JPS5910288A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5910288A
JPS5910288A JP57118573A JP11857382A JPS5910288A JP S5910288 A JPS5910288 A JP S5910288A JP 57118573 A JP57118573 A JP 57118573A JP 11857382 A JP11857382 A JP 11857382A JP S5910288 A JPS5910288 A JP S5910288A
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JP
Japan
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lead
transparent
mark
molded body
semiconductor device
Prior art date
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Pending
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JP57118573A
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English (en)
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Kenji Hirashima
平嶋　賢治
Masayuki Horie
堀江　正幸
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は透明な成形体で封止された半導体装置に関する
。
ホトダイオード等の受光用半導体素子はそのｐｎ接合が
外部よりの光を受けうるように透明な樹脂やガラスの成
形体により封止し、素子を支持するリードと素子の電極
に接続されたリードとを成形体の側面よシ突出させる構
造を有するのが普通である。ところで樹脂等の成形体で
封止した半導体製品には通常樹脂成形体表面に印刷等に
よるマーキングを施してその型式、仕様製造ロット番号
を明らかにしているが、成形体が透明であるときは、マ
ーキングと成形体内部の素子やリードが重なって見える
ことによりマークが判別し難いことが多い。又、樹脂成
形体の表面に印刷でマーキングする場合、こすれ等によ
シマークが剥落することもあった。
本発明は上記したような問題を解決したものでその目的
とするところは、マーキングの見分けがしやすく、また
マーキング自動化に有利な半導体装置のマーキング技術
の提供にある。
本発明の一つの実施形態は半導体素子と複数のリードと
を透明な成形体によシ封止し上記リードの封止された部
分に半導体素子の型式・仕様・製造ロット番号等をあら
れすマークを透明体を通して外部から見得るように設け
たものである。
第１図乃至第３図は本発明を２極のホトダイオードに適
用した場合の一つの例についてその組立プロセスの下記
する各工程を示すものである。
（］）第１図はリードフレームとして用意されたリード
を示すもので、１はペレット付は側のリード、２は他の
リード、３はリード間を連結し樹脂モールド時のダムと
なる部分である。このリードフレームに対して半導体素
子を組立てるにあたって、その素子の型式・仕様１Ｍ造
ロア）番号等をあられすマーク（同図で例えば５１２３
）を印刷又は刻印等の手段によりペレットの取付けられ
るＩＪ　−ドの広い部分５にマーキングする。
（２）第２図に示すようにリードの広い部分５に半導体
素子６をペレットボンディングし１次いでこの半導体素
子の一電極と他のり−ド２との間を金ワイヤ７によるワ
イヤボンディングする。
（３）素子及びリードを透明な樹脂（例えばエポキシ系
樹脂）又はガラス等によりモールドし第３図に示すよう
な透明成形体８を得る。このときリードの一部は透明成
形体８の一側より外部に突出する。モールド後、リード
間のダム部分３は切り取られ各リードは電気的に分離さ
れる。封止されたリード上のマーク４は透明成形体を通
してその内容が容易に読みとられる。
第４図及び第５図は３極の素子（受光素子）に４本のリ
ードを有する半導体装置に本発明を適用した場合の一つ
の例についてその完成時の形態を平面図（第４図）及び
正面図（第５図）により示すものである。同図における
各構成部分の指示番号は第１図〜第３図における共通の
構成部分と同一の番号を用いである。この例では透明成
形体の上部を透明体レンズ９として形成しである。この
透明体レンズによって外部よりの光を素子の受光面に集
光させて受光感度を良好とすると同時に素子の取り扱い
時にレンズで拡大されたマークを容易に読み取ることが
できる。
第６図及び第７図は透明成形体において素子に光を集光
させるレンズ（１０）とマークを拡大するレンズ（１１
）とを別々に設けた場合の例を示す。この場合、リード
１の素子を取付ける面とリード２のワイヤをボンディン
グする面とはリード方面に直角な方向に形成されたリー
ドフレームが使用される。
以上実施例で述べた本発明によれば下記の諸効果が奏せ
られる。
（１）ペレット組立時にフレームでマーキングの自動化
が可能であり、このことによυマーキングの連続処理が
できマーキングを簡単に行なうことができる。このこと
は又、ペレットと製品名との対応が明確となるため同一
外形の他製品の混入防止ができる。
（２）マークは成形体上にでなく内部のリード等に設け
られるため透明成形体を通して読みとることができる。
マークは透明成形体内部で保護されているために剥落す
ることがない。
（３）透明成形体のレンズ効果を利用してマークの拡大
視が可能である。
本発明は前記実施例に限定されずこれ以外の下記のよう
に種々の変形例をもつことができる。
（１）マーキングは数字や文字等の記号に限らず色彩の
組合せを利用するものであってもよい。
（２）透明成形体はうすい色彩を含む半透明体であって
もよい。
半導体素子はホトダイオード、発光ダイオード（可視・
赤外等）のごとく透明成形体により封止された半導体製
品の全てに本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の一つの実施例において組立
時のリードフレームの形態を示す平面図である。 第３図は本発明の一つの実施例において封止後のダイオ
ードの全体を示す斜面図である。 第４図は本発明の他の一つの実施例を示す平面図、 第５図は同正面図である。 第６図は本発明の他の一つの実施例を示す平面図（又は
正面図）、 第７図は同じくその正面図（又は側面図）である。 １．２・・リード、３・・・ダム、４・・・マーク、５
・・・ペレット取付は部、６・・・素子（ベレット）、
７・・・金ワイヤ、８・・・透明成形体＋　９．１０．
１１・・・透明体レンズ。 第　　１　　図 第　　４　図 第　　５　図 第　　６　図 第　　７　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と複数のリードとを透明成形体により封
    止しこの透明成形体側面よりリードの一部を露出して成
    る半導体装置において、上記リードの封止された部分に
    上記半導体素子の型式・仕様・製造ロット番号等をあら
    れすマークを透明体を通して外部から見得るように設け
    たことを特徴とする半導体装置。 ２、上記半導体素子が発光ダイオード又は受光ダイオー
    ドである特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。 ３　上記透明成形体はレンズ状部分を有しマークがこの
    レンズ状部分を通して見得るようになっている特許請求
    の範囲第１項又は第２項に記載の半導体装置。
JP57118573A 1982-07-09 1982-07-09 半導体装置 Pending JPS5910288A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57118573A JPS5910288A (ja) 1982-07-09 1982-07-09 半導体装置

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JP57118573A JPS5910288A (ja) 1982-07-09 1982-07-09 半導体装置

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JPS5910288A true JPS5910288A (ja) 1984-01-19

Family

ID=14739935

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57118573A Pending JPS5910288A (ja) 1982-07-09 1982-07-09 半導体装置

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JP (1) JPS5910288A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194362U (ja) * 1984-11-26 1986-06-18
US7347603B2 (en) 2002-11-05 2008-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting diode
EP1565948B1 (de) * 2002-11-29 2016-03-16 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauelement

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194362U (ja) * 1984-11-26 1986-06-18
US7347603B2 (en) 2002-11-05 2008-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting diode
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