JP2008163056A - ハイパーブランチポリマーの合成方法、ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路、および半導体集積回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光リソグラフィを中心としたナノファブリケーション、特に電子線、ＥＵＶリソグラフィに好適な、密着性、感度、及び表面平滑性を向上させたコアシェル型ハイパーブランチポリマーをベースポリマーとして含み、超ＬＳＩなどの半導体装置製造用の微細パターンを形成することが可能なレジスト組成物を得ること。
【解決手段】コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるシェル部に、オニウム塩構造を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を含有するようにした。
【選択図】なし

Description

本発明はコアシェル型ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体装置の製造方法、及び半導体装置に関する。

従来、ＬＳＩやメモリーなどの半導体デバイス製造ではレジスト組成物を使用するリソグラフィによる微細加工が行なわれている。近年、デバイスの高集積化や高容量化に伴ってナノメートル領域の超微細加工が要求されてきており、リソグラフィ工程で使用される露光光源の短波長化が図られている。現在、リソグラフィ工程で使用される露光光源として、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）やＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）が使用されている。また、３２ｎｍ以下の微細加工をおこなうリソグラフィ工程で使用される露光光源としては、電子線やＥＶＵ光（波長１３．５ｎｍ）が有望視されている。

微細加工を可能とするレジスト組成物には、各光源に対して透明な化学構造を持つベースポリマーと露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物が知られている。化学増幅型レジスト組成物に適用されるベースポリマーとしては、例えば、リソグラフィ工程に際してＫｒＦエキシマレーザー光を発する露光光源を用いる場合、ノボラック型ポリフェノールを基本骨格としたポリマーが挙げられる（例えば、下記特許文献１を参照。）。

化学増幅型レジスト組成物に適用されるベースポリマーとしては、例えば、リソグラフィ工程に際してＡｒＦエキシマレーザー光を発する露光光源を用いる場合、ポリ（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる（例えば、下記特許文献２を参照。）。化学増幅型レジスト組成物に適用されるベースポリマーとしては、例えば、リソグラフィ工程に際してＦ₂エキシマレーザー光（波長１５７ｎｍ）を発する露光光源を用いる場合、フッ素原子（パーフルオロ構造）を導入したポリマーが挙げられる（例えば、下記特許文献３を参照。）。

近年、上述した各種のベースポリマーを３２ｎｍ以細の超微細パターンを形成する際に用いるレジスト組成物に適用した場合、ラインエッジラフネスを指標とするパターン側壁の凹凸が問題となってきた。例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、及びＰＨＳ（ポリヒドロキシスチレン）を主とした従来のレジスト組成物に対して電子線や極紫外線（ＥＵＶ）露光を行って、超微細のパターンを形成するためには、表面平滑性をナノレベルで制御することが課題となることが指摘されている（例えば、下記非特許文献１を参照。）。

従来、ラインエッジラフネスの低減には、酸発生剤から露光により発生する酸の拡散を制御する重要性が示され、ポリマー状の酸発生剤の有効性が報告されている（例えば、下記非特許文献２を参照。）。また、従来、酸発生剤構造がポリマー骨格に結合したベースポリマーが開示されている（例えば、下記特許文献４〜９および下記非特許文献３を参照。）。上述した各種のベースポリマーは、いずれも線状ポリマーの例のみが記載されている。

リソグラフィ工程におけるパターン側壁の凹凸は、当該リソグラフィ工程で使用されるレジストを構成する線状ポリマーの会合体によるものとされており、従来、ポリマーの分子集合を抑制する技術について数多くの報告がなされている（例えば、下記非特許文献４を参照。）。非特許文献４においては、例えば、ポジ型電子線レジストの表面平滑性を向上させる手段として、線状ポリマーへの架橋構造の導入が有効であることが報告されている。

線状ポリマーに比べてラインエッジラフネスが向上するとされる分岐型ポリマーの例としては、直鎖フェノール誘導体主鎖をクロロメチルスチレンにより分岐結合連鎖したポリマーを含むレジスト組成物や（例えば、下記特許文献１０、１１を参照。）、低級アルキル分子に複数の線状ポリマー鎖が結合した星型分岐ポリマーを含むレジスト組成物（例えば、下記特許文献１２〜１４を参照。）が開示されているが、これらの分岐ポリマーの露光感度は数十ｍＪ／ｃｍ²と低い。

リソグラフィの主体となる高分子であるスチレン誘導体の高分岐化については、従来、クロロメチルスチレンのリビングラジカル重合による分岐度、重量平均分子量の制御が可能であることが報告されている（例えば、下記特許文献１５、１６および下記非特許文献５、６を参照。）。また、従来、高度に分岐化したポリクロロメチルスチレンの分子末端に酸分解性基を有するベースポリマーが開示されている（例えば、下記特許文献１７を参照。）

特開２００４−２３１８５８号公報 特開２００４−３５９９２９号公報 特開２００５−９１４２８号公報 特開２００６−４５３１号公報 特開２００６−１７１６５６号公報 特開２００６−１７８３１７号公報 特開２００６−２１５５２６号公報 特開２００６−２５９５０８号公報 特開２００６−２５９５０９号公報 特開２０００−３４７４１２号公報 特開２００１−３２４８１３号公報 特開２００５−５３９９６号公報 特開２００５−７０７４２号公報 特開２００６−４５５０号公報 特表２０００−５００５１６号公報 特表２０００−５１４４７９号公報 ＷＯ２００５／０６１５６６号公報 Ｆｒａｎｃｏ Ｃｅｒｒｉｎａ， Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．Ｂ，１９，６２８９０（２００１） Ｍｉｃｈａｅｌ．Ｄ．Ｓｔｅｗａｒｔ， Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．Ｂ，２０，２９４６（２００１） Ｔａｋｅｏ Ｗａｔａｎａｂｅ， Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９，５２１，（２００６） Ｔｏｒｕ Ｙａｍａｇｕｔｉ， Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．， ３８，７１１４（１９９９） Ｋｒｚｙｓｚｔｏｆ Ｍａｔｙｊａｓｚｅｗｓｋｉ， Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２９，１０７９（１９９６） Ｊｅａｎ Ｍ．Ｊ．Ｆｒｅｃｈｔ，Ｊ．Ｐｏｌｙ．Ｓｃｉ．，３６、９５５（１９９８）

しかしながら、上述した下記特許文献１５、１６および下記非特許文献５、６に記載された技術では、現在までのところ、レジストに必要な、露光による加工性を付与するための分子設計は成されてはいなという問題があった。また、上述した特許文献１７に記載された技術では、デザインルールの微細化に伴い、密着性の向上と高感度化、及び表面平滑性に関する改善が求められるという問題があった。

本発明は、上記事情に鑑み成されたもので、光リソグラフィを中心としたナノファブリケーション、特に電子線、ＥＵＶリソグラフィに好適な、密着性、感度、及び表面平滑性を向上させたコアシェル型ハイパーブランチポリマーをベースポリマーとして含み、超ＬＳＩなどの半導体装置製造用の微細パターンを形成することが可能なレジスト組成物を得ることを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、コアシェル型ハイパーブランチポリマーであって、シェル部にオニウム塩構造を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を含有する事を特徴とするコアシェル型ハイパーブランチポリマーを提供する。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるシェル部は、下記式（I）及び又は（II）で表されるモノマーから誘導される繰り返し単位の少なくとも１種を含有し、且つコア部に下記式（III）から誘導される繰り返し単位の少なくとも１種を含有するのが好ましい。

ただし、式（I）中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基を表す。式（I）中、Ｒ²、Ｒ³は同一又は異種の、炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。式（I）中、Ａは−ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄−を表す。式（I）中、Ｂは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、炭素数１〜３０のアリーレン基、又は単結合基を表す。式（I）中、Ｗ^-はＲ⁴ＳＯ₃ ^-（Ｒ⁴は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６から１５のアリール基であり、一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい）、又は下記式（ａ）、（ｂ）に示される基を表す。

ただし、式（ａ）中、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一又は異種の、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状の少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基であり、少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基のまま、互いに結合して環を形成してもよい。式（ｂ）中、Ｒ⁷〜Ｒ⁹は同一又は異種の、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状の少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基であり、少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基のまま、互いに結合して環を形成してもよい。

ただし、式（II）中、Ｄは−ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄−、−Ｃ₆Ｈ₄Ｏ−を表す。式（II）中、Ｅは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、炭素数１〜３０のアリーレン基、又は単結合基を表し、一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい）。式（II）中、Ｘ⁺は下記式（ｃ）又は（ｄ）に示される基を表す。

ただし、式（ｃ）中、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²は同一又は異種の、炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。式（ｄ）中、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は同一又は異種の、炭素数６〜２０のアリール基を表す。

ただし、式（III）中、Ｙは、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を含んでいてもよい炭素数１〜１０のアルキレン基を表す。Ｚは、ハロゲン原子を表す。

本発明の前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーは、更に、酸分解性基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位をシェル部に含有するのが好ましい。

また、本発明は、前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーを含有するレジスト組成物を提供する。

また本発明にかかる、半導体装置の製造方法は、前記レジスト組成物を用いて半導体基板上にレジストパターンを形成する工程を含む事を特徴とする。

また本発明にかかる、半導体装置は、前記製造方法により製造される事を特徴とする。

本発明によれば、光リソグラフィを中心としたナノファブリケーションのひとつであるＥＵＶ（極端紫外線）リソグラフィや電子線リソグラフィのための高分子素材として利用可能な、感度、及び、表面平滑性を向上させたコアシェル型ハイパーブランチポリマーを提供できる。本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーを含有するレジスト組成物は、微細パターン形成に優れ、超ＬＳＩなどの半導体装置を得る事ができる。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーは、コア部とその周囲に存在するシェル部とから構成される。

＜シェル部＞
本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーのシェル部は、オニウム塩構造を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を含有する。該オニウム塩構造は高エネルギー線、ＥＵＶ光、電子線などの作用により酸を発生するのが好ましい。

前記オニウム塩構造を有するモノマーとしてはラジカル重合が可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、以下に示した式（I）又は（II）の少なくとも一方で表されるモノマーを挙げる事ができる。

前記式（I）において、Ｒ¹は、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基を表す。このうち、水素原子及びメチル基が好ましい。前記式（I）において、Ｒ²、Ｒ³は、同一又は異種の、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、又は炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１５のアリール基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。直鎖状、分岐状、環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、アリール基としては、フェニル基、キシル基、４−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。このうち、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基が好ましい。

前記式（I）において、Ａは、−ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄−を表す。このうち、−ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＯ−が好ましい。前記式（I）において、Ｂは、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、又は炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１５のアリーレン基、又は単結合基を表す。直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、シクロヘキシレン基などが挙げられ、アリーレン基としては、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、ナフチレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、ヒドロキシナフチレン基などが挙げられる。このうち、エチレン基、シクロへキシレン基、フェニレン基、ナフチレン基、ヒドロキシナフチレン基が好ましい。

前記式（I）において、Ｗ^-は、Ｒ⁴ＳＯ₃ ^-、又は以下に示した式（ａ）、（ｂ）に示される基を表す。前記Ｒ⁴ＳＯ₃ ^-において、Ｒ⁴は、炭素数１〜１５、好ましくは炭素数１〜１０、より好ましくは炭素数１〜８の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６から１５、好ましくは炭素数６〜１２、より好ましくは炭素数６〜１０のアリール基であり、前記Ｒ⁴の一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。

前記Ｒ⁴ＳＯ₃ ^-におけるＲ⁴としての直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、アリール基としてはフェニル基、トリル基、ナフチル基などが挙げられる。また、一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基やアリール基としては、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘプタフルオロイソブチル基、ヘプタフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、オクタフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、パーフルオロフェニル基などが挙げられる。このうちトリフルオロメチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロフェニル基が好ましい。

前記式（ａ）において、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一又は異種の、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状の少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基であり、少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基のまま、互いに結合して環を形成してもよい。前記式（ｂ）において、Ｒ⁷〜Ｒ⁹は同一又は異種の、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状の少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基であり、少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基のまま、互いに結合して環を形成してもよい。

前記Ｒ⁵〜Ｒ⁹において、直鎖状、分岐状、環状の少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基としては、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、ペンタフルオロプロピル基、ペンタフルオロイソプロピル基、ヘキサフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロブチル基、ヘプタフルオロイソブチル基、ヘプタフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタフルオロブチル基、オクタフルオロイソブチル基、オクタフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基などが挙げられる。このうち、トリフルオロメチル基、パーフルオロブチル基が好ましい。また、前記式（ａ）において、少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基のまま互いに一緒になって環を形成したものとしては、以下に示した式（i）〜（iii）および（vi）〜（vii）であらわされる基などが挙げられる。前記式（ｂ）において、少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基のまま互いに一緒になって環を形成したものとしては、以下に示した式（iv）〜（v）であらわされる基などが挙げられる。

上述した各種の基の中では、パーフルオロ基が好ましく、また式（viii）〜（x）式で示される基も好ましい。

前記式（II）において、Ｒ¹は、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基を表す。このうち、水素原子及びメチル基が好ましい。前記式（II）において、Ｄは、−ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄−、−Ｃ₆Ｈ₄Ｏ−を表す。このうち、前記式（II）におけるＤとしては、−ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄−が好ましい。

前記式（II）において、Ｅは、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、又は炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１５のアリーレン基、又は単結合基を表し、一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい。

前記式（II）におけるＥとしての直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、シクロヘキシレン基などが挙げられ、アリーレン基としては、フェニレン基、メチルフェニレン基、ジメチルフェニレン基、ナフチレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、ヒドロキシナフチレン基などが挙げられる。

また、一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよいアルキレン基やアリーレン基としては、モノフルオロメチレン基、ジフルオロメチレン基、ジフルオロエチレン基、トリフルオロエチレン基、テトラフルオロエチレン基、ペンタフルオロプロピレン基、ヘキサフルオロプロピレン基、ヘキサフルオロイソプロピレン基、ヘプタフルオロブチレン基、ヘプタフルオロイソブチレン基、オクタフルオロブチレン基、オクタフルオロイソブチレン基、オクタフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロオクチレン基、モノフルオロフェニレン基、ジフルオロフェニレン基、トリフルオロフェニレン基、テトラフルオロフェニレン基、トリフルオロメチルフェニレン基、パーフルオロナフチレン基などが挙げられる。このうち、エチレン基、シクロヘキシレン基、フェニレン基、テトラフルオロエチレン基、ヘプタフルオロブチレン基、オクタフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロオクチレン基、モノフルオロフェニレン基、ジフルオロフェニレン基、テトラフルオロフェニレン基、トリフルオロメチルフェニレン基、パーフルオロナフチレン基、単結合基が好ましい。

前記式（II）において、Ｘ⁺は、以下に示した式（ｃ）又は（ｄ）で示される基を表す。

上記式（ｃ）において、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²は、同一又は異種の、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、又は炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１５のアリール基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。

上記式（ｃ）におけるＲ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²としての直鎖状、分岐状、環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基などが挙げられ、アリール基としては、例えば、フェニル基、キシル基、４−メチルフェニル基、フェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基などが挙げられる。このうち、上記式（ｃ）におけるＲ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²としては、メチル基、エチル基、フェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシナフチル基が好ましい。

上記式（ｄ）において、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は、同一又は異種の、炭素数６〜２０、好ましくは炭素数１〜１５、より好ましくは炭素数１〜１０のアリール基を表す。上記式（ｄ）におけるＲ¹³、Ｒ¹⁴としてのアリール基としては、例えば、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ナフチル基、ｔｅｒｔ−ブチルナフチル基、メトキシナフチル基などが挙げられる。このうち、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−メトキシフェニル基が好ましい。前記式（I）又は（II）の少なくとも一方で表される化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シェル部中、前記式（I）又は（II）の少なくとも一方で表される化合物から誘導される繰り返し単位の割合は、シェル部を構成する全繰り返し単位に対し、０．０１モル％〜８０モル％である事が好ましく、０．１モル％〜６０モル％である事がより好ましく、１モル％〜４０モル％である事が更に好ましい。このような量で前記式（I）又は（II）の少なくとも一方で表される化合物から誘導される繰り返し単位が含まれると、露光工程におけるレジストの高感度化に有利になるので好ましい。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーのシェル部には、更に、酸分解性基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を含有することができる。酸分解性基を有するモノマーは、重合性の不飽和結合を有する構造であれば、シェル部に酸分解性部を形成するモノマーとして使用することができる。シェル部に酸分解性部を形成するモノマーとして使用することができるモノマーとしては、例えば、スチレン類及びアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エステル類、５−ノルボルネン−２−カルボン酸エステル類、及び３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸エステル類などから選ばれる重合性の不飽和結合を有する化合物などが挙げられる。

スチレン類の具体例としては、ｐ−又はｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、ｐ−又はｍ−２−メチル−２−アダマンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−２−エチル−２−アダマンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−２−プロピル−２−アダマンチルオキスチレン、ｐ−又はｍ−２−ブチル−２−アダマンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メチルシクロペンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エチルシクロペンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メチルシクロヘキシルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エチルシクロヘキシルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エトキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシ−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシ−１−エチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−テトラヒドロフラニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−メトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−エトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−イソプロポキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−イソブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−イソペンチルオキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸１−メチルシクロペンチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸１−メチルシクロヘキシル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸テトラヒドロピラニル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−トリメチルシリルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、α−メチル−ｐ−２−メチル−２−アダマンチルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−２−エチル−２−アダマンチルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−１−メトキシエトキシスチレン、α−メチル−ｐ−１−エトキシエトキシスチレン、α−メチル−ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−ビニルフェノキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、α−メチル−ｐ−ビニルフェノキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、α−メチル−ｐ−ビニルフェノキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチルなどが挙げられる。また、下記式になども挙げられる。

アクリル酸エステル類の具体例としては、例えば、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−プロピル−２−アダマンチル、アクリル酸２−ブチル−２−アダマンチル、アクリル酸１−メチルシクロペンチル、アクリル酸１−エチルシクロペンチル、アクリル酸１−メチルシクロヘキシル、アクリル酸１−エチルシクロヘキシル、アクリル酸１−メトキシエチル、アクリル酸１−エトキシエチル、アクリル酸１−メトキシ−１−メチルエチル、アクリル酸１−メトキシ−１−エチルエテル、アクリル酸テトラヒドロピラニル、アクリル酸テトラヒドロフラニル、アクリロイロキシ酢酸１−メチルシクロペンチル、アクリロイロキシ酢酸１−メチルシクロヘキシル、アクリロイロキシ酢酸テトラヒドロピラニル、アクリロイロキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリロイロキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリロイロキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル酸トリメチルシリル、アクリル酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、α−メチル−α―（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトンなどが挙げられる。

メタクリル酸エステル類の具体例としては、たとえば、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−プロピル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−ブチル−２−アダマンチル、メタクリル酸１−メチルシクロペンチル、メタクリル酸１−エチルシクロペンチル、メタクリル酸１−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸１−エチルシクロヘキシル、メタクリル酸１−メトキシエチル、メタクリル酸１−エトキシエチル、メタクリル酸１−メトキシ−１−メチルエチル、メタクリル酸１−メトキシ−１−エチルエテル、メタクリル酸テトラヒドロピラニル、メタクリル酸テトラヒドロフラニル、メタクリロイロキシ酢酸１−メチルシクロペンチル、メタクリロイロキシ酢酸１−メチルシクロヘキシル、メタクリロイロキシ酢酸テトラヒドロピラニル、メタクリロイロキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリロイロキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、メタクリロイロキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸トリメチルシリル、メタクリル酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、α−メチル−α―（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトンなどが挙げられる。

ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エステル類の具体例としては、例えば、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−メチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−エチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−プロピル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−ブチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メチルシクロペンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−エチルシクロペンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メチルシクロヘキシル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−エチルシクロヘキシル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メトキシエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−エトキシエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メトキシ−１−メチルエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メトキシ−１−エチルエテル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸テトラヒドロピラニル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸テトラヒドロフラニル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸１−メチルシクロペンチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸１−メチルシクロヘキシル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸テトラヒドロピラニル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸トリメチルシリル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、α−メチル−α―（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトンなどが挙げられる。

５−ノルボルネン−２−カルボン酸エステル類の具体例としては、例えば、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｔｅｒｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−プロピル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ブチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロペンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−エチルシクロペンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−エチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メトキシエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−エトキシエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メトキシ−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メトキシ−１−エチルエテル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸テトラヒドロピラニル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸テトラヒドロフラニル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−（１−メチルシクロペンチルオキシ）−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−（１−メチルシクロヘキシルオキシ）−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−テトラヒドロピラニルオキシ−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−（２−メチル−２−アダマンチルオキシ）−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−（２−エチル−２−アダマンチルオキシ）−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリメチルシリル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルなどが挙げられる。

３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸エステル類の具体例としては、例えば、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−プロピル−２−アダマンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−ブチル−２−アダマンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メチルシクロペンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−エチルシクロペンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−エチルシクロヘキシル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メトキシエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−エトキシエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メトキシ−１−メチルエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メトキシ−１−エチルエテル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸テトラヒドロピラニル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸テトラヒドロフラニル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−（１−メチルシクロペンチルオキシ）−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−（１−メチルシクロヘキシルオキシ）−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−テトラヒドロピラニルオキシ−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−（２−メチル−２−アダマンチルオキシ）−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−（２−エチル−２−アダマンチルオキシ）−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸トリメチルシリル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルなどが挙げられる。

このうち、このうち、スチレン類、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エステル類が好ましい。酸分解性基を有するモノマーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シェル部中、酸分解性基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位の割合は、シェル部を構成する全繰り返し単位に対し、５モル％〜９０モル％である事が好ましく、１０モル％〜８０モル％である事がより好ましく、１５モル％〜７０モル％である事が更に好ましい。このような量で、酸分解性基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位が含まれると、現像工程において露光部が効率よくアルカリ溶液に溶解し除去されるので好ましい。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーのシェル部には、上記式（I）、（II）及び酸分解性基を有するモノマー以外のモノマーも、重合性の不飽和結合を有する構造であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

シェル部を形成するモノマーとして使用することができるモノマーとしては、例えば、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ヒドロキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、及び３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸などが挙げられる。また、上記以外のスチレン類及びアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エステル類、及びアリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、クロトン酸エステル類などから選ばれる重合性の不飽和結合を有する化合物などが挙げられる。

スチレン類の具体例としては、例えば、スチレン、ｐ−又はｍ−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−エチルシスチレン、ｐ−又はｍ−プロピルスチレン、ｐ−又はｍ−ブチルスチレン、ｐ−又はｍ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ−又はｍ−クロロメチルスチレン、ｐ−又はｍ−アセトキシスチレン、ｐ−又はｍ−メトキシスチレン、ｐ−又はｍ−エトキシスチレン、ｐ−又はｍ−プロピルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｎ−ブトキシスチレンなどが挙げられる。

アクリル酸エステル類の具体例としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸ナフチル、アクリル酸アダマンチル、アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、アクリル酸クロルエチル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸２，２−ジメチルヒドロキシプロピル、アクリル酸５−ヒドロキシペンチル、アクリル酸トリメチロールプロパン、アクリル酸グリシジル、ノルボルナンラクトンアクリレートなどが挙げられる。
メタクリル酸エステル類の具体例としては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ナフチル、メタクリル酸アダマンチル、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、メタクリル酸クロルエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２，２−ジメチルヒドロキシプロピル、メタクリル酸５−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸トリメチロールプロパン、メタクリル酸グリシジル、ノルボルナンラクトンメタクリレートなどが挙げられる。

ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エステル類の具体例としては、例えば、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸メチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸プロピル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ｎ−ブチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸フェニル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ベンジル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ナフチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸クロルエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−ヒドロキシエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２，２−ジメチルヒドロキシプロピル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸５−ヒドロキシペンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸トリメチロールプロパン、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸グリシジル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ノルボルナンラクトンなどが挙げられる。

アリル化合物の具体例としては、例えば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル、アリルオキシエタノールなどが挙げられる。

ビニルエーテル類の具体例としては、例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル、ビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルエーテルなどが挙げられる。

ビニルエステル類の具体例としては、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレートなどが挙げられる。

クロトン酸エステル類の具体例としては、例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモノクロトネート、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル、ジメチルマレレート、ジブチルフマレート、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリルなどが挙げられる。

＜コア部＞
本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーのコア部を形成するモノマーとしては、ラジカル重合が可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、以下に示した式（III）で表されるモノマーや、ラジカル重合性の不飽和結合を有する他のモノマーを挙げることができる。前記式（I）又は前記式（II）の少なくとも一方で表されるモノマーもまた使用することもできる。このうち、前記式（III）で表されるモノマーの単独重合物、及び前記式（III）で表されるモノマーとラジカル重合性の不飽和結合を有する他のモノマーとの共重合物が好ましい。

前記式（III）中、Ｙは、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を含んでいてもよい炭素数１〜１０、好ましくは炭素数１〜８、より好ましくは炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を表し、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、アミレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基等などや、これらが結合した基、或いはこれらに−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−が介在した基が挙げられる。

このうち、前記式（III）中のＹとしては、ヒドロキシル基炭素数１〜８のアルキレン基が好ましく、炭素数１〜８の直鎖アルキレン基がより好ましく、メチレン基、エチレン基、−ＯＣＨ₂−基、−ＯＣＨ₂ＣＨ₂−基がさらに好ましい。前記式（III）中、Ｚは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を示す。このうち、前記式（III）中のＺとしては、塩素原子、臭素原子が好ましい。

本発明において使用できる前記式（III）で表される繰り返し単位を与えるモノマーとしては、例えば、クロロメチルスチレン、ブロモメチルスチレン、ｐ−（１−クロロエチル）スチレン、ブロモ（４−ビニルフェニル）フェニルメタン、１−ブロモ−１−（４−ビニルフェニル）プロパン−２−オン、３−ブロモ−３−（４−ビニルフェニル）プロパノール、などが挙げられる。このうち、クロロメチルスチレン、ブロモメチルスチレン、ｐ−（１−クロロエチル）スチレンが好ましい。

コア部中、前記式（III）で表されるモノマーから誘導される繰り返し単位の割合は、コア部を構成する全繰り返し単位に対し、５〜１００モル％、好ましくは２０〜１００モル％、より好ましくは５０〜１００モル％の量で含まれるのが好適である。このような量で、式（III）のモノマーから誘導される繰り返し単位が含まれると、コア部は分子間の絡まり抑制に有利な球状形態をとるので好ましい。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーのコア部を形成するモノマーとしては、前記式(III)で表されるモノマーの他に、ラジカル重合が可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーのコア部を形成するモノマーとしては、例えば、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ヒドロキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、及び３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸、スチレン類、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エステル類、５−ノルボルネン−２−カルボン酸エステル類、及び３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸エステル類、及びアリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、クロトン酸エステル類などから選ばれる重合性の不飽和結合を有する化合物などが挙げられる。

スチレン類の具体例としては、たとえば、スチレン、ｐ−又はｍ−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−エチルシスチレン、ｐ−又はｍ−プロピルスチレン、ｐ−又はｍ−ブチルスチレン、ｐ−又はｍ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｐ−又はｍ−クロロメチルスチレン、ｐ−又はｍ−アセトキシスチレン、ｐ−又はｍ−メトキシスチレン、ｐ−又はｍ−エトキシスチレン、ｐ−又はｍ−プロピルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｎ−ブトキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、ｐ−又はｍ−２−メチル−２−アダマンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−２−エチル−２−アダマンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−２−プロピル−２−アダマンチルオキスチレン、ｐ−又はｍ−２−ブチル−２−アダマンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メチルシクロペンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エチルシクロペンチルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メチルシクロヘキシルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エチルシクロヘキシルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−エトキシエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシ−１−メチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−１−メトキシ−１−エチルエトキシスチレン、ｐ−又はｍ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−テトラヒドロフラニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−メトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−エトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−イソプロポキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−イソブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−イソペンチルオキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸１−メチルシクロペンチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸１−メチルシクロヘキシル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸テトラヒドロピラニル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェノキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−トリメチルシリルオキシスチレン、ｐ−又はｍ−ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、α−メチル−ｐ−２−メチル−２−アダマンチルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−２−エチル−２−アダマンチルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−１−メトキシエトキシスチレン、α−メチル−ｐ−１−エトキシエトキシスチレン、α−メチル−ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、α−メチル−ｐ−ビニルフェノキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、α−メチル−ｐ−ビニルフェノキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、α−メチル−ｐ−ビニルフェノキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチルなどが挙げられる。また、たとえば、上記式（xi）〜（xiii）で表される化合物なども挙げられる。

アクリル酸エステル類の具体例としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸ナフチル、アクリル酸アダマンチル、アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、アクリル酸クロルエチル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸２，２−ジメチルヒドロキシプロピル、アクリル酸５−ヒドロキシペンチル、アクリル酸トリメチロールプロパン、アクリル酸グリシジル、ノルボルナンラクトンアクリレート、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−プロピル−２−アダマンチル、アクリル酸２−ブチル−２−アダマンチル、アクリル酸１−メチルシクロペンチル、アクリル酸１−エチルシクロペンチル、アクリル酸１−メチルシクロヘキシル、アクリル酸１−エチルシクロヘキシル、アクリル酸１−メトキシエチル、アクリル酸１−エトキシエチル、アクリル酸１−メトキシ−１−メチルエチル、アクリル酸１−メトキシ−１−エチルエテル、アクリル酸テトラヒドロピラニル、アクリル酸テトラヒドロフラニル、アクリロイロキシ酢酸１−メチルシクロペンチル、アクリロイロキシ酢酸１−メチルシクロヘキシル、アクリロイロキシ酢酸テトラヒドロピラニル、アクリロイロキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリロイロキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリロイロキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル酸トリメチルシリル、アクリル酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、α−メチル−α―（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−（アクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−（アクロイル）オキシ−δ−バレロラクトンなどが挙げられる。

メタクリル酸エステル類の具体例としては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ナフチル、メタクリル酸アダマンチル、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、メタクリル酸クロルエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸２，２−ジメチルヒドロキシプロピル、メタクリル酸５−ヒドロキシペンチル、メタクリル酸トリメチロールプロパン、メタクリル酸グリシジル、ノルボルナンラクトンメタクリレート、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−プロピル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−ブチル−２−アダマンチル、メタクリル酸１−メチルシクロペンチル、メタクリル酸１−エチルシクロペンチル、メタクリル酸１−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸１−エチルシクロヘキシル、メタクリル酸１−メトキシエチル、メタクリル酸１−エトキシエチル、メタクリル酸１−メトキシ−１−メチルエチル、メタクリル酸１−メトキシ−１−エチルエテル、メタクリル酸テトラヒドロピラニル、メタクリル酸テトラヒドロフラニル、メタクリロイロキシ酢酸１−メチルシクロペンチル、メタクリロイロキシ酢酸１−メチルシクロヘキシル、メタクリロイロキシ酢酸テトラヒドロピラニル、メタクリロイロキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリロイロキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、メタクリロイロキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸トリメチルシリル、メタクリル酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、α−メチル−α―（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−（メタクロイル）オキシ−δ−バレロラクトンなどが挙げられる。

ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エステル類の具体例としては、例えば、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸メチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸プロピル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ｎ−ブチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸フェニル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ベンジル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ナフチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸クロルエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−ヒドロキシエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２，２−ジメチルヒドロキシプロピル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸５−ヒドロキシペンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸トリメチロールプロパン、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸グリシジル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−メチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−エチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−プロピル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸２−ブチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メチルシクロペンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−エチルシクロペンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メチルシクロヘキシル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−エチルシクロヘキシル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メトキシエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−エトキシエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メトキシ−１−メチルエチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸１−メトキシ−１−エチルエテル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸テトラヒドロピラニル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸テトラヒドロフラニル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸１−メチルシクロペンチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸１−メチルシクロヘキシル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸テトラヒドロピラニル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸２−メチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニルフェニルカルボニルオキシ酢酸２−エチル−２−アダマンチル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸トリメチルシリル、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、α−メチル−α―（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−メチル−γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、α−エチル−α―（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−エチル−β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、γ−エチル−γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、β−メチル−β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−メチル−γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−メチル−δ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、α−エチル−α―（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、β−エチル−β−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、γ−エチル−γ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトン、δ−エチル−δ−（４−ビニルベンゾイル）オキシ−δ−バレロラクトンなどが挙げられる。

５−ノルボルネン−２−カルボン酸エステル類の具体例としては、例えば、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ｔｅｒｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−プロピル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ブチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロペンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−エチルシクロペンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−エチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メトキシエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−エトキシエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メトキシ−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メトキシ−１−エチルエテル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸テトラヒドロピラニル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸テトラヒドロフラニル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−（１−メチルシクロペンチルオキシ）−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−（１−メチルシクロヘキシルオキシ）−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−テトラヒドロピラニルオキシ−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−（２−メチル−２−アダマンチルオキシ）−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−（２−エチル−２−アダマンチルオキシ）−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−オキソエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸トリメチルシリル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルなどが挙げられる。

３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸エステル類の具体例としては、例えば、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸ｔｅｒｔ−ブチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−プロピル−２−アダマンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−ブチル−２−アダマンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メチルシクロペンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−エチルシクロペンチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−エチルシクロヘキシル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メトキシエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−エトキシエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メトキシ−１−メチルエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸１−メトキシ−１−エチルエテル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸テトラヒドロピラニル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸テトラヒドロフラニル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−（１−メチルシクロペンチルオキシ）−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−（１−メチルシクロヘキシルオキシ）−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−テトラヒドロピラニルオキシ−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−（２−メチル−２−アダマンチルオキシ）−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−（２−エチル−２−アダマンチルオキシ）−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸２−ｔｅｒｔ−ブトキシ−２−オキソエチル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸トリメチルシリル、３−テトラシクロドデセン−８−カルボン酸ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリルなどが挙げられる。

アリル化合物の具体例としては、例えば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル、アリルオキシエタノールなどが挙げられる。

ビニルエーテル類の具体例としては、例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル、ビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルエーテルなどが挙げられる。

ビニルエステル類の具体例としては、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレートなどが挙げられる。

クロトン酸エステル類の具体例としては、例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモノクロトネート、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル、ジメチルマレレート、ジブチルフマレート、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリルなどが挙げられる。このうち、ｐ−又はｍ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ヒドロキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸、スチレン類、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ｐ−又はｍ−ビニル安息香酸エステル類が好ましい。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーは、ラジカル重合可能なモノマーからハイパーブランチポリマーを合成するコア部合成工程と、該合成されたハイパーブランチポリマーと、少なくとも前記式（I）及び又は（II）で表されるモノマーとを反応させて、該コア部の周囲にオニウム塩構造を有するシェル部を形成することにより製造することができる。

−コア部の合成工程−
コア部を構成するモノマーとして、前記式（III）で表される繰り返し単位を与えるモノマーを使用する場合のコア部の合成工程を例に説明する。通常、０〜２００℃で、０．１〜３０時間、クロロベンゼンなどの溶媒中で原料モノマーを原子移動ラジカル重合反応させることにより、本発明のハイパーブランチポリマーのコア部を製造することが出来る。前記式（III）におけるＹ−Ｚ結合は、遷移金属錯体によって可逆的にラジカル解離し、２分子停止が抑制されることにより原子移動ラジカル重合が進行する。

例えば、前記式（III）で表される繰り返し単位を与えるモノマーとしてクロロメチルスチレン、触媒として銅（Ｉ価）ビピリジル錯体を用いる場合には、クロロメチルスチレンにおけるクロル原子が、銅（Ｉ価）錯体を銅（ＩＩ価）に酸化した状態で付加体を中間体として形成し、クロル原子のはずれた側にメチレンラジカルが発生する（Ｋｒｚｙｓｚｔｏｆ Ｍａｔｙｊａｓｚｅｗｓｋｉ， Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２９，１０７９（１９９６）及び、Ｊｅａｎ Ｍ．Ｊ． Ｆｒｅｃｈｔ， Ｊ．Ｐｏｌｙ．Ｓｃｉ．， ３６， ９５５（１９９８）参照）。

このラジカル中間体は、他のクロロメチルスチレンのエチレン性二重結合と反応し、下記式（IV）で表される２量体を形成する。このとき、分子内に生成する１級炭素（ｅ）、２級炭素（ｆ）はクロル基を置換基として有しているので、各々がさらに他のクロロメチルスチレンのエチレン性二重結合と反応する。以下同様にして、逐次クロロメチルスチレンと重合を起こす。

また、以下に示した式（V）で表される４量体では、１級炭素（ｇ）及び（ｈ）、２級炭素（ｉ）及び（ｊ）がクロル基を置換基として有しているので、各々がさらに他のクロロメチルスチレンのエチレン性二重結合と反応する。以下同様に反応を繰り返すことで、高度に分岐した高分子が生成する。

なお、このとき触媒となる銅錯体の量を増すと分岐度は更に上昇する。好ましくは、前記式（III）で表されるモノマーの全量に対し、触媒の量を、０．１〜６０モル％となるように使用するのが好ましく、１〜４０モル％となるように使用するのがより好ましい。このような量で触媒を使用すると、後述するコアシェル型ハイパーブラントポリマーの好適な分岐度を有するコア部を得ることができる。

コア部が、前記式（III）で表されるモノマーとラジカル重合性の不飽和結合を有する他のモノマーとの共重合物である場合においても前記式（III）で表されるモノマーの単独重合と同様な手法により、遷移金属錯体を用いて原子移動ラジカル重合することにより製造することができる。

−シェル部の導入工程−
本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーにおいて、シェル部のオニウム塩構造は、既述のようにして合成できるコア部と、オニウム塩構造を有するモノマーとを反応させることにより導入することができる。

＜第一の方法＞
前記コア部にオニウム塩構造を有するシェル部を導入する第一の方法は、前記コア部合成工程で得られたコア部を単離した後、オニウム塩構造を有するモノマーとして、例えば前記式（I）及び又は（II）で表されるモノマーを用いて導入することができる方法である。

触媒として、コア部の合成に用いた触媒と同様の遷移金属錯体触媒、例えば、銅（Ｉ価）ビピリジル錯体を用い、前記コア部の末端に多数存在するハロゲン化炭素を開始点として、前記式（I）及び又は（II）で表されるモノマーの二重結合との原子移動ラジカル重合によって直鎖状に付加重合させるものである。

具体的には、通常、０〜２００℃で、０．１〜３０時間、クロロベンゼンなどの溶媒中で、コア部と、前記式（I）及び又は（II）で表されるモノマーとを反応させることにより、オニウム塩構造を導入して、本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーを製造することが出来る。一例として、クロロメチルスチレンより形成されたハイパーブランチポリマーのコア部にオニウム塩構造を導入する反応式を反応式１に示す。

ただし、前記反応式１において、ｙ、ｋ、ｌ、ｍは、それぞれ０以上の数であり、ｙ≧ｋ≧０、ｙ≧ｌ≧０、ｙ≧ｍ≧０、ただしｙ≧ｋ＋ｌ＋ｍ＞０である。

＜第２の方法＞
前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーのコア部合成工程を用い、コア部を重合した後に、コア部を単離することなく、オニウム塩構造を有する化合物として例えば、前記式（I）又は（II）の少なくとも一方で表されるモノマーとの原子移動ラジカル重合によってオニウム塩構造を導入することができる方法である。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーにおいて、シェル部を構成する繰り返し単位として酸分解性基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位がある場合、該酸分解性基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位は、触媒を用いた部分的な分解反応により、例えば脱エステル化反応により、カルボキシル基又はフェノール性水酸基などの酸性基に変換されても良い。この場合、分解反応は、全酸分解性基の８０モル％程度まで行うことができる。

上記触媒の具体例としては、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、パラトルエンスルホン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ギ酸などの酸触媒、又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ触媒が挙げられる。好ましくは酸触媒、より好ましくは塩酸、硫酸、パラトルエンスルホン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸が好適である。

前記酸分解性基を有する繰り返し単位の分解反応により、カルボキシル基又はフェノール性水酸基などの酸性基に変換された繰り返し単位の構成モルパーセントは、シェル部を構成する全繰り返し単位に対して０〜８０％、好ましくは０〜７０％、より好ましくは０〜６０％が好適である。このような範囲にあると、ポリマーの親水性が高まり基板に対する密着性に有利になるので好ましい。

前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の分岐度（Ｂｒ）は、０．１〜０．９であるのが好ましく、０．３〜０．７であるのがより好ましく、０．４〜０．５であるのがさらに好ましく、０．５であるのが最も好ましい。コア部の分岐度がこのような範囲にあると、ポリマー分子間での絡まりが小さく、パターン側壁における表面ラフネスが抑制されるので好ましい。

ここで、前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の分岐度（Ｂｒ）は、生成物の¹Ｈ−ＮＭＲを測定し、以下のようにして求めることができる。即ち、４．６ｐｐｍに現われる−ＣＨ₂Ｃｌ部位のプロトンの積分比Ｈ１°と、４．８ｐｐｍに現われるＣＨＣｌ部位のプロトンの積分比Ｈ２°を用い、下記数式（Ａ）により算出できる。なお、−ＣＨ₂Ｃｌ部位とＣＨＣｌ部位との両方で重合が進行し、分岐が高まると、Ｂｒ値は０．５に近づく。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるコア部の重量平均分子量は、３００〜１００，０００であるのが好ましく、５００〜８０，０００であるのもまた好ましく、１，０００〜１００、０００であるのがより好ましく、１、０００〜５０，０００であるのがさらに好ましく、１，０００〜３０，０００であるのが最も好ましい。コア部の分子量がこのような範囲にあると、コア部は球状形態をとり、又シェル部導入反応において、コア部の反応溶媒への溶解性を確保できるので好ましい。

本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量（Ｍ）は、５００〜１５０，０００が好ましく、２，０００〜１５０，０００がより好ましく、さらに好ましくは１，０００〜１００，０００、さらに好ましくは２，０００〜６０，０００、最も好ましくは３，０００〜６０，０００である。コアシェル型ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量（Ｍ）がこのような範囲にあると、該コアシェル型ハイパーブランチポリマーを含有するレジストは、成膜性が良好であり、リソグラフィ工程で形成された加工パターンの強度があるため形状を保つことができる。またドライエッチング耐性にも優れ、表面ラフネスも良好である。

ここで、本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、０．０５質量％のテトラヒドロフラン溶液を調製し、温度４０℃でＧＰＣ測定を行って求めることができる。移動溶媒としてはテトラヒドロフランを用い、標準物質としてはポリスチレンを使用することができる。

触媒として遷移金属錯体を使用して本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成すると、得られるコアシェル型ハイパーブランチポリマーが遷移金属を含む場合がある。その量は、使用する触媒の種類や量にも依るが、通常、７〜５ｐｐｍの量でコアシェル型ハイパーブランチポリマー中に含まれ得る。

このとき、本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマー中に含まれる触媒由来の金属を、その量が１００ｐｐｂ未満、好ましくは８０ｐｐｂ未満、より好ましくは６０ｐｐｂ未満になるまで除去するのが好ましい。触媒由来の金属量が１００ｐｐｂ以上であると、露光工程において、混入金属元素により照射光が吸収されレジスト感度が低下し、スループットに弊害を及ぼすことがある。さらにドライエッチング処理されたレジストを酸素プラズマなどによるドライアッシングによって除去する工程において、プラズマによって混入金属元素が基板上に付着または拡散し、後工程において様々な弊害をもたらすことがある。

なお、金属元素量は、ＩＣＰＭＡＳ（例えば、日立製作所製 Ｐ-６０００型ＭＩＰ-ＭＳ）で測定することができる。除去する手段としては、例えば、ポリマーまたは、有機溶剤のポリマー溶液を酸性水溶液、及び又は、超純水で洗浄する。イオン交換膜（例えば、日本マイクロリス（株）製、プロテゴＣＰ）を使用する。メンブレン膜（例えば、ミリポア社製、ミリポアフィルター）を使用する。濾過時には加圧してもよく、例えばポリマー溶液の流速が０．５〜１０ｍｌ／分になるようにすると、金属元素除去効果に有利に作用するので好ましい。上記手法を単独で使用するか又は併用して行うことが好ましい。

感度は、例えば、紫外線または、極端紫外光（ＥＵＶ）を用い、シリコンウエハ上に所定厚さに製膜した試料薄膜に対し、所定大きさ部分にエネルギー０〜２００ｍＪ／ｃｍ²の光を照射して露光し、熱処理後、アルカリ水溶液に浸漬させて現像し、水洗、乾燥後の膜厚を薄膜測定装置で測定し、露光部の膜厚減少が１００％になる最小の照射量（ｍＪ／ｃｍ²）を感度とすることにより求めることができる。

露光面の表面ラフネスは、例えば、永瀬雅夫，早稲田大学審査学位論文２４７５号，「原子間力顕微鏡によるナノ構造計測とそのデバイス・プロセスへの応用に関する研究」，ｐｐ９９−１０７（１９９６）記載の方法に従って測定できる。具体的には、電子線、紫外線、ＥＵＶ光を用い、上記アルカリ水溶液で溶解性を示した電子線、紫外線または、ＥＵＶ露光量の３０％の表面について行うことができる。アルカリ水溶液への溶解性について記載したのと同様の方法で作成した評価試料について、原子間力顕微鏡を用い、表面粗さの指標であるＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４の十点平均粗さの求め方に従って測定できる。

エッチングレイト測定は、例えば、ドライエッチング装置（ＬＡＭ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社製 ＴＣＰ９４００ Ｔｙｐｅ）を用い、ドライエッチングを行い、ドライエッチング前後の膜厚差を求めることにより測定できる。

（レジスト組成物）
本発明のレジスト組成物は、前記本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーを少なくとも含み、光酸発生剤、更に必要に応じて、酸拡散抑制剤（酸捕捉剤）、界面活性剤、その他の成分、及び溶剤を含むことができる。前記本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの配合量は、レジスト組成物の全量に対し、１〜４０質量％が好ましく、１〜２０質量％がより好ましい。

前記光酸発生剤としては、紫外線、Ｘ線、電子線などの照射によって酸を発生するものであれば特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オニウム塩、スルホニウム塩、ハロゲン含有トリアジン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物、芳香族スルホネート化合物、Ｎ−ヒドロキシイミドのスルホネート化合物、などが挙げられる。

前記オニウム塩としては、例えば、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールセレノニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、などが挙げられる。前記ジアリールヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルヨードニウムノナフルオロメタンスルホネート、ビス４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルヨードニウムカンファースルフォネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−）ヨードニウムジ（パーフルオロメチルスルホン）イミデート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−トリ（パーフルオロメチルスルホン）メタニドなどが挙げられる。前記トリアリールセレノニウム塩としては、例えば、トリフェニルセレノニウムヘキサフロロホスホニウム塩、トリフェニルセレノニウムホウフッ化塩、トリフェニルセレノニウムヘキサフロロアンチモネート塩、などが挙げられる。

前記トリアリールスルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロホスホニウム塩、トリフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムヘキサフロロアンチモネート塩、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウムペンタフロロヒドロキシアンチモネート塩、などが挙げられる。

前記スルホニウム塩としては、例えば、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−トリルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム−ジ（パーフルオロメチルスルホン）イミデート、トリフェニルスルホニウム−ジ（パーフルオロブチルスルホン）イミデート、トリフェニルスルホニウム−シクロ（パーフルオロプロパンジスルホン）イミデート、トリフェニルスルホニウム−トリ（パーフルオロメチルスルホン）メタニド、などが挙げられる。

前記ハロゲン含有トリアジン化合物としては、例えば、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、などが挙げられる。

前記スルホン化合物としては、例えば、ジフェニルジスルホン、ジ−ｐ−トリルジスルホン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、フェニルスルホニルアセトフェノン、などが挙げられる。

前記芳香族スルホネート化合物としては、例えば、α−ベンゾイルベンジルｐ−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレート）、β−ベンゾイル−β−ヒドロキシフェネチルｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロールベンゾイントシレート）、１，２，３−ベンゼントリイルトリスメタンスルホネート、２，６−ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、４−ニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、ピロガロールトリメシレートなどが挙げられる。

前記Ｎ−ヒドロキシイミドのスルホネート化合物としては、例えば、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｐ−クロロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（シクロヘキシルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１−ナフチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ベンジルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミド、などが挙げられる。

前記光酸発生剤としては、例えば、スルホニウム塩、特にトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム−ジ（パーフルオロメチルスルホン）イミデート、トリフェニルスルホニウム−ジ（パーフルオロブチルスルホン）イミデート、トリフェニルスルホニウム−シクロ（パーフルオロプロパンジスルホン）イミデート、トリフェニルスルホニウム−トリ（パーフルオロメチルスルホン）メタニド；スルホン化合物、特にビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンが好ましい。

前記光酸発生剤は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。前記光酸発生剤の配合量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマー１００質量部に対し０．１〜３０質量部が好ましく、０．１〜２０質量部がより好ましい。

また、前記酸拡散抑制剤としては、露光により酸発生剤から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する成分であれば特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、同一分子内に窒素原子を１個有する含窒素化合物、同一分子内に窒素原子を２個有する化合物、窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物、などが挙げられる。

前記同一分子内に窒素原子を１個有する含窒素化合物としては、例えば、モノ（シクロ）アルキルアミン、ジ（シクロ）アルキルアミン、トリ（シクロ）アルキルアミン、芳香族アミン、などが挙げられる。前記モノ（シクロ）アルキルアミンとしては、例えば、２−シクロヘキシル−２−ピロリジノン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルアミン、などが挙げられる。前記ジ（シクロ）アルキルアミンとしては、例えば、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、などが挙げられる。

前記トリ（シクロ）アルキルアミンとしては、例えば、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、などが挙げられる。前記芳香族アミンとしては、例えば、２−ベンジルピリジン、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、ナフチルアミン、などが挙げられる。

前記同一分子内に窒素原子を２個有する含窒素化合物としては、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル、などが挙げられる。

前記同一分子内に窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、Ｎ−（２−ジメチルアミノエチル）アクリルアミドの重合体、などが挙げられる。

前記アミド基含有化合物としては、例えば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジアミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、などが挙げられる。

前記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア、などが挙げられる。

前記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキノリン、アクリジン、ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ [２．２．２] オクタン、などが挙げられる。

前記酸拡散抑制剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。前記酸拡散抑制剤の配合量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記光酸発生剤１００質量部に対し０．１〜１０００質量部が好ましく、０．５〜１００質量部がより好ましい。

また、前記界面活性剤としては、塗布性、ストリエーション、現像性などを改良する作用を示す成分であれば特に制限はなく、公知のものの中から目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、などが挙げられる。

前記ポリオキシエチレンアルキルエーテルとしては、例えば、ポリオキシエチレンの平均付加モル数が、１〜５０のポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、などが挙げられる。前記ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテルとしては、例えば、ポリオキシエチレンの平均付加モル数が、１〜５０のポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル、などが挙げられる。

前記ソルビタン脂肪酸エステルとしては、例えば、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート、などが挙げられる。

前記ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンの平均付加モル数が、１〜５０のポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、などが挙げられる。

前記フッ素系界面活性剤としては、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）、などが挙げられる。

前記シリコン系界面活性剤としては、例えば、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、などが挙げられる。前記界面活性剤は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。前記界面活性剤の配合量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記本発明のコアシェル型ハイパーブランチポリマー１００質量部に対し、０．０００１〜５質量部が好ましく、０．０００２〜２質量部がより好ましい。

前記その他の成分としては、例えば、増感剤、溶解制御剤、酸解離性基を有する添加剤、アルカリ可溶性樹脂、染料、顔料、接着助剤、消泡剤、安定剤、ハレーション防止剤、などが挙げられる。

前記増感剤としては、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを光酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示し、レジスト組成物のみかけの感度を向上させる効果を有するものであれば特に制限はなく、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類、などが挙げられる。これらの増感剤は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

前記溶解制御剤としては、レジストとしたときの溶解コントラストおよび溶解速度をより適切に制御するものであれば特に制限はなく、例えば、ポリケトン、ポリスピロケタール、などが挙げられる。これらの溶解制御剤は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

前記酸解離性基を有する添加剤としては、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性などをさらに改善するものであれば特に制限はなく、例えば、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブチル、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、デオキシコール酸２−エトキシエチル、デオキシコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、デオキシコール酸３−オキソシクロヘキシル、デオキシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸メバロノラクトンエステル、リトコール酸ｔ−ブチル、リトコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸２−エトキシエチル、リトコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、リトコール酸３−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエステル、などが挙げられる。これらの溶解制御剤は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

前記アルカリ可溶性樹脂としては、本発明のレジスト組成物のアルカリ可溶性を向上させるものであれば特に制限はなく、例えば、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）、部分水素添加ポリ（４−ヒドロキシスチレン）、ポリ（３−ヒドロキシスチレン）、ポリ（３−ヒドロキシスチレン）、４−ヒドロキシスチレン／３−ヒドロキシスチレン共重合体、４−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体、ノボラック樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸などが挙げられ、Ｍｗは、通常、１０００−１００００００、好ましくは２０００−１０００００である。これらのアルカリ可溶性樹脂は単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

前記染料あるいは顔料は、露光部の潜像を可視化させて露光時のハレーションの影響を緩和できる。また、前記接着助剤は、基板との接着性を改善することができる。前記溶剤としては、前記成分などを溶解することができる限り特に制限はなく、レジスト組成物に安全に使用可能なものの中から適宜選択することができ、例えば、ケトン、環状ケトン、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、２−ヒドロキシプロピオン酸アルキル、３−アルコキシプロピオン酸アルキル、その他の溶剤などが挙げられる。

前記ケトンとしては、例えば、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、２−ブタノン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタノン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン、３−メチル−２−ペンタノン、３，３−ジメチル−２−ブタノン、２−ヘプタノン、２−オクタノン、などが挙げられる。前記環状ケトンとしては、例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、３−メチルシクロペンタノン、２−メチルシクロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、イソホロン、などが挙げられる。

前記プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｉ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｉ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｓｅｃ−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテルアセテート、などが挙げられる。

前記２−ヒドロキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−プロピル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−プロピル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｓｅｃ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｔ−ブチル、などが挙げられる。前記３−アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、例えば、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、などが挙げられる。

前記その他の溶剤としては、例えば、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、γ−ブチロラクトン、トルエン、キシレン、カプロン酸、カプリル酸、オクタン、デカン、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレンなどを挙げることができる。これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。

本発明のレジスト組成物は、パターン上に露光された後、現像を行ってパターニング処理することができる。本発明のレジスト組成物は、表面平滑性がナノオーダーで求められる電子線、遠紫外線（ＤＵＶ）及び、極紫外線（ＥＵＶ）光源に対し、半導体装置製造用の微細パターンを形成できるので各種分野で好適に用いることができる。本発明のレジスト組成物は、露光及び、加熱によりアルカリ現像液中に溶解させて水洗等することにより、露光面に溶け残りが無く、ほぼ垂直なエッジを得ることができる。

以下、本発明にかかる上述した実施の形態の実施例について説明する。なお、本発明の範囲は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。

（合成例１）
はじめに、実施例における合成例１について説明する。実施例における合成例１では、ナトリウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成について説明する。合成例１におけるナトリウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成に際しては、Ｋ．Ｅ．Ｇｏｎｓａｌｖｅｓ，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１６，３７０１（２００６）に掲載されている合成方法を参考に合成した。

合成例１においては、アルゴン雰囲気下、トリフルオロ酢酸と無水トリフルオロ酢酸の混合溶媒中、アクリル酸とナトリウム４−ヒドロキシ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを室温で２４時間反応させた。これによって、目的とするナトリウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを得た。

（合成例２）
つぎに、実施例における合成例２について説明する。実施例における合成例２では、ナトリウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成について説明する。合成例２におけるナトリウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成に際しては、合成例１で用いたアクリル酸の代わりに、メタクリル酸を用いて、それ以外は合成例１と同様にして目的物であるナトリウム４−（４−メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを得た。

（合成例３）
つぎに、実施例における合成例３について説明する。実施例における合成例３では、ナトリウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成について説明する。合成例３におけるナトリウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成に際しては、合成例１で用いたアクリル酸の代わりに、４−ビニル安息香酸を用いて、それ以外は合成例１と同様にして目的物であるナトリウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを得た。

（合成例４）
つぎに、実施例における合成例４について説明する。実施例における合成例４では、トリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成について説明する。合成例４におけるトリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成に際しては、Ｋ．Ｅ．Ｇｏｎｓａｌｖｅｓ，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，１６，３７０１（２００６）に掲載されている合成方法を参考に合成した。

合成例４においては、合成例１で得たナトリウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートにトリフェニルスルホニウムクロリド水溶液とジクロロメタンを加え、目的物をジクロロメタン層に抽出した。ジクロロメタン層を水洗後、減圧留去し目的とするトリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート（下記表１中（１）と記載。）を得た。

（合成例５）
つぎに、実施例における合成例５について説明する。実施例における合成例５では、トリフェニルスルホニウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成について説明する。合成例５におけるトリフェニルスルホニウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成に際しては、合成例４で用いたナトリウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの代わりに、合成例２で得たナトリウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを用いて、それ以外は合成例４と同様にして、目的とするトリフェニルスルホニウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート（下記表１中（２）と記載。）を得た。

（合成例６）
つぎに、実施例における合成例６について説明する。実施例における合成例６では、トリフェニルスルホニウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成について説明する。実施例６におけるトリフェニルスルホニウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの合成に際しては、合成例４で用いたナトリウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの代わりに、合成例３で得たナトリウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを用いて、それ以外は合成例４と同様にして目的とするトリフェニルスルホニウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート（下記表１中（３）と記載。）を得た。

（合成例７）
つぎに、実施例における合成例７について説明する。実施例における合成例７では、４−アクリロキシナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートの合成について説明する。合成例６における４−アクリロキシナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートの合成に際しては、４−ヒドロキシナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを乾燥ジクロロメタンに溶解し、氷冷しながらアクリル酸クロリドとトリエチルアミンを加えて２４時間攪拌した。

その後、反応液に水を加えてジクロロメタン層を分取した。分取したジクロロメタン層を水洗し減圧留去して、目的とする４−アクリロキシナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート（下記表１中（４）と記載。）を得た。

（合成例８）
つぎに、実施例における合成例８について説明する。実施例における合成例８では、ハイパーブランチポリクロロメチルスチレン（コア部Ａ）の合成について説明する。実施例８におけるハイパーブランチポリクロロメチルスチレン（コア部Ａ）の合成に際しては、Ｋｒｚｙｓｚｔｏｆ Ｍａｔｙｊａｓｚｅｗｓｋｉ， Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ ２９，１０７９（１９９６）及びＪｅａｎ Ｍ．Ｊ．Ｆｒｅｃｈｔ，Ｊ．Ｐｏｌｙ．Ｓｃｉ．，３６、９５５（１９９８）に掲載されている合成法方を参考にし、合成を行った。

ハイパーブランチポリクロロメチルスチレン（コア部Ａ）の合成に際しては、攪拌機及び、冷却管を取り付けた１，０００ｍＬの4つ口反応容器にアルゴンガス雰囲気下で、２．２’−ビピリジル４９．２ｇと塩化銅(Ｉ)１５．６ｇを採り、反応溶媒のクロロベンゼン４８０ｍＬを加え、クロロメチルスチレン ９６．６ｇを５分間で滴下し、内部温度を１２５℃一定に保ちながら加熱攪拌した。滴下時間を含めた反応時間は、２７分とした。

加熱攪拌による反応終了後、反応混合物にＴＨＦを３００ｍＬ加えて撹拌することによりポリマー生成物を溶解し、アルミナ４００ｇ（１００ｇ×４回）を濾剤に用いて吸引濾過して塩化銅を濾別し、濾液は減圧留去した。得られた濾液にメタノール７００ｍＬを加えることで再沈させ、粘性の高い褐色の粗製物ポリマーを得た。

上述のようにして得られた粗製物ポリマー８０ｇにＴＨＦ：メタノール= ２：８の混合溶媒を５００ｍＬ加え、３時間攪拌しその後、再沈させコア部Ａを得た（収率７２％）。ＧＰＣ測定より重量平均分子量は２０００、及び¹Ｈ−ＮＭＲ測定より分岐度は０．４８であった。得られたコア部Ａの構造概要を、以下に示した式（xiv）によって表した。

（合成例９）
つぎに、実施例における合成例９について説明する。実施例における合成例９では、ハイパーブランチポリクロロメチルスチレン（コア部Ｂ）の合成について説明する。合成例９におけるハイパーブランチポリクロロメチルスチレン（コア部Ｂ）の合成に際しては、反応時間を４０分として重合した以外は合成例８と同様にしてハイパーブランチポリマーコア部Ｂを合成した。合成例９におけるハイパーブランチポリクロロメチルスチレン（コア部Ｂ）の収率は、７０％であった。

合成例９においては、合成例８と同様にして、ＧＰＣ測定により重量平均分子量を測定し、¹Ｈ−ＮＭＲ測定により分岐度を測定した。その結果、合成れ９におけるハイパーブランチポリクロロメチルスチレン（コア部Ｂ）の重量平均分子量は４０００であり、分岐度は０．４８であった。

合成例４〜７で得たオニウム塩構造を有するモノマー、及び合成例８〜９で得たハイパーブランチポリクロロメチルスチレンを用いて、以下で本発明にかかわるコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成した。

（実施例１）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
はじめに、実施例１におけるコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。実施例１におけるコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、塩化銅（Ｉ）１．１ｇ、２,２’−ビピリジル３．５ｇ及び、原料ポリマーとして合成例８で得られたコア部Ａ ６．８ｇ、モノクロロベンゼン２０６ｇ、合成例４で得られたトリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート１０．１ｇ、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル９．２ｇを、アルゴンガス雰囲気下で反応容器に入れ、１２５℃で３時間加熱攪拌した。

反応混合物を急冷却後、酸化アルミニウムを濾剤に用いた吸引濾過にて触媒を除去した。得られた短黄色の濾液を減圧留去し、粗生成物ポリマーを得た。粗生成物ポリマーをテトラヒドロフラン１０ｍＬに溶解させた後、メタノール５００ｍＬを加え再沈し、固形分を分離した。沈殿物をメタノールで洗浄することで、精製物である淡黄色の＜ポリマー１＞を得た。＜ポリマー１＞の収量は１０．３ｇであった。¹Ｈ−ＮＭＲにより共重合物が得られていることを確認した。

つづいて、得られた＜ポリマー１＞の各構成単位の導入比率（構成比）を¹Ｈ−ＮＭＲ及び¹³Ｃ−ＮＭＲにより求めた。＜ポリマー１＞の重量平均分子量（Ｍｗ）は、コア部分Ａの重量平均分子量（Ｍｗ）をもとにして、各構成単位の導入比率及び、各構成単位の分子量は下記式（Ｂ）および（Ｃ）を使って計算した。結果を表１に示した。

ただし、前記式（Ｂ）、（Ｃ）において、Ａ：得られたコア部のモル数、Ｂ：ＮＭＲより求めたクロロメチルスチレン部のモル比、Ｃ：ＮＭＲより求めたトリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート部のモル比、Ｄ：ＮＭＲより求めたアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル部のモル比、ｂ：クロロメチルスチレン部の分子量、ｃ ：トリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート部の分子量、ｄ：アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル部の分子量、Ｍｗ：コア部の重量平均分子量、Ｍ：コアシェル型ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量を表す。

−レジスト組成物の調製−
つぎに、上述した＜ポリマー１＞を用いたレジスト組成物の調整について説明する。レジスト組成物は、＜ポリマー１＞を４．０質量％含有するプロピレングリコールモノメチルアセテート（ＰＥＧＭＥＡ）溶液を作成し、細孔径０．４５μｍのフィルターで濾過することによって調製した。得られたレジスト組成物をシリコンウエハ上にスピンコートし、９０℃にて1分間の熱処理で溶媒を蒸発させて、厚さ１００ｎｍの薄膜を作成した。

−紫外線照射感度測定−
つぎに、上述したレジスト組成物の紫外線照射感度測定について説明する。上述したレジスト組成物の紫外線照射感度測定に際しては、光源として、放電管式紫外線照射装置（アトー株式会社製、ＤＦ−２４５型ドナフィックス）を用いた。

上述したレジスト組成物の紫外線照射感度測定に際しては、シリコンウエハ上に製膜した厚さ約１００ｎｍの試料薄膜に対し、縦１０ｍｍ×横３ｍｍの長方形の部分に、波長２４５ｎｍの紫外線を、エネルギー量を０ｍＪ／ｃｍ²から５０ｍＪ／ｃｍ²まで変化させて照射することにより露光した。

１００℃にて４分間の熱処理後、アルカリ剤としてのテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド（ＴＭＡＨ）２．４質量％水溶液中に２５℃にて２分間浸漬させて現像した。水洗、乾燥後の膜厚を、Ｆｉｌｍｅｔｒｉｃｓ株式会社製薄膜測定装置Ｆ２０で測定し、現像後の膜厚みがゼロになったときの最小エネルギー量を感度として測定した（表１を参照。）。

−表面ラフネスの測定−
つぎに、シリコンウエハ上に製膜したレジスト組成物の表面ラフネスの測定について説明する。表面ラフネスの測定に際しては、露光面の表面ラフネスは、永瀬雅夫，早稲田大学審査学位論文２４７５号，「原子間力顕微鏡によるナノ構造計測とそのデバイス・プロセスへの応用に関する研究」，ｐｐ９９−１０７（１９９６）記載の方法を参考に、上記波長２４５ｎｍの紫外線を用い、上記アルカリ水溶液で溶解性が示された露光量の３０％の表面について行った。

紫外線照射は、シリコンウエハ上に成膜した厚さ約５００ｎｍの試料薄膜に対して、縦１０ｍｍ×横３ｍｍの長方形の部分に行い、１００℃にて４分の熱処理後、テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）２．４質量％水溶液に２５℃にて２分浸漬し、水洗、乾燥した表面を評価試料とした。得られた評価試料について、原子間力顕微鏡（島津製作所社製、ＳＰＭ−９５００Ｊ３）を用い、表面粗さの指標であるＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４の十点平均粗さの求め方に従って測定した。結果を表１に示した。

（実施例２）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
トリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの代わりに、トリフェニルスルホニウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを１０．４ｇ使用して重合した以外は実施例１と同様にして目的の＜ポリマー２＞を合成した。得られた＜ポリマー２＞の構成比および分子量は、実施例１と同様にして求めた。結果を表１に示した。

−レジスト組成物の調製−
実施例２においては、＜ポリマー２＞を用いた以外は、実施例１と同様にしてレジスト組成物を調製し、調整したレジスト組成物の評価試料を作製した。

−評価−
実施例２のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（実施例３）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
つぎに、実施例３のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。実施例３のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、トリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの代わりに、トリフェニルスルホニウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを１１．５ｇ使用して重合した以外は実施例１と同様にして目的の＜ポリマー３＞を合成した。得られた＜ポリマー３＞の構成比および分子量は、実施例１と同様にして求めた。結果を表１に示した。

−レジスト組成物の調製−
実施例３においては、＜ポリマー３＞を用いた以外は、実施例１と同様にして、レジスト組成物を調製し、調整したレジスト組成物の評価試料を作製した。

−評価−
実施例３のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（実施例４）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
つぎに、実施例４のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。実施例４のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、トリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの代わりに、４−アクリロキシナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを７．４ｇ使用して重合した以外は実施例１と同様にして目的の＜ポリマー４＞を合成した。得られた＜ポリマー４＞の構成比および分子量は、実施例１と同様にして求めた。結果を表１に示した。

−レジスト組成物の調製−
実施例４においては、＜ポリマー４＞を用いた以外は、実施例１と同様にして、レジスト組成物を調製し、調整した評価試料を作製した。

−評価−
実施例４のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（実施例５）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
つぎに、実施例５のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。実施例５のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、塩化銅（Ｉ）０．７４ｍｇ、２,２’−ビピリジル ２．３ｇ及び、コア部Ａの代わりに、コア部Ｂ ４．６ｇを使用して重合した以外は実施例１と同様にして目的の＜ポリマー５＞を合成した。得られた＜ポリマー５＞の構成比および分子量は、実施例１と同様にして求めた。結果を表１に示した。

−レジスト組成物の調製−
実施例５においては、＜ポリマー５＞を用いた以外は、実施例１と同様にして、レジスト組成物を調製し、調整した評価試料を作製した。

−評価−
実施例５のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（実施例６）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
つぎに、実施例６のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。実施例６のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、トリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの代わりに、トリフェニルスルホニウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを１０．４ｇ使用して重合した以外は実施例５と同様にして目的の＜ポリマー６＞を合成した。得られた＜ポリマー６＞の構成比および分子量は、実施例１と同様にして求めた。結果を表１に示した。

−レジスト組成物の調製−
実施例６においては、＜ポリマー６＞を用いた以外は、実施例１と同様にして、レジスト組成物を調製後、評価試料を作製した。

−評価−
実施例６のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（実施例７）
−レジスト組成物の調製−
つぎに、実施例７のレジスト組成物の調製について説明する。実施例７のレジスト組成物の調製に際しては、＜ポリマー１＞を４．０質量％、光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロメタンスルホネートを０．２４質量％含有するプロピレングリコールモノメチルアセテート（ＰＥＧＭＥＡ）溶液を作成し、細孔径０．４５μｍのフィルターで濾過してレジスト組成物を調製した。

−評価−
実施例７のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（実施例８）
−レジスト組成物の調製−
つぎに、実施例８のレジスト組成物の調製について説明する。実施例８のレジスト組成物の調製に際しては、＜ポリマー４＞を４．０質量％、酸拡散抑制剤としてトリ−ｎ−オクチルアミンを＜ポリマー４＞に対し１．０質量％含有するプロピレングリコールモノメチルアセテート（ＰＥＧＭＥＡ）溶液を作成し、細孔径０．４５μｍのフィルターで濾過してレジスト組成物を調製した。

−評価−
実施例８のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（実施例９）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
つぎに、実施例９のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。実施例９のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、トリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートの代わりに、トリフェニルスルホニウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートを１０．４ｇ、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチルの代わりに、α−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン（ＧＢＬＭＡ）６．９ｇ、及びメタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル（ＥＡＭＡ）１０．１ｇを使用して重合した以外は実施例１と同様にして目的の＜ポリマー９＞を合成した。得られた＜ポリマー９＞の構成比および分子量は、実施例１と同様にして求めた。結果を表１に示した。

−レジスト組成物の調製−
実施例９においては、＜ポリマー９＞を用いた以外は、実施例１と同様にして、レジスト組成物を調製し、調整した評価試料を作製した。

−評価−
実施例９のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（比較例１）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
つぎに、比較例１のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。比較例１のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、塩化銅（Ｉ）１．１ｇ、２,２’−ビピリジル ３．５ｇ及び、原料ポリマーとして合成例８で得られたコア部Ａ ６．８ｇ、モノクロロベンゼン １８６ｇ、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル２８．５ｇをアルゴンガス雰囲気下で反応容器に入れ、１２５℃で５時間加熱攪拌した。

反応混合物を急冷却後、酸化アルミニウムを濾剤に用いた吸引濾過にて触媒を除去した。得られた濾液を減圧留去し粗生成物ポリマーを得た。粗生成物ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させた後、メタノールを加え再沈し、固形分を分離した。沈殿物をメタノールで洗浄することで、精製物である＜ポリマー１０＞を得た。得られた＜ポリマー１０＞の構成比および分子量は、実施例１と同様にして求めた。結果を表１に示した。

−レジスト組成物の調製−
比較例１においては、＜ポリマー１０＞を４．０質量％、光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを０．２４質量％含有するプロピレングリコールモノメチルアセテート（ＰＥＧＭＥＡ）溶液を作成し、細孔径０．４５μｍのフィルターで濾過してレジスト組成物を調製した。

−評価−
比較例１のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

（比較例２）
−コアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成−
つぎに、比較例２のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成について説明する。比較例２のコアシェル型ハイパーブランチポリマーの合成に際しては、塩化銅（Ｉ）１．１ｇ、２,２’−ビピリジル ３．５ｇ及び、原料ポリマーとして合成例９で得られたコア部Ａ ６．８ｇ、モノクロロベンゼン １８６ｇ、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル２８．５ｇをアルゴンガス雰囲気下で反応容器に入れ、１２５℃で５時間加熱攪拌した。

反応混合物を急冷却後、酸化アルミニウムを濾剤に用いた吸引濾過にて触媒を除去した。得られた濾液を減圧留去し粗生成物ポリマーを得た。粗生成物ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させた後、メタノールを加え再沈し、固形分を分離した。沈殿物をメタノールで洗浄することで、精製物である共重合体を得た。

つづいて、該共重合体６．９ｇを１,４−ジオキサン ４０ｍＬに溶解し、硫酸５０％水溶液４．４ｇを加えて、４５分間加熱還流した。次に、反応液を３００ｍＬの超純水に注ぎ、固形分を分離した。その後、固形物に１,４−ジオキサン３０ｍＬを加えて溶解させ、再び３００ｍＬの超純水に注ぎ、吸引濾過で濾別し、得られた固形分を乾燥し＜ポリマー１１＞を得た。得られた＜ポリマー１１＞の構成比および分子量は、実施例１と同様にして求めた。結果を表１に示した。

−レジスト組成物の調製−
比較例２においては、＜ポリマー１１＞を４．０質量％、光酸発生剤としてトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを０．２４質量％含有するプロピレングリコールモノメチルアセテート（ＰＥＧＭＥＡ）溶液を作成し、細孔径０．４５μｍのフィルターで濾過してレジスト組成物を調製した。

−評価−
比較例２のレジスト組成物の評価は、実施例１と同様に、紫外線（２５４ｎｍ）露光実験の感度を測定し、表面ラフネスについても同様に行った。結果を表１に示した。

ただし、上記の表１において、（１）はトリフェニルスルホニウム４−（アクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート、（２）はトリフェニルスルホニウム４−（メタクリロキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート、（３）はトリフェニルスルホニウム４−（４−ビニルベンゾイルオキシ）−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネート、（４）は４−アクリロキシナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ＣＭＳはクロロメチルスチレン、ｔＢＡはアクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、ＡＡはアクリル酸、ＧＢＬＭＡはα−（メタクロイル）オキシ−γ−ブチロラクトン、ＥＡＭＡはメタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、を表している。

Claims (6)

1. コアシェル型ハイパーブランチポリマーであって、シェル部にオニウム塩構造を有するモノマーから誘導される繰り返し単位を含有する事を特徴とするコアシェル型ハイパーブランチポリマー。
2. コアシェル型ハイパーブランチポリマーであって、シェル部に下記式（I）及び又は（II）で表されるモノマーから誘導される繰り返し単位の少なくとも１種を含有し、且つコア部に下記式（III）から誘導される繰り返し単位を含有する事を特徴とする請求項１に記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマー。
   

   

   （式（I）中、Ｒ¹は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基を表す。Ｒ²、Ｒ³は同一又は異種の、炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ａは−ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄−を表す。Ｂは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、炭素数１〜３０のアリーレン基、又は単結合基を表す。Ｗ^-はＲ⁴ＳＯ₃ ^-（Ｒ⁴は炭素数１〜１５の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６から１５のアリール基であり、一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい）、又は下記式（ａ）、（ｂ）に示される基を表す。
   

   

   

   （式（ａ）中、Ｒ⁵及びＲ⁶は同一又は異種の、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状の少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基であり、少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基のまま、互いに結合して環を形成してもよい。式（ｂ）中、Ｒ⁷〜Ｒ⁹は同一又は異種の、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状の少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基であり、少なくとも１個以上のフッ素原子を含むアルキル基のまま、互いに結合して環を形成してもよい。）
   

   

   （式（II）中Ｄは−ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＯＯ−、−Ｃ₆Ｈ₄−、−Ｃ₆Ｈ₄Ｏ−を表す。Ｅは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、炭素数１〜３０のアリーレン基、又は単結合基を表し、一部若しくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい）。Ｘ⁺は下記式（ｃ）又は（ｄ）に示される基を表す。
   

   

   

   （式（ｃ）中、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹及びＲ¹²は同一又は異種の、炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、又は炭素数６〜３０のアリール基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。式（ｄ）中、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴は同一又は異種の、炭素数６〜２０のアリール基を表す。）
   

   

   （式（III）中、Ｙは、ヒドロキシル基又はカルボキシル基を含んでいてもよい炭素数１〜１０のアルキレン基を表す。Ｚは、ハロゲン原子を表す。）
3. 前記コアシェル型ハイパーブランチポリマーが、更に、酸分解性基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位をシェル部に含有する事を特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマー。
4. 請求項１〜３のいずれか一つに記載のコアシェル型ハイパーブランチポリマーを含有する事を特徴とするレジスト組成物。
5. 請求項４に記載のレジスト組成物を用いて半導体基板上にレジストパターンを形成する工程を含む事を特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の製造方法で製造される事を特徴とする半導体装置。