JP2001141924A - 分波素子及び分波受光素子 - Google Patents

分波素子及び分波受光素子

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JP2001141924A JP32483599A JP32483599A JP2001141924A JP 2001141924 A JP2001141924 A JP 2001141924A JP 32483599 A JP32483599 A JP 32483599A JP 32483599 A JP32483599 A JP 32483599A JP 2001141924 A JP2001141924 A JP 2001141924A
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Kenichi Matsuda
賢一 松田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 分波素子又は分波受光素子の共振器フィルタ
に対して入射光の入射角の精度を向上させることができ
るようにする。また、共振器フィルタの面内方向におけ
る多重波長の選択性を製造プロセスとして容易に実現で
きるようにする。 【解決手段】 ＧａＡｓからなる半導体基板１１の第１
主面１１ａ上にフォトニック結晶層２１が形成されてい
る。フォトニック結晶層２１は、ＳｉＯ2 等の誘電体又
はＧａＡｓ等の半導体からなる細線を格子状に形成し、
さらに複数の格子状層を積層して構成されている。細線
の幅と間隔とが半導体基板１１の面内方向で変化してお
り、フォトニック結晶層２１のフォトニックバンド端波
長が半導体基板１１の面内方向で変化している。半導体
基板１１の第２主面１１ｂには、入射光６０を反射する
傾斜面１１ｃが形成されており、該傾斜面１１ｃ上を含
む第２主面１１ｂ上には金属反射膜１６が蒸着されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、比較的狭い波長範
囲に高密度に波長多重された信号光における波長を波長
ごとに分波して出力する分波素子、及び波長多重された
信号光を分波した後に受光して電気信号に変換する分波
受光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信においては、互いに異な
る波長を有する複数の光信号を１つの信号に多重する波
長多重技術を用いることにより伝送容量の増大を図る手
法が広く知られている。特に、近年では波長が１．５５
μｍの近傍であって、波長の間隔が３．２ｎｍの４波又
は波長の間隔が１．６ｎｍの８波の信号光を多重化する
システムが実用化されつつある。将来的には波長の間隔
が０．８ｎｍの高密度波長多重伝送も検討されている。
波長多重伝送においては、多重化された信号光を受信側
で分波して受光するが、このような高密度波長多重シス
テムでは高分解能の分波処理が要求される。回折格子を
用いた分光器を用いれば高分解能の分波処理が可能とな
るが、システムの経済性を考えると小型の分波素子又は
分波素子を集積化した受光素子が必要となる。
【０００３】このような分波素子を集積化した受光素子
は、例えば、特開平第８−４６５９３号公報に記載され
ている。以下、従来の受光素子について図面を参照しな
がら説明する。
【０００４】図７は特開平第８−４６５９３号公報に記
載されている受光素子のうちの分波及び受光処理部の断
面構成を示している。図７に示すように、半導体基板１
０１の主面上には、それぞれが半導体層からなる下部反
射器１０２、スペーサ層１０３及び上部反射器１０４が
順次積層されてなる垂直共振器フィルタ１０５が形成さ
れ、該垂直共振器フィルタ１０５上には島状の複数の受
光素子１０６が形成されている。半導体基板１０１の主
面と反対側の面には反射膜１０７が設けられている。
【０００５】垂直共振器フィルタ１０５は、スペーサ層
１０３の層厚で決まる共振波長に対しては光の透過率が
１００％であり、その両側にはストップバンドと呼ばれ
る高反射率の波長帯域が存在する。光ファイバ１０８か
ら入力される波長多重された入射光１０９は半導体基板
１０１の主面と反対側の面に入射され、垂直共振器フィ
ルタ１０５を透過できる共振波長を有する信号光のみが
受光素子１０６に入射する。さらに、垂直共振器フィル
タ１０５により反射された信号光は反射膜１０７により
反射されて、再度垂直共振器フィルタ１０５に入射す
る。スペーサ層１０３の層厚は半導体基板１０１の面内
方向で変化しているため、受光素子１０６ごとに対応す
る垂直共振器フィルタ１０５の共振波長がそれぞれ異な
り、その結果、波長が異なる信号光が順次受光される。
【０００６】垂直共振器フィルタ１０５の共振波長は、
スペーサ層１０３の層厚をＬ、屈折率をｎ、入射光の入
射角（基板主面と法線方向とがなす角）をθとして、２
ｎＬ・ｃｏｓθ／ｍ（但し、ｍは自然数とする。）で与
えられる。従って、入射角θが２０°付近で１°変化す
ると共振波長は０．６３％程度変化する。従って、共振
波長が１．５５μｍ付近にある場合の波長変化は約１０
ｎｍとなる。逆に、共振波長の絶対値を１ｎｍ以下の精
度で合わせるためには、入射角θのずれを０．１°以下
とする必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の受光素子は、光ファイバ１０８を半導体基板１０１
に対して所定の角度で固定する方法が明示されておら
ず、入射光１０９の入射角θを精度良く決定することが
困難であるという第１の問題がある。
【０００８】また、図７に示すように、従来の受光素子
は、スペーサ層１０３の層厚を半導体基板１０１の面内
方向で変化させている。層厚を面内方向で変化させる結
晶成長方法は公知であり、例えば米国特許第５０２９１
７６号に開示されているものの、共振波長の絶対値を制
御できる程度に層厚の制御性があるとは言い難い。ま
た、一の半導体ウエハ上に多数の素子を一括して作製
し、ウエハプロセス終了後に各素子に分割するという半
導体素子で通常用いられる製造方法を採用しようとする
と、ウエハ上で周期的に層厚が変化する結晶成長が必要
となる。これは米国特許第５０２９１７６号に開示され
ている複数の方法のうちの一部の方法を除いて不可能で
あるという問題をも有している。
【０００９】本発明は、前記従来の問題を解決し、分波
素子又は分波受光素子の共振器フィルタに対して入射光
の入射角の精度を向上させることができるようにするこ
とを第１の目的とし、共振器フィルタの面内方向におけ
る多重波長の選択性を製造プロセスとして容易に実現で
きるようにすることを第２の目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る第１の分波
素子は、前記第１の目的を達成し、半導体基板と、半導
体基板の第１主面上に形成され、第１主面と反対側の面
である第２主面側から入射される入射光のうちの所定の
波長の入射光を透過する垂直共振器フィルタとを備え、
垂直共振器フィルタは、その共振波長が第１主面上の位
置に応じて変化しており、半導体基板は、第２主面に形
成され、入射光を反射又は屈折させることにより共振器
フィルタに入射する傾斜面を有している。
【００１１】第１の分波素子によると、入射光を反射又
は屈折させることによって該入射光を共振器フィルタに
入射させる傾斜面が半導体基板の第２主面に形成されて
いるため、例えばウエットエッチング等によって第２主
面に対して正確に所定の角度を持たせることができる。
従って、信号光を半導体基板の傾斜面に入射すると、入
射光は半導体基板の第２主面及び第１主面に対して所定
の角度を再現性良く保ちながら垂直共振器フィルタに入
力されるため、所望の共振波長を選択できるようにな
る。ここで、外部からの入射光が、例えば光ファイバか
ら入射される場合は、光ファイバと半導体基板の第２主
面とを同一平面上で保持することは容易である。
【００１２】第１の分波素子において、垂直共振器フィ
ルタは、第１主面上に形成され第１の半導体層からなる
第１の分布ブラッグ反射器と、該第１の分布ブラッグ反
射器上に形成され第２の半導体層からなるスペーサ層
と、該スペーサ層上に形成され第３の半導体層からなる
第２の分布ブラッグ反射器とから構成され、第１の半導
体層、第２の半導体層及び第３の半導体層のうちの少な
くとも１つは、その膜厚が第１主面の面内方向で変化し
ていることが好ましい。このようにすると、多重化され
た入射光から複数の光信号を確実に抽出できる。
【００１３】第１の分波素子において、傾斜面がウエッ
トエッチングにより露出した所定の面方位を有する結晶
面であることが好ましい。すなわち、半導体基板の傾斜
面は、半導体の結晶構造からウエットエッチングによっ
て所定の面方位を持つ結晶面を露出させることが容易で
あるため、第２主面と所望の角度を持つ傾斜面を確実に
形成できる。
【００１４】本発明に係る第２の分波素子は、前記第２
の目的を達成し、半導体基板と、半導体基板の第１主面
上に形成され、第１主面と反対側の面である第２主面側
から入射される入射光のうちの所定の波長の入射光を透
過するフォトニック結晶層とを備え、半導体基板は第２
主面に形成され入射光を反射又は屈折させることにより
フォトニック結晶層に入射する傾斜面を有している。
【００１５】第２の分波素子は、第１の分波素子の垂直
共振器フィルタの代わりにフォトニック結晶層を設けた
構成を有している。フォトニック結晶は、光子エネルギ
ーに対するバンド構造を有しており、フォトニックバン
ドギャップと呼ばれる特定の禁制帯エネルギー（波長）
に相当する光子は結晶中に存在できない。すなわち、フ
ォトニックバンドギャップに相当する波長を持つ光はフ
ォトニック結晶によって完全に反射され、フォトニック
バンドギャップに相当しない波長の光はフォトニック結
晶を透過する。垂直共振器フィルタの場合は共振波長を
変化させて、共振波長と対応する信号光を順次抽出する
が、フォトニック結晶の場合はフォトニックバンドキャ
ップのバンド端を半導体基板の面内方向で変化させて、
信号光の透過範囲を広げていくことにより所望の信号光
を順次抽出することができる。
【００１６】第２の分波素子において、フォトニック結
晶層は、該フォトニック結晶層が有しているフォトニッ
クバンド端の波長が第１主面の面内方向で変化している
ことが好ましい。このようにすると、比較的高密度に波
長多重された入射光であっても複数の光信号を確実に抽
出できる。
【００１７】この場合に、フォトニック結晶層が、それ
ぞれが誘電体又は半導体からなる複数の細線が格子状に
形成されてなり、細線の幅又は細線同士の間隔が前記第
１の主面の面内方向で変化していることが好ましい。こ
のようにすると、フォトニック結晶層におけるフォトニ
ックバンドキャップのバンド端を第１主面上の位置に応
じて変化させることができる。垂直共振器フィルタを用
いた場合には、その共振波長を面内方向で変化させる構
成を採る際にフィルタの層厚を増減させる必要がある
が、フォトニック結晶層を用いた場合には第１主面と平
行な面内でパターニングを行なうことによりバンド端を
変化させることができる。このため、垂直共振器フィル
タと異なり、該垂直共振器フィルタのようにその部位に
より層厚が変化しないので、半導体装置の製造プロセス
になじみやすい。
【００１８】第２の分波素子において、傾斜面がウェッ
トエッチングにより露出した所定の面方位を有する結晶
面であることが好ましい。このようにすると、半導体基
板の傾斜面は、半導体の結晶構造からウエットエッチン
グによって所定の面方位を持つ結晶面を露出させること
が容易であるため、第２主面と所望の角度を持つ傾斜面
を確実に形成できる。
【００１９】本発明に係る第３の分波素子は、第１又は
第２の目的を達成し、基板上に形成され、基板面に対し
てほぼ平行に入射される入射光のうちの所定の波長の入
射光を透過する水平共振器フィルタを備え、水平共振器
フィルタは、光路が基板面と平行となるように形成され
た第１の分布ブラッグ反射器と、該第１のブラッグ反射
器と間隔をおいて形成された第２の分布ブラッグ反射器
とから構成されている。
【００２０】第３の分波素子によると、基板面に対して
ほぼ平行に入射される入射光のうちの所定の波長の入射
光を透過する水平共振器フィルタが基板上に形成されて
いるため、外部からの入射光が光ファイバから入射され
る場合は入射角度を所望の角度に容易に且つ確実に設定
できる。例えば、半導体基板の上部に光ファイバのガイ
ド用のＶ字溝を設け、該Ｖ字溝に光ファイバを保持する
だけでよい。
【００２１】第３の分波素子において、第１の分布ブラ
ッグ反射器及び第２の分布ブラッグ反射器は、それぞれ
が誘電体又は半導体からなる複数の薄壁部材が基板上に
所定の間隔をおき且つ光路方向に並ぶように形成されて
いることが好ましい。このようにすると、水平共振器フ
ィルタを確実に実現できる。
【００２２】第３の分波素子において、水平共振器フィ
ルタが、その共振波長が基板上の位置に応じて変化して
いることが好ましい。このようにすると、多重化された
入射光から複数の光信号を確実に抽出できる。
【００２３】この場合に、第１の分布ブラッグ反射器及
び第２の分布ブラッグ反射器が、互いの間隔がテーパ状
又はステップ状に変化していることが好ましい。このよ
うにすると、基板面と平行な面内でパターニングを行な
うことにより共振波長を変化させることができるため、
フィルタの部位により層厚が変化しないので、半導体装
置の製造プロセスになじみやすい。
【００２４】第３の分波素子は、基板と水平共振器との
間に形成された第１のフォトニック結晶層と、水平共振
器上に形成された第２のフォトニック結晶層とをさらに
備えていることが好ましい。このようにすると、水平共
振器を上下方向から挟む第１のフォトニック結晶層及び
第２のフォトニック結晶層に対して、入射光の全波長領
域を含むフォトニックバンドギャップを持たせれば、水
平共振器フィルタに入射された入射光を水平共振器フィ
ルタ内に閉じ込めることができるため、入射光の損失を
低減できる。
【００２５】本発明に係る第１の分波受光素子は、前記
第１の目的を達成し、半導体基板と、半導体基板の第１
主面上に形成され、第１主面と反対側の面である第２主
面側から入射される入射光のうちの所定の波長の入射光
を透過する垂直共振器フィルタと、垂直共振器フィルタ
上に形成された複数の受光領域とを備え、垂直共振器フ
ィルタは、その共振波長が第１主面上の位置に応じて変
化しており、半導体基板は、第２主面に形成され、入射
光を反射又は屈折させることにより垂直共振器フィルタ
に入射する傾斜面を有している。
【００２６】第１の分波受光素子によると、第１の分波
素子と同様に、半導体基板の第２主面に傾斜面が形成さ
れているため、信号光をこの傾斜面に入射すると、入射
された入射光は半導体基板の第２主面及び第１主面に対
して所定の角度を再現性良く保ちながら垂直共振器フィ
ルタに入力されるので、所望の共振波長を選択できるよ
うになる。分波された信号光を受光する受光領域は分波
素子とモノリシックに集積化されており、分波された各
信号光は第２主面側から受光領域に入射されるため、窓
層には信号光を透過する窓として機能はしないが、代わ
りにリーク電流を低減するパッシベーション膜として機
能する。
【００２７】第１の分波受光素子は、垂直共振器フィル
タ上に順次形成された光吸収層及び窓層をさらに備え、
窓層はそれぞれが島状に形成された複数の不純物拡散領
域を有し、各受光領域は、光吸収層における不純物拡散
領域の下側に位置する領域であることが好ましい。この
ようにすると、垂直共振器フィルタにより分波された各
信号光を確実に受光できる。
【００２８】本発明に係る第２の分波受光素子は、前記
第２の目的を達成し、半導体基板と、半導体基板の第１
主面上に形成され、第１主面と反対側の面である第２主
面側から入射される入射光のうちの所定の波長の入射光
を透過するフォトニック結晶層と、フォトニック結晶層
上に形成された複数の受光領域とを備え、半導体基板
は、第２主面に形成され、入射光を反射又は屈折させる
ことによりフォトニック結晶層に入射する傾斜面を有し
ている。
【００２９】第２の分波受光素子によると、第２の分波
素子と該第２の分波素子により分波された信号光を受光
する各受光領域とはモノリシックに集積化されているた
め、第２の分波素子と同様の効果を奏する。
【００３０】第２の分波受光素子は、フォトニック結晶
層上に順次形成された光吸収層及び窓層をさらに備え、
窓層が、それぞれが島状に形成された複数の不純物拡散
領域を有し、各受光領域が光吸収層における不純物拡散
領域の下側に位置する領域であることが好ましい。
【００３１】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３２】図１は本発明の第１の実施形態に係る分波
素子の断面構成を示している。図１に示すように、例え
ば、ＧａＡｓからなる半導体基板１１の第１主面１１ａ
上には、ＧａＡｓからなる半導体層及びＡｌＡｓからな
る半導体層が交互に３０〜４０層程度積層され、合計の
層厚が３．８〜５．１μｍ程度の第１の分布ブラッグ反
射器１２と、ＧａＡｓからなり層厚が約４６７ｎｍの半
導体層により形成されたスペーサ層１３と、第１の分布
ブラッグ反射器１２と同等の構造を持つ第２の分布ブラ
ッグ反射器１４とが順次積層されて構成された垂直共振
器フィルタ１５が設けられている。
【００３３】半導体基板１１における第１主面１１ａと
反対側の面である第２主面１１ｂ上には、入射光６０を
反射させる傾斜面１１ｃを有する凹部が形成されてお
り、第２主面１１ｂ上に該凹部を含む全面にわたって蒸
着されてなる金属反射膜１６が設けられている。
【００３４】光ファイバ（図示せず）等から入力される
入射光６０は、半導体基板１１の第２主面１１ｂに対し
て平行に入射され、金属反射膜１６における傾斜面１１
ｃ上の領域により反射されて、入射光６０の一部が垂直
共振器フィルタ１５に入射する。垂直共振器フィルタ１
５に入射されなかった入射光６０の残部は金属反射膜１
６により反射されて再び垂直共振器フィルタ１５に入射
する。
【００３５】本実施形態に係る入射光６０は、互いに異
なる波長を有する複数の信号光が多重化されている。こ
こでは、説明を簡単にするために、入射光６０は、それ
ぞれ第１の波長λ1 、第２の波長λ2 及び第３の波長λ
3 （但し、λ1 ＞λ2 ＞λ3とする。）の３波長の信号
光が多重化されているとする。第１の分布ブラッグ反射
器１２及び第２の分布ブラッグ反射器１４を構成するＧ
ａＡｓ及びＡｌＡｓからなる各半導体層の層厚は、入射
光６０の光路の傾きを考慮した光学長、すなわち層厚と
屈折率との積が、信号光の中心波長である第２の波長λ
2 の４分の１の波長となるようにする。
【００３６】本実施形態においては、第１の波長λ1 、
第２の波長λ2 及び第３の波長λ3のうちの互いに隣接
する波長間隔は、例えば１ｎｍと小さいため、第１の分
布ブラッグ反射器１２及び第２の分布ブラッグ反射器１
４のストップバンド（＝高反射率の波長領域）は、第１
の波長〜第３の波長λ1 〜λ3 を十分にカバーできる。
【００３７】図１に示すように、スペーサ層１３の層厚
は第１主面１１ａの面内方向で変化しており、垂直共振
器フィルタ１５における入射光６０の第１の入射位置７
１においては光学長がλ1 となり、第２の入射位置７２
においては光学長がλ2 となり、第３の入射位置７３に
おいては光学長がλ3 となっている。これにより、垂直
共振器フィルタ１５における第１の入射位置７１におい
ては共振波長がλ1 となるため、第１の波長λ1 の信号
光のみが垂直共振器フィルタ１５を透過し、第２の波長
λ2 及び第３の波長λ3 の信号光は垂直共振器フィルタ
１５に入力されずに反射される。同様に、第２の入射位
置７２においては、第２の波長λ2 の信号光のみが透過
し、第３の入射位置７３においては第３の波長λ3 の信
号光が透過する。
【００３８】本実施形態の特徴である、半導体基板１１
の第２主面に形成された傾斜面１１ｃは、入射光６０の
垂直共振器フィルタ１５への入射角を決定する役割を果
たしている。例えば、第２主面の面方位が（００１）面
の半導体基板１１を用い、第２主面１１ｂの傾斜面１１
ｃが、例えば塩化水素（ＨＣｌ）と硝酸（ＨＮＯ3 ）と
を含みその体積比が４対１のエッチャントを用いたウェ
ットエッチングによって露出した面方位の（１１２）面
であるとすれば、傾斜面１１ｃは第２主面と厳密に３
５．３°の角度をなす。従って、第２主面１１ｂと平行
に入射される入射光６０が金属反射膜１６における傾斜
面１１ｃ上で反射されると、反射された入射光６０は、
第２主面１１ｂ及び第１主面１１ａの法線方向に対して
１９．４°の角度で垂直共振器フィルタ１５に入射す
る。
【００３９】ここで、外部からの入射光６０が、例えば
光ファイバにより入射される場合には、光ファイバと半
導体基板１１とを平行な平面上に保持することは容易で
ある。これにより、垂直共振器フィルタ１５に対する入
射光６０の入射角度の保持精度を容易に且つ格段に高め
ることができるため、垂直共振器フィルタ１５の共振波
長の精度が向上する。その結果、多重化される波長の間
隔が０．８ｎｍ程度の高密度波長多重伝送にも対応でき
るようになる。
【００４０】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４１】図２は本発明の第２の実施形態に係る分波
受光素子の断面構成を示している。図２において、図１
に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付す
ことにより説明を省略する。図２に示すように、本実施
形態に係る分波受光素子は、第１の実施形態に係る分波
素子における垂直共振器フィルタ１５上に受光領域を含
む半導体層が設けられることによりモノリシック化され
て構成されている。具体的には、垂直共振器フィルタ１
５の第２の分布ブラッグ反射器１４上には、例えば、層
厚が約２．５μｍで低不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓか
らなる光吸収層１７及び層厚が約１．５μｍで低不純物
濃度のｎ型ＩｎＰからなる窓層１８が順次積層されてい
る。窓層１８には、それぞれＺｎ等のｐ不型純物が拡散
されてなり直径が８０μｍ程度で島状の３つのｐ型拡散
領域１８ａが形成されており、光吸収層１７における各
ｐ型拡散領域１８ａの下側の領域が受光領域１７ａとし
て機能する。各ｐ型拡散領域１８ａ上には金属蒸着膜か
らなる負電極１９がそれぞれ形成されている。
【００４２】半導体基板１１における第１主面１１ａと
反対側の面である第２主面１１ｂの側部には、入射光６
０を屈折させる傾斜面１１ｃを含む切欠部が形成されて
いる。また、第２主面１１ｂ上における切欠部と反対側
の側部には金属蒸着膜からなる正電極２０が形成されて
いる。
【００４３】光ファイバ（図示せず）等から入力される
入射光６０は、半導体基板１１の第２主面１１ｂに対し
て平行に入射され、傾斜面１１ｃで屈折して垂直共振器
フィルタ１５に入射光６０の一部が入射する。垂直共振
器フィルタ１５に入射されなかった入射光６０の残部は
再び垂直共振器フィルタ１５に入射する。このように、
全反射条件を満たせば、第２主面１１ｂに反射膜を設け
なくても１００％の反射率を得られる。
【００４４】第１の実施形態と同様に、入射光６０は、
互いに異なる波長λ1 、λ2 及びλ3 を有する３波長の
信号光が多重化されているとする。前述したように、垂
直共振器フィルタ１５に対する第１の入射位置７１にお
いては第１の波長λ1 の信号光のみが垂直共振器フィル
タ１５を透過し、第２の入射位置７２においては第２の
波長λ2 の信号光のみが垂直共振器フィルタ１５を透過
し、第３の入射位置７３においては第３の波長λ3 の信
号光が垂直共振器フィルタ１５を透過する。
【００４５】垂直共振器フィルタ１５を透過し、それぞ
れ所望の波長を持つ信号光は受光領域１７ａに入射し、
負電極１９と正電極２０との間の光電流として検出され
る。
【００４６】本実施形態の特徴である、半導体基板１１
の第２主面に形成された傾斜面１１ｃは、入射光６０の
垂直共振器フィルタ１５への入射角を決定する役割を持
つ。例えば、傾斜面１１ｃの面方位が、ウェットエッチ
ングによって露出した結晶面である（１１２）面である
とすれば、傾斜面１１ｃは第２主面と厳密に３５．３°
の角度をなす。従って、第２主面１１ｂと平行に入射さ
れる入射光６０が傾斜面１１ｃで屈折すると、屈折した
入射光６０は、第２主面１１ｂ及び第１主面１１ａの法
線方向に対して４９．０°の角度で垂直共振器フィルタ
１５に入射する。
【００４７】以上説明したように、外部からの入射光６
０が、例えば光ファイバにより入射される場合には、光
ファイバと半導体基板１１とを平行な平面上に保持する
ことは容易である。このため、垂直共振器フィルタ１５
に対する入射光６０の入射角度の保持精度を容易に且つ
格段に高めることができるので、垂直共振器フィルタ１
５の共振波長の精度が向上する。その結果、波長の間隔
が０．８ｎｍ程度の高密度波長多重伝送にも対応できる
ようになる。
【００４８】なお、本実施形態に係る傾斜面１１ｃを切
欠部に設ける代わりに、第１の実施形態のように、凹部
の傾斜面１１ｃとしてもよい。この場合には、傾斜面１
１ｃに金属反射膜１６を設けてもよい。
【００４９】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００５０】図３は本発明の第３の実施形態に係る分波
素子の断面構成を示している。図３において、図１に示
す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すこと
により説明を省略する。図３に示すように、本実施形態
に係る分波素子は、半導体基板１１の第１主面１１ａ上
に、多重化信号を選択的に抽出する垂直共振器フィルタ
の代わりにフォトニック結晶層２１が設けられた構成を
持つ。
【００５１】フォトニック結晶層２１は、幅が約３６０
ｎｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等の誘電体又は幅が
約１７０ｎｍのＧａＡｓ等の半導体からなる細線を格子
状に形成し、さらに８層程度の複数の格子状層を積層す
ることにより形成されている。ここで、フォトニック結
晶層２１は、ｎ層目と（ｎ＋２）層目又は（ｎ＋１）層
目と（ｎ＋３）層目（但し、ｎは１以上の整数とす
る。）との互いの細線の位置が半周期ずれて形成されて
いる。また、細線の幅と間隔とが第１の主面１１ａの面
内方向で変化しており、これにより、フォトニック結晶
層２１のフォトニックバンド端の波長は、第１主面１１
ａの面内方向で、すなわち面内の位置に応じて変化して
いる。
【００５２】光ファイバ（図示せず）等から入力される
入射光６０は、半導体基板１１の第２主面１１ｂに対し
て平行に入射され、金属反射膜１６における傾斜面１１
ｃ上の領域により反射されて、入射光６０の一部がフォ
トニック結晶層２１に入射する。フォトニック結晶層２
１に入射されなかった入射光６０の残部は金属反射膜１
６により反射されて再びフォトニック結晶層２１に入射
する。
【００５３】ここでも、第１の実施形態と同様に、入射
光６０は、互いに異なる波長λ1 、λ2 及びλ3 を有す
る３波長の信号光が多重化されているとする。フォトニ
ック結晶層２１に対する第１の入射位置７１において
は、第２及び第３の波長λ2 、λ3 がフォトニックバン
ドギャップ内にあり且つ第１の波長λ1 のみがフォトニ
ックバンド内にあるため、第１の波長λ1 の信号光のみ
がフォトニック結晶層２１直共振器フィルタ１５を透過
できる。
【００５４】第２の入射位置７２においては、第３の波
長λ3 がフォトニックバンドギャップ内にあり且つ第２
の波長λ2 がフォトニックバンド内にあるため、第２の
波長λ2 の信号光のみがフォトニック結晶層２１を透過
できる。
【００５５】第３の入射位置７３においては、第１の波
長〜第３の波長λ1 〜λ3 がフォトニックバンド内とな
っており、第３の波長λ3 の信号光がフォトニック結晶
層２１を透過できる。
【００５６】このように、フォトニック結晶層２１を設
ける場合には、半導体基板１１の第１主面１１ａの面内
でパターニングを行なうことにより、フォトニックバン
ド端を変化させることができる。従って、第１の実施形
態のように垂直共振器フィルタ１５を用いた場合には、
その共振波長を面内方向で変化させる構成を採る際にフ
ィルタの層厚を増加又は低減させる必要があるが、フォ
トニック結晶層２１を用いると、第１主面と平行な面内
でパターニングを行なうことにより、共振波長を選択す
るフォトニックバンド端を変更できる。このため、本実
施形態に係る分波素子は、垂直共振器フィルタ１５と異
なり、垂直共振器フィルタ１５のように層厚が変化しな
いので、製造時には、一枚の半導体ウエハから多数の素
子を一括して形成するという半導体装置の製造プロセス
と極めてなじみやすくなる。
【００５７】なお、フォトニック結晶層２１の構成を、
フォトニックバンド端の波長が第１主面１１ａの面内方
向で変化させる代わりに、高密度の波長間隔で多重され
た信号光の出射角度を異常分散効果により変化させても
よい。
【００５８】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００５９】図４は本発明の第４の実施形態に係る分波
受光素子の断面構成を示している。図４において、図３
に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付し
ている。図４に示すように、本実施形態に係る分波受光
素子は、フォトニック結晶層２２上に受光領域を含む半
導体層が設けられることによりモノリシック化されて構
成されている。
【００６０】フォトニック結晶層２２は、幅が約３６０
ｎｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等の誘電体又は幅が
約１７０ｎｍのＧａＡｓ等の半導体からなる細線が格子
状に積層されて形成されている。ここで、フォトニック
結晶層２２は、ｎ層目と（ｎ＋２）層目又は（ｎ＋１）
層目と（ｎ＋３）層目（但し、ｎは１以上の整数とす
る。）との互いの細線の位置が半周期ずれて形成されて
いる。
【００６１】フォトニック結晶層２２上には、例えば、
層厚が約２．５μｍで低不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓ
からなる光吸収層１７及び層厚が約１．５μｍで低不純
物濃度のｎ型ＩｎＰからなる窓層１８が順次形成されて
いる。窓層１８には、それぞれＺｎ等のｐ型不純物が拡
散されてなり径が３０μｍ程度で島状の３つのｐ型拡散
領域１８ａが形成されており、光吸収層１７における各
ｐ型拡散領域１８ａの下側の領域が受光領域１７ａとし
て機能する。各ｐ型拡散領域１８ａ上には金属蒸着膜か
らなる負電極１９がそれぞれ形成されている。
【００６２】半導体基板１１における第２主面１１ｂの
側部には、入射光６０を屈折させる傾斜面１１ｃを含む
切欠部が形成されている。また、第２主面１１ｂ上には
金属蒸着膜からなる正電極２０が形成されている。
【００６３】光ファイバ（図示せず）等から入力される
入射光６０は、半導体基板１１の第２主面１１ｂに対し
て平行に入射され、傾斜面１１ｃで屈折してフォトニッ
ク結晶層２２に入射する。
【００６４】本実施形態に係るフォトニック結晶層２２
は異常分散効果によって分波を行なっている。フォトニ
ック結晶は極めて狭い波長範囲で大きく屈折率が変化す
る異常分散効果を有しており、この異常分散効果によっ
て高密度な波長間隔で多重化された信号光の出射角度を
大きく変化させることができる。ここで、入射光６０の
フォトニック結晶層２２からの出射光６０ａが各受光領
域１７ａに入射するように形成すれば、異なる波長の信
号光を負電極１９と正電極２０との間の光電流として検
出できる。
【００６５】なお、本実施形態のように、フォトニック
結晶層２２が誘電体又は半導体からなる細線を格子状に
積み重ねた構成を採る場合には、該フォトニック結晶層
２２上に光吸収層１７及び窓層１８を結晶成長法により
形成することは困難であるが、ウエハの貼合せ技術を用
いれば、このような構造を形成できる。
【００６６】（第５の実施形態）以下、本発明の第５の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００６７】図５（ａ）及び図５（ｂ）は本発明の第５
の実施形態に係る分波素子であって、図５（ａ）は平面
構成を示し、図５（ｂ）は図５（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線に
おける断面構成を示している。図５（ａ）及び（ｂ）に
示すように、例えば、Ｓｉ又はＧａＡｓからなる基板３
０の上縁部には、入射光６０を基板面に対して平行に導
入する光ファイバ４０が保持されており、基板３０上に
は水平共振器フィルタ３１が光ファイバ４０からの入射
光６０をその端部に所定の角度で受けるように形成され
ている。
【００６８】水平共振器フィルタ３１は、厚さが約３０
７ｎｍでＳｉＯ2 等の誘電体又は厚さが約１２７ｎｍで
ＧａＡｓ等の半導体からなる複数の薄壁部材３２ａが約
４４７ｎｍの間隔をおき且つ光路方向に並ぶように形成
された第１の分布ブラッグ反射器３２と、該第１の分布
ブラッグ反射器３２との間隔が一定でないスペース３４
をおき且つ第１の分布ブラッグ反射器３２と同一構成の
第２の分布ブラッグ反射器３３とから構成されている。
【００６９】基板３０上には、第１の分布ブラッグ反射
器３２からの反射光が第１の分布ブラッグ反射器３２に
再入射されるように形成された反射ブロック材３５が設
けられ、該反射ブロック材３５における水平共振器フィ
ルタ３１との対向面には金属反射膜３６が蒸着されて形
成されている。ここで、反射ブロック材３５は薄壁部材
３２ａと同一の材料で形成してもよい。
【００７０】光ファイバ４０から入力され、異なる波長
を有する複数の信号光が多重化された入射光６０は、そ
の一部が水平共振器フィルタ３１に入射し、その残部は
反射ブロック材３５の金属反射膜３６により反射され
て、再び水平共振器フィルタ３１に入射する。
【００７１】ここで入射光６０は、第１の実施形態と同
様に、それぞれ波長が第１の波長λ1 、第２の波長λ2
及び第３の波長λ3 （但し、λ1 ＞λ2 ＞λ3 とす
る。）の３波長の信号光が多重化されているとする。第
１の分布ブラッグ反射器３２及び第２の分布ブラッグ反
射器３３を構成する薄壁部材３２ａの厚さ及び該薄壁部
材３２ａ同士の間隔は、共に光学長が波長の４分の１と
なるようにする。具体的には、入射光６０の光路の傾き
を考慮した光学長、すなわち薄壁部材３２ａの部材厚と
屈折率との積又は薄壁部材３２ａの間隔自体が信号光の
中心波長である第２の波長λ2 の４分の１の波長となる
ようにする。ここで、薄壁部材３２ａ同士の間に空気が
充填されているとすると、光学長と実際の間隔とは等し
くなる。
【００７２】本実施形態においては、第１の波長λ1 、
第２の波長λ2 及び第３の波長λ3のうちの互いに隣接
する波長間隔は、例えば１ｎｍと小さいため、第１の分
布ブラッグ反射器３２及び第２の分布ブラッグ反射器３
３のストップバンド（＝高反射率の波長領域）は、第１
の波長〜第３の波長λ1 〜λ3 を十分にカバーできる。
【００７３】また、図５（ａ）に示すように、スペース
３４の幅は基板面の面内方向で変化しており、入射光６
０の第１の入射位置７１においては光学長がλ1 とな
り、第２の入射位置７２においては光学長がλ2 とな
り、第３の入射位置７３においては光学長がλ3 となっ
ている。これにより、水平共振器フィルタ３１における
第１の入射位置７１においては共振波長がλ1 となるた
め、第１の波長λ1 の信号光のみが水平共振器フィルタ
３１を透過し、第２の波長λ2 及び第３の波長λ3の信
号光は水平共振器フィルタ３１に入力されずに反射され
る。同様に、第２の入射位置７２においては、第２の波
長λ2 の信号光のみが透過し、第３の入射位置７３にお
いては第３の波長λ3 の信号光が透過する。
【００７４】第１の実施形態に係る分波素子は、基板面
に対して垂直な方向に分布ブラッグ反射器を積み重ねた
垂直共振器フィルタ１５を設けたのに対し、本実施形態
に係る分波素子は基板面に対して平行な方向に分布ブラ
ッグ反射器を並べた水平共振器フィルタ３１を設けてい
る。
【００７５】水平共振器フィルタ３１を用いる場合に
は、入射光６０の入射角度は基板面内で定めればよく、
光ファイバ４０の位置決めを行なうガイド用のＶ字溝を
基板３０の上部に形成しておけば、入射角を高精度に決
定できる。
【００７６】その上、共振波長を面内方向で変化させる
ために必要な、第１の分布ブラッグ反射器３２と第２の
分布ブラッグ反射器３３のスペース３４を変化させるの
も、マスクパターンの設計だけで実現できる。従って、
垂直共振器フィルタ１５と異なり、基板面に垂直な方向
に層厚が変化しないので、一枚の半導体ウエハから多数
の素子を一括して形成するという半導体装置の製造プロ
セスに極めてなじみやすくなる。
【００７７】（第６の実施形態）以下、本発明の第６の
実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００７８】図６（ａ）及び図６（ｂ）は本発明の第６
の実施形態に係る分波素子であって、図６（ａ）は図６
（ｂ）のVIａ−VIａ線における平面構成を示し、図６
（ｂ）は図６（ａ）のVIｂ−VIｂ線における断面構成を
示している。図６（ａ）及び（ｂ）において、図５
（ａ）及び（ｂ）に示す構成部材と同一の構成部材には
同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００７９】図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実
施形態に係る分波素子は、水平共振器フィルタ３１が、
基板３０との間に設けられた第１のフォトニック結晶層
２３と該フィルタ３１の上側に設けられた第２のフォト
ニック結晶層２４とに挟まれた構成を有している。ま
た、第５の実施形態における反射ブロック材３５と同等
の機能を有する第３のフォトニック結晶層２５が第１の
フォトニック結晶層２３と第２のフォトニック結晶層２
４との間に設けられている。
【００８０】第１のフォトニック結晶層２３、第２のフ
ォトニック結晶層２４及び第３のフォトニック結晶層２
５は、幅が約３６０ｎｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）
等の誘電体又は幅が約１７０ｎｍのＧａＡｓ等の半導体
からなる細線が格子状に積層されて形成されている。こ
こで、これらフォトニック結晶層２３〜２５は、ｎ層目
と（ｎ＋２）層目又は（ｎ＋１）層目と（ｎ＋３）層目
（但し、ｎは１以上の整数とする。）との互いの細線の
位置が半周期ずれて形成されている。
【００８１】第１のフォトニック結晶層２３及び第２の
フォトニック結晶層２４は、入射光６０及びその反射光
が、基板３０の上下方向に拡散しないように水平共振器
フィルタ３１内に閉じ込める機能を有している。
【００８２】すなわち、第１のフォトニック結晶層２３
及び第２のフォトニック結晶層２４を、入射光６０の全
波長領域を含むようなフォトニックバンドギャップを有
する構成とすることにより、入射光６０は、第１及び第
２のフォトニック結晶層２４、２５中に侵入できないた
め、基板面に対して平行に伝播するようになるので、水
平共振器フィルタ３１内における透過損失を低減でき
る。また、第３のフォトニック結晶２５に対しても同様
に、入射光６０の全波長領域を含むようなフォトニック
バンドギャップを持たせることにより、第３のフォトニ
ック結晶層２５における水平共振器フィルタ３１との対
向面で入射光６０をほぼ１００％反射させることができ
る。
【００８３】
【発明の効果】本発明に係る第１の分波素子又は第１の
分波受光素子によると、入射光を反射又は屈折させるこ
とにより共振器フィルタに入射する傾斜面が半導体基板
における垂直共振器形成面と反対側の面である第２主面
に形成されているため、信号光を半導体基板の傾斜面に
入射された入射光は半導体基板の第２主面及び第１主面
に対して所定の角度を再現性良く持ちながら垂直共振器
フィルタに入力できる。このため、波長が高密度に多重
化された入射光から所望の波長を確実に選択できる。
【００８４】本発明に係る第２の分波素子又は第２の分
波受光素子によると、第１の分波素子の垂直共振器フィ
ルタの代わりにフォトニック結晶層を設けた構成を有し
ている。このフォトニック結晶層におけるフォトニック
バンドキャップのバンド端を半導体基板の面内方向で変
化させて、信号光の透過範囲を広げていくことにより信
号光を順次抽出することができるため、垂直共振器フィ
ルタのようにその部位により層厚が変化しない。従っ
て、面内方向のパターニングを行なえるので、一のウエ
ハ上に同一構成の多数の素子を形成する半導体装置の製
造プロセスになじみやすい。
【００８５】本発明に係る第３の分波素子によると、基
板上に基板面に対してほぼ平行に入射される入射光を選
択的に透過する水平共振器フィルタが形成されているた
め、外部からの入射光が光ファイバから入射される場合
は入射角度を所望の角度に容易に且つ確実に設定でき
る。その結果、波長が高密度に多重化された入射光から
所望の波長を確実に選択できる。さらに、水平共振器フ
ィルタは基板面の面内方向でパターニングを行なえるの
で、一のウエハ上に同一構成の多数の素子を形成する半
導体装置の製造プロセスになじみやすい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る分波素子を示す
構成断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る分波受光素子を
示す構成断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る分波素子を示す
構成断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る分波受光素子を
示す構成断面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第５の実施形態に
係る分波素子を示し、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線における構成断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第６の実施形態に
係る分波素子を示し、（ａ）は（ｂ）のVIａ−VIａ線に
おける平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＶｂ−Ｖｂ線に
おける構成断面図である。
【図７】従来の分波受光素子を示す構成断面図である。
【符号の説明】
１１ 半導体基板 １１ａ 第１主面 １１ｂ 第２主面 １１ｃ 傾斜面 １２ 第１の分布ブラッグ反射器 １３ スペーサ層 １４ 第２の分布ブラッグ反射器 １５ 垂直共振器フィルタ １６ 金属反射膜 １７ 光吸収層 １７ａ 受光領域 １８ 窓層 １８ａ ｐ型拡散領域 １９ 負電極 ２０ 正電極 ２１ フォトニック結晶層 ２２ フォトニック結晶層 ２３ 第１のフォトニック結晶層 ２４ 第２のフォトニック結晶層 ２５ 第３のフォトニック結晶層 ３０ 基板 ３１ 水平共振器フィルタ ３２ 第１の分布ブラッグ反射器 ３２ａ 薄壁部材 ３３ 第２の分布ブラッグ反射器 ３４ スペース ３５ 反射ブロック材 ３６ 金属反射膜 ４０ 光ファイバ ６０ 入射光 ６０ａ 出射光 ７１ 第１の入射位置 ７２ 第２の入位置 ７３ 第３の入射位置

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板の第１主面上に形成され、前記第１主面
    と反対側の面である第２主面側から入射される入射光の
    うちの所定の波長の入射光を透過する垂直共振器フィル
    タとを備え、 前記垂直共振器フィルタは、その共振波長が前記第１主
    面上の位置に応じて変化しており、 前記半導体基板は、前記第２主面に形成され、前記入射
    光を反射又は屈折させることにより前記垂直共振器フィ
    ルタに入射する傾斜面を有していることを特徴とする分
    波素子。
  2. 【請求項２】 前記垂直共振器フィルタは、 前記第１主面上に形成され第１の半導体層からなる第１
    の分布ブラッグ反射器と、該第１の分布ブラッグ反射器
    上に形成され第２の半導体層からなるスペーサ層と、該
    スペーサ層上に形成され第３の半導体層からなる第２の
    分布ブラッグ反射器とから構成され、 前記第１の半導体層、第２の半導体層及び第３の半導体
    層のうちの少なくとも１つは、その膜厚が前記第１主面
    の面内方向で変化していることを特徴とする請求項１に
    記載の分波素子。
  3. 【請求項３】 前記傾斜面は、ウエットエッチングによ
    り露出した所定の面方位を有する結晶面であることを特
    徴とする請求項１に記載の分波素子。
  4. 【請求項４】 半導体基板と、 前記半導体基板の第１主面上に形成され、前記第１主面
    と反対側の面である第２主面側から入射される入射光の
    うちの所定の波長の入射光を透過するフォトニック結晶
    層とを備え、 前記半導体基板は、前記第２主面に形成され、前記入射
    光を反射又は屈折させることにより前記フォトニック結
    晶層に入射する傾斜面を有していることを特徴とする分
    波素子。
  5. 【請求項５】 前記フォトニック結晶層は、該フォトニ
    ック結晶層が有しているフォトニックバンド端の波長が
    前記第１主面の面内方向で変化していることを特徴とす
    る請求項４に記載の分波素子。
  6. 【請求項６】 前記フォトニック結晶層は、それぞれが
    誘電体又は半導体からなる複数の細線が格子状に形成さ
    れてなり、前記細線の幅又は前記細線同士の間隔が前記
    第１の主面の面内方向で変化していることを特徴とする
    請求項５に記載の分波素子。
  7. 【請求項７】 前記傾斜面は、ウェットエッチングによ
    り露出した所定の面方位を有する結晶面であることを特
    徴とする請求項４に記載の分波素子。
  8. 【請求項８】 基板上に形成され、基板面に対してほぼ
    平行に入射される入射光のうちの所定の波長の入射光を
    透過する水平共振器フィルタを備え、 前記水平共振器フィルタは、光路が基板面と平行となる
    ように形成された第１の分布ブラッグ反射器と、該第１
    のブラッグ反射器と間隔をおいて形成された第２の分布
    ブラッグ反射器とから構成されていることを特徴とする
    分波素子。
  9. 【請求項９】 前記第１の分布ブラッグ反射器及び第２
    の分布ブラッグ反射器は、それぞれが誘電体又は半導体
    からなる複数の薄壁部材が前記基板上に所定の間隔をお
    き且つ光路方向に並ぶように形成されていることを特徴
    とする請求項８に記載の分波素子。
  10. 【請求項１０】 前記水平共振器フィルタは、その共振
    波長が前記基板上の位置に応じて変化していることを特
    徴とする請求項８に記載の分波素子。
  11. 【請求項１１】 前記第１の分布ブラッグ反射器及び第
    ２の分布ブラッグ反射器は、互いの間隔がテーパ状又は
    ステップ状に変化していることを特徴とする請求項１０
    に記載の分波素子。
  12. 【請求項１２】 前記基板と前記水平共振器との間に形
    成された第１のフォトニック結晶層と、 前記水平共振器上に形成された第２のフォトニック結晶
    層とをさらに備えていることを特徴とする請求項８に記
    載の分波素子。
  13. 【請求項１３】 前記第１のフォトニック結晶層及び第
    ２のフォトニック結晶層は、それぞれが誘電体又は半導
    体からなる複数の細線が格子状に形成されてなることを
    特徴とする請求項１２に記載の分波素子。
  14. 【請求項１４】 半導体基板と、 前記半導体基板の第１主面上に形成され、前記第１主面
    と反対側の面である第２主面側から入射される入射光の
    うちの所定の波長の入射光を透過する垂直共振器フィル
    タと、 前記垂直共振器フィルタ上に形成された複数の受光領域
    とを備え、 前記垂直共振器フィルタは、その共振波長が前記第１主
    面上の位置に応じて変化しており、 前記半導体基板は、前記第２主面に形成され、前記入射
    光を反射又は屈折させることにより前記垂直共振器フィ
    ルタに入射する傾斜面を有していることを特徴とする分
    波受光素子。
  15. 【請求項１５】 前記垂直共振器フィルタ上に順次形成
    された光吸収層及び窓層をさらに備え、 前記窓層はそれぞれが島状に形成された複数の不純物拡
    散領域を有し、 前記各受光領域は、前記光吸収層における前記不純物拡
    散領域の下側に位置する領域であることを特徴とする請
    求項１４に記載の分波受光素子。
  16. 【請求項１６】 半導体基板と、 前記半導体基板の第１主面上に形成され、前記第１主面
    と反対側の面である第２主面側から入射される入射光の
    うちの所定の波長の入射光を透過するフォトニック結晶
    層と、 前記フォトニック結晶層上に形成された複数の受光領域
    とを備え、 前記半導体基板は、前記第２主面に形成され、前記入射
    光を反射又は屈折させることにより前記フォトニック結
    晶層に入射する傾斜面を有していることを特徴とする分
    波受光素子。
  17. 【請求項１７】 前記フォトニック結晶層上に順次形成
    された光吸収層及び窓層をさらに備え、 前記窓層はそれぞれが島状に形成された複数の不純物拡
    散領域を有し、 前記各受光領域は、前記光吸収層における前記不純物拡
    散領域の下側に位置する領域であることを特徴とする請
    求項１６に記載の分波受光素子。
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