TWI237501B - Solid-state image pickup element and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

—存· :Γ …:92127913 曰 94 [發明所屬之技術領域] ^明是有關於一種⑽固態攝影元件及 ' 特別是有關於輸出部低功耗化的CCD函〜i义 其製造方法。 ^固怨攝影元件及 [先前技術] 第4圖是幀傳輸方式的CCD固態攝 圖。幢傳輸方式的c c D固態攝影元件攝有，VVζ的簡I结構 s、水平傳輸部h及輸出部d。在攝像部1中象^、畜積部 的二維排列高速地傳輸給蓄積部s。 生成的資訊電荷 =部”的同時’ 一行一行地被傳輸；以= 持 旦素早位《水平傳輸部h傳輸給輸出立 . 每-晝素的電荷量變換成電壓值，該電】：：。輪出部d將 CCD輸出信號。 &值的蝥化被作成 第5、6圖是現有的CCD固態攝影元件 面圖。第5圖是垂直移位暫存器 刀的剖 出端附近的剖面，還f + + 畜積邛S在輸 水平傳輸部…：。不另出外了第1=，的輸出端 的傳輸方向的剖面 _卜第6圖疋水平移位暫存器沿電荷 在輸出端附近的剖：：多位暫存器（h-叫 散層（FD)18及重置、及w構成輸出部的一部分的浮動擴 通過離子注入―) (RD)2〇。 基板表面上的作理’在N型石夕基板2上形成位於 的作為p型雜質層的？井雜(:層 身的N型雜質層（Ns b 1()、以及原來的基板本 ……6。在第5圖巾，資訊電荷在~井4

五、發明說明（¾) 上y成的垂直移位暫存器的電位井中依次向右傳輸，在水 同存器的電極14一1 τ面形成的電位井中被讀出。另 Θ中’資訊電荷在Ν井4上形成的垂直移位暫存器 的電位井中依次向左傳輸，經由輸出閘（〇g ) 1 6的下面， 傳輸給浮動擴散層丨8。 洋動擴散層1 8是N+擴散層，如果使與其相鄰的重置 2(0: 3導通，則浮動擴散層18的電位被設定為重置汲極 2 =置及極電位VRD。如果從水平移位暫存器將資訊電 何，，給該浮動擴散層丨8，則浮動擴散層18的電位隨 電荷里的炎化而變化。該電位變化被輸出放大器3 〇檢測並 放大出放大器的輸出v〇UT成為CCD輸出。 追裏，該輸出放大器30也用基板2表面上的半導體區 域形成。即，輸出放大器3〇的⑽^電晶體32、34的汲極、 源極由在基板2的表面上形成的以擴散層構成，在之 間的基板半導體區域上形成的通道，利用問極氧化膜上由 多晶石夕電極層形成的閘極進行控制。 其次，通過在N型基板2上形成p井1〇、N井4，沿該美 板深度方向形成NPN結構。利用該結構，能將基板表°面^ 的不需要的電荷驅逐到基板深部。第7圖是表示基板深产 方向的電位分佈的概略圖。在該圖中，橫軸表示基板深&度 方向的距離，左側對應於基板2的表面側（即閘極氧化膜 側），右側對應於基板2的背面側。另外縱軸表示電位，

12374pi f2.ptc 第7頁 向下對應於正電位方向（電位低的方向）。例如，電位八 佈曲線40在構成攝像部i或蓄積部3的垂直移位元寄存區: t H才反俏““口規定的正電壓Vsub (例如5V )，對傳輸 n年 月 諕 92127913 五、發明說明（3) ' 電極施加對應於導通狀態的正電壓VS (例如5V )，在p井 中形成電位勢阻障，在N井4中形成電位井。在石夕基板2 中’電子從電位高的地方向電位低的地方移動，即從電位 分佈曲線的高處向低處移動。因此，在通常工作時，在p 井8中形成的電位勢阻障妨礙在n井4中形成的電位井中蓄 積的資訊電荷向基板深部移動。另一方面，通過提高基板 電壓Vsub、或降低vs，來抬高N井4的電位井，同時 井i的電位勢阻卩平’蓄積在N井4中的資訊電荷被驅逐到基 才f深部。例如，電子快門工作時，通過這樣的施加電壓的 $作’將攝像部i和蓄積部s中存在的資訊電荷暫態排出， 月b使這些區域還原。另外，在這樣的縱型溢漏結構 (V〇D )中’在攝像部土的受光畫素中資訊電荷發生過剩的 $況下’該過剩電荷越過p井8的電位勢阻障被驅逐到基板 /木部，因此，能防止資訊電荷洩漏到其他晝素中這種所， 的溫出（blooming)現象。 月

12374pif2.ptc 第8頁 •—上述的資訊電荷被驅逐到基板深部的工作只在攝像部 \和蓄積部s中需要，在水平傳輸部h及輸出部d中不需要。 因此’迄今在設置水平傳輸部h及輸出部d的全部基板表面 上'主入了 P型雜質離子後，用光罩覆蓋攝像部i及蓄積部 S ’再次對水平傳輸部h及輸出部d的區域進行P型雜質離子 注入。因此’使得在水平傳輸部h及輸出部^下面形成的p 井1〇的P型雜質的濃度比在攝像部i及蓄積部s下面形成的p 井8的P型雜質的濃度大。第7圖中示出了這種不@。電位 分佈曲線42是對應於水平傳輸部h ( Η — REG )的曲線，如 上所述，電位^^線40是對應於攝像部i及蓄積部s的垂 ^號 92127913 η年 月 曰 修正 五、發·ΓΤϊ) 直移位暫存器的曲線。另外，在第7圖中 線還不出了輸出部d的重置汲極2 0或輸出放二哭刀佈曲 電晶體32下面區域的電位狀態。電源 ^的驅動 加在這些輸出部d的重置汲極20或驅動電晶體3二“，） 散層上’電位的狀態有圖中所示的特性。曲體::的〉及極擴 由P井形成的電位勢阻障在水平移位暫存哭 42表不 :Γ器中高。因此，能設定基板電壓^等的停垂件直移 ΐ =移位暫存器中不產生電荷向基板深部的排出： 在垂直移位暫存器中引起電荷向基板深部的排出。出，… 的推ί ί來，〖在開發例如數位相機和帶有照相攝W匕 2 w電話這樣的使用CCD固態攝影元件的小型力： 益。在小型輕量的機器中為了使電池也小型二里的機 耗化。在c⑶固態攝影元件中，冑出放大 希望低功 大的電流，該部分的功耗大。因此，：動…交 的電源電壓VDD，能降低CCD固態攝影 大器 置總體的功耗。 次作為攝影裝 可是，如果降低電源電壓VDD，則會產生導致 :的電晶體的動作不良的問題。輪出放 '出 】:尸，如上所述，輸出放大器的電晶體放在大:cc= 元件所在的同一基板上形成，在基板側施力:盘cc口心、 =的基板電壓Vsub (例如5V)。因此，基板 σ a Q電位差比汲極一源極之間的電位差大。 另外，降低電源電壓VDD，意味荖篦7 m α 一 。 這些結果不是使以：== 12374pi f2.ptc 第9頁 j . 號 92127913 A、發明說明$5) 移動到汲極一侧，而是容县 〜 起渴入基板一側的現象。因此，不井的電位勢卩且障〜 源電㈣D降低’難以降低 以：放大器30 兀件總體的功耗。 件、或作為摄! [發明内容] 象 本發日月就是為了解決上述問題 仏—種備有既能降低功耗、又成的，目的在於 的CCD固態攝影元件及其製造Λ。荷的漏出的輪出部 解决上述S果題用的本發明是这揭 :對應於呈矩陣配置的多固態攝影元件， 存器，㈣在上述多個垂直移位多個垂直 置水平移位暫存器，另外在上述水 t的輪出侧配 的己J :出部，胃固態攝影 “暫：益的輪出側 的+導體基板的—主 j在於.在一種導電 時在上述丰暮舻上形成電型的半導體區域 垂直移形成上述多個受光晝素、上i多： 述輸出部的上水平移位暫存器及上述輸出部，上 存器的半導體=體區域的雜質濃…述水平移位i 另^等體&域的雜質濃度高。 臀 體基板上形述固態攝影元件中，冑好還有在上述半導 部的邊界上的輸出：置在上述水平移位暫存器和上述輪出 另夕卜 暫存器的半導^ =態攝影元件的特徵在於··上述水平移位 述多個垂直：2:雜質濃度比上述多個受光畫素及上 如果採用木蘇子為的半導體區域的雜質濃度高。 -—-一^則通過使上述輸出部的半導體區域 麵--—— 12374pif2.ptc

第10頁 上述水平移 出部的半導 對於上述水 阻障。因此 位暫存器的 防止上述輸 劣化兩方面 過使上述水 多個受光畫 雜質濃度高 位暫存器高 防止上述水 件表面的氧 傳輸。 課題用的本 方法，該固 的各列配置 位暫存器的 移位暫存器 方法的特徵 面上形成具 的第一工程 述第一雜質 體區域的第 述水平移位 位暫存 體區域 平移位 ，能對 半導體 出部的 〇 平移位 素及上 ’能將 效率地 平移位 化膜的 發明的 態攝影 多個垂 輸出側 的輸出 在於包 有第一 〃在上 濃度高 一工程 暫存器 ’同時在上述第

12374pif2.ptc 第11頁 另一形 元件對 直移位 配置水 側酉己置 括：在 雜質濃 態，是一 應於呈矩 暫存器， 平移位暫 輸出部， 一種導電 度的逆導 述半導體基板的 的第二雜質濃度 ’以及在上述第 的雜質濃度比 度高，上述輸 二之，也能相 較高的電位勢 和上述水平移 ΐ度，所以能 器的傳輪效率 同樣，通 貝濃度比上述 半導體區域的 及上述垂直移 器。另外，能 乏層被陷入元 行資訊電荷的 解決上述 影元件的製造 多個受光晝素 述多個垂直移 外在上述水平 影元件的製造 體基板的一主 一半導體區域 形成具有比上 型的第二半導 區域上形成上 為的半導體區域的雜、、曲 不會完全空乏’或者即; 暫存器的半導體區域 上述輸出部的半導體區域 區域設定互不相同的雜質 電荷漏出及水平移位暫存 暫存為的半導體區域的雜 述多個垂直移位暫存器的 資訊電荷從上述受光晝素 傳輸給上述水平移位暫存 暫存器的半導體區域的空 缺陷能級中，能穩定地進 種固態攝 陣配置的 同時在上 存器，另 該固態攝 型的半導 電型的第 一主面上 的逆導電 一半導體

丨案號 92127913 Η年月曰 修正 五、發明說明（7) 區域上形成上 另外，在 上述半導體基 低的第三雜質濃度的 四工程最好在上述第 素及上述多個垂直移位暫存 件的製造方法中，上 地注入上述雜質，向 述雜質的注入，至少有 如果採用本發明，則通 成上述水平移位暫存器，在 域南的上述第二半導體區域 半導體區域不會完全空乏， 上述第一半導體區域較的 部的電荷漏出及水平移位暫 同樣，通過在雜質濃度 述第三半導體區域中形成上 直移位暫存器，能將資訊電 移位暫存器高效率地傳輸給 能防止上述第二半導體區域 化膜的缺陷能級中，能穩定 為讓本發明之上述和其 顯易懂，下文特舉較佳實施 說明如下： [實施方式] 述輸出部的第 上述固態攝影 板的一主面上 第三半 三半導 三工程c 元件的製造方法中 形成具有比上述第 導體區域 體區域中 器。另外 述第一及第二 上述第一至第 次 是共同進 過在上述 雜質濃度 中形成上 另外即使 電位勢阻 存器的傳 比上述第 述多個受 荷從上述 上述水平 的空乏層 地進行資 他目的、 例，並配 的第四工程 形成上述多 ，在上述固 導體區域最 半導體區域 行。 第一半導體 比上述第一 述輸出部9 空乏也會形 障，能防止 輸效率劣化 一半導體區 光晝素及上 受光晝素及 移位暫存器 被陷入元件 訊電荷的傳 特徵、和優 合所附圖式 還包括在 雜質濃度 ，上述第 個受光晝 態攝影元 好分階段 進行的上 區域中形 半導體區 上述第二 成相對於 上述輸出 兩方面。 域低的上 述多個垂 上述垂直 。另外， 表面的氧 輸。 點能更明 ，作詳細

12374pif2.ptc 第12頁 Γ—^_iL 號 92127913 I …办·,·.·ΤΑηΜ^ ^ _ · 1 修正 一一…ΤΑι(Μ^ ’ 1 五、發明說明（8) _ 其次，參照附圖說明本發明的 t 幀傳輸方式的CCD固態攝影元件 耳，形悲。以下，說明 的CCD固態攝影元件的簡略結構如f施形態。幀傳輸方式 巾貞傳輸方式的CCD固態攝影'^件^ 圖所示，引用該圖。 平傳輸部h及輸出部d。攝像部丨、、& 像°卩丨、蓄積部s、水 平行排列的多個移位暫存器構1成°，垂直方向延伸，由互相 有光致擴散功能，構成受光書素 f移位暫存器的各位具 移位暫存器連續遮光的多個二位暫，，部s由對攝像部i的 器的各位構成蓄積畫素。水子态構成，各移位暫存 的單一的移位暫存器構成， :°卩h由沿水平方向延伸 端連接在各位上。輸出部d包括暫』^移位暫存器的輸出 出的電荷的電容、以及排出該六、畜+積從水平傳輸部h輸 晶體。因此，蓄積在攝像部丨的各&心蓄積的電荷的重置電 在每個畫素令獨立地傳輸 素中的資訊電荷 -行地從蓄積部S被傳輪給水畜平積傳:s:… 從水平傳輸部h傳輸給輸出部d。狹^。，再以1畫素單位 畫素的電荷量被變換成電壓 二1 ，在輸出部(！中每一

輸出信號供給外部電路。 μ ^壓值的變化作為CCD 向的簡略剖面®，示？了存:(H:REG)沿電荷的傳輸方 剖面、以及成為輪出部的 八：暫存器的輪出端附近的 重置汲極（RD)20。垂直移動擴散層（心）18及 傳輸方向的簡略剖予态（v — REG )沿電荷的 在况型石夕基板2令圖相同，應用該圖。 在基板2的r:上離子，進行横散，然 第13頁 I2374pif2.ptc

♦號92127训 種P井中 雜質濃度 第5圖中 =的的4=形成由擴散_型雜質構成的作為" 雜質的離子主(入。另夕卜，通過比~型雜質先進行的Ρ型 (Nsub)之間’刻井4*基板本來的_雜質層6 形態中，改變‘入的f'型擴散層的p井（pw)。在本實施 離子注入。;2區域’進行三次形成p井的P型雜質的 10、6〇。在摄：t，形成雜質濃度互不相同的三射井8、 雜併、曲危在攝像及蓄積部3上形成P井8，是 居低的。在水平傳輸部h上形成？井10 示出了出部d上形成P井60，雜質濃度最高 、、10 ’第1圖中示出了 P井1〇、60。 上。在^:2 '化膜（圖中未示出）配置在基板的表面 傳輸時脈f S1°二f ΐ移位暫存器中設有利用四相的垂直 移位暫存哭中机有利6動的電極組1 2 — 1〜1 2 — 4，在水平 動的電極：“二2用，相的水平傳輸時脈fH1、f“驅 上，使在電極下面的N井丄；=正電壓依次加在電極組 位井中的資訊電荷也Μ連：：：：位井移動’蓄積在電 中，電荷在垂直=暫Jf:地移動。例如’在第5圖 位暫存器的電極14 —丨為中依次向右傳輸，被在水平移 圖中，電荷在水平移位暫存Λ6勺電^井讀ώ。另外在第1 了直流電壓的輸出：：次向左傳輸’經由施加 層1 8。 ）1 6的下面，被傳輸給浮動擴散 的ρ井:動成擴政層上8是以擴散層，浮動擴散層18及與其接合

12374pif2.ptc 第14頁 重置閉（RG Λ成Λ外浮動擴散層18、重置沒極20及 -- ----—置！^體〇重置汲極20由Ν+擴散層 議Ηΐΐ 1Ϊ似奶伽咖咖 Γ — -------- _ 92127913 料车 λη,Λ s ^_ 五 '發明說明（10) 形成。重置及極20維持一定的正電位VRD。這裏作為重置 >及極電壓VRD，能施加電源電壓VDD。如果利用加在重置閘 2 2上的重置時脈脈衝f R使重置閘2 2下面的通道導通，則 序動擴散層1 8的電位也被設定為重置汲極電壓vRD，浮置 擴散的PN結呈導電性地浮置（浮動狀態）。這裏，如果從 f平移位暫存器將資訊電荷移動到浮動擴散層丨8中，則該 貝訊電荷暫時被蓄積在P N結電容中，浮動擴散層1 8的電位 心著其電荷量的變化而變化。該電位變化由輸出放大器3 〇 檢測及放大，輸出放大器的輸出ν〇υτ成為CCD輸出。 輸出放大器30使用在基板2上形成的MOS電晶體，例如 由二級源跟隨電路構成。輸出放大器3 〇的驅動電晶體3 2及 負載電晶體34的汲極、源極由在基板2的表面上形成的Ν + 擴散層構成’在它們之間的基板半導體區域中形成的通 道’利用在閘極氧化膜上由多晶矽電極層形成的閘極加以 控制。在本實施形態中，由於低功耗化，施加在輸出部d 的重置没極20或輸出放大器3〇的驅動電晶體32的汲極擴散 層上的電源電壓VD D比以往的電壓低（例如2 · 9 V )。 另外’利用在N型基板2上形成的P井、N井，沿基板深 度方向开> 成N P N結構，利用該結構，在攝像部丨及蓄積部s 中能將基板表面上不需要的電荷排出到基板背面。第2圖 是表不基板深度方向的電位分佈的概略圖。該圖是與現有 技術的第7圖對應的圖，其縱軸、橫軸與第7圖相同。電位 刀佈曲線7 0疋與構成攝像部i或蓄積部5的垂直移位暫存界 對應的曲線，表示井4、p井8 ANsub6構成的NPN結構的 電位分佈。電位分佈曲線72是對應於水平傳輸部h ( η —

if 號 92 丨？7Q13 的曲線，表示由1^井4、p井10&Nsub6構成的NPN結構 祐# 1立分佈。另外，電位分佈曲線74表示輸出部d内的由 έ士構源電壓”^的1^擴散層、p井60及Nsub6構成的NpN 〜構的電位分佈。

Hs比以72表不將作為對應於導通狀態的正電壓vs、 位暫存哭的：：3例如2. 9V加在垂直移位暫存器或水平移 壓：ί的傳輸電極12、14上，使P井和N井4之間呈逆偏 &狀恶’而且傳輸通道呈完全1主逆偏 往對比，篦？岡由-山7 之的狀I、’為了谷易與以 電；圖中不出了將5V加在垂直移位暫存哭的傳& 電極12上時的曲線4〇。另 节仔。》的傳輸 作為規定的itMVsub例如‘=佈曲線都表示

NsnhR +叫口 將8 V加在基板背面上，P #知 SUb6之間呈逆偏壓狀態的形態。 上P井和 利用垂直移位暫存器下面 ，井1。的雜質漠度差，對應移位暫存器下 的p井的電位勢阻障在水平移 ，子從N井4向Nsub6移動 暫存器高。利用該i，在縱型 子器中變得比垂直移位 中，在攝像部i及蓄積部s中資雷—作及電子快門工作 另一方面，該工作時在水平傳鈐f何能排出到Nsub6令， 排出。另外，如果P井10的雜晰中，防止資訊電荷的 井、即基板深度方向的電位分佈/辰&過鬲’則N井4的電位 動，電荷被陷入基板和基板i面的$小值向基板表面側移 中，存在資訊電荷的傳輸效率卜”面上產生的閘格缺陷 的雜質濃度被設定為資訊電荷不d:因此’p井10 的程度的濃度。 一閑極乳化膜的介面接觸 3夕卜’伴隨電源電壓VDD的低懕儿 ^ -----------輸出部的電晶體 第16頁 12374pif2.ptc 的N+擴散層及通道的電位變高。該電位 VDD相同的電壓力口在傳輸電極14上時的 電暫原存電尾 傳輸通道的電位高。這樣電晶體眺 的 變高對容易產生電荷的漏出起作用。= = 的P井6。的雜質濃度比水平移位暫存器下面的二出〇::面 防止輸出部的N+擴散層及通道和Nsub6之間的穿、间 井60的雜質濃度的大小可以這樣考慮來確定：彳 。 1 8的電位比關閉（〇 f f )狀態下的傳輸電極丨4 —]下面』^二 低，充分地獲得從最後級的傳輸電極朝向浮動擴散層1 邊緣（fringe)電場，確保傳輸效率。 曰、 第3A〜3C圖是說明本CCD固態攝影元件的p井的形成工 程的元件的俯視概略圖。p型雜質的離子注入N型的矽基板 2的表面的兀件形成區域中，再進行熱擴散。在第一雜質 剖面圖中’利用該第一 p型雜質導入工程，在形成攝像部 i、蓄積部s、水平傳輸部h及輸出部d的預定的區域（第3 A 圖所示的斜線區域）中，沿深度方向形成第一 p型擴散 層。 接著’在形成水平傳輸部h及輸出部d的預定的區域 (第3B圖所示的斜線區域）中，在基板2的表面上形成有 開口的抗I虫劑圖形，將它作為光罩，進行P型雜質的第二 次離子注入。利用該第二p型雜質導入工程，在形成水平 傳輸部h及輸出部d的區域下面，形成有與先形成的第—雜 質剖面合成的第二雜質剖面的第二p型擴散層。 然後’再在形成輸出部d的預定的區域（第3 C圖所示 的斜線區域）中，在基板2的表面上形成有開口的抗蝕劑

12374pif2.ptc 第17頁 修正 s :im3) 圖形’將它作為光罩’進行p型雜 進行熱擴散處理。利用該第三p型 —_人離子，主入， :出部d的區域下面，形成有與先形；心：：質=J 成的第三雜質剖面的第三P细换# a ^ f —雜貝纠面合 人的光罩及熱擴散等，以便與:：曰。广晨’設計離子注 觸的P井60的邊界最後位於輸出閉i/的4下暫存器的輪出端接 如上所述在三個階段中形 ° 後，在這些P型擴散層上重疊地 至第三p型擴散層 比p型擴散層淺的深度。因此靠近λ '雜質離+，擴散到 層構腾。另外殘留在 至第三Ρ型擴散層分別成為ρ井8、1〇、6〇。刀-的弟一 以下的工程基本上與以往相同。具體地說， 圖开注入高濃度的ρ型雜質離子，•成分離區 (通道截止區）。將分離區及覆蓋著在基板2的 上形成閘極氧化膜。在閘極氧化膜上層疊多晶矽膜1 多晶矽膜進行構圖，形成多個傳輸電極〗2、14。 于5亥 如果採用本發明的CCD固態攝影元件，則即使 出部的電源電Μ ’降低功耗，也能抑制在基板表面上氏輪 的輸出部和基板背面之間的電荷的漏出。 /成 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並 限疋本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明以 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明:， 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ’、蠖 12374pif2.ptc 第18頁 案號92127913_1屮年？>月^曰 修正_ WKWWnM' [圖式簡單說明] 第1圖是實施形態的CCD固態攝影元件中的水平移位暫 存器沿電荷的傳輸方向的簡略剖面圖。 第2圖是表示實施形態的CCD固態攝影元件中的基板深 度方向的電位分佈的概略圖。 第3A〜3C圖是說明實施形態的CCD固態攝影元件中的P 井的形成工程的元件的俯視概略圖。 第4圖是幀傳輸方式的CCD固態攝影元件的簡略結構 圖。 第5圖是現有的實施形態的CCD固態攝影元件中的垂直 移位暫存器沿電荷的傳輸方向的簡略剖面圖。 第6圖是現有的CCD固態攝影元件中的水平移位暫存器 沿電荷的傳輸方向的簡略剖面圖。 第7圖是現有的CCD固態攝影元件中的基板深度方向的 電位分佈的概略圖。 【主要元件符號說明】 2 :矽基板 4 : N井 6 : N型雜質 8 、 10 、 60:P 井 1 2、1 4 : 傳輸電極 1 6 :輸出閘 1 8 :浮動擴散層 2 0 : 重置汲極

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Claims (1)

1. 更βΐΐ缴fl 921279Π 修正 j斗年3月气3曰 個受1光全—辛m攝影元件’包括對應於呈矩陣配置的多 該些垂直移位暫存dv固垂直移位暫存器、配置在 在該水平移位暫的水平移位暫存器，及配置 在一導雷划的ΐ、曾輪出側的輸出部，其特徵在於： -半導體區域，且在的：主面上具有逆導電型的 晝素、上述多個垂直移：暫工體區域中具有上述多個受光 *上述水平移位暫存質濃度 2. 如申請專利：：體“或的雜質濃度高。 徵在於更包括-輪出固態 置於上述水平移位暫存界述半導體基板上，並配 3. 如申嗜衷$丨一时σ上述輸出部的邊界上。 件，其特徵在於專心圍第1項或第2項所述的固態攝影元 上逑水平移位暫 多個受光畫素及上述多^垂=體區域的雜質漠度比上述 雜質濃度高。 直位暫存器的半導體區域的 4·—種固態攝影亓杜μ在„ 置的多個受光畫素的各、襄造方法，對應於呈矩陣配 垂直移位暫存器 配置垂直移位暫存器，在哕此 ^暫存器的輪出出置::平移位暫存器，在ί水; 方法的特徵在於包括··置輪出^，該固態攝影元件的製造 雜質濃度的的半導體基板的一主面上形成n ν電型的第-半導體區域的ΐ =;有第- ΙίΜ 12374pi f2.ptc 第頁 ·、 ·、 丨:jj 案號 92127913 修正 六、申請專利範圍 在上述半導體基 質濃度高的第二雜質 第二工程；以及 在上述第一半導 同時在上述第二半導 程。 5. 如申 造方法，其特 形成具有比上 導體區域的第四工程 上述第四工程在 受光畫素及上述多個 6 . 如申請專利 造方法，其特徵在於 板的一主面上形成具有比上述第一雜 濃度的逆導電型的第二半導體區域的 體區域上形成上述水平移位暫存器， 體區域上形成上述輸出部的第三工 請專利範圍第4項所述的固態攝影元件的製 徵在於更包括在上述半導體基板的一主面上 述第一雜質濃度低的第三雜質濃度的第三半 上述第三半導體區域中形成上述多個 垂直移位暫存器。 範圍第5項所述的固態攝影元件的製 上述第一及第二半導體區域是分、階段地注入上述雜 質，而向上述第一至第三半導體區域進行的上述雜質的注 入，至少有一次是共同進行。

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