TW591994B - Conductive sheet - Google Patents

Description

591994 Π) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種導電性薄片。更詳細地說明，是關 方 < 種可適用於半導體用基板或電氣電子零件用電路基板 或各種封裝等的導電性薄片。 【先前技術】 近年來，在以行動電話或遊戲機爲首的各種民生用電 子機器及以0A機器或計測器爲首的各種產業用電子機器 中，均期盼高性能且精緻的形態，隨伴該形態在被使用於 此些的各種基板類也被要求更高密度化。又作爲因應於此 些的要求的一種手段嘗試著有效地活用該基板的表背兩面 的各種，所以在使用作爲此些基板的基材的導電性薄片， 也提案各種在絕緣性薄膜的表背兩面形成導電層者。在此 種構造的導電性薄片中，經由稱爲設於絕緣性薄膜的貫通 孔的小孔電氣式地接合著表背面導電層的結構。 然而，在經由該貫通孔的電氣式接合方法被指摘有各 種缺點問題。亦即，通常該貫通孔是在絕緣性薄膜設置導 電層之後，藉由施以開孔加工所形成，惟在該情形，在開 孔的通氣孔的底部，因留有薄膜的殘留部分，因此該殘留 部分成爲原因而有產生電接合不良的情形。爲了解決該缺 點問題，嘗試兩種不相同的雷射來進行開孔加工（日本國 公開特許公報200 1年第1 5 560號公報），惟要將兩種不 相同的雷射精度優異地照射在相同部位爲極難而在作業精 -4- (2) (2)591994 度及作業效率上均有問題。又，爲了互相地可電氣式地接 合表背面兩導電層而必須在依此種雷射的開孔加工後再施 以依鍍處理等的加工，而與在絕緣薄膜上形成導電層的加 工合倂則成爲二度費工夫。又，在如上述的鍍處理加工中 ，僅鍍處理貫通孔的內壁面所進行，惟此種會成爲電氣式 接合的信賴性會降低者，尤其是在通氣孔內徑變小時，則 其電阻係數成爲缺點問題。還有，在此種鍍處理加工中， 在鍍處理後作爲孔整來看也仍在空孔之狀態，若繼續置放 此種空孔，則有留在該處的空氣等會在後續的工程中曝露 在高溫時產生膨脹破裂的情形，因而須藉由某些手段來塡 補空孔。 本發明是鑑於上述的缺點問題而創作者，其目的是在 於提供一種提高絕緣性薄膜的表背面的導電層的電氣式接 合的信賴性，任何大小的通氣孔也可確保電阻係數，同時 也可避免空孔的破裂的問題且製造效率也優異的導電性薄 片。 【發明內容】 本發明的導電性薄片，是在絕緣性薄膜的表背兩面形 成有導電層的導電性薄片，其特徵爲：對於物理性地貫通 該絕緣性薄膜被開孔的貫通孔，藉由能塡補該內部所有地 塡充構成上述導電層的至少一方的導電層的構成物，使得 此些表背兩面的兩導電層作成互相地可電氣式地接合。 又本發明的導電性薄片，依構成導電層的構成物所產 -5- (3) (3)591994 生的貫通孔的塡充與形成該導電層可同時地進行。 又本發明的導電性薄片，依構成導電層的構成物所產 生的貫通孔的塡充及該導電層的形成，藉由鍍處理可進行 〇 一方面，本發明的導電性薄片，是在絕緣性薄膜與導 電層之間也可形成底子層。 又本發明的導電性薄片，是在絕緣性薄膜與導電層之 間’形成有不同導電層與底子層，該底子層形成在該不同 導電層上者。 又本發明的導電性薄片，是將特定貫通孔的位置作爲 目的，在絕緣性薄膜也可形成對準標記。 又，本發明的導電性薄片，是絕緣性薄膜作成較長的 連續狀者。 又，本發明的導電性薄片，是絕緣性薄膜形成較長的 連續狀者，且藉由形成於該薄膜的導電層被蝕刻而構成複 數電路圖案，而且每一各電路圖案可進行切割者。 在本發明的導電性薄片中，藉由採用如上述構成，尤 其是對於將絕緣性薄膜的表背兩面導電層作成可電氣式地 接合所需的貫通孔的加工，並不僅是其內壁面的加工，而 是成爲藉由以導電性物質來塡補貫通孔的所有內部加以塡 充者。所以，該電氣式接合效果的信賴性極高，不管任何 大小的貫通孔可確保電阻係數，而且成爲同時地解決空孔 的破裂問題者。又，由於對於此種貫通孔的加工與導電層 的形成作成以單一工程就可進行者，因此製造效率成爲極 -6- (4) (4)591994 優異者。 【實施方式】 將本發明的導電性薄片的各構成要素以及該薄片的構 造包含各該製造方法等如下說明。 (絕緣性薄膜） 作爲使用作爲本發明的導電性薄片的基材薄膜的絕緣 性薄膜，若爲可使用於此種用途的習知公知者並未加以特 別地限定也可使用任何者。例舉其一例，例如可列舉有如 聚醯亞胺、聚酯聚硕、聚醚亞胺、聚苯醚、PEN、液晶聚 合物、玻璃纖維強化環氧樹脂、苯酚樹脂、丙烯樹脂等的 薄膜。在此些中，使用特別是柔軟性優異又可高性能化的 聚醯亞胺或玻璃強化環氧樹脂所形成的薄膜較理想。又， 在此所指的薄膜，其厚度爲1 〇至1 5 0 // m，較理想爲大約 25至130//m者，又，對於其形狀只要是薄片狀者，不管 是一枚形態者或者如輥子的較長的連續狀形態也可以。在 本發明中，特別是由其製造上加工效率的觀點來看使用如 輥子的較長連續狀者較適用。 (導電層） 作爲形成於上述絕緣性薄膜的表背兩面的導電層，若 作爲此種導電層爲習知公知者，並未特別加以限定而任何 者均可使用。列舉其一例子，有例如藉由將表示導電性的 (5) (5)591994 各種金屬施以鍍處理或濺射所形成，或藉由將此些金屬所 形成的箔施以黏接或熱壓製加工所形成，或是藉由使用以 此些金屬爲首含有其他如碳黑等的導電性物質所成的導電 性油墨所形成者，或是組合此些技術與光阻技術者等。在 此些中，考慮加工效率或下述的貫通孔的容易塡充等，則 藉由將表示導電性的各種金屬施以鍍處理所形成者特別理 想。在該貫通孔的內徑較小者時，特別是須藉電鍍才能塡 充其內部而成爲極困難所致。又，作爲上述金屬，可列舉 銅、銀、金、鎳、鋅、鈀、錫或含有此些金屬的一種以上 所成的合金等。又，作爲鍍處理以無電解鍍或電鍍之任一 種均無所謂，惟鍍液的組成或鍍處理條件是也須考慮下述 的貫通孔的塡充而加以適當地選擇較理想。例如作爲鍍液 的組成能充分地塡充貫通孔而能適當地調節金屬鹽的濃度 ，一般金屬鹽的濃度選擇1 0至600g/l左右的條件者較理 想。又，作爲鍍處理條件，適當地調節p Η、浴溫、電流 密度等，一般選擇pH 1〜13、浴溫10〜70 °C、電流密度 〇·1〜50A/dm2的條件者較理想。又，該導電層的厚度是 3〜130//m，較理想爲作成8〜20/im。若不足3//m時，則 無法得到充分的導電效果，又若超過1 3 0 μ m，則導電效 果並沒有很大差別反而在經濟上成爲不利。又蝕刻性（圖 案）也變差。 (底子層） 在本發明中，視需要可將底子層形成在上述絕緣性薄 -8- (6) (6)591994 膜與導電層之間。該底子層是藉由組合上述絕緣性薄膜與 上述導電層，或是藉由作成需要的導電層的厚度等而將導 電層直接形成在該絕緣性薄膜上較困難時當成需要者’在 藉由電氣式手段形成導電層之際，發揮作爲所謂該電極的 作用，或是藉由塗布手段形成導電層之際，發揮作爲其錨 層的作用者。此種底子層是例子藉由將上述各種金屬施以 鍍處理或濺射，或是在上述導電性油墨藉由塗布未含有導 電性物質的組成的油墨或光阻劑而可形成在絕緣性薄膜上 。在此些中，欲均勻地被覆下述的貫通孔的內部，特別是 採用電鍍及濺射較理想。該貫通孔的內徑較小者時，特別 是未依此些方法，則成爲很難被覆該內部。一般，該底子 層的厚度是0.05〜2//m，較理想爲0.5〜l#m。該厚度不足 0 · 0 5 // m時，欲形成導電層的效果有無法充分地發揮的情 形，另一面形成超過2 // m厚度，在所得到的效果上並沒 有很大差別而在經濟上反而成爲不利。 (貫通孔） 本發明的貫通孔，是指物理式地貫通上述絕緣性薄膜 所設置的小孔，能塡補該內部所有地塡充有構成上述導電 層的至少一方的導電層的構成物。由此，本發明的貫通孔 是發揮將設在上述絕緣性薄膜的表背兩面的導電層加以互 相地電氣式接合的作用者。在本發明中，對於該貫通孔並 不是如習知技術地採用以導電性物質僅鍍處理或塗佈其內 壁面的方法，而是採用依據完全新穎的構想而能完全塡補 -9- (7) (7)591994 其內部地塡充導電性物質（亦即構成導電層的至少一方的 導電層的構成物）的方法之故，因而與習知技術相比較， 顯著地提高對於該電氣式接合效果的信賴性者。因此，不 管貫通孔的大小，可確保電阻係數而且可同時地解決空孔 的破裂問題者。此種貫通孔是內徑成爲1 〇至1 00 // Π1，較 理想爲20至3 0 // m地藉由各種雷射、鑽子、衝孔、壓製 加工等開孔手段而能物理式貫通地被開孔。但是，在絕緣 性薄膜的一面設有導電層或底子層時，物理式地貫通包含 此些層者也可以，或是未物理式地貫通此些層而留下的形 式，僅物理式地貫通上述絕緣性薄膜而施以開孔。又，此 種貫通孔的形狀是並未特別加以限定，可作成圓形者或多 角形狀者。又，在該貫通孔的上述內徑成爲不足l〇//m 時，則產生電氣式接合效果無法充分地擔保的情形，一方 面若超過1 00 // m時，則無法充分地達成塡充上述導電性 物質的情形，因而均不理想。 (對準標記） 在本發明的絕緣性薄膜，可形成對準標記。該對準標 記是成爲決定貫通孔的所定位置的基準者，一般形成於絕 緣性薄膜的兩端（未設置貫通孔的位置）較適用。此種對 準標記是藉由光學式、電子式、磁性式、目視式或其他讀 取手段，可決定貫通孔的所定位置者任何一種者也無妨， 又作爲其形成方法並未特別加以限定者。例如在目視式地 讀取時，作爲對準標記而在絕緣性薄膜的兩端開設孔成爲 -10- (8) (8)591994 貫通該薄膜者較適用。又，該孔（稱爲對準孔）是較理想 爲具有一定間隔連續地開孔較理想。藉由採取此種構成成 爲可更簡單地決定貫通孔的位置。作爲此種對準孔的大小 ，一般作爲50//m至3mm左右較理想，可藉由電射、鑽 子、衝孔、壓製加工等進行開孔。 (導電性薄片的構造） 以下，參照第1圖至第1 3圖說明本發明的導電性薄 片的構造。 第1圖是表示本發明的導電性薄片的一前驅體的槪略 剖視圖；在絕緣性薄膜1 1設有貫通孔1 3之同時在其一面 形成有導電層12者。第2圖是表示本發明的導電性薄片 的槪略剖視圖；在未形成有上述第1圖的導電層的一方的 面形成導電層之同時以該導電層塡充貫通孔的內部者，亦 即，在絕緣性薄膜21的兩面形成有導電層22，24，而貫 通孔23的內部以上述其中一方的導電層24進行塡充者。 第3圖是表示與本發明的導電性薄片的上述第1圖不 同的前驅體的槪略剖視圖；在絕緣性薄膜3 1設有貫通孔 33之同時在其一面形成有導電層32，而在另一方的一面 形成有底子層35者。第4圖是表示與本發明的上述第2 圖不同的導電性薄片的槪略剖視圖；在未形成有上述第3 圖的導電層的一方的面形成導電層之同時以該導電層塡充 貫通孔的內部者，亦即，在絕緣性薄膜4 1的兩面形成有 導電層42，44 (但是其中一方的44是在底子層45上面 -11 - (9) (9)591994 )，而以上述一方（亦即形成在底子層45上面的一方） 的導電層44塡充貫通孔43的內部者。 第5圖是表示本發明的導電性薄片的又一前驅體的槪 略剖視圖；在絕緣性薄膜51設有貫通孔5 3與對準孔5 6 之同時，在其全面形成有底子層者。第6圖是本發明的導 電性薄片的槪略剖視圖；在上述第5圖的底子層上形成導 電層之同時，以該導電層塡充貫通孔的內部者，亦即，在 絕緣性薄膜61全面形成有底子層65。在底子層65上形 成有導電層62之同時，以同一導電層62塡充貫通孔63 的內部者。又，對準標記6 6的對準孔是開孔部較廣之故 ’因而未藉由導電層62進行塡充。 第7圖是表示與本發明的導電性薄片的上述不相同的 前驅體的槪略剖視圖；在絕緣性薄膜7 1設有貫通孔3與 對準孔76之同時，在其兩面各形成有導電層72與74。 第8圖是表示本發明的導電性薄片的槪略剖視圖；在上述 第7圖的導電層上又形成導電層之同時，以該又形成的導 電層來塡充貫通孔的內部者，亦即在絕緣性薄膜8 1的兩 面形成有導電層82，84，而在此些導電層上又形成導電 層87之同時，以該導電層87塡充貫通孔83的內部者。 第9圖是表示本發明的另一導電性薄片的槪略剖視圖；在 上述第7圖中，對於保留其中一方的導電層而開設貫通孔 者又形成導電層者，亦即在絕緣性薄膜9 1的兩面形成有 導電層92，94’從該導電層92之一邊保留導電層94而 開設貫通孔93，又在導電層92上形成導電層97之同時 -12- (10) (10)591994 ’以該導電層97塡充貫通孔93之內部者。又，第8圖及 第9圖中’對準孔86，96是開孔部較廣之故，因而未藉 由導電層87，97加以塡充。 第10圖是表示本發明的導電性薄片的與上述不同的 前驅體的槪略剖視圖；在絕緣性薄膜1 〇 i設有貫通孔1 〇 3 與對準孔10b之同時，在其兩面各形成導電層1〇2與1〇4 ，又在其全面形成有底子層105者。第u圖是表示本發 明的導電性薄片的槪略剖視圖；在上述第1 〇圖的底子層 上形成導電層之同時，以該導電層塡充貫通孔的內部者， 亦即在絕緣性薄膜1 1 1的兩面形成有導電層1 1 2，1 1 4。 又在此些的全面形成有底子層115，在該底子層115上形 成導電層117之同時，以該導電層117塡充貫通孔113的 內部者。第1 2圖是表示本發明的不同導電性薄片的槪略 剖視圖；在上述第1 〇圖中’封於保留其中一方的導電層 而開設C者又形成底子層，而在其上面形成導電層者；亦 即在絕緣性薄膜1 2 1的兩面形成有導電層1 2 2，1 2 4，從 該導電層122的一邊保留著導電層124而開設貫通孔123 ，又在導電層122上面形成有底子層125，在該底子層 125上形成導電層127之同時，以該導電層127塡充貫通 孔123之內部者。又，第11圖及第12圖中，對準孔116 ’ 126是開孔部較廣之故’因而未藉由導電層 1 17 ’ 127 加以塡充。 第1 3圖是表示本發明的導電性薄片的槪略俯視圖； 在該導電性薄片的兩端開設有對準孔1 3 6之同時，經由導 -13- (11) (11)591994 電層而位於其下面的貫通孔1 3 3被透視地表示 (導電性薄片的製造方法） 本發明之記載於上述的各該構造的導電性薄片，是如 下所述地可加以製造。首先，對於上述絕緣性薄膜1 1賦 予對準標記（例如對準孔1 3 6等）之後，以該標記作爲基 準而在所定位置開設貫通孔1 3 3。又，在未形成有對準標 記時，也可適當使用X線繞射裝置等進行貫通孔的定位 。又，作爲該絕緣性薄膜使用在其一面設有導電層1 2或 底子層3 5的絕緣性薄膜1 1也無妨，在該情形，該貫通孔 1 3是一般成爲對於未設有此些層的一方的面進行開孔， 惟如上述地包含此些層施以物理式地貫通，或是在保留此 些層的形態下開設成僅貫通絕緣性薄膜1 1也可以（參照 第1圖）。又，此些導電層或底子層是可各形成複數或層 積所形成，又形成在絕緣性薄膜的雙面也無妨（參照第7 圖，第10圖。 之後，在設有如上述地設有貫通孔的絕緣性薄膜2 1 的表背兩面形成導電層22，24之同時，藉由構成此些導 電層的構成物來完全塡充貫通孔23的內部。在本發明中 ，以一加工操作用時地進行此種導電層的形成與貫通孔的 塡充較理想。可提高製造效率，同時又不需要另外地進行 塡補貫通孔的空孔處理。作爲此種導電層22，24的形成 方法，如上述藉由電鍍或濺射所形成’或藉由導電性油墨 或光阻劑所形成，惟爲了本發明的一特徵的藉由構成導電 •14- (12) (12)591994 層的構成物來塡充貫通孔的所有內部，尤其藉由鍍加工較 理想，其中藉由電鍍特別理想。又，如上述地事先在絕緣 性薄膜2 1的一面已設有導電層22的情形，上述製程是僅 對於未設有導電層22的另一面進行貫通孔的塡充成爲也 藉由構成該導電層24的構成物施以塡充，若不是此種情 形，亦即在開設貫通孔之後，對於絕緣性薄膜的表背兩面 設置導電層的情形，該貫通孔的塡充是藉由構成表背任一 的導電層的構成物施以塡充也可以，或是藉由此些導電層 的兩構成物者也可以。或是在事先形成的導電層上可再形 成導電層，如此地再藉由形成的導電層也可塡充貫通孔。 一方面，在本發明中，如上述地在形成導電層之前， 視需要也可將底子層3 5設置於絕緣性薄膜的表背兩面或 任何一方的面。此種底子層3 5是藉由鍍加工或濺射，或 是藉由油墨或光阻劑可加以形成。又，此種底子層是也可 形成在導電層上，而經由該層可層積導電層。 又，如上述地所製造的本發明的導電層，是再藉由任 意地蝕刻等該導電層，而在絕緣性薄膜的表背兩側中，可 構成互相地電氣式地接合的所期望的電路，特別是絕緣性 薄膜爲較長的連續狀者，在上述電路能形成複數時，在各 電路每一圖案地可加以切斷。 以下，列舉實施例更詳述本發明，惟本發明是並不被 限定於限定者。 (實施例1 ) -15- (13) (13)591994 作爲絕緣性薄膜使用聚醯亞胺薄膜（厚度25 // m，全 長100m者），而將作爲導電層以厚度12//m的銅箔藉由 熱壓製來接合該一方的表面。之後，對於未接合有該薄膜 的銅箔之一方的表面照射UVYAG雷射，僅聚醯亞胺薄膜 的部分能物理式地貫通，而開設內徑25 // m的貫通孔。 然後，對於開設有上述薄膜的貫通孔的其中一方的表 面，藉由刮塗具塗吊含有金屬銅的導電性糊來形成導電層 之同時，藉由該導電性糊來塡充上述貫通孔的所有內部， 進行製造本發明的導電性薄片。 測定如此所得到的導電性薄片的貫通孔的電阻係數， 爲1 m Ω以下。 將該導電性薄片的表背兩面的導電層蝕刻於任意的電 路圖案之後，藉由在各個每一圖案地進行切割，而能適用 於半導體用基板或電氣、電子零件用電路基板或各種封裝 等。 (實施例2) 一直到開設貫通孔爲止，與實施例1完全同樣，在其 中一方的面製作形成有由銅所構成導電層的聚醯亞胺薄膜 〇 之後，對於開設有該薄膜的貫通孔的一方的表面使用 通孔用無電解銅鍍液〔OPC — 75 0無電解銅Μ (商品名稱 )，OKUNO CHEMICAL公司所製〕，在室溫ΡΗ12·9的 條件下藉由施以無電解鍍處理未形成由銅所構成的厚度 •16- (14) (14)591994 〇·5至l//m的底子層。然後，對於形成有該底子層的一 面，使用硫酸銅鍍液（硫酸銅100g/l，硫酸140g/l，氯氣 5 0ppm，其他添加劑所構成者），而在溫度28至30 °C， 電流密度3至4A/dm2，空氣攪拌的條件下，藉由施以電 鍍處理來形成由銅所構成的導電層（厚度8//m)之同時 ，藉由該銅來塡充貫通孔的所有內部，進行製造本發明的 導電性薄片。 測定如此所得到的導電性薄片的貫通孔的電阻係數， 爲1 m Ω以下。 將該導電性薄片的表背兩面的導電層蝕刻於任意的電 路圖案之後，藉由在各個每一圖案地進行切割，而能適用 於半導體用基板或電氣、電子零件用電路基板或各種封裝 等。 (實施例3 ) 作爲絕緣性薄膜使用玻璃纖維強化環氧樹脂（厚度 50//m，全長100m者），對於其中一方的表面使用通孔 用無電解銅鍍液〔OPC - 750無電解銅Μ (商品名稱）， OKUNO CHEMICAL公司所製〕，在室溫ρΗ12·9的條件 下藉由施以無電解鍍處理來形成由銅所構成的厚度〇·5至 l//m的底子層。然後，對於形成有該底子層的一面，使 用硫酸銅鍍液（硫酸銅100g/l，硫酸150g/l，氯氣50ppm ，其他添加劑所構成者），而在溫度28至30 °C ’電流 密度3至4A/dm2，空氣攪拌的條件下，藉由施以電鍍處 -17- (15) (15)591994 理來形成由銅所構成的厚度9//m的導電層。然後，在該 薄膜的左右兩端使用鑽子開孔形成2.0mm的對準孔之同 時，對於未形成有該薄膜的導電層的其中一方的表面照射 C02雷射，僅玻璃纖維強化環氧樹脂的部分能物理式地貫 通開設內徑25 // m的貫通孔，並將上述對準孔作爲基準 開設在所定位置。 之後，對於開設有該薄膜的貫通孔的一方的表面與上 述相同使用通孔用無電解銅鍍液〔OPC- 75 0無電解銅Μ (商品名稱），OKUNO CHEMICAL公司所製〕，在室溫 pH 1 2.9的條件下藉由施以無電解鍍處理未形成由銅所構 成的厚度0.5至1 // m的底子層。然後，對於形成有該底 子層的一面，使用硫酸銅鍍液（硫酸銅 90g/l，硫酸 13 0g/l，氯氣50ppm，其他添加劑所構成者），而在溫度 28至30 °C，電流密度3至4A/dm2，空氣攪拌的條件下 ，藉由施以電鍍處理來形成由銅所構成的導電層（厚度8 //m)之同時，藉由該銅來塡充貫通孔的所有內部，進行 製造本發明的導電性薄片。 測定如此所得到的導電性薄片的貫通孔的電阻係數， 爲1 m Ω以下。 將該導電性薄片的表背兩面的導電層鈾刻於任意的電 路圖案之後，藉由在各個每一圖案地進行切割，而能適用 於半導體用基板或電氣、電子零件用電路基板或各種封裝 等。 -18- (16) (16)591994 (產業上的利用可能性） 本發明的導電性薄片，是成爲貫通孔的所有內部藉由 構成導電層的構成物被塡充的構造之故，因而與習知者相 比較提高電氣式接合效果的信賴性，並且不管貫通孔的大 小均可確保電阻係數，又也可同時地解決空孔的破裂問題 。又，此種貫通孔的塡充與導電層的形成可同時地進行 之故，因而可提高製造效率，特別是將在習知中分成如導 電層的形成，對於貫通孔的加工，空孔的塡充加工的三製 程者可成爲一製程之處而達到顯著的合理化。又，對於設 有對準標記者，也具有可極簡單地特定貫通孔的所定位置 的特有效果。 本發明的導電性薄片是如此地具有優異效果之故，因 而可適用作爲民生用或產業用電氣電子機器用電路基板或 半導體用基板，或是可適用作爲各種電氣電子機器或零件 或是封裝材料。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明的導電性薄片的前驅體的槪略剖 視圖。 第2圖是表示本發明的導電性薄片的槪略剖視圖。 第3圖是表示形成底子層的本發明的導電性薄片的前 驅體的槪略剖視圖。 第4圖是表示形成底子層的本發明的導電性薄片的槪 略剖視圖。 -19- (17) (17)591994 第5圖是表示將底子層形成在兩面的本發明的導電性 薄片的前驅體槪略剖視圖。 第6圖是表示將底子層形成在兩面的本發明的導電性 薄片的槪略剖視圖。 第7圖是表示將導電層形成在兩面的本發明的導電性 薄片的前驅體的槪略剖視圖。 第8圖是表示將導電層層積形成在兩面的本發明的導 電性薄片的槪略剖視圖。 第9圖是表示將導電層層積形成在兩面的本發明的不 同的導電性薄片的槪略剖視圖。 第1〇圖是表示在導電層上形成底子層的本發明的導 電性薄片的前驅體的槪略剖視圖。 第11圖是表示在第10圖的底子層上形成本發明的導 電性薄片的槪略剖視圖。 第12圖是表示在導電層上的底子層上再形成導電層 的本發明的導電性薄片的槪略剖視圖。 第1 3圖是表示本發明的導電性薄片的槪略俯視圖。 元件對照表 11， 21， 31， 41， 51， 61， 71， 81， 91， 101， 111， 1 2 1 :絕緣性薄膜 12 ， 22 ， 24 ， 32 ， 42 ， 44 ， 62 ， 72 ， 74 ， 82 ， 84 ， 87 ，92 ， 94 ， 97 ， 102 ， 104 ， 112 ， 114 ， 117 ， 122 ， 124 ， 127 :導電層 -20- 591994 (18) 13 ， 23 ， 33 ， 43 ， 53 ， 73 ， 103 ， 113 ， 123 ， 133 :胃 通孔 35， 45， 55， 65， 105， 115， 125 ：底子層

56， 66， 76， 86， 96， 106， 116， 126， 136 ：對準孑L

Claims (1)

1. (2) (2)591994 8.如申請專利範圍第1項所述的導電性薄片，其中， 絕緣性薄膜6 1爲較長的連續狀者，且藉由形成於該薄膜的 導電層62被蝕刻而構成複數電路圖案，而且每一各電路圖 案可進行切割者。 -2