TW567177B - Ceramic connection body, method of connecting the ceramic bodies, and ceramic structural body - Google Patents

Description

567177 五、發明說明（1) 益術 本發明為關於陶瓷接合體及其接合 特別為關於光、通信領域中之溫度控制2陶究構造體， 加熱器）和靜電卡盤、電納器等之半制、熱板（陶瓷 中所使用的基板，例如，於内部設置導電^造、檢查裝置 及於此基板底面’接合陶瓷製筒狀U陶竞基板， 體。 τ討所構成的陶瓷構造 嘴景枯衛 於：：蝕刻裝置和化學性氣相成 置、檢查裝置中，以往，使罝寺之+導體裝 製基材的加熱器和靜電卡盤等。 ，秀鋼和鋁合金等金屬 例如，金屬製基板之加埶哭 係為金屬製，故此Αΐ: 有下之問題。基板因 板；其厚置方*，此基 且，厶厘制I』 …、裔之重里變重’體積變大。更 電辦和電::反4之加熱器為經由改變電阻發熱器所外加之 (Λ，稱^里//制將石夕晶圓#被加熱物予以加熱側之面 並不迅速追隨電壓和雷漭 双’皿度 問題。 才電机里之變化，具有難以控制温度之 楛孰=:於曰本專利特開平4-324276號公報等中， 等所禮成之赦：乂度 非氧化物陶瓷’例如氮化鋁 …、陶究加熱器）代替前述金屬製基板。此熱 五、發明說明ϋ 才反為於陶# 孔，彳故a π 土板中，形成電阻發熱體和鎢所構成的直通 此類=端子裝配鎳鉻耐熱合金線。 基板，故研2之熱板因為使用高溫中之機械強度大的陶瓷 結果，且11基板之厚度變薄，並且使得熱容量變小，其 點。〃有基板溫度可迅速追隨電壓和電流量變化之優 所i示ϊ頰J : 2 :本專利特開平2_-1 14355號公報 性點合之陶£與圓板狀之陶竟透過耐熱 合助劑心容：ίίί 接合’或於接合面塗佈含有接 製造步驟所用：：；性使：外部端子等之配線可在半導體 向陶瓷的接合方法另外右^ 口士宙又巧你邊之手 公報所揭示之方法。 另外有如日本專利第2783980號 仁疋’透過耐熱性黏合劑 和圓板狀陶瓷板接合上 f接曰層荨將陶瓷製圓筒 耐腐蝕性不夠充分，故此接合體應用於熱板時，因為 期連續曝露，則除了接I卹，應性氣體和南素氣體等中長 子脫落並附著口 ：， 熱衝擊則圓板狀陶究裂開，裂原因。又，若經 钱=己線和此配線所接續“心 =，具有被腐 本發明之目的為在於担 与止之問題。 之溫度控制元件：熱板等：：：::含有光、通信領域 莞接合體及陶瓷構造體。 衣檢查裝置中的陶 本發明之其他目的為在於提 _ 干导肢製造檢查時 C:\2D-00DE\91-10\9ni6311.ptd 第5頁 567177

長期曝露於腐蝕性氣體中，亦不會令陶瓷彼此間之接合部 腐蝕’並且不會發生顆粒的陶瓷接合體及陶瓷構造體。 ,本發明之再其他目的為在於提案經由熱衝擊之一個陶竞 裂痕不會發展成所接合之全部其他陶瓷裂痕的陶瓷接合體 及陶瓷構造體。 本發明之再其他目的為在於提案令陶瓷接合體彼此間可 接合達成上述目的之方法。 登明之描示 q w nr丹百之上述問題 ’結果查明此些問題點在 緻密（日本專利第2783980 作成多孔質之情形中，可 面’並且’可有效阻止經 裂痕進展至與其接合的其 構造不僅於半導體製造、 究製品，且因此達到完成 ，發現經由抑制一者陶瓷 有可令一者陶瓷體的溫度 點，朝向將 與其將陶瓷 说）’不如 有效防止反 由熱衝擊而 他陶瓷體。 檢查裝置， 本發明。 體至其他陶 降低止於最 發明 其解決 接合界 相反積 應性氣 於一者更且， 其亦可 又， 瓷體的 小限度 者等人 進行致 面之構 極導入 體侵蝕 陶瓷所 發現此 應用於 若根據 熱傳導 的效果 鑑於先 力研究 造作成 粗氣孔 接合界 產生之 類接合 各種陶 本發明 ，則具 :：發：第一為提案於陶瓷 體中，於一者陶瓷體盥1他陶垄μ 』牧。叫欣之接合 為其特徵的陶瓷接合體？ 是體的接合界面’形成氣孔 具體而言，本發明為提荦於 而成之陶究接合體中，=述；陶究體接合其他陶究體 别迷一者陶瓷體與前述其他陶究

567177 五、發明說明（4) 體之接合界面，設置接合助劑；， 成氣孔之形態、或、 曰並且於此接5助劑層形 於一者陶瓷體接合其他陶替辦 · 構成各陶瓷體之陶瓷粒子中 之陶瓷接合體中，於 分為由跨過此接合界面且：；；； =合界面之至少-部 子所構成，並且於此接合其他陶竟體中之成長粒 出 ★ a 丄 4面形成氣孔之形態為佳。 又發：中之前述氣孔以剖面形狀為扁平者為佳。 又又此=為具有_㈣下大小之粗氣孔為佳。 俨中於發：第一為提案於陶瓷體彼此間接合而成之接合 ，：氣於-者陶竟體與其他陶究體的接合界面，形成平： 且Loi構成陶竞體之陶竟粒子之平均粒徑之1/2更大且 八且_ 7以下大小、之粒氣孔為其特徵的陶瓷接合體。 八-而言，本發明為於一者陶瓷體接合其他陶瓷體而 J陶J接合體中，於此些陶瓷體之接合界面設置接合助劑 於此接合助劑層形成平均直徑為比構成陶究體之 陶竞粒子之平均粒徑之1/2更大且具有20 00 _以下大小之 粗氣孔的形態、或、 於一者陶瓷體接合其他陶瓷體而成之陶瓷接合體中，於 f成各陶瓷體之陶瓷粒子中之存在於接合界面之至少一部 刀為由跨過此接合界面且彼此侵入其他陶瓷體中之成長粒 子所構成，並且於此接合界面形成平均直徑為比構成陶瓷 體之陶瓷粒子之平均粒徑之1/2更大且具有2〇〇〇 以下大 小之粗氣孔的形態為佳。 本發明第二為提案於陶瓷體彼此間接合而成之接合體

C:\2D-00DE\91-10\91116311.ptd 第7頁 567177 i、發明說明（5) 中、，於一者陶瓷體與其他陶瓷體 徑為比構成陶究體之陶兗平口 ，，形成平均直 以爪以下大小之粗氣孔為盆^之千均粒徑更大且具有2000 之陶；；：體Ϊ發；陶究體接合其崎體而成 接合界面，：置接：二声一者：究體與前述其繼體之 均直徑為比構成陶究體：合助劑層形成平 議㈣下大小之粗氣孔的^ /均粒徑更大且具有 於一者陶瓷體接合其他陶雕 構成各陶Μ之陶究粒子中成之陶究接合體中，於 分為由跨過此接人ί 在於接合界面之至少一部 子所構成，並且：此接；2侵入其他陶究體中之成長粒 體之陶…之平均；===徑為比構繼 粗氣孔的形態為佳。 大且/、有2000心以下大小之 尚，於此發明中，於桩人 陶究體中之開氣孔或閉氣以所： 他陶究體表面及經由粒；體表面與其 類粗氣孔，較佳又’為了於接合界面生成此 =二之為::’且本發明為適合使用於光、 別為熱板（陶兗加熱器）、靜 一衣置特 子腳、:賤錢裝置等組合二卡二 又本’X明第四為提案將内部形成導電體之陶瓷基板、

567177 五、發明說明（6) 和陶瓷體接合而成之陶瓷構造體中认 述陶究體之接合界面，形成氣孔為=述陶 具體而言，本發明為將内部形成/導=做之陶 陶瓷體接合而成之陶瓷構造體中呦體之陶 接合界面，設置接合助劑層，並c板 孔之形態、或、 於此接合助 將内部形成導電體之陶瓷基板、 究構造體中，構成陶竟基板及陶究體接 一部分為跨過此接合界面且彼此侵入陶瓷粒 體中之成長粒子所構成，並且於;^陶竟 態為佳。 G镬合界面形 尚，於本發明中，氣孔之剖面形 孔為20 00以下大小之粗氣孔為佳為扁平為 本發明第五為提案將内部形成導電體之 瓷體接合而成之陶瓷構造體中， 之接&界面，形成平均直徑為比構成陶 平均粒徑之1/2更大且具有200 0 以下大 特徵的陶瓷構造體。 具體而言，本發明為將内部形成導電體之陶 陶瓷體接合而成之陶瓷構造體中，於陶究基板 接合界面，設置接合助劑層，並且於此接^助 均直徑為比構成陶瓷體之陶瓷粒子之平均粒徑 且具有2 0 0 0 // m以下大小之粗氣孔的形態、戍、 將内部形成導電體之陶瓷基板、和陶\體接 瓷基板和前 瓷構造體。 瓷基板、和 和陶瓷體之 劑層形成氣 合而成之陶 子中之至少 基板及陶瓷 成氣孔之形 佳 又 氣 基板、和陶 和該陶瓷體 陶瓷粒子之 粗氣孔為其 兗基板、和 和陶瓷體之 劑層形成平 之1/2更大 合而成之陶

C:\2D-00DE\91-10\911163n.ptd 567177 五、發明說明（7) 瓷構造體中，構成陶瓷基板及陶瓷體之陶瓷粒子中之至 邮=ί Ϊ過此接合界面且彼此侵入其他陶究基板及陶究 Z t ϊ ί 子所構成，並且於此接合界面形成平均直徑 構成陶究體之陶究粒子之平均粒徑之1/2更大且具有 2 0 0 0 // m大小之粗氣孔的形態為佳。 -in!六為提案將内部設置導電體之陶究基板和陶究 之陶竟構造體中：於前述陶究基板和前述陶竟 虹 〇 I面，形成平均直徑為比構成陶瓷體之陶瓷粒子 徑更大且具有20 00 "m以下大小之粗 徵的陶瓷構造體。 ^ $ i ί=5二本發明為將内部設置導電體之陶究基板和陶 =接合：成之陶究構造體中，㈣究基板和陶究體之接 :二ϋ: f置接合助劑層’並且於此接合助劑層形成平均 直徑為比構成陶瓷體之陶瓷粒子之平均粒徑更大且具有 2 0 0 0 // m以下大小之粗氣孔的形態、或、 媒ί 2 :言史置導電體之陶瓷基板和陶瓷體接合而成之陶瓷 ^ f ，於遠陶瓷基板和該陶瓷體之接合界面，構成陶 i i i:f體之陶竞粒子中之至少-部分為跨過此接合 ^面且纟此侵\其他陶竞基板及陶究體中之成長粒子所構 陁荜=且t ί接合界面形成平均直徑為比構成陶瓷基板或 陶瓷體之陶瓷粒子之平均粒徑更大且具有2〇〇〇 以下大 小之粗氣孔的形態為佳。 ΐ: 2上述各發明中，力接合卩面所形成之該粗氣孔為 與陶竞基板及陶究體中通常生成的開氣孔或閉氣孔不同，

C:\2D-OODE\9MO\9m6311.ptd 第10頁 567177 五、發明說明（8) =夕卜:子在於接合助劑層中，以該接合助劑層 2 究體之表面所構成，•’於陶究基 面和 陶免體之表面及經由粒成長所生成之陶究成長粒子之間所 形成者，其剖面形狀以扁平（參照圖丨〇、丨丨）為佳。 亥粗氣孔為空氣進入之空隙、前述陶竟體為將陶曼 基板内。卩之導電體所電性接續的導體埋設於該陶 部、或收容於筒狀陶究體之筒内部、前述陶兗粒子為由氮 ϊϊΐίΓ夕所構成、！述接合助劑為由紀化合物及镱化 合物中遥出一種以上，分別為較佳的實施形能。 接合；為在將—者陶究體與其繼 體接δ柃，百先將至少一者之陶瓷體接合面予以 其次將此鏡面於此次 成R随為0.1㈣以上、Ra超過_之粗度，== 接合面塗佈使用釔化合物和/或镱化合物之$ 於1 8 0 0 °c以下之溫度烺燒則可接合。 〇 诏，並 如上述所闡明般，本發明之特徵為 的面粗織ax)變大，如此接合界面 填空氣等氣體之氣孔，並且經由此氣孔輕易形成充 鹵素和cf4等之腐蝕性等離子體氣 ： 入 進行…，若根據本發明，以使；亡：阻止腐餘之 熱衝擊而發生裂痕，亦可令此裂痕之進展：等因 ^氣孔部分停i，故可發揮難以波及其他陶“等：；前 第11頁 C:\2D-OODE\9MO\9I116311.ptd 五、發明說明（9) 陶是體之）界面設置剖面扁平狀 =闹是基板和 陶兗體（陶究基板）往其他陶究體的=皇道故可阻止由一者 阻。因此，亦具有不會令陶 陶、、傳導1且變成熱電 降低之優點。此點’若氣孔形狀為 ： 生 低，且陶究體(陶究基板)之溫度於接合“裏面：降幾能 ("J" ΐ； ί ϊ ί Γ ^ ^" L/1>1。 卸垂直方向之厚度1 )為 尚，令面粗度變大之理由為因接 大，故意指可將接合強度之降低,於;^分變 使積極形成氣孔，亦具有不會’即 低。 逆帶造成接合強度的降 中又期’於接合界面形成接合助劑層之情形 /月2於此接合助劑層中形成# 層除了以接合助劑做為主成分所形：：:L外此:員;妾合助劑 劑之濃度為相對多的層狀區域。例=二亦指接合助 間之接合界面的電子顯微鏡照片中：J 乂N彼此 色部分為前述氣孔，另一方面，白色2 =界面的黑 釔化合物之接合助劑層。 不連々之邛分為表示 此些氣孔以其平均直徑為比構成 體之平均直徑更大，且為2_…是體之各陶:粒子單 述接合助劑層之厚度為以。 56/1// 五、發明說明（10) 由此接合助劑層之存在而令 ^ 作成此程度之厚度。較佳為卜^體彼：間接妾’故期望 氣孔的平均直徑為指：左右。尚，所謂前述 面，並測定各攝影映像之鏡攝影10處接合界面的剖 為平均氣孔徑。 〃的。彳面直徑，且以其平均視 又’圖11為具有Rmax為〇 究體中之陶究粒子’為超過接A 表面粗度之一者陶 粒成長而侵入構造之接合界面：電=:=陶竟體中 J之接合界面亦形成前述粗氣孔。即於此情 而彼此侵入由在其他陶究體中之粒成長 體之接σ界面亚不存在接合助劑層：f 失之狀能二竞體中而一體化，經由令邊界消 m 兩者為強力接合。並且，於此類接合. 氣孔為橫跨陶究體之表面及與成長粒子 苦3:二則述該接合界面可產生的前述粗氣孔並非為陶 ^ 形成的開氣孔和閉氣孔，且可與其明確地區 別為於者陶瓷體之表面和其他陶瓷體之表面及粒成長 之粒子之間於熱處理時新生成、形成之粗氣孔。 刖述陶瓷可適當使用氮化鋁或氮化矽，且前述接合助劑 期望使用釔化合物及镱化合物等。釔化合物及镱化合物為 氮化鋁或氮化矽之燒結助劑，具有易令粒成長之優點。 前述粗氣孔以平均直徑為2 0 0 0 // m以下為其上限。又， C:\2D-OODE\9MO\91116311.ptd 第13頁 567177 五、發明說明（11) ίϊΐί粗氣孔平均直徑為超過20 00㈣的氣孔，則接合 可Γ J又，亦令裂痕進展。尚，直徑為剖面視直徑， 鏡ί影接合界面之剖面’並且測定氣孔長度 直徑予以平均Γ思10處進行此類攝影，並將所得之剖面視 直面目’丨lb粗氣孔於平均直徑為各個陶究粒子之平均 於;展又，無法停止裂痕的 孔直押a丨认f為 邊界發展，故粗氣孔之平均氣 玉”、、’、；粒徑時，無法停止裂痕的發展。 面或研均直徑為以電子顯微鏡攝影牧剖斷 大直粒子並不限於球形，故測定最 予以平均，視ί;;;:::;:直::各攝f映像中之粒徑 直徑普通為比原料粉末之直’：二:位；；：=粒子之 長。此類陶瓷粒子之平均直 t由k結而成 以卜20_為最佳。其理由制Ύ為0、.5〜50_，且特別 存在的熱傳導率、強户降.以下，可令粒子邊界 成長時產生格子缺陷：故使：:超過50 # m ’則於粒 又，粗氣孔以平始古吏”，、傳導率、強度降低。 1/2且為2000 以下者役g =個陶瓷粒子之平均直徑之 導。氣孔之平均直徑為未$瓷：土陶瓷體彼此間的熱傳 則因陶竟結晶晶格而進m平均直徑之1/2， 則無法傳導，且經…得導相反若超過20 00以m， 防止熱傳導。於熱傳‘之：而將熱傳導’故依然無法 守之嬈點下，以上述範圍為最適。 ΚίϊΙί 第14頁 C:\2D-CODE\91-J0\9i ιι63^7 567177 五、發明說明（12) 於本發明中，製造上述陶瓷接合體時，以下述之接合方 法為有利且合適。

方法1 :首先，將陶瓷體表面予以鏡面研磨，將J IS R 0 6 0 1 R m a X作成未滿〇 · 1 # m的鏡面，其後，予以噴砂處理 將JIS R0601 Rmax作成〇·1 //m以上的粗面。此時，期望令 Ra亦超過0.1 //m。其次，於前述一者陶瓷體和/或前述其 他陶瓷體之接合界面部分，將釔化合物及镱化合物所選出 之一種以上接合助劑之溶液以〇. 3 〇莫耳/升以上之濃度塗 佈，其次於1 8 0 0 °C以下煅燒。尚，於此情形中，若將接合 助劑之濃度提兩超過上述數值、或降低般燒溫度，則接合 助劑之擴散難以進行且引起粒子凝集。 即，本發明為經由採用此類接合方法，則可於接合助劑 層中發生導入粗氣孔。另一方面，此時，於此接合助劑層 中因為陶究體中之粒子為成長且侵入，故陶瓷體彼此間為 透過此接合助劑層而進一步強力結合。 方法2:首先’將陶瓷體表面予以鏡面研磨，將JIS B060 1 Rmax作成未滿〇.1 的鏡面，其後，予以噴砂處理 將J IS B0 6 0 1 Rmax作成〇玉"爪以上的粗面。其次以前述 一者陶究體和/或前述其他陶瓷體之接合界面做為表面， 將=:物及镱化合物所選出之一種以上接合助劑之溶液 以.、耳/升以上之濃度塗佈，其次於1 800 °C以下煅 ί二Ϊ此吻令接合助劑之濃度降低，J•煅燒溫度亦降低之 是，粒成長本身為：成f為呈現部分的’並發生氣孔。但 才句進仃超過接合界面旅且相互侵入會合，

第15頁

567177 五、發明說明（13) 變成未察見邊界且一體化結合。 然而，於日本專利第278398〇號中，關於面粗度為著眼 於平均粗度Ra且作成〇 m以下，但本發明為著眼於最大 粗度Rmax。Ra為平均面粗度，Rmax為最大山與谷的高低 差丨有所不同。於本發明中，為了輕易導入上述粗=孔， 乃採用以Rniax表示，且將MRmax調整成超過〇·】。陶瓷 體表面之表面粗度於Ra:〇·丨左右則大約為完全的鏡 面’但其並無法形成本發明所必要的氣孔。 又，日本專利第2783980號中，其接合助劑之農声 0.26莫耳/升’又，般燒溫度亦高至185〇。〇以上，以 明為令煅燒溫度l80(rc以下、較佳為低至175〇它以下，又且 ΪοΊίί濃/為大幅提高並為"°莫耳/升以上，相反 Ϊ耳/升以下，則於接合界面發生所欲大小的氣 孔’可達成耐腐餘性及防止裂痕的發展。 ” 尚，接合助劑若於濃度為〇·2〇〜0 30莫 本發明接合故為佳，此意指 尚，接合時，亦可令陶瓷體彼此間僅以 結，但亦可加壓5〜100g/cm2(0.49〜 =仃冼 接合。 y · 8Kpa/cm2)左右予以 壁_巧之最形熊 於二示實施例’但本發明並非僅被限定 C:\2D-roDE\91-10\9l11631l.ptd 第16頁 567177 五、發明說明（14) 首先，關於陶瓷複合體，以其内部設置導電體之陶瓷基 ，底面’接合陶瓷製之筒狀體（以下，稱為「端子保護 筒」）例予以敘述。 首先將陶究基板或纟而子保護同之至少一者的表面予以鏡 面研磨，令JIS B0 60 1 Rmax未滿〇_ i ，其後，予以噴砂 處理作成JIS B0601 Rmax為〇. 1 以上的粗面。又，Ra為 超過0.1 。上述研磨為使用金剛石研磨石和金剛石糊狀 物予以拋光作成鏡面。另一方面，噴砂為吹以Sic、鍅 石、二氧化鋁等進行。 =發明中，於作成粗面前進行鏡面研磨之理由為 面研磨而進行粗化處理，則常常於粗化面之凹凸 令Γ匕面控制成再現性良好的所欲―值 二，若予以粗面化’則可令r—以再現性芦 好且正確地控制。 订％〖生良 其次，於上述陶瓷基板和/或上述端 面，塗佈接合助劑溶液（濃度 s接&界 放上述端子保護筒後，將上述陶 述陶瓷基板上，载 於1 800。(：以下加熱，使得此兩者接二反”上述端子保護筒 圖la〜圖Id為用於說明本發明之二二 出於陶瓷基板内部具有電阻發埶二，例，為模型式示 法的剖面圖。 之熱板之一部分製造方 (1) 述片之製作步驟 首先’將氮化銘等之陶杳Ψ、士 陶是如末與黏合劑、溶劑等混合調

C:\2D-C0DE\91-10\911163Il.ptd 567177

製糊狀物，並將此糊狀物以刮刀法製作坯片5 〇。 上述黏合劑期望由丙烯酸系黏合劑、乙基纖維素、丁基 溶纖劑、聚乙烯醇中選出至少一種。上述溶劑使用 品酵和乙二醇等為佳。尚’視需要’亦可加入三氧化二釔 等之燒結助劑。 前述 製作時 電路之 和外部 又， 秒晶圓 撐栓的 底孔的 之坯片 述力口工 坯片50之厚度以〇.；[〜5mm左右為佳。於此坯片5〇之 更且，製作形成用以接續電阻發熱體端部和導體 ^孔部分63G的链以G，及形成用以接續導體電路 立而子之直通孔部分63、63’的链片5〇。

此時於衣作坯片時’視需要，再形成插入用以搬運 之：降栓的貫穿孔部分、安裝用以支撐石夕晶圓之支 :坑部分、成為用以埋入熱電對等之測溫元件之有 d广貫穿孔、凹坑、有底孔為於形成後述 =體後，或’形成上述層合體，且炮燒後進行上 ==成為雙孔部分630及成為直通孔63、6 糊狀物中加入碳的物質。述片中之碳為盥直： 中所充填的鶴和#目反應，形成彼等的碳化物。” (2)於坯片上印刷導體糊狀物之步驟

於形成雙孔部分63〇之链片|^ ν : 有導雷性陶方二：J Ρ刷金屬糊狀物或含 有：電f生陶竞的導體糊狀物(含有金屬粒子: 粒子），形成導體糊狀層62。 電丨生陶爱 =子、和銷粒子等之上述金屬粒子使用平均 〇·5 5 # m左右者為佳。若平均 、、、 位l未滿〇 · 1 # m或超過5

567177

U m ’則導體糊狀物的印刷困難。 此類導體糊狀物可列舉例如金屬 重量份，·丙稀酸系、乙基纖維\導、電= ^ ^ ^ ^ 種黏合劑：1 · 5〜1 0重量份、 α - ί占品醇、乙二醇所選出之至少 λ ^ ^ 1 ^ ^ ^ ^ 種溶劑·· 1 · 5〜1 〇重量 伤化合而成的組成物（糊狀物）。 之坯片5 0上，將形成靜 狀物予以印刷，形成導體 又’於形成直通孔部分63、63, 電電極等時所通常使用的導體糊 糊狀層6 8。 尚，亦可於前述坯片50上接黏金屬、導電性陶瓷的金屬 絲、箔等，代替上述導體糊狀物。 (3) 链片之層合步驟 於印刷導體糊狀層6 2之坯片5 0上，將未印刷導體糊狀物 之坯片50以數層疊層，於其下，將形成導體糊狀層68之坯 片予以重疊。其後，於此坯片之下方，再將無任何印刷之 坯片5 0以數枚疊層（圖1 a)。 此時，於印刷導體糊狀層62之坯片上側所疊層之链片5〇 數目為比下側疊層之坯片5 〇數目更多，使得所製造之電阻 發熱體的形成位置為偏芯至底面側的方向。具體而言，上 側坯片5 0之層合數為2 0〜5 0牧，而下側坯片5 0之層合數為 5〜2 0牧為佳。 (4) 坯片層合體之煅燒步驟 進行链片層合體之加熱、加壓’且令迷片50及内部之導 體糊狀層6 2、6 8等進行燒結，製造陶兗基板11、電阻發熱

C:\2D-OODE\9MO\911l6311.ptd 第19頁 567177 五、發明說明（17) 體12及導體電路is等。上述加熱之溫度以1〇〇〇〜2000。(：為 佳’又，上述加壓之壓力以10〜20MPa左右為佳。此類加 熱可在氬、氮等惰性氣體氛圍氣中進行。 其次’於陶瓷基板1 1之底面1 1 b，穿設用以插入測溫元 件的有底孔（未予圖示）。此有底孔為於表面研磨後，經由 進行鑽孔加工和噴砂等之鼓風處理等即可形成。尚，上述 有底孔和凹坑可在後述陶瓷基板1丨和端子保護筒丨7接合後 設置，且亦可於坯片50預先設置有底孔部分，與坯片50疊 層、煅燒同時形成。 兩又’形成令接續内部電阻發熱體i 2用之直通孔丨3、1 3， 鉻出的衣孔1 9。此袋孔1 9亦可於陶瓷基板丨丨與端子保護筒 1 7接合後設置。 (5) 端子保護筒之製造 化鋁等之陶瓷粉末放入筒狀成形型予以成形，視需 、行切斷加工。將其於加熱溫度丨〇 〇 〇〜2 〇 〇 〇 ^、常壓下 Γ:: 陶究製之端子保護筒17。此燒結為在惰性氣體 1述1瓷粉Ϊ;惰性氣體可例如使用氬、氮等。此處，於 算 ^ ，期望含有做為燒結助劑的三氧化二釔 化了 #1 β將^ ^端子保護筒1 7之接合端面予以研磨平扫 未滿0·! ”ί面：以鏡面研磨，令JIS β_1 為0.1 am以上。八後，予以喷砂處理令JIS B0 6 0 1 Rmax ” 研磨為使用金剛石研磨石和金剛石糊狀物 C:\2D-OODE\9MO\91116311.ptd 第20頁 567177

予以拋光作成鏡面。^ 行。陶免基板u與筒狀二為二C入、石、二氧化銘等進 ⑴S-議〇1 R随):狀]體17之，合面最大面粗度 合面易生成氣孔。 ㈣以上。若超過0.1心，則於接 (6)接合助劑之塗佈步驟 接合助劑可使用水溶性 酸"液之濃度為"莫耳=上，；、：酸纪、硝 斗 ‘ · d其耳/升以上、或反之為〇· 2莫耳/ 升=。如先刖所說明㉟，因為可令粗氣孔輕易發生。 ㈣Uii(5)步驟所製造之陶£基板11和/或端子保 5蔓琦17之接合面，塗佈液狀體2 10(圖lb)。 亡=液狀體之溶劑期望為水、乙醇等。I氣化釔為被此 些溶劑所溶解。 (7 ) 陶究基板與端子保護筒的接合步驟 於土，步驟（6)之塗佈步驟終了之陶瓷基板n上載放端 子保護筒1 7 ’經由將陶瓷基板丨丨和端子保護筒丨7加熱，使 得液狀體作成陶瓷接合層2丨，透過此陶瓷接合層2丨將陶瓷 基板11和端子保護筒接合。此時，於端子保護筒丨7之内徑 内側收藏陶瓷基板11内之直通孔丨3、1 3，地令端子保護筒 1 7接合陶瓷基板11的底面11 b (圖1 c )。 又’於陶瓷基板11與端子保護筒17之接合中，以〇. 49〜 9· 8KPa/cm2之壓力將該端子保護筒17壓至陶瓷基板丨丨，並 以此狀態加熱接合為佳。經由如此於加壓狀態下接合，則 可令兩者更加強力接合。 將陶瓷基板11與端子保護筒17接合時，期望在1 800 t以

C:\2D-OODE\9MO\91116311.ptd 567177 五、發明說明（19) 下之較低溫下加敎。拉人 上，或反之為〇 2莫耳接=劑之濃度為高至〇· 3莫耳/升以 耳/升之銘囹 莫耳/升以下。其理由係因在0. 2〜0 3莫 :/ΛΛ’則接合助劑為迅速擴散，且構成陶究之/ 子為充分成長，故於接合 再取Ν无之粒 為佳。 ，面不^毛生虱孔，且可接合故 本發明中，特別調整Rmax， ，並且，將接人日4夕^舢 且7 KRl«ax调整超過〇· ! 孔之直徑二時之加熱溫度調整至1_。。以下，調節氣 (8 ) 端子等之安裝 於前述端子保護筒17之内側 與焊藥和蠟材共同填入，並Η Λ ^敕孔1 9將外部端子23 23接續至直通孔13、、13，（圖：加熱迴流’則可將外部端子 理之情形中，以90〜45(rc為度於钚樂處 9〇〇〜1100 t為適當。 、田，以蠟材處理之情形以 其次，於此外部端子23透過插 線230(參照圖3)。更且，將丄接、，貝電源並且接續導電 插入有底孔14内，：：耐：等 造：ίΓΐ備氮化紹製之端子保護筒的熱板。…里，製 匕…、板為用於其上面載放矽晶圓等之半導體曰 將矽晶圓等以升降栓和支撐栓等 Βθ ，或， 晶圓等之加熱和冷卻，一邊進行洗淨等-邊進行石夕 製造上述熱板時，於陶瓷基板 形中，可作成靜電卡盤。但，=電電極之情 電電極和外部端子的直通孔，作’、：：成用u接續靜 但並不必要形成用以插入支 C:\2D-CODE\9MO\911163] 】.ptd 第22頁 567177

567177 五、發明說明（21) 更且，於前述一者陶瓷基板丨丨和前述其他 J護筒)η之接合界面21，形成接合助劑層21 :助劑層21中必須形成前述粗氣孔。前述接合助劑層為指 合助劑做為主成分、或接合助劑之濃度為相對多的^狀 二域。圖1 〇所示之接合界面的電子顯微鏡照曰 =層的構造’☆中央之接合界面觀察到黑色氣/二 色不連續的接合助劑層。白色部分為釔化合物， :分為氣孔。將釔化合物放大之照片為圖丨〇c、圖丨〇d二、釔 化合物與ALN接觸之部分為形成YAG (釔_鋁_石榴石 昭 為拍照成灰色。 ' 前述粗氣孔之平均直徑為2000 以下，較佳為2〜ι〇〇〇 。接合助劑層之厚度為〇1〜1〇〇/zm。接合助 力將陶瓷體彼此間予以接黏。 為強 尚，圖11中，於陶瓷體和其他陶瓷體之接合界面，並 存在接合助劑層，陶瓷粒子為成長且彼此相互交合一體化 ，且未察見邊界。並且，粗氣孔為經由陶瓷體之表面及盥 成長粒子之各邊界所構成。此粗氣孔之大小為平均直徑G “m左右，接合助劑層之厚度為5#m左右。即，圖Ua二 11b中，已知粗氣孔於接合界面連續存在。又，由圖Η'。二 知於接合界面，並未確認到接合助劑相對多的層。若^ 紀多之層，則於X射線之反射下拍照成白色。 子 於陶瓷基板11之内部，如圖2所示般，形成由圓心圓形 狀之電路所構成的電阻發熱體12，此些電阻發埶 y 彼此接近之雙重同心圓彼此間做為一組電路，並以一根線

C:\2D-raDE\9M〇\91116311.ptd 第24頁 )()7177 五、發明說明（22) 予以接續。 向所之Vv二電阻發熱體12與底面iib之間，朝 .b ^ f 8 ^ aVf Λ ^?L130 ^# ° 中央部，於陶曼基板u之内=電=熱體端部i2a埋設於 近延伸之導體電路18之另一 ^ =保護筒17之内側附 及令此直通孔13，露出的參孔9的正//3，形成直通孔13, 層(未予圖示)且前端為:;L1 开狀=通孔13,為透，焊藥 端子保護筒π㈣n Λ Λ 料23接續。 此雙孔和導體電路是不需要Uft體端部i2a時’因 亩視力]Q . 要在電阻發熱體的端部上形成 直通孔13，透過焊藥與外部端子23接續。 導電^〇外子23女裝具有導電線2 3 0之插座25，且此 HU底板（未予圖示）所形成之貫穿孔而被拉出 外°^並與電源等（未予圖示）接續。 另方面’於陶瓷基板u底面llb所形成的有底孔Η 射赦2具有導線290之熱電對等的測溫元件180，並使用 邑n脂、陶竟（石夕膠）等予以封裝。此導線29〇為插通 ί予圖示)之内部，通過支樓容器之底板所形成的 i。承β予圖不）拉出外部’且絕緣器之内部亦與外部隔 #隊/於陶瓷基板11之中央附近部分，設置用以插通 升降栓（未予圖示）之貫穿孔15。 令之升降检為於其上載放矽晶圓等之被處理物並且可 八下移動’如此’將矽晶圓以未圖示之搬送機予以拉

567177 五、發明說明（23) 上’並且由搬送機接受矽晶圓，同時將矽晶圓於陶瓷基板 以50〜2〇〇〇//m之狀態下支撐、加熱。 …面lla 又於陶瓷基板11設置貫穿孔和凹部，且於此貫穿孔式 =:番々前端為尖塔狀或半球狀支樓栓後，將支樓栓由； ί m:突出之狀態下固$，並以上述支撐栓將矽 :曰=’且由加熱面Ua保持50〜2〇〇〇_距離 加熱亦可。 r 4 ί圖=:但於支撐容器之底板亦可設置冷媒導入 官專。此時’力此冷媒導入管透過配管導入冷媒，則 制陶瓷基板11之溫度和冷卻速度等。 、^ 至ΐΐΐϊ〗=將端部保護筒17透過陶竟接合層21接合 ί !瓷基面llb，且此端部保護筒17為被安裝至 未=的支#容器底板（容器壁卜故此 側與其外側為呈完全被隔離之狀能。 Π (之内 以miL貫穿，所拉出之導電線23°以管狀材料予 :保^則在熱板i 〇之周圍為含有反應性氣體和齒 不ΐί反應性氣體等為易進入支撑容器内部之 r則溫元件18°之配線29°亦因絕緣器等之=而不會ί J i卜:” :ρ Ϊ護筒17之内部慢慢流入惰性氣體等，使 付反應性氣體和齒辛氣Μ裝又奋使 凶I礼體4不會流入端部保護筒丨7之 4 ’更加確貫防止導電線23 0的腐蝕。

C:\2D-CODE\9MO\91116311.ptd 第26頁 567177 五、發明說明（24) 前述端部保護筒17為亦具有牢固支 二广使將陶竟基板"於高溫中加 體重量所造成之彎曲，其結 …、日可，亦可防止因自 的破損，ϋ且亦可將該被處理物以均J:j圓等被處理物 其次，說明關於本發明之陶究接合：：2加熱。 板11之H可列舉氮化物陶冑 “ j。形成陶兗基 等。氮化物陶兗、碳化物陶究、氧:η、氧化物陶竞 數比金屬小’且機械強度比金 ：,等之熱膨脹係 厚度變薄，亦不會因加熱而彎：更陶究基板之 基板作成薄且輕。更且，因為，因此，可將陶瓷 陶瓷基板本身薄，故陶瓷其板二板的熱傳導率高，且 發熱體的溫度變化。即由改=度以； 熱^變&，則可控制陶竟基板；表令電阻發 :氮3 ί化ϊ口可列舉例如氮化紹、氮切、氮化 朋孔，鈦4。其可早獨使用，或併用二種以上亦可。 二，物陶究可列舉例如碳化石夕、碳化錯、碳化鈦、 ;化釔、k化鎢等。其可單獨使用，或併用二種以上亦 更且，氧化物陶瓷可列舉例如氧化鋁、堇青石、 ;石…、氧化錢等。其可單獨使用，或併用二種以上 亦可。 其中，以氮化鋁為最佳。經由令陶瓷基板〗〗與陶瓷接合 層21為相同材質，則可令兩者間之熱膨脹率之差變少，故 接合後之殘留應力變少，於接合部分不會發生裂痕等。 第27頁 C:\2D-00DE\91-1_ 116311 .ptd 567177

鋁為耐腐蝕性優良，故即使於腐蝕性氣―A 不會腐蝕陶瓷其#彳T ^ H内蝕性軋體之氛圍 又，氮化 氣下，亦 至180W/m 陶瓷基 下。具有 熱板為以 此處， 度視為1 0 明亮度之 號表示。 此時小數 •κ，故二板11。£且，因為熱傳導率為高 K 故/皿度追隨性亦優良。 门 板11期望其亮度根據JIS ζ 872 1之 此類亮度者為輻射熱量、隱蔽性 :、:: ;電微型組件，可測定正確的表面：度：此類 广乂理想的黑色亮度視為〇，理想的白色亮 、/; 11些黑色亮度和白色亮度之間，將此 ，識以等裎度分割成10等分，並以NO〜NIO^記 實際之測定為與N0〜N10對應之色澤進行比輕°。 點1位為〇或5。 具有此類特性之陶瓷基板11為令基板中含有100〜 5j〇〇PPm左右之碳則可取得。碳可為非晶質及結晶質物 質，非晶質之碳可抑制基板於高溫中之體積電阻率的降 低，結晶質之碳可抑制基板於高溫中之熱傳導率的降低， 故根據所製造基板之目的等選擇適當的碳種類。 非晶質之碳，例如將僅由C、η、〇所構成之烴類、較佳 為糖類於空氣中煅燒則可取得，結晶質之碳可使用石墨粉 末等。又’令丙烯酸系樹脂於惰性氛圍氣下熱分解後，予 以加熱加壓即可取得碳，但經由令此丙稀酸系樹脂之酸值 變化，則可調整結晶性（非晶性）之程度。 陶究基板11之形狀如圖2所示之圓板形狀為佳，其直徑 以2 0 0mm以上為佳，以25〇mm以上為最佳。圓板形狀之陶瓷 基板11雖要求溫度之均勻性，但直徑愈大之基板則溫度愈

C:\2D-CODE\9MO\9ni6311.ptd 第28頁 567177 五、發明說明（26) 易變成不均句

陶兗基板11之厚度以50mm以下為佳，以20mm以下更佳。 又，以1〜5mm為最佳。其厚度若過薄，則於高溫加埶二 發生彎曲，另一方面，若過厚則熱容量變成過大， 降溫特性降低。 ^ 又， 孔率為 可有效 構成 瓷、氧 佳。 若端 間，熱 合部分 使於腐 又，敎 電阻 可列舉 之組合 度期望 經由 阻值變 於厚度 電阻 陶瓷基板11本身之氣 以阿基米德法予以測 抑制高溫下之熱傳導 端部保護筒1 7之陶瓷 化物陶瓷等，其中， 部保護筒1 7 膨服率之差 不會發生裂 名虫性氣體之 傳導率為高 發熱體1 2之 漩渦形狀、 。又，電阻 為5〜2 0 // m 令電阻發熱 化，而此範 愈薄、寬度 發熱體1 2以 與陶瓷接 變少，故 痕。又， 氛圍氣下 至180W/m 圖型除了 偏心圓形 發熱體1 2 〇 體1 2之厚 圍為最實 愈窄則愈 剖面為方 定。若為此氣孔率之範圍，則 率降低，和發生彎曲。 可列舉氮化物陶瓷、碳化物陶 以氮化物陶瓷之氮化鉻為最 合層2 1為相同材質，則兩者之 接合後之殘留應力變少，於接 氮化鋁因耐腐蝕性優良，故即 ,亦不會腐蝕陶瓷基板11。 • K，故溫度追隨性亦優良。 圖2所示之同心圓形狀以外， 狀、同心圓形狀和彎曲線形狀 之厚度期望為1〜50"m，其寬 度和寬度變化，即可使得其電 用的。電阻發熱體12之電阻值 大。形、橢圓形、紡錘形、魚糕形

五、發明說明（27) 狀之任何一種，但以扁平者為佳。扁平者因易 11 a放熱，故對於加熱面丨丨a之熱傳遞量變多，造 面1 1 a的溫度分佈。尚，雷 、k成加… 於埶Φ，士+電阻發熱體12亦可為螺旋形狀。 於熱板10中，由電阻發熱體12 以上即可，並無特別限定，但為了將加熱：以 熱，期望形成複數的電路。 a均勻加 於陶瓷基板1 2之内部形成電阻發埶體丨〗 為止之位置形成至少一層為佳。熱在傳搬，、予又之60% 間擴散，易令加熱面lla的溫度均勻。 ％、、、面118之 全ίΓίίί1^部形成電阻發熱體時，較佳使用由 金屬和導電性陶瓷所構成的導體 佳使用由 1 1之内部形成電阻發熱體】2時，於 y，於陶瓷基板 後，將坯片疊層、煅烊，A + 、坯月上形成導體糊狀層 上述之導體糊狀物 1無==作電阻發熱體12。 了含有金屬粒子或導電性 、疋’但為了確保導電性除 劑、增黏劑等。上述全屬工以外，較佳含有樹脂、溶 翻、⑹、錯、鸫、，目屬么\例如以貴金屬（金、銀、 可併用二種以上。此些金屬較、、、佳^。此可單獨使用，且亦 的電阻值。 、乳化，且具有發熱上充分 上述金屬粒子之形狀可為球狀， 、 此些金屬粒子時，可為上述 且亦可為磷片狀。使用 物。上述金屬粒子為磷片狀物狀物和上述磷片狀物之混合 混合物時，易保持金屬或、球狀物和磷片狀物之 于間的金屬氧化4勿，令電阻發熱 567177

且’電阻值變大，故為 五、發明說明（28) 體1 2與陶瓷基板11之密合性確實 有利。 上述導電性陶瓷可列舉例如鎢、鉬之碳化物等。1 。 獨使用’或併用二種以上。此些金屬粒子或導電性陶： 子之粒徑以〇.】〜！〇〇 為佳。若過於微細至未滿〇1^才 m，則易氧化，另一方面，若超過1〇〇⑽，則難 社， 且電阻值變大。 σ =糊狀物中所使用之樹脂可列舉例如環氧樹 維素等。 彳j如異丙知專。增黏劑可列舉纖 尚，於基板内部形成導體電路18時，除 述電阻發熱體12時所使用之金屬 形成上 體糊狀物以外，可使用形電性陶竞所構成之導 狀物等。 〖用$成電極等時所通常使用的導體糊 導體電路18之大小並無特別 ， 、厚度為0· 1〜5 00 為佳，卫異痒π $見人又為〇· 1〜50_ 之端部至陶竟基板η中央附近且所長/入可配，電阻發熱體12 之距離適當調整。 斤接s之同狀體1 7内側為止 本發明之熱板1 〇期望於J 〇〇 〇 t：以上使用。 U C以上使用，且更期望於200 本發明中，透過插座2 R I & λ non ^ ^、卜4端子2 3接續的導雷飧 230，為了防止與其他導電 女只曰]导電線 鋁、矽石、堇青石、# /頬絕緣性材料可列舉氧化 堇月石“呂紅柱石等之氧化物陶究、敗化

C:\2D-CODE\9l-10\91116311.ptd 第31頁 567177

567177 五、發明說明（30) 器、熱板（陶瓷加熱器）等。 上述熱板為僅於陶瓷基板 ^ 置，藉此，可將石夕晶圓等之被= = = ==的裝 或保持間㈤，於指定溫度中加熱並且進：洗；表面裁置 於構成上述複合體之陶究基成之 :電極及導體電路時，上述複合體為以:nr 圖5為模型式示出此類靜電卡盤的縱剖 分放大刹面圖，圖7為模型式示出構 為此部 形成之靜電電極附近的水平剖面圖成 卡盤之基板所 電卡盤3〇之陶究基板31的内# 之卡盤正負極靜電層…、32b為對向配設， ® = 極上形成陶瓷介電體膜34。又，於陶瓷基 、睜電電 置電阻發熱體32〇，將矽晶圓等之被處理"物 #又 尚，於陶竟基板31中，視需要，亦可埋設RF電極力熱。 翻上以貴金屬(金、銀、麵，、錯、鶴、 構成其可單獨使用，且亦可併用所 此#電卡盤30為如圖5、圖6所示般，於陶瓷美 成靜電電極32a、32b，且於靜電電極32a、32b i部之正下 方形成直通孔33，並於靜電電極32上形成陶瓷介 外，與上述熱板1 〇同樣構成。 、 、即，於陶瓷基板31之底面中央附近接合端部保護筒3 7， 並於端部保護筒37之内側上方，形成直通孔33、33〇，且 C:\2D.GODE\9MO\9lll6311.ptd 第33頁 567177

567177 五、發明說明（32) --- 形成^形等電極為以分割形態之電極時，其分割數並無特 別限定’可為五分割以上，且其形狀亦不被限定為扇形。 里jfe例 以下’更加具體說明本發明的實施形態。 (實施例1 )靜電卡盤的製造（參照圖5〜7) (1) 使用將氮化鋁粉末（TOCUYAMA公司製、平均粒徑〇. 6 # m)1 0 0重量份、三氧化二釔（平均粒徑0 · 4 # m) 4重量份、 丙烯酸系樹脂黏合劑丨丨· 5重量份、分散劑〇· 5重量份及卜 丁醇和乙醇所構成之醇類53重量份混合的組成物，並使用 剖刀法成形取得厚度〇 . 4 7 m m的述片。 (2) 其次，將此链片於80 °C乾燥5小時後，與未施以任何 加工的坯片進行穿孔，製作設置用以接續電阻發熱體和導 體電路之雙孔用貫穿孔的坯片、和設置用以接續導體電路 和外部端子之雙孔用貫穿孔的链片、和設置用以接續靜電 電極和外部端子之直通孔用貫穿孔的坯片。 (3) 將平均粒徑1 之碳化鎢粒子1〇〇重量份、丙稀酸系 黏合劑3.0重量份、α-萜品醇溶劑3. 5重量份、分散劑 重量份混合調製導體糊狀物Α。 · 又，將平均粒徑3 之鎢粒子1〇〇重量份、丙烯酸系黏 合劑1.9重量份、結品醇溶劑3· 7重量份、分散 量份混合調製導體糊狀物Β。 · ⑷…雙孔用貫穿孔之链片的表面，將導體糊狀物α 以絹網印刷法予以印刷，印刷做為電阻發熱體的導體 層。又，於設置用以接續導體電路和外部端子之直通孔用

五、發明說明（33) 貫穿孔的链片表面，將上述導 … 予以印刷，印刷做為導體電 、;、狀物A以知網印刷法 施以任何加工之坯片上形成圖7的導_體糊狀層。更且，於未 所構成的導體糊狀層。 示形狀之靜電電極圖型 更且’於用以接續電阻發執 孔和用以接續外部端子之直通：口 · f電：之雙孔用貫穿 狀物B。 札用貝牙孔中，充填導體糊 其次，將上述處理終了之各 、合场片如下疊a。 首先’於印刷做為電阻發埶駚 曰 ^ ^ ,Hn收，甘 熱體之導體糊狀層的坯片上側

(加熱面側），將僅形成直诵a q Q如、 J ,,孔33部分之坯片予以疊層34 牧，並於其正下側（底面側）脾£ .,Λ X. U ^ )將Ρ刷做為導體電路之導體糊 狀肩的链片予以豐層，更，认甘 ,,qqn，ν更且，於其下側將形成做為直通孔 33、330、330部分之坯片予以疊層12牧。 ；^如此宜層之坯片最上方，將印刷 之導體糊狀層…予以疊[再於其上將未施以任斤；： 工之坯片予以疊層2牧’並以13〇。〇、㈣卜之壓力壓黏作成 層合體。 (5)其次，將上述層合體於氮氣中，以60(rc脫脂5小 犄，其後，於1 8 90 °C、壓力15MPa之條件下熱壓3小時，取 得厚度3mm之陶瓷板狀體。將其切出直徑23〇11][11之圓板狀， 作成内部具有厚度為5 、寬度為2.4mm之電阻發熱體 320、厚度為20 //m、寬度為1〇 _之導體電路380及厚度6 //m之卡盤正極靜電層32a、卡盤負極靜電層32b的陶瓷基 板31 。 C:\2D-CODE\9MO\9iH631l.ptd 第36頁 567177 五、發明說明（34) ' ---〆 (6) 其次，將（5)所得之陶瓷基板31，以金剛石研磨石予 以研磨後’載放罩幕’並以玻璃珠粒鼓風處理於表面設置 熱電對用之有底孔3〇〇，並於陶竞基板31之底面3ib，形成 挖出直通孔33、33，形成部分之袋孔3 90。 (7) 使用將氮化鋁粉末（TOCUYAMA公司製、平均粒徑〇 6 以11〇100重量份、三氧化二釔（平均粒徑〇4^^)4重量份、 丙烯酸系樹脂黏合劑丨15重量份、分散劑〇 5重量份及卜 丁醇和乙醇所構成之醇類53重量份混合的組成物，以乾燥 喷霧法製造顆粒，並將此顆粒放入管狀的金屬模具中，以 常壓、1 890 t下燒結，研磨端面，製造Rmax為1 、平面 度為2. 1 、長度2〇〇_、外徑52mm、内徑39mm之氮化鋁 製端部保護筒。 (8) 將陶瓷基板與端部保護筒之接合界面以金剛石研磨 井80 0將底面研磨，其次以平均粒徑〇· 25 之糊狀物予以 拋光，並且，以平均粒徑i、1〇、5〇 AmiWC予以噴砂處 理，並將Rmax為2、15、80 且表1濃度（〇· 3莫耳/升）之 氣化纪水溶液，塗佈陶瓷基板31之底面31b及端部保 3 7的接合面。 5 (9 ) 其後，於所塗佈之陶瓷基板3 1上載置端部保護筒 3 7 ’並以表1之條件加熱（1 7 5 〇 °C )，將陶瓷基板3 1與端部 保護筒37接合。尚，於接合時，對陶瓷基板31或端部保護 筒3 7未加以壓力，僅加以端部保護筒本身重量的荷重。 又’令袋孔3 9 0為位於被收藏於其内徑内側地，進行端部 保護筒3 7之位置決定，與陶瓷基板11接合。

567177

五、發明說明（35) (10)其次，於紐部保護筒37之内部袋孔39〇，使用銀蠟 (Ag:40 重量 ％、Cu:30 重量 ％、zn:28 重量 ％、Ni:1 8 重量 ％、 殘餘部分：其他元素、迴流溫度：80 〇 t )，安裳外部端1子° 360。其後，於外部端子360透過插座35〇接續~導° % ⑴）其後，將用以控制溫度之熱電對插人;^ 充填矽膠，並於190°C硬化2小時，令其膠化，並於其内部 設置靜電電極、電阻發熱體、導體電路、雙孔及直通孔之 陶瓷基板底面，透過氮化鋁所構成之陶瓷接合層2丨，接合 端部保護筒，製造上述陶瓷基板為做為靜電卡盤機能的陶 究複合體。接合界面構造為圖10所示。觀察到剖面扁平形 狀的氣孔。燒結之陶瓷粒子的平均直徑於陶瓷基板及保護 管均為8 // m。 (實施例2 ) 熱板之製造（參照圖1、圖2〜圖4 ) (1 ) 使用將氮化鋁粉末（TOCUYAMA公司製、平均粒徑〇· 6 /zm)100重量份、二氧化二纪（平均粒徑重量份、 丙烯酸系樹脂黏合劑1 1 · 5重量份、分散劑〇 · 5重量份及j 一 丁醇和乙醇所構成之醇類53重量份混合的組成物，並使用 到刀法成形取得厚度〇.47mm的坯片。 (2 ) 其次，將此坯片於8 0 °C乾燥5小時後，將圖2所示之 插入搬運石夕晶圓等升降栓之貫穿孔〗5部分、與做為雙孔部 分630、及、做為直通孔部分63、63，予以穿孔形成。 (3)將平均粒徑1 // m之碳化鎢粒子1 〇 〇重量份、丙烯酸系 黏合劑3· 0重量份、α -萜品醇溶劑3· 5重量份及分散劑〇· 3 重量份混合調製導體糊狀物Α。

567177 五、發明說明（36) "一"" - 將平曰句粒彳二3 V m之鎢粒子1 0 0重量份、丙烯酸系黏合劑 1. 9重1伤a萜品醇溶劑3 · 7重量份及分散劑〇. 2重量份 混合調製導體糊狀物B。 Sw 將此導體糊狀物A於形成雙孔部分63〇之坯片上，以絹網 印刷予以印刷，形成電阻發熱體用之導體糊狀層62。印刷 圖型為以圖2所示之同心圓圖型，且導體糊狀層6 2之寬度 為10mm，其厚度為12/zm。 又 接著，將導體糊狀物A於形成直通孔部分63，之坯片上， 以絹網印刷予以印刷，形成導體電路用之導體糊狀層Μ。 印刷之形狀為帶狀。 9 又，將導體糊狀物B充填至雙孔部分6 3〇及直通孔部 63 、 63， 。 於印刷上述處理終了之導體糊狀層6 2的坯片上，將未印 刷導體糊狀物之述片予以疊層37枚，並於其下，將印刷導 體糊狀層68之坯片重疊後，再於其下，將未印刷導體糊狀 物之埋片予以重疊12牧，並於130 t：、8MPa之壓力下聶 層。 且 (4 )其次’將所得之層合體於氮氣中，以6 〇 〇 °c脫脂5小 時’其後’於1 890 °C、壓力15MPa之條件下熱壓1〇小時， 取得厚度3mm之陶瓷板狀體。將其切出直徑23〇mm之圓板 狀，將底面研磨，作成中心線平均粗度（Ra)為2 、平 面度為2.2//m ’且内部具有厚度6//m、寬度1〇關之電阻發 熱體12、厚度20 /ζιη、寬度之導體電路is、雙孔及 直通孔1 3、1 3 ’的陶瓷基板11。

567177 五、發明說明（37) () 其次’將（4 )所得之陶竞基板1 1，以金剛石研磨石予 以研磨後，載放罩幕，並以玻璃珠粒鼓風處理於表面設置 熱電對用之有底孔14，並於陶瓷基板n之底面llb，形成 挖出直通孔13、13,形成部分之袋孔19。 (6) 使用將氮化鋁粉末（TOCUYAMA公司製、平均粒徑〇· 6 # m ).1 0 0重量份、三氧化二釔（平均粒徑0 · 4 // m) 4重量份、 丙烯酸系樹脂黏合劑11.5重量份、分散劑〇·5重量份及卜 :，和乙醇所構成之醇類53重量份混合的組成物，以乾燥 噴務法製造顆粒，並將此顆粒放入圓筒狀的金屬模且中， =常壓、189(TC下燒結，研磨端面，製造^“為〇.2#111、 IS為2·2心、長度2〇〇_、外徑52關、内徑39_之氮 化鋁製端部保護筒1 7。 (二0 =基；與端部保護筒之接合界面以金剛石研磨 :00將底面研磨，其次以平均粒徑〇 25_之糊狀物予以 以平均粒徑G·1、5G、⑽㈣之加予以喷砂 處理，並將Rmax為〇.2、80、120/^、孚而庚幺9〇 ^ 9 ^ ^ ^ π 11^ 十面度為2.0/Zffl且 表2,辰度（0.11莫耳/升）之硝酸釔水溶液，塗佈陶瓷基 之底面3 1 b及端部保護筒3 7的接合面。 土 i(L)f] 所赦塗佈之陶竞基板31上載置端部保護筒37，並於 1 80 0 C加熱，將陶究基板31與端部保護筒37接合。 六尚僅寺，對陶究基板31或端部保護筒37未加以壓 力、，僅加以琦狀肢本身重量的荷重。又，令袋孔 於被收藏於其内徑内側地，將端部 ^ 接合。 1侏遠疴37與陶瓷基板i j

567177

五、發明說明（38) (9 ) 其次，於端部保護筒3 7之内部袋孔1 9，使用銀蠕 (Ag:40 重量％、Cu:30 重量％、Zn:28 重量％、Ni:1· 8 重量％、 殘餘部分··其他元素、迴流溫度：80 〇 t )，安装外部端子° 2 3。其後，於外部端子2 3透過插座2 5接續導電線2 3 〇。 (1〇)其後，將用以控制溫度之熱電對插入有底孔丨4，充 填矽膠，並於1 9 0 °C硬化2小時，令其膠化，並於其内部設 置電阻發熱體、導體電路、雙孔及直通孔之陶瓷^板 面，接合氮化鋁製之端部保護筒，製造上述陶瓷^板為 為熱板機能的陶瓷複合體。接合界面構造為圖丨丨所示。 察到剖面扁平形狀的氣孔。燒結之陶瓷粒子的平 陶瓷基板及保護管均為8 # m。 卫； (實施例3 ) 雖同實施例1，但使用平均粒徑〇· 8 的氮化 使用0. 1莫耳/升之硝酸镱水溶液做為接合’ 竟粒子的平均直徑於陶曼基板及保護'上。之陶 (實施例4) 雖同貫施例2 ^ ^ . . Q 丨一旧瓦孤卞 < 干均直徑於陶瓷基板及 m 4 s均為8 將平均氣孔徑調整為8 (實施例5 ) ζυυυ ^ 雖同實施例1，但升溫至45〇t為止，將接 :定為28於調整粗氣孔之平。曰厚度 化，並以熱電微型組件測定陶究基板（加;匕變 溫度和最低溫度的差，且於圖中示出(其心=之 (實施例6) miU圖13)。

567177 五、發明說明（39) ' ' _ %雖同實施例2，但升溫至4 50 t為止，令粗氣孔之平均直 :並以熱電微型組件測定陶瓷基板（加熱板）表面之 :同/皿度和最低溫度差，且於圖中示出其關係（圖1 4)。 (比較例1 ) 除了將陶瓷基板31之接合面以平均粒徑〇· 25 之金剛 石=狀4勿予以拋光，作成Rmax為〇 · 〇 &以m，端部保護筒a? 之端部平面度為2. 〇 ，並將〇· 26莫耳/升之硝酸釔塗佈 陶瓷基板31及端部保護筒37之接合面後，於陶瓷基板“上 載置& 保護筒3 7 ’並於1 8 5 0至1 9 5 0 °C煅燒以外，同實施 例1處理，製造陶瓷複合體。接合界面之構造為示於圖 尚 圖中為無氣孔之緻密的接合界面。於接合界面所察 見之白色條紋為釔化合物層。 尚’研磨接合界面時所產生的脫粒凹處為經 充填，於剖面觀察中未察見氣孔。 要口助W所 (比較例2) 化=同比較例1，但使用氮化矽。又，於接合助劑使用氣 (比較例3) 除了將陶瓷基板3 1之接合面以平均粒徑〇 · 2 5 ^ m之金剛 石糊狀物予以拋光，作成Rmax為0· 05 // m，端部保護筒 之端部平面度為2· 〇 ，並將0.28莫耳/升之硝酸釔塗佈 陶竟基板31及端部保護筒37之接合面後，於陶兗基板31 載置端部保護筒37，並於1 90 0 °C緞燒以外，同實二例i處

C:\2D-CODE\9MO\9l i163Uptd 第42頁 567177 五、發明說明（40) 理，製造陶瓷複合體。若觀察接人灭二 规不丧σ界面之剖面，則於接合 助劑層和此接合助劑層中具有教？丨。除仏j囬幻％接口 . 〆 名孔孔 燒結陶瓷粒子之平均 直徑為8//m，氣孔為4//m。 (比較例4) 雖同實施例1，但塗佈濃度〇 3笪且 1 Q , π ^ ^ ^ /辰厌U旲耳/升之溶液，且於 1 8 5 0 C中加熱處理。因加埶溫声古，从从人 π ^ i ^ ^ ，里度同，故接合助劑擴散且氣 孔變大，平均直徑為2 0 5 0 # m。 關於實施例1、2及比較例1之陶瓷複合體，進行以下之 評價試驗。其結果示於下述表1。 (比較例5) 雖同實施例3，但調整成粗氣孔平均直徑為} 、2〇5〇 β m 〇 (比較例6 ) 雖同比較例1 ’但以平均粒徑丨〇 n m之金剛石糊狀物予以 抛光’作成Ra = 0· 1 //m、Rmax = 〇. oi/zni。接合界面為與圖 1 2同樣無氣孔’為緻密的接合界面。於接合界面雖有白色 條紋的纪化合物層，但並不存在氣孔。 (1) 破壞強度之測定

進行彎曲強度試驗，並於2 5 °c和5 0 0 °C下測定接合部分 的破壞強度。 (2) 熱衝擊試驗 於4 5 0 C加熱並將陶瓷基板部分於水中浸潰，測定是否 發展成裂痕。 (3 ) 接合界面之腐蝕狀態

C:\2D-OODE\91-1〇\9]]1631】⑽ 第43頁 567177 五、發明說明（41) 將實施例、比較例之複合體安裝至支撐容器，並於 1 0 0 0W等離子體化之CF4氣體氛圍氣下，放置2小時，調查 接合界面的侵蝕狀態。一般氮化鋁為難氟化且難進行蝕 刻，但因接合界面為結晶構造不同，因而易被侵蝕。

C:\2D-CODE\9MO\9m6311.ptd 第44頁 567177 五、發明說明（42) 表1 面粗度 (//m) 溫度 (°C) 破壞強度(MPa) 裂痕 侵蝕之有無 平均直徑 (//m) 25〇C 600°C 實施例1 2 1800 410 400 未到達筒 Μ J \ 15 15 1800 420 410 未到達筒 te J \ W 8 80 1800 450 441 未到達筒 te j \ w 100 實施例2 0.2 1800 410 400 未到達筒 te J \ w 10 80 1800 450 440 未到達筒 M 1000 120 1800 460 451 未到達筒 >fnr IIΠ： 1500 比較例1 0.05 1800 390 340 到達筒 有 0 0.05 1850 389 350 到達筒 有 0 0.05 1900 380 340 到達筒 有 0 實施例3 0.2 1800 920 915 未到達筒 J \ w 10 80 1800 930 923 未到達筒 4rrr ιΤΠΤ J \ w 1000 120 1800 950 944 未到達筒 te j\ w 1500 比較例2 0.05 1850 860 800 到達筒 有 0 0.05 1950 830 780 到達筒 有 0 0.05 1900 820 760 到達筒 有 0 比較例3 0.05 1850 410 370 到達筒 有 4.0 比較例4 2 1850 280 220 到達筒 有 2050 實施例4 0.1 1800 415 399 未到達筒 4τττ. ιιΤΤ 8 10 1800 443 428 未到達筒 Μ j\ \\ 100 200 1800 461 450 未到達筒 魅 j i \\ 2000 比較例5 0.05 1800 840 780 到達筒 有 1 210 1800 845 788 到達筒 有 2050 比較例6 Rmax=0.01 Ra=0.1 1900 390 340 到達筒 有 0

匯讎I C:\2D-CODE\91-10\91116311.ptd 第45頁 567177 五、發明說明（43) 如上述表1所示之結果所闡明般，實施例】、2 複合體的破壞強度並不較比較例丨、2降低， 、3之陶瓷 體之接合界面並未因C&氣體而被腐蝕。更且、’此些接合 僅於基板。另一方面，比較例j之接合體=之進展 痕到達筒。 τ、見腐蝕，且裂 又，由比較例6所理解般，Ra = 〇. ! 為 成氣孔。 王鏡面’無法形 侧”13可理解氣孔縱橫比為1以上時，陶m 側的浪度降低效果顯著。如上述般，# :是基板 氣孔者之熱電阻效果較大。 化狀為扁平 又氣孔之大小為如圖1 4所示般，可理解於错# ，陶究粒子平均直徑1/2以上之情形中，敎解二構 者。其係因氣孔大小為夫诺椹成呦义 …、電阻效果顯 直秤之1 /?，目丨丨旦」為未滿構成陶竞之各陶兗粒子之平均 舰電阻降低易透另過粒方子二 ㈣，則推測溫度分佈變大，’m粒子之大小超過2000 熱傳遞，使得做為熱V阻大二 圖15β及圖15b為關於比較具有氣 产 陶瓷基板加熱面之$ P 八，、夺和不存在氣孔時之 於實施例！，平均直彳之差示熱分析圖。氣孔為相當 知於陶：是體之接合二’、、、〇 f m，縱橫比率為5 〇。即，可 面之溫度均勻性。 子氣孔下’可提高陶瓷基板加熱 產業上之可利ϋ 本發明之陶瓷接八w 口肢因為於陶瓷體之接合界面導入氣 第46頁 C:\2D-raDE\9M〇\911163ll.Ptd 567177 五、發明說明（44) 孔，故具有 為含有蝕刻 用之熱板和 又，本發 使用做為於 接觸劑和螺 Jt件編號之 耐腐蝕性、抑制裂痕進展之效果，故可使用做 等離子體CVD之各種半導體裝置、檢查裝置所 靜電卡盤、電納器等之陶瓷構造體。 明除了加熱半導體晶圓用之熱板等以外，亦可 陶瓷基板之加熱面將光導波 =以固定作成的先導波路用溫度=專之 熱板 陶瓷基板 電阻發熱體 直通孔 有底孔 貫穿孔 端子保護筒 導體電路 袋孔 陶瓷接合界面（接合助 外部端子 ~ @ ; 插座 靜電卡盤 陶瓷基板 靜電電極 卡盤正負極靜電層 直通孔

C:\2D-CODE\9MO\91I16311.ptd 第47頁 567177

五、發明說明 (45) 34 介 電 體 膜 37 端 部 保 護 筒 39 雙 孔 50 坯 片 62 導 體 糊 狀 層 63 ^ 63, 直 通 孔 68 導 體 糊 狀 層 71 基 板 72 卡 盤 正 極 靜 電 層 72a 半 圓 弧 狀 部 72b 梳 齒 部 73 卡 盤 負 極 靜 電 層 73a 半 圓 弧 狀 部 73b 梳 齒 部 81 基 板 82a 卡 盤 正 極 靜 電 層 82b 卡 盤 正 極 靜 電 層 83a 卡 盤 負 極 靜 電 層 83b 卡 盤 負 極 靜 電 層 130 雙 孔 180 測 溫 元 件 210 液 狀 體 230 導 電 線 290 導 線 C:\2D-CODE\9MO\91116311.ptd 第48頁 567177

C:\2D-C0DE\9M0\91116311.ptd 第49頁 567177

圖1 a〜圖1 d為模型式示出本發明之陶瓷複合體之一 熱板製造方法之一例的剖面圖。 圖2為模型式示出本發明之陶瓷複合體之一例 仰視部。 熱板的 圖3為圖2所示熱板的剖面圖。 圖4為模型式示出構成圖2所示熱板之陶瓷基板的部分放 大剖面圖。 圖5為模型式示出構成本發明陶瓷複合體一 盤之陶竞基板的縱剖面圖。 〗之艰電卡 :6為模型式示出構成圖5所示靜電卡盤之 分放大剖面圖。 低日J Μ 圖7為模型式示出於陶瓷基板中所埋設 例的水平剖面圖。 之靜電電極 之一 圖8為模型式示出於陶瓷基板中所埋設之 他一例的水平剖面圖。 電極之 圖9為模型式示出於陶瓷基板中所埋設 其他一例的水平剖面圖。 砰電電極之再 圖1 〇 a〜圖1 0 d為於接合劑層導入氣孔時人 子顯微鏡照片。 妾a界面的電 圖1 la〜圖lie為於接合界面導入氣孔時之 子顯微鏡照片。 接〇界面的電 =2未^氣孔時之接合界面的電子顯微鏡照片。 圖1 3為不出鼠孔之縱橫比與陶瓷基板之最 溫度之溫度差之關係圖。 阿，皿度和最低

C:\2D-C0DE\9M0\911163Il.ptd 第50頁 567177

C:\2D-CODE\9MO\91116311.ptd 第51頁

Claims (1)

1. 56717十 六 f請專利〗 1 · 一種陶瓷接合體，其特徵兔 ^ 成之接合體中，於-者陶竟it於陶究體彼此間接合而 形成氣孔。 歧人其他陶瓷體的接合界面， 2· 一種陶瓷接合體，其特徵 陶究體而成之陶究接合體中，於二：一：陶究體接合其他 他陶究體的接合界面，設置者陶究體與前述其 劑層形成氣孔。 σ助剑層，並且於此接合助 3· 一種陶瓷接合體，其特徵兔 陶瓷體而成之陶兗接合體中，於椹=二者陶究體接合其他 粒子中之存在於接合界面之至;構，刖述各陶竟體之陶究 面且彼此侵入其他陶瓷體中之二:σΡ分為由跨過此接合界 接合界面形成氣孔。 成長粒子所構成，並且於此 4·如申請專利範圍第丨、2哎 前述氣孔為2__以下大：的究接合體，其中， 5. —種陶究接合體，其特徵為，陶 成之接合體中，於一者陶曼㈣你#於间是體彼此間接合而 形成平均直徑為比構成陶瓷體：：：陶瓷體的接合界面， 1/2更大且具有2〇〇〇 以下大 曼粒子之平均粒徑之 6· 一種陶究接合體，其特心之粗f孔。 陶瓷體而成之陶瓷接合體中，於，於=者陶究體接合其他 他陶瓷體之接合界面，設置接合一者陶究體與前述其 劑層，形成平均直徑為比構成二二f，且於此接合助 徑之1/2更大且具有20 00 以下士广 旬究粒子之平均粒 -種陶究接合體，其特徵：大：之粗氣孔。 敛為，於一者陶究體接合其他 C:\2D-OODE\9MO\91116311.ptd 第52頁 567177 六、申請專利範圍 陶究體而成之陶瓷接合體中，於構成前 粒子中之存在於接合界面之至少一美：竞體之陶究 面且彼此侵入其他陶竟體中之成長粒子所^過此接合界 接合界面’形成平均直徑為比構成陶究究：j:: 均粒徑之W更大且具有2_㈣下大小之：J 之千 成8之合’於陶竟體彼此間接合而 成之接um中，於一者陶瓷體與其他陶瓷體之 比構繼體之陶究粒子之平均：徑更大 且/、有2 0 0 0 // m以下大小之粗氣孔。 9. 一種陶瓷接合體，其特徵為，於一者陶瓷装 陶瓷體而成之陶竞接合體中，於a、+、 ㈣空〜抹二别述一者陶瓷體與前述其 他陶是肢之接合界面，設置接合助劑層， 劑。形成平均直徑為比構成陶究體之陶竟粒子 徑更大且具有2 〇 〇 0 # m以下大小之粗氣孔。 1〇· 一種陶瓷接合體，其特徵為，於一者陶瓷體 直 = 陶”合體中，於構成前述各陶竟體°之陶 界面且t “：：接合界面之至少一部分為由跨過此接合 其他陶竟體中之成長粒子所構成，並且於 口 ，面，形成平均直徑為比構成陶瓷體之陶瓷粒子之 平广粒徑更大且具有2000 "以下大小之粗氣孔。 人二申Λ專利圍第1 °項之陶竟接合體，其中，於接 1=:”述粗氣孔為與陶究體中之開氣孔或閉氣 於一者陶究體之表面，其他陶究體之表面 及拉成長所生成之成長粒子所形成的空隙。

   C:\2_DE\9i-io\9iii631] .ptd 第53頁 567177 六、申晴專利範圍 1 2 ·2σ申請專利範圍第8、9或1 0項之陶瓷接合體，其 中 ^述陶瓷基板之接合面的面粗度為JIS Β0601 Rmax = 0 · 1 // m 以上。 1,· 種陶瓷構造體，其特徵為，於内部形成導電體之 陶^基板、與陶瓷體接合而成之陶瓷構造體中，於前述陶 瓷土板與前述陶瓷體之接合界面，形成氣孔。 [4, 種陶瓷構造體，其特徵為，於内部形成導電體之 瓷體接合而成之陶瓷構造體中，於陶究基 豆之接合界面，設置接合助劑層，並且於此接人 助^層，形成氣孔。 。 1 5其種陶瓷構造體，其特徵為，於内部形成導電體之 L a Γ板、與陶瓷體接合而成之陶瓷構造體中，於構成陶 人界=及陶究體之陶瓷粒子中之至少一部分為由跨過此接 二i ΐ彼此侵入其他陶瓷基板及陶瓷體中之成長粒子所 構3，。並且主於此接合界面，形成氣孔。 中，'如+申/青專利範圍第13、14或15項之陶瓷構造體，其 中則一迹氧孔為20 0 0 _以下大小之粗氣孔。 陶竟基板陶Λ構 兗基板與前述陶之陶免構造體中，於前述陶 下大小之C之平均粒徑之1/2更大且具有2_"以 1 8 · —種陶瓷構造體，里 陶瓷基板、與陶究體接人"f彳政為，於内部形成導電體之 ϋ而成之陶瓷構造體中，於陶瓷基 C:\2D-OODE\9MO\911163ll.ptd 第54頁 567177 申請專利範圍 板與陶瓷體之接合界面，設置 助劑層，形成平均直徑為比構成；且於此接合 粒徑之1/2更大且具有__以下之平均 1 9 · 一種陶瓷構造體，苴特 ； 陶瓷A柄、ife始& _ 八寻彳政為，於内部形成導電體之 = 構造體中，構舰 成’並且於此接合界面：2中，成長粒子所構 陶究粒子之平均粒徑之1/2更成：且均且^ 粗氣孔。 且具有2 0 0 0 // m以下大小之 2 〇 · —種陶瓷構造體，其特 陶竞基板與陶細妾合而成：陶為二内二巧 基板與前述陶究體之接合界= = 述陶竞 究體之陶究粒子之平均粒徑更大==徑為比構成陶 之粗氣孔。 八有2 0 0 0 // m以下大小 2 1. —種陶瓷構造體，其特 陶竟基板與陶竟體接合而成二V於内部設置導電體之 與陶究體之接合界面，㉝置接體：，於陶竞基板 劑層，形成平均直徑為比構成 蜊θ ，並且於此接合助 徑更大且且有2 η η η 究體之陶竟粒子之平均粒 仏文大且具有20 00 以下大小之 丁 22. —種陶瓷構造體，其特 "矶。 陶究基板與陶究體接合而成之丈陶為’於止内部^置導電體之 板及陶瓷體之陶瓷粒子中之在 冓仏體中，構成陶瓷基 為由跨過此接合界面彼此侵入复面j至少-部分 丹他陶瓷基板及陶瓷體中之

   C:\2D-00DE\91·1〇\9111631].ptd