TWI244217B - Optoelectronic component - Google Patents
Optoelectronic component Download PDFInfo
- Publication number
- TWI244217B TWI244217B TW092133322A TW92133322A TWI244217B TW I244217 B TWI244217 B TW I244217B TW 092133322 A TW092133322 A TW 092133322A TW 92133322 A TW92133322 A TW 92133322A TW I244217 B TWI244217 B TW I244217B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- wafer carrier
- carrier
- scope
- patent application
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 2
- 238000005493 welding type Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
1244217 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及-·-種光電組件,其具有光電晶片,晶片載體 矛口 一種外殻。 【先前技術】 此種形式之組件例如在文件w〇99/07023中已爲人所 知。在此種組件中一種光電晶片固定在晶片載體上。該晶 片和晶片載體之一部份由外殼所圍繞且埋入至該外殻中。 該外殼例如可藉由濺鍍法而製成。晶片載體具有一種區 域,其上固定著該光電晶片。此外,該晶片載體具有多個 終端,其由承載該晶片之區域向外由該外殼中伸出。各終 端通常在該區域形成焊接面,藉此可使該組件固定地焊接 至一電路板上。 上述形式之組件例如作爲發光二極體(較佳是逐漸作爲發 光源)而用在工業中,汽車技術中,電信中且另亦可用在其 它領域中。因此,對該組件之機械可負載性和可靠性之需 求亦增加。特別是在熱機械之可負載性上之機械需求很 高。 此種組件之可靠性能以一種參數來測得,其單位是ppm (Parts-per-Million)。因此可測得:多少個由百萬個片段所 構成之構件顯示出一種失效現象。此其間失效率被要求接 近於0 ppm。 上述形式之習知構件之缺點是:其就可靠性而言不能達 到所期望之失效率。一種特殊之弱點在於:光電晶片和晶 1244217 作用之全部之力可互相抵消。這種點即爲該半導體本體之 具備點對稱性之點。較佳是使該組件配置在此種對稱點 中。這種構想特別適用於圍繞該組件之半導體本體。 對晶片載體而言亦有類似之構想。但此處由於軌道形式 而延伸之終端首先須注意該晶片載體之終端之縱向之中 軸。晶片載體和周圍之外殻之間所作用之力主要是沿著各 終端之縱向之中軸而作用著。因此須注意:在焊接各終端 時,各終端須可承受該傳送至外殼之高溫。在焊接之後該 晶片載體之各終端之冷卻速率較該外殻者快很多,這另外 又可歸因於各終端之較佳之導熱性及其至電路板上之導電 軌之熱接觸區。因此會形成一種溫度差,其會在各終端和 周圍之半導體本體之間造成一種剪應力。此種剪應力可由 一種沿著各別終端之縱向之中軸而作用之力來表示。本發 明中因此須注意:除了外殼之外,晶片載體之終端之縱向 之中軸亦具有所需之對稱性,以使力達到一種補償作用。 本發明之光電組件含有一種光電晶片。此外,晶片載體 設有一種中央區,其上固定著該晶片。又,該晶片載體具 有終端,各終端由晶片載體之中央區向外延伸。該光電晶 片和晶片載體之一部份由一種本體所包封。須選取該晶片 之配置,該本體之造型和該晶片載體之造型,使該本體之 投影以及各終端之縱向之中軸在晶片和晶片載體之間之接 觸面上之投影分別對該晶片之中點之投影形成點對稱。 因此,較佳是各終端由晶片載體向外而在一平面中延 伸0 1244217 晶片和晶片載體之間之接觸面例如可由一安裝面所設 定,該安裝面中該晶片安裝在晶片載體上。 此處須指出:本說明書中爲了簡化起見所使用之”對中點 形成點對稱”係與”對中點之投影形成點對稱”同義。 藉由該組件之對稱之形式,則可使所產生之熱機械應力 互相補償且因此可使該組件之失效危險性降低。 在該組件之實施形式中,該本體由可透過輻射之材料所 形成。這樣之優點是:晶片中所產生之光可直接經由該本 體而發出。 在該組件之另一實施形式中,該本體包含一外殻,該外 殻設有一種凹口。該凹口中配置一可透過輻射之封罩。該 晶片埋入至該封罩中。該封罩在該平面上之投影可有利地 對該晶片之中點形成點對稱。 該組件之實施形式之優點是:只使用可透過輻射之材 料,其亦可用在該晶片之直接相鄰之周圍中。該本體之其 餘部份可形成外殻,其未必可透過輻射且因此可使用許多 適當之材料,其例如可針對重量,機械強度,可加工性, 熱膨脹性等等來選取。 若該本體由二種不同之材料所構成,則特別有利的是該 外殼和封罩分別以對中點形成點對稱之形式而形成。特別 有利的是:該晶片配置在封罩和外殼之對稱點中。這樣可 在該外殻中由於熱而使該封罩變形時使該晶片之機械負載 大大地下降,此乃因該封罩之變形而作用在晶片上之力由 於該封罩之點對稱或由於該封罩在該接觸面上之投影之點 1244217 至本體中。這些固定用之元件例如可由晶片載體中形成之 倒鉤,晶片載體中形成之孔或晶片載體中形成之深沖壓紋 所構成。各孔和各倒鉤用來穿透該晶片載體和本體,就像 其在濺鍍該晶片載體和本體時可產生者一樣。該晶片載體 之固定用之這些元件能以上述之構想而不對稱地配置著。 即,該晶片載體之固定用之這些元件相對於其位置而言不 必具有一種對該晶片中點之點對稱性。 但另一實施形式中有利的是:依據上述之實施形式使該 晶片載體之固定用之這些元件對該晶片中點配置成點對稱 性。 依據該組件之另一實施形式,該晶片載體之固定用之這 些元件不是對稱的而是均勻地分佈在該晶片載體上,以防 止:該晶片載體之一半良好地固定在本體中,而另一半例 如使該晶片載體之相面對之一半平滑地在該本體中運行。 這樣當然會使以下之危險性增大:不對稱之剪應力會在該 本體和該晶片載體之間產生。 依據該組件之另一實施形式,其設計方式是:每一終端 在該本體之背面上都具有一焊接面。這樣所具有之優點 是:該組件可藉由表面安裝法而安裝在一種電路板上。其 它優點是:可良好地使用該晶片載體之對稱性。此乃因當 該晶片載體在安裝全部之終端而同時被足夠地加熱時,所 作用之熱機械應力可最佳化地被補償。 此外,提供該組件之一種配置,其中該晶片載體之焊接 面是與一電路板之之導電面相焊接。 -10- 1244217 【實施方式】 本發明以下將依據圖式和實施例來描述。 适些圖中相同之參考符號表示功能相同或相似之元件。 第1圖之組件具有一種光電晶片1,其固定在晶片載體2 上。該光電晶片1例如可以是一種發光二極體,但亦可爲 一種雷射二極體。該光電晶片1可垂直地或橫向地發射。 在弟一種^況下須形成該外殻Π,使該凹口 1 2之內側形 成一種由該晶片所發出之光所用之反射器。 該晶片載體2例如可由導線架所製成。這樣之優點是: 大件數之該組件可簡易且便宜地製成。該晶片載體2在此 種情況下由很薄之導電片所構成,由該導電片而沖製出一 特定之形式。例如,可考慮一種鐵-鎳-合金以作爲晶片載 體2用之材料。 該晶片1和該晶片載體2之中央部份由本體5所包封, 該本體5由外殼1 1和可透過輻射之封罩13所組成。可透 過輻射之封罩1 3由一種對晶片1所發出之輻射係可透過 之材料所構成。例如,可考慮使用一種樹脂作爲該封罩i 3 用之材料。 該外殼1 1較佳是作爲該組件之機械穩定之用。外殼例如 可由熱塑性塑膠所構成。 就第1圖之組件之製成而言,可依據所謂”Premold”技術 而在第一步驟中濺鍍出該晶片載體2和該外殼1 1。第二步 驟是使該晶片和一種導線安裝在該外殻1 1之開口(空腔) 中 〇 -11- 1244217 在第三步驟中使該封罩13塡入該外殻之凹口 12中。 該組件之第1圖中所示之實施例係使用所謂”〇verm〇ld” 技術。這表示:該晶片載體2之上側在該凹口 12之區域 中未由該外殼1 1之材料所覆蓋。其結果是··該封罩1 3和 該外威11之底部之間一種直接之接觸區只設定在該外殼 底部之由晶片載體2所露出之位置上。依據另一可能之實 施形式,其係使用”〇vermold”技術,其中該晶片載體2之 上側由該外殻1 1之材料之大的面積所覆蓋。在此種情況 下會在該封罩1 3和該凹口 1 2之底部之間形成一種大的接 觸面(請比較第3,4,5圖中之參考符號14)。 此處所述之例子中所不之各種組件都是未使 用”Overmold”技術所製成之組件。 在該外殼1 1之背面上各焊接面1 6形成該晶片載體2之 終端4 1,42,其與一電路板1 7之導電面1 8相焊接。 此處仍須指出:該晶片1和晶片載體2之間之接觸面或 安裝面以及各終端4 1,42之位於該本體5內部之部份都是 位於一唯一之平面9中。但這未必是絕對必要的,反之, 各終端41,42之中央區(請比較第3,4,5圖中之參考符 號3)相對於該本體5內部中延伸之區段而言可調整成較高 或較低。在此種情況下,該參考面(點對稱之準則係針對此 參考面而W)是該晶片1和該晶片載體2之間之接觸面。 各終端4 1,42固定在電路板1 7之導電面1 8上係以焊劑 20來達成。 第2圖是該本體5在晶片1和該晶片載體2之間之接觸 -12- 1244217 面上之投影。其中可辨認··該外殼1 1和該可透過輻 封罩1 3就其外部之俯視圖輪廓而言係對該晶片之中央 形成一種點對稱。同樣情況亦適用於該本體5和該封· 在晶片1和該晶片載體2之間之接觸面上之投影。此 這些元件(即,外殻1 1和封罩1 3)特別就其在晶片1和 片載體2之間之接觸面上之投影而言仍須滿足其它 件。即,其須對稱於二個互相垂直之軸1 〇 1,1 02。外‘ 和封罩1 3之對稱性因此可更提高,這樣可使該組件 之危險性更低。 第3圖是晶片載體2在晶片1和該晶片載體2之間 觸面上之投影。此處須指出:各終端41,42不是在該 1 1之邊緣上向下彎曲而是在該外殼1 1之下側上向內彎 如第1圖所示。反之,各終端41,42以直線方式由外 延伸而出。由第3圖可知:各終端4 1,42之縱向之中軸 62對該晶片1之中點8形成點對稱。此外,整個晶片 2對該中點8形成點對稱。由第3圖又可知:該晶片 具有一種中央區3,其上固定著該晶片1。該晶片載 另具有終端4 1,42,其用來與該晶片1作電性上之接 其由該中央區3向外而在一種平面中延伸。 由第3圖又可知:該晶片載體2具有其它對稱性。 別是對稱於二個互相垂直之軸1 0 1,1 02,其中各軸1 0 1 是該外殻1 1和該封罩1 3所對稱之軸。 第3圖中以二個粗黑之箭頭來表示該沿著各終端41 而作用之力,其例如由各終端4 1,4 2焊接時所生成之 射之 點8 ? 13 外, 該晶 之條 設11 失效 之接 外殼 曲, 殼11 61, 載體 載體 體2 觸且 其特 ,102 ,42 熱所 -13- 1244217 置未具備此處所示之其餘各組件之對稱性。這對達成本發 明之目的而言亦是不需要的。因此,各固定元件1 5只須 依據其它可能仍存在之需求來配置即可而不必考慮特定之 對稱性。 又,由第4圖可得知:設有其它之終端48,49,其對該 晶片之接觸區形成該晶片載體2所需之反極性。各終端48, 49對各軸101,102形成軸對稱以及對中央點8形成點對 稱。各終端41,42,43,44,48,49顯示:其除了點對稱 性之外亦具有雙重之軸對稱性。這樣所具有之效應是:第 4圖中亦以粗黑之箭頭來表示之拉力(其分別作用在晶片載 體2和本體5之間以及各終端48,49和本體5之間)就平 移(Translation)和旋轉動量而言可互相補償。 這表示:該晶片1之位置在負載情況下廣泛地未受到平 移之力且亦廣泛地未受到旋轉動量。 此處須指出:各終端41,42,43,44可由該晶片載體向 外延伸而出,使其幾乎平行於該對稱軸1 0 1而由該本體離 開。各終端41,42,43,44在該本體5之不具備該終端48, 4 9之此側上向外延伸。 第5圖顯示該晶片載體2之形式之另一例子,但此處該 晶片載體2未設定雙重之軸對稱性。反之,第5圖之設計 方式是:晶片載體2(即,一種中央區3和各終端41,42 之組合)只具有一種對該中央點8之點對稱性。此處沿著縱 向之中軸6 1,62而作用之拉力因此可被補償,但亦可辨認: 在已因熱而軟化之本體5中一種旋轉動量作用在晶片1 -15- 1244217 上。但這直至某種程度時仍不會造成損害,因此在本發明 之範圔中亦允許一種晶片載體,其未具備如第3,4圖所 示之雙重之軸對稱性。 由第5圖另外可知:設有另一終端48以與該晶片1之上 側相接觸’其未滿足上述之對稱條件。這對達成本發明之 目的而S亦不需要’因此弟5圖是本發明之同等價値之實 施例。 須指出該連結線1 9,其使該終端4 8可與晶片之與晶片 載體2相面對之此側相連。 本發明之保護範圍不限於各實施例所描述之內容。反 之,本發明包含每一新的特徵和各特徵之每一種組合,這 特別是包含各申請專利範圍中各特徵之組合,當這些組合 未明顯地在描述在各申請專利範圍中亦同。 本發明主張2002年11月29日之德國專利文件DE 10255 932.5之優先權,其所揭示之全部之內容此處作爲參考而 明顯地用在本發明中。 【圖式簡單說明】 第1圖 本發明之組件之實施例之橫切面。 第2圖 該組件之一實施例之外殼,晶片和封罩在一平面 上之投影。 第3圖 該組件之一實施例中該晶片載體在一平面上之投 影。 第4圖 另一實施例中該晶片載體在一平面上之投影。 第5圖 該晶片載體在該平面上之另一投影。 -16 - 1244217 主要元件 1 2 3 5 8 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 41 〜44 48,4 9 6 1 〜64 101 , 102 符號表: 光 晶 中 本 中 平 外 凹 封 接 固 焊 電 導 連 終 終 縱 軸 電晶片 片載體 央區 體 央點 面 殼 □ 罩 觸面 定元件 接面 路板 電面 結線 端 端 向之中軸
•17-
Claims (1)
- imm ',Ρ — I.*.一 _孤.2^单1請專利範圍: 第9 2 1 3 3 3 2 2號「光電組件」專利案 (94年3月修正) 1. 一種光電組件,其特徵爲包含: -.一'種光電晶片(1) ’ -一種晶片載體(2),其具有:中央區(3),其上固定著 該晶片(1);多個終端(41,42,43,44),其由該晶片載 體(2)之中央區(3)向外延伸, -該晶片(1)和該晶片載體(2)之一部份由本體(5)所包 封, -該本體(5)-和各終端(41,42,43,44,48,49)之縱向 之中軸(61,62,63,64)在晶片(1)和晶片載體(2)之間之 接觸面上之投影分別對該晶片(1)之中央點(8)之投影形成 一種點對稱。 2. 如申請專利範圍第1項之光電組件,其中各終端由晶片 載體開始而在一平面中向外延伸。 3. 如申請專利範圍第1或2項之光電組件,其中該晶片和 晶片載體之間之接觸面藉由該晶片之安裝面而設定在晶 片載體上。 4. 如申請專利範圍第1項之光電組件,其中該本體(5)由一 可透過輻射之材料所構成。 5 .如申請專利範圍第1項之光電組件,其中 -該本體(5)包含一種外殼(11),其具有一凹口(12), -該凹口(12)中配置一可透過輻射之封罩(13),該晶片 1244217ff(1)埋入至<該封罩(13)中, -該封罩在晶片(1)和晶片載體(2)之間之接觸面上之投 影對該晶片(1)之中央點(8)形成一種點對稱。 6. 如申請專利範圍第5項之光電組件,其中該封罩和該凹 口(12)之底部之間之接觸面(14)在晶片(1)和晶片載體(2) 之間之接觸面上之投影對該晶片(1)之中央點(8)形成一種 點對稱。 7. 如申請專利範圍第1 ,5或第6項之光電組件,其中該 晶片載體(2)在晶片(1)和晶片載體(2)之間之接觸面上之 投影對該晶片(1)之中央點(8)形成一種點對稱。 8. 如申請專利範圍第1 ,5或第6項之光電組件,其中設 有一與該晶片載體(2)相隔開之其它終端(48,49),其在 晶片(1)和晶片載體(2)之間之接觸面上之投影對該晶片(1) 之中央點(8)形成一種點對稱。 9.如申請專利範圍第1 ,5或第6項之光電組件,其中在本體(5)中設有該晶片載體(2)之固定用之元件(15) ’各元 件(15)以不對稱方式而配置著。 10.如申請專利範圍第9項之光電組件,其中該晶片載體(2) 之固定用之元件(15)在本體(5)中均勻地分佈在該晶片載 體(2)上。 1 1 .如申請專利範圍第1 ,5或第6項之光電組件,其中在 本體(5)中設有該晶片載體(2)之固定用之元件(15),其在 晶片(1)和晶片載體(2)之間之接觸面上之投影對該晶片(1) 之中央點(8)形成一種點對稱。 i匕- 1244217[f 1 2 .如申請專利範圍第1項之光電組件,其中每一終端(4 1, 42,43,44,48,49)在該本體(5)之背面上具有一種焊接 面。 1 3 . —種具有申請專利範圍第1至1 2項中任一項光電組件之 配置,其特徵爲:該晶片載體(2)之焊接面(16)是與一電 路板(17)之導電面(18)相焊接。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10255932A DE10255932A1 (de) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | Optoelektronisches Bauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200419828A TW200419828A (en) | 2004-10-01 |
TWI244217B true TWI244217B (en) | 2005-11-21 |
Family
ID=32318837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092133322A TWI244217B (en) | 2002-11-29 | 2003-11-27 | Optoelectronic component |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7271425B2 (zh) |
EP (1) | EP1565948B1 (zh) |
JP (1) | JP2006508537A (zh) |
CN (1) | CN100565943C (zh) |
DE (1) | DE10255932A1 (zh) |
TW (1) | TWI244217B (zh) |
WO (1) | WO2004051757A2 (zh) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7397067B2 (en) * | 2003-12-31 | 2008-07-08 | Intel Corporation | Microdisplay packaging system |
US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
US7821023B2 (en) | 2005-01-10 | 2010-10-26 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US9793247B2 (en) | 2005-01-10 | 2017-10-17 | Cree, Inc. | Solid state lighting component |
US8669572B2 (en) | 2005-06-10 | 2014-03-11 | Cree, Inc. | Power lamp package |
JP5130680B2 (ja) * | 2006-03-02 | 2013-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその形成方法 |
US7675145B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
US11210971B2 (en) | 2009-07-06 | 2021-12-28 | Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited | Light emitting diode display with tilted peak emission pattern |
US8748915B2 (en) | 2006-04-24 | 2014-06-10 | Cree Hong Kong Limited | Emitter package with angled or vertical LED |
US7635915B2 (en) | 2006-04-26 | 2009-12-22 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus and method for use in mounting electronic elements |
US8735920B2 (en) | 2006-07-31 | 2014-05-27 | Cree, Inc. | Light emitting diode package with optical element |
US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
DE102007005630B4 (de) * | 2007-02-05 | 2019-08-08 | Infineon Technologies Ag | Sensorchip-Modul und Verfahren zur Herstellung eines Sensorchip-Moduls |
US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
TWM329244U (en) * | 2007-10-01 | 2008-03-21 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode device |
US10256385B2 (en) | 2007-10-31 | 2019-04-09 | Cree, Inc. | Light emitting die (LED) packages and related methods |
USD615504S1 (en) | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
US8866169B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-10-21 | Cree, Inc. | LED package with increased feature sizes |
USD633631S1 (en) | 2007-12-14 | 2011-03-01 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
USD634863S1 (en) | 2008-01-10 | 2011-03-22 | Cree Hong Kong Limited | Light source of light emitting diode |
US8049230B2 (en) | 2008-05-16 | 2011-11-01 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus and system for miniature surface mount devices |
JP5464825B2 (ja) * | 2008-07-23 | 2014-04-09 | ローム株式会社 | Ledモジュール |
US20100059783A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Harry Chandra | Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation |
US9425172B2 (en) | 2008-10-24 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | Light emitter array |
US8791471B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
US8368112B2 (en) * | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
JP5340763B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-11-13 | ローム株式会社 | Ledランプ |
US8415692B2 (en) | 2009-07-06 | 2013-04-09 | Cree, Inc. | LED packages with scattering particle regions |
US8598809B2 (en) | 2009-08-19 | 2013-12-03 | Cree, Inc. | White light color changing solid state lighting and methods |
US8350370B2 (en) | 2010-01-29 | 2013-01-08 | Cree Huizhou Opto Limited | Wide angle oval light emitting diode package |
US8455882B2 (en) | 2010-10-15 | 2013-06-04 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs |
JP2013004905A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-01-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 |
US8692282B2 (en) * | 2011-10-27 | 2014-04-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting module comprising the same |
US8823041B2 (en) | 2011-10-27 | 2014-09-02 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting module comprising the same |
US8564004B2 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | Complex primary optics with intermediate elements |
USD735683S1 (en) | 2013-05-03 | 2015-08-04 | Cree, Inc. | LED package |
US9461024B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips |
USD758976S1 (en) | 2013-08-08 | 2016-06-14 | Cree, Inc. | LED package |
DE102013110114A1 (de) | 2013-09-13 | 2015-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
USD790486S1 (en) | 2014-09-30 | 2017-06-27 | Cree, Inc. | LED package with truncated encapsulant |
USD777122S1 (en) | 2015-02-27 | 2017-01-24 | Cree, Inc. | LED package |
USD783547S1 (en) | 2015-06-04 | 2017-04-11 | Cree, Inc. | LED package |
CN106571383B (zh) * | 2015-10-08 | 2020-04-28 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5516415A (en) | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Hitachi Ltd | Diode |
JPS5910288A (ja) * | 1982-07-09 | 1984-01-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2686568B2 (ja) | 1991-04-05 | 1997-12-08 | シャープ株式会社 | 光学装置 |
JPH10144965A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 光半導体装置及びその製造方法 |
DE29825062U1 (de) * | 1997-07-29 | 2004-07-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JPH11150295A (ja) | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法および表示装置 |
JP3784976B2 (ja) | 1998-12-22 | 2006-06-14 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2000216413A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Apic Yamada Corp | Bga型透明プラスチック半導体パッケ―ジ |
JP2001177151A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Sharp Corp | チップ部品型led |
US6504238B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-01-07 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe with elevated small mount pads |
JP2002111067A (ja) | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | Ledランプ及びledランプ組立体 |
US20020070387A1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-13 | Bily Wang | Focusing cup on a folded frame for surface mount optoelectric semiconductor package |
US6541800B2 (en) | 2001-02-22 | 2003-04-01 | Weldon Technologies, Inc. | High power LED |
US6578998B2 (en) * | 2001-03-21 | 2003-06-17 | A L Lightech, Inc. | Light source arrangement |
JP3973082B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2007-09-05 | シチズン電子株式会社 | 両面発光ledパッケージ |
-
2002
- 2002-11-29 DE DE10255932A patent/DE10255932A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-11-27 WO PCT/DE2003/003923 patent/WO2004051757A2/de active Application Filing
- 2003-11-27 EP EP03767463.7A patent/EP1565948B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-27 TW TW092133322A patent/TWI244217B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-11-27 US US10/535,794 patent/US7271425B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-27 JP JP2004556018A patent/JP2006508537A/ja active Pending
- 2003-11-27 CN CN200380104351.7A patent/CN100565943C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060049477A1 (en) | 2006-03-09 |
EP1565948B1 (de) | 2016-03-16 |
CN100565943C (zh) | 2009-12-02 |
US7271425B2 (en) | 2007-09-18 |
WO2004051757A2 (de) | 2004-06-17 |
WO2004051757A3 (de) | 2004-12-23 |
JP2006508537A (ja) | 2006-03-09 |
TW200419828A (en) | 2004-10-01 |
CN1717813A (zh) | 2006-01-04 |
EP1565948A2 (de) | 2005-08-24 |
DE10255932A1 (de) | 2004-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI244217B (en) | Optoelectronic component | |
TW554600B (en) | Semiconductor laser device including light receiving element for receiving monitoring laser beam | |
US7391153B2 (en) | Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation | |
US6998777B2 (en) | Light emitting diode and light emitting diode array | |
JP4192742B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4122784B2 (ja) | 発光装置 | |
CN102859731B (zh) | Led模块 | |
JP2005183531A (ja) | 半導体発光装置 | |
JPWO2004001862A1 (ja) | 半導体発光装置及びその製法並びに半導体発光装置用リフレクタ | |
JP2006313896A (ja) | 発光素子パッケージ | |
KR20120094526A (ko) | Led 광 모듈 | |
JP5535750B2 (ja) | 発光素子モジュール | |
US11309680B2 (en) | Light source device including lead terminals that cross space defined by base and cap | |
TWI446516B (zh) | 光電組件與製作光電組件的方法 | |
JP2004200207A (ja) | 発光装置 | |
TWI385824B (zh) | 光源裝置 | |
KR20090102208A (ko) | 방열 led 패키지 | |
JP2010045167A (ja) | 半導体装置 | |
KR100862515B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
CN101556034B (zh) | 光源装置 | |
JP4192619B2 (ja) | 発光ダイオードランプ装置 | |
JP3501695B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US10608152B2 (en) | Electro-optical assembly | |
CN106465537A (zh) | 印刷电路板和包括该印刷电路板的光发射器件 | |
JP2007019153A (ja) | 光リンクデバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |