TWI222101B - Multi-exposure lithography method and system providing increased overlay accuracy - Google Patents

Description

(i) (i)1222101 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 技術領域 本發明一般係關於半導體製造過程中的微影處理。更特 定言之，本發明係關於提供增進重疊精確度的多重曝光微 影方法及系統。 先前技術 _ 在製造具有堆疊結構之半導體裝置的程序中，為了進行 微影處理，必須檢查操作的下層與上層之間的重疊情形。 隨著半導體裝置的高度整合及微型化，為提升半導體裝置 的可靠性及產量，下層與上層間重疊的精確度就變得愈為 重要。 一般常採用圖1所示的重疊標記檢查重疊情形。參考圖1 ，重疊標記1 0包括一圖框形第一標記20，其係在前面測試 晶圓的程序中形成下層時形成，及在隨後的程序中形成的 一板形弟二標記30。一般而言’重豐標記1 0係在分離晶粒 的切割道（scribe line)上。然而，當四個晶粒構成一個區域 時，重疊標記1 〇則在沿最外側切割道的區域四角上。在此 情形中，圖案化下層即形成第一標記2 0，使構成第一標記 2 0的材料與下層相同。圖案化光阻時形成第二標記3 0，即 第二標記3 0由光阻構成。 用測量設備讀取第一與第二標記20和30之間、在X軸方 向的間隙XI和X2。其後，用測得的X軸方向的間隙值XI和 X2，可計算出第二標記3 0的偏移量X。此處，第二標記3 0 的偏移量X是第二標記3 0中心與第一標記2 0中心的偏差 -6- 1222101 (2) 發明說明續頁 值。X 1減去X2並除2，即可算出第二標記3 0的偏移量X。 偏移量X愈趨近零，重疊就愈精確。由於第一和第二標記 20和30可在Y軸方向移動，因而測量X軸方向的偏移量後 ，也可測量Y軸方向的偏移量。 測量設備有各種重疊參數，包括曝光設備在X軸和Y軸 方向的偏移量。根據重疊參數的測量值，對後面構成實際 的半導體裝置之晶圓的重疊情，形進行校正，然後進行曝光 處理。 圖2為上述曝光方法的流程圖。參考圖2，在一晶圓上塗 佈光阻（步驟100)，並對準光罩與晶圓（步驟110)。其後，用 輸入曝光設備的重疊參數測量值校正重疊（步驟120)。然後 ，曝光影像（步驟130)，並顯影曝光的光阻（步驟140)。 改進曝光設備與微影方法即可製造出間距小圖案精細 的裝置。但是，改進曝光設備通常郤不符合半導體裝置製 造商希望形成較為精細圖案的要求。例如，可採用最適合 特殊形態圖案’的照明系統，如偏軸式照明或小西格瑪 (sigma)傳統照明。而在其他情形中，可使用接觸孔或線及 空間專用的光阻，以滿足半導體裝置製造商的要求。 由於半導體裝置包括單層上的各種圖案，而現有的曝光 設備與方法郤不夠多樣化，不能處理高度整合裝置中的各 種圖案。對於製造半導體裝置而言，改進曝光設備既耗時 成本又高。因此，著眼於制程，如採用多重曝光微影方法 解決上述問題就較為有利。 一般而言，多重曝光微影方法的實施過程為，依據布局 1222101 (3) I發明說明續頁 的形態、尺寸，將一層布局分為兩或多個子布局或分影像 ’並圖案化其配置組態’隨後曝光該子布局。然後，顯影 該層上的布局即完成了多重曝光。每一子布局（或分影像） 可安置在一個或複數個光罩上。 圖3顯示可用於多重曝光微影方法的各種布局。布 可安置在一個光罩40上’並進行一單一曝光處理而圖案化 該布局。而為了進行多重曝光，可將布局5〇分成兩個子布 局50a和50b。子布局50a和50b安置在一個光罩6〇上，進行兩 次曝光處理（即每一子布局50a和50b各一次）。在另一情形中 ，每一子布局50a和50b分別安置在兩個分離的光罩7〇&和7〇b 上。進行多重曝光微影處理時，採用最適合每一子布局圖 案的曝光條件，可獲得所需曝光寬容度（exp〇sure latitude;此） 與聚焦深度（depth of focus ; DOF)的處理範圍。 現在參考圖4至6說明傳統的多重曝光微影方法。圖々係 傳統的多重曝光方法的流程圖，其中複數個子布 » 刀 像安置在一個光罩上。參考圖4,在一晶圓上塗佈’、 步驟200)，然後對準光罩與晶圓（步驟21〇)。其後， 且（ 入的重疊參數校正重疊（步驟22〇)。接著依據校正的用—輪 光一分影像（步驟230)。然後確定是否所有的分影像重疊曝 光(步驟235)。若仍有分影像要曝光，則使用相同的二已曝 疊爹數，曝光剩餘的未曝光分影像（步驟23〇)。當戶别入重 像均已曝光時，顯影曝光的光阻（步驟24〇)。 有分影 圖5係傳統的多重曝光方法的流程圖，其中複數 局或分影像安置在複數個光罩上。來考圖5， 固子布 乂 隹〜晶圓上 (4) (4)1222101 發明說明續頁 土 : ^阻（步驟3GG) ’然後對準光罩與晶圓（步驟⑽）。兑後 的曹：輸入的重疊參數校正重疊(步驟320)。接著依據校正 的重…-分影像(步驟33〇)。然後確定是否所有… 像均已曝光(步驟335)。若仍有分影像要曝光，則對準另： 具'下-個選定分影像）與晶圓（步驟卿並用相同 則入重豎參數校正重疊（步驟32〇)。然後依據校正的重疊 曝：分：：(步驟330)。當所有分影像均已曝光(步驟335中 萑疋為月定）時，則顯影曝光的光阻（步驟Μ…。雖然圖5 中更改光罩後進行了校正處理，但校正的重疊參數並未依 據每一子布局的特性而改變。 在傳統方法中，校正重疊時所用的輸入重疊參數係根據 :屬準預先選定。例士"可測量子布局(其重疊條件須 嚴格控制）的重疊參數，並回饋給曝光設備用作重疊參數 。但疋’由於裝置的設計準則減少，使每個圖案的重疊都 很重要，因而上述方法就變得不再適用。在另一情形中， 測量每一子布局的下層與上層之間的重疊值，並將測量值 、平句值口饋給曝光设備用作重疊參數，可確定輸入重疊 參數。該方法要求計算複數個子布局的平均重疊偏移量。 然而’如圖6所示，當每一子布局下層的區域記錄8〇有不 同的§己錄85a和85b時，對於每一子布局，依據平均值進行 的枝正就會產生不可校正的殘餘項8 5。因此，用重疊偏移 里的平均值確定重疊參數的方法不適用。 不論複數個子布局或分影像是安置在一個光罩或複數 個光罩上’每一影像都不能具有相同的區域記錄。因此， (5) ---- 發明說明續頁 重晶二t ^夕重曝光微影方法與處理中，依據子布局增進 里宜積確度的方法。 發明内容 、焱先於2002年3月27曰申請的韓國專利申請荦 唬02-16820，复以 ， 丁月木 用複數個分影像方式併入本文中。本發明係針對使 統及方法。_如k ^ $ 4 4精確度的多4曝光微影系 與系統經過最^言，依據本發明’多重曝光微影的方法 Α。 土匕’可根據子布局或分影像來獨立校正重 豐。依據對應子希 主 W而叮+、， 局或勿影像的重疊參數來獨立校正重疊 ，從而可增進夤田 卫且 曰$ Ϊ S的精確度。 依據本發明的— 驟。確定要曝光^ °點，多重曝光微影方法包括以下步 參數輸入曝光系1複t個子布局的重疊參數。然後將重疊 局的每一子布、、' 。酼後，利用曝光系統，將複數個子布 局曝光於晶圓上的光 光之前，用對應的重，光⑮纟^疋子布局曝 校正該子布局的重最宜:數對該子布局執行校正處理，以 曝光的光阻。 宜。取後，所有的子布局曝光後，顯影 校正處理最好包括以 而確定參數；用4 卜程式··由曝光系統執行對準處理 違曝光系缔、1 獲得對準參數； τ々決定的參數校正重疊參數，以 ^ ，及用該對it a 重疊參數可包括γ虹 4數校正子布局的重疊。 h ,, I- u和丫軸偏移量、晶圓在X和Y方向的 比例、區域在X和γ方向 > ^ 7敌大率，或晶圓與區域之間的 方疋轉度與垂直度或其任意組八 子布局可安置在單個光 +或複數個光罩上。當已曝光的 -10- 1222101 (6) 發明說明續頁 子布局安置在單個光罩上時，由曝光系統在曝光處理前一 次對準晶圓與光罩，該光罩上安置要曝光的子布局。當子 布局安置在複數個光罩上時，在每一校正處理前，對準晶 圓與光罩，該光罩上安置要曝光的子布局。 依據本發明的另一項觀點，多重曝光微影方法包括以下 步驟。在圖案化晶圓上第一層的過程中，在晶粒的邊緣上 形成複數個圖框形第一重疊標記。然後，將第二層的布局 分成複數個子布局，以利用多重曝光方法圖案化第一層上 的第二層。接著在晶圓（其上形成第一重疊標記）上塗佈光 阻，以圖案化第二層。隨後將子布局曝光於光阻，其中在 每一曝光處理期間對準每一第一重疊標記的位置，形成第 二重疊標記。然後，由測量系統決定子布局的重疊參數。 重疊參數包括第一和第二重疊標記之間的偏移量。然後將 重疊參數輸入曝光系統。隨後利用曝光系統，將每一子布 局曝光於晶圓，在該晶圓上圖案化第一層並塗佈光阻。在 一指定子布局曝光處理之前，用對應的重疊參數對該子布 局執行校正處理，以校正該子布局的重疊。所有的子布局 曝光後，顯影曝光的光阻。 依據本發明的多重曝光微影方法可實施為應用程式，其 包括的指令有形地具體化於一或多個程式儲存裝置，並由 含有適當結構的機器或裝置執行。 _ 在本發明的另一項觀點中，多重曝光微影系統包括複數 個程式模組，如接收複數個子布局及對應之重疊參數的程 式模組，選擇要曝光之子布局的程式模組，及每一子布局 1222101 ⑺ 發明說明續頁 曝光於晶圓上光阻的程式模組，其中選定的子布局曝光處 理之前，利用對應的重疊參數，在選定的子布局上執行校 正程式，以校正選定子布局的重疊。 從以下結合附圖可理解的較佳具體實施例之詳細說明 ，可明白本發明的各項具體實施例、觀點、目的、特徵及 優點。 實施方式

現在將參考顯示本發明之較佳具體實施例的附圖，更全 面地說明本發明。但是本發明可具體實施為許多不同的形 式，且不應視為受限於本文提出的具體實施例，而對熟知 技藝人士而言，透過這些具體實施例使本文揭露的内容更 全面完整，並完全涵蓋了本發明的概念。 與上述傳統方法不同，本發明的方法與系統最佳化了曝 光系統的演算法，使曝光系統可依據每一子布局或分影像 獨立校正重疊。因此，本發明適用於多重曝光制程。

圖7為依據本'發明的一項具體實施例，多重曝光微影方 法的流程圖。更明確地說，圖7顯示當兩或多個子布局或 分影像安置在單個光罩上時，對每一分影像進行重疊校正 的方法。 先決定每一子布局的一或多個重疊參數，並輸入曝光系 統（步驟400)。重疊參數可包括X軸和Y軸偏移量、晶圓在 X和Y方向的比例、區域在X和Y方向的放大率，或晶圓與 區域之間的旋轉度與垂直度或其任意組合。 然後對準塗佈光阻的晶圓與光罩（步驟4 1 0)。利用該子 -12- 1222101 (8) 發明說明續頁

布局的一或多個對應輸入重疊參數，對選定要曝光的子布 局進行重疊校正（步驟420)。校正後，利用曝光系統將該 子布局曝光於晶圓上的光阻（步驟430)。然後確定是否所 有的子布局均已曝光（步驟43 5)。若仍有子布局要曝光， 對剩餘的所有子布局重複步驟420和430。當所有的子布局 均已曝光（步驟43 5中確定為肯定）時，則顯影曝光的光阻（ 步驟440)。由於重疊參數輸入了曝光系統（步驟400)，因而 後面的晶圓僅需執行步驟420至440的處理。 圖8為依據本發明的另一項具體實施例，多重曝光微影 方法的流程圖。更明確地說，圖8顯示當兩或多個子布局 或分影像安置在複數個光罩上時，分別對每一子布局或分 影像進行重疊校正的方法。

先決定每一子布局的一或多個重疊參數’並輸入曝光糸 統（步驟500)。子布局的重疊參數可包括X軸和Y軸偏移量 、晶圓在X和Y方向的比例、區域在X和Y方向的放大率， 或晶圓與區域之間的旋轉度與垂直度或其任意組合。 然後選擇分影像，並對準晶圓（其上塗佈光阻）與（具有 選定分影像的）光罩（步驟5 1 0)。利用選定子布局的一或多 個對應重疊參數，對選定的子布局進行重疊校正（步驟520) 。校正後，用曝光系統將該子布局曝光於晶圓上的光阻（ 步驟530)。然後，對剩餘所有要曝光的分影像重複步驟5 10 至530。當所有的子布局均已曝光（步驟535中確定為肯定） 時，則顯影曝光的光阻（步驟540)。由於重疊參數輸入了 曝光系統（步驟500)，因而對後面的晶圓僅需執行步驟510 13 1222101 (9) 發明說明續頁 至5 4 0的程式。 依據本發明的具體實施例，由於在下層上安置並曝光子 布局或分影像時，係對每一分影像的重疊參數進行校正， 因而有利於獲得具有增進精確度的重疊。

圖9和1 0顯示依據本發明的一項具體實施例，校正子布 局重疊的方法。參考圖9，在圖案化晶圓上的下層（未顯示 )時，在晶粒6 1 0的邊緣上形成複數個圖框形第一重疊標記 620。為了利用多重曝光微影方法圖案化下層上的上層， 將上層的布局分成兩或多個子布局。在一項示範具體實施 例中，上層的布局分成兩個子布局。接著參考圖1 0，在具 有圖框形第一重疊標記620的晶圓上塗佈光阻（未顯示）， 用以圖案化上層。隨後將子布局曝光於光阻時，在每一曝 光處理期間，在對準第一重疊標記620的位置，形成第二 重疊標記640a和640b。換言之，曝光第一子布局時，形成 第二重疊標記640a，而曝光第二子布局時，形成第二重疊 標記640b。測量’系統測量重疊參數，其包括第一重疊標記 620與第二重疊標記640a和640b之間的偏移量。因此，就確 定了每一子布局的重疊參數。重疊參數輸入曝光系統，對 每一曝光處理進行重疊校正。因此，如圖11所示，即使下 層的區域記錄680與上層上第一和第二子布局的區域記錄 685a和685b不同，上層的區域記錄685仍可準確地對準藉由 執行校正處理而形成的下層區域記錄680。 應當明白依據本發明說明的系統與方法，可具體實施為 各種形式的硬體、軟體、韌體、專用處理器或其組合。本 -14- 1222101 (ίο) 發明說明續頁 發明最好實施為軟體，如包含程式指令的應用程式，該指 令可有形地具體化於一或多個程式儲存裝置（如軟磁碟、 RAM、CD ROm和ROM)，並由含有適當結構的裝置或機器執 行。例如，可在操作曝光系統的數位電腦中執行應用程式 ，以實施依據本發明的多重曝光微影方法。

在另一項具體實施例中，依據本發明的系統或應用程式 包括各種程式模組，如操作測量裝置（其決定重疊參數） 的程式模組；接收多重曝光處理的複數個子布局及每一子 布局所對應之重疊參數的程式模組；選擇要曝光之子布局 的程式模組；曝光選定之分影像的程式模組，其中選定的 子布局曝光處理之前，利用其對應的重疊參數，在選定的 子布局上執行校正處理，以校正要曝光子布局之晶圓上的 重疊；決定是否所有子布局均已曝光的程式模組；及顯影 曝光之光阻的程式模組。 以本文教導的内容為基礎，熟知技藝人士很容易設計出

功能程式代碼及代碼段，其實際上均可在每一程式模組中 編碼。 如上所述，依據本發明之多重曝光微影Θ方法和系統獲 得最佳化，可獨立校正每一子布局或分影像的重疊。因此 ，藉由依據每一子布局或分影像獨立校正重疊，即可增進 重疊的精確度。 由於增進了重疊精確度，可省去移除重疊錯誤的光阻圖 案並重複曝光處理的返工處理。免除晶圓返工處理的優點 係提高設備的利用率及效率、節省返工設備的成本，及防 -15- 1222101 (Π) 發明說明續頁 止返工處理中污染晶圓。因此，裝置的產量獲得提高。 雖然參考較佳具體實施例，已對本發明進行了明確說明 ，但上述較佳具體實施例僅係顯示說明，而不應視為對本 發明範圍的限制。熟知技藝之專業人士應當明白，本發明 的形式與細節可進行各種變化，而不會背離附隨的申請專 利範圍所定義的本發明之精神與範疇。 圖式簡單說明

圖1顯示測量重疊的重疊標記。 圖2為傳統的多重曝光微影方法的流程圖。 圖3顯示可用於多重曝光微影方法的各種布局。 圖4係傳統的多重曝光微影方法的流程圖，其中複數個 子布局安置在一個光罩上。 圖5係傳統的多重曝光微影方法的流程圖，其中複數個 子布局安置在複數個光罩上。

圖6顯示對於傳統的多重曝光微影方法，將數個子布局 的重疊偏移量半均值用作預先確定的重疊參數時，產生錯 誤的範例圖。 圖7為依據本發明的一項具體實施例，多重曝光微影方 法的流程圖。 圖8為依據本發明的另一項具體實施例，多重曝光微影 方法的流程圖。 圖9和10顯示依據本發明的一項具體實施例，校正子布 局重疊的方法。 圖11顯示依據本發明，校正每一子布局之重疊的效果範 -16- 1222101 (12) 例圖。 圖式 代表 符 號 說 明 10 重 疊 可示 記 20 圖 框 形 第 一 標 記 30 板 形 第 二 標 記 40 光 罩 50 布 局 50a， 50b 子 布 局 60 光 罩 70a， 70b 分 離 光 罩 80 區 域 記 錄 85 不 可 校 正 的 殘 餘 項 85a， 85b 記 錄 610 晶 粒 620 圖 框 形 第 一 重 疊 標記 640a 第 二 重 疊 標 記 640b 第 二 重 疊 標 記 680 域 記 錄 685 域 記 錄 685a 區 域 記 錄 685b 區 域 記 錄 發明說明續頁 -17-

Claims (1)

1222101 拾、申請專利範圍 1. 一種多重曝光微影方法，其包括以下步驟： 決定複數個子布局的重疊參數； 將該重疊參數輸入一曝光系統； 利用該曝光系統’將每一子布局曝光於一晶圓上的光 阻，其中一指定子布局曝光之前，用一對應的重疊參數 對該子布局執行一校正處理，以校正該子布局的一重疊 ，以及 所有的子布局曝光後，顯影該曝光的光阻。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該子布局安置在一 個光罩上。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法，其中該曝光步驟包括對 準該晶圓與該光罩之步驟’該晶圓上塗佈該光阻。 4 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該子布局安置在複 數個光罩上。 5 .如申請專利範圍第4項之方法，其中該曝光步驟進一步 包括在每一校正處理前對準該晶圓與一光罩之步驟，該 晶圓上塗佈該光阻‘，該光罩上安置要曝光的該子布局。 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中一指定子布局的該 重疊參數包括X軸和Y軸偏移量、晶圓在X和_丫方向的比 例、一區域在X和Y方向的放大率，或該晶圓與區域之 間的旋轉度與垂直度或其任意組合。 7 .如申請專利範圍第1項方法，其中該校正處理包括： 由該曝光系統執行一對準處理而決定一參數； 1222101 _ 申請專利範圍續頁 用該曝光系統決定的該參數校正該重疊參數，以獲得 一對準參數；以及 用該對準參數執行一重疊校正。 8 . —種多重曝光微影方法，其包括以下步驟： 圖案化一晶圓上的一第一層時，在一晶粒的邊緣上形 成複數個圖框形第一重疊標記； 將一第二層的布局分成兩或多個子布局，以利用多重 曝光微影方法圖案化該第一層上的該第二層； 在其上形成該第一重疊標記的該晶圓上塗佈光阻，以 圖案化該第二層； 將該子布局曝光於該光阻，其中在每一曝光處理中， 在對準每一第一重疊標記的位置形成第二重疊標記； 利用一測量系統決定該子布局的重疊參數； 將該重豐參數輸入該曝光糸統； 利用該曝光系統，將每一子布局曝光於該晶圓，其上 圖案化該第一層並塗佈該光阻，其中一指定子布局曝光 前，用一對應的重疊參數對該子布局執行一校正處理， 以校正該子布局的一重疊；以及 所有的子布局曝光後，顯影該曝光的光阻。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該子布局安置在一 光罩上，且進一步包括對準該光罩與該晶圓之步驟。 10. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該子布局安置在複 數個光罩上，且進一步包括在每一校正處理前對準該晶 圓與一光罩之步驟，該光罩上安置要曝光的該子布局。 -2- 1222101 申請專利範圍續頁 11. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該重疊參數包括X 軸和Y軸偏移量、晶圓在X和Y方向的比例、一區域在X 和Y方向的放大率，或該晶圓與區域之間的旋轉度與垂 直度或其任意組合。 12. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該校正處理包括： 由該曝光系統執行一對準處理而決定一參數； 用該曝光系統決定的該參數校正該重疊參數，以獲得 一對準參數；以及 用該對準參數校正該重疊。 13. —種機器可讀程式儲存裝置，其有形地具體化該機器可 執行之指令程式，以執行如申請專利範圍第8項之方法 步驟。 14. 一種多重曝光微影系統，其包括： 一用以接收複數個子布局及對應之重疊參數之程式 模組； 一用以選擇要曝光之一子布局的程式模組；以及 一用於曝光每一子布局於一晶圓上之光阻的程式模 組，其中一選定的子布局曝光前，用一對應的重疊參數 在該選定的子布局上執行校正處理，以校正該選定子布 局的一重疊。 15. 如申請專利範圍第14項之系統，進一步包括一程式模組 ，其用於該子布局安置在一個光罩上時，對準該光罩與 該晶圓一次。 16.如申請專利範圍第14項之系統，進一步包括一程式模組 1222101 申請專利範圍續頁 ，當該子布局安置在複數個光罩上時，該模組用於在每 一曝光處理前，對準該晶圓與該光罩，該光罩上安置要 曝光的子布局。 17.如申請專利範圍第14項之方法，其中該重疊參數包括X 軸和Y軸偏移量、晶圓在X和Y方向的比例、一區域在X 和Y方向的放大率，或該晶圓與區域之間的旋轉度與垂 直度或其任意組合。

18·如申請專利範圍第14項之系統，進一步包括一程式模組 ，其藉由該曝光系統執行一對準處理而決定一參數，用 該曝光系統決定的該參數校正該輸入的重疊參數，以獲 得一對準參數，及用該對準參數執行一重疊校正。 19. 一種機器可讀程式儲存裝置，其有形地具體化該機器可 執行之指令程式，以執行多重曝光微影的方法步驟，該 方法步驟包括： 決定複數個子布局的重疊參數；

將該重疊參數輸入一曝光系統； 利用該曝光系統，將每一子布局曝光於一晶圓上的光 阻，其中一指定子布局曝光處理前，用一對應的重疊參 數對該子布局執行一校正程式，以校正該子布局的一重 豐，以及 所有的子布局曝光後，顯影該曝光的光阻。 20. 如申請專利範圍第19項之程式儲存裝置，其中該子布局 全部安置在一光罩上時，執行該曝光步驟的指令包括之 指令，係執行對準該晶圓與該光罩的該步驟一次。 1222101 申請專利範圍續頁 21.如申請專利範圍第19項之程式儲存裝置，其中該子布局 安置在複數個光罩上時，執行該曝光步驟的指令包括之 指令，係在每一校正處理前，執行對準該晶圓與一光罩 的該步驟。 22·如申請專利範圍第19項之程式儲存裝置，其中該重疊參 數包括X軸和Y軸偏移量、晶圓在X和Y方向的比例、一 區域在X和Y方向的放大率，或該晶圓與區域之間的旋 轉度與垂直度或其任意組合。 23.如申請專利範圍第19項之程式儲存裝置，其中執行該校 正處理的指令包括之指令，係執行以下步驟： 由該曝光系統執行一對準處理而決定一參數； 用該曝光系統決定的該參數校正該輸入的重疊參數 ，以獲得一對準參數；以及 用該對準參數校正該重疊。