TW574588B - Light-beam deflecting device with photonic crystal, optical switch using the same, and light-beam deflecting method - Google Patents

Light-beam deflecting device with photonic crystal, optical switch using the same, and light-beam deflecting method Download PDF

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TW574588B
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optical
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light beam
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TW91104654A
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Hiroshi Fukushima
Ken-Ichiro Tanaka
Yasufumi Masaki
Hitomichi Takano
Katsumi Yoshino
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Matsushita Electric Works Ltd
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 9007pif.doc/008 五、發明說明（I ) 1. 發明領域 本發明是有關於一種具有光學晶體（photonic crystal) 之光束偏折元件，使用此元件之光學開關，以及藉由光學 晶體使光束產生特定角度偏折的方法。 2. 習知技術 光學晶體是一種多維週期性結構（multi-dimensional structure)，其係在一相當於一個光波長的區間內，藉由兩 種具有不同介電常數之材質週期性排列而成。光學晶體能 夠顯著地增進光的控制是可以預期的，且即將在下一階段 被大力硏發作爲光學元件。 舉例來說，一種具有二維週期性結構之光學晶體的 光學開關Γ已被揭露於日本早期公開專利第10-90634號 中。如第17圖所繪示，這種光學開關係用以作爲ON狀 態（穿透）與OFF狀態（反射）之間的切換，其中ON狀 態下，入射至光學晶體上之光束（入射光束）能夠穿過光 學晶體，而OFF狀態下，入射之光束會由光學晶體反射以 防止入射光束穿透。 意即，由一對光纖12a、12b所提供之光束會透過準 直透鏡（collimator lenses)14a、14b 以及偏振器 15a、15b 而入射至光學晶體Γ上。光學開關包括一用以發出控制光 21之裝置(means)，而控制光21係透過圓形偏振器22照 射於光學晶體Γ上。控制光21的照射會使得光學晶體Γ 的光學能隙結構（Photonic Band Gap，PBG)改變，以致於 其能夠在ON狀態與OFF狀態之間作切換。在ON狀態下， 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 9〇〇7pif.doc/〇〇8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（1/ ) 由光學晶體Γ穿透的光束會透過一對偏振器16a、16b而 輸出。 然而，由於上述光學開關的目的在於切換ON狀態與 OFF狀態，其中ON狀態下，入射至光學晶體上之光束能 夠穿過光學晶體，而OFF狀態下，入射之光束會由光學晶 體反射，這種光學開關只能提供穿透光的有或無來作爲輸 出。這將會使得使光學開關的應用領域變得很狹隘。 換言之，若將入射至光學晶體上之光束偏折能夠控 制由光學晶體所提供之穿透光束的方向，我們可以提供一 種具有光學晶體的新光學開關，其包括一光學輸入端子以 及多個光學輸出端子，光學輸入端子係用以接收入射至光 學晶體上之光束，而每一個光學輸出端子都具有輸出來自 於光學晶體之穿透光束的能力。意即，根據這樣的新光學 開關，由於控制入射光束的偏折能夠使得穿透光束從多個 光學輸出端子中的預定光學輸出端子（desired one)輸出， 這種型態的光學開關將能夠被廣泛的應用。 因此，本發明的主要目的在提出一種具有光學晶體 之光學開關，其具有讓入射至光學晶體一端(cme side)的光 束偏折一特定角度的能力，且可由光學晶體的另一端 (another side)輸出一具有預定方向之穿透光束。 光思即’束偏折兀件包括一光學晶體以及一偏折控 制器。其中，光學晶體能夠讓一波長與光學晶體之光學能 隙波長不同的光束（入射光束5)入射至光學晶體上，而 偏折控制器係用以提供一能量至光學晶體上，以使入射至 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 9007pif.doc/008 A7 B7 五、發明說明（\ ) 光學晶體一端的光束產生偏折’並由光學晶體的另一端輸 出一與入射光束成一特定角度之穿透光束。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明較佳的光學晶體包括至少兩種具有不同折射 係數之材料，偏折控制器則藉由提供能量至光學晶體上以 控制這些材料之間的折射係數比。 當光學晶體中至少有一種材料爲電-光學材料時，偏 折控制器較佳係提供一電場至光學晶體上以作爲能量。在 這種情況下，並不會有機械外力提供至光學晶體上以作爲 能量。因此，光束偏折元件可以高幸賴性問定的操作相當 長的時間。此外，由於偏折控制器可以控制提供至光學晶 體上之電場強度以改變入射光束的偏折角度，故本發明可 以提供一種具有高速響應之光束偏折元件。 本發明之另一目的在於提供一種使用上述光束偏折 元件之新光學開關，其能夠避免光學信號之間的交互干擾 (crosstalk)，且能夠確保高穿透效率。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 意即，此光學開關包括本發明上述之光束偏折元件、 一光學輸入端子，以及多個光學輸出端子。其中，光學輸 入端子配置於光束偏折元件中光學晶體的入射端，透過光 學輸入端子以使得光學晶體接收光束（入射光束）’而光 學輸出端子配置於光學晶體相對於入射端的另一端’藉由 多個光學輸出端子選擇性的將穿透光束輸出。 更詳細的說，本發明的新光學開關包括上述之光束 偏折元件、一配置於光學晶體的入射端並透過光學輸入端 子以使得光學晶體接收光束光學輸入端子，以及至少二光 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 574588 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 9007pif.doc/008 β7 五、發明說明（V ) 學輸出端子。光學輸出端子包括一第一光學輸出端子以及 一第二光學輸出端子。第一光學輸出端子配置於光學晶體 相對於入射端的另一端以輸出穿過光學晶體之第一穿透光 束，而第二光學輸出端子配置於光學晶體相對於入射端的 另一端以輸出穿過光學晶體之第二穿透光束，其中第二穿 透光束與所對應之入射光束成一特定角度，且具有與第一 穿透光束不同之方向。 本發明之再一目的在提供一種偏折光束的方法，其 係將入射至光學晶體一^端之入射光束產生偏折，並於光學 晶體的另一端輸出具有特定方向之穿透光束。 意即，此方法包括提供一波長不同於光學晶體之光 學能隙波長之光束至光學晶體的一端上，接著提供一能量 至光學晶體上，以使入射至光學晶體一端的光束產生偏 折，並由光學晶體的另一端輸出一與入射光束成一特定角 度之穿透光束。 爲讓本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂， 下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如 下·· 圖式之簡單說明： 第1A圖與第1B圖繪示爲依照本發明一較佳實施例 光束偏折元件之剖面圖與透視圖； 第2A圖至第2E圖繪示爲可用於本發明光束偏折元 件之光學晶體的結構示意圖； 第3A圖與第3B圖繪示爲第2C圖中光學晶體內的光 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------.^^wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 9007pif.doc/008 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（t) 路徑不意圖； 第4A圖與第4B圖繪示爲第2E圖中光學晶體內的光 路徑示意圖； 第5圖繪示爲依照本發明一較佳實施例使用超音波 之光束偏折元件的示意圖； 第6A圖與第6B圖繪示爲本發明具有外力提供單元 (external-force applying unit)之光束偏折兀件的操作不意 圖， 第7圖繪示爲依照本發明另一較佳實施例使用壓電 材料（piezoelectric material)之光束偏折兀件的剖面^思 圖； 第8圖繪示爲第7圖中光束偏折元件經改良過後的 剖面示意圖； 第9圖繪示爲依照本發明另一較佳實施例使用電磁 鐵（electromagnets)之光束偏折兀件的不意圖； 第10圖繪示爲依照本發明另一較佳實施例使用加熱 器(heater)之光束偏折兀件剖面7^：意圖； 第11圖繪示爲依照本發明另一較佳實施例使用外力 提供單元之光束偏折元件的剖面示意圖； 第12圖繪示爲依照本發明另一較佳實施例使用載子 注入單元（carrier injection unit)之光束偏折兀件的不思圖’ 第13圖繪示爲依照本發明另一較佳實施例使用光發 射單元（light-irradiating unit)之光束偏折兀件的不意圖， 第14圖繪示爲本發明光束偏折元件中光學晶體之較 8 -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 574588 A7 B7 9007pif.doc/008 五、發明說明（（：） 佳結構的示意圖； 第15A圖至第15C圖繪示爲使用本發明光束偏折元 件之光學開關的操作示意圖； 第16圖繪示爲使用本發明光束偏折元件之矩陣式 (matrix type)光學開關的平面圖；以及 第17圖繪示爲示意圖習知使用光學晶體之光學開 關。 圖式之標示說明： Γ:光學開關 12a、12b :光纖 14a、14b :準直透鏡 15a、15b、22、16a、16b :偏振器 21 :控制光 1 :光學晶體 la :底層 lb :頂層 lc ;微球體
Id :柱狀體 le :柱狀空間 lh :球體空間 2:光學輸入端子 3a、3b、3c :光學輸出端子 4 :偏折控制器 5 :光束 ' 9 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 574588 A7 B7 9007pif.doc/〇〇8 五、發明說明（1) 10、10’ ：基材 12、13a、13b、13c :光纖 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 41 :支撐件 42 :壓電材料 43a、43b、48a、48b、50:電極 44 :壓力板 45 :電路 46a、46b :電磁鐵 47 :基材 49 :加熱器 52 :超音波提供單元 60 :電路 62 :光導板 較佳實施例 光束偏折元件以及使用本發明光束偏折元件之光學 開關將於後述之較佳實施例中作詳盡的說明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第1A圖與第1B圖所示，本發明之光束偏折元件 包括一光學晶體1以及一偏折控制器4。光學晶體1具有 一光學能隙波長，其與入射至光學晶體上之光束的波長不 同’而偏折控制器4則係用以提供一能量至光學晶體上， 以使得由光學晶體入射端入射之光束5偏折，並從相對於 光學晶體入射端的另一端輸出穿透光束，此穿透光束與其 對應之入射光束之間成一預定角度。 本發明所使用的光學晶體1是一種多維週期性結構， 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 9007pif.doc/008 五、發明說明（？） 其係在一相當於一個光波長的區間內，藉由兩種具有不同 介電常數之材質週期性排列而成。另一種情況下，光學_ 體1爲一種合成週期性（artificial periodic)或是半週期性 (quasi-periodic)結構，其係在一相當於入射光束之半波長 的區間內，藉由兩種具有不同折射係數之材質週期性排歹 而成。如此形成之光學晶體具有一光學能隙結構，而穿胃 光學晶體的穿透光束與入射至光學晶體的入射光束之間白勺 角度係由光學能隙結構來決定。 本發明之光束偏折元件中，可以使用如第2A圖中的 光學晶體1，此光學晶體1是一種二維週期性結構，其係 在一特定區間內藉由第一材質之柱狀體1 d週期性排列而 成。本實施例中，將介電係數與第一材料不同之第二材料 塡入相鄰柱狀體Id之間的空間內。空氣亦可作爲第二材 料。另一種情況下，可以使用如第2B圖中的光學晶體i， 除了第一材料與第二材料分別爲空氣與固態材料以外，光 學晶體1大致上與第2A圖中的結構相同。意即，第2B 圖中的光學晶體1係由第二材質之矩形固體以柱狀空間le 所構成，柱狀空間le係有週期性地形成於矩形固體之特 定區間內。 此外，可以使用如第2C圖中的光學晶體丨，此光學 晶體1是-種三維週期性結構，其係在一特定區間內藉由 第一材質之微球體（fine spherical ball)ic週期性排列而成。 此結構亦稱爲合成OPAL結構㈣ficial 〇pAL “福㈣。 本貝施例中，將介電係數與第一材料不同之第二材料塡入 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公餐） ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9〇07pif.doc/〇〇8 發明說明（C]) 相鄰微球體lc之間的空間內。空氣亦可作爲第二材料。 另一種情況下，可以使用如第2D圖中的光學晶體i，除 了第一材料與第二材料分別爲空氣與固態材料以外，光學 晶體1大致上與第2C圖中的結構相同。意即，第2〇圖 中的光學晶體1係由第二材質之正六面體（cube)以球體空 間lh所構成，球體空間lh係有週期性地形成於正六面體 之特定區間內。此結構亦稱爲逆合成OPAL結構（inverse artificial OPAL structure)。 此外，可以使用如第2E圖中的光學晶體1，此光學 晶體 1 是一種合成堆疊結構(artificial laminate structure)， 此光學晶體1包括一具有蜂巢狀表面之基材1 〇 (例如係基 材）’即多個六邊形凹陷（未繪示）係週期性地形成於基 材10表面上的特定區間內，光學晶體1包括亦包括特定 數量的薄膜，其係堆疊於蜂巢狀表面上。每一層薄膜係由 一第一材料之底層la (例如非晶矽）以及一第二材料之頂 層lb (例如二氧化矽）所構成。由於基材1〇蜂巢狀表面 上形成有六邊形凹陷之二維週期性結構，且在基材1〇的 高度方向上形成有底層la與頂層la排列而成之週期性結 構，因此整體而言可以形成一個三維之週期性結構。 本發明光束偏折元件中的光學晶體1並不限定於上 述之光學晶體。習知具有其他結構的光學晶體或是其他具 有新結構之光學晶體亦可於本發明之光束偏折元件中使 用。 本發明中，光束偏折元件中的光學晶體1能夠讓一 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 90〇7pif·d〇c/0〇8 五、發明說明（[ύ) f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 波長與光學晶體之光學能隙波長不同的光束（入射光束5) 入射至光學晶體上。因此，當入射光束的波長已經事先決 定，則可設計光學晶體的結構與材質以使其光學能隙波長 不同於入射光束的波長。相對地，當光學晶體的結構與材 質已經事先決定，則可使用一波長不同於光學晶體之光學 能隙波長的光束作爲入射光束。即使當一個具有光學能隙 波長的光束入射至光學晶體的表面（入射表面），在光學 晶體的另一表面亦不會出現穿透光束。換言之，若入射光 束的波長大致等於光學晶體的光學能隙波長，其將由入射 表面反射而無法穿透光學晶體。因此，只有當波長不同於 光學晶體之光學能隙波長的光束可以入射至光學晶體上， 並有可能從光學晶體輸出一穿透光束。 光學晶體特有的光學特性如後所述，當入射至光學 晶體的光束波長僅改變1%時，入射至光學晶體之光束的 偏折角度將會大幅度地增加約50度。此現象被發現逾1999 年，稱其爲超稜鏡效應（super prism effect)。此現象指的是 入射光束在波長上的小變化將會導致光學分散表面 (photonic dispersion surface)在形狀上的大量變化。當入射 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光束的波長改變1°/。時，入射光束會穿透不同的光學分散 表面將可獲得一很大的入射光束偏折角度。然而，當使用 此光學晶體作爲光學元件如光學開關時，必須令一具有特 定波長且以特定角度入射之入射光束偏折，以提供一輸出 光束（穿透光束）。本發明使用下述詳細說明中的偏折控 制器4來處理光束的偏折。 13 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 574588 Λ7 9007pif.doc/008 五、發明說明（U ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述，本發明係架構於下述之前提下，提供一波 長不同於光學晶體之光學能隙波長的入射光束，入射光束 將可穿透光學晶體而不會被光學晶體反射。在此先決條件 下，本發明的特徵在於藉由提供一能量至光學晶體上，以 使入射至光學晶體一端的光束產生偏折，並由光學晶體的 另一端輸出一與入射光束成一特定角度之穿透光束。 本發明偏折控制器的較佳實施例將詳細說明如後。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 偏折控制器4能夠藉由提供能量至光學晶體上，造 成入射至光學晶體之光束在光路徑（偏折角度）上有所變 化而改變光學晶體的光學能隙結構。當一具有特定波長的 入射光束5入射至無偏折控制器4作用之光學晶體1時， 入射光束5會沿著第3A圖與第4A圖中實線所繪示之光 路徑A行進，以致於穿透光會從光學晶體1另一端上的一 第一位置（first position)輸出。這種情況下，入射光束5並 不會沿著虛線所繪示之光路徑B行進。接著，當偏折控制 器4作用於光學晶體1上以改變其光學能隙結構時，入射 光束5會沿著第3B圖與第4B圖中實線所繪示之光路徑B 行進，以致於穿透光會從光學晶體1另一端上的一第二位 置（second position)輸出。這種情況下，入射光束5並不會 沿著虛線所繪示之光路徑A行進。 換言之，當穿透光學晶體1的光束具有一特定波長 (specific wavelength)時，光束會沿著光學分散表面之位能 梯度(P〇tential gradient)的方向行進。因此’當週期性結構 之光學晶體1的週期或是構成光學晶體1之各材質間的折 14 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) 574588 A7 B7 9007pif.doc/008 五、發明說明（α) 射係數比藉由偏這控制器4改變時，光學分散表面會跟著 變化，以致於傳透光學晶體1的光束會被偏折。 當光學晶體1包括至少兩種具有不同折射係數之材 料時，偏折控制器4較佳係藉由提供能量至光學晶體1的 方式，以控制這些材質間的折射係數比，進而使得光學晶 體1輸出一與入射光束成一特定角度之穿透光束。此外， 當上述材料中至少有一爲電-光學（electro-optic)材料時， 偏折控制器4較佳係提供電場（包括光所造成的電場）至 光學晶體1以作爲能量。 如第1A圖與第1B圖所示，偏折控制器4例如包括 一對配置於光學晶體1相對側(opposite sides)之平面電極 5〇、一用以提供壓差於二電極之間的電源（未繪示），以 及一電壓控制器（未繪示）。在第1A圖中，標號41爲一 用以支撐電極50與光學晶體丨之支撐件。支撐件41以及 電極50較佳係由光學透明材質（針對入射光束5而言） 所製成。 當以電-光學材料作爲光學晶體時，可以使用非線性 光學效應（nonlinear optical effect)之材料，如折射係數之 改變量正比於電場強度之Pockel效應材料，或是折射係數 之改變量正比於電場強度平方之Kerr效應材料（三階(third order)非線性光學效應）。本實施例中，所使用的材質其 Pockel係數較佳係介於ΐχ ι〇·ΐ2〜ιοοοχ 1〇·12 m/V之間。電 -光學材料例如包括 kh2po4、KDS2P04、NH4N2P〇4、 RbH2P04、CsD2As04(DCDA)、BaTi03、Bai_xSrxTi〇3、 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 9〇〇7pif.d〇c/0〇8 五、發明說明（G)
LiNb03 、KNb03 、KTi0P04(KTP)、KTi0As04(KTA)、 pbxLa^JTiyZrvdOJPLZT)等。 根據上述之偏折控制器4，當提供一所需之電壓於電 極50之間，電場會被提供至光學晶體1上。所提供的電 場會改變構成光學晶體之材料的折射係數比’而造成光學 晶體1在光學能隙波長上的變化。本實施例中的偏折控制 器4所能夠改變的折射係數比的量約介於0.1%至1%之 間。 如上述，本發明之偏折控制器4能夠控制提供至光 學晶體1上的電場，以改變光學晶體1中的折射係數比。 折射係數比的改變引起光學分散表面的變化，以致於能夠 控制入射光束5的偏折角度。因此，偏折的角度係藉由調 整提供至電極50上的電壓來控制，這將可使得光束偏折 元件具有高應答速度。此外，由於本實施例之偏折控制器 4 '並非提供一機械外力於光學晶體1上，故光束偏折元件 操作時的信賴性容易維持更久時間爲其優點。 本發明另一較佳實施例之偏折控制器4中，光學晶 體1中的材料至少有一爲聲波-光學（acousto-optic)材料 時，偏折控制器4較佳係提供超音波至光學晶體1以作爲 能量。 如第5圖所示，偏折控制器4具有一超音波提供單 元52以提供超音波至光學晶體1上。超音波提供單元52 例如包括一使用超音波震盪器（例如壓電元件）之電能轉 換器(transducer)，以及一提供電力至點能轉換器之電源（未 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------#裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 Λ7 Β7 9007ρί£.^οο/008 五、發明說明（此） 繪示）。聲波-光學材料可以依據入射於光學晶體之光束波 長而由 HgS、Tl3AsS4、Ge、Te、ZnTe、Pb5Ge3On 等材料 中選擇出適當的材料。本實施例中的偏折控制器4所能夠 改變的折射係數比的量約介於0.1%至1%之間。 根據上述之偏折控制器4中，提供至光學晶體1上 之超音波將會誘發（induced)光學晶體1中折射係數的週期 性變化，以致於光束會因爲光阻之間的Brillouin散射現象 而產生繞射。意即，超音波的應用會使得光學晶體i的折 射係數比改變，進而改變光學晶體1的光學能隙結構。由 於入射至光學晶體1上之光束的偏折角度係藉由調整超音 波的頻率來控制，因此能夠提供一具有高頻響應的光束偏 折元件。此外，由於本實施例之偏折控制器4並非提供一 機械外力於光學晶體1上，故光束偏折元件操作時的信賴 性谷易維持更久時間爲其優點。 如本發明另一較佳實施例，偏折控制器4例如包括 一外力提供單元以提供外力至光學晶體1上作爲能量，進 而造成光學晶體1在尺寸（dimension)上的變化。外力提供 單元例如包括一配置於光學晶體旁之壓電材料 (piezoelectric material)。這種情況下，由於光學晶體的尺 寸會被壓電材料直接且均勻地改變，故可以改善光束偏折 元件在操作時的性賴信。 如第6A圖所示，當本實施例之偏折控制器4尙未運 作時’光學晶體1的尺寸爲H1及H2。此時，入射至光學 晶體1 一端的入射光束5將會沿著光路徑a在光學晶體中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 9007pif.doc/008 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（Ιί) 行進，以使其可以從光學晶體1另一端上的一第一位置輸 出一穿透光束。另一方面，當本實施例之偏折控制器4運 作時，光學晶體1的尺寸會由原先的HI、Η2分別改變爲 Η1’(>Η1)、Η2’(>Η2)。光學晶體1中的尺寸改變會引起光 學能器結構的變化，進而造成光學晶體中各材質之間折射 係數比的變化。因此，入射至光學晶體1 一端的入射光束 5將會沿著光路徑Β在光學晶體中行進，以使其可以從光 學晶體1另一端上的一第二位置輸出一穿透光束。 如第7圖所示，本實施例之偏折控制器4包括一配 置於光學晶體一端之壓電材料42、一對配置於壓電材料42 兩相對表面上之電極43a、43b、一用以供給電極43a、43b 之間電壓之電源（未繪示），以及一電壓控制器。電極43a 係配置於壓電材料42與光學晶體1之間。在第7圖中， 標號41指的是用以將壓電材料42與光學晶體丨整合在其 中的支撐件。壓電材料42、電極43a、43b，以及支撐件41 較佳係由光學透明材質（針對入射光束5而言）所製成。 壓電材料例如係使用Pb(zr。等PZT陶瓷 材料。pzt陶瓷材料之壓電常數(piezoeiectric constant)車交 佳係介於400χ 10·12〜ΙΟΟΟχ 10·12 m/v之間。舉例來說，當 使用厚度爲l〇mm之PZT陶瓷板作爲壓電材料42時，於 電極43a、43b之間提供一電壓以提供約爲1〇〇〇ν/ιηιη的 場至壓電材料42上’而壓電材料42在厚度上的變化約 爲5微米。此時，當光學晶體丨的厚度爲5mm時，光學 晶體1在厚度(H)上的變北量約爲〇.1%。這將足以改變光 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑽X 297公爱) --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 A7 B7 9007pif.doc/008 五、發明說明（（G) 學晶體1的週期。 上述偏折控制器4中，光學晶體1的尺寸（光學鐵 體1的一個週期）可藉由壓電材料42在厚度方向上的膨 脹（expansion)或壓縮（contraction)而改變。壓電材料42膨 脹或是壓縮的量可以藉由電壓控制器來控制。意即，當\ 具有特定波長之入射光束5在電極43a、43b之間爲提供 有電壓的狀態下入射至光學晶體1上，此入射光束5會沿 著如第7圖中實線箭頭A所繪示第一光路徑穿透出光學晶 體1。另一方面，當電極43a、43b之間提供有電壓，壓電 材料42會施加一壓縮應力於光學晶體1上，如第7圖中 的箭頭C所繪示，以改變光學晶體1的光學能隙結構。因 此，入射至光學晶體1上的入射光束5會產生偏折而沿著 如第7圖中虛線箭頭B所繪示第二光路徑穿透出光學晶體 1 ° 換言之，當一具有特定波長的光束入射至光學晶體 上時，其將會沿著光學晶體中能量分散表面（energy dispersion surface)之位能梯度的方向行進，而能量分散表 面是光學晶體中能帶相等的表面。意即，於光學晶體中行 進的光束會穿過能量分散表面。本實施例中，光學晶體的 週期係藉由光學晶體在尺寸上的變化而改變，進而使得能 量分散表面改變（膨脹或壓縮）而使得入射之光學晶體的 入射光束5產生偏折。 因此，依照本實施例的偏折控制器4，入射於光學晶 體1之入射光束5的偏折角度可以藉由調整光學晶體在 ------------·裝--------訂--------- 「靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 574588 9007pif.doc/008 Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ο ) 尺寸上的改變量而達到控制。此外，當壓電材料42被啓 動後，光學晶體的週期可以被改變爲高速。這將提供具有 局速響應之光束偏折兀件。此外，由於偏折元件中的壓電 兀件爲已知技術且易於取得’故其具有改善光束偏折元件 之成本/效能特性的優點。 一種使用本發明之壓電材料的偏折控制器將於後作 說明，其係一種上述偏折控制器之改良結構。 如第8圖所示，改良後的偏折控制器4包括一壓電 材料之基材47以及一對電極48a、48b，基材47具有一光 學晶體1配置於其上之上表面，而電極48a、48b則配置 於基材47的兩相對端。這種情況下，光學晶體1在尺寸 上的變化主要來自於壓電材料之基材47在厚度方向上的 膨脹或壓縮。相較於壓電元件分散配置於基材47以支撐 光學晶體而言，本實施例中的偏折控制器4具有較簡易之 結構且表現出優越的成本/效能特性。基材47以及電極 48a、48b較佳係由光學透明材質（針對入射光束5而言） 所製成。 舉例來說，當PZT陶瓷基材47使用具有方形結構 (5mmx5mm)，並透過電極 48a、48b 施力口一約 2000V/mm 之電場於PZT陶瓷基材47上時，PZT陶瓷基材47在厚度 上的改變約爲5微米。此時，光學晶體1在尺寸上的變化 約爲0.1%。這將足以改變光學晶體1的週期。改良後的 偏折控制器4與第7圖中的偏折控制器可以藉由相似的方 式進行操作。 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐i -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 9007pif.doc/008 五、發明說明（（¾) 本發明外力提供單元的另一種較佳實施例中，外力 提供單元例如包括一對配置於光學晶體1相對側之電磁鐵 46a、46b。這種情況下，藉由電磁鐵46a、46b之間所產 生的相互吸引力可以提供機械應力至光學晶體1上。 如第9圖所示，本實施例之偏折控制器4例如包括 一對配置於光學晶體1相對側之電磁鐵46a、46b、一用以 供給電流至電磁鐵46a、46b之線圈的電源（未繪示）以 及一電流控制器（未繪示）。在這情況下，光學晶體在尺 寸上的變化係藉由供給電能給電磁鐵46a、46b而產生之 吸引力所造成。因此，入射於光學晶體1之入射光束5的 偏折角度係藉由調整吸引力的強度來控制。 上述之偏折控制器4中，由於可以藉由供給電能給 電磁鐵46a、46b而使電磁鐵46a、46b之間的距離減少， 故光學晶體1會承受一壓縮應力。此壓縮應力造成光學晶 體1在尺寸上的改變，進而使得光學晶體1的週期改變。 意即，當具有特定波長之入射光束5在電磁鐵46a、46b 未通入電能的情況下入射至光學晶體1上時，此入射光束 5會沿著如第9圖中實線箭頭A所繪示第一光路徑穿透出 光學晶體1。另一方面，在電磁鐵46a、46b未通入電能的 情況下，電磁鐵46a、46b會施加一壓縮應力於光學晶體1 上。因此，入射至光學晶體1上的入射光束5會產生偏折 而沿著如第9圖中虛線箭頭B所繪示第二光路徑穿透出光 學晶體1。 在本實施例中，光學晶體在尺寸上的改變可以藉由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 9007pif.doc/008 37 ____ ._ --—---- " 五、發明說明（Η ) 調整通入電磁鐵中的電流量來控制’進而獲得特定偏折角 度之光束。因此，能夠提供一具有高頻響應的光束偏折元 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 件。 本發明另一種較佳實施例中，偏折控制器較佳包括 一對光學晶體加熱之加熱器(heater)以及一控制光學晶體溫 度以產生熱應力於光學晶體上之加熱控制器。 如第10所示，偏折控制器4例如包括一對配置於光 學晶體1相對側之加熱器49、一用以供應電流至加熱器49 之電源（未繪示），以及一電流控制器。加熱器49較佳係 由光學透明材質（針對入射光束5而言）所製成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本實施例中，構成光學晶體之二材料較佳具有相當 大的熱膨脹係數。此二材料例如分別爲聚乙烯（熱膨脹係 數：ΙΟΟχ 10·6〜200χ 10·6/Κ)與丙烯酸（熱膨脹係數：約80 X 1(T6/K)。在這種情況下，光學晶體的熱膨脹係藉由通入 電能至加熱器49所造成，進而使得光學晶體獲得尺寸上 的變化。因此，入射於光學晶體1之入射光束5的偏折角 度係藉由調整提供至加熱器49之電流量來控制。在本實 施例中，光學晶體尺寸的改變可以直接採用光學晶體本身 熱膨脹的方式來取代外界提供機械力至光學晶體上的方 式。 舉例來說，當光學晶體需要0.1%至1%的尺寸變化以 偏折入射至光學晶體上之光束時，較佳係使用加熱器49 將光學晶體的溫度增加至12.5Κ至125Κ之間。因此，光 學晶體的熱膨脹效應足以改變光學晶體本身之光學能隙結 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 574588 A7 B7 9007pif.doc/008 五、發明說明（y) 構。 偏折控制器例如包括一具有高熱膨脹係數之外力提 供件（external-force applying member)、一加熱外力提供件 之加熱器、一提供電流至加熱器之電源，以及一電流控制 器。在這種情況下，外力提供件的體積可藉由被加熱產生 熱膨脹之外力提供件而增加，以改變光學晶體在尺寸上的 改變。因此，藉由調整對外力提供件的加熱溫度可以控制 控制入射至光學晶體上之光束的偏折角度。 本發明另一較佳實施例中的偏折控制器4中，係使 用如第11圖所示之外力提供單元。意即，外力提供單元4 包括一緊貼於(abut against)於光學晶體1之壓力板44、一 使壓力板44向光學晶體1移動並提供一壓縮應力於光學 晶體1上之驅動裝置（drive means)45，以及一用以將光學 晶體1、壓力板44與驅動裝置45整合在其中的支撐件41。 在這種情況下，壓力板44往光學晶體1移動將會造成光 學晶體1在尺寸上的改變。驅動裝置45例如可以使用諸 如由氣壓、水壓或油壓控制之傳統壓力裝置。壓力板44、 驅動裝置45以及支撐件41較佳係由光學透明材質（針對 入射光束5而言）所製成。 上述之偏折控制器4中’當具有特定波長之入射光 束5在驅動裝置45未運作的情況下入射至光學晶體1上 時’此入射光束5會沿著如第11圖中實線箭頭A所繪示 第一光路徑穿透出光學晶體1。另一方面，當驅動裝置45 運作時，壓力板44會施加一壓縮應力於光學晶體1上， 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公ϋ " -----------ΦΜ--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 Λ7 B7 9007pif.doc/008 五、發明說明（）丨） 如第11圖中的箭頭c所繪不，以改變光學晶體1的光學 能隙結構。而入射至光學晶體1上的入射光束5會産生偏 折而沿著如第11圖中虛線箭頭B所繪示第二光路徑穿透 出光學晶體1。因此，入射至光學晶體1上之光束的偏折 角度可以藉由調整壓力板44的壓縮量，或是調整由壓力 板44提供至光學晶體1上之壓力量來控制。 本發明偏折控制器的另一較佳實施例中，當光學晶 體爲一半導體材料如矽、砷化鎵時，偏折控制器例如將載 子（carriers)注入光學晶體以改變光學晶體之折射係數。 如第I2圖所示，偏折控制器4例如包括一用以注入 載子如電子至光學晶體1之電路60。在這種情況下，光學 晶體1的光學能隙結構會隨著光學晶體1中之載子注入量 而改變。因此，入射至光學晶體1上之光束的偏折角度可 以藉由調整由電路60輸入的電流量來控制，即藉由光學 晶體1中之載子注入量來控制。 本實施例中，由於使用矽（Si)或鍺（Ge)等在積體電路 中十分普遍的元素作爲光學晶體之材料，因此現有的半導 體生產線可以用來生產具有光學晶體之光束偏折元件，且 製程在整合上變得較爲容易。此外，可以提供一種切換速 度介於1E-10秒至1E_12秒之間的光束偏折元件。 本發明偏折控制器的另一較佳實施例中，當光學晶 體之材質光折射（light-refractive)材質，偏折控制器例如會 發射一光線以改變光學晶體之折射係數。 如第13圖所示，偏折控制器4例如包括一發射光線 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7
574588 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（V2) 至光學晶體1之光發射單元。在這種情況下，光學晶體1 的光學能隙結構會隨著入射至光學晶體中之光線量而改 變。因此，入射至光學晶體1上之光束的偏折角度可以藉 由調整入射於光學晶體1之光線量來控制。上述入射於光 學晶體1之光線可由光學晶體1的上方或是側邊入射。另 一種情況下，光線可以藉由配置於光學晶體1旁之光導板 (wave guide) 62入射至光學晶體1中’如弟I3圖中的箭頭 C所繪示。 本實施例可以提供一種切換速度介於1E-10秒至1E-12秒之間的光束偏折元件。此外，本實施例中具有偏折控 制器4之光束偏折元件與All-optical Packet Switching Network 相容。 上述個別實施例的偏折控制器中，光學晶體1的形 狀例如以能夠提供至少兩條光路徑（A、B)爲原則，其 中兩光路徑在光束5入射的入射位置與穿透光束輸出的出 射位置之間具有大致上相同的線性距離，如第14圖所示。 由於每一光路徑（A、B )具有一定距離（constant distance)， 故可以避免相移(phase shift)的問題。在第I4圖中，將矩 形光學晶體1的角落部份移除，以使得由箭頭所繪示之光 路徑（A、B)具有定距離。 偏折控制器4中，發射單元（未繪示）例如可透過 光導板62發射光線至光學晶體1中，如第14圖中的箭頭 C所繪示。 本發明之光束偏折元件較佳係使用於一光學開關 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 9007pif.doc/008 五、發明說明（）1]) 中。意即，此光源開關包括本發明之光束偏折元件、一光 學輸入端子，以及多個光學輸出端子。其中，光學輸入端 子配置於光束偏折元件中光學晶體的入射端，透過光學輸 入端子以使得光學晶體接收光束，而光學輸出端子配置於 光學晶體相對於入射端的另一端，藉由多個光學輸出端子 選擇性的將穿透光束輸出。 本發明一較佳實施例之光學開關繪示於第15A圖、 第15B圖以及第HC圖中，在光學開關的輸入端（input side) 配置有一光學輸入端子2，例如爲一桿狀透鏡(rod lens)， 以使得一由光纖12所提供之光束能夠入射至光學晶體1 的一端上，而在光學開關的輸出端（output side)配置有三 個光學輸出端子3a、3b、3c，例如爲三個桿狀透鏡，每一 個光學輸出端子3a、3b、3c會從光學晶體1的另一端將 穿透光束傳遞至相對應之光纖13a、13b、13c中。偏折控 制器4則配置於光學晶體1的頂端(top side)及底端(bottom side) 〇 藉由控制光學晶體1的光學能隙結構可以使得光學 開關能夠從一道入射光束產生三種不同的輸出。意即，在 第15A圖的情況下，穿透光束會由光學輸出端子3a輸出 至對應之光纖13a，如箭頭所繪示。因此，不會有有穿透 光束由其他的光學輸出端子3b、3c輸出。同理，在第15B 圖的情況下，穿透光束會由光學輸出端子3c輸出至對應 之光纖13c，如箭頭所繪示。因此，不會有有穿透光束由 其他的光學輸出端子3a、3b輸出。此外，在第15C圖的 26 $紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 9 0 0 7 p i >c / 0 0 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（>w) 情況下’穿透光束會由光學輸出端子3b輸出至對應之光 纖13b ’如箭頭所繪示。因此，不會有有穿透光束由其他 的光學輸出端子3a、3c輸出。這樣的光學開關具有將一 輸入信號有選擇性地分成三種不同輸出信號的能力。而本 實施例經過改良後的結構，光學輸出端子的數目可以爲兩 個或是大於三個。 本發明的光學開關中，在光學晶體內的多個光路徑 間作切換是可行的，且每一條光束與入射光束之間會分別 產生不同角度的偏折。相較於傳統使用光導板之光學元 件，其可達到光學元件開關縮小的目的，且可以提供相當 大的偏折角度。此外，本發明能夠避免光學信號之間的交 互干擾（crosstalk)，且能夠確保其高穿透效率爲其優點。 本發明另一較佳實施例之光學開關繪示於第16圖 中。第15圖中的光學開關使用單一個光學晶體1，並從一 輸入信號選擇性地產生多個不同的輸出信號。另一方面， 本實施例之光學開關使用光學晶體之矩陣排列結構（matrix arrangement)，且其具有從多個輸入信號選擇性地產生多 個不同輸出信號的能力。 意即，如第16圖所示，光學開關包括一由多個光束 偏折元件所構成之矩陣排列結構、多個配置於矩陣結構一 端之光學輸入端子，以及多個配置於矩陣結構另一端之光 學輸出端子。這些光學晶體1係形成於同一基材1〇’上。 在第16圖中，矩陣結構所使用的光學晶體1數目爲16個 (4x4)，而4個光學輸入端子以及4個光學輸出端子則分別 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 9007pif.doc/008 五、發明說明（☆) 配置於矩陣排列結構的側邊上。光學晶體1、光學輸入端 子以及光學輸出端子的數目可以因需求而作適當的作調 整。 根據此光學開關，由於入射至光學晶體（此光學晶 體器配置於矩陣排列結構中每一個光束偏折元件內）上之 光束可以藉由本發明之偏折控制器來控制，因此藉由切換 矩陣排列結構中的光路徑可以同時提供多個不同光學輸出 信號。再者，相較於傳統使用驅動裝置以操作偏折面鏡 (deflection mirror)之光學開關，本發明可以改善切換操作 時的信賴性。此外，由於多個光學晶體1可以形成在同一 基材10’上，故可以可達到光學開關尺寸縮小的目的。 由上述較佳實施例可以理解，由於本發明之偏折控 制器可以改變光學能隙結構，以使得入射至光學晶體上之 光束（入射光束）產生偏折，因此本發明之光束偏折元件 具有輸出穿透光束的能力，且穿透光束與入射光數之間的 偏折角度相當大。此外，由於使用不同的偏折角度可以使 得一入射光束產生多條光路徑，因此本發明能夠提供一重 具有光學晶體的新光學開關，其具有避免光學信號之間的 交互干擾，且具有確保其高穿透效率的能力。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） -------— 丨丨丨·!1 訂-!--I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 574588 ———] I - ?么· Λ- ! A8 '/；.；- ^5'0 0 7^1-f .doc/〇〇8 一——」 D8 申請專利範圍 1·一種光束偏折元件，至少包括： 一光學晶體，該光學晶體具有一光學能隙波長，該 光學能隙波長與一入射至該光學晶體上之入射光束的波長 不相同；以及 一偏折控制器，該偏折控制器係提供一能量至該光 學晶體上，將入射至該光學晶體一入射端之入射光束產生 偏折’並於該光學晶體之該入射端的另一端輸出一具有特 定方向之穿透光束。 2.如申請專利範圍第1項所述之光束偏折元件，其中 該光學晶體包括至少二具有不同折射係數之材料，且該偏 折控制器係藉由提供該能量至該光學晶體上以控制該些材 料之間的折射係數比。 3·如申請專利範圍第2項所述之光束偏折元件，其中 至少一該些材料爲壓電材料，且該偏折控制器係提供一電 場至該光學晶體上以作爲該能量。 4_如申請專利範圍第2項所述之光束偏折元件，其中 該至少一該些材料爲聲波-光學材料，且該偏折控制器係 提供一超音波至該光學晶體上以作爲該能量。 5_如申請專利範圍第1項所述之光束偏折元件，其中 該光學晶體包括一半導體材料，且該偏折控制器注入複數 個載子至該光學晶體中以改變該光學晶體上之折射係數。 6.如申請專利範圍第1項所述之光束偏折元件，其中 該光學晶體包括一光-折射材質，且該偏折控制器發射光 線至該光學晶體中以改變該光學晶體上之折射係數。 29 — II------- I------^- — — — — — 1 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公堃） 574588 9007pif.doc/008 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 7·如申請專利範圍第1項所述之光束偏折元件，其中 該偏折控制器係提供該能量至該光學晶體上以造成該光學 晶體在尺寸上的改變。 8·如申請專利範圍第7項所述之光束偏折元件，其中 該偏折控制器包括一外力提供裝置以提供一外力至該光學 晶體上作爲該能量。 9·如申請專利範圍第8項所述之光束偏折元件，其中 該外力提供裝置包括一壓電材料，配置於該光學晶體兩 丄山 贿。 10.如申請專利範圍第8項所述之光束偏折元件，其 中該外力提供裝置包括一對電磁鐵，配置於該光學晶體相 對之兩端，且藉由該些電磁鐵之間的吸引力提供一機械應 力至該光學晶體上。 11·如申請專利範圍第8項所述之光束偏折元件，其 中該外力提供裝置包括一具有高熱膨脹係數之材料與該光 學晶體接觸配置，以及一用以加熱該高熱膨脹係數材質之 加熱器，其中該加熱器加熱該高熱膨脹係數材質所產生的 熱膨脹可將外力提供至該光學晶體上。 I2.如申請專利範圍第1項所述之光束偏折元件，其 中該偏折控制器包括一用以加熱該光學晶體之加熱器，以 及一加熱控制器，其中該加熱控制器係永以控制該光學晶 體在一溫度下所產生的熱應力。 13·如申請專利範圍第1項所述之光束偏折元件，其 中該光學晶體的形狀以能夠提供至少兩條光路徑爲原則， 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]ϋχ 297公釐） -------------------訂------I — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 574588 9〇07pif.doc/〇〇8 B8 C8 — —__D8 六、申請專利範圍 其中該些光路徑在該光束入射的一入射位置與該穿透光束 輔ί出的一出射位置之間具有大致上相同的線性距離。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 14· 一種使用申請專利範圍第1項所述之光束偏折元 件的光學開關，包括： 光學fe入端子，該光學輸入端子配置於該光束偏 折兀:件中該光學晶體的該入射端，透過該光學輸入端子以 使得該光學晶體接收該光束；以及 複數個光學輸出端子，該些光學輸出端子配置於光 學晶體相對於該入射端的另一端，藉由該些光學輸出端子 可選擇性的將該穿透光束輸出。 15·—種使用申請專利範圍第1項所述之光束偏折元 件的光學開關，包括： 一光學輸入端子，該光學輸入端子配置於該光學晶 體的該入射端’透過該光學輸入端子以使得該光學晶體接 收該光束；以及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至少一光學輸出端子，該光學輸出端子包括一第一 光學輸出端子以及一第二光學輸出端子，該第一光學輸出 端子配置於該光學晶體相對於該入射端的另一端以輸出穿 過該光學晶體之一第一穿透光束，而該第二光學輸出端子 配置於該光學晶體相對於該入射端的另一端以輸出穿過該 光學晶體之一第二穿透光束，其中該第二穿透光束與所對 應之該入射光束成一特定角度，且具有與該第一穿透光束 不同之方向。 16·—種光學開關，包括： 本、'氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】ϋ X 297公釐） 574588 9〇〇7pif.doc/〇〇8 B8 六、申請專利範圍 — 一由複數個申請專利範圍第1項所述之光束偏折元 件所構成的矩陣排列結構； 複數個光學輸入端子，該些光學輸入端子配置於該 矩陣排列結構的一端，用以從外界接收複數個光束；以及 複數個光學輸出端子，該些光學輸出端子配置於該 矩陣排列結構的另一端。 I7·—種藉由光學晶體偏折光束的方法，該方法包括 下列步驟： 提供一波長不同於該光學晶體之光學能隙波長之光 束至該光學晶體的一端上；以及 提供一能量至該光學晶體上，以使入射至該光學晶 體一端的該光束產生偏折，並由該光學晶體的另一端輸出 一與該入射光束成一特定角度之穿透光束。 --------訂-------I —^__w (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格匕;川x」97公坌〉
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