TWI237745B - Mask pattern correction apparatus and mask pattern correction method - Google Patents

Description

1237745 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於將在半導體裝置的微影步驟等所使用之 光罩的設計圖案予以補正之光罩圖案補正裝置及光罩圖案 補正方法之相關技術。 【先前技術】 半v體1置之製造步驟當中所使用之光罩，係在玻璃基 板上形成有遮光膜之構造。在半導體裝置之微影步驟中， 係藉由將該光罩投影曝光於晶圓上而進行。 微影步驟所使用之光罩係將已設計之CAD資料變換成描 紛裝置用之資#，且必須將其忠實地予以圖案成型於破璃 基板上之遮光膜。 此外，即使正確地進行光罩之圖案成型，亦形成有在曝 光日^•產生被稱為光接近效果的在晶圓上之圖案劣化現象 問題。 此係因為通過已開口的光罩圖案形狀之步進曝光為受到 折射或干擾之結果，而無法正確地在晶圓面上進行解像之 現象。 該情形時，係具有： 自己光接近效果，其係在本身的圖案當中，因步進器光 的折射結果’纟晶圓上所解像之圖案的完成尺寸為不同°， 且長方形圖案之短邊、長邊1—士 贡故具凡成尺寸上的精度均造成極 大差異；以及 χ位 相互光接近效果’其係和來自其他的圖案經折射的步進 81131 1237745 該情形亦如習知技術，i i曰 術其將全部的閘極電極圖案〇从 再現於設計圖案之補正，係㈣電極_之$ :錢地 細微之情形，且實際上極為…、有特別 圖案之補正時間之問題。 而且具有須花費魔大的 八如上述，在習知技術中，其雖係將包含間極電 -部的圖案忠實地再現於設計圖案之技術，”、之 有閑極的功能之範圍内，因應於所 路-在具 用的範圍内進行閉極圖荦之補…"电路扣性而在實 J木之補正，則極為有用。 本發明係有鑑於上诚$ ,卜主泌I ^ 種能抑制圖案補正時門的二 其目的在於提供- 广補正日寸間的增加，並因應於所要求 I*生而在貫用的範圍内帝 寸 光罩…τ父 閘極線幅達成最佳化之 光罩圖案補正I置及光罩圖案補正方法。 【解決課題之手段】 有為了達成上述之目的，本發明之光罩圖案補正襄置係具 光接近效果補正手段’其係對設計 補正；及 ㊆仃先接近效果 拉擬手段’其係依據光接近效果所補正之補正圖案，而 :1M t定之轉印條件進行曝光時所取得之轉印影像予以模 閘極長度測定手段，其係將所模擬的轉印影像之閑極部 予以抽出，並因應於所要求之特性而測定前述閘 定部份之閘極長度；以及 寸 圖案變形手段’其“具有落於依據所要求的特性而決 81131 1237745 $之容許範®外的閑極長度之前述間極部存在時，為使該 =極部的前述特Μ份之前述間極長度Μ於前述容許範 而將七述光接近效果所補正之補正圖案予以變形。 有偏私刀佈產生手段’其係用以產生相對於依據前 ^極長度測定手段所測定之閘極長度的設計圖案之偏移 Γ:!佈，且前述圖案變形手段係以相對於具有落於前述 21耗圍外之前述閑極長度的前述閘極部的前述設計圖案 ::量份，並將對應於該閉極部的位置之經前述光接近 禾補正之補正圖案予以變形。 前=ΓΓ分佈產生"’其係用以產生相對於依據 之偏:旦則疋手段所測定之前述閑極長度的設計圖案 甘：：之“布，且雨述圖案變形手段係為使落於前述容 前述間極部之前述特定部份之前述閘極長度， 产之狀I有所述容許範圍内之分佈最多的偏移量之間極長 开:。恶，而將前述光接近效果所補正之補正圖案予以變 安ΓΓ發明之光罩圖案補正裝置，首先當輪入設計圖 η ’則對該設計圖案依據光接近效果 接近效果補正。 于奴而進订光 :之’依據光接近效果所補正之補正圖案 印备、件進行曝光時所取得之轉印 、… 產生。 1 了、依據模擬手段而 二m:'定手“將所模擬之轉印影像之 抽出’业因應於所要求之特性而利定閑極部的 81131 1237745 特定部份之閘極長度。 、、^處Y例如在被要求電晶體之速度時，係依據間極長度 測疋手段而測定閘極部的最大線幅部份之閘極長度，在被 要长減低電晶體的漏電流時，係依據閘極長度測定 測疋間極部的最小線幅部份之間極長度，而被要求電曰體 ，性時，係依據間極長度測定手段而測定閑極部：中 央部份之閘極長度。 繼之’纟具有落於依據如此要求之特 圍外的閘極長卢之門朽邱氐六士士 ^5f 長度之間極爾在時，依據圖案變形手段而 狀^閑極㈣特定部份之間極長度為能落於容許範圍内之 -而使光接近效果所補正之補正圖案進行變形。 此外’為了達成上述之目的 法係具有： 目的本發明之光罩圖案補正方 對設計圖案進行光接近效果補正之步驟；及 依據光接近效果所補正之補正圖 件進行曝光時所取得打疋的^印條 _ 卩’v像進行模擬之步驟；及 將所模擬的轉印影像 m 之閘極部予以抽出，並因應所要東 之知·性而測定前述閘極部 要求 ;及 的锊疋部份之閘極長度之步驟 判疋具有依據前述要求的 極長度之閘極部是否存定及之容許範圍外的閘 當判定具有自前述容許範 為存在時，以該閉極部：脫離的問極長度之閑極部 能落於前述容許範圍内之狀：特定部份之前述開極長度為 恶’而將前述光接近效果所補 81131 -10- 1237745 ㈣本予以變形之步驟 JE之補 更具有 在進行4述變形的步驟 案而再度將以_ A 依據前述變形後之補正圖

和疋的轉印條株；隹A 像進行模擬之I 仃曝光時所取得之轉印影 〆知，及 將所模擬之轉印影像之間極部予、 之特性而再度_定义、fPu 卩予以抽出，並因應所要求 驟；以及 的4寸疋部份之閘極長度之步 再度判定具有落於依據前述要 —— m外之p^ ώ： /勺知'性而決定的容許範 w汁之間極長度之閘極 …又爻閘枉邛疋否存在之步驟， 且在刖述判定之步驟當 模擬之牛研 再度重覆前述變形之步驟、 接械之步驟、以及判定之 ^ ρα ^ Ν Λ 至判定具有自前述容許 摩巳圍而脫離的閘極县声 1 Τ 甲J位長度之削述閘極部為無 更具有在測定前述閘極長… 赞之命& 長度的步称之後，前述判定的步 知之刖，用以產生相斜协i、+、、t 之偏浐旦 、、則u測定的閘極長度之設計圖案 … 在刚述變形之步驟當中，以相 對於具有自前述容許範圍 h β、， 脱離之則述閘極長度之前述閘 極部之W述設計圖案之偏移 的仿罢々〆义， ^而將相對應於該閘極部 的位置之經刖述光接近效果 ; 止 < 補正圖案予以變形。 或更具有在測定前述閘極長度的步 ^ 牛啊十、’. 、’、AA之後’前述判定的 步…’用以產生相對於前述測定的閑極長度 ： 案之偏移量的分佈之步驟，在前 又α圖 估#义、. . 且在刚述變形之步驟當中，為 洛於㈣容許粑圍外之前述閘極部的前述特定部份之前 ㈣極長度’接近於具有前述容許範圍内之分佈最多的偏 81131 ' 11 - 1237745 移量之閘極長度，而將前 予以變形。 I效果所補正之補正圖案 上述之本發明之光罩圖案補 案時，則對該設計圖荦m 百“輸入设計圖 U木進仃先接近效果補正。 繼之，依據光接折对货，、、 轉印俨件、隹/翼’戶斤補正之補正圖案而將以特定之 轉印條件進行曝光時所 〜〈 所取侍之轉印影像予以模擬。 所=所模擬的轉印影像之以抽出，並因庫 所2之特性而測定閉極部的特定部份之閑極長度。 此處，例如在被要求電晶體之速 1 L- . ^ 知、/則疋閘極部的 取大、、泉幅σ卩份之閘極長度， 0士 . ,ar ^ 做晋不減低電晶體的漏電流 π，係測疋閘極部的最小線幅 、七不q Α 丨1刀'^間極長度，而在被要 求電日日m的安定性時，係測定閘極部的中央部。 編之，判定具有自依據如此要求t γ @ R二/、Α 受水之4寸性而預定的容許範 圍而脫離的閘極長度之閘極部是否存在。 繼之，在判定具有自容許範圍而 二 贶離之閘極長度之閘極 為存在日守’该閘極部的特定部份 開極長度係以能落於 今許乾圍内之狀態，而將光接近效 以變形。 汁補正之補正圖案予 【實施方式】 【發明之實施形態】 以下，參閱圖式而說明有關於本發明 a之先罩圖案補正裝 置及光罩圖案補正方法之實施形態。 圖1係表示有關於本實施形態之光罩 干u木補正裝置1的構 成之一例的區塊圖。 81131 1237745 係具有·輸入 極長度測定手 圖案變形手段 立有關於本實施形態之光罩圖案補正裝置i， 、光接近效果補正手段3、模擬手段4、閑 段5、閘極線幅分佈產生手段6 '判定手段7、 8、以及輸出部9。 設計之曝光用的光 所要求之重點資訊 輸入部2係輸入有依據CAD等作佈線 罩圖案之設計圖案、轉印條件、及電路 等。

^入至輸人部2之設計圖案和轉印條件，係輸出至光接交 補正手段3。此外，輸入至輸入部2之設計圖案和重累 貝矾，係輸出至閘極長度測定手段5。 在設計圖案上係例如圖2⑷所示，除了形成光罩圖案的對 、/N P構成圖案補正對象的閘極電極圖案1 02之外，亦形 成有由擴散層等所構成之元件區域圖案1 〇 1。 為軺卩“件，係例如輪入曝光所使用之光的波長入、 開口值 NA、土、〇； , 、 ， /求之外觀的大小σ (Partial coherence)或光源 、、率刀佈、射出鏡面之相位、透過率分佈以及散焦 之相關條件。 、 作為電路戶斤I、七> & ^ 要求之重點貨訊，係例如輸入有電路之速产 、電路之^ 6 〜又 ^ 女疋性、電路之漏電流的減低等之資訊。 光接近效果補正手段3係自輸入部2而輸入設計圖案和轉· 印條件，並、隹 行光接近效果補正’且將光接近效果補正後 · 之設計圖幸敫山π , ’、别出至模擬手段4和圖案變形手段8。 光接近效果& τ - 禾補正手段3係例如依據模擬或曝光實驗而在 各個轉印條株 , 預先決定對應於設計圖案之線幅和間隔之 81131 1237745 光接近效果之補正規則 幅和間隔採用補正規則 計圖案。 |藉由對所求得之設計圖案的線 而後得光接近效果所補正後之設 作為如此之光接近效果補 手奴係修正設計圖案之形 狀亚a又置虛擬圖案於設計圖案之近傍。 朽=近效果補正手段3係例如當輸人具㈣2⑷所示之間 屯=案1Q2之設計㈣時，則因應於轉印條件而產生如 圖⑻所示之光接近效果補正後之間極電極圖案103。 杈擬手段4係依據光接近效 不侧止千奴J而輸入光接近效 果補正後之設計圖案的同時， 方輸入軺印條件，並依據該 轉印ir、件和光接近效果補正後 … 傻的5又计圖案而進行對抗蝕劑 寺的間極電極圖案之轉印影像(以下，稱為間極電極影像) 之模擬，並將模擬後之㈣電㈣彡像輪出至閘 手段5。 心 此外，如後述，當輸入依據圖案變形手段8而變形後之圖 案時，則依據轉印條件而進行料，並將模擬後之閑極電 極影像輸出至閘極長度測定手段5。 处模擬手段4係例如藉由冑入轉印條件和設計目帛，而使用 旎進行轉印影像的模擬之市售的光強度模擬器。 模擬手段4係例如當輸入圖2 (b)所示之光接近效果補正 後之閑極電極圖案1G3時，則依據轉印條件而產生如圖叫 所示之閘極電極影像丨〇4。 極長度測疋手^又5係輸入依據模擬手段4所產生之閘極 電極影像’並因應於自輸入部2所輸入之重點資訊而測定該 81131 1237745 開極電極影像之閘極長邊方向的長度當中，例如中央邻、 線幅、最大線幅之任意一項，且將所測定之問極i度 輪出至閘極線幅分佈產生手段6。 此處，閑極長度測定手段5係例如自模擬手段4而輪入如 圖3⑷所示之閘極電極影像⑽時，即敎該閘極電極影像 1 〇4田中，貫質上具有閘極電極的功能之部份，亦即和元件 區域圖案101之重疊部份當中，

闲往长度取小之最小線幅h 、有η閘極電極的功能的部份之中央部的線幅B、以及閘極 長度最大之最大線幅C之任意一項的長度。 、說明有關依據閘極長度測定手段5之間極長度之測定方 法。 此處係列舉在對於如圖4(a)所示之具有元件區域圖案⑻ 和閘2電極圖案1G2之設計圖案進行光接近效果補正之後 ’測定獲得如圖4(b)所示之模擬後的閘極電極影像1〇4時之 閘極電極影像1〇4之最小線幅A、中央部之線幅B、及最大 線幅C時為例而予以說明。 取 A閘極長度測定手段5係自輸入部2而輸入圖5(a)所示之設 計圖案’並將該設計圖案之閘極電極圖fiQ2和元件區域圖 2 101進行AND處理，且抽出如圖5(a)之斜線部份所示之實 質上具有閘極的功能之閘極電極圖案丨〇2&。 、 此外，閘極長度測定手段5係自模擬手段4而輸入圖抑） 所不之閘極電極的轉印影像1〇4 ’並將該閘極電極之轉印影 像104和元件區域圖案1〇1進行AND處理，而抽出如圖5(f) 之斜線部份所示之實質上具有閉極的功能之閘極電極影像 81131 1237745 1 04a 〇 繼之 例如在設計圖案上混合1 5 〇 nm、260 nm、340 nm 之複數個之閘極長度的閘極電極圖案時，係將自設計圖案 所抽出之閘極電極圖案1 〇 2 a分配於各閘極長度。 以下，係說明有關於自設計圖案而分類之閘極電極圖案 l〇2a當中，例如對閘極長度為15〇 nm，測定其對應的閘極 電極影像1 〇4之閘極長度之情形。 士圖6(a)所不，在AND處理後而僅抽出閘極長度為15〇 nm 之閘極兒極圖案102a之後，檢查該閘極電極圖案和閘 極電極影像104a是否為一部份重疊之情形。 繼之’重疊部份為一部份之情形時，係將該閘極電極影 像l〇4a作為測定對象而進行辨識。 入例：在和閘極長度為15〇疆之閘極電極圖案I。。之重疊 护/中測疋所檢測出的閘極電極影像1 04之最小線幅A J仏如圖6(b)所示’以該閘極電極影像104當中所形成其 =應的設計圖案⑽的間極長邊方向的中心之中心、㈣ 作為基準，而.兮+ , "中心綠Z丨設定例如各距離50 nm之檢測線 XI於閘極長邊方 柃 。’且自内測以每隔1〜2 nm之步驟而將該 才欢測線X 1擴展至^ 、， ^ ’、 卜側，亚將最初檢測閘極電極影像1 〇4之部 1々之该檢測綠γ 1日曰 、、 竭之線幅而決定為閘極電極影像1 04之最 小線幅A。 、彳疋閘極電極影像1 04的中央部之線幅b時， 如圖7(a)所示，以 4閘極電極影像104當中所形成元件區 圖案101的閘極f Φ5古Α α上 見ΐ田方向的中心之中心線22作為基準， 81131 1237745 定该中心線Z2的位置之閘極電極影像1 〇4的線幅。 此外’例如在測定電極影像1 〇 4的最大線幅C時，係如圖 7(b)所示，以在該閘極電極影像丨〇4當中所形成設計圖案 102的閘極長邊方向的中心之中心線Z 1作為基準，而自該中 心線zi設定例如各距離1〇〇 nm之檢測線。於閘極長邊方向 二且自内側以每隔丨〜2 nm之步驟而將該檢測線以往内側變

窄，並將最初檢測閘極電極影像1〇4的部份之該檢測線U 間之線幅決定為閘極電極影像i 04之最大線幅C。 如上述之處理，閘極長度測定手段5係全面性地對晶片， 進行對應於自設計圖案而分配於每侧極長度之各閑極電 :圖案1 02a的位置之各閘極電極影像1〇物之間極長度之測 定0 、 閘極線幅分佈產生手段6係輸入自閘極長度測定手段 輸入的晶片全體之間極電極影像之間極長度（最小線幅又 中央部的線幅B、最大線幅。之任意一項)，並產生來二

片全體的閘極長度之設計值(例如15〇_)之偏移量的分; -依據間極長度測定手段5而測定間極電極影^ 大線巾田〜，係產生來自如圖8所示之設計值的偏移分 此外，例如依據問極長度測定手段5而測 的中央部之線幅B時，係產生來自如圖 = 移分佈。 丁之。又汁值备 測定手段5而測定閘極 如圖10所示之設計值 電極影像 的偏移分 此外’例如依據閘極長度 之最小線幅A時，係產生來自 佈。 81131 -17- 1237745 判定手段7係判定依據閘極線幅分佈產生手段6所產生的 閘極電極影像之閘極長度的分佈，為是否納入於容許範圍 内0 例如，如圖8所示，對於來自閘極電極影像的最大線幅匸 的設計值之偏移分佈，將來自設計值的偏移量為+5 以下 設定為容許範圍Ra.Max，並判定來自設計值的偏移分佈是 否全部存在於容許範圍RaM；ax内。 此外，例如’如圖9所示，對於來自閘極電極影像的中央 4之線B之設定值之偏移分佈，將來自設計值的偏移量為 -5 nm以上+5 nm以内設定為容許範圍以仏，並判定來自 設計值的偏移分佈是否全部存在於容許範圍Ra.Cen内。 :外Μ如’如圖1G所示’對於來自閑極電極影像的最 設計值之偏移分佈，將來自設計值的位移量為_5 以上設定為容許範圍 八德θ X A 1利疋木自设计值之偏移 刀疋否王部存在於容許範圍Ra.Min内。 “之判疋手段7係在閘極線幅分一 耸歆网+ * 4知為未納入容 卉靶圍内時，係將具有 奋 閑極電極影像之資訊(位 純度之 8。 偏私予以輸出至變形手段 又’依據判定手段7而 4落於容許範圍内時， 所輸入之圖案的輸出。 判定閘極電極影像的閘極長度為全 係對輸出部9指示自圖案變形手段$ 圖案變形手段8係輪 近效果補正後之圖案， 入依據光接近效果 並依據具有自藉由 補正手段3之光接 判定手段7所輸入 81131 1237745 之遠容許範圍而脫離之 (位置和偏移量），/ 、又的間極電極影像之資訊 例如，在來二近效果補正後的圖案予以變形。 在求自閘極電極影傻 ％ ，圖案變形手段8俜僅…+ 案之偏移量為切時 光接近效果補正：： 接近效果補正手们所輸入之 位_d。果補正佼之間極電極影像之相對應的處所予以移 繼之’圖案變形手段8係在 行所望的變@、 效果補正後的圖案進 ，而J: 將該變形後之圖案輸出至模擬手段4 且輸出至輸出部9。 輸出邛9係在被輸入有依攄 落於容許範圍内的匕音一又而閑極線幅份佈為 段8所於入朽/、y日思之彳定結果時’將依據圖案變形手 别之變形後的圖案予以輸出至外部。 據述:冓成的本實施形態之光罩圖案補正裝置係根 手二之門1入部2之重點資訊’而能改變依據閉極長度測定 ::1極電極影像之測定重點(最小線幅a、中 、琅大線幅C)。 Π上述之重點資訊係例如電路之速度、漏電流之減低 、或電路之安定性。 一 :如，輸入至輸入部2的重點資訊為速度時，係依據問極 長度敎手段5而測定閑極電極影像之最大線幅c。 此係因為閣極線幅對速度的影響極大，且愈細則動作愈 陕仁閘極電極上具有較粗的線幅部份時，由於該部份 被限速而電路之動作變慢，而有必要將如此的線幅I 部份予以去除之故。 之 81131 ί23 7745 口此，來自：圓8所示之閘極嘗 值的偏移分体當中，㈣判///像之攻大線幅C之設計 設定為容許矿 疋手奴7而將設計值+5 nm以下 ’ 口 口+ 乾圍 R a jyj· a X， im以上的門κ + 疒垓偏私分佈當中，存在著+5 如間極電極影像時’係作成補正對象。 此而投定容許範圍，1 像之最小單# / /、依據模擬手段而能產生轉印影 取J早位，在現階段係 為〜以下時，則在速度…若距離設計值 ，將容’窬、、又7 1斷為I問題之準位，此外 竹奋峰靶圍设定成更 使得補正時間增大。 ”則因為補正對象的增加而 此外，輸入至輸入部2的重 ，係依據開極長度測定仔5而 其在電路的安定性上 份之線幅B。 “5而物極電極影像的中央部 此係由於中心部份之形狀係最 闰安二A丄丄 与女疋’故藉由依昭設古十 圖案而作成中心之線幅，即 …°又口十 因此，來自圖9所示之開_二=^；曰體之故。 謹以上+5邮下設定為容許手=而自設計值將.5 佈當中，在存在有該容許範^ 且在4偏移分 成補正對象。 位〜像％，係作 如1而設定容許範圍，若為距離設計值士5nm以内時，直 和设计值之差異係被判斷為不影響電路特性之準 ： ’若將容許範圍設定成更狹窄時’則因為 而使得補正時間增大。 X~加 此外，例如輸入至輸入部2的重 貝汛為漏電流之減低時 81131 -20 - 1237745 ’係依據閑極_县碎、、目丨丨中# 衰度，則疋手段5而測定閘極電極影像之最小線 幅A。 /此仏由於閘極線幅變細，則產生漏電流，且因為漏電流 係〜音到電晶體，故有必要將產生漏電流的線幅較細的部 份予以去除。 距離圖1 〇所不之閘極電極影像之最小線幅A的設計 值之^分佈當中，依據判定手段7而將距離設計值_5 _ =上'又疋成未產生漏電流之容許範圍Ra.Min，i在該偏移 布田中在存在有该容許範圍Ra. Min外之·$麵以下之閘 極電極影像時，係作成補正對象。 如此而叹疋谷坪範圍，若為距離設計值麵以上時 被判=無產生漏電流之準位，此外，將容許範圍設定成 更狹乍日”則因為補正對象之增加而使得補正時間增大。 广’使用圖U所示之流程圖案說明有關於使用上述構 成的圖案補正裝置之圖案補正方法。 百先’例如當具有圖2⑷所示之閑極電極圖案⑺ =圖㈣1之設計圖案和轉印條件為輸人至輸入部2時牛 (^ST1)’該設計圖案和轉印條件即輸人至光接近效果補 正手段3,且依據光接近效果、^ ^ ^ ^ 乎奴3亚依據轉印條# 而對設計圖案進行光接近效果補正，而產生如圖2(b)所干 之先接近效果補正後之㈣電極圖f⑻（步驟s 當：職示之光接近效果補正後之閑極電極圖 件㈣輸人域擬手段4時，聽據該轉印停件 、 麵疑手段4,而實施例如光強度模擬等，並產生例 81131 1237745 如圖3(a)所示 (步驟ST3)。'抗钱制等之轉印後之間極電極影像ι〇4 、、黯之’當依據模擬手段4而產生模擬後 104時，則因庫於估田t 生杈铋後之閑極電極影像 所要求之重點;:用輸八至輸入部2之彻^ ^ pe ^ ^ 、 然後即可改變依據閘極長度測定| p s 之閘極電極影俛]Λ z p又叫疋乎段5 Β . 、象之測定重點（最小線幅Α、中央部之飨φ_ Β、攻大線幅C)(步驟ST4)。 ⑸之線幅 例如’電路所要求之重點為速度時，俜依據門朽“ 定手段5而測定”入· ““依據間極長度測 ST5])，並依/王:之間極電極1G4之最大線幅C(步驟 所示之全二 分佈產生手段6而產生來自如圖8 八 a々開極電極影像之最大線幅C的設計值之偏ρ 分佈（步驟ST6)。 μ星之偏移

判'二4::在：圖8所示之偏移分佈當中，判定手段7係 "夕分佈是否存在於容許範圍L 繼之，Λ R β 私— ί W / j。

RaM V之偏移分佈當中，纟存在有容許範圍 aX之間極電極影像時，係將在該容許範圍^•心外 之閘極電極影像之資訊（來自位置和設計值之偏移量）予以 輸出至圖案變形手段8。 圖木、交形手段8係依據由判定手段7所抽出之容許範圍 外之閘極電極影像之資訊，而將自光接近效果補正 手& 3所輸入之光接近效果補正後之圖案的相對應之部份 ^月b接近於5又计值之狀態而僅移位其偏移量（步驟$ 丁$ )。 繼之，將依據圖案變形手段8而變形後之圖案，再度輪出 至模擬手段4，並重覆步驟ST3〜步驟§丁7之處理，且進行圖 81131 1237745 案變形，直至閘極電 兒才座影像之曰

Ra.Max内為止。 攻大線幅C係落於容許範圍 又’必須施加如此 G之回饋動 ^ 處所，其再度作為最士 v _ 卜’係因為一次圖案變形之 亦有如圖7(b)所示，知η田破檢測之可能性極少，但， 相同的間柄+ 接下來被檢測出為最大味巾5奥笔極影像其另外的部份係 範圍外之故。 田’而該最大線幅係形成於容許 繼之，重覆上述的步驟，在< 幅C之設計值之偏移分佈為 來自閑極電極影像的最大線 則依據判定手段7而將自图么於容許範圍Ra.Max内時， 輸出之指示，係施加於鈐 y &8所輸入的圖案予以 幸。 亚自輸出部9輸出補正圖 此外，例如電路所要求之 里點係電路的安全性日吝，筏 據閘極長度測定手段5而測定曰 、’、、 、疋日曰片全體之閘極 中央部的線幅B(步驟ST5〇 、， ^ ^ ^ ，亚依據閘極線幅分 段6而產生來自如圖9所示之全 于 〜王口P的閘極電極影像之中央 的線幅B的設計值之偏移分佈 、σ 繼之，例如在如圖9所示之偏移分佈當中，判定手段7係 判定該偏移分佈是否在容許範圍Ra CenR (步驟Μ?)。 繼之，在圖9所示之偏移分佈當中，在存在有容許範圍 RaXen外之閘極電極影像時，係將Ra.Cer^h之閘極電極影 像的資訊（來自位置和設計值之偏移量）予以輸出至圖案變 形手段8。 圖案變形手段8係依據由判定手段7所抽出之容許範圍 81131 -23- 1237745

Ra.Cen外之間_極電極影像之資訊，而將 手段3所輪入之#拉 光接I政果補正 ，以使能接近於設計值少狀能，而：之相對應的部份 驟ST8)。 1值〜“而僅偏移量份進行移值（步 繼之，將依據圖案變形手段8而 至模擬手段4,並重_牛 後之®案，再度輪出 — ^ 〜步驟ST7為止之處理’ 仃圖案變形’直至間極電極影像的 許範圍Ra.Cen内為止。 「之別田叫洛於容 、塵之重後上迷之步驟，在來自間極電極影像的中央部B 之設計值之偏移分佈為落於容許範圍Ra.W内時，並將佐 據判定手段7而自圖案變形手段8所輸入之圖案予以輸出： 心不係施加於輸出部9,並由輸出部9輸出補正圖案。 此外，例如電路所要求之重點為漏電流之減低時’係依 ，閘極長度測定手段5而測定晶片全體的間極電極影像之 取小線幅A(步驟ST5-3)，並依據閘極線幅分佈產生手段6而 產生如圖10所示之來自全部的間極電極影像之最小線幅A 的没计值之偏移分佈（步驟§丁6)。 遑之，例如在如圖1 0所示之偏移分佈當中，判定手段7 ^判疋。亥刀佈疋否為容許範圍R a, Μ丨n内（步驟s τ 7) 〇 、、廬之，在圖ίο所不之分佈當中，在存在有容許範圍Ra.Min 卜之閘極黾極影像時，係將該容許範圍外之閘極電 極衫像之資訊（來自位置和設計值之偏移量）輸出至圖案變 形手段8。 圖案變形手段8係依據由判定手段7所抽出之容許範圍 81131 -24- 1237745

Ra.Min外之晤極電極影像之資訊，而將自光接近效果補正 手段3所輸入之光接近效果補正後之圖案的相對應之部份 ，以使能接近於設計值之狀態，而僅偏移量份進行移: 驟 ST8)。 。 繼之’依據圖案變形手段8而再度將變形後之圖案輪出至 模擬手段4,並重覆步驟ST3〜步驟ST7為止之處理，且 圖案變形，直至間極電極影像之最小線幅八係落於 ：

Ra.Min内為止。 &固 _ ^’必須施加如此之回饋動作，仙為和最大線幅所說 明為相同的理由之故。 幅計重值覆之上Λ的八步驟？來自開極電極影像的最小線 届私分佈為落於容許範圍Ra.Min内時，％ # 據判定：段7而將自圖案變形手段8所輪入的圖案輪= 下^加於輪出部9而實施，並由輸出部9輸出補正固宰曰 有關於上述構成之本實施形態之光罩 圖案光 正方法，物設計㈣依魏接近效果 進行光接近效果補正，、，孤_ 一 衣補正手段3 亚對该接近效果補正後之圖安π械 拉擬手段4而進行槿 图木依據 疋订镇饶，據此而產生閘極電極 於電路所要求之特性，η 弘乜如像，亚因應 定處所之狀態。 ”成此k更该問極電極影像之測 繼之，因廊於缔 $路所要求之重點之速度之 ^ 、漏電流之減低，而# 升、女定性 ^ ^ 列疋來自如上述之閘極電極旦；# , 疋重點之設計值的偏梦& i柽衫像之測 饋動作，直至，，卜 是否在容許範圍内，並重覆回 ^邓又重點係落於容許範圍内為止， 错此而 81131 -25- 1237745 在具有閘極電極的功 特性而進行最佳之補正。 此外由於模擬後的測定重點和補正處所，係因庫於電 路所要求的特性而限定於最小限度，故 ^ ^ τ ^ „ 此、、'倍紐圖案補正之 補正訏間，進而能將光罩製作之成本予以削減。 本發明係不限定於上述之實施形態的說明。 本實施形態係自判定手段7而輸入具有容許範圍外的線 幅的閘極電極影像之資訊(來自位置和設計值 =案變形手段8而將僅來自設計值的偏移量;：圖 二量’，若能落於容許範圍内時，則不特別限定 例如’在依據間極線幅分佈產生手段 的偏移分佈當中，以能配 度 長度之狀態而能設定移位量。爾刀佈取多的間極 計值而偏移’而在容許範圍内之情形時，其形 成/、有相同的閘極長度之閘極 觀點而言，亦有其理想之處。、/ ’自特性不均之 而產生來自日日片全體之 ，但依據判定手段^判值之偏移分佈 測定之閑極電極影像之^^广閑極長度測定手段5所個別 電極影像之資訊（位置和偏亚將容許範圍外之間極 此而施加回饋動作，而^到輪出至圖案變形手段8’據 .Μ , ^ 進仃圖案補正之構成亦可。 本貫施形態係列舉電路的速度、安定性、漏電流 81131 -26 - 1237745 之減低的一例而作為重點，並因 以闡炻+代！你门 々、邊重點而說明有關於 以閘極電極影像之最大線幅、中 補正斜务·> /丨 之線幅、最小線幅為 補正對象之例’但不自限於此 重點A煞从山士 I ‘於另外的重點之測定 Ϊ2為此抽出時，亦可增加其測定重點。 雖說明有關於依據閘極長度測定‘ 而作A你丨工 士 〗又5的測定方法之例 而作為例子’但亦可依據另外 之最大線幅、中央部之線幅、及最=定間極電極影像 接近效果補正手段3之光接近 ：’此外’依據先 段4之槿朽士、+〆 > ’止的方法、依據模擬手 杈4之杈Μ方法係無特別 卞 另外，名#丄 」抓用習知之各種方法。 更。 之乾圍内，亦可作各種變 【發明之功效】 依據本發明，即能抑制圖案補正 於所要求的電路特性 ；/的增加’並能因應 極線幅作成最佳化。〇用性的範圍内將電晶體之問 【圖式簡單說明】 —圖1 — ^ _ #)I, r 、形心之光罩圖案補正裝置的構成 之一例的區塊圖。 Η再驭 圖2(a)係有關於本每 之-钭岡安 貝她形恶之輸入至光罩圖案補正裝置 之叹计圖案的模式圖 ^ m ^ (bM；r'對於設計圖案其光近致果補正 後之圖案的模式圖。 木補正 圖J(a)係表示對於本 本實施形能之… 果補正後之圖案，依據有關於 ^先罩圖案補正裝置的模擬手段所算出之閘極 私極影像之模式圖。 不 81131 -27 - 1237745 圖4用以說:明依據間 各測定重…… 剛定閘極電極的 式圖，(b)" 方法之圖案’ (a)係設計圖案之模 极擬後之轉印影像的模式圖。 圖5用以說明依據閘極長度測 各測定重點夕門… 又而測定間極電極的 之开株「〜㈣長度的方法之圖式，⑷係經由料圖宰 :域和間極電極圖案的AND處理而抽出之開極電極 二Γ式圖。(b)係經由元件區域和問極電極影像的and m ^ A出之閘極電極影像之模式圖。 圖6⑷係用以說明判定自設計圖案所抽出之閑極電極圖 :和問極電極影像是否為重疊之處理的模式圖，⑻係用以 呪明測定問極電極影像的最小線幅的方法之模式圖。 圖7(a)係㈣言兒明測定閘極電極之中央部的方法之模式 圖’⑻係用以說明測定間極電極影像的最大線幅的方法之 模式圖。

，來自閑極電極影像之最大線幅的設計值之偏移分佈。 圖9來自閘極電極影像之中央部的設計值之偏移分佈。 圖10來自閘極電極影像之最小線幅的設計值之偏移分佈。 圖11有關於本實施形態之光罩圖案補正方法之流程圖。 【圖式代表符號說明】 1 光罩圖案補正裝置 2 輸入部 3 光接近效果補正手段 4 模擬手段 5 閘極長度測定手段 81131 -28- 閘極線幅分佈產生手段 判定手段 圖案變形手段 輸出部 元件區域圖案 閘極電極圖案 光接近效果補正後之閘極電極圖案 閘極電極影像 閘極電極影像之表小線幅 閘極電極影像的中央部之線幅 閘極電極影像之最大線幅

Claims (1)

1. ;第_1!35831號專利申請案 一,中爻t_請專利範圍替換本(94年2月) 拾、申請專利範圍：

   一種光罩圖案補正裝置，其特徵在於具有·· 設計圖案進行光接近效 光接近效果補正手段，其係對 果補正；及 模擬手段，其係依據光接近效果所補正之補正圖案， 而將以特定之轉印條件進行曝光時所取得之轉印影像 予以模擬；及 開極長度測定手段，其係將所模擬的轉印影像中之間 極部予以抽出’並因應於所要求之特性而敎前述閘極 部的特定部份之閘極長度；以及 圖案k形手段，其係在具有落於依據前述所要求的特 性而決定之容許範圍外的閉極長度之前述間極部存在 時，為使該閘極部的前述特定部份之前述閘極長度能落 於前述容許範圍内’而將前述光接近效果所補正之補正 圖案予以變形。 2.如申請專利範圍第！項之光罩圖案補正裝置，其中 义更具有偏移分佈產生手段，其係用以產生相對於依據 月迷閘極長度敎手段所測定之閑極長度的設計圖案 之偏移量之分佈； W述圖案變形手段係以相對於具有落於前述容許範 圍外之前述問極長度的前述閘極部的前述設計圖幸之 :移量份，而將對應於㈣極部的位置之經前述光接近 政果補正之補正圖案而予以變形。 3.如申請專利範圍第1項之光罩圖案補正裝置，其中 O:\81\81131-940204.doc 1237745 前佈產生手段，其係用以產生相對於依據 二::二度測定手段而測定之前述開極長度的設計 圖案之偏移S之分佈； ::案變形手段係為使落於前述容許範圍外之前 迷閘㈣1料◎份的“_ 爾述容許範圍内之分佈最多的偏 近於/、有 前述光接近效果所補正m闻極長度，而將 〜文果所補正之補正圖案而予以變形。 種光罩圖案補正方法，其特徵在於具有·· 對設計圖案進行光接近效果補正之步驟；及 e :據光接近效果所補正之補正圖案而將以特定的轉 步驟；及 f之轉印衫像予以進行模擬之 將所模㈣轉印影像之間極部予以抽出，並❹ 特性而測定前述閘極部的特定部份之閘極長声之 步驟；及 π反< 判定具有落於依據前述要求的特性而決定之 圍外的閑極長度之間極部是否存在之步驟；以及1 7定，有落於前述容許範圍外的㈣長度之閑極部 '"、子、Ν· ’為能使該閘極部的前述特定部份之前述開極 長度為落於前述容許範圍内，而將前述光接近效果所插 正之補正圖案予以變形之步驟。 斤補 申明專利範圍第4項之光罩圖案補正方法，其中 在進行前述變形的步驟之後，更具有：、 據刎述’交形後之補正圖案而將以特定的轉印條件 〇：\81 \81131-940204.DOC 1237745 〜u伏做又步驟；及 將所模擬之轉印影像之閘極部予以从φ 、，门 了 乂抽出，亚因應於所 要求之特性而再度測定前述閘極部的 1的特疋部份之閘極 長度之步驟，以及 再度判定具有落於依據前述要求的特性而決定的容 許範圍外之閘極長度的閘極部是否存在之步驟· & 在前述判定之步驟當中，再度重覆前述變形之步驟、 模擬之步驟、以及狀之步驟，直至判定具有落於_ 容許範圍外的閘極長度之前述閘極部不存在為止。 6·如申請專利範圍第4項之光罩圖案補正方法，其中 更具有在測定前述閘極長度的步驟之後，前述判定的 步驟之前，用以產生相對於前述測定的閘極長度之設計 圖案之偏移量的分佈之步驟。 在前述變形之步驟當中，以相對於具有落於前述容許 範圍外的前述間極長度之前述間極部的前述設計圖案

   之偏移量份，而將相對應於該閘極部的位置之經前述光 接近效果補正之補正圖案予以變形。 7.如申請專利範圍第4項之光罩圖案補正方法，其中 更具有在測定前述閘極長度的步驟之後，前述判定的 步驟之兩’用以產生相對'a! 王相對於刚述測定的閘極長度之設計 圖案之偏移量的分佈之步驟； 在前述變形之步驟當φ 也 — 、， 一 ^哪田f為使洛於耵述容許範圍外之 前述間極部的前料定料之前述㈣長度，接近於具 有前述容許範圍内之分佈最多的偏移量之閘極長度，而 將前述光接近效果所補正之補正圖案予以變形。 O:\81\8U31-940204.DOC