TW562851B - Polishing composition and rinsing composition - Google Patents

Polishing composition and rinsing composition Download PDF

Info

Publication number
TW562851B
TW562851B TW088120069A TW88120069A TW562851B TW 562851 B TW562851 B TW 562851B TW 088120069 A TW088120069 A TW 088120069A TW 88120069 A TW88120069 A TW 88120069A TW 562851 B TW562851 B TW 562851B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acid
composition
polishing
nitrate
sulfate
Prior art date
Application number
TW088120069A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Kodama
Toshiki Owaki
Gatsumi Tani
Noritaka Yokomichi
Takashi Tokoue
Original Assignee
Fujimi Inc
Toho Chem Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP32645198A external-priority patent/JP4014741B2/ja
Application filed by Fujimi Inc, Toho Chem Ind Co Ltd filed Critical Fujimi Inc
Application granted granted Critical
Publication of TW562851B publication Critical patent/TW562851B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

562851 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1 ) 本發明係關於適合在記憶硬碟(即供記億裝置(可用 於諸如電腦)用之磁碟的基板)製造中用於記憶硬碟之表 面最終磨光的磨光用組成物,或者適合在表面最終磨光之 後用於前及/或後處理之預處理的沖洗用組成物。更特定 言之,本發明係關於磨光用組成物,當與習知的磨光用組 成物相較時,其具有高消泡性及高切削率且能形成極佳的 經處理之表面同時在供記憶硬碟(以諸如N i - P碟、 N i — F e碟、鋁碟、碳化硼碟或碳碟爲代表)用之碟形 基板(在下文中稱爲 '、基板〃)的最終磨光中,或者最終 磨光的預處理及/或後處理中其並能防止細微凹點、微突出 物或其他表面缺陷的生成,此外,本發明亦係關於沖洗用 組成物,當與習知的沖洗用組成物相較時,其具有高消泡 性並且能夠充分地去除澱積在基板表面上的切屑或物質。 供磁碟裝置(其爲諸如電腦的記憶介質之一)用的記 億硬碟趨向小型化及高容量,且磁性介質亦由習知的塗覆 型轉變爲藉濺鍍法、電鍍法或類似方法形成的薄膜型介質 〇 目前最被廣泛使用的基板係種板材料上具有無電式N i - P被覆金屬者。種板材料係具有鋁或者其他基底材料者 並利用金剛石砂輪藉車床加工,利用P V A砂輪(由 S i C硏磨材料的固化製得)藉拋光,或者藉其他方法施 以成形以賦予平行性或者平面性。然而,該等成形法無法 完全去除相當大的波紋。此外,無電式N i — p被覆金屬 亦會沿著種板材料的此波紋生成,且波紋可能殘存於基丰反 八 (請先閲讀背面•之注意事項再?|^本頁) 太 訂: --線. -4- 562851 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(2 ) 中。磨光係用以去除基板的波紋並使表面平整。 除了記憶硬碟趨向高容量之外,記錄密度亦逐年以數 十百分比的速率改善。因此,記憶硬碟上被預定記錄資訊 量佔據的空間愈趨狹窄且記錄所需的磁力亦趨微弱。因此 ,對近來的磁碟裝置而言,磁頭的飛行高度(其爲磁頭與 記憶硬碟之間的空間)必須最小化。目前,磁頭的飛行高 度降至至多0·02微米的水準。 此外,有時亦可實施所謂的刻紋(texturing)以在磨光 之後於基板上形成同心圓刻線,其係用以防止讀寫資訊至 記憶硬碟的磁頭發生黏結的現象或者用以防止因磨光而使 得刻線以不同於記憶硬碟之轉動方向的某個方向在基板表 面上形成由是使得記憶硬碟上的磁場趨向不均勻。近來, 爲進一步降低飛行高度,有人提出以實施光刻紋的方式在 基板上形成較細的刻線或者使用未實施刻紋且不具刻線的 非刻紋基板。支援此一趨勢(即低的磁頭飛行高度)的技 術已被開發出,且低磁頭飛行高度之趨勢亦得到進一步地 進展。 磁頭沿著在極高速度下轉動之記億硬碟的表面形狀飛 行。如果記憶硬碟的表面上有數微米的凹點存在,則可能 發生資訊無法完全寫入碟片的情形,因而使得資訊流失或 者產生資訊記錄失敗的情形,即所謂的 > 位元錯誤〃,而 產生錯誤。 此處, ''凹點〃可能是最初存在於基板中的凹痕或者 是磨光時在基板表面上形成的凹痕。細微凹點係直徑低於 {請先閱讀背面•之注意事項再 - II 本頁) . •線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -5- 562851 A7 _ ________ B7 五、發明說明(3 ) 約5 0微米的凹痕。 因此,降低基板表面的粗糙度即有其重要性同時亦須 (請先閱讀背面•之注意麥項再本頁) 完全去除相當大之波紋、微突出物、凹痕及其他表面缺陷 〇 -線- 爲了達到此一目的,以磨光用組成物(因其性質在下 文中稱爲''淤漿〃)實施的單一磨光修整迄今已被普遍地 使用,磨光用組成物包含氧化鋁或者其他的多種磨蝕劑、 水及多種磨光加速劑。例如,J P — B — 6 4 — 4 3 6及 J P — B - 2 — 2 3 5 8 9揭示一種供記憶硬碟用的磨光 用組成物,其係藉諸如硝酸鋁、硝酸鎳或硫酸鎳(做爲磨 光加速劑)加至水及氫氧化鋁並施以混合而製成淤漿。此 外,JP — B — 4 - 38788揭示一種供鋁磁碟用的酸 性磨光用組成物,其包含水,氧化鋁磨蝕材料的微細粉末 、葡糖酸或乳酸(做爲磨光加速劑),及膠態氧化鋁(做 爲表面改良劑)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然而,當使用任一種該等磨光用組成物時,僅藉單一 步驟的磨光極難滿足以下的所有需求,即去除基板表面上 的表面缺陷或者相當大的波紋,在預定的時間內將表面粗 糙度降至極低的水準及防止微突出物、細微凹點及其他表 面缺陷的形成。因此,已有人就包含兩或多個步驟的磨光 製程進行硏究。 所欲的表面粗糙度視基板的製程,記憶硬碟的最終記 錄容量及其他條件而定。包含兩個步驟以上的磨光製程亦 可使用,視所欲的表面粗糙度而定。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 562851 A7 — B7 五、發明說明(4 ) 當磨光製程係以兩步驟實施時,第一步驟中的磨光將 主要用於去除基板表面上相當大的波紋、大的凹點及其他 的表面缺陷,即用於調整形狀。因此,對上述波紋或表面 缺陷具有大的調整能力同時又能使深刮痕(其可能無法被 第二步驟中的最終磨光所去除,而僅是降低表面粗糙度) 最小化的磨光用組成物即有其需要。因此,爲增加切削率 ’即需使用具有相當大之顆粒尺寸的磨蝕劑做爲組成物中 的磨蝕材料。 第二步驟中的磨光(即最終磨光)係用以使基板的表 面粗糙度最小化。因此,磨光用組成物必須能夠使得表面 粗糙度最小化並且能夠防止微突出物、細微凹點及其他表 面缺陷的形成,而不是對大波紋或表面缺陷具有大的調整 能力(其爲第一步驟中的磨光所需者)。 迄今,以下兩種做法常被使用做爲降低基板之表面粗 糙度的方法,即以具有相當小之顆粒尺寸的磨蝕劑做爲組 成物中的磨蝕材料或者使用含有界面活性劑的磨光用組成 物(不論第一步驟或第二步驟的磨光)。例如, J P - A - 5 - 3 2 9 5 9揭示一種包含水、氧化鋁磨蝕 劑及氟型界面活性劑的磨光用組成物, J P — A — 5 - 5 9 3 5 1揭示一種供金屬材料用的磨光 用組成物,其包含水、氧化鋁磨蝕劑、水溶性金屬鹽(做 爲磨光加速劑)及氟型界面活性劑,另 J P — A - 5-1 1 2775揭示一種供金屬材料用的磨 光用組成物,其包含水、氧化鋁磨蝕劑、氟型界面活性劑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先Μ讀背面·之注意夺項再 - II 本頁) ;線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 562851 A7 ----- B7 五、發明說明(5 ) 及胺基酸。 然而’就發明人所知,當磨光用組成物包含具有相當 小之顆粒尺寸(特別是平均顆粒尺寸至多爲2微米)的氧 化銘磨蝕劑、水、水溶性金屬鹽或胺基酸,及氟型界面活 性劑時,會產生以下問題,即切削率極低且不適於實際製 造’並且細微凹點或者刮痕亦可能生成,因爲組成物的磨 光能力小。此外,此組成物極可能產生發泡,而使得處理 變得困難,或者會有廢水處理上的問題。如果有消泡劑加 至此組成物以抑制發泡,則切削率可能會進一步地降低, 或者表面缺陷更有可能生成。此外,含有界面活性劑(例 如烷基苯磺酸鹽)的上述磨光用組成物亦可能產生發泡, 而使得處理變得困難,或者會有廢水處理上的問題。 另一方面,爲去除因磨光生成的微突出物,在基板的 淸理步驟中,於磨光之後實施基板的沖洗處理。此沖洗處 理主要用以去除磨光之後殘存在基板之表面上的切屑及磨 蝕劑顆粒。 在基板的磨光及刻紋之後,如果使用的淤漿(在下文 中稱爲 ''廢液〃)係以澱積在基板表面上的狀態乾燥,則 淤漿在後續的淸理步驟中無法被完全去除因而有可能生成 細微的凹點或者微突出物。此外,如果磨光及刻紋之後爲 淤漿沾染的基板被直接引入淸理裝置中,則淸理裝置將被 過度地載荷。除此之外,殘存於基板上的廢液可能會附著 至工作者的身體或者衣物,或者污染工作場所’因而導致 工作環境的污染。磨光及刻紋之後所實施之基板的沖洗處 (請先閱讀背面•之注意务項再 · I I 本*!) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8- 562851 A7 B7 五、發明說明(6 ) 理即爲了防範該等問題的產生。 爲了達到以上的目的,磨光及刻紋之後以純水或者含 有界面活性劑(例如烷基苯磺酸鹽)的沖洗用組成物替代 淤漿並將基板置於供磨光或刻紋用的相同裝置中並在低負 載下實施短時間的沖洗處理迄今已成爲常見的做法。然而 ,當使用此純水或者沖洗用組成物實施沖洗時,有時會產 生問題例如微突出物較可能生成,微突出物的生成無法經 常性地防止,使用的界面活性劑無法被後續的淸理步驟所 完全去除並殘留在基板上,並且除微突出物之外的表面缺 陷(例如劃痕或凹點)亦可能生成。此外,含有界面活性 劑(例如烷基苯磺酸鹽)的上述沖洗用組成物極可能產生 發泡,因而如上述的組成物般難以處理,或者會有廢水處 理上的問題。因此,當沖洗用組成物具有高消泡性時即不 會有發泡的現象,或者如果有泡沫的產生,亦將在短時間 內消失。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之目的係解決以上問題並提供磨光用組成物, 與習知的磨光用組成物相較,其具有高消泡性及高切削率 並且能夠形成'極佳的經處理之表面同時又能防止基板(供 記億硬碟用)在最終磨光中生成細微凹點、微突出物及其 他表面缺陷。除此之外,本發明之另一目的係提供沖洗用 組成物,與習知的沖洗用組成物相較,其具有高消泡性並 且在基板之最終磨光的預處理及/或後處理中其能夠適當 地去除澱積在基板表面上的切屑或物質。 本發明提供記憶硬碟用之磨光用組成物,其包含以下 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 562851 A7 B7 五、發明說明(7 ) 的組份(a )至(d ): (a )水, (b )至少一種選自包含聚苯乙烯磺酸,及其鹽類的' 化合物, (c )選自包含無機酸及有機酸,及其鹽類的化合物 ,除組份(b )之外,及 (d )至少一種選自包含氧化鋁、二氧化矽、氧化铈 、氧化鉻、氧化鈦、氮化矽及二氧化錳的磨蝕劑。 此外,本發明亦提供記億硬碟用之沖洗用組成物,其 包含以下的組份(a )至(c ): (a )水, (b )至少一種選自包含聚苯乙烯磺酸,及其鹽類的 化合物,及 (c )選自包含無機酸及有機酸,及其鹽類的化合物 ,除組份(b )之外。 本發明之磨光用組成物與習知的磨光用組成物相較其 具有高消泡性及高切削率並且能夠防止基板(欲用於記憶 硬碟中)在最\終磨光中生成細微凹點、微突出物及其他表 面缺陷。本發明之沖洗用組成物與習知的沖洗用組成物相 較其具有高消泡性並且能夠適當地去除澱積在基板表面上 的切屑或物質。 此處將參考較佳的實施例對本發明做詳細的說明。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先 Μ 讀 背 Sj £ 注 意 項 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 562851 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(8 ) 聚苯乙烯磺酸及其鹽類 本發明之磨光用組成物及沖洗用組成物含有至少一種 選自包含聚苯乙烯磺酸及其鹽類的化合物(在下文中稱爲 ''聚苯乙烯磺酸化合物〃)做爲組份(b )。在本發明中 ,聚苯乙烯磺酸除了聚苯乙烯之苯環上選用的氫爲磺基所 取代者之外尙包括以下的聚苯乙烯磺酸,即取代基所在的 範圍不損及本發明之效果者及基本架構中含有之重覆單元 所在的範圍不損及本發明之效果者。 聚苯乙烯磺酸化合物最好是聚苯乙烯磺酸與鈉、鉀或 其他鹼土金屬形成的鹽類,或者是其與一乙醇胺、二乙醇 胺、三乙醇胺、嗎啉、氨或其他胺化合物形成的鹽類。 此聚苯乙烯磺酸化合物的分子量未有特別的限制。然 而,其重量平均分子量最好爲2,000至 1 ,000,000,並以10,000至50,000 爲更佳,以10,000至30,000爲最佳。此處, 切削率的平衡與表面缺陷的抑制可藉調整聚苯乙烯磺酸化 合物的分子量而得到調整。此聚苯乙烯磺酸化合物係摻至 本發明之磨光(用組成物或者沖洗用組成物,其基於組成物 總重量的比例最好爲0 · 0 0 1至2重量%,並以 0·005至1重量%爲更佳,以0·01至0·7重量 %爲最佳。如果此聚苯乙烯磺酸化合物的含量增加,對磨 光用組成物而言,細微凹點或其他表面缺陷的生成趨向減 少,對沖洗用組成物而言,去除切屑或澱積物質的能力亦 趨向增加。然而,當其增加過多時,則切削率或加工能力 (請先閱讀背面•之注意事項 n I · ϋ I 再本頁) =-σ· --線· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -11 - 562851 A7 _ B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(9 ) 趨向降低,或者降低凹點或刮痕的效果或者去除切屑或澱 積物質的能力亦趨向降低。因此,必須充分地注意。另一 方面,如果聚苯乙烯磺酸化合物的含量太小,則本發明的 效果幾乎無法達到。 上述的聚苯乙烯磺酸化合物最好溶解於組成物中。該 等聚苯乙烯磺酸化合物可以多種組合使用只要其選用的比 率在不損及本發明之效果的範圍內。 無機酸與有機酸,及其鹽類 本發明之磨光用組成物或者沖洗用組成物除了上述的 組份(b )之外尙含有至少一種選自包含無機酸與有機酸 ,及其鹽類的化合物(在下文中稱爲 ''酸化合物〃)做爲 組份(c )。此種酸化合物最好選自包含硝酸、亞硝酸、 硫酸、氫氯酸、鉬酸、胺基磺酸、胺基醋酸、甘油酸、扁 桃酸、丙二酸、抗壞血酸、谷胺酸、二羥醋酸、蘋果酸、 乙醇酸、乳酸、葡糖酸、琥珀酸、酒石酸與檸檬酸,及其 鹽類與衍生物。特定言之,其包括硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸 鋰、硝酸鈉/硝酸鉀、硝酸鐵(I I I )、亞硝酸鈉、亞 硝酸鉀、硫酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵( III)、硫酸銨、氯化鋁、氯化鐵(I I I )、氯化銨 、鉬酸鈉、鉬酸銨、胺基磺酸鎳及胺基磺酸銨。 此種酸化合物應溶解於組成物中。該等酸化合物可以 多種組合使用只要其選用的比率在不損及本發明之效果的 範圍內。 (請先閱讀背面•之注意事 ϋ ϋ Ik. 寫本頁) 訂: 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 562851 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(i〇 ) 本發明之磨光用組成物或者沖洗用組成物中酸化合物 的含量視酸化合物的類型而定。但是,其基於組成物總重 量的含量最好爲0 · 01至30重量%,以〇 · 1至25 重量%爲更佳,以0·5至20重量%爲最佳。當酸化合 物的量增加時,切削率趨向增加。但是,當其過量時,化 學作用會變得強烈,因而容易生成微突出物、細微凹點或 者其他的表面缺陷。當其量太小時,則可能無法充分達到 本發明之效果。 V 磨蝕劑 在構成本發明之磨光用組成物的組份中適合做爲主要 磨蝕劑的磨蝕劑係至少一種選自包含氧化鋁、二氧化矽、 氧化鈽、氧化銷、氧化欽、氮化砂及二氧化猛者。 氧化鋁包括α —氧化鋁、5 —氧化鋁、0 —氧化鋁、 /c -氧化鋁及其他不同形態者。此外,若由其製法區分, 亦有一種所謂的發煙氧化鋁。 二氧化矽包括膠態氧化矽、發煙氧化矽及在本質上或 者製法上相異的多種其他的氧化矽。 氧化鈽包括氧化數爲三價及四價者,並且其亦包括晶 系爲六方晶系、等軸晶系及面心立方晶系者。 氧化鉻包括晶系爲單斜晶系、四方晶系及無定形者。 此外,若由其製法區分,亦有一種所謂的發煙氧化鉻。 若由晶系區分,氧化鈦包括一氧化欽、三氧化二鈦、 二氧化鈦及其他類型者。此外,若由其製法區分,亦有一 (請先閱讀背面之注意事 1--- 項本頁) 線- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -13- 562851 A7 _____ B7_ 五、發明說明(11 ) 種所謂的發煙氧化鈦。 氮化矽包括α —氮化矽、0 -氮化矽、無定形氮化矽 及其他不同形態者。 就形態學區分,二氧化鐘包括α —二氧化鐘、yS -二 _化鐘、7 - 一氧化鐘、δ - 一氧化猛、δ -二氧化錶、 7? -二氧化錳及其他不同形態者。 就本發明的組成物而言,該等磨蝕劑可以視需要組合 使用。當其倂用時,組合的方式或者其比例未有特別的限 制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 上述的磨蝕劑係以磨粒的角色藉機械作用將欲磨光的 表面施以磨光。其中,二氧化矽的顆粒尺寸通常爲 〇·〇〇5至0 · 5微米,並且最好爲0 · 01至〇 · 3 微米(由Β Ε Τ法測得的表面積所算得的平均顆粒尺寸) 。同樣地,氧化鋁、氧化鉻、氧化鈦、氮化砂或二氧化錳 的顆粒尺寸通常爲0 · 0 1至2微米,並且最好爲 0 · 0 5至1 · 5微米(由雷射繞射系統顆粒尺寸量測裝 置L S - 2 3 0 ( Coulter Co.,U.S.A·製造)測得的平均顆粒 尺寸)。此外,氧化鈽的顆粒尺寸通常爲0 . 0 1至 0 · 5微米,並且最好爲0 · 05至0 . 45微米(由掃 瞄式電子顯微鏡觀察得到的平均顆粒尺寸)。 如果該等磨蝕劑的平均顆粒尺寸超過以上的個別範圍 ,將產生以下的問題,即經過磨光的表面會有相當的表面 粗糙度,或者刮痕易於形成。另一方面,如果平均顆粒尺 寸小於個別範圍,則切削率會變得極低,而無法做實務的 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 562851 A7 __B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(12 ) 應用。 磨光用組成物中磨蝕劑基於組成物總量的含量通常爲 〇· 1至50重量%,並且最好爲1至25重量%。如果 磨蝕劑的含量太小,則微突出物、細微凹點或其他表面缺 陷易於形成,且切削率有時亦會降低。另~方面,如果其 太大’則難以維持均勻的分散,且組成物的黏度會變得過 大,而使得處理變得困難。 磨光用組成物及沖洗用組成物 本發明之磨光用組成物通常藉以下方式製得,即,將 以上的個別組份分散或溶解於水中,即將選自包含氧化鋁 、二氧化矽、氧化鈽、氧化鉻、氧化鈦、氮化矽及二氧化 錳的磨蝕劑(組份(d ))以所欲的含量混合及分散於水 (組份(a ))中並且再將聚苯乙燒磺酸(組份(b )) 及酸化合物(組份(c ))溶入其中。該等組份分散或溶 解於水中的方法係視需要選用。例如,其可藉超音波分散 或者藉攪拌(利用葉片式攪拌器)施以分散。其混入的順 序係視需要選用,並且磨蝕劑的分散作用及聚苯乙烯磺酸 化合物或酸化合物的溶解作用可以同時實施,或者兩者之 一可在另一者之前實施。 爲維持製造品質或者使其安定化,在製備以上的磨光 用組成物或者沖洗用組成物的同時可再加入多種習知的添 加劑,其視欲處理之標的物的類型,處理條件或者磨光處 理的其他必需性而定。 (請先閲讀背Φ之注意事項 本頁) 裝 --線- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- 562851 A7 B7 五、發明說明(13 ) 劑的實例包括以下者。 類例如纖維素'羧甲基纖維素及羥乙基 醇類,例如乙醇、丙醇及乙二醇, 陰離子材料,例如木質磺酸鹽及聚丙烯 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 本 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 烯醇, 一羥基喹 與 用組成物 述的目的 用。 以具有相 彼型態儲 稀釋使用 作而言。 存或運輸 觀點而言 該等額外添加 (a )纖維素 纖維素, (b )水溶性 (c )有機聚 酸鹽, (d )水溶性 (e )螯合劑 啉、乙醯丙酮、胺 (f )殺菌劑 此外,上述的 中使用的聚苯乙烯 之外尙可做爲輔助 本發明之磨光 當高濃度之儲備溶 存或運輸,並且當 。上述的較佳濃度 當組成物係以此儲 狀態下當然是具有 ,最好組成物係以 至於本發明之 或氟型界面活性劑 夠降低細微凹點、 可提供表面粗糙度 聚合物(乳化劑), ,例如丁二酮肟、雙 基醋酸、EDTA及 例如精胺酸鈉及碳酸 磨蝕劑、適合在本發 磺酸化合物或酸化合 添加劑以防止磨蝕劑 用組成物或者沖洗用 液的型態製得,而使 實施磨光或沖洗操作 範圍係針對實際磨光 備溶液的型態製得時 高濃度的液體。就處 此濃縮型態製得。 磨光用組成物爲何較 的習知磨光用組成物 微突出物或其他表面 小之磨光表面的原因 例如聚乙 硫踪、8 N 丁 A, 氫鉀。 明之磨光 物除了上 的沉積作 組成物可 得其可以 時其可以 或沖洗操 ,其在儲 理效率的 含有烷基苯磺酸鹽 具有高切削率且能 缺陷的形成同時又 ,雖然其詳細機制 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 562851 A7 B7 五、發明說明(14 ) 尙未淸楚地瞭解,但是其可以N i - P電鍍基板爲例說明 如下。 聚苯乙烯磺酸化合物具有適宜地凝聚磨蝕劑顆粒的功 能,因此小的磨蝕劑顆粒將以相當弱的凝聚力凝聚。一般 而言,當磨光用組成物的磨光能力低時,細微凹點易於形 成。然而,就本發明的磨光用組成物而言,其磨光能力高 ,並且高切削率亦得以達成,因爲具有相當小之顆粒尺寸 的磨光用顆粒係以相當弱的力凝聚。此外,此凝聚作用在 磨光處理期間會逐漸地消散,因此其對經過處理之表面所 造成的損害即小,並且具有小的表面粗糙度之經過處理的 表面即可製得。此外,諸如細微凹點之表面缺陷(指加工 應變存在的部位)將不會被上述經凝聚之磨蝕劑顆粒的機 械作用及酸化合物的化學作用選擇性地加工而使該等缺陷 擴大,因而可製得均勻的經處理之表面。此外,咸認爲因 磨光或組成物中磨蝕劑所形成之切屑的表面係被聚苯乙烯 磺酸化合物所覆蓋,因此其幾乎不會澱積在基板的表面上 ,並且諸如微突出物之表面缺陷的形成亦因此得以降低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之沖洗用組成物係主要用以去除磨光處理之後 的切屑或澱積物質。然而,在磨光處理之前使用此沖洗用 組成物時,基板表面會受到化學上的影響,因而磨光之後 切削率增加或者表面粗糙度降低的效果將得以達成。因此 ,本發明之沖洗用組成物並未限於磨光處理之後使用,其 亦可在磨光之前使用。 當磨光處理係藉本發明之磨光用組成物實施時,最好 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 562851 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(15 ) 在磨光處理之前及/或之後以本發明之沖洗用組成物實施 沖洗處理。本發明之沖洗用組成物可在基板以選用的磨光 用組成物處理之後或者處理之前施用至基板。然而,其最 好和本發明之磨光用組成物組合使用。在以本發明之磨光 用組成物實施磨光處理之前先以沖洗用組成物實施處理可 以補強化學效果。此外,在以本發明之磨光用組成物實施 磨光處理之後再以沖洗用組成物實施處理,殘留在基板表 面上的切屑或者磨光用組成物的多種組份即可有效地去除 〇 以下將參考本發明之磨光用組成物及沖洗用組成物的 實例對本發明做更爲詳細的說明。但是,此處應該瞭解本 發明不爲將在以下說明之該等實例的特定架構所限。 實例1 :磨光試驗 磨光用組成物的製備 首先,利用攪拌器將做爲磨蝕劑的氧化鋁、氧化锆或 氧化鈦分散於水中並製得磨蝕劑濃度爲1 0重量%的淤漿 。然後,將酸'化合物及聚苯乙烯磺酸化合物(或者爲比較 之目的,將烷基苯磺酸鈉、三乙醇胺十二烷基苯磺酸酯或 者做爲氟化合物的全氟烷基胺化氧)以表1所示的量加至 彼,繼而施以混合並製得實例1至9及比較例1至8之樣 品。 <請先閱讀背面之注意事 ^ ·1 I · I ϋ 項寫本頁) έί- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- 562851 A7 B7 五、發明說明(16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 磨蝕劑 酸化合物 用量(重量%) 聚苯乙烯磺酸化合 物 用量(重量%) 實例1 A1 oxide* 1 A1 nitrate*4 0.5 PSS-Na*6 0.01 實例2 A1 oxide A1 nitrate 0.5 PSS-Na 0.1 實例3 A1 oxide A1 sulfate *5 0.5 PSS-Na 0.1 實例4 A1 oxide 蘋果酸 0.5 PSS-Na 0.1 實例5 A1 oxide 葡糖酸 0.5 PSS-Na 0.1 實例6 A1 oxide A1 nitrate 0.5 PSS-K*7 0.1 實例7 A1 oxide A1 nitrate 0.5 PSS-TEA*8 0.1 實例8 Zr oxide*2 A1 nitrate 0.5 PSS-Na 0.1 實例9 Ti oxide*3 A1 nitrate 0.5 PSS-Na 0.1 比較例1 A1 oxide A1 nitrate 0.5 比較例2 A1 oxide A1 sulfate 0.5 • 比較例3 A1 oxide 蘋果酸 0.5 黎 比較例4 A1 oxide 葡糖酸 0.5 • 比較例5 Ti oxide A1 nitrate 0.5 細 比較例6 A1 oxide A1 sulfate 0.5 ABS-Na*9 0.1 比較例7 A1 oxide A1 sulfate 0.5 DBS-TEA*10 0.1 比較例8 A1 oxide A1 sulfate 0.5 PAA〇*11 0.1 (請先閱讀背V&之注意_事項寫本頁) --線- 本纸張义度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) -19 - 562851 A7 B7 五、發明說明(17 ) * 1 Aloxide:氧化錕 * 2 Zr oxide:氧化銷 * 3 Ti oxide:氧化欽 * 4 A1 n i t r a t e:硝酸錫 * 5 A1 sulfate:硫酸銘 *6 PSS — Na :聚苯乙烯磺酸鈉 *7 P S S — K :聚苯乙烯磺酸鉀 * 8 PSS — TEA :三乙醇胺聚苯乙烯磺酸酯 * 9 ABS_Na :烷基苯磺酸鈉 *10 DBS — TEA :三乙醇胺十二烷基苯磺酸酯 *11 PAAO:全氟烷基胺化氧 供磨光試驗用之基板的製備 使用以上的磨光用組成物並製得供磨光試驗用的基板 。爲了對兩步驟磨光實施評估,試驗用基板係以如下方式 製得。 磨光條件(第一步驟) 機件:3·5〃無電式Ni-P基板 機件數:十片 磨光機:雙面磨光機(台直徑:640毫米) 磨光墊圈:Politex DG ( Rodel Inc.,U.S.A.製造) 加工壓力:8 0克/平方厘米 台轉速:6〇rpm (請先閱讀背面之注意事 1--- 項本頁) --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -20· 562851 A7 ___ B7 五、發明說明(18 ) 磨光用組成物:DISKLITE-3471 (FUJIMI INCORPORATED製造) 組成物的稀釋:1 : 2純水 磨光用組成物的進料速率:1 0 0毫升/分鐘 磨光時間:5分鐘 磨光試驗 磨光試驗係利用以上述磨光用組成物完成第一步驟之 磨光的基板在如下的條件下實施。 磨光條件(第二步驟) 機件:3 · 5 〃無電式N i — P基板(第一步驟之磨 光已完成) 機件數:十片 磨光機:雙面磨光機(台直徑:6 4 0毫米) 磨光墊圈:Politex DG ( Rodel Inc.,U.S.A·製造) 加工壓力:6 0克/平方厘米 台轉速:60rpm 磨光用組成物的進料速率:10 0毫升/分鐘 磨光時間:5分鐘 磨光之後,基板依序施以淸洗及乾燥,然後量測基板 因磨光產生的重量減輕,由平均値可得切削率。 此外,利用微差干涉顯微鏡(放大倍數:5 0倍)檢 視基板表面以量測是否有微突出物或細微凹點的存在。評 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 - (請先閱讀背面之注意事項 I-裝 i — 本頁) -·線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 562851 A7 ___B7___ 五、發明說明(19 ) 估標準如下。 0 :無實質的微突出物或細微凹點可爲肉眼所察。 X :微突出物或細微凹點實質上可爲肉眼所察,並且 其已到達產生問題的程度。 所得的結果示於表2中。 除此之外,利用均混機將以上的磨光用組成物在 6 0 0 r p m下施以攪拌,並在3 0秒期滿時以目視評估 消泡效能。評估標準如下。 〇:僅有些微泡沫,但是其實際上尙未到達產生問題 的程度。 X :有大量的泡沫生成,並且其實際上已到達產生問 題的程度。 所得的結果示於表2中。 (請先閲讀背面之注意事 I ϋ I · ϋ ϋ 項本頁) il: ;線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐) 562851 A7 五、發明說明(2〇 ) 表2
切削率(微米/分鐘) 細微凹點 消泡性質 實例1 0.38 〇 〇 實例2 0.36 〇 〇 實例3 0.18 〇 〇 實例4 0.15 〇 〇 實例5 0.15 〇 〇 實例6 0.30 〇 〇 實例7 0.32 〇 〇 實例8 0.15 〇 〇 實例9 0.17 〇 〇 比較例1 0.40 X 〇 比較例2 0.20 X 〇 比較例3 0.20 X 〇 比較例4 0.20 X 〇 比較例5 0.23 X 〇 比較例6 ' 0.18 X X 比較例7 0.35 X X 比較例8 0.18 X X • n n ϋ n ·1 1 ϋ ϋ ϋ I ϋ n I · I ϋ U5^ (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由表2所示的結果,可以明顯地看出本發明之磨光用 組成物與習知的磨光用組成物相較其具有高切削率並且在 消泡性質及抑制細微凹點的生成上顯現極佳的結果。 -23 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 562851 A7B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明(21 ) 實例2 :沖洗試驗 1洗用組成物的製備 首先,利用攪拌器將酸化合物分散及溶解於水中並製 得酸化合物含量爲0 . 5重量%的水溶液。然後,將 〇·1重量%之選自包含聚苯乙烯磺酸鹽、烷基苯磺酸鈉 及三乙醇胺十二烷基苯磺酸酯的界面活性劑加至彼而製得 如表3中所示的沖洗用組成物。實例1 0至1 3及比較例 9至1 1的組成物即以此方式製得。 表3 酸化合物 用量(重量%)f 界面活性劑 用量(重量%) 實例10 硝酸鋁 0.5 0.1 實例11 硝酸鋁 0.5 PSS-K*2 0.1 實例12 硝酸鋁 0.5 PSS-TEA*3 0.1 實例1 3 蘋果酸 0.5 PSS-TEA 0.1 比較例9 硝酸鋁 0.5 • 比較例10 硝酸鋁 0.5 ABS-Na*4 0.1 比較例11 硝酸鋁 0.5 DBS-TEA*5 0.1 * 1 PSS - Na :聚苯乙烯磺酸鈉 Γ 難 … "2 P S S - K :聚苯乙烯磺酸鉀 ----- —- — ~ * 3 P S S - T E A ··三乙醇胺聚苯乙烯磺酸酯 "4 A B S - N a :烷基苯磺酸鈉 * 5 DBS - TEA :三乙醇胺十二烷基苯磺酸酯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公釐)
562851 A7 B7 五、發明說明(22 ) 沖洗試驗 首先,在以下的磨光條件下製得供磨光試驗用的基板 〇 磨光條件 機件:3·5〃無電式Ni_P基板 機件數:十片 磨光機:雙面磨光機(台直徑:640毫米) 磨光墊圈:Politex DG ( Rodel Inc.,U.S.A·製造) 加工壓力:8 0克/平方厘米 台轉速:60 r p m 磨光用組成物:DISKLITE-347 1 ( FUJIMI INCORPORATED製造) 組成物的稀釋:1 : 2純水 磨光用組成物的進料速率:1 0 0毫升/分鐘 磨光時間:5分鐘 磨光處理完成之後,立即在以下的沖洗條件下實施沖 洗處理。^ 沖洗條件 機件:3 · 5"無電式Ni - P基板(完成磨光) 機件數:十片 磨光機:雙面磨光機(台直徑:640毫米) 磨光墊圈·· Politex DG ( Rodel Inc.,U.S.A·製造) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) • ϋ 1 n β-i i-i ·1 ·1 ϋ i-i 1 I · ϋ 1 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) · · 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25 - 562851 A7 五、發明說明(23 ) 加工壓力:4 0克/平方厘米 台轉速:3 0 r p m (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 沖洗用組成物的進料速率:3 0 0毫升/分鐘 沖洗時間:3 0 0秒 沖洗處理完成之後,即將基板依序施以淸洗及乾燥, 然後再利用微差干涉顯微鏡(放大倍數:5 0倍)檢視基 板表面以量測是否有微突出物或細微凹點的存在。所得的 結果示於表4中。 除此之外,利用均混機將以上的沖洗用組成物在 6 0 0 r p m下施以攪拌,並在3 0秒期滿時以目視評估 消泡效能。所得的結果示於表4中。 表4
細微凹點 消泡性質 實例1 0 〇 〇 實例1 1 〇 〇 實例1 2 〇 〇 實例1 3 〇 〇 比較例9 X 〇 比較例1 0 X X 比較例1 1 X X 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由表4所示的結果,可以明顯地看出本發明之沖洗用 組成物與習知的沖洗用組成物相較其在消泡性質及抑制細 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 562851 A7 ___B7_ 五、發明說明(24 ) 微凹點的生成上顯現極佳的結果。 如前所述,本發明之磨光用組成物與習知的磨光用組 成物相較其具有高切削率並且具有高消泡性質且在基板( 供記億硬碟用)的最終磨光中可以防止細微凹點、微突出 物或其他表面缺陷的形成,並且本發明之沖洗用組成物與 習知的沖洗用組成物相較其具有高消泡性質且在基板最終 磨光的前處理及/或後處理中可以防止細微凹點、微突出 物或其他表面缺陷的形成。 <請先閱讀背 之注意事項寫本頁) 裝 訂: •線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -27-

Claims (1)

  1. 5 8 2 6 5 .泰.疫、, 本 Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 、1 · 一種供記憶硬碟用之磨光用組成物,其特徵爲該 組成物包含以下的組份(a )至(d ): (a )水, (b )至少一種選自包含聚苯乙烯磺酸,及其鹽類的 化合物, (c )選自包含無機酸與有機酸,及其鹽類的化合物 ,除組份(b )之外,及 (d )至少一種選自包含氧化鋁、二氧化矽、氧化鈽 、氧化鉻、氧化鈦、氮化矽及二氧化錳的磨蝕劑。 2 ·如申請專利範圍第1項之磨光用組成物,其中, 組份(c )係選自包含硝酸、亞硝酸、硫酸、氫氯酸、鉬 酸、胺基磺酸、胺基醋酸、甘油酸、扁桃酸、丙二酸、抗 壞血酸、谷胺酸、二羥醋酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡 糖酸、琥珀酸、酒石酸與檸檬酸,及其鹽類與衍生物。 3 ·如申請專利範圍第2項之磨光用組成物,其中, 組份(c )係選自包含硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉 、硝酸鉀、硝酸鐵(I I I )、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫 酸鋁、硫酸纟桌、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(I I I )、硫 酸銨、氯化鋁、氯化鐵(I I I )、氯化銨、鉬酸鈉、鉬 酸銨、胺基磺酸鎳及胺基磺酸銨。 4 .如申請專利範圍第1項之磨光用組成物,其中, 組份(d )基於磨光用組成物總重量的含量爲〇 · 1至 5 0重量%。 5 .如申請專利範圍第1項之磨光用組成物,其中, (請先聞讀背面之注意事項再本頁) —柒· il -鯓- 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) -28- 562851 A8 B8 C8 ___D8 _______ 六、申請專利範圍 組份(C )基於磨光用組成物總重量的含量爲〇 ·丄至 3 0重量%。 ---------装-- (請先閲讀背面£注意事項再本萸) 6 ·如申請專利範圍第1項之磨光用組成物,其中, 組份(b )基於磨光用組成物總重量的.含量爲〇 . 〇 〇 1 至2重量%。 ’ 7 · —種;ί共記憶硬碟用之沖洗用組成物,其特徵爲該 7 組成物包含以下的組份(a )至(c ): (a )水, (b )至少一種選自包含聚苯乙烯磺酸,及其鹽類的 化合物, (c )選自包含無機酸與有機酸,及其鹽類的化合物 ,除組份(b )之外。 8 ·如申請專利範圍第7項之沖洗用組成物,其中, 組份(c )係選自包含硝酸、亞硝酸、硫酸、氫氯酸、鉬 酸、胺基磺酸、胺基醋酸、甘油酸、扁桃酸、丙二酸、抗 壞血酸、谷胺酸、二羥醋酸、蘋果酸、乙醇酸、乳酸、葡 糖酸、琥珀酸、酒石酸與檸檬酸,及其鹽類與衍生物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 ·如ΐ請專利範圍第8項之沖洗用組成物,其中, 組份(c )係選自包含硝酸鋁、硝酸鎳、硝酸鋰、硝酸鈉 、硝酸鉀、硝酸鐵(I I I )、亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、硫 酸鋁、硫酸鎳、硫酸鋰、硫酸鈉、硫酸鐵(I I I )、硫 酸銨、氯化鋁、氯化鐵(I I I )、氯化銨、鉬酸鈉、鉬 酸銨、胺基磺酸鎳及胺基磺酸銨。 1 〇 .如申請專利範圍第7項之沖洗用組成物,其中 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(21〇Χ29*7公釐) -29· 562851 A8 B8 C8 D8々、申請專利範圍 ,組份(c )基於沖洗用組成物總重量的含量爲0 · 1至 3 0重量%。 1 1 ·如申請專利範圍第7項之沖洗用組成物,其中 ,組份(b )基於沖洗用組成物總重量的含量爲 0.001至2重量%。 (請先閲讀背面<注意事項再 n ϋΒϋ 4 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -30-
TW088120069A 1998-11-17 1999-11-17 Polishing composition and rinsing composition TW562851B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32643398 1998-11-17
JP32645198A JP4014741B2 (ja) 1998-11-17 1998-11-17 リンス用組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW562851B true TW562851B (en) 2003-11-21

Family

ID=26572182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088120069A TW562851B (en) 1998-11-17 1999-11-17 Polishing composition and rinsing composition

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6117220A (zh)
KR (1) KR20000035505A (zh)
CN (1) CN1146623C (zh)
GB (1) GB2350369B (zh)
SG (1) SG78405A1 (zh)
TW (1) TW562851B (zh)

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6475407B2 (en) * 1998-05-19 2002-11-05 Showa Denko K.K. Composition for polishing metal on semiconductor wafer and method of using same
US6553788B1 (en) * 1999-02-23 2003-04-29 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Glass substrate for magnetic disk and method for manufacturing
US6428392B1 (en) * 1999-03-23 2002-08-06 Seimi Chemical Co., Ltd. Abrasive
US6673757B1 (en) * 2000-03-22 2004-01-06 Ashland Inc. Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor
US6258140B1 (en) 1999-09-27 2001-07-10 Fujimi America Inc. Polishing composition
US6488729B1 (en) * 1999-09-30 2002-12-03 Showa Denko K.K. Polishing composition and method
US6454821B1 (en) * 2000-06-21 2002-09-24 Praxair S. T. Technology, Inc. Polishing composition and method
DE60124473T2 (de) * 2000-09-08 2007-09-06 Kanto Kagaku K.K. Ätzflüssigkeitszusammensetzung
JP4009986B2 (ja) 2000-11-29 2007-11-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法
MY144587A (en) 2001-06-21 2011-10-14 Kao Corp Polishing composition
JP4003116B2 (ja) 2001-11-28 2007-11-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
US6821897B2 (en) * 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
CN1240816C (zh) * 2001-12-12 2006-02-08 海力士半导体有限公司 除去光致抗蚀剂的洗涤液
US6776810B1 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
US7677956B2 (en) 2002-05-10 2010-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for dielectric CMP
JP4095833B2 (ja) * 2002-05-30 2008-06-04 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US6974777B2 (en) * 2002-06-07 2005-12-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions for low-k dielectric materials
US6936543B2 (en) * 2002-06-07 2005-08-30 Cabot Microelectronics Corporation CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants
GB2393186B (en) 2002-07-31 2006-02-22 Kao Corp Polishing composition
GB2395486B (en) * 2002-10-30 2006-08-16 Kao Corp Polishing composition
US7071105B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
US7186653B2 (en) * 2003-07-30 2007-03-06 Climax Engineered Materials, Llc Polishing slurries and methods for chemical mechanical polishing
US20050022456A1 (en) * 2003-07-30 2005-02-03 Babu S. V. Polishing slurry and method for chemical-mechanical polishing of copper
US7427361B2 (en) * 2003-10-10 2008-09-23 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Particulate or particle-bound chelating agents
JP4249008B2 (ja) * 2003-12-25 2009-04-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
EP1609847B1 (en) * 2004-06-25 2007-03-21 JSR Corporation Cleaning composition for semiconductor components and process for manufacturing semiconductor device
JP2006077127A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP4667848B2 (ja) * 2004-12-13 2011-04-13 花王株式会社 ガラス基板用研磨液組成物
WO2006105020A1 (en) 2005-03-25 2006-10-05 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Dihydroxy enol compounds used in chemical mechanical polishing compositions having metal ion oxidizers
KR101100861B1 (ko) * 2005-04-21 2012-01-02 삼성코닝정밀소재 주식회사 금속 산화물 서스펜션 제조 방법
US20060280860A1 (en) * 2005-06-09 2006-12-14 Enthone Inc. Cobalt electroless plating in microelectronic devices
US7410899B2 (en) * 2005-09-20 2008-08-12 Enthone, Inc. Defectivity and process control of electroless deposition in microelectronics applications
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
CN101802911B (zh) * 2007-09-14 2013-01-02 花王株式会社 用于垂直磁记录方式硬盘用基板的水系洗涤剂组合物
JP2010080022A (ja) 2008-09-29 2010-04-08 Showa Denko Kk 垂直磁気記録媒体の製造方法
SG172773A1 (en) * 2008-12-19 2011-08-29 Sanyo Chemical Ind Ltd Cleaning agent for electronic materials
KR101126530B1 (ko) * 2010-06-09 2012-03-22 주식회사 엔유씨전자 마그네슘 합금의 화학연마 방법
JPWO2013088928A1 (ja) * 2011-12-14 2015-04-27 旭硝子株式会社 洗浄剤、および炭化ケイ素単結晶基板の製造方法
US8859428B2 (en) 2012-10-19 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical mechanical polishing (CMP) composition for shallow trench isolation (STI) applications and methods of making thereof
US9058976B2 (en) * 2012-11-06 2015-06-16 International Business Machines Corporation Cleaning composition and process for cleaning semiconductor devices and/or tooling during manufacturing thereof
CN102977790B (zh) * 2012-12-21 2015-01-07 青岛文创科技有限公司 一种抛光剂
KR101405333B1 (ko) * 2013-09-12 2014-06-11 유비머트리얼즈주식회사 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
CN105127916A (zh) * 2015-08-27 2015-12-09 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种低热膨胀高抗腐蚀的超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105127912A (zh) * 2015-08-27 2015-12-09 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含纳米二硅化钼的高耐磨损超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105234836A (zh) * 2015-08-27 2016-01-13 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含六钛酸钾晶须的低摩擦损耗超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105196193A (zh) * 2015-08-27 2015-12-30 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含纳米氮化钛的高韧性超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105127913A (zh) * 2015-08-27 2015-12-09 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种高硬度抗蠕变的超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105252426A (zh) * 2015-08-27 2016-01-20 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种高耐磨高致密度的超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105234835A (zh) * 2015-08-27 2016-01-13 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含纳米碳化铌弥散增强的高抗蚀超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105234838A (zh) * 2015-08-27 2016-01-13 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含有纳米硼化锆的耐磨高光滑度超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105234834A (zh) * 2015-08-27 2016-01-13 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种高耐磨高导热性的超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105196192A (zh) * 2015-08-27 2015-12-30 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含电气石的高活性高孔径率超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105127915A (zh) * 2015-08-27 2015-12-09 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含纳米碳纤维的高磨削精度高强度超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105081990A (zh) * 2015-08-27 2015-11-25 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含纳米纤维素晶须的高分散性超硬超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105234837A (zh) * 2015-08-27 2016-01-13 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种高速磨削用自修复型超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105127914A (zh) * 2015-08-27 2015-12-09 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种含纳米碳球的高表面光滑度超细粒度cbn砂轮及其制备方法
CN105108664A (zh) * 2015-08-28 2015-12-02 安徽威铭耐磨材料有限公司 一种具有减振降噪功效的高磨削精度超细粒度cbn砂轮及其制备方法
US10294399B2 (en) * 2017-01-05 2019-05-21 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for polishing silicon carbide
CN111020591B (zh) * 2019-12-09 2021-05-04 怀化学院 一种疏水性表面抛光的铝合金的制备方法
CN115247026A (zh) * 2021-04-26 2022-10-28 福建晶安光电有限公司 一种蓝宝石抛光液及其制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6487146A (en) * 1987-09-22 1989-03-31 Lion Corp Dispersant for polishing agent
JPH0284485A (ja) * 1988-09-20 1990-03-26 Showa Denko Kk アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物
CA2021126C (en) * 1989-07-13 1994-12-27 David Elliott Machine dishwashing compositions
JP3106339B2 (ja) * 1994-02-04 2000-11-06 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO1997000931A1 (en) * 1995-06-23 1997-01-09 Bausch & Lomb Incorporated Method for cleaning contact lenses utilizing polysulfonates
CA2234407C (en) * 1995-10-09 2005-08-02 The Procter & Gamble Company Hard surface cleaning compositions
EP0786504A3 (en) * 1996-01-29 1998-05-20 Fujimi Incorporated Polishing composition
JPH1036818A (ja) * 1996-07-24 1998-02-10 Mitsubishi Chem Corp ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いた研磨方法
JP4141514B2 (ja) * 1996-11-26 2008-08-27 株式会社フジミインコーポレーテッド リンス用組成物
SG54606A1 (en) * 1996-12-05 1998-11-16 Fujimi Inc Polishing composition
JPH10204416A (ja) * 1997-01-21 1998-08-04 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 研磨用組成物
ES2201264T3 (es) * 1997-04-30 2004-03-16 THE PROCTER & GAMBLE COMPANY Composiciones acidas para eliminar costras de cal.

Also Published As

Publication number Publication date
CN1253963A (zh) 2000-05-24
GB2350369B (en) 2003-08-20
KR20000035505A (ko) 2000-06-26
GB2350369A (en) 2000-11-29
SG78405A1 (en) 2001-02-20
GB9927203D0 (en) 2000-01-12
CN1146623C (zh) 2004-04-21
US6117220A (en) 2000-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW562851B (en) Polishing composition and rinsing composition
TW554023B (en) Polishing composition
US5997620A (en) Polishing composition
TW593632B (en) Polishing composition for a substrate for a magnetic disk and polishing method employing it
TW500793B (en) Polishing composition
JP4450142B2 (ja) 研磨用組成物
TW530084B (en) Polishing composition and method for producing a memory hard disk
TW500783B (en) Polishing composition
TW562852B (en) Polishing composition and method for producing a memory hard disk
JP4439755B2 (ja) 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法
JP5890088B2 (ja) 研磨剤組成物
TWI227265B (en) Polishing composition and method for producing a memory hard disk
JP4141514B2 (ja) リンス用組成物
GB2359558A (en) Polishing Composition for Memory Hard Disk Substrates
JP4156174B2 (ja) 研磨液組成物
JP4014741B2 (ja) リンス用組成物
JP4074126B2 (ja) 研磨用組成物
JP2000273445A (ja) 研磨用組成物
JP4076630B2 (ja) 研磨液組成物
GB2384003A (en) Polishing method for memory hard disks
TW200426208A (en) Polishing composition and polishing method