TW585895B - Organic EL material - Google Patents

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585895 A7 B7 五、發明説明（1) 技術領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於一種成爲作爲平面面板顯示器，而重 要性逐漸增加之有機場致發光（E L)之構成材料的新的 A1q3及其精製方法。 背景技術 有機場致發光元件（以下稱爲有機E L元件）係由包 含發光層之有機化合物層與挾持該有機化合物層之一對的 電極所構成，具體地說已知有以陽極/有機發光層/陰極 的構造作爲基本’而在此適當地設置電洞注入層或電子注 入層者。有機發光層的材料（有機E L材料），則已知有 以例如柯達公司之C. V· Tang, S· A. VanSlyke等人在人？？1·

Phys· Lett·，5 1 ( 1 987)，913中所發表的三（8 —羥基喹啉） 銘作爲代表性的材料，至於其他則已知有取代8 一羥基喹 啉鋁錯合物及8 -羥基喹啉氧化鋁錯合物。此外，由於 A 1 q 3爲錯合物因此也有將之稱爲三（8 一羥基鸣啉） 銘錯合物或是只稱爲錯合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有機E L元件的實用性，也因爲近年來活躍的硏究而 獲得提升，而被使用之發光層構成有機化合物的純度，含 有雜質則對於有機E L元件的輝度，發光效率等其他的基 本性能或元件壽命會帶來影響。

至於A 1 CJ 3，則例如在日本特許第2 9 0 2 7 4 5 號以及2 8 2 3 3 5 2號公報中已記載品質上應該具備的 要點，而製造技術則記載於J[ P 1 1 - 1 7 1 8 0 1 A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 585895 A7 ____ B7_ 五、發明説明（2) 中 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A 1 Q 3已知包括有2種的異性體混合物，而已有各 種的解析資料（例如 Anal. Che.，1 968，40(13)，1 945 -5 1 : 1H-NMR光譜之兩異性體的分析，Talanta，1967( 14)，1213-20: 質譜，Acta· Chem· Scand·，1 968，22(4)，，1 067-75 :紅外線吸 收光譜）。然而，該些異性體對於有機E L元件的性能究 意會產生什麼的影響，則幾乎沒有報告。 例如對於微量雜質的影響或結晶構造或立體構造的影 響，則對於是否存在微量雜質較好，而此時，到底什麼樣 的東西要包含到什麼程度才好，或是對結晶構造最好要那 種構造皆不淸楚。而此是因爲A 1 q 3是高純度以及對該 些與發光機構之關係皆不明確所造成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但是爲了要精製作爲有機EL材料之A 1 cj 3 ，一般 皆採用昇華精製法。但是對於以往使用公知之電氣爐以及 玻璃爐的昇華精製方法而言，則考慮到無法提高到可以充 分作爲有機E L材料的純度。有機E L元件在實用上之重 要的性能與材料之純度，含有雜質的種類及量等的關係， 雖然仍舊有許多的不明白之處，但是可以想到導因於該昇 華精製技術之處仍多。藉由改良E L元件之構造，雖然在 基本性能上可說是提升到實用的水準，但是仍舊要求使達 到A 1 Q 3之工業生產的昇華精製技術得以實用化。 更者，對於作爲有機E L材料的分析技術與製造技術 的開發乃成爲重要的課題。 本發明之目的在於提供一種具有作爲有機E L元件材 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)一' ' --- -5-. 585895 A7 ^_____B7_ ___ 五、發明説明（3) 料之優秀功能的A 1 q 3及其製造方法。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明之揭露 亦即，本發明之有機E L元件係由在氮氣流下的示差 掃描熱量分析中，在3 5 0〜4 0 Ot之間的發熱纛在2 J / g以下，且在4 0 0〜4 5 0之間，將4 2 〇 °c附 近設成吸熱峰的頂點的7 0〜1 2 0 J / g的吸熱的 A1Q3所構成。又，上述有機EL元件係由在FT-I R紅外線吸收光譜中，在4 1 8 ± 2 c m _ 1不具有峰點 ’而在4 2 3 ± 2 c m — 1具有峰點的A 1 Q 3所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 更者，本發明之上述有機E L材料用之A 1 Q 3之精 製方法，其特徵在於：將原料A1 q3，在lOTor r 以下的減壓下，且將昇華部的溫度保持在3 0 0 °C以上， 4 2 0 °C以下，而將製品析出部之主帶域之溫度保持在 1 0 0 °C以上，2 5 0 °C以下，而加以昇華精製。又，本 發明的昇華精製方法具有昇華部以及包含製品析出部的析 出部，而至少控制製品析出部之主帶域的溫度成爲設定溫 度土 1 o°c以內。 又，本發明之有機E L元件，針對一具有至少由玻璃 基板/透明電極/電洞輸送層/發光層/電極所構成的層 的有機E L元件，或具有至少由玻璃基板/透明電極/電 洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電極所構 成的層的有機E L元件，存在於發光層及/或電子輸送層 的A 1 q 3爲上述的有機E L材料或由上述有機e L材料 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公慶） -6 - 585895 Α7 Β7 五、發明説明（4) 用之A 1 q3之精製方法所精製出的A 1 q3。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明人等，爲了要掌握會左右有機E L元件性能之 A 1 q 3的品質，在進行完各種之化學的以及物理的分析 後’則發現除了已經報告之上述的光譜（I r，1 Η — N M R等）資料以外，熱分析結果也與E L元件性能有關 連。亦即，針對以習知技術所.昇華精製出的A 1Q3(以 下稱爲習知品）以及由本發明人等所開發之獨自的昇華精 製裝置所精製出的A 1 q 3 (以下稱爲本發明品）等兩者 進行I R，1H — NMR，質量，UV，螢光（溶液）各 光譜以及不差熱及不差掃描熱量等的分析，而檢討分析結 果與由I TO/電洞輸送層（TPD) /電子輸送層（_ AIq3)/A1 .Li電極所構成之有機EL元件之基 本性能的關連性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若比較本發明品與習知品之傅立葉轉換I R ( F T — 1 R)光譜時，則可看出在多個吸熱峰具有3〜5 cm 一1 左右的差異。雖然對於F T- I R而言，在解析能力（在 本實驗中設定爲2 c m _ 1 )以上的差異可說是有意義，但 是若是根據上述差異來定量地說明錯合物構造（分子內， 分子間）之些微的變化則非常的困難。而只針對兩異性體 之其中一者進行調製或單獨分離是非常的困難即是其中一 個原因。又，在UV，螢光，質量，1H - NMR ( 4 0 0 Μ Η z )等的光譜中，則在兩者之間並未看出明確 之資料的差異。 但是在示差掃描熱量（以下稱爲D S C )以及示差熱 本紙張尺度適用中.國國家榡準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 585895 A7 B7 五、發明説明（5) (以下稱爲D T A )分析中，則在兩者間發現有明顯的差 異。在習知品的D S C分析中，顯示出在3 5 0〜4 0 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

t；之間有5〜1 5 J/g的發熱峰與在4 0 0〜4 5 0°C 之間具有以4 1 7〜4 2 1 °C附近作爲峰之頂點的大的吸 熱峰，其吸熱量爲6 0〜9 0 J /g。另一方面’本發明 品，則在3 5 0〜4 0 0 °C之間幾乎看不到發熱峰’發熱 峰實質上爲零，但是在4 0 0〜4 5 0 °C之間，則以 4 2 0 °C附近作爲頂點之大的吸熱峰的吸熱量大約是7 0 〜120 J/g，最好是70〜100 J/S。又，即使 是在習知品的DTA分析中，也觀察出在3 8 0 °C附近之 小的發熱與4 2 0 °C附近之大的吸熱。但是以D s c資料 比較容易判斷。 利用顯示出在如此熱分析上之差異的本發明品以及習 知品來製作由I T〇/ T P D / A 1 Q 3 / A 1 · L i所 構成的有機E L元件，而比較作爲元件性能之指標的輝度 。結果發現本發明品之元件的初期輝度較高。本發明即是 基於上述事實而完成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，針對由本發明之A 1 Q 3所構成的有機E L材 料來加以說明。該A 1 q 3在氮氣流下的示差掃描熱量分 析（試料量10mg)中，顯示出在350〜400 °C之 間的發熱量在2 J / g，且在4 0 0〜4 5 0 °C之間具有 以4 2 0 °C附近作爲吸熱峰之頂點的7 〇〜1 2 0 J / g 的吸熱。習知之有機EL材料用的A 1 Q 3或未精製的 Alq3 ，雖然具有在350〜40〇°c之間的發熱，但 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -8- 585895 A7 ______B7 ___ 五、發明説明（6) 是本發明之有機E L材料用的A 1 q 3，則是一發熱在2 J / g以下，又’最好是未出現明確的峰（peak)的材料。 其發熱的原因雖然不淸楚，但是當使用該A 1 Q 3時，則 發現可作爲優秀之有機E L材料來使用。又，在4 0 〇〜 4 5 0 °C之間，以4 2 0 °C附近作爲吸熱峰的吸熱係一 A 1 d 3的熔解熱，分解熱，氣化熱，相位變化熱等會複 合地被檢測出的熱量，而在其附近可以只有一個獨立的峰 。雖然該些會影響到作爲有機E L材料之性能的理由尙未 明白，但由於在製作元件時（在高溫，真空下的蒸鍍）之 材料的分解，雜質的舉動，或因爲與電洞輸送材料接觸而 導致性能降低等之外在因素會影響到元件的性能，因此可 以認爲此與示差熱分析的峰會有關係。 本發明之A 1 q 3，在根據F T - I R的紅外線吸收 光譜中，在4 1 8± 2 cm — 1不具有峰（peak)，而在 4 2 3 土 2 c m _ 1具有峰。相較於此，以往之有機e L材 料用的A 1 q3或原料A 1 q3，則大多在4 1 8± 2 cm — 1具有峰，而在4 2 3± 2 cm-1不具有峰。由此點 可看出若使用滿足上述條件的本發明品，可作爲有機E L 材料。 本發明的A 1 q 3，雖然示差掃描熱量分析或示差掃 描熱量分析與F T - I R可滿足上述條件，但是若同時滿 足兩方時，則可成爲更好的有機E L材料。亦即，滿足該 條件之本發明的A 1 Q 3 ，則可以充分地滿足製膜性，電 子輸送性，發光效率，輝度等之作爲有機E L材料所要求 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格（21QX297公釐) ~ '' ' -9 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 585895 A7 ____B7_ 五、發明説明（7) 的條件。 接著則說明本發明之A 1 d 3的製造方法。原料 A 1 Q 3的合成並不妨礙以往習知的方法。例如藉著讓8 -羥基喹啉與作爲鋁來源之硫酸鋁，銨明礬等之無機鋁化 合物，或鋁醇鹽等其他之有機鋁化合物在適當的冷媒中反 應，很容易調製出來。如此所調製出之粗製A 1 Q 3則含 有未反應原料，或原料由來的雜質以及不完全的配位化合 物等。又，在反應中所使用的溶媒，若是水則爲結晶水， 若是有機溶媒，則作爲配位子，而與粗製錯合物共存。水 或溶媒的存在，則在上述熱分析中很容易加以掌握。 雖然將如此調製出的原料A 1 q 3進行昇華精製，但 是以往在未進行析出部之加熱溫度調整之公知的玻璃製昇 華精製裝置中，在反覆地進行昇華操作加以精製後，則製 造出有機E L元件。此時之.一般的昇華操作的反覆次數爲 3次。但是將以此方法所精製出的a 1 q 3當作發光及/ 或電子輸送材料來使用的有機E L元件，其輝度，.壽命等 其他之元件特性並不充分。 在此’根據本發明的精製方法，使原料A 1 q 3處於 1〇To r r以下的減壓下，最好是在3τ〇 r r以下的 減壓下’且使該原料昇華之昇華部的溫度設成3 〇 〇它以 上，4 2 0 °C以下，而將使當作製品或中間體而被回收的 精製A 1 Q 3加以析出的製品析出部之主帶域的溫度保持 在100。(：以上，250 °C以下，而加以昇華精製。藉由 如此的控制’可以有效率地使昇華速度，析出溫度微妙不 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 585895 A7 B7 五、發明説明（8) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 同的成分加以分離’而能夠優越地作爲有機E L材料來使 用。至於昇華部溫度，當升高到4 2 0 °C以上時，由於會 促進A 1 q 3的分解，因此，精製效率會顯著地降低，又 ，當在3 0 0 °C以下時，由於原料A 1 q 3無法以足夠的 速度來昇華，因此生產性會顯著地降低。至於製品析出部 的溫度，當在2 5 0 °C以上時，則製品A 1 Q 3的析出效 率會降低，而當在1 〇 〇 °C以下時，則無法獲得顯示出良 好特性的製品。而此是因爲當析出部的溫度過低時，則會 同時析出製品A 1 q 3以外的雜質使然。又，嚴格地說， 由於原料昇華部溫度與製品析出部溫度係與蒸氣壓力有關 ，因此會根據壓力而變動。例如當在3 Τ ο I* r以下時， 則原料昇華部溫度最好在3 0 0 °C以上，4 1 5 °C以下， 而製品析出部溫度最好是保持在1 〇 〇 °C以上，· 2 0 0。(3 以下。亦即，若是降低壓力時，由於原料昇華部溫度與製 品析出部溫度會一起降低，因此能夠抑制原原料，製品因 爲熱所產生的變性，而非常有利。此外，在本發明中所謂 的製品析出部爲讓精製A 1 q 3析出的帶域，而將在此所 析出的A 1 q 3當作製品（包含中間精製品。以下相同） 加以回收。又，主帶域爲製品析出部的全部或是成爲主要 部分的帶域。而將在此所析出的A 1 q 3當作製品的全部 或大部分加以回收。此外，不需要將在主帶域所析出之 A 1 Q 3的全部當作製品加以回收，當在該帶域之末端部 分所析出之A 1 q 3的品質不夠時，則有一部分不當作製 品回收的情形。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ' -11 -· 585895 A7 ________B7______ 五、發明説明（9) 又’本發明之精製方法，其中之昇華精製裝置具有昇 華部及析出部，可以至少將讓精製A 1 q 3析出之主帶域 的溫度控制在設定溫度± i t以內，最好是在1： 5 °C以內 ，又更好是設定在± 2 °C以內。又，至於昇華部，由於接 近於A 1 q 3的分解溫度，因此最好是儘可能地進行嚴密 的溫度管理，可以控制在設定溫度± 1 〇它以內，最好在 土 5 °C以內，又，更好是在± 2。(：以內。亦即，昇華精製裝 置具有昇華部，析出部以及真空裝置，具有原料會在昇華 部被加熱昇華，而在析出部依序析出，而未析出的氣體等 則流向真空裝置的構造。因此，最好溫度是朝向下流側降 低。此外’析出部具百位在流動方向上的寬度，而至少設 置一個被保持在一定溫度的帶域，最好是設置多個，將被 保持在±述製品析出部溫度內之設定溫度的帶域設成爲讓 精製A 1 q 3析出的主帶域，而最好是將溫度控制在設定 溫度± 1 0 °C以內。例如將析出部設成筒狀，而若在流動 方向設置溫度幾乎保持水平的至少一個的帶域與使溫度呈 階梯狀或斜坡（slope )狀降低的帶域時，則可將具有某一 胃^的帶域設成一定溫度，而能夠呈階段式地析出純度及 E L特性不同的a 1 q 3及雜質。例如可以設置讓製品之 胃_ A 1 q 3析出的主帶域，接著則設置被設定成溫度較 #胃低的帶域，而該帶域的長度（面積）雖然會因爲設備 的規模而異，但是可以是1 〇〜1 〇 〇 C m左右，而讓製 品I %精製A 1 q 3析出之主帶域內的溫度可以在設定溫度 ± 1 〇 °C以內，最好是在5 °C以內，又，·更好是在2 °C以 本紙張尺度適财關家榡準（CNS) A4規格（21GX 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12 - 585895 A7 B7 五、發明説明（I》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 內。藉由如此般地嚴格地控制溫度，可以儘可能地使在該 帶域內所析出之精製A 1 Q 3的品質成爲均勻，而能夠將 在此所析出之精製A 1 Q 3之實質的全部當作製品。又， 上述設定溫度雖然如上述般會因爲減壓度等而不同，但是 當在2To I* r左右時，則可以是1 5 0°C左右。又，藉 著將析出部設成不同溫度的多個帶域，而控制各自的溫度 ，則可以在各自的帶域選擇性地析出特定的物質或是組成 物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 昇華精製裝置的材質，雖然可以是玻璃或是金屬，但 是基於能夠急速加熱，減少局部過熱，以及可以達到高減 壓等的理由，最好是由金屬製成，特別是昇華部以及製品 析出部之主帶域最好是由金屬製成。此時，外側爲鐵等的 金屬，內面除了不銹鋼，鋁等之金屬以外，也可以是派熱 克斯玻璃（Pyrex glass )，石英玻璃或銘土（ alumina )等的 陶瓷製成。昇華部溫度可以自由地設定在4 2 0 °C以上， 加熱方法雖然是採用電阻加熱，誘導加熱等的電氣加熱， 使用熱媒體的間接加熱等之公知的方法，但是對於希望安 定地保持在一定之設定溫度的昇華部及製品析出部的主帶 域部分，則在外側設置外套（jacket)，而採用讓一定溫度 的熱媒體流經此的間接加熱方式或電阻加熱或誘導加熱等 的電熱加熱。.如此一來，由於已設置了外套之部分的帶域 幾乎被保持在一定的溫度，因此，藉著讓設置外套的部分 或作電熱加熱的部分變化，則可以自由地改變該帶域的寬 度以及位置。此外，則藉由控制熱媒體的溫度以及供給電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公酱1 -13- 585895 A 7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1) 力可以控制設定溫度。在昇華之際，通常作爲目標之製品 之精製A 1 q 3的捕集溫度最高，而愈向其下游側愈設定 成低溫，而被連接到真空線路（line )之末端捕集部則幾乎 設成最低溫。在原料A 1 d 3中之雜質或因爲A 1 Q 3等 的分解所產生之雜質等會污染到精製品的成分，則在不同 溫度的析出部，根據其蒸氣壓力以及沸點，凝固點而被捕 集。 藉著將根據所設定溫度的析出捕集操作組入到昇華精 製裝置，可使得昇華精製品的品質較以往的昇華品提高， 結果，能夠提高作爲精製A 1 q 3之有機E L材料的功能 。由本發明之精製方法所得到的A 1 q 3，雖然大多滿足 上述示差掃描熱量分析或F T - I R的特性値，但是當不 滿足時，則藉由增加捕集部的段數，而減小各個階段的溫 度梯度或是再度地反覆進行昇華精製，也可以達到目的。 又，由本發明之精製方法所得到的A 1 q 3 ，由於較由以 往方法所得到的A 1 Q 3 ’具有較局之作爲有機E L材料 的功能，因此並不一定要滿足上述示差掃描熱量分析或 F T — I R的特性値。 實施發明之最佳形態 根據表示其槪念圖的圖1來說明昇華精製裝置之最佳 的一例。在圖中，1爲昇華部，2爲析出部的製品析出部 ，3爲析出部的第2帶域，4爲捕集部（trap )，5爲真空 幫浦，6爲熱媒體加熱•循環裝置，7爲外套（jacket)， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 尽紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -14 - 585895 A7 ^___B7 五、發明説明（ 8爲熱媒體流路。昇華部1，製品析出部2係被設成筒狀 的金屬物，而藉由從熱媒體用配管8被循環供給到外套7 的熱媒體而被加熱或冷卻，且獨立地被控制溫度。藉由嚴 密地對熱媒體加熱•循環裝置6進行溫度控制，而使得熱 媒體的循環供給量足夠，可以使被外套7所包圍的昇華部 7以及製品析出部2的溫度位在一定之設定溫度，且使帶 域內的溫度差收斂在所定的範圍內。包含了已經昇華之原 料的流體，則在製品析出部2析出成爲製品的精製 A 1 d 3 ，而在第2帶域3析出作爲E L材料，但是品質 較差的A 1 q 3以及雜質，藉由捕集部（trap ) 4分離出未 析出的粉末等，而氣體狀物則被真空幫浦5吸引而被排出 〇 E L元件可以使用由玻璃基板/透明電極/電洞注入 層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電極所構成者， 但是也可以省略掉電洞注入層或電子輸送層等。此外，本 發明之有機E L元件可以適合使用於發光層及/或電子輸 送層。根據表示其槪念圖的圖1 0來說明E L元件之最佳 的一例。圖1 0係表由A 1 q 3 / A 1 · L i所構成的元 件，係表由玻璃基板/ITO/TPD/Al Q3/A1 • L i所構成的元件，在圖中’ 1 1爲玻璃基板，1 2爲 I T ◦電極1 3爲電洞輸送層（TPD) ，1 4爲發光 層，15爲A1 · Li爲電極，16爲電源，A lq3則 存在於發光層4。本發明之有機E L材料可以根據定量法 來使用。又，也能夠與摻雜物（dopant)等之其他的有機 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐) ' ' * -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 585895 A7 B7 五、發明説明（1 E L元件同時倂用。 以下雖然是根據實施例來說明本發明，但是本發明並 不限定於實施例。 實施例1 將硫酸鋁1 6水和物2 5 g與純度9 9 %的8 —羥基 鸣啉3 5 g加入到水9 3 g中，一邊攪拌，一邊滴下3 3 %氫氧化鈉2 9 g，而讓其產生中和反應。過濾取出所精 製出的固態物，加以水洗乾燥而得到3 6 g的A 1 q 3。 利用圖1所示之金屬製昇華精製裝置，對2 0 g的該 原料A 1 Q 3進行昇華精製。將昇華部1 ，製品析出部2 設成筒狀的金屬製物，而藉由被供給的熱媒體而被加熱或 冷卻，且獨立地被控制溫度，而將第2帶域3設成空氣冷 卻。藉由真空幫浦5將系統內進行2 T 〇 r r的減壓，將 昇華部1的溫度設成4 0 0 °C，將製品析出部2之成爲設 定溫度的內壁溫度設成1 5 0 °C，將熱媒體之入口溫度與 出口溫度的差保持在2 °C以內，進行3小時的昇華，而在 析出部的內表面捕集到固體。該昇華精製裝置的昇華部1 的內容積約爲5 0 0 m 1 ，第2帶域2的內容積約爲 500ml ，長度爲30cm，而在製品析出部2被捕集 到的精製A 1. q 3則有1 4 g。 比較例1 與實施例1同樣地，將5 g的由硫酸鋁與8 -羥基曈 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） I! 1T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 585895 A7 B7 五、發明説明（巧 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 啉所調製出的原料A 1 q 3裝入到內容積爲3 0 〇m 1之 圓底圓筒的燒杯底部，而安裝具有水冷卻管之燒杯蓋。之 後，則在2 T 〇 r r的真空下，在4 0 0 °C下進行3小時 的加熱而讓原料A 1 q 3昇華，而在水冷卻管表面捕集到 。將所捕集到的A 1 q 3再度裝入到燒杯底部，在同一條 件下讓其昇華。再度將捕集到的A 1 Q 3裝入到燒杯底部 ，在同一條件下讓其昇華。合計反覆地進行3次的昇華， 而得到1.5g的精製a1q3。 分析在上述實施例1以及比較例1之製品分析部所得 到的精製A 1 q 3的結果，可以確認出以U V，螢光光譜 看不出差異，但是由質量分析，1 Η - NMR光譜來看任 何一者均是A 1 q 3。另一方面，將兩者間可認出其差異 的FT— IR以及DSC圖表示在圖2〜圖5 。圖2爲實 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 施例1之A1 q3的FT— IR圖1在422cm—1具有 峰，而在4 1 8± 2 cm-1則未具有峰，相較於此，在圖 4所示之比較例1的A 1 q 3的F T — I R圖中’雖然在 4 1 9 cm 一1具有峰，但是在423± 2 cm_1則未具有 峰，圖3係表實施例1之A 1 Q 3的D S C圖’未發現 3 5 0〜4 0 0 °C間的發熱峰，但具有以4 1 9 · 5 °C作 爲頂點的吸熱峰（吸熱量=8 5 · 6 J / g ) ’相較於此 ，在圖5所示之比較例1的A 1 q 3的D S C圖中，則具

有以3 8 9 · 2 °C作爲頂點的發熱峰（發熱纛=5 · 4 J / g )與以4 1 9 · 6 t作爲頂點的吸熱峰（吸熱量= 8 5 . 7 J / g )兩者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 585895 Α7 Β7 五、發明説明（β 實施例2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 與實施例1同樣地，將銨明礬2 2 · 7 g與8 —羥基 鸣啉2 1 · 7 g加入到水1 5 0 g中，一邊攪拌，一邊讓 氫氧化鈉6 · 5滴下，而產生中和反應。讓所產生的固態 物加以水洗，乾燥而得到2 1 g的A 1 q 3。將χ 5 g的 該原料A 1 q 3 ，使用圖1所示之金屬製昇華精製裝置， 以同樣的條件加以精製而得到1 1 g的A 1 q 3。 將5 g的由實施例2所調製出的原料a 1 q 3 ，在與 比較例1同樣的玻璃裝置中實施3次的昇華精製，而得到 1 · 7 g的A 1 q 3。由實施例2與比較例2所得到之精 製A 1 q 3的F T— I R與D S C的分析圖表示在圖6〜 圖9。圖6係表實施例2之A 1 q3的FT— IR圖，在 4 2 2 c m — 1具有峰，而在4 1 8 土 2 c m-1則未具有峰 ’相較於此，在圖8所示之比較例2的A 1 q 3的F T - 1 R圖中，雖然在4 1 9 cm-1具有峰，但是在4 2 3 土 2 c m _ 1則未具有峰。圖7係表實施例2之A 1 ci 3的 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 D S C圖，未發現3 5 0〜4 0 0 °C之間的發熱峰，但是 具有以4 2 0 · 9 °C作爲頂點的吸熱峰（吸熱量= 9 3 · 6 J / g )，相較於此，在圖9所示之比較例2之 A 1 Q 3的：D S C圖中，則具有以3 8 7 . 〇 °C作爲頂點 的發熱峰（發熱量=6 · 6 J / g )與以4 1 9 · 6 °C作 爲頂點的吸熱峰（吸熱量=8 3 · 6 J / g )兩者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ 297公釐） 585895 A7 ______B7 五、發明説明（ 實施例3 與實施例1同樣地調製出原料A丨q 3，將丄〇 g的 原料A i Q 3裝入與實施例丨同樣的金屬製昇華精製裝置 內’將昇举部溫度設爲3 8 0 °C，將製品析出部的設定溫 度設爲150°C，在2Tor r的壓力下運轉3小時，進 行1 0次之昇華精製的實驗。將精製品的D S c分析（試 料量約1 0 m g )的結果表示在表1。不管是何者均未發 現在3 5 0〜4 0 0 °C間的發熱峰，但是擁有在4 2 0 °C 附近具有頂點之8 5〜9 7 J / g的吸熱峰。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -19- 585895

7 7 A B 五、發明説明（叼 〔表1〕 D S C分析 編號 峰溫度 吸熱量 1 4 18。。 9 2 J / g 2 4 2 1 8 9.6 3 4 2 1 9 3.6 4 4 2 1 9 1 5 4 19 8 8.1 6 4 2 1 8 9.9 7 4 2 1 9 0.8 8 4 2 0 8 5.7 9 4 2 0 8 5-6 10 4 2 1 9 6.3 平均 4 2 0 9 0.3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在與實施例1同樣的實驗中，進行讓昇華部溫度，製 品析出部之設定溫度以及壓力變化的實驗。其條件，結果 則表示在表2中。實驗編號1〜4相當於實施例，5〜8 則相當於比較例。在實驗編號1 ，2以及4中，昇華部溫 度，製品析出部溫度或時間之其中一者稍高或是稍長，因 此可以發現在D S C有些微的發熱。實驗編號3 ，雖然在 D S C沒有發熱，但是回收率稍低。實驗編號5 ，由於昇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） -20- 585895 A7 B7 五、發明説明（ 举溫度筒’因此’原料的一部分被瀝青（p i t c h )化，而回 收率低。實驗編號6〜7，由於是昇華溫度低，或壓力高 ’因此，原料不會昇華。實驗編號8，由於製品析出部溫 度高，因此當以2 7 A 1 - N M R來測量由此處所回收的製 品時，則能夠推測出A 1的配位數從6變化到5者有3 0 %左右。 〔表2〕 編 壓力 溫度 (°C ) 時間 良品率 DSC峰 IR峰 號 Torr (J/g) cm'1 昇華部 製品析 hr % 350- 約 出部 400°C 420 °C 1 2 400 200 3 70 0.5 94.4 424 2 2 400 200 1 65 1 · 6 91.1 423 3 4 360 100 5 55 0.0 91.5 422 4 2 340 150 20 52 0.4 88.2 422 5 10 430 200 4 10 _ 一 —— 6 2 280 150 20 0 一 — 一 7 15 415 150 5 0 _ 一 — 8 3 400 270 3 70 0.2 87.0 425___ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例5

與實施例1同樣地調製出原料A 1 q 3 ，將1 〇 〇 S 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 585895 A7 B7 五、發明説明（1， "^^---- 的原料A 1 q 3衣入到與貫施例工同樣的金屬製昇華精製 裝置：將昇華部溫度設爲4 ◦ ，將製品析出部的設定 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 溫度汉爲1 80 C ’在1 · 5t〇 r r的壓力下運轉3小 時，進行3次的昇華精製的實驗。將精製品的D s ◦分析 (試料量約1 0 m g )的結果表示在表3。不管是何者， 均未發現在3 5 0〜4 〇 〇 t.之間的發熱峰，但是具有在 4 2 0 C附近具有頂點之10 〇〜i i 的吸熱峰 〔表3〕 D S C分析 編號 峰溫度 吸熱量 1 4 1 8 . 4 °C 1 0 6 · 1 J 〆 g 2 4 17.7 10 0.4 3 4 19.5 10 1.3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例6 利用在實施例1以及比較例1中所得到的精製 A 1 q 3來製作圖1 0所示之構造之玻璃基板/ I T〇/ T P D / A 1 q 3 / A 1 · L i元件，而比較其性能。結 果則表示在圖1 1。1 0 V輝度，當爲實施例1的精製 A 1 q 3時爲4 3 7 ( c d /m 2 )，當爲比較例1的精製

Alq3時爲179 (cd/m2)。在圖11中，實線爲 本紙張尺度適用中.國國家標準（cns ) A4規格（2丨〇><297公釐） 585895 Λ7 B7 五、發明説明（吟 實施例1之精製A 1 q 3 ( A 1 Q 3 N )的結果，虛線爲 比較例1之精製A 1 q 3 ( A 1 q 3 〇 )的結果。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又’當針對實施例2的精製a 1 q 3與比較例2的精 製A 1 q 3同樣地比較兀件的輝度時，則1 〇 v輝度分別 是480以及2〇0(cd/m2)。 產業上之可利用性 本發明之有機E L兀件，由於£ l元件的輝度，效率 ，壽命等的基本特性優越，因此可以作爲有機E L元件的 材料。又，本發明的精製方法，可以藉由輕巧的裝置來抑 制原料A 1 q 3的分解，而回收率高，能夠達到高純度， 且經濟性優良。 圖面之簡單說明： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1係表金屬製昇華精製裝置的槪念圖，圖2係實施 例的F 丁 — I R光譜，圖3係表D S C圖，圖4係表比較 例1的FT— I R光譜，圖5係表DS C圖，圖6係表實 施例2的FT — I R光譜，圖7係表DSC圖，圖8係表 比較例2的FT— I R光譜，圖9係表DSC圖，圖1 〇 係表有機E L元件之構成的斷面圖，圖1 1係表有機e l 元件之輝度-電壓曲線。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2[0X297公釐）

Claims (1)

1. 585895 第89117524號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 A8 B8 C8 民國93年3月16日修正 申請專利範圍 換本 93年义1角 種有機場致發、剌料一^食特j汶在於 係由二（8 -羥基喹啉）鋁所成者，該 口圭啉）鋁，以下簡稱爲A丨q 3，係在氮氣流下的示差掃 描熱重分析中，在3 5 0〜4 0 〇°C之間的發熱 / £以下（升溫速度·· 1 〇它/ m丨η )，在ρ 的紅外線吸收光譜中，在4丄8 ± 2 c m — x不具有峰，而 8 -羥基 量爲2 J 丁一 I R 在4 2 3 土 2 cm一1具有峰 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 · 一種有機場致發光材料用之A 1 q 3之 ’將原料A 1 q 3，在1 〇 Τ 〇 r r以下的減壓 昇宰部的溫度保持在3 〇 〇 °c以上，· 4 2 0 °C以 製品析出部之主帶域的溫度保持在1 〇 〇 C以上 °C以下’而加以昇華精製，且前記昇華精製裝置 部以及含有製品析出部的析出部，至少控制製品 主帶域的溫度成爲設定溫度± 1 〇 °c以內。 3 · —種有機場致發光元件，其特徵在於： 少由玻璃基板/透明電極/電洞輸送層/發光層 構成之層的有機場致發光元件中，存在於發光層的 A 1 q 3爲第1項所記載的有機場致發光材料。 4 · 一種有機場致發光元件，其特徵在於： 在具有至少由玻璃基板/透明電極/電洞注 洞輸送層/發光層/電子輸送層/電極所構成之 場致發光元件中，存在於電子輸送層的A 1 q 3 所記載的有機場致發光材料。 5 . —種有機場致發光元件，其特徵在於： 精製方法 下，且將 下，而將 ，2 5 0 具有昇華 析出部之 在具有至 /電極所 入層/電 層的有機 爲第1項 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 585895 A BCD V、申請專利範圍 2 在具有至少由玻璃基板/透明電極/電洞輸送層/發 光層/電極所構成之層的有機場致發光元件中，存在於發 光層的A 1 Q 3爲一由第2項之有機場致發光材料用的 A 1 q3之精製方法所精製的A'l q3。 6 · —種有機場致發光元件，其特徵在於： 在具有至少由玻璃基板/透明電極/電洞輸送層/發 光層/電子輸送層/電極所構成之層的有機場致發光元件 中，存在於電子輸送層的A 1 q 3爲〜由·第2項所記載之 有機場致發光材料用之A 1 q 3之精製方法所精製的 A 1 Q 3 〇 請 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 旁 裝 訂 經濟部智慧財產局員工消贫合作社印製 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS) A4说格（210x297公釐） -25