TW574720B - An apparatus and method of focusing - Google Patents

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TW574720B TW90121737A TW90121737A TW574720B TW 574720 B TW574720 B TW 574720B TW 90121737 A TW90121737 A TW 90121737A TW 90121737 A TW90121737 A TW 90121737A TW 574720 B TW574720 B TW 574720B
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John Andrew Rouse
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Description

574720
[發明背景] [發明領域] 本發明係有關於一種電子圖案轉移,且特別有關於 用散射-非散射光罩之電子圖案轉移以及甚至有關於依照 如1 992年1月7日發佈之美國專利編號5,〇79,112所描述= SCALPEL製程之電子圖案轉移。本發明亦適用於離子圖案 [習知技術說明] 一傳統範例裝置4 〇如圖1所描述,包括一電子或其他 能量來源41 ;聚光透鏡系統42 ;包括阻擋區域44和透明區 域45的光罩43 ·,物鏡46 ;後聚焦面(back f〇cal plane)^ 片(f ilter)47 ,如圖所示包括同軸光瞳(aperture)48 ;= 影透鏡系統49 ;位於透鏡51和鏡台52之間之曝光媒介5〇, 二者組成配準和直線對準系統53。上述裝置4〇由真空反應 室(chamber)54和空氣鎖(air 1〇ck)55所完備,上述 將提供樣本交換。 另一傳統裝置如圖2所示,包括一微粒來源3〇,圖示如一 電子槍,傳送電子束31,準直透鏡32將起始偏離射線導回 平行關係至33如圖示。掃瞄偏折器(scan deflect〇r)34* 35負責電子掃瞄,也就是持續χ方向的掃瞄。上述第二個 偏折器提供對y方向的移動,持續性或隨χ方向掃瞄步進。 光罩36,如範例名稱描述,被支柱37所分割。關於通過上 述光罩,上述現今含有圖案之電子束38,具動態對焦和相 差補償器39、40的影響。偏折器41和42預備在χ-電子和y 一
574720 五、發明說明(2) 電子^作的掃瞄/步進時,臨近區域的精確配置。 投影透鏡43和可變軸偏折器44 一起,上述多重光暗清 片45包括光曈46在晶圓平台48上之晶圓47上產生一對焦= 過的’為圖解目的’光罩36表示為含有圖 二上述電子束的㈣,上述電子束收斂於一點 父越(、或影像倒轉),在由光瞳濾片46所決定之平面或接近 面上《上述孔徑濾片45為電子影像遮住不需要的散 輯ί Ϊ致亦可以用來撐住其他"雜訊"-例如遮住不需要的
特徵邊界之散職射4瞳46也定義上料統之數位光瞳 I或瞳孔)。 圖1裝置分別有聚光和投影透鏡系統,這有助於在 小機械調整下對焦。另夕卜,投影系統具有多重透鏡亦較 佳。舉例來說,利用三透鏡來做影像失真相差的修正,以 及控制影像旋轉。 " 上述範例,傳統投影透鏡49、43亦可包含其他元 舉例說明,可包含具有二個光學平衡透鏡之雙重透鏡,相 J極,:自然消除相對相差的操作或是上述二者共有的操 7丄和平時應用一樣,負責上述形狀場的產生之硬體為" 透鏡 。
在圖2,透鏡39和40動態修正相差和對焦,例如修正 晶圓南度差和場曲#,由這些透鏡來負責動態調*, 減少感應衰退時間在來加速上述過程。舉例來說,動態相 差修正可能需要其他的偏折器來補償由設備/製程缺陷所
574720 五、發明說明(3) 產生誤差之。透鏡3 9和4 0為例證和他們可能包含其他元 件。 圖3和圖4圖示具有範例光學的系統,以下圖3和圖4之 討論概要的圖解,為傳統電子圖案轉移之基礎理論之基 本0 上述傳統單透鏡系統如圖3所示,利用電子束,或其 他描繪輪廓之能量,定義為射線1入射在具有遮蔽區域3和 透明區域4之光罩2上’傳送穿過透明區域4的射線為射線 1 a ’傳送至遮蔽區域4的射線為射線1 b。這樣的射線連同 由後聚焦面濾片6產生的射線被透鏡5折射。如射線1 a的簡 要描繪,射線1 a穿過光曈濾片7以形成包括複製照亮區域 1 0和未照亮區域11的影像9。光線1 b以超過一散射角度散 射,無法穿過光瞳7,而被濾片6的無光瞳區域8吸收或阻 斷。 〆 傳統系統中散射能量選擇性的被用來形成影像如圖4 所不。在此,當穿透射線la被過濾區域18所阻止時,散射 射線lb穿過光瞳17。影像19為由選擇性照明區域21所產生 之影像9的負>{,區域2G未被照明。這樣的安排,上 聚焦面濾片吸收但其他的設計可利用散射形式,如 (Bragg)散射等等。 ’光罩—至-晶圓 一 5 : 1 ’他們亦可用於i 一般投影系統如圖1 -4中所示 (mask-to-wafer)縮放比依次為4 ·· 1 1或其他縮放比。 一般而言 圖卜4中的系統安排方式使 晶圓上的影像
574720 五、發明說明(4) =可此的範圍内對焦。如圖5所示的簡化系統,其目標是 :光罩62上之影像60在晶圓64上對焦,假設雙重透鏡66、 68,如圖5所示,沒有相差,而最佳對焦影像7〇出現在高 沂(Gaussian)平面72,然而,因不同形式的相差,最顯著 的為色差和球面相差,由上述雙重透鏡66、68所呈現,最 ,對焦影像平面74通常不會落在高斯平面72上。決定最佳 〜像平面74的傳統技術是在最佳平面上分別分析色差和球 面相差相效應,上述技術討論如下。 一用來评估光束焦距品質的傳統技術為點瀰散函數 =〇lnt spread function,pSF),典型地包括自位於光罩 62平面中心單一點發射高達5〇〇〇的軌線,並逐一研究上 軌線在晶圓6 4平面的到達點。 ^型起始條件包括源自於高達12mrad(高達1〇mrad 8mrac〇洛下角度之電子角分佈,電子實際上的能量分 佈。上述後者由分析電子能量在穿過光罩62前後的分佈 驗而知。範例電子能量分佈如圖6所示。 由可知,電:穿過上述光罩62造成能量分佈的改 k. 一基本分置(可達2^的電子失去能量因電子 (PlaSm〇n)非彈性碰撞而成。圖6的波峰A / 述薄膜而沒有失去能量,而且它的寬度 電子通二 子有非弹性娅撞而有些量的能量損失。 冤: 佈為電子圖案光罩的特徵,其令薄膜 1为 由路徑小,如SCALPELTM光罩結構。、X x、子的平均自 第9頁 1003-4287-PF.ptd 574720 五、發明說明(5) 圖6中戶斤千次 點穿過投影;^貧料是由模擬軟體處理計算由上述發射 述晶圓圖i’上述投影雙重透鏡66,w落至上 五排列幾何相差t轨線。由於圖5中上述透鏡的第3和第 點。分析顯示最大的=斯平面72中之影像就不再是一 球面相i,上ί ί差(抽向物件—轴向影像)為色差和 像的中心點,ϊ:造成軌線分佈圍繞著-表示為高斯影 軌道對軸的"上升η函數分析可以用來估計焦點品質如 上之最小解析特模糊或在上述晶圓64 電子和靜電透鏡同樣的運用於不同的對焦活動在 f 此效應被稱為色相(chr〇matic 之電子將不會聚隹Λ 向點發射但具有不同能量 述軸上的不:Π ΐ像空間中之一點,而是通過上 -模糊圈。換t之m:似或冋斯衫像平面上形成 2t軸由不同角度發射亦相同:磁力和靜電透鏡 冋樣聚焦使較大角度電子比小角:T電透鏡 平面,因而在卜、十、禅相々μ 電子較接近上述透鏡 換言之,被而士 ί ϊ心或尚斯影像平面上形成一模糊圈。 Ν …面相差轉化一點物件至成二維影像。 每-面相差分別被描述為模糊圈或模糊,用 母個模糊圈的直徑之面積和得到一概略估計:
Dconf - (Ochr2+Dsh2)0^ 574720 五、發明說明(6) 一 如以上陳述’點瀰散函數分析計算真實電子的分佈_ 模糊-在任何已知平面上,來估測該分佈和上述理想,近 似點高斯影像的接近程度。 、點瀰散函數分析可用來在上述影像空間中找到模糊圈 達到最小的上述平面;上述搜查標準可設為代表丨2%的所 =發射電子數和另外88%的發射電子數所形成邊界之間的 半徑距離(12/88標準)。相同的程序可以在2〇%和8〇%之所 有發射電子數所形成之邊界重覆運用。傳統12/88模擬結 果’只有考慮球面相差,如圖7所示。 、如圖7所示,電子束模糊在高斯平面(〇·〇〇在水平軸) 達到45nm,當在高斯平面在水平軸), 上述電子束模糊達到最小值約1 511111( 1 4.52811111)。換言之, 焦點在Z = -4 microns平面時最佳。 最佳焦點平面位置如圖8所示,其中一電子束橫截面 圖對應圖7所示,再一次,焦點最佳位置在z = — 4微米平面 上0 同樣的,當僅考慮色差時,焦點品質因電子束 =電子而較差,如圖9所示。再一次,最佳焦點平面位里 ^斯平面前4微米的位置。上述對應電子束橫截剖面如 圚〇所不,如圖1 〇所示,最小光束模糊如點瀰散函數上 距離所估計約6〇nm( 58.868nm)。上述安排如圖7-1〇所示, 表不僅考慮球面相差或色差不能精確的定位最佳焦 面。 “、、。、τ [發明概述]
574720
本發明之一形態為一實行電子圖案轉移的裝置以及一 對焦的方法,其中球面相差和色差結合,以減少上述色差 之負面效應。在一實施例中,上述裝置包括··一來源、一 光罩、一投影柱、以及使上述電子束聚焦於其上之晶圓, 其中上述晶圓位置位於投影柱之球面相差減低因色差在上 述投影柱造成之負失焦效應的平面上。再另一實施例中, 本發明指出一種對焦的方法,其中投影柱之球面相差減低 因色差在上述投影柱造成之負失焦效應的平面上。 [圖式簡單說明]
第1圖係第一傳統電子圖案裝置配置。 第2圖係第二傳統電子圖案裝置配置。 第3-4圖係圖1、2之範例傳統光學。 第5圖係第三傳統電子圖案裝置配置。 第6圖係範例電子能量分佈。 第7-8圖係僅考慮球面相差之點瀰散函數。 第9-10圖僅考慮色差之點瀰散函數。 第11圖係具本發明之範例實施例的電子圖案系統。 第1 2圖係圖1 1之光罩、投影雙重透鏡和晶圓之細部 圖。
第1 3-1 4圖係考慮球面相差和色差之點瀰散函數。 第1 5 a -1 5 c圖係點瀰散函數和透鏡相差之一般關係。 第1 6 a -1 6 c圖係球面相差如何結合色差來改變點瀰散 函數的形狀進而改善電子圖實系統之對焦。 [符號說明]
1003-4287-PF.ptd 第12頁 574720 發明說明(8) 1〜射線; 1 a〜穿透射線; lb〜散射射線; 2〜光罩; 3〜光罩之遮蔽區域; 4〜光罩之透明區域 5〜透鏡; 6〜後聚焦面濾片; 7〜光瞳; 8〜無光瞳區域; 9〜影像; 1 0〜照亮區域; 11〜未照亮區域; 1 7〜光瞳; 1 8〜過濾區域; 1 9〜影像; 2 0〜未照明區域; 2 1〜選擇性照明區域 (圖2 ) 3 0〜微粒來源; 31〜電子束; 32〜準直透鏡; 34〜掃瞄偏折器; 3 5〜掃瞄偏折器; 36〜光罩; 37〜支柱; 38〜電子束; 39〜動態對焦; 40〜相差補償器; 4卜偏折器; 42〜偏折器; 43〜投影透鏡; 44〜可變軸偏折器; 45〜多重光瞳濾片; 4 6〜光瞳; 4 7〜晶圓; 48〜晶圓平台; (圖1)40〜傳統範例裝置 4卜電子或其他能量來源; 4 2〜聚光透鏡系統; 43〜光罩; 44〜光罩之阻擋區域; 45〜光罩之透明區域 4 6〜物鏡; 47〜後聚焦面濾片; 4 8〜同轴光瞳; 4 9〜投影透鏡系統;
1003-4287-PF.ptd 第13頁 574720 五、發明說明(9) 5 0〜曝光媒介; 5卜透鏡; 52〜鏡台; 53〜配準和直線〗 54〜真空反應室; 55〜空氣鎖; 6 0〜影像; 62〜光罩; 64〜晶圓; 66〜雙重透鏡; 68〜雙重透鏡; 70〜最佳對焦影< 72〜高斯平面; 74〜最佳對焦影< 1 0 0〜實施例的電子圖案系統; 102〜射搶; 104〜第一透鏡系 106〜光學形狀光瞳; 1 08〜空白光曈; 11 0〜第二透鏡系統; 112〜光罩; 114〜投影雙重透鏡; 116〜透鏡; 11 7〜後聚焦面; 11 7a〜光瞳; 118〜透鏡; 1 2 0〜晶圓; 122〜磁性殼; 124〜線圈; 1 2 6〜偏折器; 1 2 8〜光瞳; [本發明之詳細說明] 圖11圖示本發明一實施例的電子圖案系統1 〇 〇之範例 實施例,上述電子圖案系統100可包括一射搶1〇2,一第一 透鏡系統1 0 4 (具有一位於平面中間之光學形狀光曈1 〇 6 ), 一空白光瞳108,一第二透鏡系統110,一光罩112,一投 影雙重透鏡114,包括兩個透鏡116、118和一後聚焦面 117(和光瞳117a),以及一晶圓120。圖12圖示上述光罩 11 2,上述投影雙重透鏡11 4,以及一晶圓1 2 0之細部。特
1003-4287-PF.ptd 第14頁 574720 五、發明說明(11) 在上述情形下,球面相差變成一正面因素,在上述兩個焦 聚點間重新分布電子,並產生最佳焦點的單一平面-最小 電子束模糊。傳統的電子束顯影工具,球面相差總被視為 一負面因素,增加電子束模糊及減少工具解析度。然而, 在上述的排置中,球面相差幫助減少整體電子束模糊和及 改善工具解析度。 如上面討論的,由圖5 —10的傳統裝置導証出上述共同 結論,為上述投影柱之最佳聚焦平面74事實上位於上 斯平面前4微米處,且電子束最小模糊為(152 + 6〇2)
0·5 = 62ηιη。然而,如同上面提要,上述最佳焦點平面事實 上並非位於高斯平面72前4微米之處,這是因為上述球面 相差和色差的相互作用,上述兩個相差之結合效應使最佳 焦點影像平面沒有落在球面相差或色差分別的最佳焦 面上。 如 前,較 影光學 圖 作用。 關係, 示在上 透鏡, 的點瀰 具相差 有關圖11 -1 4所示,上述晶圓應被放置在高斯平面 上述兩個㈣分狀最料面靠近上述投影柱或投 〇
15_16解釋以上所定義之上述球面相差和色差相互 圖15a-l5c圖示點瀰散函數和透鏡相差之間的一般 圖15a圖示在上述物件平面的點瀰散函數,圖i5b 述影像平面的點㈣函數,包括—理想透鏡,雙重 或投影柱’不具相差,圖15e圖示在上述影像平面 散函數,包括一、真實透鏡,雙重透鏡,或投影柱, 。圖1 6a圖不僅被球面相差變寬之點瀰散函數(利用
574720 五、發明說明(12) 2 0/80標準)。圖16b圖示僅被色差變寬之點瀰散函 20/80標準)。最後,圖l6c圖示由球面相差和色差之,用 效應變寬之點瀰散函數(利用2 〇 / 8 〇標準),加入上^互 相差至色差使20/80上升距離變短,並使點_散函數 重新形成。如圖16a-l6c所示,加入上述球面相差至2線 色差使點瀰散函數之在20/80範圍間坡度更陡,而述 上述電子束顯影工具之上述顯影結果改善。 使 本發明可被實施如下,首先分析,類似於之前和 9:1:有關的分析’ *決定最佳焦點平面,僅考慮色差: 耆導入球面相差效應直到得到最佳焦點平面,考慮, 差和色差的總合效應,⑹圖13-14所示。接著將上述晶面目 放置於新的最僅焦點平面。 ® 穿過光罩11 2的電子能量分佈獨立於系統,投影 透鏡116 ’118之球面相差係數會因透鏡設計而不同, 5mm至150mm之間。模擬顯示最佳的球面相差係數範圍 5隨至1001〇„1,當落在這範圍,球面相差有助對 效的色差產生之電子束模糊。 和對有 以上對發明的敘述和圖"有關,然而,本發明的原理 :被用於圖1、2、5所示之傳統系統,或其他具有一電 源’一光罩或薄m -投影柱和電子束聚焦位置的系 ,。特別是圖11所描述的發射搶’然而,上述電子源可 1任何—形式的傳統電子源。再者,圖i i圖示第一透鏡系统 一空白光瞳108 ’和第二透鏡系統110,然*,這些 7C件並非必備的。再者,雖然圖丨丨圖示一光罩丨丨2,上述
574720 五、發明說明(13) 光罩可以用任何相似的元件,例如一薄膜。再者,雖然圖 11圖示一投影雙重透鏡包括透鏡116,透鏡118和一後聚焦 面117(和光瞳117a),上述投影雙重透鏡114可被任何數目 的透鏡或是光學元件取代。再者,在圖n,其目標在於在 使電子在晶圓1 2 0上對焦,上述電子可在任何元件上之任 何平面對焦,並不一定要是晶圓。再者,雖然以上實施範 例所述,先僅由色差效應開#,再考慮球面相差效應,相 反的順序亦是一個實施方式。 限定本:明發Γ /已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以
神和範圍内1^ Ϊ習此項技藝者,纟不脫離本發明之精 當視後附之申;;利·更因此本發明之保護範圍 τ月寻利乾圍所界定者為準。

Claims (1)

  1. 574720 丨案號 90121737
    六、申請專利範圍 1 · 一種對焦裝置, 源,產生電子 罩,讓電子束 影柱,具有可 穿過;
    數;以及 一晶 其中 述投影柱 2 ·如 柱之球面 3. 如 較僅由色 4. 如 裝置為電 子圖案工 5 ·如 圖案工具 6 ·如 柱包含至 7.如 柱包含至 8 ·如 柱之球面 9.- 讓上述電子束穿過之球面相差係 子束對焦於其上, 投影柱之球面相差減低因色差在上 效應的平面上。 第1項之對焦裝置,其中上述投影 15Omm 〇 第1項之對焦裝置,其中上述平面 平面接近投影柱4-20nm。 第1項之對焦裝置,其中上述對焦 一部分,而上述光罩厚度較上述電 自由徑小。 第4項之對焦裝置,其中上述電子 電子圖案工具。 第1項之對焦裝置,其中上述投影 圓,讓 上述晶 造成之 申請專 相差係 申請專 差決定 申請專 子圖案 具之電 中請專 為一SCALPEL 申請專利範圍 少一個透鏡。 申請專利範圍第6項之對焦裝置,其中上述投影 少一個雙重透鏡。 申請專利範圍第2項之對焦裝置,其中上述投影 相差係數為5-lOOmm。 種對焦方法,包括: 上述電 圓位於 負失焦 利範圍 數為5-利範圍 之影像 利範圍 工具之 子平均 利範圍 TM
    1003-4287.PF3.ptc 第19頁 574720 __案號 90121737___一年月 g__修正____ 六、申請專利範圍 使電子束穿過一光罩和一具有球面相差係數之投影 柱; 僅根據色差決定第一影像平面位置; 帶入球面相差; 決定根據上述色差和上述球狀相差決定第二影像平面 位置; 選擇上述第二平面,其中投影柱之球面相差減低因色 差在上述投影柱造成之負失焦效應的平面上;以及 放置晶圓於上述第二影像面上。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之對焦方法,其中上述投影 柱之球面相差係數為5 —15〇mm。 ^ 11.如申請專利範圍第9項之對焦方法,其中上述平面 較僅由色差決定之影像平面接近投影柱4_20nm。 1 2.如申請專利範圍第9項之對焦方法,其中上述光 罩、、投影柱為電子圖案工具之一部分,而上述光罩厚度較 上述電子圖案工具之電子平均自由徑小。 1 3 ·如申請專利範圍第丨2項之對焦方法,其中上述電 子圖案工具為一SCALPELTM電子圖案工具。 1 4·如申請專利範圍第9項之對焦方法,其中上述投影 柱包含至少一個透鏡。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之對焦方法,其中上述投 影柱包含至少一個雙重透鏡。 16·如申請專利範圍第1 0項之對焦方法,其中上述投 影柱之球面相差係數為5-100mm。
    1003-4287-PF3.ptc 第20頁
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050048412A1 (en) * 2003-08-28 2005-03-03 Pary Baluswamy Methods for reducing spherical aberration effects in photolithography
US7489828B2 (en) * 2003-10-03 2009-02-10 Media Cybernetics, Inc. Methods, system, and program product for the detection and correction of spherical aberration
JP5254613B2 (ja) * 2004-08-24 2013-08-07 セラ セミコンダクター エンジニアリング ラボラトリーズ リミテッド 被加工物の有向多偏向イオンビームミリングならびにその程度の決定および制御
DE102004048892A1 (de) * 2004-10-06 2006-04-20 Leica Microsystems Lithography Gmbh Beleuchtungssystem für eine Korpuskularstrahleinrichtung und Verfahren zur Beleuchtung mit einem Korpuskularstrahl
US20060209410A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 Smith Adlai H Method and apparatus for compensation or amelioration of lens field curvature and other imaging defects by utilizing a multi-wavelength setting illumination source
EP2228817B1 (en) * 2009-03-09 2012-07-18 IMS Nanofabrication AG Global point spreading function in multi-beam patterning
US8217352B2 (en) * 2009-09-11 2012-07-10 Lawrence Livermore National Security, Llc Ponderomotive phase plate for transmission electron microscopes
US8541755B1 (en) * 2012-05-09 2013-09-24 Jeol Ltd. Electron microscope
US10354206B2 (en) * 2014-10-02 2019-07-16 Airbnb, Inc. Determining host preferences for accommodation listings
US10248974B2 (en) * 2016-06-24 2019-04-02 International Business Machines Corporation Assessing probability of winning an in-flight deal for different price points

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61240553A (ja) * 1985-04-18 1986-10-25 Jeol Ltd イオンビ−ム描画装置
US5079112A (en) * 1989-08-07 1992-01-07 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
JPH06139983A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Nikon Corp 荷電粒子線装置
JPH0934103A (ja) * 1995-05-17 1997-02-07 Nikon Corp 荷電粒子線転写用マスク
JPH1070059A (ja) * 1996-08-26 1998-03-10 Nikon Corp 荷電粒子線転写装置
JPH1154076A (ja) * 1997-07-31 1999-02-26 Seiko Instr Inc 走査型電子顕微鏡用対物レンズ
JPH1167642A (ja) * 1997-08-21 1999-03-09 Nikon Corp 荷電粒子線投影方法および荷電粒子線投影装置
JPH11176737A (ja) * 1997-12-10 1999-07-02 Nikon Corp 荷電ビーム露光装置
US6069363A (en) * 1998-02-26 2000-05-30 International Business Machines Corporation Magnetic-electrostatic symmetric doublet projection lens

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