TW565631B - Silicon wafer storage water and silicon wafer storage method - Google Patents
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Description
經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 565631 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明領域： 本發明關於矽晶圓貯存水及矽晶圓貯存方法’ # &將 矽晶貯存在水中，且本發明尤其關於一種矽晶圓貯存水及 一種用於在拋光後立即將矽晶圓貯存在水中的矽晶圓貯存 方法。 相關技藝之說明： 半導體晶圓的製法典型上包括步驟爲：對單晶錠作切片 以便獲得一種薄圓盤形晶圓；對切片後的晶圓之外周緣部 作修整以便防止其之裂縫和缺口；硏磨晶圓的表面以便達 成平坦度；蝕刻以便消除殘留在修整後和硏磨後的晶圓上 之機械傷害；將晶圓表面拋光以便達成鏡面；及淸洗拋光 後的晶圓以便去除拋光劑及黏附在其上的外來物質。 這些係主要的步驟。在某些情況中，可附加地執行其它 步驟如熱處理，或改變步驛的順序。再者，在某些情況中 ，於一個步驟至下一個步驟之間的等待期間必須暫時貯存 晶圓。在這樣的情況中，必須依照一種適合晶圓條件的方 法來貯存晶圓。 例如，若在拋光步驟與後續淸洗步驟之間的等待期間時 ’晶圓在等待期間中可貯存於水中。理由爲若讓晶圓處於 空氣中，則拋光用的漿料會乾燥及黏附在晶圓上。在後續 的步驟中係難以淸除所黏附的獎料。 在這些的情況中，晶圓係貯存在一種水中，有時會將界 ^紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
565631 A7 B7___ 五、發明説明（2 ) 面活性劑加到該貯存水中俾改善貯存水的粒子移除性能° 在此情況中，爲了保持界面活性劑的恒定濃度·’晶圓通常 貯存及浸漬在一裝於容器中的水內（此水在以下可稱作’’ 坑水”）。 通常，使用超純水當作該水以便貯存晶圓而不會污染晶 圓。已知若在沒有去除雜質（特別是黏附其上的重金屬） 的晶圓上執行熱處理時，雜質會不利地影響半導體裝置的 機械特性。爲此緣故，在熱處理之前通常提供淸除雜質所 用的淸洗步驟。 因此，在淸洗步驟之後對淸洗溶液的污染及矽晶表面的 污染作檢查和淸除係高度重要的，且照慣例地，已經硏究 該污染物的移除技術。 然而，習知的硏究技術已經針對在淸洗步驟之前移除步 驟中已黏附於晶圓的物質。具體言之，習知技術中，經由 淸洗來移除淸洗步驟之前的步驟中已黏附於晶圓的污染物 ，或避免淸洗期間的污染，藉以產生一種具有淸淨表面的 瀹 " 砂晶圓。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，即使執行淸洗同時控制淸洗溶液中的污染物濃度 以便製造一種具有淸淨表面的矽晶圓，但是已經經過所有 加工步驟的矽晶圓有時候會有氧化物介質擊穿電壓變差的 缺陷。 當晶圓被金屬和晶圓表面上殘留的金屬所污染時，通常 會使氧化物介質擊穿電壓發生變差。 本案發明人已對淸洗後矽晶圓表面上殘留的金屬雜質作 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ΓΤΓ 565631 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製
A7 B7五、發明説明（3 ) 分析及執行調查，俾找出雜質濃度與不良晶圓（遭受氧化 物介質電壓的變差）數目之間的相互關係。結.果，他們發 現雜質的濃度不是決定晶圓是否變成不良的因素。特別地 ，他們發現在具有變差的氧化物介質擊穿電壓之不良晶圓 的情況中，已經執行正確的淸洗而因此淸除雜質。 鑒於上述，本案發明人已分析該使氧化物介質擊穿電壓 變差的原因，且發現在淸洗步驟之前之步驟中，貯存矽晶 圓的習用方法導致該氧化物介質擊穿電壓的變差。特別地 ，在貯存水含有金屬離子如銅和銀（其比矽具有較低的離 子化傾向）的情況，若在拋光後立即將具有疏水表面的矽 晶圓貯存於貯存水中，則在後續的熱氧化期間晶圓的氧化 膜之品質會明顯變差，導致氧化物介質擊穿電壓發生變差 〇 此現象可能發生在任何具有疏水表面的矽晶圓中，而不 是僅發生在緊鄰拋光後的晶圓。例如，已經證實外延晶圓 - -其係經由一外延層在矽晶圓基片上生長而獲得--在 外延生長之後具有疏水表面且遭遇相同的問題。 再者，調查的結果透露特別是當金屬雜質爲C u的情況 時，即使貯存水中的C u離子濃度爲1 p p b或更少，仍 會使氧化物介質擊穿電壓發生變差。 特別地，本案發明人發現在貯存水中的C u離子濃度比 0 · 0 1 P P b高的情況中，若在拋光後立即將具有疏水 表面的矽晶圓貯存於水中，則在後續的熱氧化步驟期間氧 化膜的品質會明顯變差，導致氧化物介質擊穿電壓發生變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) TJT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 565631 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 差。 各種因素，如由先前步驟所帶來的污染物，·可能造成貯 存水含有低含量的C u離子之污染。爲此緣故，對一種技 術能防止因爲上述原因所導致的氧化物介質擊穿電壓變差 係已存在著需求。 發明槪述 鑒於上述，本發明之主要目的在於提供一種矽晶圓貯存 水及矽晶圓貯存方法，其可防止貯存期間的污染而因此防 止氧化物介質擊穿電壓的變差。 爲達成上述目的，本發明提供一種用於將矽晶圓貯存於 水中的貯存水，其特徵在於貯存水含有0·01ppb或 更少濃度的C u。 若貯存水的Cii濃度設定在0 · Olppb或較少時， 則可防止C ία離子對水的不利影響，以及當晶圓在後續步 驟中經過熱氧化時防止晶圓之氧化膜發生品質變差。 本發明亦提供一種用於將矽晶圓貯存在水中的貯存水’ 其特徵在於貯存水含有0 · 0 1 P P b或較少濃度的C u 和界面活性劑。 將界面活性劑加到貯存水中會改善貯存水的粒子移除性 能。再者，雖然界面活性劑加到貯存水中，但是氧化物介 質擊穿電壓不會發生變差，因爲貯存水的總c ^濃度係爲 O.Olppb或較少。 本發明亦提供一種用於將政晶圓貯存於水中之方法’其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、言 565631 A7 B7 五、發明説明（5 ) 特徵在於使用含有0 · 0 1 p P b或較少濃度的C U和界 面活性劑之貯存水。 · 若矽晶圓貯存在一種含有0 · 0 1 p p b或較少濃度的 C u之貯存水中，則能防止漿料等黏附於晶圓（此黏附在 矽晶圓留置於空氣中將會發生）。此外，可防止貯存期間 的污染，故可避免氧化物介質擊穿電壓的變差。 本發明提供另一種用於將矽晶圓貯存於水中之方法，其 特徵在於使用含有0 · 0 1 p p b或較少濃度的c u和界 面活性劑之貯存水。 使用含有0 · 0 1 p p b或較少濃度的C u和界面活性 劑之貯存水會防止氧化物介質擊穿電壓的變差，且更防止 粒子的黏附或移除粒子。 本案中，水較佳貯存於坑水中，俾將所添加的界面活性 劑之濃度維持在某一程度。 上述用於將矽晶圓貯存於水內的方法中，矽晶圓較佳係 具有疏水表面。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 不論矽晶圓表面是親水性或疏水性，上述用於將矽晶圓 貯存於水中的方法皆是有效的。然而，當矽晶圓表面不具 有氧化膜而因此在貯存於水中之前係疏水性時，則貯存於 水中的效果變得明顯的。 上述用於將矽晶圓貯存於水內的方法中，矽晶圓較佳係 在拋光後立即貯存於水中。 當矽晶圓具有疏水表面在拋光後立即貯存於水中，則上 述用於將矽晶圓貯存於水中的方法係特別有效的。即是， 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 565631 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 在矽晶圓製程中的拋光步驟與後續淸洗步驟之間的等待期 間，本發明的貯存方法可有利地用於貯存矽晶圓。 再者，本發明提供一種用於將矽晶圓貯存於貯存溶液中 之方法，其特徵在於貯存溶液主要係由水或化學溶液所形 成，其內加有鉗合劑。 如上述，在依本發明之用於將矽晶圓貯存於貯存溶液內 之方法中，將鉗合劑加到水或化學溶液中以製備貯存溶劑 。因此，即是有害性金屬離子如C u離子被導入貯存溶液 中時，其能防止水的金屬污染及伴隨的氧化物介質擊穿電 壓變差。作爲加有鉗合劑的水，可用本發明含有0 . 0 1 p p b或較少濃度的C u之貯存水。在此情況中獲得更明 顯的效果。 不論矽晶圓表面是否爲親水性或疏水性，上述用於將矽 晶圓貯存於貯存溶液中的方法係有效的。然而，當矽晶圓 表面不具有氧化膜而因此在貯存於貯存水中之前係疏水性 時，則效果變得明顯的。即是，在矽晶圓製程中的拋光步 驟與後續淸洗步驟之間的等待期間，本發明的貯存方法可 有利地用於貯存矽晶圓。 在貯存溶液爲水的情況中，鉗合劑係不能良好地溶於水 中，因爲鉗合劑在水中的低溶解度。因此，貯存水中所含 有的金屬離子濃度係高的，在鉗合劑不能溶於水中的情況 ，鉗合劑之濃度係不足以抑制金屬離子的污染。在這樣的 情況中，較佳爲使用一種能使鉗合劑表現較高溶解度的鹼 性溶液當作貯存溶液，其內加有鉗合劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _9- 565631 Α7 Β7 五、發明説明（7 ) 在含有鉗合劑的水或化學溶液尤其是鹼性溶液的情況， 因爲鹼性溶液的蝕刻作用使晶圓表面變粗糙。·在此情況中 ，較佳爲將適量的界面活性劑加到貯存溶液中。 而且，作爲上述的鉗合劑，可以有效地使用一種具有鉗 合化合物製造性能不低於NTA (硝基三乙酸）者的鉗合 劑。 除了 N T A以外，上述鉗合劑之例子包括E D T A (伸 乙二胺四乙酸）、DTPA (二伸乙三胺一 N，N，N， ，N” ，N” —五乙酸）、CyDTA (二胺基環己烷一 Ν，Ν，Ν’ ，Ν’一四乙酸）及其鈉鹽。它們提供所欲的 效果，不論是否單獨或合倂兩種或多種來使用它們。 如上述，本發明防止氧化物介質擊穿電壓的變差，此變 差在其它方法中會因爲貯存水中所含有的C u污染而發生 ，且其已經是一種與矽晶圓貯存在水中有關的問題。 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 特別地，利用本發明，若在拋光之後立即或在晶圓送到 淸洗步驟之前的等待期間將具有疏水表面的矽晶圓貯存於 水中，則本發明會防止拋光用漿料的黏附，此黏附在以其 它方法當晶圓留置於空氣中時會發生，同時防止矽晶圓之 氧化物介質擊穿電壓的變差。 圖式的簡單說明 圖1顯示坑水中的C u離子濃度與C u裝飾處理後C u 沈澱物密度之間的關係。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（21〇><297公釐） -1〇 · 565631 A7 B7 五、發明説明（8 ) 本發明及其較佳實施例之詳細說明 其次，將詳細說明本發明；然而，本發明非限制於其內 〇 本案發明人已分析上述氧化物介質擊穿電壓變差的發生 原因，且發現當一具有疏水表面的矽晶圓與一具有離子化 傾向低於矽的金屬共存時，則發生該變差。他們亦發現在 拋光步驟與淸洗步驟之間的期間，於拋光後立即將晶圓暫 時貯存於水中會產生這樣的共存態。 特別地，當金屬雜質是C u時，上述問題變得嚴重。本 案發明人發現即使貯存溶液中的C u濃度爲1 p p b或較 少時，仍會使氧化物介質擊穿電壓發生變差。此現象係不 限於緊鄰拋光後的晶圓；當晶圓貯存於水中時，且尤其當 晶圓具有疏水表面時，可能發生氧化物介質擊穿電壓的變 差。例如，經證實類似的現象會發生於一具有疏水表面的 外延晶圓。 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在上述貯存方法中，問題變得嚴重，特別是當C u濃度 超過0 . Olppb時，導致晶圓之氧化膜的品質變差。 另一方面，當貯存水的Cu濃度爲0 · 0 1 p p b或更少 時，不會看到該變差。 雖然氧化膜的品質變差原因尙未經確認，但是可能想到 的原因爲當C u——尤其是C u離子形式——存在於水中 時，其電化學地與S i反應而沈澱，故矽晶圓上發生缺陷 〇 不論是否將界面活性劑加到貯存水中，皆會發生此現象 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 565631 A7 B7_____ 五、發明説明（9 ) 。然而，當添加界面活性劑時，更頻常看到此現象。可想 像地，界面活性劑在某些方面會影響C u的沈·澱過程，而 促進缺陷的發生，其使氧化膜的品質變差。 可在後續的淸洗步驟中移除晶圓表面上所沈澱的C u和 類似物。然而，因爲反應仍繼續著而在矽晶圓表面上產生 缺陷，而可能導致氧化膜的品質變差。 鑒於上述，本案發明人想出一種用於貯存矽晶圓之方法 ，其使用一含有0·Olppb或較少濃度的Cu之水， 俾防止矽晶圓的氧化膜之品質變差。 在此方法中，C II的濃度- 一其導致在矽晶圓上發生缺 陷——係調整至0 · 0 1 p p b或較少，俾防止貯存水中 的C u離子與S i作電化學反應，此反應會導致C u的沈 澱。結果，防止矽晶圓的氧化物介質擊穿電壓之變差，此 變差在其它方法中將會發生，因爲C u的污染使得所製造 的矽晶圓表面上發生缺陷如損傷。 本發明的貯存水未限於單獨使用，而可使用貯存水與其 • · * 〜·. 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 它溶液的混合物或類似物。例如，可將界面活性劑混入本 發明的貯存水中以改良貯存水的粒子移除性能。界面活性 劑的例子包括聚氧乙烯烷苯基醚。再者，可將本發明的貯 存水與有機溶液或類似物混合一起，俾製備一種用於貯存 矽晶圓的貯存溶液。 本案中，較佳以坑水的形式來使用貯存水，俾保持所添 加的界面活性劑之濃度在某一程度。 在本說明書中，“坑水”係指貯存於貯存容器、浴池、 12· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565631 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（1〇 ) 桶槽或器皿中的貯存水，其用於將矽晶圓貯存於一種狀態 ，其中未將水導入、排出或循環，俾貯存水係停滯的。 代替上述的界面活性劑，可將其它溶液如有機溶液加到 本發明的貯存水中，俾製備一種用於貯存矽晶圓的貯存溶 液。該貯存溶液亦提供一種防止氧化物介質擊穿電壓變差 的效果。 而且，本案發明人想出另一種用於將矽晶品貯存於貯存 溶液中之方法，該溶液之製備係將鉗合劑加到水或化學溶 液中，俾使上述的金屬離子如C u成爲無害的，藉以防止 矽晶圓之氧化膜的品質變差。 在此方法中，因爲使用含有鉗合劑的水或化學溶液當作 蓄存溶液，所以即使當金屬如C u的離子導入貯存溶液中 時，離子變成一種鉗合物，故防止離子黏附於矽晶圓。結 果，防止矽晶圓之氧化物介質擊穿電壓的變差，此變差在 其它方法中會因爲貯存溶液的金屬污染而發生。’ 本發明中，鉗合劑所欲添加至的水係純水，較佳爲超純 水。而且，化學溶液的例子包括非用以限制的酸性溶液、 鹼性溶液及有機溶液；更具體言之爲三氯乙烯和乙醇。 而且，鉗合劑所欲添加的水可爲本發明的貯存水，其含 有0 · 0 1 P P b或較少濃度的C u。在此情況中，水提 供更明顯的效果，因爲水中的C u濃度係低的。 鉗合劑的添加量係視貯存溶液內的金屬離子濃度之增加 程度而定。當貯存溶液內的金屬離子濃度在高程度時，藉 增加鉗合劑的添加量可以防止氧化物介質擊穿電壓的變差 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Γΐ3- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
，-ιτ 565631 A7 B7 五、發明説明（彳1 ) 。例如’若將鉗合劑加到貯存溶液中以致於鉗合劑的濃度 變成0 · 0 5莫耳/升或較高，則防止氧化物介質擊穿電 壓變差的效果變得更明顯。
若貯存溶液爲水時，鉗合劑係不能良好地溶解於水中， 因爲鉗合劑在水中的低溶解度。因此，當貯存水中含有高 濃度的金屬離子時，在鉗合劑不能溶於水中的情況，鉗合 劑之濃度係不足以抑制金屬離子的污染。在這樣的情況中 ’較佳爲使用一種能使鉗合劑表現較高溶解度的鹼性溶液 當作貯存溶液，其內加有鉗合劑。 鹼性溶液的例子包括含水的氨、氫氧化鈉、氫氧化鉀及 其混合物。然而，鹼性溶液未特別限制於其內，只要所選 的鹼性溶液可將鉗合劑溶解到足夠的程度。 若使用水或化學溶液，尤其是鹼性溶液（其含有鉗合劑 )，當作貯存溶液，則由於藉鹼性成分的蝕刻作用可能使 晶圓的表面變粗糙。若爲此情況，則將適量的界面活性劑 加到貯存溶液。 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 如上述，將界面活性劑加到貯存溶液以防止晶圓的表面 變粗糙，否則鹼性成分的蝕刻效果會發生該粗糙。 機構係認爲如下：當界面活性劑加入貯存水中時，界面 活性劑的粒子物理地黏附於矽晶圓，以致於粒子防止矽晶 圓與貯存水中所含的鹼性成分發生反應。 界面活性劑的例子是聚氧乙烯壬基酚醚，其係一種中性 界面活性劑。然而，用另一種中性界面活性劑如聚氧乙烯 月桂基醚或陰離子界面活性劑如聚氧乙烯烷苯基硫酸鈉可 本紙張尺皮逋用中國國家揉準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） -14 · 565631 A7 __B7__ 五、發明説明（12 ) 獲相同的效果。 根據鉗合劑的用量以及溶解鉗合劑所需的鹼性水溶液之 用量來決定界面活性劑的添加量，且不特別限制該用量， 只要能達成本發明的效果。 使用任何鉗合劑來達成本發明的效果，只要其可將貯存 水中所含有的金屬離子改變成鉗合化合物。然而，使用一 種具有鉗合化合物製造性能高於N T A者的鉗合劑可達成 較明顯的效果。即是，爲了能充分鉗合和補捉具有離子化 傾向低於矽者的金屬如C u，鉗合劑必須具有鉗合化合物 製造性能高於N T A者。 具有鉗合化合物製造性能高於N T A者的鉗合劑之其它 例子包括EDTA、DTPA、CyDTA及其鈉鹽。使 用鈉鹽或類似物能容許將較大量的鉗合劑帶入水態而不需 要使用鹼性溶液。這些鉗合劑提供預期的效果，不論是否 單獨或以兩種或多種的混合物來使用它們。 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述，鉗合劑的添加量係視貯存溶液內的金屬離子濃 度之增加程度而定。當從外部--例如從先前步驟--所 導入的污染物量爲小時（約數ppb)，使用濃度爲IX i 〇_5莫耳/升的鉗合劑能達成足夠的結果。然而，當鉗 合劑的濃度爲0 · 0 5莫耳/升或較大時，即使金屬離子 以高濃度存在時，本發明仍能達成更明顯程度的效果。在 此情況中，若怕晶圓的表面變粗糙，則可有利地增加界面 活性劑的添加量以便防止表面變粗糙。 不論所貯存的矽晶圓表面是親水性或疏水性，本發明的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 77 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 565631 A7 B7 五、發明説明（13 ) 貯存水和貯存方皆係有效的。然而，矽晶圓之表面不具有 天然氧化膜者係疏水性的，且因此特別有利於·使用本發明 的貯存水和貯存方法來貯存，因爲矽晶圓的表面係活性的 且易受污染的。 因此，本發明係高度適用於在拋光後立即將矽晶圓貯存 於水中，該矽晶圓沒有天然氧化膜而因此具有疏水表面。 例如，本發明的貯存水和貯存方法所應用的場合係：在砂 晶圓製程中的拋光步驟與後續淸洗步驟之間的等待期間， 將晶圓貯存於水中。 本發明亦可應用於在用氫氟酸（H F )進行蝕刻或淸洗 之後，用來貯存矽晶圓。本發明亦有效於此應用，因爲用 氫氟酸（HF )由矽晶圓表面移除氧化膜，故矽晶圓表面 變成活性的且易受C u所污染。 因此，本發明可防止拋光用的漿料黏附於矽晶圓，當以 其它方法在步驟之間的等待期間使晶圓留置於空氣中時會 發生該黏附，本發明並防止氧化物介質擊穿電壓的變差， .· 以其它方法會因爲貯存水的污染而發生該變差。 實例 其次，將藉由實例來說明本發明；然而，這些實例應不 構成本發明的限制。 實例1及比較例1 = 準備六個坑容器，各含有超純水和當作界面活性劑的聚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） Tig - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
565631 A7 B7 五、發明説明（14 ) 氧乙烯烷苯基醚。然後將銅加到各容器內的貯存水中，俾 調整各容器內的貯存水之C u離子濃度至不同·之値（在〇 一 lOOppb的範圍內）。各容器內的界面活性劑濃度 係1 0體積％。 由Czochralski方法所生長的矽單晶錠製備鏡面拋光的矽 晶圓。用稀氫氟酸（DHF )來移除各矽晶圓的天然氧化 膜俾使矽晶圓得到疏水表面。執行此處理俾將各矽晶圓的 表面帶到一種緊鄰拋光後的狀態。各晶圓浸於上述坑水中 3 0分鐘，經歷一般實行的R C A淸洗及熱處理，然後評 估晶圓的氧化膜之品質。 RCA淸洗方法係一種由Ke I* η所提出的矽晶圓標準 淸洗方法，其包括三個步驟：用ΝΗ4〇Η/Η202來移 除矽晶圓的氧化膜和表面層；用HF來移除一在先前步驟 中已經形成在矽晶圓上的氧化膜；及用HC 1 / Η202來 移除重金屬及形成天然氧化膜。 依照C u裝飾方法來評估氧化膜的品質。如下進行C u 裝飾方法。將電位施予一熱氧化膜，此膜係在一溶有 C u 2 +離子的溶液中，俾電流流經氧化膜之變差部分，且 C u 2 +離子以C u形式沈澱。由於沈澱物的密度係低的， 所以判斷氧化膜的品質係高的（W. Shannon;用銅裝飾 來檢查介質缺陷的硏究，RCA評論30，430， 1 9 7 0 )° 實驗中，形成一具有2 5 nm厚度的熱氧化膜，施予 5MV/cm的電場歷1 5分鐘，及於光學顯微鏡下測量 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17 請 先 閱 讀 背 之 注
I 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 565631 A7 B7 五、發明説明（15 ) C u沈澱物的密度。 圖1顯示C u離子濃度與c u裝飾處理後u沈澱物密 度之間的關係。如圖1中所示’當C u離子濃度爲0 · 1 P p b或較大時，沈澱物的量據烈增加’而當0 u離子濃 度爲1 0 p pb或較大時，沈殿物的量超過5 〇 c s /cm2。由圖1中可知，當將Cu離子濃度調整爲0 · 1 ppb或較小時（此爲本發明所採用的範圍），所達成的 氧化膜之品質係等於一種浸於純水（其未經故意污染）中 的晶圓者。 實例2及比較例2 = 使用一含有C u離子濃度爲1 P P b的經故意污染之水 且選擇地添加濃度爲0 · 0 5莫耳/升的NTA、 EDTA、DTPA或CyDTA來製少四種貯存水。爲 了作比較，製備未經C u所故意污染的純水，及一含C u 濃度爲1 P P b但不含有鉗合劑的貯存水。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 隨後，依照浮動區（F Z )法來製備F Z矽晶圓。如同 實例1和比較例1中的情況，用氫氟酸來移除各晶圓表面 上所存在的天然氧化膜。將處理後不具有天然氧化膜的 F Z矽晶圓浸入各容器內，各容器係含有上述不同種類的 貯存水。其次，晶圓經過已知的R C A淸洗法，及以C 一 模態合格率爲基礎來評估氧化物介質擊穿電壓。C -模態 合格率如同根據時間零介電擊穿（T Z D B )所測得者。 具體言之，形成磷摻雜的多矽電極（氧化膜的厚度：2 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565631 A7 B7 五、發明説明（16 ) nm’電極的面積：8mm )，且以ImA/mm2的電 流密度來測量介質擊穿電場。具有介質擊穿電.場爲8 μ V / c m或較高的晶圓係評判爲良好的（無缺陷）。獲得好 的晶片對晶片總數的比値，當作C -模態合格率。 結果示於表1中。 表1 銅污染 鉗合劑 c -模態合格率 (% ) 無污染 Μ j\\\ 10 0 污染* Μ 8 污染 ΝΤΑ 10 0 污染 EDTA 10 0 污染 DTPA 10 0 污染 CyDTA 10 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 如由以上表1所明顯得知，當矽晶圓貯存於一不含有鉗 合劑但經C U污染的貯存水中，氧化物介質擊穿電壓的變 差係明顯的。對照下，當矽晶圓貯存於一含有鉗合劑的經 C u污染之貯存水中，則氧化物介質擊穿電壓沒有發生變 差，如同晶圓貯存於純水中的情況。不論鉗合劑的種類爲 何，皆獲得此效果。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 - 565631 A7 B7 五、發明説明（17 ) 實例3及比較例3 於表2中所示的條件下製備數種貯存水。在實例3和比 較例3中，用氨水當作貯存水，俾溶解大量的鉗合劑。如 同實例1和比較例1的情況，用氫氟酸來移除各F Z晶圓 的天然氧化膜，及將晶圓浸於各容器內所含的坑水中歷 3 0分鐘。隨後，使晶圓經R C A淸洗，及評估氧化物介 質擊穿電壓和微粗糙度。使用日立電子工程株式會社所製 造的L S — 6 0 0於9 0 0V的檢測電壓在朦朧模式來評 估微粗糙度。 結果示於表2中。 表2 銅離子 濃度 (ppb) EDTA濃度 (莫耳/升） 氨水 界面 活性劑 C-模態 合格率 (%) 微粗糙度 (Bit) 0 .· 身· · · · * — 一 100 56 1000 0.05 含有 含有 35 58 I 1000 0.5 含有 含有 100 53 1 1000 1 . ί 0.5 含有 不含 100 136 如以上表2中所示，在含有1 0 〇 〇 p p b高濃度C u 離子的故意污染之貯存水中的情況，若E D TA濃度設定 爲0 · 0 5莫耳/升，則達成防止氧化物介質擊穿電壓變 請 先 閲 背 Φ 之 注 意 事 項 再 寫 本 頁 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 張 紙 本 準 標 家 國 國 中 用 適 一釐 公 7 9 2 20 565631 A7 B7 五、發明説明（18 ) 差的效果；然而，效果係不足的，故‘不能完全防止變差。 對照下，當EDTA濃度設定爲0 · 5莫耳/·升時，則可 完全防止氧化物介質擊穿電壓的變差，且達成與晶圓浸漬 於純水（其未經故意污染）中者相同的氧化膜品質。 即是，根據貯存溶液內的金屬離子濃度而將鉗合劑加到 蓄存水中，則可防止氧化物介質擊穿電壓的變差，縱使當 金屬離子的濃度爲高時。 在本發明的實例3中，使用氨水當作貯存溶液以便溶解 大量的E D TA。因此當沒有添加界面活性劑時，雖然可 防止氧化物介質擊穿電壓的變差，但是矽晶圓的表面變粗 糙。當添加界面活性劑時，可防止表面變粗糙，且雖然晶 圓係貯存在鹼性溶液中，但是可保持晶圓的表面如同貯存 於純水中的情況。 實例4及比較例4 於表3中所示的條件下製備四種貯存水。如同實例1和 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 比較例1的情況，用氫氟酸來移除各F Z晶圓的天然氧化 膜，及將晶圓浸於各容器內所含的坑水中歷1 2小時。隨 後，使晶圓經R C A淸洗，及評估氧化物介質擊穿電壓。 在實例4及比較例4中，爲了評估以C 一模態合格率（如 由T Z D B所測得）爲基礎所不能檢測出的微妙差異，不 以C -模態合格率爲基礎來執行評估，而是以r 一模態合 格率爲基礎，7 -模態合格率如由T D D B (時間依賴性 介質擊穿）所測得。具體言之，形成類似於實例2中所形 -21 - (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 565631 B7 五、發明説明（19 ) 成者之磷摻雜的多矽電極（氧化膜的厚度：25nm，電 極的面積：8mm2)，且以ImA/mm2的壓迫電流連 續施予電極。在2 5 C/c m2的電流密度不會發生介質擊 穿的晶圓係判定爲良好的（無缺陷的）。獲得好的晶片對 晶片總數的比値，當作r -模態合格率。 結果示於表3中。 表3 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 銅離子濃度 EDTA濃度 界面活性劑 C-模態合格率 (ppb) (莫耳/升） (體積％) (%) 未貯存 — — 95 於水中 1 ΙχΙΟ"5 0.1 93 1 ΙχΙΟ'4 0.1 50 1 1χ1 (Γ4 1.0 52 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 如表3中所示，當故意污染的貯存水含有與1 p p b同 樣低的C u離子濃度時，經由E D T A的添加（量與約1 X 1 〇 _ 5莫耳/升同樣小）能以足夠程度來防止氧化物介 質擊穿電壓的變差。在此情況中，若將EDTA的濃度增 加至1 X 1 〇-4莫耳/升，則稍微減少氧化物介質擊穿電 壓。此變差被認爲是因爲增加的E D TA使晶圓表面變粗 糙的結果所致。然而，即使這樣的情況中，藉增加界面活 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -22- 565631 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 性劑的添加量，仍可防止表面的變粗糙及氧化物介質擊穿 電壓的變差。 · 上述實施使用的矽晶圓係用氫氟酸來移除其之天然氧化 膜。用不含有氧化膜的矽晶圓，如緊鄰拋光後的矽晶圓’ 會獲得與上述相同的結果。 再者，在上述實施例中，故意用c u離子來污染貯存水 或溶液。然而，用其它金屬離子或如銀離子所故意污染的 貯存水或溶液之情況會獲得同的試驗結果。 本發明不限於上述實施例內。上述實施例係僅爲實例’ 且本發明的範圍包括那些具有與所附的申請專利範圍實質 上相同結構並提供類似的作用和效果者。 例如，本發明不限於在矽晶圓製程之步驟之間的期間， 暫時貯存矽晶圓的情況；本發明可應用於將矽晶圓貯存於 水中的任何情況，且在該情況中達成上述效果。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當貯存水內所含有的C u爲C u離子形式時，其內所含 有的C u濃度會大大地影響矽晶圓的氧化物介質擊穿電壓 。即使當貯存水含有不同形式的C u時，如爲元素銅或錯 合物形式時，（它們在貯存水中轉化成離子），Cu的相 同效果仍會發生。因此，本發明包含這些情況。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 _
Claims (1)
- 565631 第87121546號專利申請库 中文申請專利範圍修正Α8 〇 Β8口 D8屄國，2年7明f日γ 六、申請專利範圍 ----- 1 · 一種用於將矽晶圓貯存於水中之貯存水，其中貯 存水含有〇 · 〇 1 p p b或較少濃度的C u。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 ·如申請專利範圍第i項之用於將矽晶圓貯存於水 中之貯存水，其中貯存水含有界面活性劑。 3 · —種貯存矽晶圓於水中之方法，其特徵爲在製造 矽晶圓時，於各步驟間之等待時間貯存矽晶圓於水中的方 法中’使用含有〇 · 〇 1 p p b以下的C u濃度之貯存水 〇 4 ·如申請專利範圍第3項之用於將矽晶圓貯存於水 中之方法，其中使用含有界面活性劑的貯存水。 5 ·如申請專利範圍第3項之用於將矽晶圓貯存於水 中之方法，其中所要貯存的矽晶圓係具有疏水表面。 6 ·如申請專利範圍第4項之用於將矽晶圓貯存於水 中之方法，其中所要貯存的矽晶圓係具有疏水表面。- 7 ·如申請專利範圍第3項之用於將矽晶圓貯存於水 中之方法，其中矽晶圓係在拋光後立即貯存。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 ·如申請專利範圍第4項之用於將矽晶圓貯存於水 中之方法，其中矽晶圓係在拋光後立即貯存。 9 ·如申請專利範圍第5項之用於將矽晶圓貯存於水 中之方法，其中矽晶圓係在拋光後立即貯存。 1 〇 ·如申請專利範圍第6項之用於將矽晶圓貯存於 水中之方法，其中矽晶圓係在拋光後立即貯存。 1 1 · 一種貯存矽晶圓於液中之方法，其特徵爲在製 造砂晶圓時，於各步驟間之等待時間貯存矽晶圓於液中的 本紙張尺度適家標準（CNS )八4胁（21〇χ297公竣X ' 565631 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 方法中，使用添加有鉗合劑之水或藥液以貯存矽晶圓。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之用於將矽晶圓貯存 於水中之方法，其中所要貯存的矽晶圓係具有疏水表面。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之用於將矽晶圓貯存 於水中之方法，其中鉗合劑所添加至的化學溶液係一種鹼 性溶液。 1 4 _如申請專利範圍第1 2項之用於將矽晶圓貯存 於水中之方法，其中鉗合劑所添加至的化學溶液係一種鹼 性溶液。 ' 1 5 .如申請專利範圍第1 1項之用於將矽晶圓貯存 於水中之方法，其中將界面活性劑加到水或化學溶液，其 內加有鉗合劑。 1 6 ·如申請專利範圍第1 2項之用於將矽晶圓貯存 於水中之方法，其中將界面活性劑加到水或化學溶液，其· 內加有鉗合劑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項之用於將矽晶圓貯存 於水中之方法，其中將界面活性劑加到水或化學溶液，其 內加有鉗合劑。 1 8 ·如申請專利範圍第1 1項之用於將矽晶圓貯存 於水中之方法，其中鉗合劑具有鉗合化物製造性能不低於 N T A 者。 1 9 ·如申請專利範圍第1 1項之用於將矽晶圓貯存 於水中之方法，其中鉗合劑係選自於NT A、EDT A、DTP A 、CyDTA、其鹽及其混合物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2-
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| KR100853000B1 (ko) * | 2001-03-16 | 2008-08-19 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 웨이퍼 보관용수 및 보관방법 |
| US20030232087A1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-18 | Lawin Laurie R. | Bioactive agent release coating with aromatic poly(meth)acrylates |
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| JP2004087768A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| US20040074518A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-04-22 | Texas Instruments Incorporated | Surfactants for post-chemical mechanical polishing storage and cleaning |
| US20060083772A1 (en) * | 2004-04-06 | 2006-04-20 | Dewitt David M | Coating compositions for bioactive agents |
| US7541048B2 (en) * | 2004-04-06 | 2009-06-02 | Surmodics, Inc. | Coating compositions for bioactive agents |
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Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4711718A (en) * | 1987-01-20 | 1987-12-08 | Sanitech, Inc. | Ion-selective water filter |
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| DE3823765A1 (de) * | 1988-07-13 | 1990-01-18 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur konservierung der oberflaeche von siliciumscheiben |
| JPH0483585A (ja) * | 1990-07-25 | 1992-03-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 超純水精製方法 |
| JPH04101418A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | Ｓｉウエーハのライフタイム向上方法 |
| JPH04130100A (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-01 | Nippon Steel Corp | 半導体ウェハのエッチング方法および洗浄方法 |
| EP0496605B1 (en) * | 1991-01-24 | 2001-08-01 | Wako Pure Chemical Industries Ltd | Surface treating solutions for semiconductors |
| US5399247A (en) * | 1993-12-22 | 1995-03-21 | Eastman Kodak Company | Method of electrolysis employing a doped diamond anode to oxidize solutes in wastewater |
| TW274630B (zh) * | 1994-01-28 | 1996-04-21 | Wako Zunyaku Kogyo Kk | |
| JP2762230B2 (ja) * | 1994-03-25 | 1998-06-04 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの保管方法 |
| JP3146841B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2001-03-19 | 信越半導体株式会社 | ウエーハのリンス装置 |
| US5466389A (en) * | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
| US5518624A (en) * | 1994-05-06 | 1996-05-21 | Illinois Water Treatment, Inc. | Ultra pure water filtration |
| DE4432738A1 (de) | 1994-09-14 | 1996-03-21 | Siemens Ag | Verfahren zum naßchemischen Entfernen von Kontaminationen auf Halbleiterkristalloberflächen |
| US5958794A (en) * | 1995-09-22 | 1999-09-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer |
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