TWI242003B - Chemically amplified polymer having pendant group with dicyclohexyl and resist composition comprising the same - Google Patents

Chemically amplified polymer having pendant group with dicyclohexyl and resist composition comprising the same

Info

Publication number
TWI242003B
TWI242003B TW091136589A TW91136589A TWI242003B TW I242003 B TWI242003 B TW I242003B TW 091136589 A TW091136589 A TW 091136589A TW 91136589 A TW91136589 A TW 91136589A TW I242003 B TWI242003 B TW I242003B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
chemical formula
functional group
dicyclohexyl
patent application
monohydrogen
Prior art date
Application number
TW091136589A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200407299A (en
Inventor
Eun-Kyung Son
Jae-Hyun Kang
Deog-Bae Kim
Jae-Hyun Kim
Original Assignee
Dongjin Semichem Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongjin Semichem Co Ltd filed Critical Dongjin Semichem Co Ltd
Publication of TW200407299A publication Critical patent/TW200407299A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI242003B publication Critical patent/TWI242003B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/52—Esters of acyclic unsaturated carboxylic acids having the esterified carboxyl group bound to an acyclic carbon atom
    • C07C69/533—Monocarboxylic acid esters having only one carbon-to-carbon double bond
    • C07C69/54—Acrylic acid esters; Methacrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
    • C07C67/14—Preparation of carboxylic acid esters from carboxylic acid halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
    • C07C67/30—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group
    • C07C67/333—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton
    • C07C67/343—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton by increase in the number of carbon atoms
    • C07C67/347—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by isomerisation; by change of size of the carbon skeleton by increase in the number of carbon atoms by addition to unsaturated carbon-to-carbon bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/74—Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
    • C07C69/753—Esters of carboxylic acids having an esterified carboxyl group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring of polycyclic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/12—Esters of monohydric alcohols or phenols
    • C08F220/16—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms
    • C08F220/18—Esters of monohydric alcohols or phenols of phenols or of alcohols containing two or more carbon atoms with acrylic or methacrylic acids
    • C08F220/1818—C13or longer chain (meth)acrylate, e.g. stearyl (meth)acrylate
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
    • C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
    • C07C2601/14—The ring being saturated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2602/00—Systems containing two condensed rings
    • C07C2602/36—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common
    • C07C2602/42—Systems containing two condensed rings the rings having more than two atoms in common the bicyclo ring system containing seven carbon atoms
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Description

1242003 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有二環己基懸掛官能基鍵結之新的 (甲基）丙烯酸（（meth)acrylic)或冰片烯羧酸酯（n〇rb〇rnene carboxylate)化合物、製備該化合物之製程、以該化合物來 合成一化學式增強兩分子、及可用於ArF之包含該高分子 的光阻組合物’其係具有高解析度與優良抗餘刻性。 【先前技術】 因半導體裝置朝向高集積度，故亟需0.25微米尺寸 以下之超精細圖案。因此，根據雷里準則（Rayleigh，s rule) 用於圖案化之光源波長係而縮短，如436奈米（g-nne)與 365奈米（i-line)縮減為193奈米（ArF)、157奈米（VUV)與 248奈米（KrF)。然而，先前技術中一般阻劑材料需於248 奈米尺寸下使用，以獲致可用於容量超過1Gbit之裝置之 圖案尺寸。因此’為了滿足精密解析度之需求，已不斷 開發能在低於1 9 3奈米波長下作用之新的阻劑材料。 習知用於可抗- ArF-阻劑材料之高分子係依據其結構 分為三類：聚丙烯酯、環烯-順丁烯二酸酐（cycl〇〇lefin- maleic anhydride)共聚合物與聚冰片烯（p〇lyn〇rb〇rnene)。 以平版印刷之優劣表現（圖案崩塌、線緣粗糙度、SEM光 束收縮、抗蝕刻等）而言，三者之中，以環烯-順丁烯二酸 酐共聚合物（COMA)形式之阻劑較有用。然而，以c〇MA 為基礎之光阻因順丁烯二酸酐（Μ A)水解之問題，而導致 1242003 解析度無法滿足需求，特別無法滿足細線密度與相間隔 案方面之需求。包含傳統COMA之光阻也因其不具有 效的抗钱刻性，因此不易使用乾蝕刻製程。 【内容】 本發明之一目的係提供（曱基）丙烯酸叛酸 ((meth)aci*ylic carboxylate)化合物或具有巨脂肪環取代基 冰片烯羧酸酯（n〇rb〇rnene carboxylate)，並提供製備該化 物之製程，以解決上述所提先前技術之問題，其中該化 物具有增加高解析度和抗蝕刻性之能力。 本發明之另一目的係提供一感光性共聚合物與三 物，該共聚合物係適於作為一化學式增強阻劑，其至少 含具有一環狀結構與脂肪環化合物之懸掛官能基，該官 基係可獲致用於半導體高集積度之有效解析度及有效建 強的抗乾式蝕刻性。 本發明之另一目的係提供一用於ArF之化學式增強 光阻組合物，該組合物至少包含感光共聚合物、三聚物 其之混合物。 為了達成上述所提之目的，本發明係提供下列化學 之（甲基）丙烯酸1 -燒基-二環己酯（1-alkyl dicycl〇hexyl (meth)acrylate): [化學式1 ] 圖 有 酯 之 合 合 聚 包 能 立 正 及 式 5 1242003 R* _/ c=o
0
R 其中R係為一甲基或乙基官能基，R*係為一氫或甲基 官能基。 本發明係也提供製備化學式1之（甲基）丙烯酸卜烷 基-1-二環己酯之製程，其至少包含下列步驟： a) 讓二環己_ (dicyclohexyl ketone)與一烷基格林納 試劑（grignard reagent)或烷基鋰試劑反應，以製備卜 烷基-1-二環己基醇（1-alkyl-1-dicycl〇hexyl alcohol);及 b) 讓前述步驟a)所製備之i-烷基二環己基醇與 (甲基）丙婦醯氯（（meth)acryloyl chloride)反應。 本發明係也提供下列化學式2所述之 5-冰片烯-2·羧 酸 2-烧基-2-二環己醋（2-alkyl-2-dicyclohexyl-5-norbornene-2-carboxylate): [化學式2] 、c=n
1
0 R 其中R係為一曱基或乙基官能基，R*係為一氫或甲基 6 1242003 官能基。 此外，本發明係提供製備化學式2之 5-冰片烯-2-羧 酸2-烷基-2-二環己酯之製程，藉由讓化學式1之（甲基）丙 烯酸1-烧基-1-二環己酯與環戊二烯（cyclopentadiene)進行狄 爾斯-艾德耳（Diels-Alder)反應所製備而成的。 本發明係再提供下列化學式3所述之一感光性共聚合 物： [化學式
其中R係為一甲基或乙基官能基，R*係為一氫或甲基 官能基，而η係為介於20至25間之一整數。
本發明係更提供製備化學式3之感光性共聚合物之製 程，該製程至少包含讓化學式2之化合物與順-丁烯二酸酐 (maleic anhydirde)進行聚合反應之步驟。 本發明係也提供下列化學式4所述之一感光性三聚 物： 7 1242003 [化學式4]
其中R係為一甲基或乙基官能基；R*係為一氩或甲基 官能基；R’係為一氫及一烷基或羥基烷基官能基；R”係為 一氫或一甲基官能基；而m與η係均滿足m + n=l且0·1<χη<0·9 及0·1<η<0.9的條件。 本發明係更提供製備化學式4之感光性三聚物之製 程，其至少包含讓化學式1之化合物與一順-丁烯二酸酐及 化學式6所示之一冰片烯進行聚合反應之步驟。 [化學式6]
其中 R’係為一氫及一烷基或羥基烷基官能基；R”係 為一氫或一甲基官能基。 本發明更提供化學式5所述之一感光性三聚物： 8 1242003 [化學式5]
其中R係為一甲基或乙基官能基；R*係 官能基；R’係為一氫及一烷基或羥基烧基官： 一氫基或一甲基官能基；而 m與η係均滿 0.1<m<0.9 及 0.1<η<0.9 的條件。 本發明係更提供製備化學式5之感光 程，其至少包含讓化學式2之化合物與順-丁 學式7所示之丙烯酸酯進行聚合反應之步驟。 [化學式7] =<R" c=o \ OR， 其中 R’係為一氫及一烷基或羥基烷基 為一氫或一曱基官能基。 本發明更提供一用於 ArF之化學式增 物，該組合物至少包含選自化學式3之感光 化學式4之感光性三聚物及化學式5之感光 成之群組之一或多者。 更特定而言，上述所界定之化學式中， 有C^-Ci。之碳氩脂肪族化合物之烷基官能基 為一氫或甲基 能基；R”係為 足 m+n=l 且 性三聚物之製 烯二酸酐及化 官能基；R”係 強正光阻組合 性共聚合物、 性三聚物所組 R’係較佳為具 或具有C i - C i 〇 1242003 之碳氫脂肪族化合物之羥基烷基官能基。 本發明係也提供包含以上述用於ArF之正光阻組合物 所製備而成的半導體裝置。 【實施方式】 本發明於稍後加以詳細描述。 本發明係提供使用（甲基）丙婦酸叛酸g旨（（met h) aery lie carboxylate)化合物或具有巨脂肪環取代基之冰片烯羧酸酯 (norbornene carboxylate)化合物製備感光性共聚合物與三聚 物之方法，與使用該共聚合物與三聚物製備一化學式增強 正光阻組合物之方法，該組合物係具有高解析度與良好抗 蝕刻性。 本發明化學式1之（甲基）丙烯酸1 -烷基-1 -二環己酯 (1-alkyl-l-dicyclohexyl (meth)acrylate)係以 1·烧基-1-二環 己基醇與（曱基）丙稀醢氣（（meth)acryloyl chloride)反應製備 而成。 1-烷基-1二環己基醇係依照流程1加以製備： [流程1 ]
如流程1所示，1·烷基丨_二環己基醇係藉由二環己基 酮（dicyclohexyl ketone)與一烷基格林納試劑（grignard re agent)或烷基鋰試劑反應，以誘導一烷基官能基形成於二 10 1242003 環己基嗣之位置1而製備形成。上述之袼林納試劑係包含 烧基漠化鎮、烧基氯化鎮等，而其較佳係使用甲基漠化鎂 或甲基氯化鎂。 而後，依據本發明1-烷基1-二環己基（甲基）丙烯酸酯 係藉由卜烧基-1-二環己基醇與（甲基）丙烯醯氯反應製備而 成，如流程2所示： [流程2]
其中R係為甲基或乙基，R*係為氫或甲基。 根據本發明，化#式2之冰片烯化合物係也使用化學 式1之化合物製備。 根據本發明，具有冰片烯取代基之化學式2之 5-冰片 烯-2-羧酸 2-烷基 2-二環己酯（2-alkyl-2-dicyclohexyl-5-
norbornene-2-carboxylate)係藉由化學式 1之化合物與環戊 二稀（cyclopentadiene)進行狄爾斯-艾德耳（Diels-Alder)反應 製備而成，如流程3所示： [流程3 ]
11 1242003 其中R係為曱基或乙基，R*係為氫或甲基。 根據本發明，化學式3之感光性共聚合物與化學式4 與化學式5之感光性三聚物係也使用化學式1與化學式2 之化合物加以製備。 首先，化學式3之感光性共聚合物之製備如下所示： [流程4]
其中R、R*與η如上述所界定。 如流程4所示，’化學式3之感光性共聚合物係藉由化 學式 2之化合物與一順-丁稀二酸酐（maleic anhydirde)進行 聚合反應而獲致。聚合反應至少包含一起始劑，如可使用 偶氮雙異丁腈（azobix(isobutyronitrile) ; AIBN)。所獲致之 化學式3之感光性共聚合物係較佳具有3,000至100,000之 重量平均分子量與1.0至5.0之分散性。 φ 根據本發明化學式4與化學式5所述之感光性三聚 物，其分別依照下述流程5與流程6製備： 12 1242003 [流程5]
錄 [流程6 ]
如流程5所示，本發明化學式4之感光性三聚物係藉 由化學式1之化合物及化學式6之冰片烯化合物一起與順-丁烯二酸酐進行聚合反應而獲致。 如流程6所示，本發明化學式5之感光性三聚物係藉 由化學式2之化合物及化學式7之丙烯酸酯化合物一同與 順-丁烯二酸酐進行聚合反應而獲致。 化學式4與化學式5之感光性三聚物之聚合反應係也 均包含如偶氮雙異丁腈之一起始劑。所獲致之化學式4與 化學式5之感光性共聚合物係較佳具有3,000至100,000之 13 1242003 (cyclohexanone) 、 2-經 基 丙 酸 乙 酉旨 (ethyl 2- hydroxypropinate)、2-經基 3-曱基丙酸乙酉旨（ehyl 2-hydroxy
3- methyl propitiate)、乙氧基醋酸乙酯（ethyl ethoxyacetate)、 經基醋酸乙醋（ethyl hydroxyacetate)、2-經基3-曱基丁酸甲 酉旨（methyl 2-hydroxy 3-methyl butanoate)、3-甲氧基 2-曱基 丙酸甲酯（methyl 3-methoxy 2-methy 1 propinate)、3-乙氧基 丙酸乙酿（ethyl 3-ethoxypropionate)、3-曱氧基 2-曱基丙酸 乙 S旨（ethyl 3-methoxy 2-methyl propinate)、乙酸乙酯（ethyl acetate)、乙酸丁酯（butyl acetate)等 此外，本發明之阻劑組合物更包含〇·〇1至2.00重量百 分比之一有機鹼類。該有機鹼類係可使用三乙基胺、三異丁 基胺、三異辛基胺、二乙醇胺、三乙醇胺或其之混合物。
本發明係也藉由一旋轉塗佈機在一矽晶圓或鋁基板上 塗佈上述之阻劑組合物以形成一阻劑薄膜，並進行曝光、顯 影與硬烘烤製程步驟，以提供具有良好圖案之半導體裝置。 顯影溶液係可使用一鹼性水溶液，其中該鹼性化合物諸如氫 氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉及四甲基氫氧化銨 (tetramethylammoniumhydroxide;TMAH)係溶解配製為 〇·ι 至 1 〇百分比之濃度。一水溶性有機溶劑諸如曱醇及乙醇與一界 面活性劑更以適當之含量加入上述之顯影溶液中。以顯影溶 液進行顯影步驟後，該薄膜係以超純水沖洗。 本發明現將參考以下之實例詳細描述。然而，本發明範 _不應被侷限於該些實例。 實施例 15 1242003 f .例—成（甲基）丙烯酸1-曱基-1-二瑗巴酯
Ll:A3J^y卜 1-dicvclohexvl (meth)acrylate)(R=甲某 K化合物 1) a) 1-甲基-1-二環己基醇（i_aikyl-l-dicyclohexyl alcohol)
以200毫升之無水THF稀釋210毫升（0.64莫耳）之甲 基溴化鎂之二乙醚溶液（3· 〇M)。繼之倒入該溶液於1公升的 燒瓶中並維持於〇〇C的溫度。62.2克（0.32莫耳）之二環己基 酮經一滴定漏斗緩慢滴入該溶液中並於室溫下進行反應約2 小時。直至反應完全後，使用一旋轉蒸發器移除過量之THF， 而反應產物係以已稀釋之硫酸中和、以二乙醚萃取並以無水 硫酸鎂乾燥。獲致之產物係以柱狀色層分析法純化以獲致目 標產物1-甲基-1-二環己基醇（產率：90%)。 b) 合成丙烯酸1-甲基-^二環己酯（1_methyM-dicycl〇hexyl acrylate)
溶解56.8克（0·27莫耳）之上述步驟a)製備之丨_甲基-i 二環己醇化合物與44.48毫升（0.32莫耳）之三乙基胺於250 亳升之THF中，再將26毫升（0.32莫耳）之丙烯醯氯以一滴 定漏斗緩慢滴入該溶液中。之後，於室溫下進行反應2小時。 直至反應完全後’使用一旋轉蒸發器移除過量之THF並將該 產物倒入水中。產生之產物接續以已稀釋之鹽酸中和、以二 乙醚粹取並以無水硫酸鎂乾燥。獲致之產物係以柱狀色層分 析法（正-己烷（n-hexane):乙酸乙酯=4 : 1)純化以獲致目標 產物1丙婦酸-曱基-1-二環己醋（產率：7〇%)。 c) 合成曱基丙稀酸 1-曱基-1-二環己g旨 (1- methyl -1- dicyclohexyl methacrylate) 16 1242003 dicyclohexyl methacrylate) 施以相同於上述步驟b)之方法，以製備i -甲基-i-二環 己基甲基丙烯酸醋，但步驟b)之丙豨醯氯係被甲基丙烯醯 氣取代。 f.M_卜2 : 合成_片烯-2-羧酸 2-曱基-2-二環己酯（2-methyl-2-dicyclohexyl-5 _norbornene_2_carboxylate)(R=甲基、 (化合物2) 溶解42.3克（0.16莫耳）之實例ι_ι之步驟b)所製備的 丙烯酸1-甲基-1-二環己酯於250毫升之THF中，於〇。(：下 緩慢加入31.68克（0.48亳升）之環戊二稀（Cyclopentadiene)， 而後將反應溫度升高至室溫。繼之，在室溫下，持續擾拌 進行反應24小時。直至反應完全後，使用一旋轉蒸發器移 除過量之THF並抽真空蒸餾該產物，以獲致呈無色黏稠液 體狀態之目·標產物 5-冰片烯-2-羧酸2-烷基-2-二環己酯（產 率：70%)。 實例 1-3 :合成（甲基）丙烯酸 1-乙基-1-二環己S_Ui-aikyl-1-dicyclohexyl (meth)acrylate)(R=乙基化合物 1 \ 施以相同於上述實例 1 -1步驟a)之方法，以分別製備 丙烯酸1 -乙基-1 -二環己酯與曱基丙烯酸1 -乙基-1 -二環己 酯，但實例1-1步驟a)之曱基溴化鎂之二乙醚溶液（3.〇M)係 被甲基溴化鎂之二乙醚溶液（1.0M)取代。 17 1242003 實例 1-4:合成 5-冰片婦-2-難酸2 - 基Ί-二-壤 a1kv1-2-dicvc1nhftYv1-5-norbornene-2-carboxylate)(R=乙甘 - --- (化合物2) 施以相同於上述實例1 -2之方法，但實例1 -2中由實例 1·1所製備之丙烯酸1-曱基-1-二環己酯係由實例1、3所製 備之丙烯酸1 -乙基-1 -二環己酯取代。 實例2-1 :使用 5-冰片烯-2-羧酸2-甲基-2-二瑷Ρ,酷^^^ 聚合物（化合物 3)
溶解33·7克（〇·1〇2莫耳）之實例1-2所製備之 ’水片 烯-2-羧酸2-甲基-2-二環己酯、10.0克（〇1 〇2莫耳）之順 烯二酸酐及 0.7 克之偈氮雙異丁 (azobix(isobutyronitrile) ; ΑΙΒΝ)於 25 克之無水 THF 中 將反應物置於一安瓿内並藉由冷凍方法排氣。之後，該反 應物於68°C下進行聚合反應24小碑。直至聚合反應完全 後’該反應物緩慢滴入過S的二乙鱗内使之沉澱，而後再 一次溶解於THF中，最後於二乙醚内再沉澱以獲致一共聚 合物（產率：40%)。 所獲致之共聚合物’其重量平均分子量及分散性分別 為 8,000 及 1.80 。 實例2-2 :使用 5-冰片烯-2-羧酸2-乙二環己醋 聚合物Γ化合物3) 施以相同於上述實例2 -1之聚合反應，但其中係使用 18 1242003 實例i-4所製備之5冰片烯-2-竣酸2_乙基_2_二環己酯製 備一共聚合物。 所獲致之共聚合物，其重量平均分子量及分散性分別 為 7,〇〇〇 及 1.85 。 實例3-1 :合成二1物（R=曱某）(〜也合物4) 除了係分別使用丙烯酸1 -甲基_ j _二環己酯與曱基丙烯 酸1-甲基-1-二環己酯外，由丙烯酸I甲基_1β二環己酯或 甲基丙烯酸1 -甲基-1 -二環己酯所組成之三聚物係利用以下 方法加以製備 。 a)合成三聚物（R=甲基、R3=氫） 溶解53.9克（0.204莫耳）之實例1β1所製備之丙烯酸卜 甲基-1-二環己酯、14.Γ克（0.102莫耳）之5-冰片烯羧酸、 10.0克（0.102莫耳）之順丁婦二酸酐及〇7克之偶氮雙異丁 腈於50克之無水THF中，反應物係置於一安瓿内並藉由冷 凍方法排氣。之後，該反應物於68°C下進行聚合反應24 小時。直至聚合反應完全後，該反應物緩慢滴入過量的 乙醚内使之沉澱，而後再一次溶解於THF中，最後於二乙 醚内再沉澱以獲致一三聚物（產率：40%)。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 7,000 A 1.80。 b)合成三聚物（R=甲基、R3==氫氧乙基） 施以相同於上述實例3-1步驟a)之聚合反應以製備一 三聚物，但其中係使用2-氫氧乙基**5-冰片烯羧I 8曰取代 19 1242003 5-冰片烯-2-羧酸。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8.000 及 1.8 ° c)合成三聚物（R=甲基、R3=甲基） 施以相同於上述實例3-1步驟a)之聚合反應以製備一 三聚物，但其中係使用5-冰片烯-2-羧酸曱酯取代5-冰片烯-2 -羧酸。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8.000 及 1.8 ° 實例3-2 :合成三聚物（R=乙基）（化合物4) 除了分別使用丙烯酸 1 -乙基-1 -二環己酯與甲基丙烯酸 1 -乙基-1 -二環己酯外，由丙烯酸 1 -乙基-1 -二環己酯或 曱 基丙烯该 1 -乙基-1 -二環己酯所組成之三聚物係利用以下方 法加以製備 。 a) 合成三聚物（R=乙基、R3=氫） 施以相同於上述實例 3 -1步驟a)之聚合反應以製備一 三聚物，但其中係使用實例1 -3所製備之曱基丙烯酸1-乙 基-1-二環己酯取代甲基丙烯酸1-甲基-1-二環己酯。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 6,500 及 1.8° b) 合成三聚物（R=乙基、R3=氫氧乙基） 施以相同於上述實例 3 ·2步驟a)之聚合反應以製備一 三聚物，但其中係使用5-冰片烯-2-羧酸2-氫氧乙酯取代5- 20 1242003 冰片 '歸-2 -叛酸。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8,000 及 1.8 〇 c)合成三聚物（r=乙基、Rf甲基） 施以相同於上述實例3-2步驟a)之聚合反應以製備一 二聚物，但其中係使用5-冰片婦-2_叛酸曱酯取代5«;水片烯· 2-羧酸。
所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8,500 及 1.8 〇 實例4-1 :合成三聚物（化 a) 合成三聚物（R=甲基、R尸氫）
溶解33.7克（〇·1〇2莫耳）之實例卜2所製備之冰片 烯-2-丙烯酸2-曱基-2-二環己酯、〇·44克（〇 005莫耳）之甲 基丙稀酸、10.0克（〇·；[ 〇2莫耳）之順丁烯二酸酐及〇7克之 偶氮雙異丁腈於25克之無水THF中，將反應物置於一安瓶 内並藉由冷凍方法排氣。之後，該反應物於68。C下進行聚 合反應24小時。直至聚合反應完全後，該反應物緩慢滴入 過量的二乙醚内使之沉澱，而後再一次溶解於THF中，最 後於二乙謎内再沉澱以獲致一三聚物（產率：4〇%)。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8,500 及 1.8 ° b) 合成三聚物（R=曱基、R3=氫氧乙基） 施以相同於上述實例4_丨步驟a)之聚合反應以製備— 21 1242003 三聚物，但其中係使用甲基丙烯酸2-氫氧乙酯取代甲基丙 烯酸。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8.000 及 1.8 ° c)合成三聚物（R=曱基、R3 =甲基） 施以相同於上述實例4-1步驟 a)之聚合反應以製備一 三聚物，但其中係使用甲基丙烯酸甲酯取代甲基丙烯酸。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8.000 及 1.8。 實例4-2 :合成三聚物（化學式5) a) 合成三聚物（R=乙基、R3=氫） 施以相同於上述★例4-1步驟 a)之聚合反應以製備一 三聚物，但其中係使用實例1-4所製備之 5_冰片烯-2-羧酸 2 -乙基-2-二環己醋取代 5-冰片稀-2-竣酸2 -曱基-2-二壞己 酯。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8.500 及 1.8 ° b) 合成三聚物（R=乙基、R3 =氫氧乙基） 施以相同於上述實例 4-2步驟 a)之聚合反應以製備一 三聚物，但其中係使用曱基丙烯2-羥基乙酸酯取代甲基丙 稀酸。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8.500 及 1.8 ° 22 1242003 c)合成三聚物（R=乙基、R，甲基） 施以相同於上述實例4-2步驟a)之聚合反應以製備一 三聚物，但其中係使用甲基丙烯曱酸酯取代曱基丙烯酸。 所獲致之三聚物，其重量平均分子量及分散性分別為 8,500 A 1.8。
實例5 :阻劑組合物之製備L 完全溶解2.0克之實例2-1所製備之共聚合物與〇·〇2 克之三苯基三氟甲烷基亞磺基化硫鑌（triphenyl sulfonium triflate;TPS-105)於 17 克之丙二醇單曱醚醋酸酯 (propyleneglycol monomethyl ether acetate;PGMEA)中。該 溶液再以 0 · 2 μηι之盤狀濾器過濾以獲致一阻劑組合物。繼 之，覆蓋約0·30μιη庳度之阻劑溶液於以六甲基二矽氨烷 (hexamethyldisilazane;HMDS)處理之石夕晶圓上。 具有阻劑組合物覆蓋之矽晶圓係在1丨〇。C預硬烘烤9 0 秒並使用具有0.60數值孔徑之ArF激光雷射曝光。之後， 於1 3 0。C進行曝光後硬烘烤（p eb) 9 〇秒。 之後，以2.38重量百分比之四甲基氫氧化銨顯影該組 合產物30秒。當曝光劑約為2〇mJ/cm2,係可獲致〇」3μιη 相同線寬及相間隔之矩形圖t。本發明之共聚合物係縮減 對多晶矽20%之蝕刻速率，藉此相較於傳統c〇ma製程其 具有良好之抗蝕刻性。 實例6 :阻劑組合物之輩備 23 1242003 完全溶解2.0克之實例3-1所製備之共聚合物與〇 克之三苯基三氟甲烷基亞磺基化硫鑕（TPS-105)於17 * > 二醇單甲醚醋酸酯（PGMEA)中。接續自該溶液形成一阻~ 圖案之製程係相同於實例5之方法。該阻劑圖案係 〇· 1 2μΓΠ相同線寬及相間隔之矩形圖案。 1@丨7 :阻劑组合物之t備 完全溶解2.0克之實例4-1所製備之共聚合物與〇 μ 克之三苯基三氟曱烷基亞磺基化硫鏘於17克之丙二醇單甲 醚醋酸酯（PGMEA)中。接續自該溶液形成一阻劑圖案之製 程係相同於實例5之方法。該阻劑圖案係呈現〇 12μχη相同 線寬及相間隔之矩形圖案。 上述實例5至實例7及習知c〇MS形式之阻劑之残光 度、解析度及圖案形狀係示於下列表1中。此外實例7 習知COMA之阻劑圖案係分別示於第1圖及第2圖。第3 圖及第4圖係也分別說明本發明及習知c〇MA阻劑對氧化 物及聚合物抗蝕刻性之結果。 表1 感光度 h解析度 ----^ 圖案形狀 實例5 20 0.13 矩形 實例6 22 0.12 矩形 實例7 19 0.12 矩形 習知COMA 25 0.14 錐形 由表1及第1圖至第4圖可知，本發明之阻劑相較於 24 1242003 習知COMA具有良好的矩形圖案及對氧化物與聚合物具有 良好的抗钱刻性。 如上所述，本發明係提供使用新的（甲美 ,T丞）丙烯酸或冰片 烯羧酸酯化合物製備之共聚合物與三聚物，兑 ^ 具中（甲基）丙烯 酸或冰片烯羧酸酯化合物係鍵結二環己其料 〜 么G丞懸掛官能基，本 發明係也提供用於Ad之化學式增強正向光阻組合物，而 使用該聚合物之組合物係具有高解析度與優良抗蝕刻性， 藉此獲致良好之光阻圖案。 轉 【圖式簡單說明】 第1圖係說明本發明第7實例之阻劑圖案； 第2圖係說明先前COMA-形式阻劑之圖案結果· 第3圖係說明本發明第5實例至第7實例對氧化物抗餘刻 性結果； ” 第4圖係說明先前C0MA形式阻劑對聚合物之抗蝕刻性結 果。 【元件代表符號簡單說明】 25

Claims (1)

  1. 1242003 拾、申請專利範圍 1 · 一種（甲基）丙婦酸1 -烧基-1 -二環己酯化合物，其係具有 下列化學式1之結構·· [化學式1] c=〇
    其中R係為一乙基官能基，R*係為一氫或曱基官能基。 2. —種製備如申請專利範圍第1項所述之化學式1之（曱 基）丙婦酸1-烧基-1-二環己基酯之製程，該製程至少包含 下列步驟：
    a) 讓二環己基酮（dicyclohexyl ketone)與一烧基袼林 納試劑（grignard reagent)或烷基鋰試劑反應，以製備1-烷基 -1-二環己基醇（1-alkyl-1-di cyclohexyl alcohol);及 b) 讓步驟a)所製備而成之1-烷基-1·二環己基醇與（曱 基）丙婦醯氯（（meth)acryloyl chloride)反應。 3. —種5-冰片烯-2-羧酸2-烷基-2-二環己酯化合物，其係具 有下列化學式2之結構： [化學式2] 26 1242003
    其中R係為一乙基官能基，R*係為一氫或曱基官能基。
    4· 一種製備如申請專利範圍第3項所述之化學式2之5-冰 片烯-2-羧酸2-烷基-2-二環己酯之製程，其中該5-冰片烯 -2-羧酸2-烷基-2-二環己酯係藉由申請專利範圍第1項所 述之化學式1之（甲基）丙烯酸1-烷基-1-二環己基酯與環 戊二婦（cyclopentadiene)進行狄爾斯-艾德耳（Diels-Alder) 反應所製備而成。 5 · —種感光性共聚合物，其係具有下列化學式3之結構：
    其中 R係為一乙基官能基，R*係為一氫或甲基官能 基，而η係為介於20至25間之一整數。 27 1242003 6. 一種製備如申請專利範圍第5項所述之化學式3之感光 性共聚合物之製程，該製程至少包含如申請專利範圍第3 項所述之化學式 2之化合物與順-丁烯二酸酐（maleic anhydirde)進行聚合反應之步驟。 7. —種感光性三聚物，其係具有下列化學式4之結構： [化學式4]
    其中 R係為一乙基官能基；R*係為一氫或甲基官能 基；R’係為一氫及一烷基或羥基烷基官能基；R”係為一氫或 一曱基官能基；而m與η係均滿足m + n=l且0· 1 <m<0.9及 0.1<η<0·9 的條件。 8. 一種製備如申請專利範圍第7項所述之化學式4之感光 性三聚物之製程，該製程至少包含如申請專利範圍第1 項所述之化學式1之化合物與順·丁烯二酸酐及化學式6 所示之冰片烯（norbornene)進行聚合反應之步驟， [化學式6]
    28 1242003 其中R’係為一氫及一烷基或羥基烷基官能基；R”係為 一氫或一甲基官能基。 9· 一種感光性三聚物，其係具有下列化學式5之結構： [化學式5]
    其中R係為一乙基官能基；R*係為一氫或甲基官能 基；R’係為一氫、一烷基或羥基烷基官能基；R”係為一氫或 一甲基官能基；而m與η係均滿足m + n=l且0.1<m<0.9及 0.1<η<0·9 的條件。
    10. —種製備如申請專利範圍第9項所述之化學式5之感光 性三聚物之製程，該製程至少包含讓如申請專利範圍第3 項所述之化學式2之化合物與順-丁烯二酸酐及化學式7 所示之丙婦酸酯（acrylate)進行聚合反應步驟， [化學式7] =cR" c=o \ OR· 其中R’係為一氫及一烷基或羥基烷基官能基；R”係為 一氫或一曱基官能基。 29 1242003 1 1 · 一種用於ArF之化學式增強正光阻組合物，該組合物至 少包含1%至30%之一或多種選自由化學式3之感光性共 聚合物、化學式4之感光性三聚物及化學式5之感光性 三聚物所組成之群組中之聚合物： [化學式3]
    [化學式4]
    [化學式5] 30 1242003
    \/ R"
    R C=〇 \ OR'
    其中R係為一乙基官能基；R*係為一氫或曱基官能 基；R’係為一氫及一烷基或羥基烷基官能基；R”係為一氫或 一曱基官能基；而m與η係均滿足m + n= l且0.1<m<0.9及 0.1 <n<0.9 的條件0 12.如申請專利範圍第1 1項所述之正光阻組合物，其中該光 阻組合物更包含一光酸產生劑（photoacid generator)，該 光酸產生劑佔全部組合物之含量係為0.5至1 0重量百分 比。
    1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之正光阻組合物，其中該光 酸產生劑係選自鏽鹽（onium salts)、有機續酸（organic sulfonic acids)及其之混合物之群組。 14.如申請專利範圍第1 1項所述之正光阻組合物，其中該光 阻組合物更包含一有機驗類，該有機驗類係選自三乙基 胺、三異丁基胺、三異辛基胺、二乙醇胺、三乙醇胺及 其之混合物之群組，其中該有機鹼類佔全部組合物之含 量係為0.01至2.00重量百分比。 31
TW091136589A 2002-11-04 2002-12-18 Chemically amplified polymer having pendant group with dicyclohexyl and resist composition comprising the same TWI242003B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020067882A KR20040039731A (ko) 2002-11-04 2002-11-04 디사이클로헥실이 결합된 펜던트 기를 가지는 화학적으로증폭된 고분자와 그 제조방법, 및 이를 포함하는 레지스트조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200407299A TW200407299A (en) 2004-05-16
TWI242003B true TWI242003B (en) 2005-10-21

Family

ID=32310813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091136589A TWI242003B (en) 2002-11-04 2002-12-18 Chemically amplified polymer having pendant group with dicyclohexyl and resist composition comprising the same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7344820B2 (zh)
KR (1) KR20040039731A (zh)
AU (1) AU2002368319A1 (zh)
TW (1) TWI242003B (zh)
WO (1) WO2004042477A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006017035A1 (en) * 2004-07-07 2006-02-16 Promerus Llc Photosensitive dielectric resin compositions and their uses
KR100676812B1 (ko) * 2006-02-14 2007-02-02 주식회사 이엔에프테크놀로지 노보넨 락톤 에스테르 화합물의 제조방법
CN111675616A (zh) * 2020-06-16 2020-09-18 徐州博康信息化学品有限公司 一种由环氧泽泻烯合成的可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法
CN111689862A (zh) * 2020-06-17 2020-09-22 徐州博康信息化学品有限公司 一种由10-o-乙酰异水菖蒲二醇合成的可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法
CN111635314A (zh) * 2020-06-18 2020-09-08 徐州博康信息化学品有限公司 由异丙基二甲基六氢化萘二酮合成的可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法
CN111763147A (zh) * 2020-06-18 2020-10-13 徐州博康信息化学品有限公司 由甲基六氢化萘二酮合成的可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法
CN111606806A (zh) * 2020-06-18 2020-09-01 徐州博康信息化学品有限公司 由二甲基二环[3.3.1]壬烷二酮合成的可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法
CN112390718A (zh) * 2020-11-20 2021-02-23 徐州博康信息化学品有限公司 由三甲基二环[2.2.2]辛烷二酮合成的可降解型光刻胶树脂单体及其合成方法
CN112592277A (zh) * 2020-12-23 2021-04-02 上海博栋化学科技有限公司 由二环己基甲酮合成的可降解型树脂单体及其制备方法
CN113429292A (zh) * 2021-06-22 2021-09-24 徐州博康信息化学品有限公司 一种光刻胶树脂单体及其合成方法和应用
CN113493382A (zh) * 2021-06-23 2021-10-12 徐州博康信息化学品有限公司 一种碱溶性良好的光刻胶酸敏树脂单体及其合成方法和应用
CN113429293A (zh) * 2021-06-24 2021-09-24 徐州博康信息化学品有限公司 一种由2-环戊基环戊酮合成的可降解型树脂单体及其制备方法和应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3072316B2 (ja) * 1994-09-30 2000-07-31 日本ゼオン株式会社 レジスト組成物
US6013416A (en) * 1995-06-28 2000-01-11 Fujitsu Limited Chemically amplified resist compositions and process for the formation of resist patterns
JP3237605B2 (ja) * 1998-04-06 2001-12-10 日本電気株式会社 １，２−ジオール構造を有する脂環式（メタ）アクリレート誘導体、およびその重合体
US6420082B1 (en) * 1998-11-13 2002-07-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive resist fluid and positive resist composition
KR100610165B1 (ko) * 1998-12-07 2006-08-09 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 포지티브 포토레지스트 조성물
US6492086B1 (en) 1999-10-08 2002-12-10 Shipley Company, L.L.C. Phenolic/alicyclic copolymers and photoresists
KR100332463B1 (ko) * 1999-12-20 2002-04-13 박찬구 노보난계 저분자 화합물 첨가제를 포함하는 화학증폭형레지스트 조성물
US6406828B1 (en) 2000-02-24 2002-06-18 Shipley Company, L.L.C. Polymer and photoresist compositions
KR20020032025A (ko) * 2000-10-25 2002-05-03 박종섭 비스페놀계 포토레지스트 단량체 및 그의 중합체
KR20020038283A (ko) * 2000-11-17 2002-05-23 박종섭 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
KR20020047866A (ko) 2000-12-14 2002-06-22 윤종용 프로텍팅 그룹이 있는 감광성 중합체 및 이를 포함하는포토레지스트 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
US20060019192A1 (en) 2006-01-26
WO2004042477A1 (en) 2004-05-21
US7344820B2 (en) 2008-03-18
TW200407299A (en) 2004-05-16
AU2002368319A1 (en) 2004-06-07
KR20040039731A (ko) 2004-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5049935B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US6569971B2 (en) Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
TWI291953B (zh)
TWI282035B (en) Negative resist composition
JP5756672B2 (ja) 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
JP2003532933A (ja) フォトレジスト組成物
JP2000321773A (ja) 無水イタコン酸ポリマーおよびそれを含むフォトレジスト組成物
JPH10307401A (ja) デバイスの製造方法及びレジスト材料
TWI242003B (en) Chemically amplified polymer having pendant group with dicyclohexyl and resist composition comprising the same
JP2002088124A (ja) 縮合環の芳香族環を含む保護基を有する感光性ポリマー及びこれを含むレジスト組成物
TW200848399A (en) Hydroxyphenyl acrylate monomers and polymers
JP2009114381A (ja) （メタ）アクリル酸エステル樹脂
JP2003507759A (ja) 水処理可能なフォトレジスト組成物
TW201229064A (en) Photosensitive copolymer and photoresist composition
JPH1048814A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2002003447A (ja) 新規モノマー、ポリマー、それらの合成方法及びフォトレジスト組成物
TWI269801B (en) Photosensitive polymer
TW552472B (en) Photosensitive polymer having cyclic backbone and resist composition comprising the same
JP2008250157A (ja) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
TWI251115B (en) Photoresist monomer, polymer thereof and photoresist composition containing it
JP2008163056A (ja) ハイパーブランチポリマーの合成方法、ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法
US20030215758A1 (en) Photosensitive polymer and chemically amplified resist composition comprising the same
US6713228B2 (en) Ether monomers and polymers having multi-ring structures, and photosensitive polymers and resist compositions obtained from the same
TWI225481B (en) Chemically amplified polymer having pendant group with cyclododecyl and resist composition comprising the same
JP2003233191A (ja) フォト酸レイビルポリマー及びそれを含むフォトレジスト

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees