KR100334791B1 - 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작방법 - Google Patents

파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기는 입력되는 광신호 중에서 중심파장의 광신호만을 투과시키는 광파장 대역통과 필터; 및 상기 광파장 대역통과 필터가 수광면에 코팅되어 있으며, 상기 광파장 대역통과 필터를 투과한 광신호의 세기 및 광량에 따라 소정의 전기신호를 출력하는 광검출 소자를 포함한다. 상기 광파장 대역통과 필터는 상기 광검출 소자의 기판 하부면의 수광면에 코팅된 다수의 유전체 박막들로 이루어진 제1 반사층; 상기 제1 반사층에 코팅된 유전체 박막으로 이루어진 공간층; 및 상기 공간층에 코팅된 다수의 유전체 박막들로 이루어진 제2 반사층으로 구성된다.

Description

파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작 방법{PHOTODETECTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF FOR WAVELENGTH DIVISION MULTIPLEXING SYSTEMS}
본 발명은 파장 분할 다중 시스템(wavelength division multiplexing system)에 관한 것으로서, 특히 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
대용량의 정보를 전송하기 위해 통상적으로 사용되는 파장분할 다중화 통신 시스템에서는 단일 광섬유를 통해 다수개의 채널(channel)들로 구성된 광신호를 동시에 전송한다. 이때, 수신측에 구비된 광검출기는 상기 광신호를 각 파장에 따른 채널로 분리하고 이를 전기신호로 변환시킨다. 상기 광검출기는 광검출 소자 및 광파장 대역통과 필터(filter)로 구성된다. 상기 광신호를 파장에 따라 분리하는 역할은 광파장 대역통과 필터가 하게 되는데, 상기 광파장 대역통과 필터의 예로는 다수의 박막들이 적층된 형태의 필터, 서로 길이가 다른 다수의 광도파로들로 구성된 광도파로열 격자(arrayed waveguides grating), 각각 브래그 격자(Bragg grating)를 구비하고 서로 인접한 두 광도파로들로 구성된 격자도움 결합기 필터 등을 들 수가 있다. 또한, 상기한 광검출기에 사용되는 광검출 소자는 광신호가 입사될 경우에, 상기 입사광의 세기 및 광량에 따라 소정의 전기적 신호를 출력하는 역할을 한다. 상기 광검출 소자로는 통상적으로 포토다이오드(photodiode)가 사용되는데, 상기 포토다이오드의 예로는 PIN 포토다이오드(positive intrinsic negative photodiode), 애벌란시 포토다이오드(avalanche photodiode) 등을 들 수가 있다.
도 1은 종래의 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 구성을 나타내는 도면이다. 8 채널의 광신호가 λ2의 중심파장을 가지는 광파장 대역통과 필터(11)로 입사하고 있다. 상기 광파장 대역통과 필터(11)는 중심파장의 광신호만을 투과시킨다. 즉, 상기 광파장 대역통과 필터(11)는 상기 광신호 중 λ2의 채널만 투과시키고 나머지 채널들은 투과시키지 않는다. 상기 투과한 λ2의 광신호는 광검출 소자(12)의 수광면(13)으로 입사하게 되고, 상기 광검출 소자(12)는 상기 광신호를 전기신호로 변환하여 출력한다.
그러나, 종래의 광검출기는 크게 세가지의 문제점을 안고 있다. 첫번째는, 광파장 대역통과 필터와 광검출 소자의 광학적 정렬이 초기 설치시 어렵고, 설사 초기에 정렬이 잘 되었다고해도 이후 주변 환경의 영향을 받기 쉽다는 문제점이 있다.
도 2는 종래의 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 광학적 정렬을 설명하기 위한 도면이다. 도 2에서는 격자도움 결합기 필터(21)를 광파장 대역통과 필터를 사용하고 있으며, 여기서는 상기 필터(21)의 중심파장에 해당하는 광신호를 발산하는 광도파로(22)만을 도시하고 있다. 이러한 경우에 있어서 광학적 정렬은 단순한 기계적 정렬이 아니라, 상기 광도파로(22) 끝단면상의 발산점과 광검출 소자(24)의 수광면(25) 상의 정점을 잇는 광축(26) 상에서의 정렬을 말한다. 도 2에 표시된 좌표에서 z는 상기 광도파로의 길이방향, x와 y는 상기 끝단면상의 임의의수직한 두 벡터(vector) 방향으로 설정한다. θ는 상기 끝단면의 법선(27)과 상기 광축(26)이 이루는 사잇각이며, 상기 좌표 (x,y,z)에 의해 유도되는 값이다. 이때, 상기 끝단면에서 발산되는 광과 상기 광검출 소자(24)의 결합효율(coupling efficiency)이 최대가 되는 좌표 (x0, y0, z0, θ0)가 정해진다.
도 3a 내지 도 3d는 상기 도 2에 도시된 상기 광검출기의 결합효율을 설명하기 위한 도면이다. 도 3a는 상기 광검출 소자가 최대 결합효율 좌표 (x0, y0, z0, θ0)를 기준으로 x축에 따른 결합효율을 나타낸 도표이다. 즉, 상기 좌표 (x0, y0, z0, θ0)에서 다른 좌표들을 상수로 두고 x좌표만을 변화시켰을 때의 결합효율을 나타내고 있다.
도 3b는 상기 광검출 소자가 최대 결합효율 좌표 (x0, y0, z0, θ0)를 기준으로 y축에 따른 결합효율을 나타낸 도표이다. 즉, 상기 좌표 (x0, y0, z0, θ0)에서 다른 좌표들을 상수로 두고 y좌표만을 변화시켰을 때의 결합효율을 나타내고 있다.
도 3c는 상기 광검출 소자가 최대 결합효율 좌표 (x0, y0, z0, θ0)를 기준으로 z축에 따른 결합효율을 나타낸 도표이다. 즉, 상기 좌표 (x0, y0, z0, θ0)에서 다른 좌표들을 상수로 두고 z좌표만을 변화시켰을 때의 결합효율을 나타내고 있다.
도 3d는 상기 광검출 소자가 최대 결합효율 좌표 (x0, y0, z0, θ0)를 기준으로 θ축에 따른 결합효율을 나타낸 도표이다. 즉, 상기 좌표 (x0, y0, z0, θ0)에서θ좌표를 변화시켰을 때의 결합효율을 나타내고 있다. 상기한 바와 같이 상기 θ는 좌표 (x,y,z)에 의해 유도되는 값이다.
종래의 광검출기가 안고 있는 두번째 문제점은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 광파장 대역통과 필터와 광검출 소자가 분리되어 있으므로 전체적인 광검출기의 부피가 크다는데 있다.
종래의 광검출기가 안고 있는 세번째 문제점은, 광도파로를 이용한 광파장 대역통과 필터는 통상적으로 편광의존성이 크다는데 있다. 즉, 상기 필터에 입사하는 광신호의 편광 방향에 따라서, 상기 필터의 투과율이 변한다는 것이다. 또한, 박막을 이용한 광파장 대역통과 필터의 경우에도 사각 입사의 경우에 있어서 입력 광신호의 편광 방향이 문제가 되지만, 수직 입사인 경우에는 편광의존성을 최소화할 수가 있다. 그러나, 이때 문제가 되는 것은 상기한 종래의 광검출기의 첫번째 문제점인 광학적 정렬이 어렵다는데 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점들을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 광파장 대역통과 필터 및 광검출 소자로 구성된 광검출기에 있어서 광학적 정렬을 고려할 필요가 없는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 광파장 대역통과 필터 및 광검출 소자로 구성된 광검출기에 있어서 부피를 최소화한 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 광파장 대역통과 필터 및 광검출 소자로 구성된 광검출기에 있어서 편광의존성을 최소화한 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작방법을 제공함에 있다.
상기한 목적들을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기는,
입력되는 광신호 중에서 중심파장의 광신호만을 투과시키기 위하여, 다수의 유전체 박막들로 이루어진 제1 반사층과, 상기 제1 반사층에 코팅된 유전체 박막으로 이루어진 공간층과, 상기 공간층에 코팅된 다수의 유전체 박막들로 이루어진 제2 반사층으로 구성된 광파장 대역통과 필터; 및
상기 광파장 대역통과 필터가 수광면에 코팅(coating)되어 있으며, 상기 광파장 대역통과 필터를 투과한 광신호의 세기 및 광량에 따라 소정의 전기신호를 출력하는 광검출 소자를 포함한다.
더욱이, 본 발명에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법은,
기판의 상부면에 에피택시얼층(epitaxial layer)을 성장시키는 과정;
상기 에피택시얼층에 광검출 소자의 패턴(pattern)을 형성하는 과정;
상기 광검출 소자의 상부면에 금속 코팅을 하는 과정;
상기 기판 하부면의 수광면에 다수의 유전체 박막들을 코팅하여 제1 반사층을 형성하는 과정;
상기 제1 반사층에 유전체 박막을 코팅하여 공간층(space layer)을 형성하는 과정;
상기 공간층에 다수의 유전체 박막들을 코팅하여 제2 반사층을 형성하는 과정; 및
상기 기판 하부면의 수광면을 제외한 영역에 금속층을 코팅하는 과정을 포함한다.
도 1은 종래의 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 광학적 정렬을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 내지 도 3d는 상기 도 2에 도시된 상기 광검출기의 결합효율을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 구성을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기를 구비한 광검출 회로도이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 광파장 대역통과 필터의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 7 내지 도 15는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법을 나타내는 도면이다.
이하에서는 첨부도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능, 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 모호하지 않게 하기 위하여 생략한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 구성을 나타낸 도면이다. 기본적으로 n+-InP 기판(45)의 상부면에 n-InP층(44), n-InGaAs층(43) 및 p-InP층(41)을 적층하여 통상적인 P-I-N 정션(junction) 구조의 광검출 소자를 형성하고, 상기 광검출 소자의 상부면에 Au/Au-Sn 등의 금속 박막(41)을 코팅하여 전극을 형성한다. 상기 기판(45)의 하부면에도 전극(46)이 형성되어 있으며, 상기 기판(45)의 수광면에는 광파장 대역통과 필터(47)가 형성되어 있다. 상기 광검출 소자는 통상적인 PIN 포토다이오드이며, PN(positive negative) 포토다이오드 또는 APD와 같은 다양한 종류의 포토다이오드로 구성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기를 구비한 광검출 회로도이다. 상기 광검출기(51)에는 전압원(52)이 제공하는 역바이어스(reverse bias)가 걸려있어서 상기 광검출기(51)로 광신호가 입력되지 않는다면, 소량의 암전류를 제외하고는 저항(53)에 흐르는 전류는 없다. 따라서, 상기 저항(53)에 걸리는 전압도 없다. 그러나, 현재 상기 광검출기(51)로는 8채널의 광신호가 입력되고 있다. 상기 광검출기(51)의 광파장 대역통과 필터는 이미 설정된 중심파장, λ2의 채널만을 투과시키고 나머지 채널들은 투과시키지 않는다. 상기 필터를 투과한 광신호는 광검출 소자에 의해 소정의 전기신호로 변환되게 된다. 여기에서, 상기 전기신호는 상기 회로내에 흐르는 전류를 말한다.
따라서, 상기 저항(53)에는 옴(ohm)의 법칙에 따른 전압이 걸리게 되는데, 상기 전압은 상기 중심파장 광신호의 세기 및 광량에 따라 변화하게 되므로, 상기 전압의 변화로부터 상기 중심파장 광신호를 파악할 수 있다.
도 6은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 광파장 대역통과 필터의 구성을 나타내는 단면도이다. 상기 광파장 대역통과 필터는 페브리-페롯 에탈론(Fabry-Perot etalon)의 구조를 가진다. 즉, 상기 광파장 대역통과 필터는 기판(64)의 수광면에 코팅된 다수의 유전체 박막들로 이루어진 제1 반사층(63), 상기 제1 반사층(63)에 코팅된 유전체 박막으로 이루어진 공간층(61) 및 상기 공간층(61)에 코팅된 다수의 유전체 박막들로 이루어진 제2 반사층(62)으로 구성된다. 상기 각각의 반사층(62 및 63) 은 낮은 굴절율의 박막(66)과 높은 굴절율의 박막(65)을 교대로 적층한 구조를 가진다. 또한, 상기 각 반사층(62 또는 63)을 구성하는 각 박막(65 또는 66)은 상기 박막 내에서의 중심파장의 1/4의 두께를 가지며, 상기 공간층(61)은 상기 공간층(61) 내에서의 중심파장의 1/2의 두께를 가진다. 상기 중심파장은 진공 중에서의 중심파장을 말하며, 각 매질에서의 중심파장은 상기 중심파장을 상기 매질의 굴절율로 나눈 값으로 구할 수 있다. 또한, 상기 공간층(61)은 상기 높은 굴절율의 박막(65)으로 구성되고 상기 공간층(61) 내에서의 중심파장의 1/2의 두께를 가진다.
한편, 상기 광파장 대역통과 필터는 공기 중에 놓여있지 않고, 한쪽 반사층(62)은 공기와 나머지 반사층(63)은 기판과 경계를 이루고 있다. 따라서, 진공중에서의 통상적인 페브리-페롯 에탈론은 두 반사층들의 반사율들이 동일하지만, 상기 광파장 대역통과 필터의 두 반사층들(62 및 63)의 반사율들은 동일하지 않다.
즉, 상기 반사층들(62 및 63)의 경계 조건들이 동일하지 않기 때문에, 이를 보상하기 위하여 상기 어느 한 반사층(62 또는 63)의 층수가 적절히 조절되어 있는 것이다. 결론적으로, 상기 반사층들(62 및 63)에서의 경계조건들을 고려한 상기 광파장 대역통과 필터의 두 반사층들(62 및 63)의 반사율들은 동일하게 된다. 상기한 조건하에서, 상기 광파장 대역통과 필터의 중심파장 광신호의 투과율은 상기 반사층들(62 및 63)의 반사율에 상관없이 이론적으로 투과율 100%, 반사율 0%가 될 수 있다. 이때, 상기 필터 내에서의 광신호의 흡수는 없다고 가정한다. 광신호가 상기 광파장 대역통과 필터로 수직 입사한다는 가정하에서, 상기 공간층(61)의 두께는 중심파장의 투과율이 상기 이론치를 달성하도록 설정된다.
그러나, 상기 광파장 대역통과 필터의 구조는 통상적인 필터 구조의 한 예에 불과하다. 즉, 상기 반사층(62 또는 63)이 낮은 굴절율의 박막(66)과 높은 굴절율의 박막(65)을 각 매질에서의 중심파장의 1/4의 두께로 교대로 적층한 구조를 가지도록 하는 방식은 통상적인 박막설계에 있어서 기초적인 방법에 속한다. 따라서, 상기한 바와 같이 꼭 두 가지의 물질뿐만 아니라 다수의 물질들로도 동일한 효과를 내는 필터를 설계할 수 있다. 또한, 두 가지의 물질을 사용하더라도 각 박막의 두께 및 박막수를 임의로 조정하여 동일한 효과를 낼 수가 있다. 또한, 상기한 실시예의 조건들하에서 상기 공간층(61)의 두께가 임의의 양의 정수배가 되어도 무방하지만, 상기 실시예에서는 최소 두께를 갖도록 한 것이다.
도 7 내지 도 15는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법을 나타내는 도면이다.
도 7은 InP 또는 GaAs와 같은 재질의 기판(72)의 상부면에 PIN 포토다이오드를 위한 에피택시얼층(71)을 성장시키는 과정을 나타낸다. 이때, 상기 성장 과정은 기상 또는 액상으로 기판(72) 결정과 동일 결정축 방향으로 결정 성장을 하는 것을 말한다.
도 8 내지 도 9는 광검출 소자의 패턴을 형성하는 과정을 나타낸다. 도 8에 도시된 것처럼, 상기 에피택시얼층(71)의 상부면에 포토레지스트(73)를 떨어뜨린후 상기 기판(72)을 고속으로 회전시켜, 상기 에피택시얼층(71)의 상부면에 일정 두께의 포토레지스트층(73)을 형성한다. 도 9에 도시된 포토레지스트층(73)은 노광 및 현상 과정을 거쳐서 형성된다. 이때, 상기 노광은 상기 포토레지스트(73)에 자외선을 쬐여서 상기 포토레지스트가 중합체를 형성하는 과정을 말하며, 상기 현상은 현상액을 이용하여 중합체가 되지 못한 포토레지스트를 제거하는 과정을 말한다. 이후 상기 포토레지스트층(73)이 코팅되지 않은 에피택시얼층(71)을 에칭하여 제거한다.
도 10은 상기 에피택시얼층(71)에만 금속을 코팅하기 위해 상기 기판(72)의 상부면에 포토레지스트(74)를 코팅하는 과정을 나타낸다. 도 9에 도시된 상기 에피택시얼층(71)의 상부면에 있던 포토레지스트층(73)은 포토레지스트 제거액을 사용하여 제거된다.
도 11은 상기 에피택시얼층(71) 및 포토레지스트층(74)의 상부면들에 금속 코팅을 하는 과정을 나타낸다. 상기 금속의 재질은 Au/Au-Sn 등이 사용될 수 있으며, 상기 금속층(75)은 전극의 역할을 한다.
도 12는 SiNx 마스크(76)의 개방된 부분을 통해 상기 기판(72)의 수광면에 포토레지스트(76)을 형성하고 광파장 대역통과 필터(77)를 형성하는 과정을 나타낸다. 우선, 도 11에 도시된 상기 기판(72)의 상부면에 형성된 포토레지스트층(74) 및 금속층(75)을 제거한 후, 상기 기판(72)의 수광면에 다수의 유전체 박막들을 코팅하여 광파장 대역통과 필터(77)를 형성한다.
도 13은 상기 광파장 대역통과 필터(77)를 보호하는 포토레지스트층(78)을 코팅하는 과정을 나타낸다. 이후에 상기 기판(72)의 하부면에 전극을 형성하는 과정에 있어서, 상기 필터(77)의 하부면이 금속 코팅되는 것을 방지하기 위한 과정이다.
도 14는 상기 기판(72)의 하부면에 금속층(79)을 코팅하는 과정을 나타낸다. 이때, 상기 금속층(79)은 전극의 역할을 하며, 상기 전극(79)은 상기 에피택시얼층(71)의 상부면에 형성된 전극(75)과 같은 재질이다.
도 15는 도 14에 도시된 상기 광파장 대역통과 필터(77)의 하부면에 코팅된 포토레지스트층(78) 및 상기 포토레지스트층(78)의 하부면에 코팅된 불필요한 금속층(79)을 제거하는 과정을 나타낸다. 상기 제거 과정을 거쳐서 본 발명에 따른 광검출기가 완성된다 .
한편, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도내에서 여러가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작 방법은, 광파장 대역통과 필터가 광검출 소자에 코팅되므로 광학적 정렬을 고려할 필요가 없는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기를 제공한다는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작 방법은 종래에 비하여 광파장 대역통과 필터의 부피가 매우 작으므로, 전체 부피를 최소화한 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기를 제공한다는 이점이 있다.
더욱이, 본 발명에 따른 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기 및 그 제작 방법은 편광의존성을 최소화한 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기를 제공한다는 이점이 있다.

Claims (15)

  1. 파장 분할 다중 시스템에 있어서,
    입력되는 광신호 중에서 중심파장의 광신호만을 투과시키기 위하여, 다수의 유전체 박막들로 이루어진 제1 반사층과, 상기 제1 반사층에 코팅된 유전체 박막으로 이루어진 공간층과, 상기 공간층에 코팅된 다수의 유전체 박막들로 이루어진 제2 반사층으로 구성된 광파장 대역통과 필터; 및
    상기 광파장 대역통과 필터가 수광면에 코팅되어 있으며, 상기 광파장 대역통과 필터를 투과한 광신호의 세기 및 광량에 따라 소정의 전기신호를 출력하는 광검출 소자를 포함함을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광검출 소자는 피.아이.엔.(PIN) 포토다이오드임을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광검출 소자는 애벌란시 포토다이오드임을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 두 반사층들의 동일하지 않은 경계조건들을 고려한 반사율들은 서로 동일함을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반사층들은 각각 낮은 굴절율과 높은 굴절율을 갖는 두 박막들을 교대로 적층한 구조를 가지며, 상기 공간층은 상기 높은 굴절율을 갖는 박막임을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 각 반사층을 구성하는 각 박막은 상기 박막 내에서의 중심파장의 1/4의 두께를 가지며, 상기 공간층은 상기 공간층 내에서의 중심파장의 1/2의 두께를 가짐을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 두 반사층들의 동일하지 않은 경계조건들을 고려하여 상기 어느 한 반사층의 구성 박막들의 수를 가감시킴으로써, 상기 두 반사층들의 반사율이 동일하도록 함을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기.
  9. 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법에 있어서,
    기판의 상부면에 에피택시얼층을 성장시키는 과정;
    상기 에피택시얼층에 광검출 소자의 패턴을 형성하는 과정;
    상기 광검출 소자의 상부면에 금속 코팅을 하는 과정;
    상기 기판 하부면의 수광면에 다수의 유전체 박막들을 코팅하여 제1 반사층을 형성하는 과정;
    상기 제1 반사층에 유전체 박막을 코팅하여 공간층을 형성하는 과정;
    상기 공간층에 다수의 유전체 박막들을 코팅하여 제2 반사층을 형성하는 과정; 및
    상기 기판 하부면의 수광면을 제외한 영역에 금속층을 코팅하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 광검출 소자는 피.아이.엔.(PIN) 포토다이오드임을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 광검출 소자는 애벌란시 포토다이오드임을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 두 반사층들의 동일하지 않은 경계조건들을 고려한 반사율들은 서로 동일함을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반사층들은 각각 낮은 굴절율과 높은 굴절율을 갖는 두 박막들을 교대로 적층된 구조를 가지며, 상기 공간층은 상기 높은 굴절율을 갖는 박막임을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 각 반사층을 구성하는 각 박막은 상기 박막 내에서의 중심파장의 1/4의 두께를 가지며, 상기 공간층은 상기 공간층 내에서의 중심파장의 1/2의 두께를 가짐을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 두 반사층들의 동일하지 않은 경계조건들을 고려하여 상기 어느 한 반사층의 박막수를 가감시킴으로써, 상기 두 반사층들의 반사율이 동일하도록 함을 특징으로 하는 파장 분할 다중 시스템을 위한 광검출기의 제작방법.
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