JP2000049127A - 半導体シリコン単結晶ウェーハのピット保管方法 - Google Patents
半導体シリコン単結晶ウェーハのピット保管方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】研磨後のウェーハをピット槽中の電解カソード
水に浸漬して次の洗浄工程までの間保管することによっ
て研磨剤を用いた研磨時に発生した研磨剤やシリコン
層、酸化膜の研磨屑等に起因するパーティクルを、ウェ
ーハ面をエッチングすることなく効率よく除去すること
ができるようにした半導体シリコン単結晶ウェーハのピ
ット保管方法を提供する。 【解決手段】研磨後の半導体シリコン単結晶ウェーハ
を、ピット槽の水中に浸漬して次の洗浄工程までの間保
管する方法において、該ピット槽の水として電解カソー
ド水を用いることによって当該ウェーハ面からパーティ
クルを除去するようにした。
水に浸漬して次の洗浄工程までの間保管することによっ
て研磨剤を用いた研磨時に発生した研磨剤やシリコン
層、酸化膜の研磨屑等に起因するパーティクルを、ウェ
ーハ面をエッチングすることなく効率よく除去すること
ができるようにした半導体シリコン単結晶ウェーハのピ
ット保管方法を提供する。 【解決手段】研磨後の半導体シリコン単結晶ウェーハ
を、ピット槽の水中に浸漬して次の洗浄工程までの間保
管する方法において、該ピット槽の水として電解カソー
ド水を用いることによって当該ウェーハ面からパーティ
クルを除去するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体シリコン単
結晶ウェーハ（以下、単にウェーハということがある）
及び表面に酸化膜を有するウェーハを、研磨後にピット
槽中の水に浸漬して次の洗浄工程までの間保管する方法
に関する。
結晶ウェーハ（以下、単にウェーハということがある）
及び表面に酸化膜を有するウェーハを、研磨後にピット
槽中の水に浸漬して次の洗浄工程までの間保管する方法
に関する。
【０００２】
【関連技術】半導体シリコン単結晶ウェーハは、一般的
には、シリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程、該スライス工程によ
って得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにそ
の外周部を面取りする面取り工程、この面取りされたウ
ェーハを平面化するラッピング工程、面取り及びラッピ
ングされたウェーハに残留する加工歪みを除去するエッ
チング工程、このエッチングされたウェーハ表面を鏡面
化する研磨工程及び研磨されたウェーハを洗浄してこれ
に付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を経て製造
される。
には、シリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程、該スライス工程によ
って得られたウェーハの割れ、欠けを防止するためにそ
の外周部を面取りする面取り工程、この面取りされたウ
ェーハを平面化するラッピング工程、面取り及びラッピ
ングされたウェーハに残留する加工歪みを除去するエッ
チング工程、このエッチングされたウェーハ表面を鏡面
化する研磨工程及び研磨されたウェーハを洗浄してこれ
に付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を経て製造
される。
【０００３】研磨後のウェーハは、次の洗浄工程までの
運搬には純水をピット槽に満たし、その中にウェーハを
浸漬して行っている。しかし、研磨後のウェーハ表面に
は研磨工程で使用したスラリーや研磨工程で発生したシ
リコン屑がパーティクルとしてウェーハ表面に付着し、
洗浄で落ちにくくなる等の問題があった。
運搬には純水をピット槽に満たし、その中にウェーハを
浸漬して行っている。しかし、研磨後のウェーハ表面に
は研磨工程で使用したスラリーや研磨工程で発生したシ
リコン屑がパーティクルとしてウェーハ表面に付着し、
洗浄で落ちにくくなる等の問題があった。
【０００４】他方、半導体デバイス製造工程においては
素子の高集積化に伴い多層配線が用いられているが、こ
うした配線等に起因する段差が大きくなり、ホトリソグ
ラフィーで素子のパターンを形成する時の障害となって
いる。この解決のために、層間絶縁膜として形成した酸
化膜を研磨剤を用いて化学的・物理的に研磨することが
行われている。この表面に酸化膜を有するウェーハの研
磨においても研磨剤や酸化膜の研磨屑のパーティクルと
しての付着が問題となっている。
素子の高集積化に伴い多層配線が用いられているが、こ
うした配線等に起因する段差が大きくなり、ホトリソグ
ラフィーで素子のパターンを形成する時の障害となって
いる。この解決のために、層間絶縁膜として形成した酸
化膜を研磨剤を用いて化学的・物理的に研磨することが
行われている。この表面に酸化膜を有するウェーハの研
磨においても研磨剤や酸化膜の研磨屑のパーティクルと
しての付着が問題となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した問
題点に鑑みなされたもので、研磨後のウェーハをピット
槽中の電解カソード水に浸漬して次の洗浄工程までの間
保管することによって研磨剤を用いた研磨時に発生した
研磨剤やシリコン屑、酸化膜の研磨屑等に起因するパー
ティクルを、ウェーハ面をエッチングすることなく効率
よく除去することができるようにした半導体シリコン単
結晶ウェーハのピット保管方法を提供することを目的と
する。
題点に鑑みなされたもので、研磨後のウェーハをピット
槽中の電解カソード水に浸漬して次の洗浄工程までの間
保管することによって研磨剤を用いた研磨時に発生した
研磨剤やシリコン屑、酸化膜の研磨屑等に起因するパー
ティクルを、ウェーハ面をエッチングすることなく効率
よく除去することができるようにした半導体シリコン単
結晶ウェーハのピット保管方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体シリコン単結晶ウェーハのピット保
管方法は、研磨後の半導体シリコン単結晶ウェーハを、
ピット槽の水中に浸漬して次の洗浄工程までの間保管す
る方法において、該ピット槽の水として電解カソード水
を用いることによって当該ウェーハ面からパーティクル
を除去することを特徴とする。
に、本発明の半導体シリコン単結晶ウェーハのピット保
管方法は、研磨後の半導体シリコン単結晶ウェーハを、
ピット槽の水中に浸漬して次の洗浄工程までの間保管す
る方法において、該ピット槽の水として電解カソード水
を用いることによって当該ウェーハ面からパーティクル
を除去することを特徴とする。
【０００７】また、本発明の表面に酸化膜を有する半導
体シリコンウェーハのピット保管方法は、表面に酸化膜
を有する半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨後、ピッ
ト槽の水中に浸漬して次の工程までの間保管する方法に
おいて、該ピット槽の水として電解カソード水を用いる
ことによって当該ウェーハ面からパーティクルを除去す
ることを特徴とする。
体シリコンウェーハのピット保管方法は、表面に酸化膜
を有する半導体シリコン単結晶ウェーハの研磨後、ピッ
ト槽の水中に浸漬して次の工程までの間保管する方法に
おいて、該ピット槽の水として電解カソード水を用いる
ことによって当該ウェーハ面からパーティクルを除去す
ることを特徴とする。
【０００８】本発明において用いられる電解カソード水
としては、純水（又は超純水）を電気分解して得られる
電解カソード水が好適に用いられるが、純水（又は超純
水）に電解質を添加した電解質溶液を電気分解して得ら
れる電解カソード水もｐＨが５．５〜１０の範囲のもの
であれば使用できる。
としては、純水（又は超純水）を電気分解して得られる
電解カソード水が好適に用いられるが、純水（又は超純
水）に電解質を添加した電解質溶液を電気分解して得ら
れる電解カソード水もｐＨが５．５〜１０の範囲のもの
であれば使用できる。
【０００９】ｐＨが５．５未満ではパーティクル除去の
効果が得られず、ｐＨが１０を越えるとウェーハ（鏡面
研磨ウェーハ）の面荒れが生じ易くなってしまう。な
お、添加される電解質としては、特別の限定はないが、
例えばＮａＣｌ，ＮＨ4Ｃｌ等をあげることができる。
効果が得られず、ｐＨが１０を越えるとウェーハ（鏡面
研磨ウェーハ）の面荒れが生じ易くなってしまう。な
お、添加される電解質としては、特別の限定はないが、
例えばＮａＣｌ，ＮＨ4Ｃｌ等をあげることができる。
【００１０】本発明による電解カソード水を用いたピッ
ト槽保管は、研磨剤を用いた所定の研磨後に行えばパー
ティクル除去の効果が得られるが、シリコン単結晶ウェ
ーハの鏡面研磨のように複数段の研磨を行う場合には最
終段の仕上げ研磨後に行うことが好ましい。
ト槽保管は、研磨剤を用いた所定の研磨後に行えばパー
ティクル除去の効果が得られるが、シリコン単結晶ウェ
ーハの鏡面研磨のように複数段の研磨を行う場合には最
終段の仕上げ研磨後に行うことが好ましい。
【００１１】上記電解カソード水への半導体シリコン単
結晶ウェーハの浸漬は１０分〜１８０分程度行うのが好
適である。この浸漬時間が１０分未満ではピット槽保管
時の電解カソード水によるパーティクル除去効果が充分
でなく、１８０分を越えると、生産性が低下するととも
に重金属汚染の可能性が高くなってしまう。
結晶ウェーハの浸漬は１０分〜１８０分程度行うのが好
適である。この浸漬時間が１０分未満ではピット槽保管
時の電解カソード水によるパーティクル除去効果が充分
でなく、１８０分を越えると、生産性が低下するととも
に重金属汚染の可能性が高くなってしまう。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態をあげ
るが、以下の説明は例示的に示されるもので限定的に解
釈すべきものでないことはいうまでもない。
るが、以下の説明は例示的に示されるもので限定的に解
釈すべきものでないことはいうまでもない。
【００１３】電気化学的処理や物理的処理など、水に何
等かのエネルギーを与えて活性化させた機能水が知られ
ているが、水を電気分解すると得られる電解イオン水は
この機能水の一種としてあげられている。この電解イオ
ン水は電解アノード水（陽極水）と電解カソード水（陰
極水）に大別される（例えば、「シリコンの科学」ＵＣ
Ｓ半導体基盤技術研究会編、３７７〜３８４頁、株式会
社リアライズ社１９９６年６月２８日発行、「クリーン
テクノロジー」１９９６年３月号、５３〜５７頁「電解
オイン水の開発と応用」酒井重男著）。
等かのエネルギーを与えて活性化させた機能水が知られ
ているが、水を電気分解すると得られる電解イオン水は
この機能水の一種としてあげられている。この電解イオ
ン水は電解アノード水（陽極水）と電解カソード水（陰
極水）に大別される（例えば、「シリコンの科学」ＵＣ
Ｓ半導体基盤技術研究会編、３７７〜３８４頁、株式会
社リアライズ社１９９６年６月２８日発行、「クリーン
テクノロジー」１９９６年３月号、５３〜５７頁「電解
オイン水の開発と応用」酒井重男著）。
【００１４】純水（又は超純水）を電気分解すると、
【００１５】
【化１】 Ｈ2Ｏ→1/2Ｏ2＋２Ｈ+＋２ｅ- ・・・・・（１）
【００１６】陽極では、式（１）の電解反応により、酸
素（及びオゾンと水素イオン）が生成し、電解アノード
水（純水電解による）が得られる。
素（及びオゾンと水素イオン）が生成し、電解アノード
水（純水電解による）が得られる。
【００１７】また、純水（又は超純水）に電解質（例え
ばＮａＣｌ）を添加した電解質溶液を電気分解すると、
ばＮａＣｌ）を添加した電解質溶液を電気分解すると、
【００１８】
【化２】
【００１９】陽極では、式（１）（２）の電解反応によ
り酸素ガスと水素イオン、塩素ガスが生成する。生成し
た塩素ガスは水に溶解し、式（３）にしたがって、塩酸
と次亜塩素酸となる。
り酸素ガスと水素イオン、塩素ガスが生成する。生成し
た塩素ガスは水に溶解し、式（３）にしたがって、塩酸
と次亜塩素酸となる。
【００２０】純水電解による電解アノード水は、中性領
域で＋０．７Ｖ〜＋１．２Ｖの高い酸化還元電位（高い
酸化性）を示し、電解質添加電解による電解アノード水
は、ｐＨが０〜７の領域で＋０．７Ｖ〜＋１．４Ｖの高
い酸化還元電位（高い酸化力）を示す。
域で＋０．７Ｖ〜＋１．２Ｖの高い酸化還元電位（高い
酸化性）を示し、電解質添加電解による電解アノード水
は、ｐＨが０〜７の領域で＋０．７Ｖ〜＋１．４Ｖの高
い酸化還元電位（高い酸化力）を示す。
【００２１】純水電解による電解アノード水の高い酸化
還元電位は、酸素の他に高い酸化力を示すオゾンを含む
ためであり、電解質添加電解による電解アノード水の高
い酸化還元電位は、オゾンの他にＣｌＯX -が生成される
からである。電解アノード水の酸化還元電位は、純水電
解、電解質添加電解ともに３０００分程度の時間内では
変化が少なく安定している。
還元電位は、酸素の他に高い酸化力を示すオゾンを含む
ためであり、電解質添加電解による電解アノード水の高
い酸化還元電位は、オゾンの他にＣｌＯX -が生成される
からである。電解アノード水の酸化還元電位は、純水電
解、電解質添加電解ともに３０００分程度の時間内では
変化が少なく安定している。
【００２２】これに対し、純水（又は超純水）を電気分
解した場合、
解した場合、
【００２３】
【化３】 ２Ｈ2Ｏ＋２ｅ-→1/2Ｈ2＋２ＯＨ- ・・・・・（４）
【００２４】陰極では、式（４）の電解反応により、水
素ガスと水酸イオンが生成し、電解カソード水（純水電
解による）が得られる。
素ガスと水酸イオンが生成し、電解カソード水（純水電
解による）が得られる。
【００２５】また、純水（又は超純水）に電解質（例え
ばＮａＣｌ）を添加した電解質溶液を電気分解した場
合、
ばＮａＣｌ）を添加した電解質溶液を電気分解した場
合、
【００２６】
【化４】 ２Ｈ2Ｏ＋２ｅ-→1/2Ｈ2＋２ＯＨ- ・・・・・（４） Ｎａ+＋ｅ-→Ｎａ ・・・・・・・・・・・・（５） Ｎａ＋Ｈ2Ｏ→ＮａＯＨ＋1/2Ｈ2 ・・・・・・（６）
【００２７】陰極では、式（４）（５）の電解反応によ
り水素ガスと水酸イオン、Ｎａが生成する。生成したＮ
ａは、水と反応し、式（６）にしたがって、ＮａＯＨと
なる。
り水素ガスと水酸イオン、Ｎａが生成する。生成したＮ
ａは、水と反応し、式（６）にしたがって、ＮａＯＨと
なる。
【００２８】純水電解による電解カソード水は、中性領
域で−０．３Ｖ〜−０．７Ｖの負の大きい酸化還元電位
（高い還元性）を示し、電解質添加電解による電解カソ
ード水は、ｐＨ７〜１４の領域で−０．３Ｖ〜−１．１
Ｖの負の大きい酸化還元電位（高い還元性）を示す。電
解カソード水が高い還元性を示すのは、溶存水素を含む
ためである。
域で−０．３Ｖ〜−０．７Ｖの負の大きい酸化還元電位
（高い還元性）を示し、電解質添加電解による電解カソ
ード水は、ｐＨ７〜１４の領域で−０．３Ｖ〜−１．１
Ｖの負の大きい酸化還元電位（高い還元性）を示す。電
解カソード水が高い還元性を示すのは、溶存水素を含む
ためである。
【００２９】電解カソード水の酸化還元電位は、純水電
解、電解質添加電解ともに、大気解放状態では５００分
程度、大気遮断状態では１５００分程度で０に戻る傾向
がある。したがって、電解カソード水は生成後早めに使
用する必要がある。
解、電解質添加電解ともに、大気解放状態では５００分
程度、大気遮断状態では１５００分程度で０に戻る傾向
がある。したがって、電解カソード水は生成後早めに使
用する必要がある。
【００３０】従来、研磨剤を用いた研磨を行った後のウ
ェーハ表面は活性なため、次工程である洗浄工程までの
間は純水を入れたピット槽中にウェーハを浸漬して一時
的に保管していた。本発明者は電解カソード水を研磨後
のウェーハ浸漬用のピット水に適用すると、パーティク
ル除去の効果があることを確認して本発明を完成させ
た。
ェーハ表面は活性なため、次工程である洗浄工程までの
間は純水を入れたピット槽中にウェーハを浸漬して一時
的に保管していた。本発明者は電解カソード水を研磨後
のウェーハ浸漬用のピット水に適用すると、パーティク
ル除去の効果があることを確認して本発明を完成させ
た。
【００３１】また、電解カソード水によるピット槽保管
はシリコン単結晶ウェーハ表面の鏡面研磨のみならず、
表面に酸化膜等を有するデバイスパターンが形成された
ウェーハの化学的、物理的研磨においてもパーティクル
除去の効果が得られる。
はシリコン単結晶ウェーハ表面の鏡面研磨のみならず、
表面に酸化膜等を有するデバイスパターンが形成された
ウェーハの化学的、物理的研磨においてもパーティクル
除去の効果が得られる。
【００３２】シリコン単結晶ウェーハの鏡面研磨や表面
に酸化膜を有するウェーハの研磨後のピット槽中保管に
おいて、電解カソード水を用いると、電解カソード水中
のＯＨ-イオンの働きで、研磨剤やシリコンや酸化膜の
研磨屑がパーティクルとして付着しているものが除去さ
れるのである。
に酸化膜を有するウェーハの研磨後のピット槽中保管に
おいて、電解カソード水を用いると、電解カソード水中
のＯＨ-イオンの働きで、研磨剤やシリコンや酸化膜の
研磨屑がパーティクルとして付着しているものが除去さ
れるのである。
【００３３】
【実施例】以下に、本発明の実施例をあげてさらに具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない限り、
種々の変形が可能であることはいうまでもない。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではなく、本発明の技術思想から逸脱しない限り、
種々の変形が可能であることはいうまでもない。
【００３４】実施例１ 試料ウェーハ：チョクラルスキー（ＣＺ）法で製造した
（低速引上げ、０．４ｍｍ／ｍｉｎ）ｐ型、結晶方位＜
１００＞、３００ｍｍφ、シリコンウェーハ５０枚。 試料ウェーハの製造工程：スライス→面取り→ラップ→
エッチング→粗研磨。
（低速引上げ、０．４ｍｍ／ｍｉｎ）ｐ型、結晶方位＜
１００＞、３００ｍｍφ、シリコンウェーハ５０枚。 試料ウェーハの製造工程：スライス→面取り→ラップ→
エッチング→粗研磨。
【００３５】低速引上げウェーハは、ＣＯＰ(Crystal O
riginated Particle) と呼ばれるGrown-in欠陥が少な
い。ＣＯＰもパーティクル測定装置（サーフスキャン）
でパーティクルとして検出されてしまうので、その影響
を極力排除するために試料ウェーハとして低速引上げウ
ェーハを用いた。
riginated Particle) と呼ばれるGrown-in欠陥が少な
い。ＣＯＰもパーティクル測定装置（サーフスキャン）
でパーティクルとして検出されてしまうので、その影響
を極力排除するために試料ウェーハとして低速引上げウ
ェーハを用いた。
【００３６】実験フロー：仕上げ研磨→ピット槽保管
（電解カソード水、１２０分）→純水リンス（４分）→
乾燥。
（電解カソード水、１２０分）→純水リンス（４分）→
乾燥。
【００３７】・仕上げ研磨 研磨機：枚葉式研磨機 研磨剤：コロイダルシリカ 研磨圧：１００ｇ／ｃｍ2 時間：９０秒
【００３８】・電解カソード水の生成 電解イオン水発生装置：オルガノ製３槽式を用いて純水
を電気分解して電解カソード水を生成した。
を電気分解して電解カソード水を生成した。
【００３９】・乾燥 ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパー乾燥
【００４０】パーティクル測定：テンコール社製サーフ
スキャンＳＰ１(Tencor InstrumentsSurfscan SP1) を
用いて測定した。
スキャンＳＰ１(Tencor InstrumentsSurfscan SP1) を
用いて測定した。
【００４１】上記した工程を通した試料ウェーハの表面
のパーティクル数を上記したパーティクル測定装置で、
測定しその結果を図１に示した。
のパーティクル数を上記したパーティクル測定装置で、
測定しその結果を図１に示した。
【００４２】比較例１ ピット槽保管条件を純水＋界面活性剤（ノニオン系界面
活性剤）で１２０分とした以外は実施例１と同様に試料
ウェーハ（５０枚）の処理を行い、乾燥後のウェーハ表
面のパーティクル数を測定し、その結果を図１に示し
た。
活性剤）で１２０分とした以外は実施例１と同様に試料
ウェーハ（５０枚）の処理を行い、乾燥後のウェーハ表
面のパーティクル数を測定し、その結果を図１に示し
た。
【００４３】図１の結果から明らかなごとく、本発明方
法によるピット槽保管を行ったウェーハ（実施例１）の
パーティクル数は、従来と同様のピット槽保管を行った
ウェーハ（比較例１）のパーティクル数に比較して低減
していることが確認できた。
法によるピット槽保管を行ったウェーハ（実施例１）の
パーティクル数は、従来と同様のピット槽保管を行った
ウェーハ（比較例１）のパーティクル数に比較して低減
していることが確認できた。
【００４４】実施例２ 試料ウェーハ：チョクラルスキー（ＣＺ）法で製造した
（低速引上げ、０．４ｍｍ／ｍｉｎ．）ｐ型、結晶方位
＜１００＞、２００ｍｍφ、シリコンウェーハ５０枚に
モノシランと酸素を原料ガスとした常圧ＣＶＤ法により
２μｍのＳｉＯ2膜を緻密化するために窒素雰囲気下８
００℃で３０分熱処理を行ったもの。
（低速引上げ、０．４ｍｍ／ｍｉｎ．）ｐ型、結晶方位
＜１００＞、２００ｍｍφ、シリコンウェーハ５０枚に
モノシランと酸素を原料ガスとした常圧ＣＶＤ法により
２μｍのＳｉＯ2膜を緻密化するために窒素雰囲気下８
００℃で３０分熱処理を行ったもの。
【００４５】実験フロー：酸化膜研磨→ピット槽保管
（電解カソード水、１２０分）→純水リンス（３分）→
乾燥。
（電解カソード水、１２０分）→純水リンス（３分）→
乾燥。
【００４６】・酸化膜研磨条件 研磨機：枚葉式研磨機 研磨剤：コロイダルシリカ 研磨圧：４００ｇ／ｃｍ2 研磨時間：６０秒
【００４７】・電解カソード水の生成 電解イオン水発生装置：オルガノ製３槽式を用いて純水
を電気分解して電解カソード水を生成した。
を電気分解して電解カソード水を生成した。
【００４８】・乾燥 ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパー乾燥
【００４９】パーティクル測定：テンコール社製サーフ
スキャンＳＰ１(Tencor InstrumentsSurfscan SP1) を
用いて測定した。
スキャンＳＰ１(Tencor InstrumentsSurfscan SP1) を
用いて測定した。
【００５０】上記した工程を通した試料ウェーハ面のパ
ーティクル数を上記したパーティクル測定装置で測定
し、その結果を図２に示した。
ーティクル数を上記したパーティクル測定装置で測定
し、その結果を図２に示した。
【００５１】比較例２ ピット槽保管条件を純水＋界面活性剤（ノニオン系界面
活性剤）で１２０分とした以外は実施例２と同様に試料
ウェーハ（２５枚）の研磨を行い、乾燥後のウェーハ表
面のパーティクル数を測定し、その結果を図２に示し
た。
活性剤）で１２０分とした以外は実施例２と同様に試料
ウェーハ（２５枚）の研磨を行い、乾燥後のウェーハ表
面のパーティクル数を測定し、その結果を図２に示し
た。
【００５２】図２の結果から、明らかなごとく、本発明
方法によってピット槽保管を行った表面に酸化膜を有す
るウェーハ（実験例２）のパーティクル数は従来と同様
のピット槽保管を行った表面に酸化膜を有するウェーハ
（比較例２）のパーティクル数に比較して低減している
ことが確認できた。
方法によってピット槽保管を行った表面に酸化膜を有す
るウェーハ（実験例２）のパーティクル数は従来と同様
のピット槽保管を行った表面に酸化膜を有するウェーハ
（比較例２）のパーティクル数に比較して低減している
ことが確認できた。
【００５３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、研磨後
のウェーハをピット槽中の電解カソード水に浸漬して次
の洗浄工程までの間保管することによって、研磨剤を用
いた研磨時に発生した研磨剤やシリコン屑、酸化膜の研
磨屑等に起因するパーティクルを、ウェーハ面をエッチ
ングすることなく効率よく除去できるという効果が達成
される。
のウェーハをピット槽中の電解カソード水に浸漬して次
の洗浄工程までの間保管することによって、研磨剤を用
いた研磨時に発生した研磨剤やシリコン屑、酸化膜の研
磨屑等に起因するパーティクルを、ウェーハ面をエッチ
ングすることなく効率よく除去できるという効果が達成
される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１と比較例１におけるピット槽保管ウ
ェーハのパーティクル数を示すグラフである。
ェーハのパーティクル数を示すグラフである。
【図２】 実施例２と比較例２におけるピット槽保管ウ
ェーハのパーティクル数を示すグラフである。
ェーハのパーティクル数を示すグラフである。
Claims (5)
- 【請求項１】 研磨後の半導体シリコン単結晶ウェーハ
を、ピット槽の水中に浸漬して次の洗浄工程までの間保
管する方法において、該ピット槽の水として電解カソー
ド水を用いることによって当該ウェーハ面からパーティ
クルを除去することを特徴とする半導体シリコン単結晶
ウェーハのピット保管方法。 - 【請求項２】 前記研磨が最終段の仕上げ研磨であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体シリコン単結晶ウ
ェーハのピット保管方法。 - 【請求項３】 表面に酸化膜を有する半導体シリコン単
結晶ウェーハの研磨後、ピット槽の水中に浸漬して次の
洗浄工程までの間保管する方法において、該ピット槽の
水として電解カソード水を用いることによって当該ウェ
ーハ表面からパーティクルを除去することを特徴とする
表面に酸化膜を有する半導体シリコン単結晶ウェーハの
ピット保管方法。 - 【請求項４】 前記電解カソード水のｐＨが５．５〜１
０の範囲であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
か１項に記載の半導体シリコン単結晶ウェーハのピット
保管方法。 - 【請求項５】 電解カソード水への半導体シリコン単結
晶ウェーハの浸漬を１０分〜１８０分行うことを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体シリコ
ン単結晶ウェーハのピット保管方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21417298A JP2000049127A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体シリコン単結晶ウェーハのピット保管方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21417298A JP2000049127A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体シリコン単結晶ウェーハのピット保管方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049127A true JP2000049127A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16651436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21417298A Pending JP2000049127A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 半導体シリコン単結晶ウェーハのピット保管方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000049127A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8303722B2 (en) | 2001-03-16 | 2012-11-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Water and method for storing silicon wafer |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP21417298A patent/JP2000049127A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8303722B2 (en) | 2001-03-16 | 2012-11-06 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Water and method for storing silicon wafer |
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