TWI227364B - Electro-optical device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus - Google Patents

Description

1227364 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係屬於光電裝置及該製造方法以及電子機器之 技術領域，尤其，屬於設置連接基板上之開關元件及畫素 電極的連接孔的光電裝置及該製造方法，以及具備如此光 電裝置所成爲特徵之電子機器的技術領域。 【先前技術】 經由具備排列成矩陣狀之畫素電極及連接於該各電極 之薄膜電晶體（以下稱「TFT」），設於連接於各該TFT ，平行於各行及列方向的掃瞄線及資料線等，可進行所謂 主動矩陣驅動的光電裝置。 如此之光電裝置中，除了上述TFT、掃瞄線及資料線 ，具備伴隨TFT形成蓄積容量等之TFT陣列基板、形成 對向配置於此之共通電極的對向基板，以及挾持於TFT 陣列基板及前述共通電極間之液晶等的光電物質，於前述 畫素電極及前述共通電極間，設置特定之電位差，將前述 光電物質之狀態，按每畫素變化，而可顯示畫像者。例如 光電物質爲液晶時，每畫素之光電物質之狀態變化，乃意 味每；畫素之光透過率之變化，由此可進行畫像顯示。 然而，於前述TFT陣列基板上，TFT、掃瞄線及資料 線等之各種構成要素成爲堆積構造加以形成者爲一般的。 例如，由基板面順序地爲TFT、層間絕緣膜、蓄積容量（ 下部電極、介電質膜及上部電極）、其他之層間絕緣以及 -6- 1227364 (2) 資料線等。然而，前述畫素電極通常乃做爲如此堆積構造 之最上層部分之一部分被加以設置，又，前述光電物質爲 液晶之時，於該畫素電極上，設置將液晶排列保持於特定 狀態之配向膜。 此時，於各種構成要素間，於此等間，爲了不產生電 氣性短路等，如上所述，形成矽氧化膜、矽氮化膜等所成 層間絕緣膜，與此同時，例如於TFT之汲極及畫素電極 間之其他之特定構成要素間，需要達成電氣性連接之故’ 於前述層間絕緣膜之特定處，設置爲此之連接孔。此連接 孔一般而言，經由對於層間絕緣膜之乾蝕刻加以形成。 【發明內容】 但是，於具有如此構造之光電裝置中，有以下之問題 點。即，如上所述，於層間絕緣膜，雖設有連接孔，但會 有因爲如此，而損及堆積層構造物之平坦性。例如，於最 上層部分，例如於前述配向膜，有可能形成對應於做爲該 下層所設置之連接孔的位置之凹部。此乃因爲如連接孔之 名稱，於內部具有空洞部分。 如此，於配向膜形成凹部時，對應於此，於液晶之配 向狀態，會有產生混亂之疑慮，而導致畫像品質之下降。 例如，於液晶之配向狀態，經由產生混亂，原本是要顯示 於該整面以黑色塗滿之畫像，由於前述混亂部分所產生之 漏光，而招致對比之下降。 又，如此之漏光，並非僅經由上述凹部而產生，亦有 (3) 1227364 由於連接孔存在本身所產生之原因。由此，連接孔乃如前 述，由於在於該內部具有空洞部分，因此易於產生光之透 過。 本發明乃有鑑於上述問題而成者，經由消除起因於形 成於基板上之堆積構造物中的連接孔的漏光等，而可提供 顯示高品質畫像之光電裝置及電子機器爲課題。 本發明之光電裝置，係具備形成於基板上之畫素電極 ，和對應於前述畫素電極加以配置之開關元件，和較前述 開關元件爲上，且較前述畫素電極爲下而形成之層間絕緣 膜，和形成於前述層間絕緣膜，電氣性連接前述開關元件 和前述畫素電極之連接孔，和塡充於前述連接孔之內部的 導電性材料的塡充材。 根據本發明之光電裝置時，例如於開關元件之一例之 薄膜電晶體，供給畫像信號，經由連接配線之一例的資料 線，以資料線、薄膜電晶體、連接孔及畫素電極的路徑， 可於該畫素電極供給畫像信號。由此，配設對向於畫素電 極的液晶等之光電物質，且挾持該光電物質地配設共通電 極時，於畫素電極及共通電極間，產生電位差，變化光電 物質之狀態，即該光電物質液晶時，可變化光之透過率， 進而進行畫像之顯示。 在此，尤其於本發明中，爲達成開關元件及畫素電極 間之電氣性連接，利用形成於存在於兩者間之層間絕緣膜 的連接孔的同時，於該連接孔之內部之所有範圍，具備導 電性材料所成塡充材。 -8- 1227364 (4) 根據此時，當然可有效實現開關元件及畫素電極間之 電氣連接，經由前述塡充材之作用，較以往可確實電氣連 接。因爲，連接孔和開關元件、或連接孔和畫素電極的接 觸部分中，經由存在導電性材料所成塡充材，可減低該阻 抗値。 又，本發明中，尤其經由前述塡充材之存在，可得以 下之作用。即，根據該塡充材，如以往之連接孔之內部不 會如以往保持成爲空洞之故，於形成於該連接孔上之堆積 構造物，不形成凹部等。由此，例如於前述畫素電極上’ 設置配向膜之時，於該配向膜不形成凹部，因此，接觸此 之液晶配向狀態上，不會產生混亂之故，例如可極力抑制 對比下降所造成畫像品質之烤化等的現象產生。又，如以 往，將前述空洞直接透過之光線，在於原理上會完全消除 之故（因爲空洞被置換爲塡充材而不存在），由此，可避 免畫像品質之劣化。 如以上所述，根據本發明時，可顯示更高品質之畫像 〇 然而，做爲塡充材之具體形態，如後述之本發明之各 種形態所觸及，具備遮光性材料、透明導電性材料等之性 質者爲佳，於本發明中，非特別對於此塡充才之具體形態 加以限定者。即’基本上使用任何材料’塡充連接孔之內 部皆可。因此，做爲本發明所稱「導電性材料所成塡充材 」，可利用任何種類之金屬材料。 又，做爲本發明所稱「開關元件」，除了上述所述薄 -9 - (5) 1227364 膜電晶體之外，例如由薄膜二極體、體電晶體等之2端子 型或3端子型之開關元件所成亦可。 本發明之光電裝置之其他形態中，則於前述層間絕緣 膜之表面，施以平坦化處理。 根據此形態時，層間絕緣膜表面由於經由平坦化處理 而平坦化，幾乎無於畫素電極、配向膜等產生階差或凹部 等之疑慮。 又，有關於本發明者，尤其於連接孔之內部，經由形 成塡充材，於該形成之後，該塡充材較層間絕緣膜突出存 在，代替未形成如以往之凹部，形成有凸部。根據本形態 時，存在有如此之突出部分以至於凸部時，可進行該平坦 化之處理。 因此，根據本形態時，對於起因於階差之光洩漏等， 造成畫像品質劣化之事態，可防範於未然。 然而，本形態所稱「平坦化處理」具體而言例如相當 於CMP處理、或深蝕刻處理等，除此之外當然可利用種 種之平坦化技術。 在此，CMP處理一般而言爲旋轉被處理基板和硏磨 布之兩者，擋接各表面間的同時，經由供給於該擋接部位 包含矽石粒等之硏磨液，將被處理基板，經由兼顧機械作 用和化學作用加以硏磨，平坦化該表面之技術。 又，深蝕刻處理係在一般而言，於具有凹凸之表面上 ，將具有光阻劑或SOG (旋塗玻璃）膜等之平坦性的膜， 攸爲犧牲膜加以形成之後，將對於此犧牲膜的蝕刻處理， -10- (6) 1227364 到達存在前述凹凸之表面地加以執行（由此 化），平坦化該表面之技術者。惟，於本發 施上述之犧牲膜不一定需要。例如，在於滿 之空間之上，（即由連接孔會溢出），至層 面，過剩形成塡充材所成之膜後，將除了連 該過剩部分，經由完全蝕刻，僅於該連接孔 殘存塡充材之形態的同時，顯現平坦之表面 本發明之光電裝置之一形態爲前述塡充 材料所成。 此形態時，塡充材爲遮光性材料所成之 連接孔爲原因之光洩漏，可更確實地加以防 進行經由塡充材所遮蔽之故，如以往，穿過 洞之連接孔的光線，則幾乎無混入於畫像上 ’於畫像上，幾乎沒有無用之光的混入，對 ’顯不更局品質之畫像。 又，與塡充材遮掩光線的同樣理由，根 前述開關特性元件則例如由薄膜電晶體所成 薄膜電晶體之半導體層，可防止對於該通道 於未然。由此，可極力抑制光泄放電流之產 ’可顯示不產生閃爍的高品質之畫像。 然而，做爲本形態所稱「遮光性材料」 例如可爲包含Ti (鈦）、Cr (鉻）、W (鎢 、Mo (鉬）等中之至少一個之金屬單體、 化物、多矽化物，將此等堆積者等亦可。 ，凹凸則都均 明中，亦可實 足連接孔內部 間絕緣膜之表 接孔之範圍之 之內部，形成 的處理。 材係由遮光性 故，由於設置 止。即，光之 由其內部爲空 之疑慮。由此 於上述亦增加 據本發明時， 之時，構成該 範圍入射光線 生，於畫像上 ，具體而言， )、Ta (鉅） 合金、金屬砂 -11 - 1227364 (7) 本發明之光電裝置之其他形態中，前 明導電性材料所成。 根據此形態時，可由與畫素電極同樣 充材。此係畫素電極通常爲I TO、IZO等 所成之故。因此，根據本形態，可將形成 成膜之步驟，和於連接孔內部形成塡充材 機會下實施，可達成其相對應製造成本之 又’於此時’連接孔之長度則一般而 層部分之一部分加以設置之畫素電極的厚 塡充材以透明導電性材料構成時，該塡充 應之光遮蔽效果。（即，愈厚透明度愈差 )。因此’雖有劣於上述遮光性材料之可 形態時’可發揮連接孔之光洩漏防止之作 本發明之光電裝置之其他形態中，於 表面，形成塗敷構件，前述塡充材係形成 根據此形態時，於連接孔之內部，形 充材之「一層構造」（換言之，「內層（ 「外層（=塗敷構件）所成構造」。由此 件’使用更導電率高的材料，於塡充材， 性能更高的材料等之形態，可實現上述各 和。又，前述各種作用效果中，實現重視 組合（例如、更提高遮光性能等）、可進 效果之發現形態之調整。 述塡充材係由透 之材料構成該塡 之透明導電材料 畫素電極以至於 之步驟，於同一 減低。 言，較做爲最上 度爲大之故，使 材可期望發揮對 ，光不能被透過 能性，但經由本 用。 前述連接孔之內 於前述塗敷構件 成塗敷構件和塡 :=塡充材）」及 ，例如於塗敷構 可採用利用遮光 種作用效果之調 任一者等之適切 行前述各種作用 -12- (8) 1227364 本發明之光電裝置，係爲解決上述課題具備形成於基 板上之畫素電極，和對應於前述畫素電極加以配置之開關 元件，和較前述開關元件爲上，且較前述畫素電極爲下而 形成之層間絕緣膜，和形成於前述層間絕緣膜，電氣性連 接前述開關元件和前述畫素電極之連接孔，和形成於前述 連接孔之內表面之導電性之塗敷構件，和塡充於前述連接 孔之內部的導電性材料的塡充材。 於此形態中，尤其，前述塡充材係由聚醯亞胺材料所 成爲佳。 根據此構成時，於畫素電極上，通常形成聚醯亞胺材 料所成配向膜，與上述塡充材由導電性材料所成之時同樣 ，可簡化製造步驟，即於配向膜之成膜步驟中，可同時實 施塡充材之形成工程，可達該相對應部分製造成本之減低 〇 然而，於本形態中，塡充材未由導電性材料所成之故 ，有關本形態之塗敷構件則導電性材料所成的話，可電氣 性連接開關元件及畫素電極間，此時，塡充材無需由導電 性材料所成。因此，於上述中，塡充材呈由聚醯亞胺材料 所成。不同之情形下，代替此，爲氧化物、氮化物等其他 之絕緣性材料所成之形態亦可。 本發明之光電裝置之其他形態中，前述畫素電極排列 成爲矩陣狀，更且具備電氣連接於做爲前述開關元件之薄 膜電晶體，矩陣狀配置之掃瞄線及資料線，和對應於前述 掃瞄線及資料線加以設置之遮光範圍；前述連接孔係位於 -13 - (9) 1227364 前述遮光範圍內。 根據此形態時，連接孔經由形成於遮光範圍內，可達 成開口率之提升。又，該遮光範圍中，掃瞄線及掃瞄線之 外，可形成遮光膜之故，可更減少到達連接孔之光線。因 此，根據形態時，可顯現起因連接孔難以產生光洩漏之構 成，伴隨關於本發明之塡充材之上述各種作用，可發揮更 r%品質之顯不品質。 本發明之光電裝置之製造方法，乃爲解決上述課題包 含於基板上，形成開關元件之工程，和於前述開關元件上 ，形成層間絕緣膜之工程，和於前述層間絕緣膜，形成通 過前述開關元件之半導體層之連接孔的工程，和於前述連 接孔之內部，形成導電性材料所成之塡充材的工程，和於 前述層間絕緣膜上，電氣連接前述塡充材地，形成透明導 電性材料所成薄膜，以此爲畫素電極的工程。 根據本發明之光電裝置之製造方法，可適切製造上述 之本發明之光電裝置。 又，本發明之「形成塡充材之工程」和「畫素電極之 工程」，則由於情況，可成同時實施之形態。於此時，形 成畫素電極，即形成塡充材（相反亦可），兩者係例如做 爲同一之導電性材料所成同一膜加以形成。如此之時，可 減少該相對應部分之製造成本。 更且，於本發明中，「形成通過開關元件之連接孔」 乃當然包含爲直接通過開關元件之半導體層地，形成此之 情形。 -14- 1227364 (10) 又，例如與該連接孔雖無直接的接點，但包含存在與 該連接孔接觸之中繼層、與該中繼層接觸之其他之連接孔 ，開關元件之半導體層係與其他之連接孔接觸之情形。 即，上述所稱「通過」乃指關於本發明之連接孔和開 關元件之半導體元件之半導體層，直接或間接電氣性接觸 者。 又，本發明之光電裝置之製造方法，爲解決上述之課 題’於基板上，形成開關元件之工程，和於前述開關元件 上’形成層間絕緣膜之工程，和於前述層間絕緣膜，形成 通過前述開關元件之半導體層之連接孔的工程，和於前述 連接孔之內部，形成塡充材的工程。 根據本發明之光電裝置之製造方法時，上述本發明之 光電裝置中，可適切形成於連接孔之內表面，具備塗敷構 件者。 本發明之光電裝置之製造方法之一形態中，於形成前 述塡充材之工程後，更包含對於包含形成前述連接孔之部 分的前述層間絕緣之表面，施以平坦化處理的工程。 根據此形態時，經由平坦化處理，例如經由貫通孔部 分之塗敷構件或塡充材之形成過剩，形成突出部分或凸部 之時’可將此「均化」，使整體顯現出平坦之面。 然而’本形態所稱「平坦化處理」，係如所述相半當 於？ CMP處理、或深蝕刻處理等。 又’本發明之光電裝置之製造方法中，如上所述，同 時實施「形成塡充材之工程」和「畫素電極之工程」時， -15- (11) Ϊ227364 靥間絕緣膜上之畫素電極及貫通孔內之塡充材經由同一之 材料，於同一機會形成的同時，該材料則接受平坦化處理 者。 本發明之電子機器，係爲解決上述問題，具備上述本 發明之光電裝置。 根據本發明之電子機器時，由於具備上述本發明之光 電裝置，可實現顯示起因於連接孔之對比降低等之畫像品 質不下降的高品質畫像之投射型顯示裝置（液晶投影機） 、液晶電視、攜帶型電話 '電子筆記本、文字處理機、觀 景型或監視直視型之攝錄放影機、工作站、電視電話、 p〇s終端、觸控面板等之各種電子機器。 本發明之如此作用及其他優勢可以下之實施形態明白 了解。 【實施方式】 以下，對於本發明之實施形態，參照圖面加以說明。 以下之實施形態乃將本發明之光電裝置適用於液晶裝置者 (第1實施形態） 首先，對於本發明之第1實施形態之光電裝置之畫素 部的構成，參照圖1至圖3加以說明。在此，圖1乃構成 光電裝置之畫像顯厚範圍之形成成爲矩陣狀之複數之畫素 的各種元件、配線等之等價電路。又，圖2係形成資料線 •16- (12) 1227364 、掃瞄線、畫素電極等之TFT陣列基板之相鄰複數畫素 群的平面圖，圖3係圖2之A-A’剖面圖。然而，圖3中 ，爲使各層·各構件，在圖面上成爲可辨識程度的大小， 於每各層·各構件，給予不同的比例尺。 於圖1中，於構成第1實施形態之光電裝置之畫像顯 示範圍形成成爲矩陣狀之複數畫素中，各形成畫素電極 9a和爲開關控制該畫素電極9a之TFT30，供給畫素電極 9a的資料線6a則電氣連接於該TFT30之源極。寫入至資 料線6 a的畫像信號S 1、S 2、…、S η依此順序線順序供給 亦無妨，對於相鄰接之複數之資料線6a間，供於每一群 亦可。 又，於 TFT30之閘極電氣連接掃瞄線3a，以特定之 時間，於掃瞄線3a脈衝性地將掃瞄信號Gl、G2、...、 Gm，依此順序線順序加以施加地構成。畫素電極9a乃電 氣連接於TFT30之汲極，將開關元件之TFT30.，經由於 一定期間關閉該開關，將由資料線6a供給之畫像信號S 1 、S2、…、Sn，以特定之時間加以寫入。 藉由畫素電極9a，寫入至做爲光電物質之一例之液 晶的特定位準的畫像信號SI、S2、…、Sn，與形成於對 向基板的對向電極間，保持一定期間。液晶乃經由施加之 電壓位準，藉由分子集合之配向或秩序變化，調變光線， 而可顯示色階。在正常白模式中，對應於各畫素單位施加 之電壓，減少對於入射光之透過率，如爲正常黑模式時， 對應於各畫素單位施加之電壓，增加對於入射光之透過率 -17· (13) 1227364 ’就整體而言，由光電裝置射出具有對應畫像信號之對比 的光線。 爲防止在此保持之畫像信號被泄放，與形成於畫素電 極9a和對向電極間的液晶容量並列，附加蓄積容量70。 此蓄積容量70乃並排於掃瞄線3a設置，包含固定電位側 容量電極的同時，包含固定於定電位之容量線300。 以下，對於實現上述資料線6a、掃瞄線3a、TFT30 等秉成上述電路動作的光電裝置之更現實的構成，參照圖 2及圖3加以說明。 首先，有關第2實施形態所成光電裝置乃如圖2-A· A ’線剖面圖之圖3所示，具備透明之TFT陣列基板1 0、 和對向配置於此之透明之對向基板20。TFT陣列基板10 乃例如石英基板、玻璃基板、矽基板等所成，對向基板 20乃例如玻璃基板或石英基板所成。 如圖3所示，於TFT陣列基板1 0中，設置畫素電極 9a，於該上側，設置施以平磨處理等之特定之配向處理的 配向膜16。畫素電極9a乃例如由ITO膜等之透明導電性 膜所成。另一方面，於對向基板20，於該整面，設置對 向電極21，於該下側，設置施以平磨處理等之特定之配 向處理的配向膜22。對向電極21亦與上述畫素電極9a 同樣，例如由ITO膜等之透明導電性膜所成。然而，前述 之配向膜16及22乃例如由聚醯亞胺膜等之透明有機膜所 成。 另一方面，於圖2中，前述畫素電極9a乃於TFT陣 -18- (14) 1227364 列基板10上，成爲矩陣狀複數設置（經由點線部9a’顯示 輪廓），各沿暮畫素電極9a之縱橫之境界，設置資料線 6a及掃瞄線3a。資料線6a係由鋁膜等之金屬膜或合金膜 所成。又，掃瞄線3 a乃以半導體層1 a中圖中右上之斜線 範圍所示通道範圍la’地加以配置，掃瞄線3a係做爲閘極 電極加以工作。即，於掃瞄線3 a和資料線6a之交叉處， 各於通道範圍la’ ，設置掃瞄線3a之條線部做爲閘極電 極對向配置之畫素開關用之TFT3 0。 TFT30 乃如圖 3 所示，具有 LDD ( Lightly Doped Drain )構造，做爲該構成要素，如上所述，具有做爲閘 極電極工作之掃瞄線3 a，例如具備經由多矽膜所成掃瞄 線3a之電場形成通道之半導體層la之通道範圍la’ 、 包含絕緣掃瞄線3a.和半導體層la之閘極絕緣膜的絕緣膜 2、半導體層1 a之低濃度源極範圍1 b及低濃度汲極範圍 1 c以及高濃度源極範圍1 d及高濃度汲極範圍1 e。 然而，TFT30係較佳爲如圖3所示，雖具有LDD構 造，於低濃度源極範圍1 b及低濃度汲極範圍1 c，具有不 進行不純物之植入的偏移構造亦可，將掃瞄線3a之一部 分所成閘極電極，做爲光罩以高濃度植入不純物，自我整 合地，形成高濃度源極範圍及高濃度汲極範圍之自我校準 型之TFT亦可。又，於第1實施形態中，將畫素開關用 TFT30之閘極電極，於高濃度源極範圍Id及高濃度汲極 範圍1 e間，配置2個以上之閘極電極亦可。如此’以雙 閘極、或三閘極以上構成TFT時，可防止通道和源極及 -19- (15) 1227364 汲極範圍之接合部之泄放電流，可減低開閉時之電流。更 且，構成TFT30之半導體層la係可爲非單結晶層，單結 晶層。於單結晶層之形成，可使用貼合等之公知方法。將 半導體層la成爲單結晶層時，尤其可達成周邊電路之高 性能化。 另一方面，於圖3中，蓄積容量70則做爲連接於 TFT30之高濃度汲極範圍le及畫素電極9a的畫素電位側 容量電極之中繼層71，和做爲固定電位側容量電極之容 量線300的一部分，藉由介電質膜75，經由對向配置而 形成。根據此蓄積容量70時，可顯著提高畫素電極9a之 電位保持特性。 中繼層7 1係例如做爲導電性之多矽膜所成畫素電位 側容量電極加以工作，惟，中繼層71係與後述容量線 3〇〇同樣，由包含金屬或合金之單一層膜或多層膜構成亦 可。中繼層7 1係做爲畫素電位側容量電極之工作之外， 藉由連連接孔 83及85，具有中繼連接畫素電極9a和 丁FT30戍高濃度汲極範圍le的功能。 利用如此中繼層71時，層間距離例如爲2000nm程 度之長度時，迴避令兩者間以一個連接孔連接之技術的困 難性，以較小口徑之二個以上之串列連接孔’將兩者間良 好地連接，可提高畫素開口率。又，可做爲連接孔開孔時 之蝕刻之貫穿防止加以工作。 容量線3 00係例如做爲由包含金屬或合金的導電膜所 成，做爲固定電位側容量電極加以功能。此容量線300係 -20- (16) 1227364 由平面視之時，如圖2所示，重疊於掃瞄線3 得加以形成。更具體而言，容量線3 0 0係沿掃 伸之主線部，和由圖中與資料線6 a交叉之各 線6 a ’向上向各別突出之突出部，和對應於連 些微束縛之束縛部。其中突出部係利用掃瞄線 圍及資料線6a下之範圍，貢獻於蓄積容量70 的增大。 如此之容量線3 00係較佳由包含高融點金 遮光膜，除了做爲蓄積容量70之固定電位側 功能外’於TFT30之上側，具有做爲由/ tft3〇 ° 又，容量線3 00係較佳爲由配置畫素電極 顯示範圍l〇a，延伸設置於該周圍，與定電位 ，成爲固定電位。做爲如此定電位源，可伙供 動電路1 0 1之正電源或負電位源，亦可爲供」 20之對向電極21的定電位。 介電質膜7 5係如圖3所示，例如由膜厚 度之較薄 Η Τ Ο ( H i g h T e m p e r a t u r e Ο X i d e )膜、 Temperature Oxide)膜等之氧化矽膜、或氮化 成。由增大蓄積容量70之觀點視之，膜之可 被獲得時，介電質膜75係愈薄亦可。 具備如此內容所成之第1實施形態之光電 其有前述連接中繼層71及畫素電極9a間之連 構成的特徵。即，第1實施形態之連接孔8 5 ^ a之形成覺 瞄線3 a延 處，沿資料 接孔8 5處 3 a 上之範 之形成範圍 屬之導電性 容量電極之 射光遮光 9a之畫像 [電氣連接 予資料線驅 對向基板 5〜200nm程 LTO ( Low 砂膜等所構 靠性可充分 裝置中，尤 接孔8 5化 系如圖3所 -21 - 1227364 (17) 示，貫通第2層間絕緣膜42及第3層間絕緣膜43地加 穿設，且於該內部之全範圍，具備塡充材401。此塡充 401係於第1實施形態，例如包含Ti (鈦）、Cr (鉻） W (鎢）、T a (鉅）、Μ 〇 (鉬）等之至少一個，於金屬 體、合金、金屬矽化物、聚矽化物等之遮光性材料，且 導電性材料所成。 然而，前述第2層間絕緣膜42係形成在形成於後 之第1層間絕緣膜41的蓄積容量70上的絕緣膜，連接 85之外，亦穿設電氣連接TFT 30之高濃度源極範圍id 資料線6a的連接孔81。又，前述第3層間絕緣膜43 形成在形成於第2層間絕緣膜42上之資料線6a之上的 緣膜。即，皆爲例如由矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜或氧化 膜等所成。又，對於第2及第3層間絕緣膜42及43之 一者，該厚度係成爲例如約500〜1 5 00nm程度即可。 又，如此連接孔85係以後述之製造方法，詳細所 ，形成塡充材401，及該連接孔85之第3層間絕緣膜 之表面，皆接受平坦化處理，如圖3所示，包含連接 85之第3層間絕緣膜43之表面，乃所有成爲平坦之面。 於圖2及圖3，上述之外，於TFT30之下側，設置 側遮光膜1 1 a。下側遮光膜1 1 a乃圖案化成爲格子狀， 此規定各畫素之開口範圍。然而，開口範圍之規定係向 2中縱方向延伸之資料線6a和圖2中橫方向延伸之容 線3 00相互交叉地加以形成。又，對於下側遮光膜1 1 a 與前述容量線3 00之時同樣地，該電位變動對於TFT30 以 材 單 由 述 孔 和 乃 絕 矽 任 述 4 3 孔 下 由 圖 量 -22- (18) 1227364 爲避免不良的影響，由畫像顯示範圍向該周圍延伸設置， 連接於定電位源亦可。 又，於TFT3 0之下，設置基材絕緣膜12。基材絕緣 膜12係除了由下側遮光膜1 la層間絕緣TFT30之功能之 外，具有經由形成於TFT陣列基板10之整面，防止TFT 陣列基板1 〇之表面硏磨時之粗糙或洗淨後所殘留污染等 之畫素開關用之TFT30之特性變化的機能。 更且，於掃瞄線3a上，通過高濃度源極範圍Id之連 接孔8 1及通過高濃度汲極範圍1 e之連接孔8 3則形成各 開孔峙第〗層間絕緣膜4 1。 然而，本實施形態中，對於第1層間絕緣膜41而言 ，經由進行約1〇〇〇 °C之燒成，達成植入構成半導體層la 或掃瞄線3a之多矽膜離子之活性化亦可。另一方面，對 於已說明之第2層間絕緣膜42，經由不進行如此之燒成 ，達成容量線3 00之界面附近所產生的疲勞的緩和 於以上所述構成之光電裝置中，經由具備上述塡充材 401所成之連接孔85之存在，可發揮以下之作用效果。 首先，於連接孔85中，於該內部之全範圍，具備塡 充材40 1，不會如以往連接孔之內部保持在空洞的狀態之 故，於形成於該連接孔85上的堆積構造物，不會形成凹 部（即，對應於前述空洞的下陷部）等。由此，如圖3所 示，於畫素電極9a及配向膜16，不形成如前述之凹部’ 因此，於接觸此之液晶層5 0之液晶分子之排列狀態，不 會產生混亂之故，例如可極爲抑制對比下降所產生之畫像 -23- (19) 1227364 品質之劣化等的事象之產生。因此，根據第i實施形態之 光電裝置時，可顯示高品質之畫像。

然而，如此之作用效果，於第1實施形態中，對於包 含連接孔85之第3層間絕緣膜43之表面，經由施加平坦 化處理，可更明顯發揮。例如，於塡充材40 1之形成後， 該塡充材401較第3層間絕緣膜43之表面突出而存在， 代替如以往不形成凹部，雖可形成凸部，但根據第1實施 形態時，即使存在如此之突出部分以至於凸部，亦可進行 該平坦化。對於此點，於之後之製造方法，會有所觸及。

又’塡充材401乃由導電性材料所成之故，不論及畫 素電極9a和中繼層71，乃可有效實現與TFT30之高濃度 汲極範圍1 e的電氣性連接，連接孔8 5和中繼層7 1或連 接孔85和畫素電極9a之接觸部分之面積，由於存在導電 性材料所成塡充材40 1，可變得更大之故，可使各兩者間 之阻抗値下降。因此，對於畫素電極9a之畫像信號之供 給則較以往增加而無阻礙地加以實現。 更且，塡充材401係由遮光性材料所成，不存在上述 空洞之遮光機能則可更爲提高。又，由此，於第1實施形 態中，經由該連接孔85，可防止對於TFT30，即對於該 半導體層la中之通道範圍la’的光線之入射，即可極力 抑制所謂光泄放電流之產生。因此，根據第1實施形態， 可進行無閃爍等之高品質之畫像顯示。 (第2實施形態） • 24 - (20) 1227364 以下，對於本發明之第2之實施形態，參照圖4加以 說明。在此，圖4係與圖3相同意旨之圖’同圖中，代替 連接孔8 5，形成連接孔8 6之部分有所不同。然而，於圖 4中，附上與圖3等同一之符號之部分的要點乃是與上述 第1實施形態同一之構成要素，省略該說明。

第2實施形態中，連接孔86爲塡充材409a由構成畫 素電極9a之I TO所成。因此，根據第2實施形態時，可 將形成畫素電極9a至成膜的步驟，和於連接孔86內部， 形成塡充材409a之步驟於同一機會加以實施，達成該相 當成分製造成本的減低。

又，於第2實施形態，由圖4所示可明白，連接孔 86之長度係較畫素電極9a之厚度爲大，將塡充材409a 成爲透明導電性材料的ITO所成者時，該塡充材409a乃 可期待相應於此之光遮掩蔽效果。因此，較上述第1實施 形態時，該遮光性能雖無法否定劣化之可能性，經由第2 實施形態，可期待連接孔8 6之光洩漏防止作用。 然而，於第2實施形態中，上述第1實施形態所述作 用效果，即，於畫素電極9a及配向膜16，未形成凹部所 成光洩漏防止，或塡充材409a及中繼層71之接觸面積提 升所成低阻抗化等之作用效果，當然可略同樣地被發揮。 (第3實施形態） 以下’對於本發明之第3之實施形態，參照圖5加以 說明。然而，於圖5中，附上與圖3等同一符號的要素， -25- (21) 1227364 係與上述第1實施形態同一之構成要素之故，省略 〇 第3實施形態中，連接孔87乃除了塡充材41 配向膜1 6之材料的透明聚醯亞胺材料所成，於該 8 7之內表面中，例如於第1實施形態中，形成構, 之各種材料所成塗佈構件402。因此，此塗佈構件 具有遮光性且導電性的性質。 如此形態中，當然可發揮與上述第1實施形態 同樣的作用效果。 而且，於第3實施形態中，除了上述之外，可 下之作用效果。即，經由塗佈構件4 0 2，可達成遮 及導電機能之外，塡充材416a係與配向膜16之形 ，可形成此之緣故，可減低其對應部分之製造成本 然而，本發明中，更一般而言，塗佈構件402 充材416a不論由何種材料所構成，基本上不會有 只是，不能省略電氣連接畫素電極9a和中繼層71 孔原來之機能之故，塗佈構件4 0 2就原則而言，需 性材料。 又，塗佈構件402無需爲一層。例如，如圖6 做爲第1層之塗佈構件’由畫素電極9&延伸設置 則做爲第2之塗佈構件4 02，與圖5所示同樣者則 當’於該內部之全範圍’爲形成塡充材416a之連g 時，亦爲本發明之範圍內。 更且，變形圖6，例如如圖7所示，將塗佈構 該說明 6a構成 連接孔 成 402/ 402係 5略爲 發揮如 光功能 成同時 〇 陳及塡 問題。 之連接 爲導電 所示， 之ITO 各別相 € 孔 8 7， 件 402, -26- (22) 1227364 ，到達形成第3層間絕緣膜43上之畫素電極9a的 地，加以形成之形態亦可。於如此之情形時，塗 402’當然乃由透明之材料所成者爲佳。只是’關於 形態之光電裝置例如做爲反射型使用之時（即沿圖 入射光」之方向，入射於液晶層50內之光線，經 電極9a反射，與前述方向朝向反方向射出之光線 像之情形），塗佈構件402’及畫素電極9a則無需 材料形成。 (光電裝置之整體構成） 將如以上所構成之各實施形態之光電裝置之整 ，參照圖8及圖9加以說明然而，圖8乃將TFT 板，與形成於其上之各構成要素一同，由對向基板 所視之平面圖，圖9乃圖8之H-H’圖。 圖8及圖9中，關於本實施形態之光電裝置中 配置TFT陣列基板10和對向基板20。於TFT陣 1 〇和對向基板2 0間，封入液晶5 0，TF T陣列基板 對向基板2 0經由設於位於畫像顯示範圍1 〇 a之周 封範圍的密封材52相互黏著。 密封材5 2乃爲貼合兩基板，例如由紫外線硬 、熱硬化樹脂等所成，經由紫外線、加熱等而硬化 ，於此密封材5 2中，本實施形態之液晶裝置如同 之用途，爲小型進行擴大顯示之液晶裝置時，散布 基板間之距離（基板間間隔）成爲特定値之玻璃纖 全範圍 佈構件 本實施 7中「 由畫素 構成畫 由透明 體構成 陣列基 20側 ，對向 列基板 10和 圍的密 化樹脂 者。又 投影機 爲使兩 維，或 -27- (23) 1227364 玻璃珠等之間隔材（間隔物）。或，該液晶裝置如液晶顯 示器或液晶電視，爲大型等進行倍率顯示之液晶裝置時， 如此間隔材可不含於液晶層50中。 於密封材5 2之外側範圍，於資料線6a，經由將畫像 信號以特定時間供給，驅動該資料線6 a之資料線驅動電 路101及外部電路連接端子102，則沿TFT陣列基板10 之一邊加以設置，於掃瞄線3a，將掃瞄信號，以特定之 時間加以供給，驅動掃瞄線3 a之掃瞄線驅動電路1 〇4則 沿鄰接於此一邊的二邊加以設置。然而，供予掃瞄線3 a 之掃瞄信號延遲不成爲問題時，掃瞄線驅動電路1 04當然 可以僅爲單側。又，將資料線驅動電路1 〇 1沿畫像顯示範 圍l〇a之邊排列於兩側亦可。 TFT陣列基板10之剩餘的一邊中，設有連接設於畫 像顯示範圍l〇a之兩側的掃瞄線驅動電路104間的複數之 配線105。又，對向基板20之角落部之至少一處中，設 置於TFT陣列基板1 0和對向基板20間得電氣性導通之 導通材1 06。 於圖9中，在TFT陣列基板1 0上，於形成畫素開關 用之TFT或掃瞄線、資料線等之配線後的畫素電極9a上 ，形成配向膜。另一方面，於對向基板20上，除了對向 電極21之外，於最上層部分形成配向膜。又，液晶層50 係例如由混合一種或數種之向列液晶之液晶所成，於此等 之一對配向膜間，得特定之配向狀態。 -28- (24) 1227364 (光電裝置之製造方法） 以上，對於上述之第1實施形態之光電裝置之製造方 法，參照圖1 〇及圖1 1加以說明。在此，圖1 0係顯示有 關於第1實施形態之製造方法的流程圖，圖1 1係該光電 裝置之製造工程中，抽出關連於連接孔形成工程的某部分 加以顯示的製造工程剖面圖。 然而，於第1實施形態中，在於電氣連接TFT30之 半導體層la中之高濃度汲極範圍le和畫素電極9a的連 接孔85上有特徵，對於以下之製造方法之說明，進行該 部分爲中心的說明，對於殘留的部分，適切地殘留地加以 說明。 首先，如在於圖10之步驟S11，準備石英英基板、 硬玻璃、矽基板等之TFT陣列基板10的同時，於此TFT 陣列基板1 〇上，形成下側遮光膜1 1 a、基材絕緣膜1 2等 。其中下側遮光膜11a係將1^、<^、冒、丁&、1^〇等之金 屬或金屬矽化物等之金屬合金膜’經由濺鍍，形成 100〜5 00nm程度之膜厚，較佳爲形成200nm之膜厚之遮 光膜後，經由微縮術及蝕刻’形成成爲格子狀。又，基材 絕緣膜1 2係經由與後述之第3層間絕緣膜4 3同樣之方法 ，令該厚度例如成500〜2000nm之程度加以形成即可。然 而，由於不同之情形，可省略此步驟S 1 1相關之工程。 接著，如圖1 0之步驟S 12，於基材絕緣膜1 2上，順 序成爲爲包含半導體層1&之TFT30、第1層間絕緣膜41 、蓄積容量70、第2層間絕緣膜42及資料線6a的堆積 -29 - (25) 1227364 構造地加以形成。其中TFT30乃除了對於半導體層la之 不純物離子之導入工程外，雖包含閘極絕緣膜2之形成工 程、及掃瞄線3 a之一部分的閘極電極之形成工程，對於 此等，可利用公知之方法，省略該詳細之說明。又，第1 及第2層間絕緣膜4 1及42係經由與後述第3層間絕緣膜 43同樣的方法，將該厚度各成爲例如約5 00〜200 Onm程度 及約500〜1 500nm程度。更且，蓄積容量70係雖包含畫 素電位側容量電極的中繼層7 1及包含固定電位側容量電 極的容量線300，以及包含介電質膜75之各要素形成工 程，對於前二者，例如經由使用A1等之適切之導電性材 料的微縮術及蝕刻法，對於後者，經由例如使用TaOx等 之適切絕緣性材料的同樣方法，可各別加以形成。 接著，如圖1 〇之步驟S 13，於資料線6 a上，形成第 3層間絕緣膜43。此第3層間絕緣膜43乃例如經由常壓 或減壓CVD法等，使用TEOS氣體、TEB氣體、TMOP氣 體等，由NSG (無矽酸鹽玻璃）、PSG (磷矽酸鹽玻璃） 、BSG (硼矽酸鹽玻璃）、BPSG (硼磷矽酸鹽玻璃）等 之矽酸鹽玻璃膜、氮化矽膜或氮化矽膜等加以形成。此第 3層間絕緣膜43之膜厚係例如成爲5 00〜1 5 00nm程度。於 圖1 1之工程（1 )，對應於圖3之部分中，顯示形成至此 第3層間絕緣膜43之狀態。以下之說明中，合倂圖1 〇， 參照圖1 1所示之製造工程剖面圖。 接著，圖10之步驟S14及圖11之工程（2)中，對 於第3層間絕緣膜43，經由反射性離子蝕刻、反應性離 -30- (26) 1227364 子束蝕刻等之乾蝕刻，開孔貫通孔8 5 a。此貫通孔8 5 a 到達中繼層7 1，對於第2層間絕緣膜42亦開孔地加以 行。 接著，圖10之步驟S15及圖11之工程（3)中， 於貫通孔8 5 a之內部，如上所述，例如包含Ti (鈦） Cr (鉻）、W (鎢）、Ta (鉅）、Mo (鉬）等之至少一 、金屬單體、合金、金屬矽化物、多矽化物等之遮光性 料，且塡充導電性材料。此塡充材4 0 1之形成，採用例 經由濺鍍法等，將前述適切之材料，蓄積於貫通孔85a 的方法，但此時，該塡充材401則較第3層間絕緣膜 之表面突出的形式加以形成。 接著，於圖10之步驟S16及圖11之工程（4)中 對於包含前述貫通孔85a之形成部分的第3層間絕緣 43之表面，實施CMP處理。在此，CMP處理一般而言 下之處理。即，旋轉被處理基板和硏磨布之兩者等，擋 各表面間的同時，經由供給於該擋接部位包含矽石粒等 硏磨粒，將被處理基板表面，經由兼具機械性作用和化 作用加以硏磨，平坦化該表面之技術。因此，本實施形 中，將完成對於貫通孔85a之塡充材401之形成工程 TFT陣列基板10，相當於上述「被處理基板」即可。 此，如圖1 1之工程（4 )所示，該整面顯現出平坦的第 層間絕緣膜43。然而，硏磨處理之終止時點的調整， 經由適切之時間經過，或將適切之阻隔層形成於TFT 列基板1 〇上之特定位置等地加以進行。於此硏磨處理 係 進 對 、 個 材 如 內 4 3 膜 如 接 之 學 態 的 由 3 則 陣 之 -31 - (27) 1227364 終了時點，可視爲連接孔85之完成。 之後，對於此平坦之第3層間絕緣膜43之表面上， 如圖10之步驟S17及圖11之工程（5)所示，形成畫素 電極9a及配向膜16。更具體而言，於第3層間絕緣膜43 之表面上，實施使用透明導電性材料之微縮術及蝕刻法， 以形成畫素電極9a。於該畫素電極9a上，形成透明聚醯 亞胺材料等所成配向膜1 6。 如此，於有關第1實施形態之光電裝置中，係如所述 ，於畫素電極9a及配向膜16中，不形成凹部。亥係經由 塡充材401之存在，於以往之連接孔85內部，不產生空 洞，及形成塡充材401之後，實施CMP處理，不形成突 出部分以至於凸部。由此，有關第1實施形態之光電裝置 中，可顯示高品質之畫像。 然而，於上述中，塡充材401雖係由貫通孔85a，以 至於所謂「溢出」地加以形成，但本發明不限定於此等形 態。例如，塡充材40 1之形成可爲形成至第3層間絕緣膜 43之表面邊緣之形態。此時，雖然難以獲得完全平坦之 面，但可避免以往具有更大空洞部之連接孔’以原來之形 態殘留之情形之故，即使所述凹部形成於畫素電極9a及 配向膜1 6，該大小可較以往爲小。 又，此時，無需實施CMP處理之故’因此可削減其 麻煩以至於製造成本。但是’即使不爲將塡充材由貫 通孔8 5突出加以形成之形態時，實施CMP處理不能說是 完全無用。雖然如此，如圖11之工程（1)至工程（3) -32- 1227364 (28) 所示’於第3層間絕緣膜43之下方，對應形成各種 要素’形成各種階差爲一般之情形。因此，在除去如 差之意義上，實施CMP處理，仍有其意義。 然而’於上述，僅對於有關第1實施形態之光電 之製造方法做了說明，有關上述第2及第3之實施形 光電裝置之製造方法，亦與此略同地加以實施即可。 例如’於第2實施形態中，取代第1實施形態之 材401之形成工程，同時實施畫素電極9&及塡充材 之形成工程即可（圖10之步驟S15)。又，第3實 態中，於塡充材40 1之形成工程前，插入連接孔87 表面，插入塗佈構件402之形成工程，之後，將塡 416a之形成工程，與配向膜16之形成工程同時實施 (電子機器） 於圖1 2中，本實施形態之投射型彩色顯示裝置 例之液晶投影機1 1 00，乃準備3個包含驅動電路搭 TFT陣列基板上之液晶裝置的液晶模組，各做爲使用 用之光閥l〇〇R、l〇〇G及100B使用之投影機加以構 液晶投影機1 1〇〇中，由金屬鹵素燈等之白色光源之 元1102，發射投射光時，經由3枚之鏡1106及2枚 色鏡Π08，分爲對應於RGB之三原色之光成分R、 B，引導至對應於各色之光閥l〇〇R、l〇〇G及100B。 時，尤其爲防止長光路徑所造成之光損失’藉由入 構成 此階 裝置 態之 塡充 409a 施形 之內 充材 即可 之一 載於 RGB 成。 燈單 之分 G及 於此 射鏡 -33- (29) 1227364 1 122、中繼鏡1 123及射出鏡1 124所成中繼鏡系1 121加 以引導，然後，對應於經由光閥100R、100G及100B調 變之三原色的光成分，則經由分色稜鏡1112再度合成後 ，藉由投射鏡1 1 1 4，於螢幕1 1 20成爲彩色畫像加以投射 〇 本發明乃不限於上述實施形態，可於不違反由申請專 利範圍及說明書整體讀取之發明要點，或思想之範圍進行 適切之變更，伴隨此變更之光電裝置及該製造方法以及電 子機器’亦包含本發明之技術範圍° 【圖式簡單說明】 圖1乃顯示設於構成本發明之第1實施形態之光電裝 s之晝像顯示範圍的矩陣狀之複數畫素的各種元件、配線 等之等價電路的電路圖。 _ 2乃形成本發明之第1實施形態之光電裝置之資料 ，線、掃瞄線、畫素電極等的TFT陣列基板之相鄰接的複 數畫素群之平面圖。 圖3乃圖2之A-A’剖面圖。 圖4乃有關本發明之第2實施形態，與圖3同意之圖 ，{曰同圖之中’對於連接孔內部之塡充材之材質’顯示該 形態之（A，剖面圖。 _ 5乃有關本發明之第3實施形態’與圖3同意之圖 ，但同圖之中，對於在連接孔內部設置塗敷構件之部分’ 顯示該形態之不同之部分之A-A’剖面圖。 •34· (30) 1227364 圖6乃圖5中，顯示塗敷構件爲設置二層之變形形態 的A - A ’剖面圖。 圖7乃圖6中，達畫素電極之形成範圍’形成塗敷構 件之變形形態的A-A’剖面圖。 圖8乃將本發明之實施形態之光電裝置之TFT陣列 基板，形成於其上之各構成要素的同時’由對向基板側視 得之平面圖。

圖9乃圖8之H-H’剖面圖。 圖10乃將本發明之第1實施形態之光電裝置之製造 方法，沿該順序顯示的流程圖。 圖11乃將本發明之第1實施形態之光電裝置之製造 方法，沿該順序顯示製造工程剖面圖。（本圖之工程（1 )至，工程（5 )對應於圖1 〇之步驟S 1 3至S 1 7 )。 圖1 2乃顯示本發明之電子機器之實施形態之投射型 彩色顯示裝置之一例之彩色液晶投影機的圖式剖面圖。

〔符號說明〕 la :半導體層 1 e :高濃度汲極範圍 3 a :掃猫線 6a =資料線 9a :畫素電極 10 : TFT陣列基板 16 :配向膜 -35- (31)1227364 20 : 21 : 30 ： 50 : 70 : 81、 85、 401 409 4 16

對向基板 對向基板 TFT 液晶層 蓄積容量 82、83 :連接孔 86、87、87’、87”：連接孔 :塡充材 l : ( ITO所成）塡充材 I:(透明聚醯亞胺材料所成）塡充材 塗敷構件

402

Claims (1)

1. (1) 1227364 拾、申請專利範圍 1、 一種光電裝置，其特徵係具備 形成於基板上之畫素電極， 和對應於前述畫素電極加以配置之開關元件， 和較前述開關元件爲上，且較前述畫素電極爲下而形 成之層間絕緣膜， 和形成於前述層間絕緣膜，電氣性連接前述開關元件 和前述畫素電極之連接孔， 和塡充於前述連接孔之內部的導電性材料的塡充材。 2、 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，於前 述層間絕緣膜之表面，施以平坦化處理者。 3、 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，前述 塡充材係由遮光性材料所成。 4、 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，前述 塡充材係由透明導電性材料所成。 5、 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，於前 述連接孔之內表面，形成塗敷構件，前述塡充材係形成於 前述塗敷構件上。 6、 於申請專利範圍第5項之光電裝置，其中，前述 _素電極係排列成爲矩陣狀， 更具備’電热連接於做爲則述開關兀件之薄膜電晶體 ’矩陣狀配置之掃瞄線及資料線， 和對應於前述掃瞄線及資料線加以設置之遮光範圍； 前述連接孔係位於前述遮光範圍內。 (2) 1227364 7、 一種光電裝置，其特徵係具備 形成於基板上之畫素電極， 和對應於前述畫素電極加以配置之開關元件， 和較前述開關元件爲上，且較前述畫素電極爲下而形 成之層間絕緣膜， 和形成於前述層間絕緣膜，電氣性連接前述開關元件 和前述畫素電極之連接孔， 和形成於前述連接孔之內表面之導電性之塗敷構件， 和塡充於前述連接孔之內部的導電性材料的塡充材。 8、 如申請專利範圔第7項之光電裝置，其中，前述 塡充材係由聚醯亞胺材料所成。 9、 如申請專利範圍第7項之光電裝置，其中，前述 畫素電極排列成爲矩陣狀，更且具備電氣連接於做爲前述 開關元件之薄膜電晶體，矩陣狀配置之掃瞄線及資料線， 和對應於前述掃瞄線及資料線加以設置之遮光範圍； 前述連接孔係位於前述遮光範圍內。 10、 一種光電裝置之製造方法，其特徵係包含 於基板上，形成開關元件之工程， 和於前述開關元件上’形成層間絕緣膜之工程， 和於前述層間絕緣膜，形成通過前述開關元件之半導 體層之連接孔的工程， 和於前述連接孔之內部，形成導電性材料所成之塡充 材的工程， 和於前述層間絕緣膜上，電氣連接前述塡充材地，形 -38- (3) 1227364 成透明導電性材料所成薄膜，以此爲畫素電極的工程。 1 1、如申請專利範圍第1 〇項之光電裝置之製造方法 ，其中，於形成前述塡充材之工程後，對於包含形成前述 連接孔之部分的前述層間絕緣膜之表面，更包含施行平坦 化處理的工程。 12、 一種光電裝置之製造方法，其特徵係包含 於基板上，形成開關元件之工程， 和於前述開關元件上，形成層間絕緣膜之工程， 和於前述層間絕緣膜，形成通過前述開關元件之半導 體層之連接孔的工程， 和於前述連接孔之內部，形成塡充材的工程。 13、 如申請專利範圍第12項之光電裝置之製造方法 ，其中，於形成前述塡充才之工程後，更包含對於包含形 成前述連接孔之部分的前述層間絕緣之表面，施以平坦化 處理的工程。 14、 一種電子機器，其特徵係具有 具備形成於基板上之畫素電極， 和對應於前述畫素電極加以配置之開關元件， 和較前述開關元件爲上，且較前述畫素電極爲下而形 成之層間絕緣膜， 和形成於前述層間絕緣膜，電氣性連接前述開關元件 和前述畫素電極之連接孔， 和塡充於前述連接孔之內部的導電性材料的塡充材 的光電裝置者。 -39- (4) 1227364 i5、一種電子機器，其特徵係具有 具備形成於基板上之畫素電極’ 和對應於前述畫素電極加以配置之開關元件， 和較前述開關元件爲上，且較前述畫素電極爲下而形 成之層間絕緣膜， 和形成於前述層間絕緣膜，電氣性連接前述開關元件 和•前述畫素電極之連接孔， 和形成於前述連接孔之內表面之導電性之塗敷構件， 和塡充於前述連接孔之內部的導電性材料的塡充材的 光電裝置。 -40-