TWI236933B - Coating film drying method, coating film forming method, and coating film forming apparatus - Google Patents

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TWI236933B
TWI236933B TW091122825A TW91122825A TWI236933B TW I236933 B TWI236933 B TW I236933B TW 091122825 A TW091122825 A TW 091122825A TW 91122825 A TW91122825 A TW 91122825A TW I236933 B TWI236933 B TW I236933B
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Description

1236933 發 明 範 圍 本 發 明 別 地 關 於 的 表 面 朝 之 技 術 〇 相 關 技 龜
五、發明說明G) 發明 4 ^系’作為使塗佈液體（例如光阻或1y L 板（例如矽晶圓或其類似物）上之冷你1/、頒似物）塗佈於基 者以高速轉動基板，藉以使塗佈 洛在基板中 ί ;表=且於基板表面上形成塗佈薄：糟。離心力散佈 及較大的：罩尺：據= 示器之更微細的圖案 e必要的。就此I樣而;:：：：=;:薄膜之技術 =案她-则號詹塗佈機亦提開 t ί ^ ^ ^ ^ ^ ^ * 板托住）之欲m體^曹’贺嘴經提高至基板（以吸收 能、， 主佈的表面附近（以欲塗佈的表面朝下夕处 =，主佈液體係自毛細作用間隙施加， =的，面上，因而形成塗佈薄膜。在此，吏:二過欲 石二可藉欲塗佈的表面與噴嘴前沿間之距離敕，二5二 厚度可較於旋轉塗佈機中更精確地設定。正故湾膜
C:\2D-CODE\92-01\9ll22825.ptd 第5頁 1236933 五、發明說明（2) 再者，由於C A P塗佈機包含可上下旋轉吸收板之轉動機 構，當固定基板時，吸收板經轉動直到吸收面朝上為止， 且基板係放置使得欲塗佈的表面朝吸收面上方。因此， CAP塗佈機具有此一便利性，使得基板因而固定後，吸收 板經轉動直到吸收面再度朝下為止，藉以進行塗佈。 在另一態樣，雖然此類CAP塗佈機具有以上便利性，但 甚至於塗佈過程吸收板經常稍微移動（由於旋轉機構之後 座力），此對薄膜品質產生不良影響。 為了避免此狀態，藉著以吸收面朝下狀態固定吸收板， 吸收板通常保持水平。因此，確實可避免基板不穩定現 象’以致於使產量提高。因此，實施此技術之必要的。 然而’此技術之實施具有以下缺點。 意即’在一個如圖丨6所示構成向下流體之潔淨室中，向 下流動的空氣流D受到吸收板7 1上表面遮蔽，被遮蔽的流 體D轉到吸收面7 1 a側，在此.處形成空氣渦流。於吸收板7 } 以吸收面7 1 a朝下之狀態固定之情形中，由於基板7 2之欲 塗佈的表面72a經常朝下，因此塗佈薄膜遇到空氣渦流。 因此，於塗佈後，當藉向下流體乾燥塗佈薄膜時，因空氣 渦流而使薄膜產生不均勻的膜厚度。 發明概沭 本發明係為了以上問題，且目的係為提供一種構成向下 流體之潔淨室中均勻地乾燥塗佈薄膜之技術，其中塗佈薄 膜係保持欲塗佈的表面朝下狀態形成於基板之欲塗佈的表 面上。
C:\2D-CODE\92-Ol\9ll22825.ptd 第6頁 1236933 五 '發明說明（3) 為了獲致以上目的，根插士义綠 处二泛 齡、)：品方 '本怂&一插认磁、據本發明弟一怨樣之塗佈薄膜的 ^彳’ ;冓成向下流體之潔淨室中乾燥涂佈薄 膜之：法’其中形成於欲塗佈的基板表面 佈；俜 以欲塗佈的表面朝下之狀態經乾燥。此方法之；：：：係 ;塗佈薄膜形成後，當以保持基板態勢之狀態防止ί下、、, 月豆轉至欲塗佈的表面側時，塗佈薄膜經乾燥。 - 根f本發明f —態樣之塗佈薄膜的乾燥方法，當以保持 基板悲勢之狀態防止向下流體轉至欲塗佈的表；:、涂 佈薄膜經乾燥。因此’在乾燥期間 』：二 ;流體產生之空編影響。因此，可均勻地 根據本發明第二態樣之塗佈薄膜的乾燥方法之 2斗:! J於欲塗佈的表面上之塗佈薄膜係於藉毛細管作用 如升財存於欲塗佈的表面下方之塗佈液體後，卩經 嘴 使上升的塗佈液體與欲塗佈的表面接觸之狀態、 嘴掃掠欲塗佈的表面而形成。 ㈢者使嘴 根據本發明第二態樣之塗佈薄膜的乾燥方法，可 與欲塗佈的表面間之距離設定塗佈薄膜之厚度。因^，、 形成具精確厚度之塗佈薄膜。 # 根據本發明第三態樣之塗佈薄膜的乾燥方法之 於，清潔氣體係自塗佈薄膜形成於其上之欲塗d :側朝塗佈薄膜供應，目而抑制向下流體轉至欲塗佈的表 根據本發明第三態樣之塗佈薄膜的乾燥方法，當自塗佈
C:\2D-mDE\92-01\91122825.ptd 第7頁 1236933 五、發明說明（4) -- 潔〆二成於其上之欲塗佈的表面下方朝塗佈薄膜供應之清 :^體對著塗佈薄膜流動時，其係沿著塗佈薄膜於欲塗佈 的表 於欲冷周圍方向移動。之後，由於此清潔氣體之流體係 流2主佈的表面周圍附近沿著欲塗佈的表面對著向下流體 於可 故可防止向下流體轉至欲塗佈的表面側。藉此，由 ^防止空氣渦流產生，故可均勻地乾燥塗佈薄膜。 於艮據本發明第四態樣之塗佈薄膜的乾燥方法之特徵在 中，涂^ ^本發明第一或第二態樣之塗佈薄膜乾燥方法 受到i莫，專膜形成於其上之欲塗佈的表面之周圍區域處係 根插^遮蔽，因而防止向下流體轉至欲塗佈的表面側。 薄膜康發明第四態樣之塗佈薄膜的乾燥方法，由於塗佈 遮蔽广因:其上之欲塗佈的表面之周圍區域處係受到遮幕 由於* # =於欲塗佈的表面下方不產生空氣渦流。意即， 面與；於遮幕之背側產生，故可防止欲塗佈的表 根據I::;;:;此：可均句峨 成塗佈= 之ί佈薄膜的乾燥方法係為-種形 欲塗佈的表面下方之二佈潯膜係糟毛細管作用提升貯存於 經由噴嘴使ί升的的潔淨室中朝Τ之狀態），以及以 噴嘴掃掠ii::體；欲塗佈的表面接觸 佈薄膜乾燥。此方俾使欲塗佈的表面上之塗 之乾燥構#，當噴嘴2敛在於用以局部地乾燥塗佈薄膜 塗佈的表面以跟隨U掠於欲塗佈的表面上時，其掃掠欲 m w 91122825.ptd 第8頁 1236933 五、發明說明（5) ^ 根據本發明第五態樣之塗伟 局部地乾燥塗佈薄膜之乾燥、#乙、=方法，由於 表面上時，掃掠欲塗佈的表面二掠於欲塗“ 因此，、】 =塗佈液體立即地被迫地受乾燥：1細管作 、 至倘若欲塗佈的表面受到6 ΠΓ、、ώ磁y冓件乾燥。 1作用’由於塗佈薄膜已經乾燥：术豆產生的空氣渦 時’塗佈薄膜不會產生乾燥不均：受到空氣渦流影響 根據本發明第六態樣之塗佈膣不。 於，於根據本發明第五態樣涂U燥方法之特徵在 構件係為熱板。 樣之土佈缚膜乾燥方法中，乾燥 根據本發明第七態樣之塗 於，於根據本發明第五至第丄能、燥方法之特徵在 燥方法中，塗“ί:::;:樣之任-態樣塗佈薄膜乾 根據本發明第八態樣之塗佈薄膜 於，於根據本發明第一至第=的乾無方法之特徵在 燥方法中，A Α g Ρ 4、心樣之任一態樣塗佈薄膜乾 而製得之“ΐί 光膜於透明基板之-表面上 於根H:! ί九2樣之！佈薄膜的形成方法之特徵在 燥方法中x，a叙明第一至第八態樣之任一態樣塗佈薄膜乾 接觸。，土板之支持經釋放，且接著使基板與導電元件 導電=:月第±九態樣之塗佈薄膜的形成方法，當基板 件。因&接觸日寸，施於基板上之電荷溫和地流至導電元 口此’可防止塗佈薄膜受靜電衰減損壞，且可改良
C: \2D-mDE\92-〇l \91122825 .ptd 第9頁 1236933 五、發明說明（β) 率 〇 根據本發明第十態樣之 使用根據本發明第八能趕單的製造方法，勺人止 ㈣，4;之塗佈薄膜的乾焊步驟為藉 根據本發明第十-態樣之的塗佈薄膜。成抗 流體：潔淨室+，且包含用置，係配置於構 j =悲支持基板之支持構件及二=之欲塗佈的表面朝 佈=塗佈塗佈液體之欲。向下流體轉以 根據本發明第十一態樣之冷^彳之抑制構件。 了向下流體轉至藉塗佈構件^ 二由於抑制構件 侧，故當以I板受支持構件之欲塗佈的表= 塗：】膜不會曝露至向下流體所產^:2 ί佈薄膜時， 淨”，且包含用以=之= 成向下 =2欲塗佈的基板表面下方之液體塔槽，“ j持的基 用提升貯存於液體塔槽中之塗佈液體達到欲塗=:田管作 及使塗佈液體與欲塗佈的表面接觸之噴嘴，及用、、、面以 於欲=佈的表面上掃掠，俾塗佈塗佈液體於欲塗=使噴嘴 上之掃掠構件，其特徵在於提供用以局部地乾燃涂的，面 之乾燥構件，且此乾燥單元係掃掠欲塗佈的表=ς佈薄膜 跟隨於欲塗佈的表面上之噴嘴掃掠。 方’俾 根據本發明第十二態樣之塗佈裝置，當噴嘴掃掠曰士 、t ’乾
C:\2D-CODE\92-0l\9H22825.ptd 第10頁 1236933 1 五、發明說明（7) 一^ 燥構件局部地跟隨噴嘴乾燥塗佈薄膜。因此 :自噴嘴流出之塗佈液體立即地被迫地受乾燥構件專二作 I此，當以基板受支持構件支持之狀態乾燥 二。 ，至倘若欲塗佈的表面受到因向下流體產生的空=日：， :你穴塗佈薄膜已經乾燥，故當受到空氣渴流作 ^佈4膜不會產生乾燥不均勻現象 《守， 例詳述 淨至15將說明以下本發明所應用的塗佈裝置。* 裝置係用於光罩製法中，置於潔淨室(其中=此 :體糸統)且用於以抗姓劑塗佈空白光罩之欲塗下 (第一具體例） 圖圖1為塗佈裝置之左側視圖，且圖2為塗佈裳置之前視 係於及作圖為2 ::之：塗佈㈣ 係放置二對左二二二地板面上。於此基礎框架11上， 上以前後方向(於支 14、14。 之左右方向）移動之左右移動框架 元件 丄" 1 2白由鬲導電性樹脂製成，以你、酋 ::其如圖2所示，支持塊12=作導電 丑於基礎框牟1 ! μ、呑也 ’入级一角形截面， 向)延伸。特二Λ位置以前後方向(於圖1之左右方 後說明）寬声 t 1支持塊係以稍窄於空白光罩20 (稍 沒之距離彼此水平排列。
Ptd 9U22825 第11頁 1236933
^左右移動框架14、14係藉橫樑15而# + M ^ .έ 馬達Π轉動設在基礎框架η左側面==地連 =動框架14、14沿著直線軌道13、 之:：16二匕 稱）之分（與螺桿相 移動Λ J 8 ’且此移動元件18係隨著轉動螺桿1“ 框竿14 4使移動框架14、14於前後方向移動。這些移動 木Η、14、螺桿16及馬達17構成掃描構件。
，為支持構件之吸收板丨9係黏結於橫樑丨5 (兩端係以移 動框架14、14支撐）中心。此吸收板19係以吸收面19a朝下 之狀^經固定，使得不會轉動。於此吸收板19上，則吸收 及口疋作為基板之空白光罩2〇。再者，吸收板ig係以固定 於王白光罩2 0上之狀態隨著移動框架1 4、1 4於前後方向移 動而一體地移動。 在此，藉形成由鉻（Cr)或其類似物製成之遮光膜於半透 明基板（藉精密地研磨玻璃二氧化矽而得）上，可製得空白 光罩2 0，且當微細圖案轉移至半導體晶圓上時，其變成所 用光罩基礎之母板。
接著將說明吸收板1 0之吸收結構。圖3顯示吸收板1 9附 近之剖面圖。圖4顯示吸收板19之後表面（即吸收面19a)。 如圖3所示，複數個吸收孔191、191、…形成於吸收面19a 上，且此等複數個吸收孔1 9 1規則地及均勻地排列於吸收 板1 9之整個表面上。再者，於吸收板1 9内部，設有分為複 數個區域之吸收空間1 9 2。 特別地，如圖4所示，第一區包含四個排列於吸收面1 9a
91122825.ptd 第12頁 1236933
五、發明說明⑼ — 幻上中心之吸收空間]q 9 通道193彼此連接。再··.二此等吸收空間192係藉細空氣 中’分別形成四個吸收孔；9:這四個吸收空間192之每-者 圖3所示，隨著吸收空、^ 吸空氣用之抽吸管194，H ^ 92形成此弟一區，連接供抽 插入樺摔丨5。此扞λ Μ !由手動閥1 9 5使此抽吸管丨94 出，且吸管194係自左㈣^ 再者’如圖4所示，吸收此彳Ω 續 繞第一區，日七入山/ 板之第二區則排列成以C形圍 品 且已* έ，、個吸收空間1 9 2…。df笪成丨λ·而 192 ...亦藉空氣通道203彼此連接，以及葬A收工間 接真空系196。同樣地，第：妾及精由抽吸管194連 成。 乐—區、弟四區、·.·亦如是構 請再看圖1，於基礎框架丨i内 空氣流產生奘罟9 1 β你炎心 °卩I，又有作為抑制構件之 ^ ^ 裝置2 1及作為塗佈裝置之塗佈機構。 二乳流產生裝置21係供應異於潔淨室中向下流 VA上生方之Γ潔ί體。特別地，空氣流產生裝』包 生向上之空氣流之風扇及設於此風扇上之 匕 二。在此，較佳使用ΗΕΡΑ濾器（高效率微粒 空氣濾器。 7二乱濾杰）作為 置2:採用例如SS-MAC-10FR(Alr Tech.)作為空氣流產生裂 接著^兒日月塗佈機構22。圖5為塗佈機構22之 ^圖為塗佈機構22之前視圖，且圖7為沿著圖6^χ'二剖
1236933 -----—-- 五、發明說明（10) 所示’塗佈機構22包含作為基礎之基礎板 。又；土礎框架1 1之左右方）。於基礎板丨2上，設有一 左右移動栓銷2 4及2 5。 2心=2』：沿著設於基礎板23之上表面之直線軌道 斜== 再者，#動栓銷25之上表面為向左傾 斜之傾斜面25a。再者，於傾斜面仏上設有 左移動栓銷24同樣地可沿著直線軌’ 右方向移動。再者，；^㈣^ 道8於基礎板23之左 連技I二-面2乜上設有直線執道29。 « π 牙過此等左右移動栓銷24及25。於連接軸30之 周圍表面上形成外部螺紋溝槽：f接軸30之 25之穿過部分形成内部螺〜2右移動栓銷24及 30，因而移動栓銷24及25分別31轉動連接軸 方向移動。 刀別/σ者直線軌道28及26於左右 於移動栓鎖24及25上設有立掊始L 截面，且包含平行於基礎板23設置之第=持板具有L-型 於此第-支持板33之第二支持板34。支持板33及垂直 於第一支持板33之後表面上設有一产 2,5及36之下表面為傾斜面，且1可ί:支柱35及36。 2 9或2 7滑動。 八了 77別沿著直線軌道 再者’自第一支持板33之 23之上表面，設有供上 中心邛份延伸至基礎板 沿著此導引軸37僅上下移動。之導引軸打。基礎板23可 如圖7所不，於其中貯存抗 卞马塗佈液體）之液體 9ll22825.ptd 第14頁 1236933 五、發明說明（11) 土合槽3 8則固定於第二 說明此液體塔槽3 §。、板3 4之上端部分。之後將進一步 再者，經由一對/ 伸）使左/右移動“連、39(分別於左右側延 4〇係連接至空氣鋼拖& 弟一支持板34。左/右移動板 直線軌道39、39僅於/>，且隨著驅動此空氣鋼瓶41而沿著 妙 ；左右方向移動。 移動板43 ^ ^ ^ ^線右執道42、42(分別向右傾斜）使上/下 設置於第—支持板導引轴44、44(直立地 寻扳Μ之上表面）而上下移動。 45、4^八下別移：卜板43之左端部分及右端部分，噴嘴支持軸 】持：==伸。喷嘴47係受到-對此…^ 液體塔槽38附近之結構。圖8及9顯示液體塔 才曰38之剖面圖，且圖1〇概略地顯示循環模式。 如，及9所示’⑨第二支持板34上端部分以左右方向延 槽38大致具梯形剖面。於左右方向延伸之狹縫 形成於，、之上端部分。可以設於液體塔槽38外部之蓋 4 9關閉此狹縫4 8。 噴嘴47係包含於液體塔槽38内部。此噴嘴47包含一對a 後，嘴元件471及472(以左右方向延伸於期間之似毛細作則 用官間隙5 0而彼此相對）。這些前後喷嘴元件4 7 j及4 7 2係 彼此於後及前方向對稱，且此等元件471及472具方邱 分顯示類似鳥嘴之剖面。 八 " 91122825.ptd 第15頁 1236933 發明說明（12) 及：：ίί噴：:嘴嘴47之左w 塔⑽底表面之軸、=過-對形成於液體 液體）自這些穿孔51牙上 為b了避免抗蝕劑（塗佈 _38底# s 、52洩漏，於嘴嘴47底表面至液體塔 i箱的設置圍繞每一喷嘴支持軸45、46之似 下移動，4:藉此，即使噴嘴支持軸45、“上 m 〇 m,二:的阻塞兀件53、54相應地上下膨脹及收 、、、因此’抗餘劑不會從穿孔51 ' 52洩漏。 之2二R 5 1 °所不’藉泵56使抗蝕劑自其中貯存抗蝕劑 级；3:側二而’且泵出的抗蝕劑經濾器57而自形成於液體 應口 58流出。再者，循環口 59係開放於 循Ϊ且抗蝕劑自此循環口59於塔槽55中 再者，於液體塔槽38之側表面頂部形成穿孔6〇 〇L_ 又调整管61自穿孔60伸出。此高度調整管61之頂端是開= 的:再者，於高度調整管61外側面上設有供伯測抗蝕劑液 面兩度之傳感器62。 …思即，於液體塔槽3 8已填滿抗姓劑之情形中，高度調敫 =61係填充與液體塔槽38相同高度之抗蝕劑，此時藉傳^ 為6 2偵測液面高度，並且將偵測結果送至由微電腦構成的 馬達控制單元63。馬達控制單元63係根據傳感器62之偵測 結果驅動泵5 6之馬達，並且供應塗佈液體至液體塔槽3 8， 直到偵測結果達到預設高度為止。 曰 再者，此塗佈裝置1〇尚包含一輪入單元及一控制單元，
91122825.ptd 第16頁 1236933 丨丨· 五、發明說明（13) 以來自此輸入裝置之輪入邙缺 控制馬達】7、空氣流產生裝制單元係整體地 31及空氣鋼瓶4]之操作（然而未顯干^空粟2 0 6、词服馬達 以下茲說明塗佈裝置10之操作。 假設液體塔槽38 #、、其p t+ 地浸入抗钱劑·;方滿抗姓劑達到預定高度且喷嘴47完全 、幻2示的控制單元’當操作者操作時，將驅動馬 態使得空白光㈣吸收於吸收==面！ 20固定於吸收板19上。 上精此，空白先罩 特：Γ布=代表塗佈液體施於其上之基板表面之-。 之空白光ί罩20之欲塗佈的表面代表抗蝕劑施於其上 口先罩20表面之-’即已形成鉻膜。 後^移Ξ制單元再度驅動馬達2〇，藉此使吸收板19於前 ΐ位Γ 以致於喷嘴47前沿達到欲塗佈表面之塗佈開 馬m制單元開啟關住狹縫48之蓋子49，且驅動伺服 25a傾钭夕士以使一對左右移動栓銷24、25於傾斜面24a、 調整移動/*向(於圖6之左方)移動。相應地’於左右方向 此，固定於ί持板32則沿著直線軌道29、27向上移動。藉 方。 弋於支持板32之液體塔槽38上升至空白光罩2〇下 接者，控制單元一度停止液體塔槽38上升，並且僅使噴 91122825.ptd 第17頁 1236933 五、發明說明（14) 嘴47自液體塔槽38伸出。 2 I綠.工制單兀驅動空氣鋼瓶4 1，藉以使左7右移動 t出、軌道4 2之傾斜方向（於圖6之右方）移動。接 =為到亩綠1下移動板43之移動係調整於左右方向，故板 卜/又F # 道42之傾斜面導引而上升。相應地，固定於 ivy 之噴嘴支持軸45、46上升，以致於受此等 軸支撐之贺嘴47上升。 4 Ϊ心由η於喷嘴完全地沉入抗餘劑下方，因此毛細作用 到毛=作用管間隙5〇前沿之狀態上升。 扳LV?制單元停止僅噴嘴47上升，並且再度升起液體 :。曰立，藉以使抗蝕劑與空白光罩20之欲塗佈的表面接 判盥：：’控制單元使毛細作用管形間隙50所充滿的抗蝕 劑與欲塗佈的表面接觸。 ，此，考慮到液體塔槽38之上升速率及上升距離，相當 :Γ田？整是必要的 '然而，當如先前說明驅動伺服馬達31 寸 持板32係沿著移動拴銷24、25於之傾斜面24a、25a 2上下移動。因此，可確定及容易地進行此精細調整。再 由於液體塔槽38係以水平狀態於左右方向上升，故抗 虫 '之厚度不會於左右方向改變。 接著，控制單元（以使抗蝕劑與空白光罩2〇欲塗佈的 =接觸之狀態）造成液體塔槽38下降且喷嘴47達到涂^ i i :置。意即’噴嘴47前端與欲塗佈表面之距離達：塗
1236933 五、發明說明（15) — 接著’控制單元移動馬達〗 板19。藉此，欲塗佈表面經塗佈^；；固疋速率移動吸收 在此時，由於吸收板19固定於橫 (例如反衝)不會發生，但空一 J疋現象 於左右方向之態勢中之任_ f於别後方向之態勢及 接著，當吸收板二持水平。 私至m 9運幻塗佈端位置時，俨制罝-产 動馬達17。在此，塗佈端位置代表二';：早70停止驅 收板19位置。特別地，空氣、、抗蝕塗佈完成時之吸 為塗佈端位置。因此，於；置21附近較佳地設定 方之情形中，於塗佈-炭德，ί 乳流產 一步驟以乾燥抗蝕膜。 土种…束後，可立即進行下 接著，控制單元驅動空氣、、古 地乾燥抗蝕膜。 矾机產生裝置21。藉此，可均勻 其理論將藉由圖丨丨說明。 體的流動’且箭號U代表^11中’箭號D代表向下流 ;匕的流動。如圖"所示曰，生Λ置21供應之清潔 :流動時，其係沿著欲塗佈潔氣體對著欲塗佈的表 L，由於清潔氣體沿著欲塗佈2於周圍方向流動。因 對地於空白光罩之周動且向下的流體彼 J至抗蝕膜。藉此，由動’故可避免向下流 一也乾燥抗蝕膜。 、方止二氣渦流產生，故可均 2 當預定時間通 座生1置21之給古， 控制早元（由於+ 直“之緣故）停止驅 I於軀動空氣流 ^^ Κ產生裝置21，開關真 91】伽5.则 第19頁 1236933 五、發明說明（16) 空泵2 0 6中之閥（未顯示），並且自吸收孔2〇1排出 藉：；：；12所示，空白光罩2〇經吸收板19分離且=於 一對左右支持塊12、12上。因此，一系列操作結束。、 在此’由於支持塊1 2係由高導電性之樹脂製成，各* 光罩20與支持塊12、12接觸時，施於空白光罩2〇上之雷„ 溫:口地流動至支持塊12、12。藉&，可防止靜電衰減電何 =即，假設支持塊丨2係由低導電性之樹脂製成，杏* jDO與吸收板19分離時（如圖13A所示），施 動至每-支持塊。因此，於空白光丄 觸部中，發生靜電衰減。於此-例子 $卓20上之絡膜熔化，因而形成針孔。 (如圖13Β^Ϊ)，H持^塊12由高導電性樹脂製成之例子中 支持塊12、〗2。因# 白光罩2〇上之電荷溫和地流動至 如上所述，根據塗佈：防止靜電衰減，且可改良產率。 1 9a朝下之狀態固定、置1 0，由於吸收板1 9係以吸收面 不會有不穩定現象/j灵樑15，故吸收板通常保持水平而 間稍微移動確定是可^此，由於防止空白光罩20於塗佈時 率。 也的，故可改良薄膜品質，俾改良產
再者’由於以欲塗佈 獏可達成，故可提供此 即進行乾燥抗蝕膜之步 (第二具體例） 面朝下之狀態均勻地乾燥抗姓 利性，使得於塗佈完成後可立 而不須傳送空白光罩20。 根據第二實施例 t佈裝置之結構與根據第一實施例塗佈
9ll2^25.ptd
第20頁 1236933 五、發明說明（17)
裝置1 0之結構類似 部分。 因此，藉相同的元件符號代表重疊的 根據第二貫施例之塗 19周圍部分之遮罩64， 6 4 (自平坦表面觀察）係 周圍伸出。特別地，如 19 ，排歹4於吸收板19 ± 此遮罩6 4構成抑制構 根據第二實施例之塗 之向下流體受到遮罩6 4 產生空氣滿流。意即， 下流體轉到背側面，且 應避免使光阻膜受到空 乾燥光阻膜。 佈裝置設有 以代替空氣 霉占結於吸收 圖1 4所示， 表面之周圍 件。 佈裝置，通 遮蔽。因此 如圖1 4所示 空氣渦流僅 氣渦流作.用 遮蔽向 流產生 板19， 遮罩64 區域。 過於吸 ，於空 ，受到 於該位 。藉此 下流體於 裝置21。 使得自吸 係平行於 收板1 9周 白光罩20 遮罩64遮 置形成。 ’自然可 吸收板 此遮罩 收板1 9 吸收板 圍區 下方 蔽之 因此 均勻
再者，欲黏貼遮罩64之區域沒有限制。例如，其可黏貼 於吸收板1 9之側面上。再者，可使吸收板丨9之尺寸遠大於 空白光罩2 0之尺寸，並且未設吸收孔之區域可銜接於吸收 面1 9 a之邊緣區域，因此可得到類似以上效果之效果。
1者’就塗佈裝置而言，空氣流產生裝置21及遮罩64兩 者皆可設置。在此例中，可更確定地避免於乾燥期間造成 光阻膜不平坦現象。 (第三具體例） 根據第三實施例塗佈裝置之結構與根據第一實施例塗佈 裝置1 0之結構類似。因此，藉相同的元件符號代表重$的
1236933 五、發明說明（18) 部分。 根據第三實施例之塗佈裝置之 _ 以代替空氣流產生裝置2 1。 、彳政在於其上裝設熱板’ 熱板係用以強迫地乾燥部分朵 * 件。 ^膜’且其構成乾燥構 此熱板係設於基礎框架i j，於 白光罩20寬度相等的長度）。、工右方向延伸（具約與空 係設於接近喷嘴47處（於吸收板丨9於塗佈期間，此熱板 由於此熱板是固定的，於塗之移動方向）。 面下方相對於噴嘴47移動。特間，其係於欲塗佈的表 掠欲塗佈的表面下方，俾跟期間’熱板掃 r 例之塗佈裝置’如圖15;二當噴嘴47掃 掠日守’由於熱板6 5追隨噴嘴4 7搞：a + 、 、凉妒R由沾w卞丨-工 h、禹7知掠’自贺嘴4 7流出之塗佈 ^ t 杬蝕Μ乾無同時空白光罩2〇保持於吸收板i9上 田 若欲塗佈的表面受到空翕、、 甚至你 =阻膜已經乾燥，故當受到空氣渴流影響時，光j膜 不會產生乾燥的不平坦現象。 θ t九阻膑 β /1 2者塗佈装置可设置熱板及空氣流產生裳置2 1盘迷罩 6生 =少之一。在此例中，更確定地可避免於乾燥期Ϊ; 生的光阻膜不平坦現象。 —雖然已於以上說明本發明之較佳具體例，但本發明之 ϊ ί念不限於&。例如’可自空氣流產生裝置21 “溫風 或…、風。在此例中，光阻膜可快速地乾燥。
第22頁 1236933 五、發明說明（19) 根據本發明，於向下流體構成的潔淨室中，可理解維持 欲塗佈的表面朝下之狀態形成於基板欲塗佈的表面上之塗 佈薄膜可均勻地乾燥。 元件編號之說明 10 塗佈裝置 11 基礎框架 12 支持塊 13 直線執道 14 移動框架 15 橫樑 16 螺桿 17 馬達 18 移動元件 19 吸收板 19a 吸收面 20 空白光罩 21 空氣流產生裝置 22 塗佈機構 23 基礎板 24 左移動栓銷 24a 傾斜面 25 右移動栓銷 25a 傾斜面 26 直線軌道 #
91122825.ptd 第23頁 1236933 五、發明說明（20) 27 直線軌道 28 直線執道 29 直線軌道 30 連接軸 31 伺服馬達 32 支持板 33 第一支持板 34 第二支持板 35 支柱 36 支柱 37 導引軸 38 液體塔槽 39 直線軌道 40 左/右移動板 41 空氣鋼瓶 42 直線軌道 43 上/下移動板 44 導引軸 45 喷嘴支持軸 46 喷嘴支持軸 47 喷嘴 48 狹縫 49 蓋子 50 似毛細作用管間隙
91122825.ptd 第24頁 1236933 五、發明說明（21) 51 穿孔 52 穿孔 53 阻塞元件 54 阻塞元件 55 塔槽 56 泵 57 濾器 58 供應口 59 循環口 60 穿孔 61 L-形高度調整管 62 傳感器 63 馬達控制單元 64 遮罩 65 熱板 71 吸收板 71a 吸收面 72 基板 72a 欲塗佈的表面 191 吸收孔 192 吸收空間 193 空氣通道 194 抽吸管 195 手動閥
91122825.ptd 第25頁 1236933
91122825.ptd 第26頁 1236933 圖式簡單說明 圖1為根據第一具體例之塗佈裝置的左側視圖； 圖2為根據第一具體例之塗佈裝置的前視圖； 圖3為用以說明吸收板的剖面圖； 圖4為顯示吸收板之吸收面的略圖； 圖5為顯不塗佈機構之主要部分的透視圖， 圖6為顯不塗佈機構之主要部分的前視圖； 圖7為沿著圖6之線X-X的剖面圖； 圖8為液體塔槽的示意剖面圖； 圖9為液體塔槽的示意剖面圖； 圖1 0為用以解釋抗蝕劑循環模式的示意圖； 圖1 1為用以解釋於乾燥期間空白光罩周圍之空氣流動的 示意圖； 圖1 2為用以解釋自吸收板分離空白光罩之步驟的示意 圖， 圖1 3 A及1 3 B為用以施於空白光罩上之電荷流動的示意 圖； 圖1 4為用以解釋第二具體例的示意圖； 圖1 5為用以解釋第三具體例的示意圖；及 圖1 6為用以解釋相關技藝問題的略圖。
C:\2D-CODE\92-01\91122825.ptd 第27頁

Claims (1)

1236933 $、申請專利範圍 1 · 種乾無塗佈薄膜之乾燥方法，哕涂你^ =塗佈之基板表面上，而該基板係維玄=:形成於 :構成向下流體的潔淨室中朝下 勢‘二的表面 步驟： 心羿忒方法包含以下 於形成該塗佈薄膜後，以保持該 f下流體轉至該欲塗佈的表面側=二時 Λ 中請專利範圍第1項之乾燥方法，纟中該塗佈薄膜 j細管作用提升塗佈液體後’以及於該欲塗佈的表面 $杈噴嘴而形成，其中該塗佈液體係貯存於該欲塗佈的 、 下方且知知、係經由该嘴嘴以使該上升的塗佈液f盘 欲塗佈的表面接觸之狀態而進行。 I、 3」如申，專利範圍第丨項之乾燥方法，其中清潔氣體係 自°玄塗佈薄膜形成於其上之該欲塗佈的表面下方，朝該塗 佈薄膜供應，俾抑制該向下流體轉至該欲塗佈的表面側。 4·如申請專利範圍第2項之乾燥方法，其中清潔氣體係 自4塗佈薄膜形成於其上之該欲塗佈的表面下方，朝該塗 佈薄膜供應，俾抑制該向下流體轉至該欲塗佈的表面側。 5.如申請專利範圍第1項之乾燥方法，其中於該塗佈薄 膜形成於其上之該欲塗佈的表面之周圍區域處係受到遮幕 遮蔽’俾抑制該向下流體轉至該欲塗佈的表面側。 6 ·如申請專利範圍第2項之乾燥方法，其中於該塗佈薄 膜形成於其上之該欲塗佈的表面之周圍區域處係受到遮幕 遮蔽’俾抑制該向下流體轉至該欲塗佈的表面側。
第28頁 C:\2D- C0DE\92-01\91122825.ptd A 1236933 六、申請專利範圍 7. —種乾燥塗佈薄膜之乾燥方法， 其中該塗佈薄膜係藉毛細管作用提升塗佈液體，以及於 該欲塗佈的表面上掃掠噴嘴而形成，其中該塗佈液體係貯 存於該欲塗佈的表面下方，同時該基板係維持使該欲塗佈 的表面於構成向下流體的潔淨室中朝下之態勢，掃掠係經 由該喷嘴以使該上升的塗佈液體與欲塗佈的表面接觸而進 行，該方法包含以下步驟： 當該喷嘴經掃掠以局部地乾燥該塗佈薄膜時，掃掠乾燥 構件以跟隨該喷嘴。 其中該乾燥構件 其中該塗佈薄膜 (其中該塗佈薄膜 1其中該基板係為 8. 如申請專利範圍第7項之乾燥方法： 係為熱、板。 9. 如申請專利範圍第1項之乾燥方法， 係為抗姓膜。 1 0.如申請專利範圍第7項之乾燥方法 係為抗#膜。 1 1.如申請專利範圍第1項之乾燥方法 藉形成遮光膜於透明基板之一表面上而製得之空白光罩。 1 2.如申請專利範圍第7項之乾燥方法，其中該基板係為 藉形成遮光膜於透明基板之一表面上而製得之空白光罩。 1 3. —種塗佈薄膜之形成方法，包含以下步驟： 於藉如申請專利範圍第1項之乾燥方法乾燥該塗佈薄膜 後，釋放該基板之支持；且 接著使該基板與導電元件接觸。 1 4. 一種塗佈薄膜之形成方法，包含以下步驟：
C:\2D-00DE\92-01\91122825.ptd 第29頁 ㈣933 、_— 方、藉如申請專利範圍第7項之乾燥方 後，釋放該基板之支持；且 去乾燥該塗佈薄膜 接著使該基板與導電元件接觸。 一 種光罩之製造方法，包含以下舟 膜错使用如申請專利範圍第11項之乾焊^方:： 16以作為空白光罩之遮光膜上的塗；Γ 1二-種光罩之製…，包含以下佈二膜 膜f、用如申請專利範圍第1 2項之乾焊大* · 馭，以作為空白光罩之逆#晅卜μ t ‘方法 17.-種塗佈Λ /先版上的塗佈薄膜。 中，該袭置包含置，係配置於構成向下流體的潔淨室 基板寺構件，用以以基板之欲塗佈的表 =， 表面朝下之狀態支持 其係：ί:槿：以於該欲塗佈的表面上^ 抑制i::所支持·’及 -佈-塗佈液體， 該塗佈液體t y以抑制該向下流體轉至蕤％ & 18 一1 玄欲塗佈的表面側。 错该塗佈構件塗佈 ϋ •一種塗係駐 中，兮壯 置，係配置於槿忐A 该裝置包含： 構成向下流體的潔淨室 支持構件，用 基板； 基板之欲塗佈的表& 液體塔槽，係配置厂 面朝下之狀態支持 的基板表面下方；…亥支持構件支持的基板之欲塗佈 贺嘴’用以藉毛細管作用裎4 __^ 鈇升貯存於該液邊塔槽中之塗 _ C:\2D-mDE\92-01\9l 122825.ptd 第30頁 形成抗餘 形成抗I虫 1236933 六、申請專利範圍 佈液體達到該欲塗佈的表面以及使該塗佈液體與該欲塗佈 的表面接觸； 掃掠構件，用以使該喷嘴於該欲塗佈的表面上掃掠，俾 塗佈該塗佈液體於該欲塗佈的表面上；及 乾燥構件，用以局部地乾燥該塗佈薄膜； 其中該乾燥構件係掃掠該欲塗佈的表面下方，俾跟隨於 該欲塗佈的表面上之喷嘴掃掠。
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