JP3615760B2 - 光学部品 - Google Patents
光学部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3615760B2 JP3615760B2 JP50118595A JP50118595A JP3615760B2 JP 3615760 B2 JP3615760 B2 JP 3615760B2 JP 50118595 A JP50118595 A JP 50118595A JP 50118595 A JP50118595 A JP 50118595A JP 3615760 B2 JP3615760 B2 JP 3615760B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- refractive index
- filter
- optical component
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 38
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 210000004379 membrane Anatomy 0.000 description 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 235000010044 Hernandia moerenhoutiana Nutrition 0.000 description 1
- 244000084296 Hernandia moerenhoutiana Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L33/346—Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table containing porous silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3223—IV compounds
- H01S5/3224—Si
- H01S5/3227—Si porous Si
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
この種の光学部品は以前から知られている。つまり、例えばその作用が薄膜中の干渉効果に基づく光学部品が使用される。この場合、問題になるのは例えば干渉フィルターとミラーである。特に屈折率の異なる二つの材料の膜から成る膜の順序の望ましい作用は、膜配列と個々の膜の光学的な厚さを適当に選択することにより決まる。この場合、所謂光学的な厚さは、屈折率に膜厚を掛け算したものである。その際通常、これらの光学的な膜厚は、波長−この波長のために、フィルターあるいはミラーが構成されている−のほんの僅かの値である。つまり、所謂ブラッグ反射体は、できる限り異なった屈折率と、それぞれ波長−この波長のために、反射体が最適な作用を有する−の1/4の光学的な膜厚とを有する二つの膜の周期的な膜配列から成る。これに反して、幾分改善された膜配列を有するファブリーペロー(Fabry−Perot)フィルターは一定の波長に対して設定されている高い透過度を有するが、他の波長に対してこのフィルターは光を透過しない。
屈折率が次第に変化する膜から成る光学部品は、導波路としてあるいは反射防止膜として知られている。
この発明の課題は、通常の材料から成る膜の代わりに、他の材料を使用することにある。
上記の課題は、この発明により、膜を多孔質のシリコンで構成することにより解決されている。
多孔質シリコンから成る膜組織を作製することは種々の方式で実現される。つまり、
a) 多孔質シリコンを作製する電気化学的なエッチング処理で電流強度を可変して、個々の膜の多孔性およびそれにより光学的な特性に簡単に影響を与えることができる。
b) エッチング処理用の初期材料として異なる添加量のシリコン膜の膜配列の使用は同様に、微細構造の変化を与え、それ故光学的な特性にも変化を与える。初期材料として異なる添加量の膜では、高さの可変や添加のタイプを可変することも考えられる。つまり、特に以下の添加の経過が考えられる。即ち、pp+pp+、npnp、pipi、次第に変化するp→p+である。
c) SiとSiGeのエッチング特性が異なることにより、多孔質の膜組織を作製するためSi/SiGeの膜配列を使用できる。
d) エッチング処理の間に試料の照明が微細構造に及ぼす影響は膜組織を作製するために利用できる。これは入射光の照明強度を可変しても、また入射光のスペクトルを可変しても可能である。
a)〜d)に述べた方法は、膜組織を最適に設計するために互いに組み合わせることもできる。
この発明による膜組織は目指す応用例に応じて可変でき、光放出光学部品あるいは光検出器(フィルター,反射防止膜)の光放出特性あるいは吸収特性に影響を与える。つまり、この光学部品のタイプはこれ等の膜が干渉フィルターのタイプの厚さと屈折率を有し、そのようなフィルターとして使用できる点にある。
フィルター作用は光学特性の異なる膜を周期的に配置して得られる。膜配列に応じて種々のタイプのフィルターを実現できる(帯域通過フィルター、帯域阻止フィルター、ファブリーペローフィルター)。この場合、フィルター作用は異なったタイプのフィルターを互いに接続しても組み合わせることができる。この種のフィルターは光学系にも、また発光光学部品(例えば多孔質シリコンのカラー画面)で光放出特性に影響を与えるためにも、および、例えばカラーカメラの光ダイオード用の補助フィルターとして使用できる。
膜材料としての多孔質シリコンの特別な利点は、任意に複雑な膜組織を簡単にしかも廉価に製造できるだけでなく、屈折率を徐々に可変できる可能性にもある。
この発明による光学部品の他の実施例は、膜が連続的に変化する屈折率を有し、それ故に反射を緩和したりあるいは反射を強める作用を有する点にもある。
ガラス繊維の場合のように、光導体に最適に光波を導入するために屈折率の緩慢な変化が必要である。多孔質シリコンの膜組織にも屈折率の緩慢な変化を作製できる可能性により、導波路をシリコンチップの上に非常に簡単に作製できる。導波路では、多孔質シリコンの膜配列が徐々に増加し再び減少する屈折率を有する。膜組織のフィルター作用の外に、多孔質の膜組織の光学特性を徐々に可変することにより反射を緩和するかあるいは反射を強めるカバー膜を作製できる。これは、光波導体のように発光構造で光を取り出す時に内部反射を抑制するためにも、また例えば太陽電池の反射防止膜にも採用できる。
図面にこの発明による膜組織を模式的に示し、以下により詳しく説明する。
ここに示すのは、
図1 光学フィルターとしての膜組織、
図2 フィルター膜組織の異なった応用、
図3 光波導体として膜組織
図4 膜組織に基づくレーザー構造体、
である。
図1:
この図面は以下のように要約される組織を示す。
基板の上には直接的に、光を検出するかあるいは放出するこの光学部品の主要構成要素がある。検出器の狭帯域感度あるいは光の狭帯域放出を得るため、この膜の上にフィルターとして働く膜組織が作製される。フィルター作用を得るため、異なった多孔性の膜が異なった大きさの屈折率も有するということを利用する。フィルターを波長l(エル)に合わせるため、高多孔性の膜と低多孔性の膜を交互に配置して作製し、これ等の膜は全て1/4の光学的な波長を有する。この膜組織は、例えばファブリーペローフィルターである。全体の組織はエッチング処理でシリコンウェハーから電気化学的に作製される。
図2:
多孔質シリコンの膜組織により非常に異なった応用が可能である。ここでは、二つの応用例を示す。
カラー1の波長に対して透過性であるが、カラー2の波長に対して高反射性の鏡となるように膜組織が作製されている。この組織をウェハー上に作製すれば、特定の波長に対する反射フィルターが得られる。他の全ての波長はこの部品内で吸収される。この種の応用は図面の左側に示してある。
反射しない波長も望ましいなら、このフィルターを支持なしで作製する。こうして、特定な波長を反射し、他の波長を透過するカラースプリッターが作製される。この構造は図面の右側に示してある。
図3:
導波路をチップ上に必要とすれば、この導波路をチップのシリコンウェハーから直接に作製することもできる。このため、図面の左側に示すように屈折率が変化する膜組織をウェハー上に作製する。光を導く膜は膜組織の中央にあり、大きな屈折率を有する。光の取り込みは膜組織の横端部から行われる。
図4:
多孔質の膜の上に、半透明な表面接触部を付け、この多孔質の膜の下に高反射性の電気的な裏面接触部を付けると、特定の波長に対する共鳴器を作製できる。レーザーをシリコンで構成するには、誤りのある波長範囲で誘起される光放出を抑制する機構が必要である。これには、この共鳴器中の膜が所望の波長に対して狭帯域で透過特性を有する超格子として作製される。こうして、多孔質シリコンの広帯域発光にも係わらず、この材料からレーザーを構成することができる。
Claims (4)
- 厚さが異なり屈折率の異なる透明薄膜で構成された光学部品において、これ等の薄膜が多孔質シリコンで構成されていることを特徴とする光学部品。
- 前記薄膜は干渉フィルターあるいは干渉ミラーの様式の厚さと屈折率を有し、そのような部品として使用されることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の光学部品。
- 前記薄膜は連続的に変わる屈折率を有することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の光学部品。
- 膜配列は徐々に増加して再び減少する屈折率を有することを特徴とする請求の範囲第3項に記載の光学部品。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4319413A DE4319413C2 (de) | 1993-06-14 | 1993-06-14 | Interferenzfilter oder dielektrischer Spiegel |
DE4319413.3 | 1993-06-14 | ||
PCT/DE1994/000635 WO1994029757A1 (de) | 1993-06-14 | 1994-06-08 | Optisches bauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10508113A JPH10508113A (ja) | 1998-08-04 |
JP3615760B2 true JP3615760B2 (ja) | 2005-02-02 |
Family
ID=6490150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50118595A Expired - Lifetime JP3615760B2 (ja) | 1993-06-14 | 1994-06-08 | 光学部品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5696629A (ja) |
EP (1) | EP0704068B1 (ja) |
JP (1) | JP3615760B2 (ja) |
DE (2) | DE4319413C2 (ja) |
WO (1) | WO1994029757A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5828118A (en) * | 1993-09-09 | 1998-10-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | System which uses porous silicon for down converting electromagnetic energy to an energy level within the bandpass of an electromagnetic energy detector |
US5699188A (en) * | 1995-06-26 | 1997-12-16 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Metal-coated multilayer mirror |
DE19609073A1 (de) * | 1996-03-08 | 1997-09-11 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Farbselektives Si-Detektorarray |
GB2312090A (en) * | 1996-04-10 | 1997-10-15 | Rank Taylor Hobson Ltd | Photosensitive device |
DE19622748A1 (de) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Interferenzfilter auf der Basis von porösem Silicium |
DE19638885C1 (de) * | 1996-09-21 | 1998-04-23 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Optisches Beugungsgitter auf der Basis eines porösen Materials |
DE19653097A1 (de) | 1996-12-20 | 1998-07-02 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Schicht mit porösem Schichtbereich, eine solche Schicht enthaltendes Interferenzfilter sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
FR2758003B1 (fr) * | 1996-12-27 | 1999-06-18 | France Telecom | Traitement anti-reflet de surfaces reflectives |
DE19738607B4 (de) * | 1997-09-04 | 2008-07-31 | Robert Bosch Gmbh | Mikrospiegel und Verfahren zur Herstellung eines Mikrospiegels |
US6037612A (en) | 1997-09-11 | 2000-03-14 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device having nanostructure porous silicon and mesostructure porous silicon |
DE19740096A1 (de) * | 1997-09-12 | 1999-03-25 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer oder mehrerer optischer Komponenten in porösem Silicium sowie solche optische Komponenten enthaltenes Bauelement |
DE19746089A1 (de) * | 1997-10-20 | 1999-04-29 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Eine Filterstruktur aufweisendes Bauelement |
DE19757560A1 (de) * | 1997-12-23 | 1999-07-01 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer porösen Schicht mit Hilfe eines elektrochemischen Ätzprozesses |
EP1103075B1 (en) | 1998-07-03 | 2009-09-09 | Imec | Method of making a thin-film opto-electronic device |
EP0969522A1 (en) * | 1998-07-03 | 2000-01-05 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | A thin-film opto-electronic device and a method of making it |
DE19900879A1 (de) * | 1999-01-12 | 2000-08-17 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Optischer Detektor mit einer Filterschicht aus porösem Silizium und Herstellungsverfahren dazu |
US6370307B1 (en) * | 1999-07-15 | 2002-04-09 | Agere Systems Guardian Corp. | Optical device formed on a substrate with thermal isolation regions formed therein |
FR2797093B1 (fr) * | 1999-07-26 | 2001-11-02 | France Telecom | Procede de realisation d'un dispositif comprenant un empilement de plans de boites quantiques sur un substrat de silicium ou germanium monocristallin |
EP1088785A1 (fr) * | 1999-09-10 | 2001-04-04 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Procédé de fabrication d'une microstructure intégrée suspendue tridimensionnelle, microstructure intégrée notamment obtenue par ce procédé et élément optique intégré réglable |
DE10160987B4 (de) * | 2001-12-05 | 2005-08-04 | Siemens Ag | Baueinheit zur simultanen, optischen Beleuchtung einer Vielzahl von Proben |
US8765484B2 (en) * | 2002-02-07 | 2014-07-01 | The Regents Of The University Of California | Optically encoded particles |
US7022544B2 (en) * | 2002-12-18 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | High speed photodiode with a barrier layer for blocking or eliminating slow photonic carriers and method for forming same |
AU2004308380A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | The Regents Of The University Of California | Optically encoded particles, system and high-throughput screening |
US7560018B2 (en) | 2004-01-21 | 2009-07-14 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Semiconductor electrochemical etching processes employing closed loop control |
US20060027459A1 (en) * | 2004-05-28 | 2006-02-09 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Mesoporous silicon infrared filters and methods of making same |
US7994600B2 (en) * | 2005-12-21 | 2011-08-09 | Texas Instruments Incorporated | Antireflective coating |
JP5526331B2 (ja) | 2007-04-27 | 2014-06-18 | 国立大学法人 香川大学 | 反射防止膜およびその製造方法。 |
WO2008157621A2 (en) * | 2007-06-18 | 2008-12-24 | E-Cube Technologies, Inc. | Methods and apparatuses for waveguiding luminescence generated in a scattering medium |
US7808657B2 (en) * | 2007-06-28 | 2010-10-05 | International Business Machines Corporation | Wafer and stage alignment using photonic devices |
JP2011505267A (ja) * | 2007-11-08 | 2011-02-24 | エム. セイガー、ブライアン | 改善された反射防止用被覆 |
US8080849B2 (en) * | 2008-01-17 | 2011-12-20 | International Business Machines Corporation | Characterizing films using optical filter pseudo substrate |
US20090316250A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-24 | Lee Boman | Window having wavelength selectivity and photovoltaic capability |
WO2012103292A1 (en) * | 2011-01-26 | 2012-08-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Device and method for luminescence enhancement by resonant energy transfer from an absorptive thin film |
MX351488B (es) * | 2013-05-17 | 2017-06-30 | Univ Autonoma Del Estado De Morelos | Estructura antirreflejante cuasi-omnidireccional basada en multicapas dieléctricas de silicio poroso para la región ultravioleta media, visible e infrarroja cercana al espectro electromagnético. |
CN103779636B (zh) * | 2014-01-10 | 2015-10-28 | 上海理工大学 | 基于多孔硅的太赫兹滤波器 |
CN105842785A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-08-10 | 燕山大学 | 基于啁啾多孔硅光子晶体的多通道滤波器 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4271210A (en) * | 1979-10-25 | 1981-06-02 | Westinghouse Electric Corp. | Method of forming transmissive, porous metal oxide optical layer of a vitreous substrate |
US4535026A (en) * | 1983-06-29 | 1985-08-13 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Antireflective graded index silica coating, method for making |
US4633131A (en) * | 1984-12-12 | 1986-12-30 | North American Philips Corporation | Halo-reducing faceplate arrangement |
JPS61170702A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Kunio Yoshida | 光学薄膜の製作方法 |
US5218472A (en) * | 1989-03-22 | 1993-06-08 | Alcan International Limited | Optical interference structures incorporating porous films |
-
1993
- 1993-06-14 DE DE4319413A patent/DE4319413C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-08 EP EP94916885A patent/EP0704068B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-08 JP JP50118595A patent/JP3615760B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-08 WO PCT/DE1994/000635 patent/WO1994029757A1/de active IP Right Grant
- 1994-06-08 DE DE59409521T patent/DE59409521D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-08 US US08/564,335 patent/US5696629A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE59409521D1 (de) | 2000-10-19 |
WO1994029757A1 (de) | 1994-12-22 |
JPH10508113A (ja) | 1998-08-04 |
DE4319413A1 (de) | 1994-12-15 |
US5696629A (en) | 1997-12-09 |
EP0704068B1 (de) | 2000-09-13 |
DE4319413C2 (de) | 1999-06-10 |
EP0704068A1 (de) | 1996-04-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3615760B2 (ja) | 光学部品 | |
Mateus et al. | Broad-band mirror (1.12-1.62 μm) using a subwavelength grating | |
CA2811542C (en) | Spectral band-pass filter having high selectivity and controlled polarization | |
KR101443728B1 (ko) | 하이브리드 도파-모드 공진 필터 및 분포 브래그 반사를 채용하는 방법 | |
JP2648364B2 (ja) | 光波長分割マルチプレクシング装置 | |
TW528891B (en) | Polarization-independent ultra-narrow bandpass filter | |
KR100335709B1 (ko) | 광검출기 | |
KR20010099801A (ko) | 공진 격자 필터를 사용하는 광학 멀티플렉서/디멀티플렉서 | |
US20040013356A1 (en) | Tunable filter applied in optical networks | |
CN109088307B (zh) | 基于超表面窄带反射镜的窄线宽外腔激光器 | |
FR3068527A1 (fr) | Source laser a semi-conducteur | |
KR101179204B1 (ko) | 파장 안정화 장치 | |
FR2822949A1 (fr) | Spectrometre optique integre a haute resolution spectrale, notamment pour les telecommunications a haut debit et la metrologie, et procede de fabrication | |
CN107611777A (zh) | 一种灵活波长的窄线宽半导体外腔激光器及控制方法 | |
US20020105652A1 (en) | Tunable optical filter | |
Bidnyk et al. | Novel architecture for design of planar lightwave interleavers | |
EP2588899A1 (fr) | Filtre spectral avec membrane structuree a l'echelle sub-longueur d'onde et methode de fabrication d'un tel filtre | |
TWI271552B (en) | CWDM filter | |
EP1834202B1 (fr) | Filtre optoelectronique selectif accordable en longueur d'onde | |
KR100314890B1 (ko) | 대역폭 가변 광필터 | |
CN210051924U (zh) | 一种光开关装置、系统及封装结构 | |
Ura et al. | Guided-mode resonances in two-story waveguides | |
JP2001021755A (ja) | 多重波長信号伝送装置 | |
JP2004045934A (ja) | 波長可変式光フィルタおよび同フィルタ用波長変更装置 | |
KR100334791B1 (ko) | 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041005 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071112 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101112 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111112 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121112 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |