TW594044B

TW594044B - Objective with pupil obscuration

Info

Publication number: TW594044B
Application number: TW091118226A
Authority: TW
Inventors: Hans-Jurgen Mann; Wilhelm Ulrich
Original assignee: Zeiss Carl Semiconductor Mfg
Priority date: 2001-08-16
Filing date: 2002-08-13
Publication date: 2004-06-21
Also published as: WO2003016977A3; CN100478787C; CN1516819A; US20040114217A1; DE60208045T2; CN1262863C; EP1417525B1; US7209286B2; JP2005500566A; AU2002333436A1; US20050180011A1; DE60208045D1; EP1417525A2; ATE313095T1; WO2003016977A2; CN1873539A; DE10139177A1; US6894834B2

Description

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其中央鏡孔隙造成二個部分物鏡，第間像上，且該第 —案就 9111822fi 五、發明說明（1) 本發明關於一種有反射鏡的物一光瞳遮攔。在此案例中，該物= 一部分物鏡將一第一場平面投影至= 部分物鏡將該中間像投影至一 σ甲間像上，且該第二例來說是用作微影術中m面上”匕等物鏡舉別是晶圓表面）之檢視物二：物鏡或是用來觀察表面“寺反射影曝光裝置内之具光瞳遮攔和中間像的反射式縮小物鏡見於歐洲專利卯〇的圖3之範例實施例顯示包括一 766 Α2號。圖2和物鏡的物鏡。、此實例中之V個二分物鏡和一第二部分對且具不同大小放大率的準施彳互相

Schwarzschild )物鏡。今算 m # v _ 如（QUaS1 Λ浐釦一 nn妙奋磁準施瓦兹希爾德物鏡係由一 -:物於安j構而成，每一鏡有-中央鏡孔隙。在其所數值孔徑大一些。料S3等3:;L=攔比起°.3的像側〇· 4。中間像處的數值孔二V勿鏡個僅/ -種放大率-°. 6或 ^ ^ ^ ^ ^ ^ , 值札仏因忒—個相互相對的準施瓦茲希爾德物鏡構造而比像平面内的數值孔徑大。

古ί二：極遠务外線（Euv )微影術且具備光瞳遮攔但沒 0的反射式投影物鏡揭示於美國專利第5 21 2 5 8 8 號。此案例中之投影物鏡包括一有一中央鏡孔隙的凸鏡及一具有一中央鏡孔隙的凹鏡。發自物體平面的射線於撞擊像平面之間在該二鏡反射四次。在有一介於〇 4和〇.7間之孔徑遮攔的案例中，其像側數值孔徑僅介於〇 . 〇 8和〇 . 3之間。其範例實施例中的放大率介於-0. 3和-〇. 2之間。：另—種用於EUV德：影術且具備光瞳遮攔但沒有中間像 594044

號 9111 mR 五、發明說明（2) 的反射式投影物鏡揭示於美國專利第5〇〇 3 5 6 7號。在此案例中，該投影物鏡包括一對球面鏡，該等鏡經多層塗覆且有一共同曲率中心。在此案例中，第一鏡為一凸鏡，而第二鏡為一凹鏡。然而這些施瓦茲希爾德型物鏡有一大像場曲率，故美國專利第5 003 567號建議對一弧形基板施加一結構載罩（主光罩）。應用於EUV微影術之具光瞳遮攔和中間像的反射式投影物鏡亦揭示於歐洲專利EP 1 〇93 02 1 A2號。在此案例中，排列在物體平面與中間像間之第一部分物鏡有四個或六個鏡，該等鏡以排列在孔徑光闌平面内為前提軸外地嵌入。本案例中之第一部分物鏡不會造成光瞳遮攔。第二部分物鏡包括一有一軸外鏡孔隙的凸鏡及一有一軸外鏡孔隙的凹鏡。就幾何觀點而言最靠近像平面的鏡是一凸鏡，且因此該鏡基板的厚度在光學軸上為最大。這在考量到該凸鏡之自由像側工作距離和基板厚度時造成一較大的孔徑遮攔。此外，凸鏡的直徑通常比凹鏡小，因其有一發散光焦度。然而’在一較小鏡直徑的的案例中，鏡遮攔（亦即鏡孔隙之直徑對鏡直徑的比率）更加令人不合意。一種具備光瞳遮攔但沒有中間像的反射式顯微物鏡揭示於美國專利第4863253號。其包括一沒有中央鏡孔隙之凸鏡及一有一中央鏡孔隙的凹鏡。在此排列中，射線在經該凹鏡反射之後不會通過該凸鏡内一鏡孔隙，而是受導引從外側經過該第一鏡。如此由該凸鏡造成一非常高的孔徑遮攔。：由Gil Moretto發表之、、Aplanatic corrector

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_ 案號9111似邓五、發明說明（3) designs for the extremely large telescope77 (Applied Optics; Vol. 39， No. 16; 2000 年6 月1 日； 28 0 5-28 1 2 )揭示一種反射式望遠鏡，其在一球面主鏡之下游有一校正物鏡校正因該主鏡造成之球面像差以及彗差 (coma )。在此.案例中，該校正物鏡以對由 ^間像以3·5之放大率放大的方式將該中間像遠鏡之像平面上。在此案例中該物鏡包括將該中間像投影至另一中間像上的二個凹鏡以及將該另一中間像投影至該望遠鏡之像平面上由一凹鏡和一凸鏡組成的一對鏡。由該主鏡形成之中間像對該另一中間像之投影以-〇· 9之放大^ 縮小’而該另一中間像對該望遠鏡之像平面的投影以一 3·75之放大率放大。该望遠鏡之像平面處的數值孔徑為 0· 1且該中間像處的數值孔徑為〇· 345。因為鏡孔隙，該物鏡有一比數值孔徑大的光曈遮攔。該校正物鏡亦有一較大的場曲率，因為該凸鏡僅有一微小曲率。一種望遠鏡之校正物鏡亦揭示於R· K· Jungquist發表之 design of the Hobby-Eberly Telescope

Four Mirror Spherical Aberration Corrector" (SPIE V〇L 3779，2-16， 1 999年7月）。該光學設計非常類似於先前所述的校正物鏡。其校正物鏡内僅只使用凹鏡，因而其場曲率較大。可驅動被鏡陣列揭示於M. A · % i g n a r d發表之

Digital Micromirror array for Projection TV/7 (Solid State Technology, 1994 年γ 月，當作投影曝光裝置内接受投影之物鏡的應第63-68頁）其用構成美國專利 594044 案號 91118226 年月曰修正五、發明說明（4) 第 5523 1 9 3 號、5691 541 號、60 6022 4 號及5870 1 76 號的内容。然而在該等專利之範例實施例中，各自的投影物鏡僅為示意表示。合乎一般所稱無光罩微影術（maskless 1 i thography )要求之投影物鏡的具體範例實施例未見於該等專利。一種具備光瞳遮攔及中間像的折反射式投影物鏡揭示於德國專利DE 1 97 3 1 29 1 C2號。在此案例中，該物鏡有一折射式部分物鏡和一折反射式部分物鏡，且應用於一大 UV波長範圍中。除了色彩校正透鏡之外，有一凹鏡和一近似平面鏡排列、於該折反射式部分物鏡内。因為用到透鏡， = EUV波長（< 2〇奈米）的情況中不可能使用此種物鏡。 =投影物鏡舉例來說是用在一觀察晶圓表面之檢視系統本叙月之目的為改良具光瞳遮攔之投影物鏡，被地說是要降低孔徑遮攔。 W 物鏡’明確此目的藉助於依據申請專利範坌依據申請專利範園j乾圍弟1項之一種物鏡、申請專利範圍第27項之」種：J板曝光的方法、依據圍第28項之-種觀察物體以及依據申請專利範徵本發明之有利改良處顯露於附屬申請專利範圍項的特依據申請專利範圍筮w 4第—部分物鏡將-第-場平面 594044

----一 Q111«99fi 五、發明說明（5) 在此案例中，纟包括-有-第-中央鏡孔隙之第一凸鏡及 -第二中央鏡孔隙之第二凹鏡。在此案例中，發自於该弟一場平面之光線首先通過該第二鏡孔隙、於該第一鏡 ^射、於該第二鏡反射、然後通過該第一鏡孔隙。由於該弟二鏡孔隙之直徑係由該第一鏡之直徑決定，就降低孔徑，攔之目的來說最好以凸鏡提供該第一鏡且以凹鏡提供該第二鏡，使得該第一鏡有一大致小於該第二鏡的直徑。、5亥第一鏡和第二鏡以一第一軸向間距排列。除非另有明述’在本申請案中該二鏡間之軸向間距是以該二鏡之表面頂點之間決、定。在具備中央鏡孔隙之鏡的案例中，其表面頂點係指假設該鏡沒有鏡孔隙時鏡表面會截交該光學軸 T°该第二鏡與該中間像間有一第二軸向間距。此案例 A 5亥中間像的位址（1 oca t i on )是以該中間像之近軸位置、=出為了使孔徑遮攔保持盡可能的低，第一軸向間距對 /二軸向間距之比值介於〇· 95和丨· 〇5之間，特別是介於於3 t1 · 〇 2之間。在此案例中，該中間像定位為至少近似古為第一鏡的位址。由於一筆狀射線束（ray. pencU )之息徑右士曰在、每平面内為極小的，且另一方面筆狀束直徑係由一之位、^直徑決定’最好將該中間像盡可能靠近該第一鏡與f址安置。因此舉例來說該中間像亦得定位在該第一鏡二二—鏡之間、該第一鏡之表面頂點或是光線方向内該第玫Γ之表面頂點的下游’前提是必須滿足前文所述的間距上

该中間像藉助於該第二部分物鏡投影至一第二場平面出現在該第二部分物鏡之光學組件與該第二場平

594044 曰修正五、發明說明（6) ^' --- 面間的是一不存在於該中間像與該第一部分物鏡之光學組件間且夠大的自由光學工作距離。該第二部分物鏡有:具備一第三中央鏡孔隙的第三凹鏡及一具備一第四中央鏡^ 隙的第四凹鏡，該二鏡相面對地排列。在此案例中，光線首先通過δ亥弟四鏡孔隙、於該第三鏡反射、於該第四鏡反射、然後通過該第三鏡孔隙。為了使孔徑遮攔保持盡可能的低’ 5亥弟二鏡排列為以該自由光學工作距離所容許盡量靠近該第二場平面。此外，該第三鏡為一有一較大直二二凹鏡，是以鏡孔隙直徑對鏡直徑的比率呈較小值。該^三鏡與第四場平面間的軸向間距以νΙΜ表示。間距ΖΜ3 :最^ 有一等於第三鏡最小基板厚度與一最小自由光學工作距離之和的極小值。本案例中該最小基板厚度是指表面頂點與後表面（即使該鏡因該中央鏡孔隙而在該處沒有基 /、料)之間的光學一軸上距離。該最小基板厚度為鏡二徑的 /6。由於，、_為一凹鏡，實體呈現的第三鏡基板厚度會大。如果孔徑遮攔許可，則以軸線上之最小基板厚度曰具中央鏡孔隙之凹鏡之直徑的5%或甚至1〇%.為最佳。二鏡之後表面與第二場平面間的导1 & π 丁 ®間的取小自由光學工作 5.0毫米。此自由光學工作赫為 1下距離確保一物體在該第二場平面内的定位。不勿丁且值首先為可容許孔徑遮攔之-函數，且八-人為s亥弟一场平面内之數值孔徑NA之—函數。對於— 低孔徑遮攔來說以該第二镑、徑DuM3的5〇 %為最佳。由於兄 < 直 τ ^ "、巧弟二鏡孔隙之直徑隨該第:二 %平面數值孔徑之反正弦函金 ----數的正切函數成線性增加，且

第13頁 594044 案號 91118226 月曰修正五、發明說明（7) ί1返该弟三鏡與場平面之間距成值由下式關係給出： 0.25 ^ Du, 線性增加，間距ZM3_IM之極大

Z ‘Μ3·1Μ tan(arcsin(NA)): 舉例來說，為了能夠使用一投影曝光裝置或一檢視系統率應能盡可能地校正。該物鏡徑之絕對值大於該第一場平面間距。為了補償凹鏡對佩茲伐正向作鏡因而在有關於其排佩茲伐僅瞳遮攔光學軸所有鏡直接因過鏡孔中具較遮攔係用，該第一凸鏡提供一有一大負光於其對孔徑列為至少近校正效果仍有具備始於之该物鏡内測得。在本傳送且不因鏡孔隙而暈隙並撞擊^ 大孔徑角的疋義為該第第二場平面之數值該第一鏡附近以及達成介於0 · 0至〇. 6 焦度及（與遮攔之作用似於中間像有一低孔徑一指定極小的投影。在案例中該最一鏡孔隙而開，而是以特殊擋光元其他射線由二場平面之孔徑的比率在該第二像之間（特別該内最與曲大凹的之遮值本小暈虛件鏡最物鏡將一加長物體投影至之一像上，該物鏡之場曲好有一佩兹伐半徑，此半該第二場平面之間的軸向率和（Petzval sum)之負向作用。由於該第一凸鏡相比）一小直徑，此鏡方面特別重要。然而，由位址，儘管其有一良好的搁。之孔徑角的光線促成具光案例中此等孔徑角是參考孔徑角使光線正好仍能由開。在本案例中，光線不光線（f a 1 se 1 i ght )通 ’在此同時一筆狀射線束反射。在本案例中，孔經小孔控角的正弦函數對今藉助於將該中間像排列^ 面附近使用一凹鏡，能多句介於〇· 0至0· 5之間的孔

第14頁乃 4ϋ44 修正曰 Α號 91118226 五、發明說明（8) 梭遮攔值。之-ΪI:Ϊ孔徑遮搁’第二場平面數值孔徑對孔徑遮攔場平％值亦為該物鏡的一個重要特徵。該物鏡在該第二 2内的數值孔徑越大，越難達成—低孔鏡的特點在於此比率大於U，特別是大於丨/攔該物特55, f本案例中’該第二場平面内的數值孔徑大於0 3，特別是大於G.4，特佳為大於n 人於〇·3 在0亥弟一場平面與第二揚伞 4 : 1的成俊fcl· f · · 間，該物鏡有一大於的烕像比例（wagmg scale ratic) ) ，44 Μ Θ 士认 10…特佳為大於2。：卜介於4:1二):1: 比例對微影術之投影物鏡而言為典型:、大於2〇 ^舉例來說對於顯微物鏡、檢視物鏡、 3陣=影至-光敏基板上的投影物鏡而言是極Γ有Γ 物ί i : Bf書中’兩共軛場平面間之成像比例係定義為二物體兩度與一像高度間之比率 “ 此放大率舉例來說對-正像有=號物體问度間之比率， =該物鏡包括二個部分物鏡，最好弟-場平面間之成像比例以及該中：：；與列大於…，特別是大於 :面與第二場平面間之數值孔徑值孔徑在未到言亥第二場平面之前不會發±。以取大數為了使孔徑遮攔保持盡可能的低，最好詨鏡在該第一場平面與中間像之間有-與該第：部分物^ ----比例。疋以此成像比例應當大於第15頁 594044

3 : 1，特別是大於5 : 1，特佳為大於1〇 ·· 1。第一鏡：負光焦⑨，有可能將該第二鏡之直徑大致大於該弟-鏡之直徑。在本案例中該第二鏡直徑對=一鏡直徑的比率應大於3 :丨，特別是大於5 :丨。由 ^戎弟二鏡之鏡孔隙的直徑大約等於該第一鏡的直徑，該第一？僅造成-低孔徑遮攔’或者不會使孔徑遮攔加大 (此日可孔徑遮攔是由其他鏡造成）。，於光束之筆錐斷面在中間像區域内為最小，且因而亦在第-鏡區域内為最小，最好將該第四鏡排列在中間像區域内或是第一鏡區域内。在本案例中該第四鏡與第一鏡間之軸向間距應小於該第一場平面與第二場平面間之軸向間距的10 %。除非另有明述’本申請案中的尺寸並非以絕對性用語列出，而是以該第一場平面與第二場平面間之軸向間距的比率表示，因為所有尺寸與此間距成比例。在本案例中，該第一鏡當然能排列在該第四鏡的鏡孔隙内。該一鏡亦得具有相同的鏡基板，該第一鏡之鏡面裝配在該鏡基板之前表面上，且該第四鏡之鏡面裝配在該鏡基板的後表面上。在一有利實施例中，先前所述特徵僅由四個鏡達成。為了能夠以兩階段加大該第一場平面與第二場平面間之數值孔徑’最好將另一中間像排列在該中間像與第二場平面之間。為此之故’將一具有一第五中央鏡孔隙之第五鏡及一具有一第六中央鏡孔隙之第六鏡依光學方式排列在該中間像與該另一中間像之間。在本案例中，光線首先通過該第六鏡孔隙’於該第五鏡反射，於該第六鏡反射，然後通

第16頁 594044 五、發明說明（10) 過該弟五鏡孔隙。然後將該第三鏡和第四鏡依光學方式定位在該另一中間像與第二場平面之間。因此該第二部分2 鏡有二個子系統’第一子系統包括該中間像與該另一中像之間的光學組件（特別是該第五鏡和第六鏡），且第i 子系統包括該另一中間像與第二場平面之間的光學組件 (特別是該第三鏡和第四鏡）。、當該第五鏡及第六鏡為凹鏡，其得具有與鏡孔隙相較之下杈大的直從’因此即使其會讓孔徑遮攔變差也僅是輕微而已。做為凹鏡，其排列為相互面對。另種遥擇’亦有可能该弟五鏡為一凸鏡且該第六鏡為一凹鏡。然後該第五鏡和第六鏡有一與該第一鏡和第二鏡相似的排列方式。為了使來自於該第六鏡之筆狀射線束在該第五鏡有一小射線直從’且因而亦使該第五鏡孔隙僅有一小直徑，最好该另中間像與弟五鏡間之間距小於該第一場ip*面與第二場平面間之軸向間距的5 %。由於該中間像處的數值孔徑大致大於該第一場平面内的數值孔位，忒第六鏡應排列為靠近該中間像或靠近該第一鏡。該第六鏡與第一鏡間之軸向間距最好小於該第一場平面與第二場平面間之軸向間距的丨0 %。、因為相同理由，該第四鏡應排列為靠近該另/中間像或靠近該第五鏡。該第四鏡與第五鏡間之軸向間距最好小於該第一場平面與第二場平面間之軸向間距的丨0 %。在有至少（特別是剛好）六個鏡之排列的條件下〃有可能在一小於0.5之孔徑遮攔的案例中於該第二場平面内 oy4〇44 曰修正 Α號 9111，五、發明說明（11) 達到：大6 (特別是大於0.8 )的數值孔徑。 i曰亚右Τ ί又’：物體為—反射性物體，照明光必須在該第-H Ϊ第一部分物鏡之光學組件之間接入（COUP1 ing in )。精確地說’在小於2()奈米之謝波長的案例中，最好使用一般所稱掠擦入射鏡（grazing_incidence mirror )做接入，立山參…m，Lt丄。、在此案例中射線對表面法線的入射角大於70 。然而此等鏡需要在該第一場平面之上游有一夠大的自由工作距離。此自由工作距離最好大於該第一場平面與第二場平面間之軸向間距的2 0 %。有可能藉助於前述物鏡設計校正一直徑大於丨· 〇毫米之場在該第二場平面内的投影。特疋p之，球面像差對該第一場平面與第二場平面間之軸向間距的比率小於丨0 — 5。此案例中之球面像差值舉例來說在由市售的光學設計軟體codev計算時把依據塞德耳理論（Seidel theory)之三次項球面像差列為橫向像差 (lateral aberration) 〇是以該物鏡能用作投影物鏡或檢視物鏡.，最好該第一場平面與第一場平面間之軸向間距至多為Μ⑽毫米。若該物鏡僅有反射鏡，其用途並不侷限於一指定波長範圍。事實上有可能藉助於鏡之一適當塗層使該物鏡適^ 於對應的作業波長。該物鏡亦能在其反射層容許的條件下同時用於兩相互獨立的作業波長。在一微影投影曝光裝置之投影物鏡的案例中，舉例來說投影得為以一第一波長進行’且結構载罩（主光罩）與光敏基板（晶圓）之對準得 _為以一第二波長進行。最好是以小於2〇〇奈米的波長使用

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594044 修正

I 號 911182邓五、發明說明（12) 該物鏡，因為在此等波長 (例如氟化物晶體）可用。^ /僅有少許透射性材料使用鏡是必要的。* 一：約長的案例中 :例中，舉例來說，使用由錮和；=之：業波長的夕兀素塗層做為鏡之反射塗層。疋鉬和鈹之材料的該物鏡的用途並不侷限於單能：個別鏡之間排入透鏡，特別是在;=工正或用來設定遠：性4透鏡舉例來說能用來進行色彩校 !〇 Λ—Λ佳實施例中，該物鏡之放大率的絕對值小於以一们方案^中’有一物體排列在該第一場平面内然後鈿小方式投影至該第二場平面内之一像上。交物於此ϊ物鏡舉例來說是用作微影投影曝光裝置内之投影 =°在:微影投影曝光裝置中，—照明系統照射一結構 (主光罩）再由該投影物鏡投影至一光敏基板上。兴，，ί微影投影曝光裝置在習知技藝中已有充分理解，牛例來δ兒揭不於針對EUV微影術之美國專利第5 2丨2 5 8 8號、 5003567號或歐洲專利EP 1 093 02 1 A2號中，以上專利之内谷元整地納入本申請案中。、微型結構半導體組件係以許多個別獨立且非常複雜的方法步驟製造。一重要的方法步驟於此案例中關係到光敏基板（晶圓）（例如具備光阻劑之矽基板）的曝光。在此案例中’適當的主光罩於一單一層的製造過程中由該投影物鏡投影至該晶圓上。 5'有可能以一可驅動微鏡陣列取代一微影投影曝光裝

第19頁 594044 修正案號 9111822B 五、發明說明（13) 置内之一主光罩。此等微影投影曝光裝置在習知技藝中已有充分理解，舉例來說揭示於美國專利第5523 1 93號、 5 69 1 54 1號、6060224號和5870 1 76號中，以上專利之内容 70正地納入本申請案中。由於先前所述物鏡許可在該可驅動彳政鏡陣列與一光敏基板之間有一大於2 0 : 1的成像比例，個別微鏡的像（其大小在1微米的量級）具有小於5 〇 =米的尺寸。因此，可驅動微透鏡陣列亦變得適用於超微衫術（microlithography)，因為其有可能達成小於1〇() 奈米的解析度。、在一微型'結構半導體組件之一單一層的製程中，微鏡以僅使要投影之微鏡的筆狀射線束瞄準該物鏡之入口光瞳的方式依據一指定圖案帶動。由一適當的射線拼他所有筆狀射線束對該投影有作用。湖防止其在另一較佳實施例中，該物鏡之放大率的絕對值大於 [、· 0。在此案例中，有一物體排列在該第二場平面内然後' 乂放大方式投影至該第一場平面内之一像上。此等物鏡舉例來說是用作一觀察物體表面之檢内的檢視物鏡。該物體表面（特別是一晶圓 ^怜視物鏡以一高倍率放大方式投影至一觀察單元之二。:檢視系統有一照明系統直接地或經由該檢視物鏡昭月D亥表面。在此案例中，照明光舉例來說是在該觀察二、，二口表面與該檢視物鏡之間或者是在該檢視物鏡二二=

^撼ίί束路徑内。由該表面反射之光線藉由該觀察單元依據各樣標準進行評估。、早7L

594044 一修正曰 M3t 9111R99R 五、發明說明（14) :丁波長範圍之德國專利DE 1 97 3 1 29 1 C2，容完整地納入本申請案中。 #7 β ^ ^ '扠影物鏡或檢視物鏡之應用，依據本菸明Θ 物鏡亦能用於希望在且供伙艨本發明之繞射投影的其：以：：非：大數值孔徑的條… 口、顯谥術提供一廣大應用範疇。疋、、下《π圖式更詳細地說明本發明。 =α為一第一範例實施例的透鏡剖面； . 圖1Β為圖1Α之一詳細圖；圖2 Α為一第二範例實施例的透鏡剖面；圖2Β為圖2Α之一詳細圖；圖3Α為一第三範例實施例的透鏡剖面；圖3 Β為圖3 Α之一詳細圖； J 4為一具備一可驅動微鏡陣列之微影投影曝光褒置的略 f —具備:結構載罩之微影投影曝光裝置的略圖；且圖6為一檢視糸統之略圖。綠出-依據本發明之物鏡i的第一範例實施例。由鏡1有一非常大的物體側自由工作距離，為了更清、洽故以圖1B繪出圖1Ai詳細圖。該第一範例實施例之光二曰料以光學設計軟體CodeV的格式列於表一。子、物鏡1包括第一部分物鏡3和第二部分物鏡5 ,此二邙分物鏡以光學軸0A為中心對正。物鏡！以一1〇〇 :1的^像比例將第一場平面7投影至第二場平面9上。第二場平高9 1的數值孔徑NA為0.7 °第二場平面9内的場直徑為2毫 594044 修正曰案5虎 91118226 五、發明說明（15) 米。第一場平面7與第二場平面9間的軸向間距為2 〇〇〇米。第一部分物鏡3以一74 : 1的成像比例將第一場平面7 投影至中間像11上。其包括有中央鏡孔隙15之凸鏡13以及有中央鏡孔隙19之凹鏡17。凹鏡17之光焦度設計為使中間像11形成於凸鏡1 3附近。鏡丨7與中間像丨丨之近軸位置之間的軸向間距等於鏡17與鏡13之間的軸向間距且為68 8毫米。凹鏡17之直徑對凸鏡13之直徑的比率為3〇 : i。假設鏡17在光學軸上之基板厚度為35·2毫米，第一場平面7與鏡17之間的自由光學工作距離為158〇毫米。第一邛为物鏡5以一 1 · 3 5 : 1的成像比例將中間像丨丨投影至第二場平面9上。其包括有中央鏡孔隙23之凹鏡21以 ^有=央鏡孔隙27之凹鏡25。鏡21在本案例中排列為靠近弟一场平面9且與此平面間有一4〇·〇毫米的軸向間距。鏡毫米的直徑。因此，其應有一9.5毫米的基板予又（至〉^光學軸〇人上是如此）。鏡21在光學軸上的基反厚度為30宅米。鏡21之基板厚度與鏡21和第二場平面9 間之軸向間距的差值定出自由光學工作距離，此距離在第二範例貫施例中為10.0毫米。另一方面，鏡21靠近第二場平面9的釭度使得在第二場平面9内之數值孔徑= 〇 7 =中其鏡遮攔僅抓3。在此案例中，鏡遮攔係由鏡孔隙，直徑1鏡21之直徑的比率給出。是以凹鏡25並不會使孔徑遮攔變差，其為排列在凸鏡丨3或是中間像丨丨的附近。凹鏡25與凸鏡13間的軸向間距為？！ 3毫米。面29和擋光^31 (其設計做為一射線陷 594044

阱）位在凹鏡21與凹鏡25之間。林τ 第二場平面9内發生之筆狀射線束抬有光一元幾件^之日直/以使在之孔徑遮攔的方式固定。若以— 、乎與％冋度無關徑光鬧排列在孔徑光閑平面29内具=械式孔孔徑光闌平面之曲率於一弧面上仏：5 :依據該個具可變直徑之扁平機械式孔徑光$。”複數偏移地插入。發自於第一場平面7 & 1，八在必要柑得軸向 ^ u 知日仏乐％干面7内二個場點33和35之邊點33位在先學軸線0Α上，且場㈣位在該場之 ^亡：光學轴線0Α間有一!。。毫米的間距。與場點⑽有 ^進=關聯的是射線41，該射線正好不再因鏡孔隙而晕開；f:二場平面9内，其有-18.4。的孔徑角，是以孔 3攔為G. 45 °該第二場平面内之數值孔徑對孔徑遮搁的 t率因而為1. 56。凹鏡17之鏡孔隙19對第一範例實施例中之孔徑遮攔以一限制性的方式作用。在該第一範例實施例中有可能藉助於凸鏡丨3之負光焦度大幅校正場曲率。其佩茲伐半徑為1 92 1 37毫米。在該第一範例實施例中有可能將三次項球面像差校正成一〇· 6微米的值。一依據本發明之物鏡20 1的第二範例實施例繪於圖、 Ιί。ί 了更清楚描繪故以圖2B繪出圖2A之詳細圖。該第二犯例實施例之光學資料以光學設計軟體c〇deV的格式列於表了。圖2A/B中與圖ia/B之元件對應的元件以圖ia/b内之相，參考符號加上數字2〇〇。參照有關於圖以以之說明為此等元件做說明。

594044 案號 91118MR 五、發明說明（17) 物鏡201包括第一部分物鏡2〇3和第二部分物鏡205，此二部分物鏡以光學軸OA為中心對正。物鏡2〇1以一 1〇〇 : 1的成像比例將第一場平面2 〇 7投影至第二場平面2 〇 9上。第二場平面2〇9内的數值孔徑NA為0.9。第二場平面209内的％直從為2¾米。第一場平面207與第二場平面2〇9間的軸向間距為2 0 0 〇毫米。第一部分物鏡203以一 52 : 1的成像比例將第一場平面 2 0 7投影至中間像21ι上。其包括有中央鏡孔隙215之凸鏡 213以及有中央鏡孔隙219之凹鏡217。凹鏡217之光焦度設計為使中間像'211形成於凸鏡213附近。鏡217與中間像211 之近軸位置之間的軸向間距等於鏡2 1 7與鏡2 1 3之間的軸向間距且為447.5毫米。凹鏡217之直徑對凸鏡213之直徑的比率為14· 4 ·· 1。假設鏡217在光學軸OA上之基板厚度為 36· 4毫米，第一場平面207與鏡217之間的自由光學工作距離為1 0 5 0毫米。第二部分物鏡2 0 5以一 1. 9 : 1的成像比例將中間像211 才又影至弟二場平面2 〇 9上。本案例中之投影是經由中間像 211在另一中間像243上之一中間投影進行。中間像211是由具有中央鏡孔隙247之凹鏡245以及具有中央鏡孔隙251 之凹鏡249投影至另一中間像243上，然後該另一中間像由具有中央鏡孔隙223之凹鏡221以及具有中央鏡孔隙227之凹鏡2 25投影至第二場平面209上。有可能藉助於此另一中間投影讓場平面内的數值孔徑逐步加大，從而最終有可能在第二場平面2 〇 9内達成一〇. 9的數值孔徑。為了使孔徑遮攔保持盡可能的低，在每一案例中將第

3V4U44 3V4U44

案號 9111822R 五、發明說明（18) 二部分物鏡2 0 5内的鏡幾柯柯山 249之光焦度設計為使 j列在場平面附近。凹鏡近。鏡249與另—中間像243中之間斤像/43形成於凹鏡245附鏡249與鏡245間的轴向間距：位6二間的軸向間距等於為了使孔徑遮攔保持盡可·毛米。在中間像21 i或是另-中；，，凹鏡249和225排列傻211 M夕紅A „ / τ门像以3的附近。凹鏡249與中間像Z 11間之軸向間距為5 〇〇臺 243之門亦η古、k ，凹鏡225與另一中間像對岸於盥浐？ · ^只。在每一案例中，該等軸向間距亦對應於與鏡2 1 3或與鎊？ 4 R古μ a , 撰煜敫士 η 士' π… 45有關的軸向間距。該等軸向間距 3 = ::能以鏡後表面之一轴向板厗度）排列相鄰排列的错9 ] q 。η ^^^^^,^i；f；M；249 ^245 ^25^245 ^ ^ ^ . ^ . Θ —表面。為了使通過鏡孔隙247之射線不b在基板處軍開，含玄祛乒的截頭圓錐形凹痕。後表面有一橫跨中央鏡孔隙247 单而5 5 Ϊ例中’ ί221排列為靠近第二場平面209且與此亩句2 一40· 〇耄米的軸向間距。鏡221有一 748. 2毫米严产，梦2^1此’、其至少在光學軸0Α上有一22·，4毫米的基板 ί4，光ΐ軸基板厚度為34毫米。鏡221之基板厚 22 口弟一％平面2 0 9間之軸向間距的差值定出自由 ^ I ΐ 離，此距離在第二範例實施例中為6. 0毫米。伞而9ncT向，鏡221靠近第二場平面2 09的程度使得在第二場、之數值孔杈NA = 0· 9的情況中其鏡遮攔僅有 U . Z 7 ° 具擋光70件231之孔徑光闌平面229位在凹鏡221與凹鎖;225之日’ 〇發自於第一場平

594044 案號91118226_年月曰倐ff_ 五、發明說明（19) 邊緣射線237和2 3 9通過孔徑光闌平面229之上下邊緣。在此案例中，場點2 3 3位在光學軸線0 A上，且場點2 3 5位在該場之上部邊緣上與光學軸線0 A間有一 1 〇〇毫米的間距。第二範例實施例中之孔徑遮攔為0· 43。該第二場平面内之數值孔徑對孔從遮搁的比率因而為2.09。凹鏡2 4 9之鏡孔隙 2 5 1對第二範例實施例中之孔徑遮攔以一限制性的方式作用〇在該第二範例實施例中有可能藉助於凸鏡2丨3之負光焦度大幅校正場曲率。其佩茲伐半徑為8 9 4 0毫米。在該第二範例實施例中有可能將三次項球面像差校正成一 0 · 8微米的值。依據本發明之物鏡3 0 1的第三範例實施例繪於圖 3A °為了更清楚描繪故以圖3B繪出圖3A之詳細圖。該第三範例實施例之光學資料以光學設計軟體c〇deV的格式列於表三。圖3A/B中與圖2A/B之元件對應的元件以圖2A/B内之相同參考付號加上數字1 〇〇。參照有關於圖2 a / b之說明為此等元件做說明。物鏡301包括第一部分物鏡3〇3和第二部分物鏡3〇5，此一部分物鏡以光學軸〇 A為中心對正。物鏡3 〇 1以一丨〇〇 : \的成胃像比例將第一場平面3〇7投影至第二場平面3〇9上。、第,場平面309内的數值孔徑NA為〇9。第二場平面3〇9内的場直徑為2毫米。第一場平面3〇7與第二場平面3〇9間的軸向間距為2389毫米。第，部分物鏡3 〇 3以一 6 6 : 1的成像比例將第一場夺面 3 Q 7投衫至中間像3 11上。其包括有中央鏡孔隙315之凸鏡

第26頁 594044 一 _案號91118226_ 年月曰 _ j多正_ 五、發明說明（20) 313以及有中央鏡孔隙319之凹鏡317。凹鏡317之光焦度設計為使中間像311形成於凸鏡313附近。鏡317與中間像311 之近軸位置之間的軸向間距等於鏡31 7與鏡3 1 3之間的軸向間距且為450.8毫米。凹鏡317之直徑對凸鏡313之直徑的比率為14. 9 : 1。假設鏡317在光學軸OA上之基板厚度為 33.3毫米，第一場平面307與鏡317之間的自由光學工作距離為1 470毫米。第二部分物鏡3 〇 5以一 1 · 5 : 1的成像比例將中間像3 11 投影至第二場平面3 0 9上。本案例中之投影是經由中間像 311在另一中閜像343上之一中間投影進行。中間像311是由具有中央鏡孔隙347之凹鏡3 45以及具有中央鏡孔隙351 之凹鏡349投影至另一中間像343上，然後該另一中間像由具有中央鏡孔隙323之凹鏡321以及具有中央鏡孔隙327之凹鏡325投影至第二場平面309上。第二部分物鏡3 0 5内之鏡分別排列在場平面附近。凹鏡349之光焦度設計為使另一中間像343形成於凹鏡345附近。鏡349與另一中間像343之近軸位置間的軸向間距等於鏡34 9與鏡345間的軸向間距且為68.9毫米。的軸向間距。在第三範例實施例中，鏡3丨j與3 4 g間之軸向間距或是鏡345與325間之軸向間距小於各鏡基板的總和。

第27頁凹鏡3 4 9和3 2 5排列在中附近。凹鏡3 4 9與中間像3 11 凹鏡325與另一中間像343間一案例中，該等軸向間距亦間像31 1或是另一中間像343的間之軸向間距為1 8 . 9毫米，、而之軸向間距為37· 5毫米。在每對應於與鏡313或與鏡345有關 594044 ^·, 91118226_年月日_修正 A、發明說明（21) 35^内，且鏡345位在鏡325之鏡孔隙327内。雖然在第二範例實施例中由鏡349決定孔徑遮攔，在第三範例實施例中與其對應的鏡349變得無關緊要。鏡31 3、349和345之基板後，面不是平面。為了使通過鏡孔隙之射線不會在鏡基板上暈開’該等後表面有一橫跨中央鏡孔隙的截頭圓錐形凹痕。鏡3 2 1排列為靠近第二場平面3 〇 9且與此平面之間有一 4〇· 〇毫米的軸向間距。鏡321有一 7 60· 7毫米的直徑。因此，其應當至少在光學軸〇 A上有一 22.8毫米的基板厚度。鏡321之光學細基板厚度為35毫米。鏡321之基板厚度與鏡 321和第二場平面3〇9間之軸向間距的差值定出自由光學工作距離，此距離在第三範例實施例中為5· 〇毫米。另一方面，鏡321靠近第二場平面3〇9的程度使得在第二場平面 2〇9内之數值孔徑ΝΑ = 0· 9的情況中，鏡321之鏡遮攔僅有〇 · 2 6 〇具擋光元件331之孔徑光闌平面329位在鏡325之間。發自於第一揚伞；qn7 & 加β . 知曰κ罘％千面307内二個場點333和335之邊緣射線337和339通過孔徑光闌平面329之上下邊缘。在，案例中’場點333位在光學軸線〇,上，且場點m位在該 %之上部邊緣上與光學軸線〇Α間有一1〇〇毫米的間距。第三範例實施例中之孔徑遮攔為〇.39。該第二場平面内之數值孔徑對孔徑遮攔的比率因而為231。凹鏡32 5之鏡孔隙 327對第二範例實施例中之孔徑遮攔以一限制性的方式作用〇

594044 年月曰修正五、發明說明（22) -一'_~— 大幅校正場曲率。其佩茲伐半徑為76472毫米。在該第三範例實施例中有可能將三次項球面像差校正成一 0 · 3微米的值。一EUV微影術之微影投影曝光裝置453概要繪於圖4。一雷射誘導電漿源459當作光源。在此案例中，舉例來說，藉助於一泵雷射（pump laser)457激勵一氤靶使其發出 E^V輻射。照明系統455包括集流鏡461、均質化及場形成早凡4=3、以及場鏡465。此等照明系統舉例來說揭示於本案申請人所有之美國專利第6 1 9879 3號（德國專利DE 199 0 3 8 0 7號），以上專利之内容完整地納入本申請案中。照=系統455在排列於支承定位單元469上之微鏡陣列467 上f出一有限場。微鏡陣列467具有1 000 x 1 000個大小為 U米X 1 〇微米的獨立可驅動鏡。考慮到微鏡間一〇 5微米之最小間距，照明系統455應照明一大小為1〇· 5毫米χ 米的方形場。微鏡陣列467位在一投影物鏡4〇1之物 =平面内，該物鏡將受照明場投影至一光敏基板471上。抑此^例中，光敏基板471排列在支承定位單元473上，此可微鏡陣列467掃掠。得使用圖1至3所示範例實 46了是心做為投影物鏡40 1。在此案例中，微鏡陣列平彳在弟一場平面内，且光敏基板471排列在第二場 ίΠ為：二ΪΓ5 65不會晕散投影束路徑，嫌 = = 鏡Γ467有 '㈣毫米的吉句> J回中所不範例實施例之物體場有一 2,〇 0 —該受例來說得排列為離光學軸OA有

594044

:'〇毫米間距。微鏡陣列46 7之個別微鏡以一1〇〇 : loo太半沾、士丨土板47ι上，且因而該等微鏡的像有一女未的小。因此，有可能在一105微米X 105微米之像場上造出有一大約100奈米解析度的 1 2物鏡4〇1的投影是低繞射的。藉由以支承：為 = 步進移位且/或掃掠，亦有可能讓尺寸3 :未的场曝光。微影投影曝光裝置453亦有射線陷阱475。吸收未由微鏡導入投影物鏡4〇1之入口光瞳内之筆線束的光線。利用電腦控制單元477控制泵雷射457、昭明 f統455 (為了改變光瞳照明）、可驅動微鏡陣列a?以及支承定位單元473和469。 y另一範例實施例之微影投影曝光裝置5 5 3繪於圖5。微影投影曝光裝置553有一取代可驅動微鏡陣列467之反射性主光罩579。圖5中與圖4之元件對應的元件以圖4内之相同麥考數字加上數字100。可參照有關於圖4之說明為此等元件做說明。由於反射性主光罩579上的結構得具有小於丄微米的尺寸，有可能在光敏基板571上造出解析.度約小於ι〇奈米的結構，因為投影物鏡5〇1的投影是低繞射的。一用來觀察晶圓表面之檢視系統6 8 1概要繪於圖6。以了產生157奈米波長之光的準分子雷射685做為光源。照明系統683包括均質化及場形成單元6 87以及波束分離哭68 9 (例如一半穿透性鏡）。波束分離議將/日/光=8至9 才双視物鏡6 0 1内，遠物鏡將待分析物體6 g 1之表面投影至一觀察單元695之入口表面693上。在此案例中，物體691;排列在一許可物體6 9 1移位和轉動的置物臺6 9 7上。得使用圖

第30頁 594044 案號 91118226 _η 曰修正五、發明說明（24) 1至3所示範例實施例其中之一做為檢視物鏡6 〇ι。在此案例中，物體691是排列在第二場平面内，且入口表面693 1列在第一場平面内。舉例來說，有可能用檢視物鏡6 〇 1 分析一 5j0微米χ 500微米大小的表面。然後此物體場之像在觀察單元695之入口表面6 93上具有5〇毫米χ 5〇毫米的尺 =利用電腦控制單元6 9 9控制光源6 8 5、照明系統6 8 7 明）、以"^臺697,且評估觀察單用於任何、、虫具、ΐ可能藉由鏡之一適當塗層使該檢視物鏡適

/长或是適用於一大波長範圍 A 視物鏡亦能用认，图特疋吕之，邊檢 J月匕用於小於20奈米的EUV波長0

594044 _案號91118226_年月日_ 五、發明說明（25) 附表一製造資料 SS3£>

Muvg J,N§i αίω,ιωΣνΙα 3HnJ,HWcuv SS3NM3IHJ, M3V8 XNO£ Η3ΒΣΠΝsaivAHS JO SiliaVH 1N3W313 7d3H T33Q; 6S0-CNJ SIZ.08 TD?06.8ee ε 丨u 70 t 丨L>

8666·6ε r-5 卜 Tr660.m-doeHs 3Hn,LH:Hdv ss-cvl9- Γνιςτ8·89-950.S9I

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fn丨CJ 丨u 第32頁 594044 _案號91118226_年月日修正五、發明說明（26) Γa

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TVO xsia SVWI ssh WIOJ,•LSia iowrmo « ΝΟΓδπα3Η sCJHVoDrsouQ3sn J.V 第33頁 594044 案號91118226 年月曰修正五、發明說明（27) 附表二製造資料 SSV13 svm JLNO£ 5I3WV2 3§s3dv

scn3§oI?L J.NOHLU sfuv/uls』0 snlas H3msnN 1N3WS3 画腦 ΤΗωβί 73 s cr» »H CN ro ^3· LT) Γ' I I I I I ««r U U U U CJ 〇 9S0-CSJ ιηΓΝΙε8·99ΐ 9 丨u <Nfns*s ISln.sCVJ οοοο.ςετ— daLco3Ήη1Ή3α,ν Ιζειη.οει· 360.9卜〇〇 s9ln‘o9- STS· 8S ITr»r 卜干 ιη28·εειηΙ fH cm m tn < < < < < Γ〇 ·〜L〇〇 rH rH fH tt ^T C\J H CN <Ni CNJ CM CM *^00

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NOIHVIOH λ χ ωίζωοωα λ χ Η3Η3ΗνΙα 3<3<HScx3csnHa:3dv Viva 3Hns3dv 第34頁 oocrooCVJ 00009 οοο,οί 000*06 00CT9 000·9 0106· 62 000 Is 000 SCSJ 000 Sr 09 92 01 LOII 06 εεπ 000-ooCSI 65· 8? (3S§) OSCQO} (3S2 osmo) OSCQO) soil ID S3H1D SOHICJ suso 3Ί0ΗΙ0 SOHIO scmlo 3UHIU scmlo ’ilo 10

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594044 _案號91118226_年月曰修正五、發明說明（28) οο+ωοοοοο·ο 00+300000,0 §+3000000 00^00000-0 00 + 30§00·0 00+30§00·0

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第35頁 594044 案號01118220 年月日修正五、發明說明（29)附表三製造資料 ssso svu 0.205 α:3ε2:νιαωΗΠΟΛΙωίίν SS—UIHJ· bvcJ-NO£ 3§1νδδ iO S2a§ sii ,LN3S13 1ΙΗ11

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第36頁 594044 案號9111822^_年月曰 —魅五、發明說明（30) H o 00+30ϋ§0·0 91 — 39056*1 — Q0SS000uisocoI 00+300000sis 卜 εε00+sooooε(Ν-3ςς9ιη6 00+30000G 02丨 35S6 0?300000 /12丨 3Iccm 0 9丨 0 ko丨 0 τ 0 s- 00.S00000-0 Γηΐ 丨 3Ρ62Ζ·7 G0+3G0000 Ϊ2 丨 3ε8ιη6ιη 0010 S 丨 isln 00+ωοοοοο s-39ITr6CNJ 00+300000 0CNJ丨ωζ,ΐκεoo+woooooΪ73ε826 ο το ε丨ο tnο 门ο CN1 00+300000 丨 SSS 00+300000 91丨30ICSI99οοίοοοοο ει—3ε862 00+3G0000 CSII-3SS6 00+300000 9II3uro8ln00+iooo 01 丨 3is

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第38頁 594044 索號 91118226 圖式簡單說明 4 5 5照明系統 4 6 1集流鏡 4 6 3單元 4 6 5場鏡 469，473支承定位 457控制泵雷射 5 5 3微影投影曝光^ 6 〇 1物鏡 685雷射/控制光源 6 8 9波束分離器 695觀察單元 4 6 7微鏡陣列 L元 4 5 5照明糸統置 6 8 1檢視系統 6 87單元/照明系 6 9 1分析物體 6 9 7置物臺 4 71光敏基板 4 7 7控制單元 5 0 1投影物鏡 5 7 9反射性主光罩 683照明系統 6 9 3入口表面 6 9 9電腦控制單元

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Claims

594044 _案號91118226_年月日修正六、申請專利範圍 1· 一種物鏡（1，201，301 )，其具有：一第一部分物鏡（3，203，303) ’其將一第一場平面 (7，2 0 7，3 0 7 )投影至一中間像（1 1，2 11，3 11 )上且包括一具有一第一中央鏡孔隙（15, 215, 315)之第一凸鏡 (13, 213, 313)及一具有一第二中央鏡孔隙 (19，219, 319)之第二凹鏡（17,217,317)，該第一鏡 (13, 213, 313 )與該第二鏡（17, 217, 317 )間有一第一軸向間距，且該第二鏡（1 7，2 1 7，3 1 7 )與該中間像 (11，2 11，3 11 )之間有一第二軸向間距，且該第一軸向間距對該第二軸向間距之比率的值介於0 · 9 5與1. 〇 5之間，特別是介於0· 98與1. 02之間，及一第二部分物鏡（5，2 0 5，3 0 5 )，其將該中間像 (11，2 11，3 11 )投影至一第二場平面（9，2 0 9，3 0 9 )上且包括一具有一第三中央鏡孔隙（23, 223, 323)之第三凹鏡 (21，221，321)及一具有一第四中央鏡孔隙 (2 7,227,327 )之第四凹鏡（2 5,2 2 5,3 2 5 )，該第三鏡 (2 1，2 2 1，3 2 1 )與該第二場平面（9，2 0 9，3 0 9 )之間有一第三軸向間距ZM3_IM，該第三軸向間距與該第二場平面 (9,20 9,3 0 9 )内一數值孔徑NA及該第三鏡 (21，221，321)之一直徑DuM3具有下列關係： 0,03 ^ + 5Ό mm < ZM3-LM < Ο . 25 · Dum3 匕an (arciain (ΙνΙΑ)) 該物鏡（1，201，301，401，501，601 )有一佩茲伐半徑，此半徑之絕對值大於該第一場平面（7, 2 0 7, 307 )與該第二

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(1，201，301 ) ’其中該物鏡（i，2〇1，301)於第二場 (9, 209, 309)内有一球面像差，且該球面像差對該一面場平面（7,2 07,3 0 7 )與第二場平面（9,2〇9,3〇9)間— 向間距的比率小於1 〇 - 5。袖 2〇·如申請專利範圍第1至16項中任一項之物鏡 (1，201，301)，其中該第一場平面（7,2〇7,3〇7)與場平面（9，2 0 9，3 0 9 )間之軸向間距至多為3 〇〇〇毫来。— 21·如申請專利範圍第1至16項中任一項之物鏡 “ (1，2 0 1，3 0 1，4 0 1，5 0 1 )’特別是一微影術之投影物鏡該物鏡（1，201，30 1,40 1，501 )將該第一場平面 ’ (7, 20 7, 307 )内之一物體以一縮小方式投影至該第二場平面（9, 209, 309)内之一像上。 W 22· —種微影投影曝光裝置（553 )，其有一照明系統 (5 55 )及一依據申請專利範圍第21項之物鏡（5〇ι )，其將一結構載罩（ 579 )投影至一光敏基板（571 )上。八 2 3 · 一種使光敏基板（5 71 )曝光之方法，其利用一依據申請專利範圍第22項之微影投影曝光裝置（5.53 )，其中該結構載罩（ 579 )由該照明系統（ 555 )以一筆狀射線束照明，經該罩（5 7 9 )結構化之筆狀射線束由該物鏡 (5 0 1 )投影至光敏基板（5 71 )上，且該基板（5 7 1 )囡而曝光。 24·—種微影投影曝光裝置（ 453 )，其有一照明系統 (455 )及一依據申請專利範圍第21項之物鏡（401 )，其將一可驅動微鏡陣列（ 467 )投影至一光敏基板（471 )

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=.種使光敏基板（4 71)曝光之方法，其利用一依據申請專利範圍第24項之微影投影曝光裝置（453 )，其中該可驅動微鏡陣列（ 467 )由該照明系統（455 )照明，其中筆狀射線束於該微鏡陣列（467 )之微鏡反射’其中該楗鏡陣列（467 )之微鏡由—控制單元（477 )以僅使該筆狀射線束之一部分經由該物鏡（4〇1 )到達該光敏基板 (471)的方式依據一指定圖案帶動，且其中該光敏基板 (471 )由依據該指定圖案之透射筆狀射線束曝光。 26·如申請專·利範圍第項中任—項之物鏡 (1 ’ 2 0 1，3 0 1，6 0 1 )’特別是一檢視物鏡，該物鏡 (1，201，301，601)將該第二場平面（92〇9,3〇9)内之一物體以一放大方式投影至該第一場平面（了，了，go?)内之一像上。 2 7 · —種用來觀察表面（特別是晶圓表面）的檢視系統 (6 81 )，其有一照明系統（6 8 3 )及一依據申請專利範圍第2 6項之物鏡（6 0 1 )，其將一排列在該第二場平面内之物體（691 )的表面投影至一觀察單元（695 )排列在該第一場平面内的一入口表面（693)上。 2 8· 一種觀察表面之方法’其利用一依據申請專利範圍第 27項之檢視系統（681 )，其中一物體（69ι )之表面（特別是晶圓表面）由該照明系統（6 8 3 )以一筆狀射線束戶召明，該筆狀射線束之射線依該表面上之結構位置之一函數以多方向繞射’ 5亥繞射的射線由該物鏡（6 〇 1 )投影至七专

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