TW586040B - Semi-transmissive reflection type liquid crystal display device - Google Patents

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586040 ω 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 發明的技術領域 本發明係關於具備可有效利用於半透過半反射型之機能 之液晶顯示裝置，特別係具備可有效利用於半透過反射型 之機能之液晶顯示裝置。 背景技術 作為以往之半透過反射型彩色液晶顯示裝置，可列舉特 開2002-14211號公報。在此文獻中，記載著在表面具有凹 凸形狀之反射板中，利用費波南茲數列配置凹凸形狀之凹 部，藉以使凹凸形狀不會顯現規則性之反射板及在液晶元 件内具有該反射板之液晶顯示裝置。 又’如同在松下電氣產業株式會社發表之新聞（2002. 3. 12)所載’該公司曾提出下列半透過反射型彩色液晶顯示裝 置··即，僅在薄膜電晶體（以下稱TFT)上所形成之凹凸部之 最適傾斜面形成反射膜，而將其他部分構成透過部，藉以 提高光利用效率，更將費波南茲數列應用於反射板之凹凸 設計上’藉以獲得具有在反射顯示時可顯示較高白色度之 半透過反射板之半透過反射型彩色液晶顯示裝置。 另外，作為以往之半透過反射型彩色液晶顯示裝置，在 特開2000-284305號公報曾記載具有由粒狀體疊層所形成 之導電性之下層膜、與形成於此下層膜上之金屬之上層膜 所構成之顯示用電極之液晶顯示裝置。 發明之揭示 此等以往技術之裝置係利用在TFT上僅在樹脂等所形成 586040

(2) 之凹凸部之最適傾斜面形成反射膜，而將其他部分構成透 過部’藉以提高光利用效率之半透過反射型彩色液晶顯示 裝置。 但’此等以往技術為了僅在凹凸部之最適傾斜面形成反 射膜’不僅需增加僅在此特定區域形成反射膜用之光罩與 圖案處理工序，而導致成本之上升，而且有透過部之數值 孔徑及反射特性依存於前述光罩與凹凸圖案之定位精確度 而變化之問題。 又’此等以·往技術由於僅在凹凸部之最適傾斜面（特定區 域）配置反射膜，無法將此反射膜兼用作為像素電極，必須 個別地设置透明之導電層等，導致構造及製造過程較為複 雜’故也有成本上升之問題。 本發明之目的在於提供包含有具有更良好之透過、反射 特性之半透過反射板之液晶顯示裝置及其製造方法。 夕依據本發明之一實施態樣所提供之液晶顯示裝置係包含 多數像素，其係在基板上被多數之閘配線、配置成與此閘 配線成直交之多數之源配線所包圍者、開關元件、其係設 於配置在像素内之閘配線與源配線之交叉點附近者、及像 素電極，其係連接於此開關元件者；並可施行透過型顯示 反射！顯示之液晶顯示裝置，像素電極係由透明之導電 層、與電性連接於此透明之導電層而具有光反射機能之導 電材料所構成者。 、如用此種像素電極構造時，不僅可獲得最單純之構成之 透過/反射顯示兼用之電極，且可利用導電材料本身作為光 586040

反射電極，故可高精確度且任意地控制透過顯示部與反射 顯示部之區域比率。另外，依據此構成，不管在室内、室 外’均可提供適合於使用之照明條件之透過顯示/反射顯示 之半透過反射型液晶顯示裝置。 又，由於僅利用透明之導電層與具有光反射機能之導電 材料’即可構成最單純之構成之透過/反射顯示兼用電極， 在透過/反射顯示時，透過之光或反射光之強度不會衰減， 因此，依據本發明，不管在室内、室外，均可提供可顯示 明冗且鬲對比度之影像之半透過反射型液晶顯示裝置。 另外，由於採用將構成反射顯示電極之微小導電材料直 接形成於透明之導電層上之構造，故可將導電材料無秩序 地配置於任意位置，因此，依據本發明，不管在室内、室 外，均可提供可顯示明亮且高對比度之影像之半透過反射 型液晶顯示裝置。 又，由於採用將構成反射顯示電極之微小導電材料直接 形成於透明之導電層上之構造，故不僅較容易施行導電材 料本身之形狀及大小之控制，且較容易施行透過顯示部及 反射顯示部之光學厚度之設定，因此，不管在室内、室外 ，均可提供可顯示明亮且高對比度之影像之半透過反射型 液晶顯示裝置。 另外，由於僅利用透明之導電層與具有光反射機能之導 電材料，即可構成最單純之構成之透過/反射兼用電極，可 大幅減少製造工數，因此，依據本發明，不管在室内、室 外，均可提供可顯示明亮且高對比度之影像之低廉之半透 (4) (4)586040 過反射型液晶顯示裝置。 又由於將構成反射顯示部之導電材料形成微小之凸或 凹形狀而構成多數配置於構成像素電極之前述導電層上之 像素電極構造，故可提供可高精確度且任意地控制^過顯 不部與反射顯示部之區域比率之半透過反射型液晶顯示裝 另外，由於將形成於構成像素電極之導電層上之構成反 射顯示部之微小之前述凸或凹部構成具有連續變化之傾# · 面之凸或凹部故可提供不依存於觀察之角度之反射及透 過顯不之半透過反射型液晶顯示裝置。 又，由於將形成於構成像素電極之導電層上之構成反射 部之微小之前述凸或凹部構成大致圓狀、帶狀、棒狀，故 可提供可獲得明亮之反射、透過顯示之半透過反射型液晶 顯示裝置。 另外，由於將形成於構成像素電極之導電層上之構成反 射：之微小之前述凸或凹部形成大致圓狀、帶狀、棒狀等 之別述凸或凹部’並配置成在高分子嵌段共聚物等所表;見 · 之相分離圖案狀，故可提供可獲得無著色之明亮之反射、 透過顯不之半透過反射型液晶顯示裝置。 再者，由於將形成於構成像素電極之導電層上之構成光 擴散反射要素之導電材料，採用以具有微米級及奈米級之 直i之微、、’田之銀、鋁及金等之粒子為主體之材料所構成t 方式故可提供可在低溫形成而獲得無著色之明亮之反射/ 透過顯示之半透過反射型液晶顯示裝置。 -9 -

586040 依據本案之另一實施態樣所提供之液晶顯示裝置係在一 個像素内可施行透過型顯示與反射型顯示之半透過反射型 液晶顯示裝置，配置於像素内之像素電極係由透明之導電 層、與電性連接於此透明之導電層而具有光反射機能之導 電材料所構成。 圖式之簡單說明 圖1係表示本發明之一實施例之主動驅動方式之半透過 型液晶顯示裝置之剖面構造圖。圖2係表示本發明之一實施 例之主動驅動·方式之半透過型液晶顯示裝置之像素電極部 之詳細圖。圖3(a)-3(b)係表示由具有本發明之反射機能之 導電材料所形成之光擴散反射要素之配置圖案之圖。圖 4(a)-4(d)係表示由具有本發明之反射機能之導電材料所形 成之光擴散反射要素之另一配置圖案之圖。圖50)-5(1))係 表示由具有本發明之反射機能之導電材料所形成之光擴散 反射要素之又另一配置圖案之圖。圖6係表示本發明之一實 施例之主動驅動方式之半透過型液晶顯示裝置之構成之模 式圖。圖7係表示本發明之一實施例之主動驅動方式之半透 過型液晶顯示裝置之另一剖面構造圖。圖8係表示本發明之 一實施例之被動驅動方式之半透過型液晶顯示裝置之剖面 構造圖。圖9(a)-9(d)係表示本發明之一實施例之主動驅動 方式之半透過型液晶顯示裝置之製造方法之圖。圖 10(a)-10(d)係表示本發明之一實施例之被動驅動方式之半 透過型液晶顯示裝置之製造方法之圖。圖11(甸_11(约係表 示本發明之一實施例之被動驅動方式之半透過型液晶顯示 (6)

586040 裝置之另-製造方法之圖。圖12⑷_12⑷係表示本發明之 一實施例之被動驅動方式之半透過型液晶顯示裝置之又另 一製造方法之圖。 發明之最佳實施形態 首先，依照圖1說明本發明之概要。本發明之半透過反射 型液晶顯示裝置係形成有多數像素，其係在基板上被多數 之閘配線U、西己置成與該閘配線成直交之多數之源配線15 所包圍者、開關元件（例如TFT19)、其係在此像素内設於閘 配線11與源配\線15之交又點附近者、及像素電極16，其係 連接於此開關元件者；並可同時施行透過顯示與反射顯示 之液晶顯示裝置，像素電極丨6係由包含透明之導電層、與 電性連接於此透明之導電層而具有光反射機能之導電材料 17所構成者。 具體的元件構成之一例如下。首先，就主動型彩色液晶 顯示裝置之情形詳細說明如下。 在玻璃基板（主動矩陣基板42)上形成TFT(閘極（材質：鉻 、膜厚：100〜300 nm ,最好15〇 nm)、閘絕緣膜（材質：氮 化矽、膜厚·· 200〜700 nm，最好35〇 nm)、非晶形矽層（材 質·非晶形石夕、膜厚：50〜300 nm，最好200 nm)、摻雜n 型雜質與磷之非晶形矽層（材質：非晶形矽、膜厚：1〇〜1〇〇 nm ’最好20 nm)、汲極（材質：鉻、膜厚：ι〇〇〜3〇〇 nm，最 好150 nm)、源極（材質：鉻、膜厚：1〇〇〜3〇〇 nm，最好15〇 nm)、沒極配線（材質：鉻、膜厚：1〇〇〜3〇〇 nm，最好15〇咖） 、透明電極（材質：ITO、膜厚：100〜300 llm,最好150ηπι)) -11 - 586040

⑺ ，在透明電極上，以互相電性連接方式直接形成微小之凸 或凹部（圓形之情形，直徑：3〜15 μιη、高（或深）·· 〇.2〜i pm) ，其係由使入射光向特定方向聚光用而具有連續變化之傾 斜角與反射機能之導電材料（金屬材料··銀、金或鋁、粉徑 :1〜10 μπι，最好3〜5 μηι、粒子徑：卜川㈣，最好3〜1〇nm 、黏合劑·熱硬化性樹脂、溶劑：甲苯、十二燒等非極性 溶劑、黏度：1〜10000 mpa · s，最好5〜1〇〇 mPa · s、表面 張力：50 dyn/cm以下，最好25 dyn/cm以下、硬化溫度： 150〜2 50 C，最好 180〜220°C、電阻率：1〜1〇〇〇 q · em， 最好5〜500 Ω · cm)所構成者；在TFT、像素電極及凸或凹 部上形成定向控制膜（材質：聚醯亞胺樹脂、膜厚：1〇〇〜3〇〇 nm,最好150 nm)，藉以製造一方之電極基板；在玻璃基板 形成遮光層（材質：鉻及氧化鉻、膜厚：1〇〇〜3〇〇 nm，最好 200 nm),在遮光層上形成著色層（母材料：丙烯酸系樹脂 、分散材料··顏料、膜厚：1000〜3〇〇〇 nm，最好1500 nm) ’在著色層上形成平坦化層（材質··丙烯酸系樹脂、膜厚·· 1000〜3000 nm，最好2000 nm)，在平坦化層上形成透明電 極（材質：ITO (Indium Tin Oxide :銦-錫_氧化物）、膜厚： 1〇〇〜30〇nm，最好150nm)，在透明電極上形成定向控制膜 (材貝·聚醯亞胺樹脂、膜厚：1 〇〇〜3〇〇 nm，最好2〇〇 nm) ，藉以製造他方之基板，介由隔間材料（聚合物珠、矽石珠 、玻璃纖維、粒徑·· 5 μηι)相組合而使互相之定向控制膜呈 現相對向狀態，將兩電極基板周邊用密封材料（使上述隔間 材料分散於環氧樹脂中所形成之材料）接著、密封後，將液 -12- 586040 ⑻ 晶封入兩電極基板間，經過封閉即可完成液晶顯示元件之 製造。 而後，將特定之相位差板與偏振光板貼合在液晶顯示元 件之玻璃基板之兩側，將搭載液晶驅動用IC之捲帶式承載 封裝體（以下稱TCP)及驅動用外部電路等連接於液晶顯示 元件，將液晶顯示元件與光源（冷陰極管、LED等）、導光體 、稜鏡片及擴散片等組成之後照光組裝於金屬框、樹脂殼 等框體後，液晶顯示裝置之製造即告完成。 本發明係利用將具有反射機能之導電材料配置於透明之 導電層，以構成像素電極。此導電材料不介隔著絕緣層等 而直接配置微小之凸或凹部時，構成透過顯示部之透明之 導電層之部分、與配置構成反射顯示部之導電材料之部分 會互相保持電性連接，故可成為透過/反射顯示時之兼用； :亟，同力時，微小之凸或凹部本身為擴散反射要素而成為反 ί顯不部，其他區域全部成為透過顯示部，故抨 在Η象素内之透過顯示部與反射顯示部之面積 境:影響，無論室内外，均可提供可顯示= —又之〜像之半透過反射型液晶顯示裝置。 (實施例一） 電=圖在希本望發明之透明之導電層所構成之像素 狀導電材科之半透過反2度配置具有反射機能之凸或凹 置。 切過反射電極之半透過反射型液晶顯示裝 示裝置之剖面 、’先頌不本發明之半透過反射型液晶顯 -13-

586040 構造。 如圖1所示’在玻璃基板10上，利用通用之真空蒸鍍法與 微影照相方法’配置多數TFT 19。此TFT 19係由包含閘極11 (材質··鉻、膜厚：100〜3 00 nm，最好15〇 nm)、閘絕緣膜 12(材質·氮化矽、膜厚：50〜300 nm，最好2〇〇 nm)、摻雜 η型雜質與填之非晶形矽層13(材質··非晶形矽、膜厚： 10〜100 nm，最好20 nm)、汲極14(閘極（材質：鉻、膜厚： 100〜300 nm，最好150 nm))、源極15(閘極（材質··鉻、膜厚 :100〜3 00 nni，最好 150 nm))所構成。 以電性連接於此TFT19方式形成透明之導電層16(材質： ITO(Indium Tin Oxide ··銦-錫-氧化物）、膜厚：1〇〇〜3〇〇 nm ，最好150 nm)，再於此導電層16上形成以銀粉及銀粒子（材 貝·銀、銀私径.1〜10 μπχ，最好3〜501)：1、銀粒子徑：1〜2〇 nm，最好3〜10 nm、黏合劑：熱硬化性樹脂、溶劑：甲苯 、十一燒專非極性;谷劑、黏度：1〜10000 mPa.s，最好5〜1〇〇 mPa · s、表面張力：50 dyn/cm，最好25 dyn/cm、硬化溫 度：150〜250°C，最好 180〜22(TC、電阻率：1 〜50 μΩ · cm (膜厚：0.01〜10 μιη)，最好5〜30 μΩ · cm)為主體之導電材 料17 (播磨化成製造之銀毫微膏，型式·· nps-J)。 此形成工序係使用噴墨法、膠版印刷法，不介著絕緣層 而直接配置多數微小之凸或凹部（形狀··圓形（直徑：34 5 μηι、高（或深）：0.2〜1 μηι)、多角形、棒狀及帶狀），並形 成互相電性連接之半透過反射型用之像素電極之方式所形 成0 -14- 586040

(ίο) 另外，在像素電極上配置定向控制膜丨8(材質：聚醯亞胺 樹脂、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚：1〇〇〜300 nm，最好 150 nm)，以作為一方之電極基板。 又’在玻璃基板20上利用通用之真空蒸鍍法與微影照相 方法’形成遮光層21 (材質：鉻及氧化鉻、膜厚：1〇〇〜3〇〇 ’最好200 nm)、著色層22(母材料：丙烯酸系樹脂、分散 材料：顏料、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚·· 1〇〇〇〜3〇〇〇 nm ’最好1500 nm)、保護層23(材質：丙烯酸系樹脂、塗敷法 :自旋式塗敷法、膜厚：1000〜3000 nm ,最好2000 nm)、 透明電極24(材質：ITO(Indium Tin Oxide)、膜厚：1〇〇〜300 nm，最好150 nm)、定向控制膜25(材質：聚醯亞胺樹脂、 塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚：100〜300 nm，最好200 nm) ’以構成他方之基板。 介由隔間材料2(材質：聚合物珠、石夕石珠、粒子徑·· 5 μπι 、分散法：水分散法）相組合而使一方電極基板與他方電極 基板之互相之定向控制膜呈現相對向狀態，將兩電極基板 10、20周邊用密封材料（未予圖示、材質··環氧樹脂、分散 材料：隔間粒子）予以接著，而形成將液晶1填充於兩電極 基板10、20間隙之半透過反射型液晶顯示元件。 再將所希望之相位差板3、5與偏振光板4、6貼合在半透 過反射型液晶顯示元件之兩玻璃基板面，同時連接搭載液 晶驅動用1C之TCP及驅動用外部電路等而形成半透過反射 型液晶顯示元件30，在此液晶顯示元件30將光源41(冷陰極 管、LED)、導光體42(材質：丙烯）、稜鏡片43及擴散片44 -15- 586040

(11) 等組成之後照光40組裝於框架、機殼等框體後，製成半透 過反射型液晶顯示裝置50。 其次’圖2係表示構成本發明之特徵之像素電極部之詳細 情形。 如圖2所示，像素電極在閘配線u，與汲極14，所圍成之區 域内形成有薄膜電晶體19，在連接於薄膜電晶體19之源極 之透明之導電層16上配置具有反射機能之導電材料丨7，黑 色所不之部分為反射顯示部，其他白色所示之部分為透過 顯示部。 — 又，同圖所示之導電材料17之配置圖案係利用在高分子 嵌段共聚物等所表現之相分離圖案，但本發明並不限定於 此形狀及圖案，在形狀方面，也可形成圓形、多角形或帶 狀，圖案配置可利用隨機數表，也可利用費波南兹數列。 但’因在圖案配置上，最好使用可任意控制反射顯示顯示 區域對像素區域之佔有率之方法，故在本實關中，利用 在高分子嵌段共聚物等所表現之相分離圖案。 其次，圖3〜圖5係表示具有本發明之特徵之反射機能之導 電材料之配置例。 圖3係表示導電材料配置於全面之情形，（幻係以透過顯示 為優先之圖案，（b)係以反射顯示為優先之圖案例。如同圖 所不’在透明之導電層16全面地分散配置大致圓形之凸狀 或凹狀之導電材料17 ,⑷係透過顯示區域17,(以白色顯示) 多於反射顯示區域17”(以黑色顯示)之所謂透過顯示優位 之圖案配置例，(b)係反射顯示區域17”(以黑色顯示)多於透 586040 =示區域17，(以白色顯示)之所謂反射顯示優位之圖案配 置例。 ，主=，圖4係將凸狀或凹狀之導電材料僅配置於特定區域之 丨月形’⑷係總括透過顯示部之圖案，⑻分割透過顯示部之 圖案，（c)係⑷之剖面圖，（d)係㈨之剖面圖。如同圖所示 (a)、（C)係將導電材料17僅配置於透明之電極16之周邊之 例，即將較大之透過顯示區域17，（以自色顯示）配置於i處， 而將反射顯示區域17”（以黑色顯示）極端地減少之情形之 圖案配置，而呈現所謂重視透過之圖案配置；（b)、（d)係在 透明之電極16上取較大之多數之透過顯示區域，而將導電 材料17配置於其外之部分之例，即將透過顯示區域以白 色顯示）配置於多數處，而減少反射顯示區域17"(以黑色顯 不）之情形之圖案配置，而呈現所謂重視透過型之圖案配置 、 在本貝％例中，在較大之透過顯示區域内雖未配置 導電材料，但並不限定於此，也可配置導電材料。 另外，圖5係表示導電材料構成別的形狀之圖，（a)係帶狀 之形狀之情形，（b)係棒狀之形狀之情形。如同圖所示，（a) 係將凸狀或凹狀之導電材料17配置成長帶狀之圖案，即透 過顯示區域17,（以白色顯示）與反射顯示區域17,，（以黑色顯 示）大致相同時之圖案配置，（b)係將凸狀或凹狀之導電材料 17配置成棒狀之圖案，即透過顯示區域17，（以白色顯示）與 反射顯示區域17”（以黑色顯示）大致相同時之圖案配置。此 帶狀或棒狀之導電材料17之配置圖案之特徵係在於對反射 特性賦予指向性（對方位）。 -17- (13) (13)586040

其次，圖6係表示本發明之半透過型液晶顯示裝置之構成 之模式圖。 如同圖所示，本發明之半透過型液晶顯示裝置5〇係由半 透過型液晶顯示元件30、掃描侧驅動電路51、訊號侧驅動 電路52及訊號處理電路53所構成。又，如前所述，在半透 過型液晶顯示元件30之背面配置有冷陰極管、導光體、稜 鏡片及擴散片等組成之後照光，惟此並未予以圖示。 依據本發明，由於利用具有反射機能之導電材料形成構 成光擴散反射-要素之微小之凸或凹部本身，同時採用無秩 序之配置方式可任意控制構成反射顯示部之凸或凹部之 總區域在像素區域所占之比率，故不受室内、室外等照明 條，之影響，不會因干擾而發生著色而可提供可顯示明亮 且高對比度之影像之半透過反射型液晶顯示裝置。 又，有關本發明之微小導電材料所構成之光擴散反射要 素之凸或凹部之配置方法，雖可使用利用隨機數表之配置 方法、利用費波南兹數列之配置方法、利用在高分子嵌段 共聚物等所表現之相分離圖案之配置方法等，只要可無秩 序地配置之方法即可使用，但更理想之情形係以選擇利用 :任意控制透過顯示/反射顯示時之數值孔徑之相分離圖 案之配置方法為宜。 換言之’依據本發明，只要是不但可無秩序地配置構成 二擴散反射要素之多數凸或凹部’且可任意控制該凸或凹 ::所占之總區域之方法，均可決定所希望之透過/反射顯示 了之數值孔牷，故可獲得可提供適合於使用之照明條件之 -18 - 586040

半透過反射型液晶顯示裝置之效果。 (實施例二） 圖7係表示本發明之另一實施例。 <本貫施@與實施例一不同之點在於像素電極66係介由開 叹於配置在TFT上之保護膜68之接觸孔而與TFT之源極65 保持電性連接。又，在本實施射，在此像素電極％或保 護膜68上形成有定向膜69。 、又，有關於像素電極部之構成、導電材料之配置圖案及 半透過反射型液晶顯示裝置之構成等，因與實施例一相同 ，故省略其詳細說明。在本實施例中，也可獲得與實施例 一相同之效果。 另外，依據本實施例，不僅可利用現行之製造設備及製 程形成液晶顯示元件，且可利用具有平坦化機能之絕緣層 ，使反射顯示部與透過顯示部之液晶層厚度保持相同，故 在透過及反射顯示中，可施行更高之晝質顯示。尤其有利 於使用在常白模式之半透過反射型液晶顯示裝置，可不受 …、明環i兄之影響而可提供可顯示明亮且高對比度之影像之 半透過反射型液晶顯示裝置。 (實施例三） 圖8係表示本發明之實施例三中，在透明之導電層形成之 電極上内建以希望之密度配置具有反射機能之凸狀或凹狀 之導電材料之半透過反射電極之被動型半透過反射型液晶 顯示裝置。 除了以下之點以外，圖8為一般性之被動型半透過反射型 -19- 586040 (15) 液晶顯示裝置。即，在圖8中，在一方之透明電極8丨以電性 連接方式配置導電材料82。又，導電材料8ι之材質為IT〇 ’膜厚為100〜300 nm，最好150 nm。又，導電材料82之材 質為銀’銀粉徑為1〜10 μιη，最好3〜5 μηχ，粒子徑為1〜2〇 nm ，最好3〜10 nm。本實施例也與實施例一同樣地，連接搭載 液晶驅動用1C之TCP及驅動用外部電路等而形成半透過反 射型液晶顯示元件3 0，在此液晶顯示元件3 〇將光源41 (冷陰 極官、LED)、導光體42(材質：丙烯）、稜鏡片43、擴散片 44等組成之後·照光40組裝於框架、機殼等框體後，製成半 透過反射型液晶顯示裝置50。 在本實施例中，除了也可期待獲得與實施例一同樣之效 果外，由於僅利用構成透明電極之導電層與構成反射電極 之兩度較低之導電材料之單純之構成，即可形成半透過反 射电極，故不僅構成要素少、成本低，且因可減少液晶厚 度之變動，故在可施行更高晝質之顯示之點上，有利於使 用作為被動型之半透過反射型液晶顯示裝置。 (實施例四） 圖9係表示適合於本發明之内建透過/反射兼用之電極之 可攜式機益用半透過型液晶顯示裝置之製造方法。 在本發明之製造方法中，首先，利用圖9(a)之通用之真空 瘵鍍法與微影照相方法，在玻璃基板丨〇上形成多數由閘極 11、閘絕緣膜12、非晶形矽層13、汲極14、源極1 5、連接 於源極之透明之像素電極16所構成之薄膜電晶體丨9。 其次，如圖9(b)所示，在像素電極16上，使用噴墨方式之 -20 - (16)

586040 圖案形成裝置100，利用導電材料17(材質：銀 '銀粉徑： 1〜10 μπι，最好3〜5 μηι、銀粒子徑：uonm，最好3〜1〇nm 、黏合劑：熱硬化性樹脂、溶劑··甲苯、十二烷等非極性 洛劑、黏度：1〜10000 mpa · s，最好5〜100 mPa · s、表面

張力：50 dyn/cm，最好 25 dyn/cm、硬化溫度·· 15〇 〜25(TC ，最好180〜220°C、電阻率：1〜50 μΩ · cm(膜厚·· 〇·01〜10 Pm)，最好5〜30 μΩ · cm)，不介著絕緣層而直接配置多數 微小之凸或凹部（形狀：圓形（直徑·· 3〜15 μηι、高（或深）： 〇 · 2〜1 μηι)、多角形、棒狀及帶狀），以形成互相電性連接 之半透過反射型用之電極。 其次，如圖9(c)所示，在像素電極16及導電材料17上形成 定向控制膜1 8(材質··聚醯亞胺樹脂、塗敷法：自旋式塗敷 法、膜厚·· 100〜300 nm，最好150 nm)，以製造一方之電極 基板。 再如圖9(d)所示，在他方之玻璃基板2〇(材質：AN玻璃、 板厚：0.5 mm)上，形成遮光層21(材質：鉻及氧化鉻、膜 厚：100〜3 00 nm，最好200 nm)、著色層22(母材料：丙烯 酸系樹脂、分散材料：顏料、塗敷法：自旋式塗敷法、膜 厚：1000〜3 000 nm，最好1500 nm)、保護層23(材質：丙婦 酸系樹脂、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚：1〇〇〇〜3〇〇〇 nm ，最好 2000 nm)、透明電極 24(材質：ITO(Indiinn Tin Oxide) 、膜厚：100〜300 nm，最好150 nm)、定向控制膜25(材質 :聚醯亞胺樹脂、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚：1〇〇〜3〇〇 nm，最好200 nm)，以製造他方之電極基板。 -21- 586040 (17) 而後，藉由隔間材料2(材質：聚合物珠、矽石珠、粒子 徑：5μΓΠ、分散法：水分散法）相組合而使互相之定向控制 膜18、25呈現相對向狀態，將兩電極基板8〇、9〇周邊用密 封材料（未予圖示、材質：環氧樹脂、分散材料：隔間粒子） 予以接著，將液晶1填充於兩電極基板8〇、9〇間隙而製成半 透過反射型液晶顯示元件。 另外，尚有未予圖示之部分··即將所希望之相位差板與 偏振光板貼合在半透過反射型液晶顯示元件之兩玻璃基板 面並連接搭載液晶驅動用1C之TCP及驅動用外部電路等 而形成半透過反射型液晶顯示元件，在此半透過反射型液 晶顯示元件，將光源（冷陰極管、LED)、導光體（材質：丙 烯）、稜鏡片、擴散片等組成之後照光組裝於框架、機殼等 框體後，製成半透過反射型液晶顯示裝置。 又，在本實施例中，作為透過/反射兼用電極，係利用圖 案开7成衣置4無秩序地將具有反射機能之導電材料形成之 U】、凸狀之擴散反射要素配置於透明導電層上，且將 導電層與凸狀之導電材料構成電性連接形態，但也可採用 I列製造方法：即事先在形成凸狀導電材料之部分以外之 部分之透明導電層上塗敷不能塗上導電材料之排斥導電性 才料之材料，利用圖案形成裝置等將導電材料僅配置在無 排斥導電性材料之部分。 依據本實施例，可免除導電材料之浪費，有助於成本之 降低。 (實施例五） -22- 586040 (18) 圖ι〇係表示適合於本發明之内建透過/反射兼用之電極 之可攜式機器用半透過型液晶顯示裝置之另一製造方法。 在此’雖係以主動型之半透過反射型液晶顯示裝置為例 加以說明，但在被動型之情形，其透過/反射兼用電極之製 造工序基本上也相同。 本實施例之製造方法如圖10(a)所示，利用通用之真空蒸 鑛法與微影照相方法，在玻璃基板10(材質：無鹼玻璃、板 厚：〇.5mm)上形成多數由閘極11、閘絕緣膜12、非晶形石夕 層13、汲極14·、源極15、連接於源極之透明之像素電極玉6 所構成之薄膜電晶體19。 再於電極基板上形成導電材料17(材質：銀、銀粉徑·丨〜1() μπι，最好3〜5μηι、銀粒子徑：，最好3〜ι〇ι^、黏 合劑：正型感光性樹脂、溶劑：甲苯、十二燒等非極性溶 劑、黏度·· 1〜10000 rnPa· s，最好5〜1〇〇 mPa· s、表面張 力：5〇 dyn/cm以下，最好25 dyn/cm以下、硬化溫度：丨％〜2別 。(：，最好180〜220。(：、電阻率：丨〜兄^ Μ μΩ · cm(膜厚：〇 〇1〜1〇 μιη) ’最好5〜30 μΩ · cm)薄膜。 其次，藉由光罩105，利用特定之怂从 符疋之條件，對導電材料薄膜 17施行紫外線曝光、顯影。 、 其次，如圖H)⑻所示，利用特定之 電極16上之導電材料17硬化，不介 便$成在像素 數微小之凸或凹部17(形狀：圓形（直 稷己置夕 深）：0·2~1 μιη)、多角形、棒狀及 15 μι»、咼（或 其互相電性連接，而形成以其他部、反射顯示部），使 乍為透過顯示部之半 -23- 586040

(19) 透過反射型用之電極。 其次，如圖10(c)所示，在像素電極16或導電材料17上形 成定向控制膜1 8(材質：聚醯亞胺樹脂、塗敷法：自旋式塗 敷法、膜厚· 100〜3〇〇 nm，最好1 50 nm)，藉以製造一方之 電極基板。 其次’如圖10(d)所示，在他方玻璃基板2〇(材質：無鹼玻 璃、板厚：0.5 mm)上，形成遮光層21(材質：鉻及氧化鉻 、膜厚：100〜3 00 nm，最好2〇〇 nm、或母材料：丙烯酸系 樹脂、分散材-料：黑顏料、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚 :1000〜3000 nm，最好15〇〇nm)、著色層22(母材料：丙烯 酸系樹脂、分散材料：顏料、塗敷法：自旋式塗敷法、膜 厚：1000〜3000 nm ,最好15〇〇 nm)、保護層23(材質：丙烯 酸系樹脂、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚：1〇〇〇〜3〇〇〇 nm ’最好2000 nm)、透明電極24(材質：IT〇(IndiumTin0xide) 、膜厚· 100〜3 00 nm，最好15〇 nm)、定向控制膜25(材質 :聚醯亞胺系樹脂、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚：1〇〇〜3〇〇 nm，最好2〇〇 nm)，以製成他方之電極基板。 藉由隔間材料2(材質：聚合物珠、矽石珠、粒子徑： 、分散法：水分散法）相組合而使互相之定向控制膜83、％ 呈現相對向狀態，將兩電極基板1〇、2〇周邊用密封材料（未 予圖示、材質：環氧樹脂、分散材料··隔間粒子）予以接著 ，而形成將液晶1填充於該兩電極基板1〇、2〇間隙之半透過 反射型液晶顯示元件。 另外，尚有未予圖示之部分：即利用將所希望之相位差 -24-

586040 板與偏振光板貼合在半透過反射型液晶顯示元件之兩玻璃 基板面之工序、連接搭載液晶驅動用1〇之tcp及驅動用外 部電路等而形成半透過反射型液晶顯示元件之工序、及在 此半透過反射型液晶顯示元件將光源（冷陰極管、led)、導 光體（材質··丙烯）、稜鏡片及擴散片等構成之後照光組裝 於框架、機殼等框體之工序，製成半透過反射型液晶顯示 裝置。 本實施例除了也可發揮與實施例四同樣之效果外，由於 反射顯示用電-極之形成使用感光性導電材料，可利用現行 之製造設備及製程進行製造，不需要另外之設備投資。 (實施例六） 圖11係表示適合於本發明之内建透過/反射兼用之電極 之可攜式機器用半透過型液晶顯示裝置之另一製造方法。 在此，雖係以被動型之半透過反射型液晶顯示裝置為例 加以說明，但在主動型之情形，其透過/反射兼用電極之製 造工序基本上也相同。 本發明之製造方法如圖11(a)所示，利用具有所希望之微 小之凹部（形狀：圓形（直徑：34 5 μιη、高（或深）：〇 2〜丨pm) 、多角形、棒狀及帶狀），且藉矽處理等使表面附有剝離機 能之轉印模no、填充於轉印模之凹部之導電材料82(材質 :銀、銀粉徑·· 1〜10 μιη，最好3〜5 μηι、銀粒子徑·丨〜汕nm ，最好3〜10 nm、黏合劑：熱硬化性樹脂、溶劑：甲苯、十二 烧等非極性溶劑、黏度：1〜1〇00〇1111^1，最好5〜1〇()瓜1^4 、表面張力：50 dyti/cm，最好25 dyn/cm、硬化溫度：15〇〜25〇 -25- (21)

586040 °C，最好18〇〜22CTC、電阻率：1〜5〇μΩ·_(膜厚：〇〇ι〜ι〇 μπ!)，最好5〜30μΩ .cm)之圖案形成裝置，如圖n(b)所示 ，施行在透明電極81形成於破璃基板8〇上之電極基板與前 述圖案形成裝置1〇0之定位，並如圖11(〇所示，在疊層於 玻璃基板80(材質：鈉玻璃、板厚：〇·5 mm)之透明電極81 上，不介著絕緣層而直接配置多數具有反射機能之導電材 料82形成之微小之凸或凹部（形狀：圓形（直徑：3〜15 ^瓜、 高（或深）·· 0.2〜1 μιη)、多角形、棒狀及帶狀），以形成互相 電性連接之半透過反射型用之電極，並如圖u(d)所示，在 此像素電極或導電材料上形成定向控制膜丨8(材質：聚醯亞 胺樹脂、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚· 1〇〇〜3〇〇 nm，最 好150 nm) ’以製造一方之電極基板，並如圖n(e)所示，在 他方之玻璃基板90(材質：鈉玻璃、板厚：〇·5 mm)上，形 成遮光層91(材質：鉻及氧化鉻、膜厚：1〇〇〜3〇〇 ，最好 200 nm、或母材料··丙烯酸系樹脂、分散材料··黑顏料、 塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚：1000〜3000 nm,最好15〇〇 nm) 、著色層92(母材料：丙婦酸系樹脂、分散材料：顏料、塗 敷法··自旋式塗敷法、膜厚··丨000〜3000 nm，最好1500 nm) 、保護層9 3 (材質··丙稀酸系樹脂、塗敷法··自旋式塗敷法 、膜厚·· 1000〜3000 nm，最好2000 nm)、透明電極94(材質 :ITO(Indium Tin Oxide)、膜厚：100〜300 nm，最好 150 nm) 、定向控制膜95(材質··聚醯亞胺樹脂、塗敷法··自旋式塗 敷法、膜厚·· 1 00〜300 nm，最好200 nm)，以製造他方之電 極基板，並介由隔間材料2(材質··聚合物珠、矽石珠、粒 -26- (22)

586040 子仏5 μιη力月文法·水分散法）相組合而使互相之定向控 制膜83 95呈現相對向狀_，將兩電極基板8()、9〇周邊用 密封材料(士予圖示、材質··環氧樹脂、分散材料：隔間粒 子）予以接著，而形成液晶1填充於兩電極基板8〇、9〇間隙 之半透過反射型液晶顯示元件。另外，尚有未予圖示之部 刀·即將所希望之相位差板與偏振光板貼合在半透過反射 型液晶顯示元件之兩玻璃基板面，並連接搭載液晶驅動用 1C之TCP及驅動用外部電路等而形成半透過反射型液晶顯 示元件，在此丰透過反射型液晶顯示元件，將光源（冷陰極 官、LED)、導光體（材質··丙烯）、稜鏡片、擴散片等構成 之後照光組裝於框架、機殼等框體後，製成液晶顯示裝置。 又’在本實施例中，導電材料構成之反射電極之形成雖 係使用平板狀之轉印模，但本發明並不限定於此，即使使 用滾筒狀之轉印模，也可獲得同樣之效果。 本貫施例除了也可發揮與實施例四同樣之效果外，由於 事先將導電材料構成之反射電極形成在施以三維形狀加工 之平板狀之轉印模上，不僅只要利用將上述導電材料轉印 在構成透明電極之導電層上之工序，即可形成半透過反射 型電極，故可在不致於浪費之情況下，使用構成反射電極 之導電材料。 (實施例七） 圖12係表示適合於本發明之内建透過/反射兼用之電極 之可攜式機器用半透過型液晶顯示裝置之另一製造方法。 在此，雖也以被動型之半透過反射型液晶顯示裝置為例 -27-

586040 加以况明，但在主動型之情形，其透過/反射兼用電極之製 造工序基本上也相同。 本發明之製造方法如圖12(a)所示，利用具有所希望之微 小之凹部（形狀·圓形（直徑·· 3〜15 、高（或深）：0.2M _) 、夕角形、棒狀及帶狀）之薄板狀之轉印模之圖案形成裝置 120填充於形成在該圖案形成裝置120之薄板狀轉印模之 凹部之導電材料82(材質··銀、銀粉徑：丨〜⑺μιη，最好3〜5 μηι、銀粒子徑：卜⑽nm，最好3〜1〇 nm、黏合劑：熱硬化 性樹脂、溶劑·：甲苯、十二烷等非極性溶劑、黏度·· 1〜1〇〇〇〇 mPa · s，最好5〜100 mPa · s、表面張力·· 5〇 dyn/cm，最好 25dyn/Cm、硬化溫度：15〇〜25(rc ,最好18〇〜22〇t：、電阻 率：1〜50 μΩ · cm(膜厚：〇.〇1〜1〇 μιη)，最好 5 〜3〇 μΩ · cm) 之圖案形成裝置，如圖12(b)所示，施行在透明電極81形成 於玻璃基板80上之電極基板與圖案形成裝置ι2〇之定位，並 如圖12(c)所示，在疊層於玻璃基板8〇(材質：鈉玻璃、板厚 • 0 · 5 mm)之透明電極81上，不介著絕緣層而直接配置多數 具有反射機此之導電材料8 2形成之微小之凸或凹部（形狀 •圓形（直徑：3〜15 μιη、高（或深）：〇·2〜1 μηι)、多角形、 棒狀及帶狀），以形成互相電性連接之半透過反射型用之電 極’並如圖12(d)所示，在此像素電極或導電材料上形成定 向控制膜83(材質：聚醯亞胺樹脂、塗敷法··自旋式塗敷法 、膜厚：100〜300 nm，最好15〇 nm)，以製造一方之電極基 板，並如圖12(e)所示，在他方之玻璃基板90(材質：鈉玻璃 、板厚：0.5 mm)上，形成遮光層91(材質：鉻及氧化鉻、 -28- 586040

(24) 膜厚：100〜300 nm，最好200 nm、或母材料：丙婦酸系樹 脂、分散材料··黑顏料、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚·· 1000〜3 000 nm，最好1500 nm)、著色層92(母材料··丙烯酸 系樹脂、分散材料··顏料、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚 ·· 1000〜3 000 nm，最好1500 nm)、保護層93(材質··丙烯酸 系樹脂、塗敷法：自旋式塗敷法、膜厚：1〇〇〇〜3〇〇〇 nm， 最好 2000 nm)、透明電極 94(材質：ITO(Indinm Tin Oxide) 、膜厚·· 100〜300 nm ,最好150nm)、定向控制膜95(材質： 聚酿亞胺系樹脂、塗敷法··自旋式塗敷法、膜厚·· 1 〇〇〜3〇〇 nm，最好200 nm)，以製造他方之電極基板，並介由隔間材 料2(材貝·聚合物珠、梦石珠、粒子徑：、分散法： 水分散法）相組合而使互相之定向控制膜83、95呈現相對向 狀態，將兩電極基板80、9〇周邊用密封材料（未予圖示、材 質··環氧樹脂、分散材料：隔間粒子）予以接著，而形成液 曰曰1填充於兩電極基板8〇、9〇間隙之半透過反射型液晶顯示 疋件。另外，尚有未予圖示之部分··即將所希望之相位差 板與偏振光板貼合在半透過反射型液晶顯示元件之兩玻璃 基板面，並連接搭載液晶驅動用1C之TCP及驅動用外部電 =等而形成半透過反射型液晶顯示元件，在此半透過反射 型液晶顯示元件，將光源（冷陰極管、LED)、導光體（材質 士 ^烯）祅鏡片、擴散片等構成之後照光組裝於框架、機 政等框體後，製成半透過反射型液晶顯示裝置。 朴又’在=實施例中，雖係使用具有所希望之三維形狀之 葉片狀之同分子薄膜，形成導電材料構成之反射電極，但 -29- 586040

(25) 並不限定於此，即使使用具有捲成滾筒狀之三維形狀之較 長之高分子薄膜，也可獲得同樣之效果。 本實施例除了也可發揮與實施例四同樣之效果外，由於 使用具有適合於擴散反射電極之三維形狀之導電材料之高 分子薄膜，只要轉印在透明電極上，即可形成擴散反射電 極’故可高精確度地在導電材料上重現可獲得更良好之擴 散反射特性之形狀。

產業上之可利用性 渦如以上所述，本發明可有效利用於提供具有更良好之透 =反射特性之半透過反射板之液晶顯示裝置或其製造方 圖式代表符號說明 液晶 2 3.5 4.6 10. 20 11. 11 12 13 14. 14 15 16 17

隔間材料 相位差板 偏振光板 玻璃基板 閘配線 閘絕緣膜 非晶形碎層 汲極配線 源配線 像素電極（導電層） 導電材料 -30- 586040 (26) 17，’ 反射顯示區域 17f 透光顯示區域 18.25 定向控制膜 19 開關元件（薄膜電晶體，TFT) 21 遮光層 22 著色層 23 保護層 24 透明電極 30 ' 反射型液晶顯示元件 40 照光 41 光源 42 導光體 43 稜鏡片 44 擴散片 50 半透光反射型液晶顯示裝置 51 掃描侧驅動電路 52 信號側驅動電路 53 信號處理電路 65 源極 66 像素電極 68 保護膜 69 定向膜 80.90 玻璃基板 81 透明電極 -31 - 586040 (27) 82 導電材料 83.95 定向控制膜 92 著色層 91 遮光層 93 保護層 94 透明電極 100 圖案形成裝置 110 複製模 120 ' 圖案形成裝置

-32-

Claims (1)

1. 586040 拾、申請專利範圍 1· 一種半透過反射型液晶顯示裝置，其係包含多數像素， 其係在基板上被多數之閘配線、配置成與該閘配線成直 父之多數之源配線所包圍者；開關元件，其係設於配置 在tz亥像素内之七述閘配線與前述源配線之交叉點附近 者，及像素電極，其係連接於該開關元件者；此裝置可 施行透過型顯示與反射型顯示者；其特徵在於： · 丽述像素電極係由透明之導電層、與電性連接於該透 明之導電層而具有光反射機能之導電材料所構成者。 2.如申請專利範圍第1項之半透過反射型液晶顯示裝置， 其中别述導電材料係直接配置於前述透明之導電層上 者。 曰 3·如申請專利範圍第1或2項之半透過反射型液晶顯示裝 置，其中配置前述導電材料之區域為反射顯示區域，其 他之區域為透過顯示區域者。 4·如申請專利範圍第2項之半透過反射型液晶顯示裝置， g 其中前述導電材係構成多數之凸狀或凹狀者。 5·如申請專利範圍第4項之半透過反射型液晶顯示裝置， 其中構成包含前述凸狀或凹狀連續變化之傾斜面者。 6·如申明專利範圍第4項之半透過反射型液晶顯示裝置， 其中前述凸狀或凹狀係呈現圓狀、多角形、棒狀切# ’或與其等近似之形狀者。 7·如申明專利範圍第6項之半透過反射型液晶顯示裝置， °〇U4〇

   其中別述圓狀、多角形、棒狀或帶狀之圖案係在高分子 甘欠段共聚物等所表現之相分離圖案者。 δ.如中請專利範圍第2項之半透過反射型液晶顯示裝置， 其中前述導電材料係以具有卜⑽耻級之直徑之微細 9之銀或金等之粒子為主體之導電材料者。 種半透過反射型液晶顯示裝置，其係在_個像素内施 行透過型顯示與反射型顯示者，其特徵在於··

   配置於像素内之像素電極係包含透明之導電層、與電 f生連接於$透明之導電層而具有光反射機能之導電材 料者。 10.如申^專利範圍第9項之半透過反射型液晶顯示裝置， 其中别述導電材料係直接配置於前述透明之導電層上 者。 如中請專利範圍第9或1()項之半透過反射型液晶顯示裝 置，其中前述半透過反射型液晶顯示裝置係將液晶層夾 持=至少一方為透明之一對基板所構成；

   前述透明之導電層係構成平板狀； 並呈現在有別於配置該導電層之基板之另一基板上 ’配置對應於前述像素電極之共通電極之構成者。 12·如:請專利範圍第10項之半透過反射型液晶顯示裝置 、、中前述導電材係構成多數之凸狀或凹狀者。 13·=請專利範圍第12項之半透過反射型液晶顯示裝置 八中構成包含前述凸狀或凹狀連續變化之傾斜面者。 14.如申請專利範圍第1〇項之半透過反射型液晶顯示襄置 -2-

   r電材料係以具有1〜20 nm之直徑之微細之 、又或金等之粒子為主體之導電材料者。 :種半透過反射型液晶顯示裝置，其係在-個像素内施 仃透過型顯示與反射型顯示者，其特徵在於：μ 配置於像素内之像素電極係將具有光反射機能之導 電材料配置於平板狀之透明之導電層所構成者。 如申請!利範圍第15項之半透過反射型液晶顯示裝置 八中4述導電材料係直接配置於前述透明之導電層上 如申請，範圍第16項之半透過反射型液晶顯示裝置 ’其中前述半透過反射型液晶顯示裝置係將液晶層爽持 於至少一方為透明之一對基板所構成； 亚呈現在有別於配置該導電層之基板之另_基板上 ，配置對應於前述像素電極之共通電極之構成者7 如申請專利範圍第16項之半透過反射型液晶顯示装置 ，其中前述導電材係構成多數之凸狀或凹狀者。 如申請專利範目第18項之半透過反射型液晶顯示裝置 ,其中構成包含前述凸狀或凹狀連續變化傾 如申請專利第16項之半透過反射型液裝者置 ’其中前述導電材料係以具有卜別枷之直徑之微細之 銀或金等之粒子為主體之導電材料者。 !93. I： η 發明享fr說明書 586040 中文說明書替換本(93年1月) (填寫本書件時請先行詳閱申請書後之申請須知，作※記號部分請勿填寫） ※申請案號：°| I U λΠ沐〇 ※丨pc分類：^ιοίΡ 1/ R ※申請日期：3卜I 〇 一 壹、 發明名稱 (中文)丰透過反射难液晶顯示_ f_ (英文)SEMI_TRANSMISSIVE REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE_ 貳、 發明人(共_j_人) 發明人_L_(如發明人超過一人，請填說明書發明人續頁） 姓名：(中文）奋幡一杆___ (英文）KATSUYUKIFIJNAHATA____ 住居所地址：(中文）日本國東京都千代田區丸内一丁目5華1號新丸大摟 且立製作所股份有限公司知的財產婼本部_ (英文)_______ 國籍：L中文）日本 （苯女、JAPAN___ 參、 申請人(共_i_人） 申請人i (如申請人超過一人， 請填說明書申請人續頁） 姓名或名稱：中文）日商日立t作所股份有限公司_____ (英文）HITACHI, LTD._____ 住居所或營業所地址：(中文）日本國東京都千代田區神田•驗河台四丁目6番地 (英文)___ 國籍：(中文）日木 （英文、JAPAN___ 代表人：(中文）庄山悦彥____ (英文、ETSUHIKO SHOYAMA_