片墊1 3 6之一至其 所對應之這些凸塊墊1 1 6 a之一。並且，這些銲球1 4 0則分 _ 別配置於這些銲球墊1 1 6 b上，用以電性及結構性連接至外·_ 界之電子裝置。 請同樣參考第1圖，習知之電氣封裝製程乃是在完成 基板1 1 0之内部線路及接點1 1 6 a、1 1 6 b之後，再將晶片1 3 0 組裝於基板1 1 0之表面上，接著將一底膠（u n d e r f i 1 1 ) 150填充於基板110之頂面112及晶片130之主動表面132所 圍成的空間，用以保護這些凸塊墊1 1 6 a、這些晶片墊1 3 6 及這些凸塊1 2 0 ，並同時緩衝基板1 1 0與晶片1 3 0之間在受 熱時所產生熱應變（thermal strain)之不匹配的現象。 因此，晶片1 3 0之晶片墊1 3 6將可經由凸塊1 2 0而電性及結 構性連接至基板1 1 0之凸塊墊1 1 6 a，再經由基板1 1 0之内部φ 線路而向下繞線（r 〇 u t i n g )至基板1 1 0之底面1 1 4的銲球
11530rwf.prd 第7頁 1245381___ 五、發明說明（3) 墊1 1 6 b，最後經由銲球墊1 1 6 b上之銲球1 4 0而電性及結構 性連接至外界之電子裝置。 就高密度線路佈線之基板的製程而言，習知通常是利 用增層法（build up)在一介電芯層（dielectric core )之兩面分別同時形成一線路層，並且利用鍍通孔道 (Plated Through Hole，PTH)來電性連接兩線路層。然 而，由於使用厚度較薄之介電芯層的基板很容易受熱而發 生翹曲（w a r p )的現象，所以基板之介電芯層必須具有足 夠的厚度，如此才能相對提供足夠的結構強度，但這也導 致介電芯層之厚度無法進一步地降低。 除此之外，為了在介電芯層上製作導電孔道（PT Η )，習知通常是利用雷射鑽孑L (laser drilling)的方 式，在介電芯層上形成微細尺寸的貫孔，接著電鍵一金屬® 層於貫孔之内壁，用以電性連接位於介電芯層之兩面的線 路層。然而，由於習知之錢通孔道（P T Η )的製程通常是 利用雷射鑽孔來形成微細尺寸的貫孔，如此將導致基板之 整體製作成本的提高。此外，習知之鍍通孔道（Ρ Τ Η )的 製程已無法有效降低導電孔道（ΡΤΗ )之外徑，使得習知 之導電孔道（Ρ Τ Η )儼然成為目前高密度線路佈線之基板 的設計瓶頸。 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種電氣封裝體 及其製程，用以提供高密度接合墊及微細線路的多層内連g丨 線結構，並可有效地降低電氣封裝體之製作成本及顯著地
11530rwf.ptd 第8頁 1245381___ 五、發明說明（4) 提升電氣封裝體之電性效能。 為達本發明之上述目的，本發明提出一種電氣封裝 體，此電氣封裝體包括一多層内連線結構（in u 1 t i - 1 a y e r interconnection structure )、至少一電子元件及一支 撑基板。首先，此多層内連線結構具有一頂面及對應之一 底面，且此多層内連線結構更具有一内部線路（i η n e r circuit )，其具有多個接合墊，而這些接合墊係位於此 多層内連線結構之底面。此外，電子元件係配置於此多層 内連線結構之頂面，並電性連接於此多層内連線結構之内 部線路。另外，支撐基板之材質係為導電材質，且此夂撐 基板係配置於此多層内連線結構之底面，而此支撐基板更 具有多個開口 ，其分別暴露出其所對應之這些接合墊之 | -— 〇 為達本發明之上述目的，本發明又提出一種電氣封裝 製程。首先，提供一支撐基板，其材質係為導電材質。接 著，形成一多層内連線結構於此支撑基板之上，且此多層 内連線結構具有一内部線路，而此内部線路更具有多個接 合塾，其位於此多層内連線結構之接近此支#基板之一 面。形成多個開口於支撐基板上，而這些開口係分別暴露 出其所對應之這些接合塾之一。配置至少一電子元件於此 多層内連線結構之遠離此支撑基板之一面，且此電子元件 係電性連接於此多層内連線結構之内部線路。 基於上述，本發明係採用一具有硬質性、可導電性、4 低熱膨脹係數（CTE )及高熱導性之支撐基板作為製程之 III 81 II 1 1 11530twf.ptd 第9頁 4245SS4---- 五、發明說明（5) 初始層，接著形成一多層内連線結構於支掉基板之上，之 後在支撐基板上形成多個開口 ，用以分別暴露出多層内連 線結構之底面的多個接合墊，然後配置一電子元件至多層 内連線結構之上，並且分別形成一接點於這些位於開口之 内的接合墊上。因此，本發明將可有效地提升電氣封裝體 之電性效能及散熱效能，並可降低電氣封裝體之厚度，以 符合電氣封裝體之小型化的需求。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易僅，下文特舉二實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下： v【實施方式】 [第一實施例] _ 請依序參考第2 A〜2 G圖，其繪示本發明之第一實施例· 之電氣封裝製程的流程示意圖。 如第2A圖所示，提供一支撐基板202 ，其本身具有硬 質性、可導電性、低熱膨脹係數及高熱導性等特性，支撐 基板2 0 2之材質例如鐵、銘、鎳、銅、is、鈦、嫣、錯、 鉻及該等合金，並且支撐基板2 0 2之表面必須具有較高等 級的平坦度（c ο - p 1 a n a r i t y )，以利於後續製程在支#基 板2 0 2之表面製作微細線路。 如第2B圖所示，形成多個阻障層（barrier layer) 2 0 4於支撐基板2 0 2之上，其中阻障層2 0 4之材質係為導電 材質，例如為金，而形成這些阻障層2 0 4之目的將於下文 4 說明。
11 5JOtwf.ptd 第10頁 1245381--- 五、發明說明（6) 如第2 C圖所示，形成一多層内連線結構2 0 6於支撐基 板2 0 2之上，並覆蓋這些阻障層2 0 2。其中，多層内連線結 構206包括圖案化之多個導線層208、至少一介電層210及 多個導電孔道2 1 2 ，其中這些導線層2 0 8係依序重疊於支撐 基板2 0 2之上，而每一介電層2 1 0則配置於兩相鄰之導線層 2 0 8之間，且這些導電孔道2 1 2係分別貫穿這些介電層2 1 0 之一，而電性連接至少二導線層2 0 8 ，且這些導線層2 0 8及 這些導電孔道2 1 2係共同構成一内部線路，其係形成多個 接合墊208a於多層内連線結構206之頂面206a，且在多層 内連線結構2 0 6之底面2 0 6 b亦形成多個接合塾208b，其中 這些接合墊2 0 8 a係可由導線層2 0 8所形成·，或是由導電孔 道210所形成，第2C圖之接合墊2 0 8a係以後者作為代表， 即以導電孔道2 1 0來作為接合墊2 0 8 a。此外，導線層2 0 8之® 材質例如為銅、鋁及該等合金，而介電層2 1 0之材質例如 為氤化石夕（silicon nitride)、氧 4匕石夕(silicon oxide )或環氧樹脂（epoxy resin)等。 同樣如第2 C圖所示，若以電鍍製程來形成多層内連線 結構2 0 6之内部線路時，可直接藉由支撐基板2 0 2來提供習 知之電鍍線的功能，意即連接電源以提供電鍍所需之電 流。 同樣如第2 C圖所示，由於本發明可以利用液晶顯示面 板或積體電路等相關製程技術，來形成此一多層内連線結 構2 0 6於支撐基板2 0 2之上，使得多層内連線結構2 0 6之内_ 部線路的線寬及線距其範圍均可在1〜5 0微米的範圍之
1 1530twf. pt 第11頁 T245S81 五、發明說明（7) 間，且特別是在1〜數微米的範圍之間。因此，相較於習 知之第1圖所示之以有機材料為介電層材質的基板1 1 〇 ，此 處所製作出之多層内連線結構2 0 6將可提供更高密度的接 合墊及更微細的線路。此外，在形成多層内連線結構2 0 6 於支撑基板2 0 2之上的同時，更可配設被動元件（p a s s i v e component )(未繪示）於多層内連線結構206之内部或其 頂面2 0 6 a ，並電性連接於多層内連線結構2 0 6之内部線 路，或者是在多層内連線結構2 0 6之内部線路形成特殊繞 線來形成電容器（capacitor·)及電感器（inductor)等 被動元件。 如第2 D圖所示，例如以餘刻的方式，移除局部之支禮 基板2 0 2 ，即圖案化支撐基板2 0 2 ，用以形成多個開口 2 0 3，而這些開口 2 0 3係分別經由暴露出這些阻障層2 0 4， 而間接地暴露出這些接合墊2 0 8 b。值得注意的是，設置這 些阻障層2 0 4之目的即是在移除局部之支撐基板2 0 2時，即 圖案化支撐基板2 0 2時，預防蝕刻液不當地移除這些阻障 層204之上方的内部線路。此外，在第2F圖之電子元件218 (例如晶片）以覆晶接合的方式配置於多層内連線結構 206之頂面206a以前，尚可預先在這些接合墊208a上分別 形成一預銲塊2 1 4 (或一凸塊），以利於電子元件2 1 8之覆 晶接合製程。 、如第2 E圖所示，分別形成一絕緣層2 1 6於這些開口 203a之内壁上，但不形成絕緣層216於開口203b之内壁，· 且在形成絕緣層2 1 6之過程中，絕緣層2 1 6可位於支撐基板
1 1 530twf .ptil 第12頁 1245381--- 五、發明說明（8) 2 0 2之較遠離多層内連線結構2 0 6的一面，其中絕緣層2 1 6 之材質係可相同於常見之銲罩層（s ο 1 d e r丨n a s k )的材 質。 如第2F圖所示，配置至少一電子元件218於多層内連 線結構2 0 6之頂面2 0 6 a，並且電子元件2 1 8係可電性連接於 多層内連線結構2 0 6之内部線路，其中電子元件2 1 8例如為 晶片、被動元件或另一電氣封裝體，並且電子元件2 1 8之 電性連接至多層内連線結構2 0 6的方式例如為覆晶接合 (flip-chip bonding )、才丁、線接合(wire bonding )或 熱壓接合(thermal compression bonding )等。值得注 意的是，第一實施例僅以覆晶接合的方式，將一晶片電性 連接至多層内連線結構2 0 6來作為代表。 ^ 、如第2 G圖所示，分別形成一接點2 2 0於這些接合墊 2 0 8 b上，其中這些接點2 2 0例如銲球（s ο 1 d e r b a 1 1 )、針 腳（pin)或電極凸塊（electrode block)，而完成電氣 封裝體2 0 0。值得注意的是，由於具有導電性之支撐基板 202係可提供作為較大之參考平面（reference plane)， 例如電源平面（power plane)或接地平面（ground plane )，故可經由最底層之導線層2 0 8來直接電性連接支 撐基板2 0 2以外，更可經由這些位於開口 2 0 3 b之内的接點 2 2 0 b (僅繪示其一）來直接電性連接支撐基板2 0 2，而其 餘不需電性連接至支撐基板2 0 2的接點2 2 0 a，則分別經由 一絕緣層2 1 6來電性隔絕於支撐基板2 0 2，使得電氣封裝體φ 200具有較大之參考平面，因而相對提升電氣封裝體200之
I _ III ϊ ΙΙϋ I 11530t wf.prd 第13頁 I24^&1--- 五、發明說明（9) 電性效能。 同樣如第2 G圖所示，當這些接點2 2 0係為銲球時，可 將用來形成這些接點2 2 0之材料分別填入這些開口 2 0 2之 内，使得這些接點2 2 0將分別填滿其所對應之開口 2 0 3，並 電性連接至其所對應之接合墊2 0 8 b。此外，尚在分別配置 這些接點2 2 0於這些接合墊2 0 8 b之前或之後來進行切單作 業，用以分割出許多單顆電氣封裝體2 0 0 。 請參考第3圖，其繪示本發明之第一實施例的電氣封 裝體，其採用體積較小之接點的剖面示意圖。當電氣封裝 體2 0 1採用體積較小或針腳型態之接點2 2 0時，為了使這些 接點2 2 0能夠與此一具有導電性之支撐基板2 0 2相電性隔 離，可在分別製作這些接點2 2 0於這些接合墊2 0 8 b上的同 時，設計讓這些接點2 2 0之側緣均分別遠離這些開口 2 0 3之 内壁，或是設計增加這些開口 2 0 3之外徑，使得每一接點 2 2 0之側緣均分別遠離對應之開口 2 0 3的内壁。當然，此處 亦可增加某些接點2 2 0之體積，使得某些接點2 2 0能夠直接 連接至支撐基板2 0 2，即類似第2 G圖之接點2 2 0 b的情況， 但這樣的情況並未繪示於第3圖。 1第二實施例] 第一實施例係先形成一導線層於支摔基板之後，再形 成其餘之多層内連線結構，然而，第二實施例則是在形成 一具介電性之隔絕層以後，始形成其餘之多層内連線結 構。 丨 請依序參考第4 A〜4 Η圖，其繪示本發明之第二實施例
11 530twf. pul 第14頁 1245381--- 五、發明說明（10) 之電氣封裝製程的流程示意圖。 如第4A圖所示，提供一支撐基板302 ，其本身具有硬 質性、可導電性、低熱膨脹係數及高熱導性等特性，支撐 基板3 0 2之材質例如鐵、鈷、鎳、銅、鋁、鈦、鎢、錯、 鉻及該等合金，並且支撐基板302之表面必須具有較高等 級的平坦度，以利於後續製程在支撐基板3 0 2之表面製作 微細線路。 如第4 B圖所示，接著形成一隔絕層3 2 2於支撐基板3 0 2 上，並在隔絕層3 2 2上形成多個開口 3 2 2 a。其中，隔絕層 3 2 2之材質係為介電材質。 如第4 C圖所示，·同時形成多個阻障層3 0 4 a及多個導電 孔道3 0 4 b於支撐基板3 0 2之上，其中這些阻障層3 0 4 a係配 置於隔絕層3 2 2上，而這些導電孔道3 0 4 b則分別位於這些 開口 3 2 2 a之内。此外，阻障層3 0 4 a及導電孔道3 0 4 b之材質 係為導電材質，例如金。 如第4 D圖所示，形成一多層内連線結構3 0 6於支撐基 板3 0 2之上。由於多層内連線結構3 0 6之組成結構已說明於 第一實施例，於此不再重複贅述。同樣地，多層内連線結 構3 0 6之頂面3 0 6 a係形成多個接合墊3 0 8 a，且在多層内連 線結構3 0 6之底面3 0 6 b亦形成多個接合墊3 0 8 b。值得注意 的是，若以電鍍製程來形成多層内連線結構3 0 6之内部導 電線路時，可直接藉由支撐基板302及這些導電孔道304b 來提供習知之電鍍線的功能，意即連接電源以提供電鍍所 需之電流。 .
i1530rwf.prd 第15頁 I2453S1___ 五、發明說明（11) 如第4 E圖所示，移除局部之支撐基板3 0 2 ，即圖案化 支撐基板3 0 2 ，用以形成多個開口 3 0 3 ，其中例如以超音波 穿孔、雷射燒孔或蝕刻等方式來形成多個開口 3 2 3於隔絕 層322上，而這些開口 323分別連通於這些開口 303 ，並分 別經由暴露出這些阻障層304a及這些導電孔道304b，而間 接地暴露出這些接合墊308b。同樣地，在第4G圖之電子元 件3 1 8 (例如晶片）係以覆晶接合的方式，配置於多層内 連線結構3 0 6之頂面3 0 6 a以前，尚可預先在這些接合墊 3 0 8 a上分別形成一預銲塊3 1 4 (或一凸塊），以利於電子 元件3 1 8之覆晶接合製程。值得注意的是，可利用具有導 電性之支撐基板3 0 2來取代習知之電鍵線（p 1 a t e d 1 i n e )，而在多層内連線結構3 0 6之頂面3 0 6 a的這些接合墊 g 3 0 8 a上形成預銲塊3 1 4等。 如第4 F圖所示，分別形成一絕緣層3 1 6於這些開口 3 0 3 a及開口 3 2 3 a之内壁上，但不形成絕緣層3 1 6於開口 303b及開口323b之内壁，且在形成絕緣層316之過程中， 絕緣層3 1 6可位於支撐基板3 0 2之較遠離多層内連線結構 3 0 6的一面，其中絕緣層3 1 6之材質係可相同於常見之銲罩 層（solder mask)的材質。 如第4G圖所示，配置至少一電子元件318於多層内連 線結構3 0 6之頂面3 0 6 a，並且電子元件3 1 8係可電性連接於 多層内連線結構3 0 6之内部線路，其中電子元件3 1 8例如為 晶片、被動元件或另一電氣封裝體，並且電子元件3 1 8其g丨 電性連接至多層内連線結構3 0 6的方式例如為覆晶接合、
11530rwf.ptd 第16頁 J24S3S4--- 五、發明說明（12) 打線接合或熱壓接合等。同樣地，第二實施例仍僅以覆晶 接合的方式，將一晶片電性連接至多層内連線結構3 0 6來 作為代表。 如第4 Η圖所示，分別形成一接點3 2 0於這些接合墊 3 0 8 b上，其申這些接點3 2 0例如銲球、針腳或電極凸塊， 而完成電氣封裝體3 0 0。同樣地，由於具有導電性之支撐 基板3 0 2係可提供作為較大之參考平面，例如電源平面或 接地平面，故可經由這些位於開口 3 0 3 b之内的接點3 2 0 b (僅繪示其一）來直接電性連接支撐基板3 0 2，而其餘不 需電性連接至支撐基板3 0 2的接點3 2 0 a，則分別經由一絕 緣層316來電性隔絕於支撐基板3 0 2，使得電氣封裝體300 具有較大之參考平面，因而相對提升電氣封裝體3 0 0之電 性效能。 同樣如第4 Η圖所示，當這些接點3 2 0係為銲球時，可 將用來形成這些接點3 2 0之材料分別填入這些開口 3 0 2之 内，使得這些接點3 2 0將分別填滿其所對應之開口 3 0 3，並 電性連接至其所對應之接合墊3 0 8 b。此外，尚可在分別配 置這些接點320於這些接合墊308b之前或之後，來進行切 單作業，用以分割出許多單顆電氣封裝體3 0 0 。 在本發明之第一實施例及第二實施例中，本發明之電 氣封裝體除可封裝單個電子元件以外，亦可封裝多個電子 元件，並可經由上述之多層内連線結構之内部線路而相互 電性連接，所以電氣封裝體亦可應用於多重晶片模組 t (Multiple Chip Module ，MCM)及系統於單一封裝
11530twf.ptd 第17頁 124-5381--- 五、發明說明（13) (System In Package ，SIP)。 綜上所述，本發明之電氣封裝體及其製程至少具有下 列優點： (1 )本發明乃是利用一具有硬質性、低熱膨脹係數 及具有導電性之支撐基板來作為製程之初始層，故可減少 電氣封裝體之翹曲現象。 (2 )本發明乃是利用一具有導電性之支撐基板來作 為電氣封裝體之電源平面或接地平面，並可直接利用接點 來連接支撐基板，故可提升電氣封裝體之電性效能。 (3 )相較於習知之介電芯層，本發明乃是利用一具 有相對高熱導性（thermal conductive)之支樓基板來作 為電氣封裝體之主要結構，故可提升電氣封裝體之散熱效 能。 ❸ (4 )相較於習知之基板的介電芯層，本發明不需要 在介電芯層上形成細微的貫孔來製作鍍通孔道（P T Η )， 故可相對提升支撐基板上之多層内連線結構的佈線密度， 因而相對提升電氣封裝體之電性效能。 (5 )在本發明之第二實施例中，本發明係可利用具 有導電性之支撐基板來取代習知之電鍍線（ρ 1 a t e d 1 i n e )，並經由支撐基板，而在多層内連線結構之頂面的這些 接合塾上形成電鍵層、預銲塊（pre-solder)或凸塊 (bump )等。 雖然本發明已以二較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精
115 301 w f. p r d 第18頁
11530twf.pt d 第19頁 I2453&1_-_ 圖式簡單說明 第1圖繪示習知之一種覆晶球格陣列型之電氣封裝體 的剖面示意圖。 第2 A〜2 G圖繪示本發明之第一實施例之電氣封裝製程 的流程不意圖。 第3圖繪示本發明之第一實施例的電氣封裝體，其採 用體積較小之接點的剖面示意圖。 第4 A〜4 Η圖繪示本發明之第二實施例之電氣封裝製程 的流程示意圖。 【圖式標示說明】 1 0 0 :電氣封裝體 1 1 0 :基板 1 1 2 ·•頂面 1 1 4 :底面 1 1 6 a :凸塊塾 1 1 6 b :銲球墊 1 2 0 :凸塊 130 :晶片 1 32 :主動表面 134 :背面 136 :晶片墊 140 ：銲球 1 5 0 :底膠 2 0 0、2 0 1 :電氣封裝體 _ 2 0 2 :支撐基板
11530twf.ptd 第20頁 I24S3B1 圖式簡單說明 2 0 3、 2 0 4 ： 2 0 6 ·· 2 0 6 a 2 0 6 b 2 0 8 ·· 2 0 8 a 2 0 8 b 2 10 21 2 2 14 2 16 2 18 2 2 0 ^ 3 0 0 ： 3 0 2 ： 3 0 3 ^ 3 0 4 a 3 0 4 b 3 0 6 ： 3 0 6 a 3 0 6 b 3 0 8 a 3 0 8 b 203a '203b ：開口 阻障層 多層内連線結構 :頂面 :底面 導線層 :接合墊 :接合墊 介電層 導電孔道 預銲塊 絕緣層 電子元件 2 2 0 a、2 2 0 b :接點 電氣封裝體 支樓基板 3 0 3 a、3 0 3 b :開口 :阻障層 :導電孔道 多層内連線結構 頂面 底面 接合墊 接合墊 _
11530rwf.ptd 第21頁 Ι2453»ί- 圖式簡單說明 3 1 4 :預銲塊 3 1 6 :絕緣層 3 1 8 :電子元件 3 2 2 :隔絕層 322a :開口 323、 323a、 323b:開口 3 2 0 :接點
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Claims (1)

  1. J2453-81___ 六、申請專利範圍 1 . 一種電氣封裝體，至少包括： 一多層内連線結構，具有一頂面及對應之一底面，且 該多層内連線結構更具有一内部線路，而該内部線路更具 有複數個接合墊，其位於該多層内連線結構之該底面； 至少一電子元件，配置於該多層内連線結構之該頂 面，並電性連接於該多層内連線結構之該内部線路；以及 一支撐基板，其材質係為導電材質，且該支撐基板係 配置於該多層内連線結構之該底面，而該支撐基板更具有 多個第一開口 ，其分別暴露出其所對應之該些接合墊之 --- ^ .如申請專利範圍第1項所述之電氣封裝體，更包括 一隔絕層，其材質係為絕緣材質，其中該隔絕層係配置介 於該多層内連線結構及該支撐底板之間，且該隔絕層更具 有複數個第二開口 ，其分別暴露出其所對應之該些接合墊 '— ° '3 .如申請專利範圍第1項所述之電氣封裝體，其中該 些接合塾分別具有一阻障層，其分別配置介於該些接合塾 之表面，且該些第一開口更分別暴露出該些阻障層。 4.如申請專利範圍第1項所述之電氣封裝體，其中該 電子元件係為一晶片、一被動元件及另一電氣封裝體其中 — ° 5 .如申請專利範圍第1項所述之電氣封裝體，其中該 支撐基板之材質係為金屬及合金其中之一。 6 .如申請專利範圍第1項所述之電氣封裝體，更包括
    1153〇twf.pfd 第23頁 ,-124.538-1____ 六、申請專利範圍 複數個接點，其分別經由其所對應之該些第一開口 ，而連 接至其所對應之該些接合墊之一。 7.如申請專利範圍第6項所述之電氣封裝體，其中該 些接點之型態係為銲球、針腳及電極凸塊其中之一。 8 ·如申請專利範圍第6項所述之電氣封裝體，其中該 些接點之至少一係填滿其所對應之該些第一開口之一，而 電性連接至該支撐基板。 9.如申請專利範圍第6項所述之電氣封裝體，其中該 些接點係分別填滿其所對應之該些第一開口 ，而該支撐基 板更具有至少一絕緣層，其.配置於該接點之一及其所對應 該開口之間。 10.如申請專利範圍第1項所述之電氣封裝體，其中該 電子元件係以覆晶接合、打線接合及熱壓接合其中之一的 方式，電性連接於該多層内連線結構之該内部線路。 l· 1 . 一種電氣封裝製程，至少包括下列步驟： 提供一支撐基板，其材質係為導電材質； 形成一多層内連線結構於該支撐基板之上，且該多層 内連線結構具有一内部線路，而該内部線路更具有複數個 接合墊，其位於該多層内連線結構之接近該支撐基板之一 面； 形成複數個第一開口於該支撐基板上，而該些第一開 口係分別暴露出其所對應之該些接合墊之一；以及 配置至少一電子元件於該多層内連線結構之遠離該支4 撐基板之一面，且該電子元件係電性連接於該多層内連線
    11530twf.pt d 第24頁 1245381___ 六、申請專利範圍 結構之該内部線路。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項所述之電氣封裝製程，其中 該支撐基板之材質係為金屬及合金其中之一。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所述之電氣封裝製程，其中 在形成多層内連線結構之時，更包括在每一該些接合墊及 該支撐基板之間形成一阻障層。 1.4，如申請專利範圍第1 1項所述之電氣封裝製程，其中 該電子元件係為一晶片、一被動元件及另一電氣封裝體其 中 -— 〇 I 5 ·如申請專利範圍第1 1項所述之電氣封裝製程，更包 括分別形成一接點於該些接合墊，且該些接點係分別位於 該支撐基板之該些第一開口中。 _ 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之電氣封裝製程，其中Μ 該些接點之型態係採用銲球、針腳及電極凸塊其47之一。 1 7.如申請專利範圍第1 5項所述之電氣封裝製程，其中 該些接點之至少一係填滿其所對應之該些第一開口之一， 而電性連接至該支撐基板。 1 8.如申請專利範圍第1 5項所述之電氣封裝製程，其中 更包括先形成至少一絕緣層於該些開口之一的内壁，且對 應之該接點係填滿該開口 ，並經由該絕緣層而與該支撐基 板相電性隔離。 1 9.如申請專利範圍第1 1項所述之電氣封裝製程，更包 括形成一隔絕層於該支撐底板之上，且該多層内連線結構4 係形成於該隔絕層之上，接著更包括形成複數個第二開口
    11 5 301 w f. p t d 第25頁 124^1- 六、申請專利範圍 於該隔絕層上，且該些第二開口係分別連通於其所對應之 該些第一開口之一，而分別暴露出其所對應之該些接合墊 --- 0 2 0 ·如申請專利範圍第1 1項所述之電氣封裝製程，其中 在配置該電子元件於該多層内連線結構之遠離該支撐基板 之該面時，該電子元件係以覆晶接合、打線接合及熱壓接 合其中之一的方式，而電性連接於該多層内連線結構之該 内部線路。
    11530twt'. pt d 第26頁
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