TW589416B - Method for producing silicon wafer and silicon wafer - Google Patents
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Description
589416 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明係於矽晶圓之製造方法’有關製造無加工變形 ，表面粗度小且無滑移差排之矽晶圓的方法。 背景技術 現在，至於供作製造半導體積體電路等之裝置而用的 晶圓，主要採用矽單晶晶圓。於此半導體積體電路等之裝 置，近年有日益縮小裝置之設計規則的傾向。因此，至目 前爲止不成爲該等問題之項目亦成爲問題，該等問題亦變 重要。舉其中一例即爲在晶圓加工步驟所導入的加工變形 ，損傷及微粗糙度。因此，去除此等加工變形等，可得平 坦度良好的晶圓在近年變成尤其重要。 何以如此，此等加工變形，損傷及微粗糙度係在裝置 製造之步驟，尤其在近年的設計規則變小且製造已高積體 化的裝置之際，乃成爲大問題所在。例如晶圓表面之加工 變形或損傷等，在雜質之導入步驟的擴散及離子植入的步 驟上會引起局部的擴散異常，在氧化步驟引起局部的氧化 異常。又，此等乃成爲晶圓之使用壽命（life time )降低的 原因。因此，由此種加工變形等引起的惡劣影響若愈能使 裝置高度積體化時則愈變大。 向來，在半導體矽晶圓之製造方面，將矽單晶加工成 晶圓之各種步驟上，於晶圓上會導入加工變形等之結晶缺 陷，若能予去除其加工變形等時，則可被送至裝置製造之 步驟。此種加工變形等尤其在硏磨步驟較常被導入。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公麓） -4 - 589416 A7 B7 五、發明説明（） 亦即，一般在矽晶圓之製造上進行的硏磨方法，係進 行將化學蝕刻及機械硏磨予以複合的多段硏磨步驟。至於 多段硏磨步驟，係依其步驟順序，例如稱作一次硏磨，二 次硏磨，（依情形而異三次硏磨），整理硏磨，每次重複 其硏磨步驟使硏磨粒之粒度變細，又降低硏磨布之硬度等 ，變更硏磨條件。 此時，因於最終的晶圓表面上被要求較高的平坦性之 ，至少在硏磨步驟之最終階段（加工硏磨），施以已強調 機械要件之硏磨（機械加強硏磨），有減少抑制加工表面 之微粗糙度之必要。因此，藉由其機械加強硏磨對晶圓施 加大應力，使於表面上殘留損傷或微小的加工變形。另一 方面，如二次硏磨般若對已強調化學要件之硏磨（化學加 強硏磨）予以重點進行時，則加工變形幾工不殘存著，但 面之平坦性惡化，微粗糙度會變大。 此種問題限於硏磨步驟係限於由機械性硏磨及化學蝕 刻經複合而成且不可避免的。欲充分的減少抑制此微粗糙 度，且不導入加工變形之加工方法，在向來的硏磨方法係 不可能的。 爲改善此種向來的晶圓硏磨方法之缺點，於日本特開 平7 - 2 3 5 5 34號公報內，記載有利用若在氫氣氣圍 中熱處理時則矽晶圓表面會受蝕刻的現象，將氫氣氣圍中 的熱處理轉換成在矽晶圓之製造步驟的最終加工硏磨步驟 之技術。 此技術係對在最終硏磨前的硏磨步驟而得的晶圓，在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 589416 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _ _B7五、發明説明（） 不進行最終硏磨下進行氫氣氣圍中的熱處理，利用該蝕刻 作用，欲得與最終硏磨同等程度之表面粗糙度者。省略最 終硏磨步驟，加上可以表面粗糙度爲目的之値，在不導入 由機械加強硏磨引起的加工變形下，被作具有可實現表現 之平坦化的效果之方法。且，若依此方法，則在1 2 〇 〇 °C以上在氫氣氣圍下由3 0分鐘至4小時之熱處理即成爲 必須條件。 若依上述方法，則有可同時達成去除加工變形及損傷 與微粗縫度之降低的可能性。然而，在此方法，熱處理中 有對晶圓容易生成滑移差排之缺點。此在熱處理大直徑之 晶圓之際尤其顯著，若考慮近年晶圓之大直徑化正予進行 的事情時，即成重大的問題。又，因係利用表面之蝕刻作 用者，在熱處理前後亦必然的會發生晶圓之厚度變化的問 題。 再者，在1 2 0 0 °C以上之高溫長時間的熱處理，由 於在升降溫時間方面亦需長時間，故在熱處理步驟整體上 需要的時間變長在生產性方面亦有降低的問題。 如上述，在向來的矽晶圓之製造上，對晶圓表面不導 入加工變形下，並非爲充分抑制微粗縫度並改善表面粗縫 度，尙且在不導入滑移差排下生產性亦高的方法，變化成 此等的製造方法之開發乃被期待著。 發明之揭示 本發明係有鑑於此種問題點而完成者，在製造矽晶圓 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589416 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明（） 時，晶圓表面無加工變形及損傷，且表面粗糙度經予顯著 改善’且以高生產性製造無滑移差排之矽晶圓的矽晶圓之 製造方法爲目的。 供解決上述課題而採的本發明，係於晶圓之至少一側 的面上進行多數段之硏磨的矽晶圓之製造方法，採用急速 加熱，急速冷卻裝置，在氫氣及氬氣之混合氣氣圍下進行 熱處理以取代該多數段的硏磨之內，最後進行的硏磨爲特 徵之矽晶圓之製造方法。 如此，採用急速加熱，急速冷卻裝置，在氫氣及氬氣 之混合氣體氣圍下若進行熱處理以取代最後進行的硏磨時 ，則可省略進行機械加強硏磨之最後硏磨步驟，故於晶圓 表面內不致導入加工變形，且利用急速熱處理，可得表面 粗糙度經予充分改善的晶圓。又，在氫氣及氬氣之混合氣 體氣圔下進行熱處理，亦可防止晶圓內有滑移差排現象。 再者，因採用急速加熱，急速冷卻裝置進行熱處理，故不 需長期間之熱處理，可以高生產性製造矽晶圓。 此情形，係於前述氫及氬之混合氣體中的氫之比率以 20〜40容量％爲宜。 此即若將熱處理氣圍中的氫氣及氬氣之混合氣體中的 氫氣之比率設爲2 0〜4 0容量％時。尤其約略可完全防 止滑移差排之發生所致。 又，前述熱處理，以在1100〜1 300 °C之溫度 進行1〜6 0秒爲宜。 此爲若在1 1 0 0 t以上進行熱處理時，則改善晶圓 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4i衣‘ 訂
本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 589416 A7 ____B7_ 五、發明説明（） 表面之面粗糙度的效果變成較大，若在1 3 0 〇°C以下進 行熱處理時，則防止滑移差排之發生的效果更提高所致。 又，若進行1秒鐘以上熱處理時，則改善晶圓表面之面粗 糙度的效果大，亦進行6 0秒鐘即足夠，若在6 0秒鐘以 內的熱處理時間時，則矽晶圓之製造生產性可顯著的提高 者。 再者，以本發明之方法製造的矽晶圓，例如加工變形 以PAD値計爲1 2 · 5pm (pycometer)，以原子間力 顯微鏡測定的2 // m角之表面粗糙以P — V値（峰及谷之 最大差）爲1 · 0 nm以下，且爲無滑移差排之矽晶圓。 如此，本發明之矽晶圓實質上無加工變形，表面粗糙 度優越，且無滑移差排之晶圓，故成爲足夠能耐於今後的 設計規則上變小且予高度積體化的半導體裝置之使用。 且在此，P A D ( Photo-Acoustic Displacement )値， 係照射激勵光至晶圓表面上，表面上所吸收的光轉變成熱 ，帶來擴散溫度上升之結果生成的光熱效果位移量’藉由 評估此値，可正確的評估晶圓之加工變形。 如以上所述，本發明係於矽晶圓製造，晶圓表面無加 工變形及損傷，表面粗糙度顯著的經予改善，且以高生產 性製造無滑移差排的矽晶圓一事即成爲可能。又’至於次 要的效果，亦有可省略最後進行的硏磨步驟而得的步驟之 簡略化，或降低C〇P之效果。 實施發明而採的最佳形態 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 8 · 589416 A7 B7 五、發明説明（） 以下，再詳細說明本發明。 本發明人等在製造矽晶圓之硏磨步驟，在已採用急速 加熱’急速冷卻裝置的氫氣及氬氣之混合氣體氣圍下的熱 處理’思及可高生產性製得實質上無加工變形，表面粗糙 度良好且無滑移差排之矽晶圓，以至完成本發明。 向來，於已進行的多數段之硏磨步驟，將化學蝕刻及 機械硏磨予以複合的方法，係不可使晶圓表面之加工變形 的去除及表面粗糙度的提高同時存在一事即爲問題所在。 因此’於日本特開平7 - 2 3 5 5 3 4號公報，藉由施以 氫氣氣圍中的高溫長時間之熱處理，進行加工變形之去除 及表面粗糙度之改善的方法乃被提高。 然而，如前述般，在氫氣氣圍下的高溫長期間之熱處 理’有使於晶圓內發生滑移差排，帶來生產性降低的缺點 〇 此爲日本特開平7 - 2 3 5 5 3 4號公報之在氫氣氣 圍下的熱處理，因係矽晶圓之表面利用氫氣氣圍利用經予 蝕刻的現象，晶圓經予平坦化需長期間所致。因此，於晶 圓上容易發生滑移差排，又鈾刻晶圓之表面故，亦有會減 低晶圓之厚度的缺點存在。 因此’在本發明之方法，係採用急速加熱，急速冷卻 裝置’在氫氣及氬氣之混合氣體氣圍中施以高溫短時間之 熱處理。此方法，係在施以熱處理之點取代最終硏磨，與 曰本特開平7 — 2 3 5 5 34號方法相似，然而原厘理上 卻完全不同者。 本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210父297公釐） · 9 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 589416 A7 B7 五、發明説明（） 本發明之方法，係利用藉由已採用急速加熱，急速冷 卻裝置之高溫短時間的熱處理移動（migration )者，亦即 ，在氫氣及氬氣之混合氣體氣圍中施以高溫短時間之熱處 理，可促進矽晶圓表面之矽原子的移動再排列。結果，晶 圓表面之微粗糙度係利用晶圓表面原子之移動再排列予以 平坦化，可顯著的改善晶圓之表面粗糙度。 若爲此方法時，因並無鈾刻晶圓表面之理，故熱處理 亦以短時間可完成較少發生滑移差排（slip dislocation)， 亦不減少晶圓之厚度。因此，在不導入加工變形下可確實 的實現表面之微平坦化。又，亦無使巨觀平坦性（平面度 flatness)惡化的情形。 本發明人等，對去除矽晶圓表面之加工變形或微粗糙 度，同時可確實防止滑移差排之發生的熱處理條件，再進 行實驗性硏究之結果，於其中如向來般在氫氣1 0 0 %之 氣圍中不進行熱處理。若在氫氣及氬氣之混合氣體氣圍下 進行熱處理時，可得知表面粗糙度較少，可得無滑移差排 之矽晶圓。 此爲在氫氣1 0 0%氣圍下，氫氣之冷卻效果過強使 晶圓面內的溫度分布之均勻性惡化，應力發生，成爲滑動 之原因所致。因此，在混合惰性且安全性高，容易處理的 氬氣時，冷卻效果降低，得知與氫氣1 0 〇 %之氣圍比較 滑移差排之發生可予顯著的抑制。另一方面’在氬氣 1 0 0 %之氣圍，得知與改善晶圓之表面粗糙度之效果會 減少，故在熱處理之氣圍，以採用氫氣及氬氣之混合氣體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇'〆297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
589416 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（） 爲且。 再者，本發明人等對最適的氣圍之組成予以檢討時， 於氫氣及Μ氣之混合氣圍中的氫氣之比率若爲2 0〜4〇 容量％時，改善晶圓之表面粗糙度之效果尤其大，可約略 完全防止滑移差排之發生。 又本發明人等對熱處理溫度及熱處理時間亦進行調查 。對熱處理溫度，得知以矽晶圓表面之矽原子的移棲容易 引起移棲的1 1 0 0 °C以上由於去除微粗糙度較宜，在 1 3 0 0 °C以下由於防止滑移差排之發生故較宜。 因此對熱處理時間，若熱處理時間在1秒鐘以上時。 在矽晶圓表面變成容易引起移棲，得知可得表面粗糙度尤 其少的矽晶圓。另一方面，熱處理時間亦在6 0秒進行時 ，改善效果足夠且若超過6 0秒鐘時，則因矽晶圓之生產 效率會降低，故即使時間長亦設在6 0秒鐘以內爲宜。 若依本發明之方法，則以高生產性生產出實質上無加 工變形，表面粗糙度優越，且無滑移差排之矽晶圓即成爲 可能，然而再者本發明之次要的效果，係藉由省略最後進 行的硏磨，可使步驟簡略化，再者因亦可減少被稱作在結 晶成長時經予導入的 COP ( Crystal Originated Particle ) 之正八面體構造的結晶缺陷，故得知可製造氧化膜耐壓等 之電氣特性優越的矽晶圓。 以下進一步詳細說明本發明，惟本發明並非受此等所 限定者。 首先本發明所用的矽晶圓之急速加熱，急速冷卻裝置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 、?τ
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 589416 A7 __ _B7_ 五、發明説明（） ，可舉出有利用熱放射之燈加熱器類的裝置。又，至於經 予市售者’例如可舉出 Schutiark Microtech International 公 司製造的SHS — 2 8 0 0型裝置，此等並非特別複雜者 ，亦非爲高價者。 在此表示出本發明所用的矽單晶晶圓之急速加熱，急 速冷卻裝置（RTA裝置）之一例。第1圖爲RTA裝置 之槪略圖。 第1圖之熱處理裝置10係具有由石英而成的室1， 在此室1內即成爲可熱處理晶圓。加熱係藉由自上下左右 圍繞室1予以配置的加熱燈2予以進行。此燈係形成可控 制各自獨立供給的電力。 氣體之排氣側係裝備有自動開閉口（ shutter )，正封閉 著外氣。自動開閉口 3係藉由閘閥設置著構成可開閉的未 予圖示之晶圓插入口。又，於自動開閉口 3設有氣體排氣 1 2，成爲可調整爐內氣圍氣。 因此’晶圓8係予配置於石英托盤（tray ) 4上所形成 的三點支持部5之上。於托盤4之氣體導入口側，設有石 英製之緩衝器6，可防止導入氣體直接頂接至晶圓上。 又’室1內係設有未予圖示的溫度測定用特殊窗，藉 由室1之外部所設置的高溫計7，通過其特殊窗可測定晶 圓8之溫度。 利用以上的熱處理裝置1 〇，急速加熱，急速冷卻晶 圓之處理係如下述般進行。 首先，藉由鄰近熱處理裝置1 〇予以配置的未予圖示 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
589416 A7 B7 id --- 五、發明説明（） 之晶圓處理裝置，由插入口將晶圓8放入室1內，配置於 托盤4上之後，關閉自動開閉口 3。 因此’將電力供給至加熱燈2，升溫晶圓8至例如 1 1 〇 0〜1 3 0 0 °C之指定溫度。此際至成爲目的之溫 度爲止所需的時間係例如2 〇秒程度。其次在該溫度藉由 保持指定時間’可對晶圓8施加高溫熱處理。經過指定時 間若至高溫熱處理結束時，則降低燈之輸出且降低晶圓之 溫度。此降溫亦可在例如2 〇秒左右進行。最後藉由晶圓 處理裝置取出晶圓，結束熱處理。 以下’舉出本發明之實施例及比較例並予具體的說明 ’惟本發明並非受此等所限定者。 (實施例） 將以C Z法拉提的方法< 1 0 〇 >，直徑8英吋，P 型，約10Ω·cm，酵素濃度16ppma ( J E I D A )之矽單晶棒予以薄切並加工成晶圓。其次將 晶圓表面作成鏡面，係在施以一次硏磨（機械加強硏磨） ’二次硏磨（化學加強硏磨）後，實施本發明之方法的熱 處理取代通常最後進行的加工硏磨（機械加強硏磨），並 製造矽晶圓。因此，測定所製造的矽晶圓之加工變形，表 面粗糙度及滑移差排並予評估。 於熱處理用之急速加熱，急速冷卻裝置內，採用 AST公司製造的SHS - 2800，熱處理係在氫氣 3 0容量％，氬氣7 0容量％之混合氣體氣圍氣，在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣.
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 589416 A7 B7 -π- 五、發明説明（） 1 2 0 0 °C進行1 0秒鐘之急速加熱，急速冷卻加熱處理 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 加工變形之測定，係採用神戶製鋼所股份有限公司製 造的晶圓損傷監視器（wafer damage monitor ) P A 3 0 0 ，利用測定晶圓之P A D値予以進行。通常利用整理硏磨 整理的晶圓之加工變形，其P A D値係大至約1 3 · 0 P m，惟已省略整理硏磨（不進行機械加強硏磨，僅施以 化學加強硏磨）之晶圓的P A D値，通常係1 2 · 4〜 1 2 · 5 p m。因此，測定値若爲1 2 · 5 p m以下時， 則可予評估成實質上並無加工變形。 表面粗縫度之測定係採用Digital Instrument公司製造 的原子間力顯微鏡Nano Scope-2，測定2 X 2 // m之領域之 P — V値，以其P — V値作爲表面粗糙度予以評估，此値 若依向來的製造方法時，則成爲1 · 1 n m以上之値。 又，滑移差排，係測定熱處理後發生的所有滑移差排 之長度，以合計該値予以評估。 如此而得的結果示於表1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589416 A7 B7 五、發明説明（ (表1 ) 實施例 比較例1 ~^---—-_ 比較例？ 鏡面整理 1次硏磨+ 1次+2次+整 ----— 1次硏磨+ 2次硏磨僅 理硏磨_ 2 次 熱處理 RTA 無 電阻加熱式 1 200°C，10 秒 1200 c ,60 氣圍氣 氫30% Μ 氫 100% (容量比） 氬70% 加工變形 12.48 13.03 12.46 (pm) 表面粗糙度 0.82 1.13 0.7 3 (nm) 滑移差排（mm) 0 0 62 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 、τ 由表1 ’利用本發明之方法製造的矽晶圓，係用作最 後整理硏磨而不進行機械加強硏磨，故加工變形係以 PAD値g十爲12 · 48pm及12 · 5pm以下，成爲 實質上無加工變形的晶圓。又，於表面粗糙度方面，以p 一 値計爲0 · 8 2 n m與向來的晶圓相比即成爲表面粗 糙度經予顯著改善的晶圓。因此，於此晶圓內完全未被發 現有滑移差排。 (比較例）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15 - 589416 A7 B7 -Γ3- 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將與實施例相同的矽單晶棒予以薄切並加工成晶圓。 其次至於鏡面加工，在施以一次硏磨（機械加強硏磨）’ 二次硏磨（化學加強硏磨）後，施以通常最後進行的整理 硏磨（機械加強硏磨）並製造矽晶圓。因此，測定與實施 例同法製造的矽晶圓之加工變形，表面粗糙度及滑移差排 並予評估。 所得的結果倂記於表1。 由表1 ，比較例1之矽晶圓因係不進行氫氣氣圍下的 熱處理，雖然不發生滑移差排者，但施加機械性硏磨作爲 整理硏磨，加工變形以P A D値計成爲大至 1 3 · 0 3 p m者。又即使在表面粗糙度與實施例之矽晶 圓相比亦可得知低至1 · 1 3 n m之値。 (比較例2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將與實施例相同的矽單晶棒予以薄切並加工成晶圓。 其次至於鏡面加工，採用電阻加熱式之熱處理爐，在氫氣 1 0 0%之氣圍中，在1 2 0 0 °C施以6 0分鐘之熱處理 製造矽晶圓取代施以一次硏磨（機械加強硏磨値），二次 硏磨（化學加強硏磨）後，施以通常最後進行的整理硏磨 (機械加強硏磨）。因此，測定與實施例同法製造的矽晶 圓之加工變形，表面粗糙度及滑移差排並予評估。 所得的結果倂記於表1。 由表1 ，比較例2之矽晶圓雖然加工變形及表面粗糙 度係與實施例之矽晶圓同等程度經予改善的，但大多發生 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 589416 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 ---五、發明説明（） 滑移差排，可得知在整體上並未達成矽晶圓之品質改善。 又，比較例2之晶圓係需要6 0分鐘之熱處理時間，晶圓 之生產性極低。 且，本發明並非受上述實施形態所限定者。上述實施 形態係例示，具有與本發明之申請專利範圍所記載的技術 思想實質上相同的構成，達成同樣的作用效果，不論任一 者均係包含於本發明之技術範圍內。 例如在上述實施形態雖然採用第1圖所示的熱處理裝 置，惟本發明並非須利用此種裝置予以進行者，若爲可急 速加熱，急速冷卻晶圓之熱處理裝置時，原則上不論何者 均可採用。 又於上述實施形態，係對製造直徑8英吋之矽晶圓的 情形予以說明，惟本發明原則上不限於晶圓直徑可適用者 ，例如亦可適用於直徑1 0〜1 6英吋或該等以上的矽晶 圓上。 再者，對在採用急速加熱，急速冷卻裝置進行熱處理 之前進行的硏磨，在上述實施形態雖對進行一次硏磨（機 械加強硏磨），二次硏磨（化學加強硏磨）予以說明，惟 本發明並非受限於此，若爲進行多數段之硏磨的情形時。 該等之各硏磨不論係機械加強硏磨，或化學加強硏磨，均 可達效果。 又可適用於本發明之硏磨步驟亦不限於硏磨矽晶圓之 單面的情形，於硏磨兩面之情形當然亦可適用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #衣. 訂
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17^ 589416 A7 B7 五、發明説明（） 圖式之簡單說明 第1圖爲表示出可急速加熱，急速冷卻矽晶圓之裝置 的一例之槪略圖。 主要元件對照表 1 室 2 加熱燈 3 自動開閉口 4 托盤 5 支持部 6 緩衝器 7 高溫計 8 晶圓 10 熱處理裝置 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
Claims (1)
- 589416六、申請專利範圍1 第88121264號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年1月9 日修正 1 · 一種矽晶圓之製造方法，其係於晶圓之至少一面 上進行多段硏磨之矽晶圓的製造方法，其特徵係採用急速 加熱，急速冷卻裝置，在氫氣之比率爲20〜40容量％之氫氣 與氬氣之混合氣體氣氛下進行熱處理，取代該多段硏磨中 最後進行的硏磨。 2 .如申請專利範圍第1項之矽晶圓之製造方法，其 中該熱處理係在1 1 0 0〜1 3 0 0 °C之溫度進行1〜 6〇秒鐘。 3 . —種矽晶圓，係以申請專利範圍第1或2項之方 法所製造的矽晶圓，其特徵係於加工變形以P A D値計爲 12.5pm以下，表面粗糙度以P—V値計在1·0 n m以下，且無滑移差排。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）
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