TWI231038B - Semiconductor process and method of forming floating gate for flash memory devices - Google Patents
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Description
1231038 、發明說明（1) 發明所屬之技術領域： 本發明係有關於一種快閃記憶裝置之製造，特別是有 關於一種改善快閃記憶體之浮置閘及蝕刻輪廓（etching profile)之方法。 先前技術： 半導體記憶裝置通常包含幾種類型，例如EPR〇JJ、 EEPR0M、及快閃（f lash )記憶裝置。近來，快閃記憶裝 置’例如分離閘極式快閃記憶體，係廣泛應用於大容量非 揮發圮憶體技術。典型地，分離閘極式快閃記憶體包括一 用以儲存電荷之複晶矽浮置閘極及一控制儲存電荷之複晶 矽控制閘極。浮置閘極通常設置於控制電極下方。控制閘 極係連接至字元線，而浮置閘極則為連接至其他導線或是 部件。分離閘極式快閃記憶體的抹除效能（erase performance )主要取決於浮置閘極的尖端部以及浮置閘 即與控制閘極之間的複晶矽層間氧化物（inter —p〇iy ◦xide)厚度。熟習此技藝者皆知，浮置閘極的尖端部越 尖，記憶體單元的抹除速度越快。亦即，浮置閘極的尖端 部的輪廓決定了分離閘極式快閃記憶體的浮置閘極與斤制 閘極之間的電子傳輸速度。再者，不佳的浮置閘極輪^， 例如具有底切（undercut )或底腳（f00ting )輪靡，將 導致不必要的電子特性產生。因此，控制其輪廓係快閃記 憶體製造中一重要因素。 為了改善浮置閘極之蝕刻輪廓，有幾種方法被提出
0503-A30073™F(Nl);TSMC2003-0640;Spin.ptd 第 5 ^ ' -----------—嶋 1231038 五、發明說明（2) __^ 來。Kumar et ai·於美國專利第5, 85 1926號 用應式罩幕來蝕刻電晶體閘極的方法，其利種利 C“、HBr等餘刻氣體對電晶體閘極進行#刻，之 ^、 控制之目的。再者，Deshmukh et al•於美國專利第兩廓 6的2 3 5 21 4號揭示一種利用氟及氧氣之混合氣體來^ 的方法，以蝕刻矽基底及控制其蝕刻輪廓。再 X夕 ^於美國專利第6,509,228號揭示一種形成快閃記Un Μ 序置閘極的方法，其利用兩階段银刻程序置1之 作上述使用多重㈣氣體來控二以 =硬式單幕之具有烏嘴的厚氧化層，降低= ^ 一種傳統的餘刻輪廓控制方法係採用製程 整。然而，調整製程功率會降低钱刻製程的轟擊效° (bombarding effect)而增加蝕刻時間。 發明内容： 於此’本發明之目的在於提供一 程，適用於钱刻輪廓控制，其利用一額外的清潔製程以土 間沉積於電漿反應室内壁的聚合物層，、藉以姓刻 出具有良好餘刻輪廓的石夕層。 本發月之另目的在於提供一種快閃記憶裝置之浮置 閘，形成方法’其利用一額外的清潔製程以^ 由 置之浮置閑極期間沉積於電=應室 内壁的I合物層，藉以防止側㈣刻效應（lateral 0503 - A300737W(N1); TSMC2003 -0640; Sp i η. p t d 第6頁 五、發明說明（3) etching effect )，以形成具有良好蝕刻 且不損及其方的硬式罩幕（har“ask)。…予置閑極 根據上述之目的，本發明提供一種半導體 於蝕刻輪廓控制。提供複數基底，其中每一基^ ^用 成有一待蝕刻層及—罩幕圖案層。利用罩幕^案層作 ϋ刻罩幕，以在—電漿反瘅室中序 二a 一 於鈾釗他网 电水汉愿至τ依序蝕刻母一待蝕刻層。 ^蝕刻期間，-聚合物層係沉積於該電漿反應室之 ^ °於沉積的聚合物層達到會引起下—待㈣層被 刻之程度以前，於前後餘刻之間，纟f裝反蝕 中間清潔製程，以改善待蝕刻層之蝕刻輪廓了中實她一 再者，較佳地，中間清潔製程更包 〇2、Cl2、及SF6作為第一清潔氣體以進行3二 利用C12及阶作為第二清潔氣體以進行5〇秒的清絮、。及 之、孚目的，本發明提供-種快閃’記憶裝置 之斤置閘極形成方法。提供複數基底，依 置 形成一浮置閘極介電層及一複曰夕 母基底上 -具有鳥嘴之上蓋層：；利;复作：!:：=形成 在一電漿反應室中依序蝕刻每一複晶声，ς f幕:以 閉極介電層上形成一浮置閉極，於钱亥置 係沉積於該電漿反應室之内壁上。於、·"接 聚δ物層 會引起下-該複晶石夕層被側向㈣之3的聚合物層達到 刻之間，在電聚反應室中實於前後· 再者，較佳地，中間清潔製程更 。2、。2、聯為第一清潔氣體以進行3〇 “二：用及 1231038 五、發明說明（4) .利用Cl2及術作為第二清潔氣體以進行5G秒的清潔。 又根據上述之另一目的，本發明提供一種快 ，之浮置閘極形成方法。提供複數基底，依序在每 i形極氧化層及一複晶石夕層。在複晶石夕層：i 具有鳥嘴之厚氧化㉟，並㈣厚氧化層作為—姓二 一，以在一電漿反應室中依序蝕刻每一複晶矽層，而在每 :洋置閘極氧化層上形成一浮置閘極，於蝕刻期間，一聚 曰物層係沉積於該電漿反應室之内壁上。於沉積的聚合物 層達到會引起下一該複晶矽層被側向蝕刻之程度以前，於 前後蝕刻之間，在電漿反應室中實施一中間清潔製程。 再者’較佳地’中間清潔製程更包括下列步驟：利用 〇2、CL、及SFe作為第一清潔氣體以進行3〇秒的清潔，以及 利用C12及HBr作為第二清潔氣體以進行5〇秒的清潔。 為讓本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂， 下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細説明如 下： 、’ 實施方式： 請參照第la-Id及3圖，其中第ia —id係％示出根據本 發明實施例之形成電晶體閘極之方法剖面示意蘭，而第3 圖係繪示出根據本發明實施例之電晶體閘極製造中，蝕刻 輪廓控制之方法流程圖。 首先，進行步驟S1 0，提供一電漿反應室，例如一蚀 刻反應室。
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1231038 五、發明說明（5) 接下來，進行步驟S1 2，可在進行蝕刻製程前，於電 漿反應室中選擇性地實施一預清潔（preliminary cleaning)製程’以露出乾淨的電漿反應室之含矽内壁。 此處，預清潔製程的進行時間在8到丨2分鐘的範圍，而較 佳為1 0分鐘。在本實施例中，較佳地，預清潔製程包含以 下四個步驟。第一步驟，利用〇2、C込、及SFe作為第一清潔 氣體以進行70秒的清潔，〇2、π2、及SF6的流量分別為 2〇3〇(：111、2〇3(^111、及15〇3(^111。再者，此步驟的的製程壓 力及功率分別為15mTorr及800W。第二步驟，利用〇2、 C12、及He作為第二清潔氣體以進行2〇〇秒的清潔，〇2、
Cl2、及He 的流量分別為5〇sccm、2〇〇sccm、及2〇〇sccm。第 二步驟，利用Cl2及HBr作為第三清潔氣體以進行1 秒的清 潔’ Cl2及〇1：的流量分別為i30sccin &13〇sccin。再者，此 步驟的的製程壓力及功率分別為10mT〇rr及8〇〇w。第四步 驟，利用He作為第四清潔氣體以進行3〇秒的清潔，“的流 量分別為200 seem。再者，此步驟的的製程壓力為 lOmTorr 〇 接下來，進行步驟S14，製備複數待蝕刻的基底。第 1 a到1 b圖係繪不出上述基底其中之一的製備步驟。請參照 第1 a圖，k供一基底1 0，例如一石夕晶圓。接著，在基底 1 0 0上形成一閘極介電層11，例如，藉由熱氧化法，在其 上形成一氧化層。接著，藉由習知之化學氣相沉積（ )技術在閘極介電層11上形成一待蝕刻層2〇，例如一具 雜的複晶矽層。接著，藉由習知CVD技術或熱氧化法在待夕
五、發明說明（6) #刻層2 〇上形成一 藉由微影技術在Α μ y層3 0，例如一厚氧化矽層。之後， 。接下來，往^形成一光阻層40以覆蓋部分的罩幕層 罩幕層30，心；2圖，去除未被光阻層40所覆蓋的 的硬式罩幕屛/卩分的罩幕圖案層30a作為後續蝕刻 之製：ϊίΐ將idr之後’便完成上述基底 來，靖夂昭笛1、、置電桌反應室中以進行蝕刻。接下 叫 > 第1 c圖，藉由罩幕圖案層3 蝕刻待蝕刻；？η ^ , 令口示增wa邗馮蝕刻罩幕以 體之Η搞。:，而留下一部分的待蝕刻層20a作為電晶 之内i :。#刻期間，-聚合物層會沉積於電漿反應室 應室ί:ί底3行步驟S16，在完成㈣之後’從電衆反 =來，進行步驟S18，由操作者決定電浆反應室是 = 額外的清洗製程。此處，係於沉積的聚合物 引起下一基底10上的待蝕刻層20被侧向蝕刻而損 1 一邛为的閘極20a (如第ic圖中的虛線區域21所示）之、 魟度以則，在電漿反應室中實施一此額外的清洗製程（中 間（intermediary)清潔製程）。在本實施例中，可利用 光譜放射（optical emission spectrosc〇py，〇ES)分析 來決定是否實施額外的清潔製程。0ES係利用如反應室77内 的電漿所發射的光線來分析光線中所呈現出的波長'接著 將光線中所呈現各個不同的光譜強度（波長函數）繪出。 因此，反應室中的某種成分或是成分含量便可確定。9亦 即’在本實施例中，0ES分析可用來偵測蝕刻矽層之電聚 1231038 •五、發明說明（7) 中的矽含量，藉以決定電漿反應室是否需要實施一額外的 清洗製程。舉例而言，在沉積的聚合物層致使待蝕刻層2 〇 於光譜放射（0ES)分析中對應一4 05nm波長（對應矽之波 長）的光譜強度大於1〇〇之前，實施上述額外的清洗製 程，如第5a圖所示。
若反應室需要清潔，進行步驟S20，實施上述額外的 清洗製程並進行1到3分鐘，而較佳為2分鐘，藉以露出乾 淨的電漿反應室之含矽内壁。在本實施例中，額外的清潔 氩程包含以下兩個步驟。第一步驟，利用h、C i2、及作 為第一清潔氣體以進行30秒的清潔，〇2、ci2、及Sp6的流量 分別為2〇SCCm、2〇sccm、及i50sccm。再者，此步&的'的 製程壓力及功率分別為15mTorr &8〇〇w。第二步
Cj，HBr作為第二清潔氣體以進行5〇秒的清潔，q及肿厂的 ϊ 刀別為130sccni 及 130sccin 〇 行步ϊί2應室Λ需Λ清潔或完成上述額外的清潔製程，$ 灯步驟S22 ’操作者進m是否終止钱刻製程。 進行=6,進Λ步驟S24 ’終止钕刻製程。相反地，可 ΐ Ξ ί =，’接荖口一：待㈣的基底1 °置入電漿反應室 以進订钱刻，接者回到步驟3丨6。 在本發明的另一實施例中 入電漿反應室以進行蝕刻期間 後製程之間）實施上述額外的 接下來’請參照第ld圖， 作及從電漿反應室移出基底1 〇 ’可於依序將複數基底10置 、’在每一餘刻製程之間（前 清潔製程。 在藉由钱刻完成閘極20a製 之後’去除不再需要的罩幕
1231038 -五、發明說明（8) 案層3〇a。之後，去除閘極20a下方之外的閘極介電層 、在省知技術中，在每進行一次餘刻之後，未實施額外 的α潔製程之電漿反應室之含矽内壁會覆蓋一聚合物層。 在此種清形下’待姓刻層於光譜放射（OES )分析中對應 一405nm波^長（對應矽之波長）的光譜強度大於100 ，如 第5b圖所不，導致蝕刻期間產生較高的電漿密度並增強侧 向蝕刻效應，其乃由於閘極側壁產生較強的化學反應之 故。相反地，根據本發明之方法，電漿反應室内壁所露出 的矽表面同樣會在製作閘極期間受到電漿 =度八相低。在此種情形下，待㈣層於光譜= 強度小於m，如第5a圖所示，進而防止側向；=譜 ”由於閑極側壁產生較弱的化學反應之故。J效㊁以 改善閘極的蝕刻輪廓。再者，由於蝕刻氣體 並沒有：變，目而可避免習知技術所 …率 發明實施例之形成分離閘極式快閃 曰丁出根據本 意圖，而第3圖係繪示出根據本發明實H 方法剖面示 快閃記憶體之浮置閘極製造中，刀離閘極式 圖。 蝕刻輪廓控制之方法流程 首先，進行步驟S10，提供一電聚反應 刻反應室。 μ至，例如一蝕 接下來，進行步驟Μ2，可在進行兹刻製程前，於電 0503-A30073TWF(Nl)；TSMC2003-0640;Sp i n.p t d 第12頁 1231038 五、發明說明（9) 衆反應室中選擇性地實施一預清潔（preHminary cleaning )製程，以露出乾淨的電漿反應室之含石夕内壁。 此處’預清潔製程的進行時間在8到丨2分鐘的範圍，而較 佳為1 0分鐘。在本實施例中，較佳地，預清潔製程包含以 下四個步驟’如之前所述。 接下來，進行步驟S14，製備複數待蝕刻的基底。第 2a到2d圖係繪示出上述基底其中之一的製備步驟。請參照 第2a圖，在一基底丨00上方，例如一矽晶圓，依序沉積一 閘極介電層102、一第一導電層104、及一氮化矽層1〇6。 閘極介電層102可為藉由熱氧化法所形成之一氧化層；第 一導電層104可為一具摻雜的複晶矽層；氮化矽層1〇6可藉 由習知沉積技術而形成之，例如化學氣相沉積。 曰 接下來，請參照第2 b圖，在氮化矽層1 〇 6上方形成一 具有浮置閘極圖案之光阻層1〇8。接著，去除未被^阻声 108所覆蓋的氮化矽層1〇6，以在其中形成一開口 1〇9二 出一部分的第一導電層104。 路 接下來，請參照第2c圖，去除光阻層1〇8。接著， 開口 109中露出的第一導電層104上方形成一具有 。，例如一氧化石夕層’以作為後續钮刻之：a 式罩幕。之後，去除氮化矽層106以露出未被且有 ll〇a的厚上蓋層110所覆蓋的第一導電層1〇4 /如第% 示，如此便完成上述基底100之製備。接著，將基底丨圖斤 入一電漿反應室中以進行蝕刻。 置 接下來，請參照第2e圖，藉由上蓋層11〇作為硬式罩
1231038 五、發明說明（10) --- 幕以去除露出的第一導電層104，藉以形成在頂部角落112 具有尖端部之浮置閘極丨04a。在蝕刻期間，一聚合物層會 沉積於電衆反應室之内壁。 接下來，進行步驟S16，在完成蝕刻之後，從電漿反 應室移出基底1 0 0。 接下來，進行步驟S18，由操作者決定電漿反應室是 否需要實施一額外的清洗製程。此處，係於沉積的聚合物 層^到會引起下一基底1 〇 〇上的第一導電層i 〇 4被側向蝕刻 而損失一部分的浮置閘極1 〇 4 a及圓化頂部角落11 2 (如第 2e圖中的虛線區域113所示）之程度以前，在電漿反應室 :實施一此額外的清洗製程（中間清潔製程）。舉例而 5，在沉積的聚合物層致使第一導電層1〇4於光譜放射 (0ES)分析中對應一4〇5nm波長（對應矽之波長）的光譜 強度大於100之前，實施上述額外的清洗製程，如第5a " 所示。 若反應室需要清潔，進行步驟S2〇，實施上述額外的 清洗製程並進行1到3分鐘，而較佳為2分鐘，藉以露出乾 淨的電漿反應室之含矽内壁。在本實施例中，額外的清^ 製程包含以下兩個步驟，如之前所述。 /' 若反應室不需要清潔或完成上述額外的清潔製程，進 行步驟S22，操作者進一步決定是否終止蝕刻製程。 接下來，進行步驟S24，終止蝕刻製程。相反地，可 進行步驟S26，將下一個待蝕刻的基底丨00置入電漿反應室 以進行蝕刻，接著回到步驟s 1 6。
1231038 五、發明說明（11) 在本發明的另一 f 置入電漿反應室以進行韻 門可=序將複數基底10 0 (Μ ^ ^ Α 月間，在母一蝕刻製程之間 iii間）實施上述額外的清潔製程。 序开：ί:請ί照第“圖，在浮置閑極购的-侧，依 ^-er-P01y oxide, IP0) 蓋邙八& :a u，例如一具摻雜的複晶矽層，並覆 二蓋f110,其中第二導電層116係作為控制ϊ β a便兀成分離閘極式快閃記憶體結構之製作。 在習知技術中，在每進行—呤鈾 ._ ^ ^ , ，奸插電應至之含矽内壁會覆蓋-聚合物層。 一\W待蝕刻層於光譜放射（oes)分析中對應 nm波^長（對應矽之波長）的光譜強度大於丨⑽，如 a ^ ^所不，導致蝕刻期間產生較高的電漿密度並增強側 向蝕刻效應，#乃由於浮置閘極侧壁產生較強的化學反應 =故。相反地，根據本發明之方法，電漿反應室内壁所露 出的矽表面同樣會在製作浮置閘極期間受到電漿蝕刻作 用：使得電漿密度相對降低。在此種情形了，待蝕刻層於 光μ放射（OES)分析中對應一4〇5nm波長（對應矽之波長 )的光譜強度小於100 ，如第5a圖所示，進而防止側向蝕 刻效應，其乃由於浮置閘極側壁產生較弱的化學反應之 故。因此，可以改善閘極的蝕刻輪廓而增加快閃記憶裝置 之抹除效能。再者，由於蝕刻氣體以及製程功率並沒有改 變’因而可避免習知技術所衍生的問題。 最後，凊參照第4圖，其繪示出抹除效能改善率（％ ) 0503-A30073TW(Nl)；TSMC20〇3-0640;Spin.ptd 第15頁 1231038 I' 五、發明說明（12) 限定本發明，任何熟習此項技藝者，在ί脫非用以 神和範圍内，當可作更動斑Μ雜 X明之精 §視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ，、濩範圍
0503-A30073TWF(Nl);TSMC2003-0640;Spin.ptd 第16頁 與晶圓蝕刻順序（批貨）之 、、- 線τ係指電漿反應室令未實施顧曲線圖。在第 而曲線"B"係指根據本發明之方$外的清潔製程之 額外的清潔製兹夕眛r 4 ’於電鑛。 古♦ k ^I #情形。如第4圖所干 反應室中實施 二：施：外的清潔製程’抹除效能係若電製反應室中 曰口而降低。另外，若電漿反應室中、：：飪刻晶圓的數量 程，隨著蝕刻晶圓的數量增加 ：：的清潔製 雖然本發明已以舫佔眘# y，示效此係大體不變。 1231038 圖式簡單說明 第1 a到1 d圖#絡一 , 閘極之方法剖面示意：出根據本發明實施例之形成電晶體 第2 a到2 f圖係格一 ， ，> r、 極式快閃記憶結構^出根據本發明實形成分離閑 m 〇 JS, ^ ^ ^万法剖面示意圖。 iM圖係、、、曰不出根體 及分離閘極式快閃記怜/發月貫施例之\，私方丨& 制之方法流程圖。隐體之浮置閘極製造中餘刻輪靡控 第4圖係繪示出技^ (批貨關係曲線圖除效能改善率（％)與晶圓姓刻順序 第5 a圖係綠示出柄 層期間之光譖放射，： = = 反應室中蝕刻-矽 )之光譜強度。出對應於矽之波長（ 405nm 第5 b圖係繪示出習知杜 期間未實施額外清潔製程之：譜放：J應= 矽之波長（405nm )之光譜強度。 並顯不出對應於 符號說明 10、100〜基底； 2 0〜待蝕刻層； 21、113〜虛線區域 30a〜罩幕圖案層； 104〜第一導電層； 1 0 6〜氮化矽層； 1 0 9〜開口； 11、1 0 2〜閘極介電層 20a〜閘極； θ 3 0〜罩幕層； 4 0〜光阻層； 104a〜浮置閘極； 1 0 8〜光阻層； 110〜上蓋層；
1231038 圖式簡單說明 11 0 a〜鳥嘴； 11 2〜頂部角落； 11 4〜複晶矽層間氧化層； 116〜第二導電層。 第18頁 0503 - A30073TWF( Nl); TSMC2003 - 0640; Sp i n. p t d
Claims (1)
1231038
包括下列 •種半導體製程’適用於鍅刻輪廊控制 步驟： 提供複數基底，其中每一 餘刻層及一罩幕圖案層；以及 該等基底上依序形成有一待 利用該罩幕圖案層作為一蝕刻罩幕，以在一電漿反應 至中依序蝕刻每一該等待蝕刻層，於蝕刻期間，一聚合^ 層係沉積於該電漿反應室之内壁上； '口 其中於該沉積的聚合物層達到會引起下一該待蝕刻層 被侧向姓刻之程度以前，於前後蝕刻之間，在該電漿反應 室中實施一中間清潔製程。 ’ … 2·如申請專利範圍第1項所述之半導體製程，其中該 待蝕刻層係一複晶矽層。 3·如申請專利範圍第2項所述之半導體製程，其中在 該沉積的聚合物層致使該待蝕刻層於光譜放射（0ES)分 析中對應一405nm波長的光譜強度大於100之前，實施該中 間清潔製程。 4.如申請專利範圍第1項所述之半導體製程，其中該 罩幕圖案層係一氧化石夕層。 5·如申請專利範圍第1項所述之半導體製程，其中於 每一蝕刻之間實施該中間清潔製程。 6.如申請專利範圍第1項所述之半導體製程，其中該 中間清潔製程之進行時間在1到3分鐘的範圍。 7 ·如申請專利範圍第6項所述之半導體製程，其中該 中間清Ά製程更包括下列步驟·
〇503-A30073WF(Nl) ；TSMC2003-0640;Spin.ptd 第 19 頁 1231038 六、申請專利範圍 利用〇2、C12、及sf6作為第z清潔氣體以進行3〇秒的清 潔；以及 利用C“及HBr作為第二清潔氣體以進行5〇秒的清潔。 一 8.如申請專利範圍第1項所述之半導體製程，於放置 該等基底於該電漿反應室之前，更包括對該電漿反應室實 施一預清潔製程。 4 9 ·如申凊專利範圍第8項所述之半導體製程，其中該 預清潔製程之進行時間在8到〗2分鐘的範圍。 … 10·如申凊專利範圍第8項所述之半導體製程，其尹該 預清潔製程更包括下列步驟·· 潔； 利用〇2、C〗2、及SFe作為第一清潔氣體以進行秒的清 清潔； 利用〇2、Cls、及He作為第二清潔氣體以進行2〇〇秒的 利用C“及HBr作為第三清潔氣體以進行15〇秒的清潔； 以及 利用He作為第四清潔氣體以進行3〇秒的清潔。 11. 一種快閃忆憶裝置之浮置閘極形成方法，包括下 列步驟： 提供複數基底； 依序在每一該等基底上形成—浮置閘極介電一複 晶矽層； 在該複晶t層上形成一具有鳥嘴之上蓋層；以及 利用該上盍層作為一蝕刻罩幕’以在一電漿反應室中
0503-A30073TW(Nl);TSMC2003-0640;Spin.ptd 第20頁 £231038 六、申請專利範圍 __ ，序蝕刻每一該等複晶矽層， 一 =上形成一浮置閘極，於蝕刻母一該等浮置閘極介電 ^電漿反應室之内壁上； 聚合物層係沉積於 、其中於該沉積的聚合物声读& a 被侧向蝕刻之程度以前，&紅會引起下一該複晶矽層 室令實施一中間清潔製程。、則後蝕刻之間，在該電漿反應 1 2.如申請專利範圍第丨〗 置閉極形成方法，其中於每之之快=記憶^置之浮 程。 j之間實施該中間清潔製 分鐘的範圍。”中該中間^製程之進行時間在1到3 置間1二申Λ專利範圍第13項所述之快閃記憶裝置之浮 置間極形成方法，該中間清潔製程更包括下列步驟： 利用〇2、Clz、及sFe作為第一清潔氣體以進行3〇秒的清 泳，以及 利用C12及HBr作為第二清潔氣體以進行50秒的清潔。 1 5 ·如申請專利範圍第11項所述之快閃記憶裝置之浮 置閉極形成方法，於放置該等基底於該電漿反應室之前， 更包括對該電漿反應室實施一預清潔製程。 1 6 ·如申請專利範圍第丨5項所述之快閃記憶裝置之浮 置閑極形成方法，其中該預清潔製程之進行時間在8到1 2 分鐘的範圍。 0503-A30073TW(Nl)；TSMC2003.0640;Spin.ptd 第21頁 1 7·如申請專利範圍第1 6項所述之快閃記憶裝置之浮 1231038 六、申請專利範圍 置閘極形成方法，其中該預清潔製程更包括下列步驟： 潔利用〇2、Clz、及SFe作為第〆清潔氣體以進行^秒的清 利用〇2、C12、及He作為第二清潔氣體以進行2〇〇秒的 清潔； 利用C12及HBr作為第三清潔氣體以進行15〇秒的清潔； 以及 ' 利用He作為第四清潔氣體以進行30秒的清潔。 1 8·如申請專利範圍第11項所述之快閃記憶裝置之浮 置閘極形成方法’其中在該沉積的聚合物層致使該複晶石夕 層於光譜放射（0ES)分析中對應一 405nm波長的光譜強度 大於1 0 0之前，實施該中間清潔製程。 1 9.如申請專利範圍第丨丨項所述之快閃記憶裝置之浮 置閘極形成方法，其中該浮置閘極介電層係一氧化矽層。 2 0 ·如申請專利範圍第11項所述之快閃記憶裝置之浮 置閘極形成方法，其中該上蓋層係一氧化矽層。 21· —種快閃記憶裝置之浮置閘極形成方法，包括下 列步驟： 提供複數基底； 依序在母一該等基底上形成一浮置閘極氡化層及一複 晶石夕層； 在該複晶矽層上形成一具有鳥嘴之氧化層；以及 利用該氧化層作為一蝕刻罩幕，以在一電漿反應室中 依序#刻每一該等複晶矽層，而在每一該等浮置閘極氧化
1231038 六'申請專利範圍 層上形成一浮置閘極，於蝕刻期間 該電漿反應室之内壁上，· 聚合物 層係 /兄積於 其中於每一蝕刻之間，在該 製程以去除該沉積的聚合物層。，反應室中實A 22·如申請專利範圍第21項所述 汽知 置閘極形成方法，其中該清潔製程之進行柯記憶裝置之 的範圍。 間在1到3分j 23·如申請專利範圍第22所述之快閃記憶裴置 % w二、&、· “更包括下列步驟序 清潔 置閘極形成方法，該中間清潔製择 利用〇2、C12、及SFe作為第 潔；以及 利用C12及HBr作為第二清潔氟 清潔氣體以進行30秒的清 以進行5 0秒的清潔。
0503-A30073TWF(Nl)；TSMC2003-0640;Spin.ptd 第23貢
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