TWI224824B - Method of increasing cleaning-water recycling rate of chemical cleaning platen in semiconductor manufacture process - Google Patents

Description

1224824 五、發明說明Ο) 發明領域 本發明係關於提高半導體清洗機台清洗水回收率的方 法’ ~別有關於提高化學清洗機台（w e t s t a t i 〇 n )的清洗 水回收率。 發明說明 發明背景 r I 半導體業屬於高耗水的行業，其中又以清洗機台（wet I bench)的消耗量最大。由於在半導體製程中，主要使用大| j里iL<车藥劑與酸性溶劑，諸如：硫酸、氫氟酸、或填酸 等’因此需要利用化學清洗機台（wet stati〇n)，以大量 去離子水（deionized water，DI water)清洗晶圓表面的 殘餘物質。 ! ^ ^於此類化學清洗機台屬於高耗水裝置，為了環保與」

!節省資源，通常設計有清洗水的回收管路。一般而言，此 丨類回收管路的動作通當設定以時間作為切換控制點。以化 學清洗機台的五分鐘的快速排水清洗流程 (Quick-Dump-Rinse，QDR)為例，當回收切換起始時間設 定為200秒，則前2〇〇秒的所使用的清洗水經由廢水管路排 岀皆不回收，而從第2 0 0秒之後的清洗水則進入回收管 I I路，回收至廠務回收系統進行處理。在此流程中，水洗槽 I的回收率約僅為3〇%。若將回收切換起始時間設定縮為ι〇〇 !秒日可’此時水質卻可能因超過廠務回收系統的處理標準， !而被廠務回收系統拒絕而直接排除，使得回收率不但沒有 I提升’反而下降。

0467-6082TWF-ptd 第4頁 1224824 五、發明說明（2) 發明概述 ' * 為了達到清洗機台的最大回收效果，本發明的目的為 提出一個提高半導體清洗機台清洗水回收率的方法，乃利 用水質偵測裝置決定清洗水的回收點。 本發明之提高半導體清洗機台清洗用水回收率之方法 乃先設定一清洗模式，並開始開清洗流程並設定為清洗水 全部回收；再利用一偵測裝置偵測持續清洗流程之水質； 以資料收集裝置收集水質變化資料；接著改變回收時間點 設定5並重複清洗並記錄水質情況；最後清洗流程的水質 資料的變化歸納出最適回收起始時間，將該最適回收起始 時間載入清洗機台中，以得到該清洗模式下的最佳回收效 果。 為了讓本發明之上述目的、特徵、及優點能更清晰易 懂，以下配合所附圖式，以具體實施例詳細說明如下： 圖式簡單說明 第1圖所示為依據本發明之實施例中提高清洗機台回 收率之系統示意圖。 第2圖所示為本發明之方法流程圖。 第3圖所示為本發明實施例中清洗流程清洗水全部回 收之水質導電度曲線圖。 第4圖所示為本發明實施例中清洗流程30秒以後清洗 水全部回收之水質導電度曲線圖。 第5圖所示為本發明實施例中清洗流程1 0 5秒以後清洗 水全部回收之水質導電度曲線圖。 ί--

0467-6082TWF-ptc 第5頁 1224824 ) m—-一"—^ _______ I五、發明說明（3) 第6圖所示為本發明實施例中清洗流程2 〇 〇秒以後清洗 水全部回收之水質導電度曲線圖。 I標號說明 11 ： 化學清 洗 機台、1 2 :導電度計控制箱、 1 13 ： 資料收 集 器' 14 :電腦主機、 15 ： 回收管 路 、 1 6 :導電度計、 17 ： 廢水管 路 、 3 1，4 1，5 1，6 1 :導電度曲線 32, 42, 52, 62 ： 清洗水溫度曲線、 33, 43 :導電度大於1〇〇〇 之時間帶。 1 實 施例之 說明 1 1 參照 第1圖， 一 -般化學清洗機台1 1中可能設置有數個 水 槽，而 完成清 洗 流程的清洗水排放有兩種管路，一為 回 收 管路15 ’另一 為 廢水管路17。回收管路15的清洗水將 被 送 到廠務 回收中 心 進行回收。因此在本發明中，在回收 管 路 端設置 水質偵 測 裝置’如導電度計16(conductivity meter)在 回收的 管 路中。另外則將水質偵測裝置連於一 資 料 收集器1 3。接 著 ’將資料收集器的資料傳送至分析系 統 中 ，如電 腦主機1 4 ’藉由顯示裝置，如顯示器分析水質 變 化 的結果 0 參照 第2圖 ，說明本發明之方法。首先進行步驟2 1， ， 設 定清洗 機台的 清 洗流程。一般的化學清洗機台所提供 的j 清 洗模式（r i n s e recipe)有預設值，也可依需要更改， 因丨 此 在此先 設定清 洗 機台的清洗模式為post-SPM(9..1)QDR 〇 在 此同時 將清洗 水 設定為全部回收（100% reclaim)，即 回

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I五、發明說明（4) I收時間點為0秒，因此清洗流程後的清洗水*會全部由回收 官路1 5經過。清洗機台的清洗流程可依機台的設定而不 同’如快速清洗流程（QDR)，上述post-SPM(9:1)QDR即屬 !〜’或為溢流清洗（〇ver_Fl〇w rinse)或最後清洗 I 〈Final-Rinse)等，均可依本發明之方法提高清洗水的回 j收率。 I 接者進彳丁步驟2 2 ’開啟清洗流程，此時由於所有清洗 水均流經回收管路，因此回收管路上的導電度計1 6將偵測 各清洗機台管路的清洗水水質狀況。接著步驟23中，導電 度計16的資料的資料即時地傳送到資料收集器中（FLUKE j 2640A Recorder)，此資料收集器可以同時收集由多個挲 |電度計傳來的資料。而步驟24中，資料收集器將資料送至 ：一龟腦主機14中，並形成一清洗水的導電度分佈曲線。參 見第3圖，圖中，縱座標為導電度值，橫座標為清洗流程 所經過的時間，而圖上的黑線32代表清洗水的溫度，灰色 線3 1代表導電度值。由於本實施例中，廠務回收系統可以 I回收的β洗水導電度最大值為1000 //s/cm，因此圖中的灰 |色區域33則代表該清洗流程中導電度大於1〇〇〇#s/cm的時 |間眷，持續約2分鐘。 在步驟2 5中，重新設定清洗水的回收時間點，在清洗 流程3 0秒後回收清洗水，重複步驟2 2至2 4，得到第$圖。 而第4圖中灰色區域43維持的時間縮短為I]分鐘。 \ 重複將凊洗水的回收時間點拉長為60秒、75秒、105 '杪、li5秒與200秒（系統預設值），並重複上述步驟，最後

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五、發明說明（5) 發現當回收時間點設定在1 〇 5秒時’由第5圖中可以看出， 導電度曲線5 ]大於1 〇 〇 Ο μ s / c m的時間相當少，且維持時間| 極短。而20 0秒的系統預設值導電度西線則如第6圖，導電 度曲線61則遠低於廠務回收系統上限，在2〇 後的水 質已經非常適於回收。 因此由設定不同 水質並記錄水質變化 post-SPM(9:1)QDR 清 秒，可以得到最有效 post-SPM(9:1)QDR 的 當執行該清洗模式均 由於清洗機台的 直接使用該設定值， 本發明之方法，即使 藉此方法可快速找出 時間載入清洗模式中 水的最佳的回收效果 本發明雖以較佳 發明，任何熟習此技 内，當可作更動與潤 之申請專利範圍所界 的回收 ，因此 洗模式 的回收 清洗模 可得到 一般預 通常清 清洗模 各清洗 的回收 〇 貫施例 藝者， 飾，因 定者為 在步驟26中，可以歸納出在 中心回收時間設定在1 〇 5 ，、亚把此時間值載入 式的回收日矣戸弓 # #生=間點中，之後，每 取仏清洗水回收率。 =收時間的設定相當 洗水的回收率均偏低。而^， 式隨著各廠的設定不_藉由 模式的最佳回收時門同仍可 時間設定，達到清；機：：此 啊q凊洗 ?露如上，然並非用 在不脫離本發明之精站 本 此本發明之保護範 圍 準。 〜現後附

Claims (1)

1224824 案號 90105154 修正 修正 本年3月HP 六、申請專利範圍 煩請委員明示，太案修正後是否變更原實質内A 1. 一種提高半導體清洗機台清洗水回收率之方法，包 含下列步驟： (a)設定一晶圓清洗機台之一清洗流程與一清洗水回 收時間點； (b )開啟該清洗流程與同步偵測回收清洗水之導電 度； (c)收集該回收清洗水之水質記錄； (d )繪製該清洗水之導電度曲線； (e )改變該清洗水回收時間點，並重複步驟（a)至（d) 以得出對應之各回收時間點之導電度曲線；以及 (f)依據上述回收時間點及對應之導電度記錄，選出 最佳回收時間點，並載入該清洗流程中。 2. 根據申請範圍第1項所述之方法，其中該收集該回 收清洗水之水質記錄為經由一資料收集器。 3. 根據申請範圍第1項所述之方法，其中該清洗流程 為一快速排水清洗流程。 其中該清洗流程 其中該清洗流程 其中步驟（f )之依 4. 根據申請範圍第1項所述之方法 為一溢流清洗流程。 5. 根據申請範圍第1項所述之方法 為一最後清洗流程。 6. 根據申請範圍第1項所述之方法 據上述回收時間點及對應之水質記錄選出最佳回收時間點 係在水質記錄均小於導電度1 0 0 0 // s/cm的回收時間點中選 出清洗水回收率最大之回收時間點。

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